JP2001077042A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数の被処理体に対して面間均一に且つ迅速
に熱処理を施すことを可能とする。 【解決手段】 多数の被処理体ｗを所定間隔で配列支持
した支持具１を処理容器２内に収容して所定の処理ガス
雰囲気下で被処理体ｗに所定の熱処理を施す縦型熱処理
装置において、前記処理容器２の側壁に前記被処理体ｗ
の配列方向に複数のゾーンに分けて排気する排気口１２
ａ，１２ｂ，１２ｃを設け、前記被処理体ｗを挟んで前
記排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃと対向する位置に処理
ガスを各被処理体ｗに沿って送流する吐出孔１３を有す
るガス導入管５（５ａ，５ｂ，５ｃ）を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、縦型熱処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体装置の製造においては、被
処理体例えば半導体ウエハに酸化、拡散、アニール、Ｃ
ＶＤ等の処理を施すために、一度に多数枚の半導体ウエ
ハの処理が可能なバッチ式の縦型熱処理装置が用いられ
ている。この縦型熱処理装置は、多数枚の半導体ウエハ
を所定間隔で配列支持した支持具であるボートを処理容
器内に収容して所定の処理ガス雰囲気下で半導体ウエハ
に所定の熱処理例えば成膜処理を施すように構成されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記縦型熱
処理装置においては、ボートに配列支持されている多数
枚の半導体ウエハに対して、如何にして面間均一（半導
体ウエハの被処理面間にバラツキがなく等しく均一な状
態）に且つ迅速に熱処理を施すかが重要な課題とされて
いる。なお、この課題を解決するために、処理容器を内
管と外管の二重管構造とし、その内管の一側壁に多数の
排気孔を設け、被処理体を挟んで排気孔と対向する位置
に処理ガスを各被処理体に沿って送流する吐出孔を有す
るガス導入管を設けることが考えられているが、この場
合、外管の一端側に排気管が設けられる構造上、排気管
に近い排気孔ほど排気し易く、これに伴い各被処理体間
の処理ガスの流れにもバラツキが生じ易いため、多数の
被処理体を面間均一に熱処理するのに限界があった。

【０００４】そこで、本発明は、前記課題を解決すべく
なされたもので、多数の被処理体に対して面間均一に且
つ迅速に熱処理を施すことができる縦型熱処理装置を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、多数の被処理体を所定間隔で配列支持し
た支持具を処理容器内に収容して所定の処理ガス雰囲気
下で被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置にお
いて、前記処理容器の側壁に前記被処理体の配列方向に
複数のゾーンに分けて排気する排気口を設け、前記被処
理体を挟んで前記排気口と対向する位置に処理ガスを各
被処理体に沿って送流する吐出孔を有するガス導入管を
設けたことを特徴とする。

【０００６】請求項２に係る発明は、多数の被処理体を
所定間隔で配列支持した支持具を処理容器内に収容して
所定の処理ガス雰囲気下で被処理体に所定の熱処理を施
す縦型熱処理装置において、前記処理容器を内管と外管
からなる二重管構造とし、その内管の側壁に前記被処理
体の配列方向に複数のゾーンに分けて排気する排気口を
ゾーン毎に周方向に位置をずらして設けると共に、内管
と外管の間に各排気口と連通してゾーン毎に排気する排
気通路を設け、前記被処理体を挟んで各排気口と対向す
る位置に処理ガスを各被処理体に沿ってゾーン毎に送流
する吐出孔を有するガス導入管を配設したことを特徴と
する。

【０００７】請求項３に係る発明は、請求項２記載の縦
型熱処理装置において、前記内管の外側には外管との間
に前記排気通路を区画形成する区画壁が突設されている
ことを特徴とする。

【０００８】請求項４に係る発明は、請求項２載の縦型
熱処理装置において、前記内管の内側には前記ガス導入
管を着脱可能に収容する凹部が形成されていることを特
徴とする。

【０００９】請求項５に係る発明は、請求項２記載の縦
型熱処理装置において、前記支持具が、各被処理体の周
縁部を直接または爪部を介して支持するリングと、多数
のリングを所定間隔で支持固定する支柱とを有し、前記
リングの外周縁部が前記内管の内周面にできるだけ接近
して形成されていると共にリングの外周縁部よりも内側
に前記支柱が配置されていることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。

【００１１】縦型熱処理装置は、図１に示すように、多
数例えば１５０枚程度の被処理体例えば半導体ウエハｗ
を上下方向に所定間隔で配列支持したボート（支持具）
１を収容して所定の処理ガス雰囲気下で半導体ウエハｗ
に所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を施す縦型の熱処理炉
を構成する処理容器である反応管２を備えている。ボー
ト１および反応管２の具体的構成については後述する。

【００１２】この反応管２の周囲には、炉内を所望の温
度例えば８００〜１２００℃程度に加熱するヒータ３が
設けられている。このヒータ３は、反応管２の周囲を取
り囲む円筒状の断熱材の内周に発熱抵抗線を配設して構
成されている。前記ヒータ３は、高さ方向に複数のゾー
ンに分割され、各ゾーン毎に独立して温度制御可能に構
成されていることが好ましい。

【００１３】前記反応管２は、耐熱性および耐食性を有
する材料例えば石英からなり、上端が閉塞され、下端が
炉口として開放された縦長円筒状に形成されている。本
実施の形態では、炉内を減圧した熱処理例えば減圧ＣＶ
Ｄ処理が可能なように炉口を高気密構造とするために、
反応管２の下端部に短円筒状のマニホールド４が取付け
られている。このマニホールド４は、耐熱性および耐食
性を有する材料例えばステンレスからなっている。

【００１４】マニホールド４の側壁には、炉内に処理ガ
スや不活性ガスを導入する後述のガス導入管５や温度計
（図５参照）６を挿通して気密に固定する導入部７と、
炉内を排気する排気管８とが設けらている。ガス導入管
５には、流量制御機構を介してガス供給源が接続され、
排気管８には、圧力制御機構を介して工場排気系が接続
されている（図示省略）。

【００１５】前記マニホールド４の上端部はベースプレ
ート９に取付固定され、マニホールド４の下端部は炉口
として開放されている。反応管２の下方には、マニホー
ルド４の下部開口端に図示しない気密材例えばＯーリン
グを介して当接されて炉口を気密に閉塞する蓋体１０が
図示しない昇降機構により昇降可能に設けられている。
この蓋体１０上には前記ボート１が保温筒１１を介して
載置されている。昇降機構により、反応管２内へのボー
ト１の搬入搬出と前記蓋体１０の開閉が行われるように
なっている。また、蓋体１０には、ボート１を回転させ
る回転機構が設けられている（図示省略）。

【００１６】縦長の反応管２内に収容された多数枚の半
導体ウエハｗに対して面間均一に且つ迅速に熱処理を施
すことを可能とするために、前記反応管２の一側壁に
は、前記半導体ウエハｗの配列方向に複数のゾーン例え
ば上中下の三つのゾーンに分けて排気する排気口１２
ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられ、前記半導体ウエハｗを
挟んで前記排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃと対向する位
置には、処理ガスを対向する排気口１２ａ，１２ｂ，１
２ｃに向って各半導体ウエハの面（被処理面）に沿って
水平に送流する吐出孔１３を有するガス導入管５が設け
られている。

【００１７】更に具体的には、前記反応管２は内管２ａ
と外管２ｂからなる二重管構造とされ、その内管２ａの
側壁には、図２の（ａ），図４ないし図５に示すよう
に、前記半導体ウエハｗの配列方向に複数のゾーンに分
けて排気する排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃがゾーン毎
に周方向に位置をずらして設けられている。また、内管
２ａと外管２ｂの間には、各排気口１２ａ，１２ｂ，１
２ｃと連通してゾーン毎に排気する排気通路１４ａ，１
４ｂ，１４ｃが設けられ、前記半導体ウエハｗを挟んで
各排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃと対向する位置には、
処理ガスを対向する排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃに向
って各半導体ウエハｗの面に沿って水平にゾーン毎に送
流する吐出孔１３を有するガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃ
が配設されている。すなわち、本実施の形態では、ガス
イン（ガス導入管）とガスアウト（排気口）が一対一で
対応している。

【００１８】前記外管２ｂは、上端が閉塞され、下端が
開口され、その開口端にフランジ部２ｆを有する単純な
構造ないし形状に形成されている。この外管２ｂは、そ
の開口端を前記マニホールド４の上端面（上部開口端）
に図示しない気密部材例えばＯリングを介して当接さ
せ、フランジ部２ｆをフランジ押え１５で固定すること
により、マニホールド４上に気密に設置されている。

【００１９】前記内管２ａは、上端が閉塞され、下端が
開口されている。この内管２ａは、その開口端をマニホ
ールド４の下端開口部（炉口）内周にネジ止めされた環
状の支持部材１６上に係合載置することにより、外管２
ｂ内に配置されている。この内管２ａの外側には、外管
２ｂとの間に前記排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃを区
画形成するための区画壁１７が突設されている。区画壁
１７は、内管２ａの長手方向に沿って複数例えば３本の
排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃを形成すべく設けられ
た複数本例えば４本の縦リブ１７ａと、隣り合う縦リブ
１７ａ間に各排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃの上端を
閉塞するように設けられた横リブ１７ｂとから形成され
ている。

【００２０】前記排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃおよび
排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、周方向に複数例え
ば三つのゾーンに分けて形成されているが、この場合、
対向側のガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃとの干渉を避ける
ために、１８０°の範囲内で形成されていることが好ま
しい。前記排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、周方向
に複数のゾーンに分けて形成されていることにより、コ
ンダクタンス（流れ易さ）の平均化が図られている。

【００２１】本実施の形態では、複数のゾーンに分けら
れた排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃに対して、下方の
一つの共通の排気管８から吸引排気するようになってい
る。この場合、各半導体ウエハｗ間に処理ガスを均一に
流すために、各排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃのコン
ダクタンスがバランスするように設計されている。ゾー
ン毎に処理ガスを供給するガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃ
を備えているため、トータルガス量の変更、ポンプスピ
ードの変化、設計値と実機との設計誤差等により、各ゾ
ーンの排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃのコンダクタン
スがアンバランスになったときには、ガスイン側で各ゾ
ーンのガス量を振って微調整することができる。なお、
各排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃ毎に排気管８を設け
ることにより、各排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃのコ
ンダクタンスがバランスするようにガスアウト側でゾー
ン毎に排気制御ないし微調整を行うように構成してもよ
い。

【００２２】前記内管２ａの内側には、図２の（ｂ），
図４ないし図５にも示すように、前記ガス導入管５ａ，
５ｂ，５ｃを着脱可能に収容する凹部１８（１８ａ，１
８ｂ，１８ｃ）と、温度計６を着脱可能に収容する凹部
１８ｄとがそれぞれ長手方向に沿って形成されている。
このように、ガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃを内管２ａの
凹部１８ａ，１８ｂ，１８ｃに収容することにより、ボ
ート１と内管２ａとの間の隙間ｓを小さくすることがで
きる。内管２ａの肉厚が薄いので、内管２ａの外側は凹
部１８ａ，１８ｂ，１８ｃと対応した凸状に形成されて
いるが、何ら問題はない。

【００２３】なお、図２には、温度計６を収容する凹部
１８ｄが省略されている。図２において、１９はガス導
入管５のＬ字に曲げられた基端部を挿通するために凹部
１８の下端に設けられた孔部である。凹部１８ａ，１８
ｂ，１８ｃは、ガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃの長さに対
応した長さに形成されていることが好ましい。

【００２４】前記排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、多
数のスリット（図示例では横スリット）により構成され
ていることが好ましいが、多数の孔あるいは単なる開口
であってもよい。前記ガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃは、
図３に示すように、各ゾーンに個別に処理ガスを供給す
るために、長さを異ならせて形成されている。ガス導入
管５ａ，５ｂ，５ｃは、先端側に行くにしたがって吐出
孔１３からの吐出圧力が漸次低下することから、吐出圧
力を平均化するために、先端側がＵ字状に折り返して形
成されていることが好ましい。

【００２５】一方、前記ボート１は、耐熱性および耐食
性を有する材料例えば石英からなっている。このボート
１としては、半導体ウエハｗの面内均一な熱処理例えば
成膜処理が可能ないわゆるリングボートが好ましい。ボ
ート１は、図６の（ａ），（ｂ）に示すように、各半導
体ウエハｗの周縁部を複数例えば３つの爪部２０を介し
て支持するリング２１と、これら多数のリング２１を所
定間隔で支持固定する複数例えば４本の支柱２２とから
主に構成されている。

【００２６】この場合、処理ガスがリング２１と内管２
ａの隙間ｓを通って上方または下方へ漏れる（流れる）
のを抑制するために、前記リング２１の外周縁部が前記
内管２ａの内周面にできるだけ接近して形成されている
と共にリング２１の外周縁部よりも内側に前記支柱２２
が配置されていることが好ましい。このようにするため
に、各リング２１の外周縁部には、支柱２２を収容する
切欠部２３が設けられ、支柱２２にはその切欠部２３の
奥部に係合してリング２１を所定高さ位置に係止する係
止溝２４が長手方向に多段に設けられている。

【００２７】各リング２１は、支柱２２に対して溶接に
より固定されている。図１に示すように、支柱２２の上
端と下端には、天板２５と底板２６が設けられている。
このように構成されたボート１は、前記保温筒１１の上
部に着脱可能に係合支持されている。

【００２８】以上の構成からなる縦型熱処理装置によれ
ば、多数の半導体ウエハｗを所定間隔で配列支持したボ
ート１を反応管２内に収容して所定の処理ガス雰囲気下
で半導体ウエハｗに所定の熱処理を施す縦型熱処理装置
において、前記反応管２の側壁に前記半導体ウエハｗの
配列方向に複数のゾーンに分けて排気する排気口１２
ａ，１２ｂ，１２ｃを設け、前記半導体ウエハｗを挟ん
で前記排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃと対向する位置に
処理ガスを半導体ウエハｗに沿って送流する吐出孔１３
を有するガス導入管５を設けているため、各半導体ウエ
ハｗ間の処理ガスの流れを均一にすべくゾーン毎に排気
側の排気量を制御ないし微調整することが可能となり、
多数の半導体ウエハｗに対して面間均一に且つ迅速に
（成膜処理にあっては、成膜速度を速めて）熱処理を施
すことが可能となる。

【００２９】この場合、前記反応管２を内管２ａと外管
２ｂからなる二重管構造とし、その内管２ａの側壁に前
記半導体ウエハｗの配列方向に複数のゾーンに分けて排
気する排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃをゾーン毎に周方
向に位置をずらして設けると共に、内管２ａと外管２ｂ
の間に各排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃと連通してゾー
ン毎に排気する排気通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃを設
け、前記半導体ウエハｗを挟んで各排気口１２ａ，１２
ｂ，１２ｃと対向する位置に処理ガスを各半導体ウエハ
ｗに沿ってゾーン毎に送流する吐出孔１３を有するガス
導入管５ａ，５６ｂ，５ｃを配設しているため、各半導
体ウエハｗ間の処理ガスの流れを均一にすべくゾーン毎
にガス導入側のガス量および排気側の排気量を制御ない
し微調整することが可能となり、多数の半導体ウエハｗ
に対してより一層面間均一に且つ迅速に熱処理を施すこ
とが可能となる。

【００３０】前記内管２ａの外側には、外管２ｂとの間
に前記排気通路を区画形成する区画壁１７が突設されて
いるため、圧力がかかる外管２ｂを単純な形状ないし構
造にすることができる。また、内管２ａと外管２ｂが分
離可能であるため、これらの洗浄が容易に行える。前記
内管２ａの内側には前記ガス導入管５ａ，５ｂ，５ｃを
着脱可能に収容する凹部１８ａ，１８ｂ，１８ｃが形成
されているため、ボート１と内管２ａの隙間ｓを小さく
することができると共に、内管２ａやガス導入管５ａ，
５ｂ，５ｃの交換、洗浄が容易にできる。

【００３１】また、前記ボート１が、各半導体ウエハｗ
の周縁部を爪部２０を介して支持するリング２１と、多
数のリング２１を所定間隔で支持固定する支柱２２とを
有し、前記リング２１の外周縁部が前記内管２ａの内周
面にできるだけ接近して形成されていると共にリング２
１の外周縁部よりも内側に前記支柱２２が配置されてい
るため、処理ガスがリング２１と内管２ａの隙間ｓを通
って漏れるのを抑制することができ、各半導体ウエハｗ
間の処理ガスの均一な流れを確保することができる。

【００３２】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、ボート１としては、
爪部２０を有せず、リング２１上に半導体ウエハｗを直
接載置するように構成されていてもよい。被処理体とし
ては、半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板等であっ
てもよい。ガス導入管５（５ａ，５ｂ，５ｃ）は、各ゾ
ーン毎に複数本ずつ設けられていてもよい。

【００３３】排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、必ずし
も周方向にゾーン毎に位置をずらして設けられていなく
てもよく、図７の（ａ）に示すように、内管２ａの長手
方向に一列に設けられていてもよい。この場合、ガス導
入管５は、一本でよい。但し、排気通路１４ａ，１４
ｂ，１４ｃは、コンダクタンスの平均化を図るために周
方向にゾーン毎に分けて設けられていることが好まし
い。反応管（処理容器）２は、必ずしも二重管構造でな
くてもよく、図７の（ｂ）に示すように、反応管２の外
側に排気口１２ａ，１２ｂ，１２ｃおよび排気通路１４
ａ，１４ｂ，１４ｃを覆う外壁部２７が一体的に設けら
れていてもよい。この場合、その外壁２７に排気管８が
設けられる。

【００３４】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３５】（１）請求項１に係る発明によれば、多数
の被処理体を所定間隔で配列支持した支持具を処理容器
内に収容して所定の処理ガス雰囲気下で被処理体に所定
の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記処理容器
の側壁に前記被処理体の配列方向に複数のゾーンに分け
て排気する排気口を設け、前記被処理体を挟んで前記排
気口と対向する位置に処理ガスを各被処理体に沿って送
流する吐出孔を有するガス導入管を設けているため、各
被処理体間の処理ガスの流れを均一にすべくゾーン毎に
排気側の排気量を制御ないし微調整することが可能とな
り、多数の被処理体に対して面間均一に且つ迅速に熱処
理を施すことが可能となる。

【００３６】（２）請求項２に係る発明によれば、多数
の被処理体を所定間隔で配列支持した支持具を処理容器
内に収容して所定の処理ガス雰囲気下で被処理体に所定
の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記処理容器
を内管と外管からなる二重管構造とし、その内管の側壁
に前記被処理体の配列方向に複数のゾーンに分けて排気
する排気口をゾーン毎に周方向に位置をずらして設ける
と共に、内管と外管の間に各排気口と連通してゾーン毎
に排気する排気通路を設け、前記被処理体を挟んで各排
気口と対向する位置に処理ガスを各被処理体に沿ってゾ
ーン毎に送流する吐出孔を有するガス導入管を配設して
いるため、各被処理体間の処理ガスの流れを均一にすべ
くゾーン毎にガス導入側のガス量および排気側の排気量
を制御ないし微調整することが可能となり、多数の被処
理体に対してより一層面間均一に且つ迅速に熱処理を施
すことが可能となる。

【００３７】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
内管の外側には外管との間に前記排気通路を区画形成す
る区画壁が突設されているため、外管を単純な構造にす
ることができる。

【００３８】（４）請求項４に係る発明によれば、前記
内管の内側には前記ガス導入管を着脱可能に収容する凹
部が形成されているため、ガス導入管の交換、洗浄が容
易にできる。

【００３９】（５）請求項５に係る発明によれば、前記
支持具が、各被処理体の周縁部を直接または爪部を介し
て支持するリングと、多数のリングを所定間隔で支持固
定する支柱とを有し、前記リングの外周縁部が前記内管
の内周面にできるだけ接近して形成されていると共にリ
ングの外周縁部よりも内側に前記支柱が配置されている
ため、処理ガスがリングと内管の隙間を通って漏れるの
を抑制することができ、各被処理体間の処理ガスの均一
な流れを確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す縦型熱処理装置の概
略的縦断面図である。

【図２】内管を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は背
面図である。

【図３】処理ガス導入管を示す図で、（ａ）は上ゾーン
用の正面図、（ｂ）は中ゾーン用の正面図、（ｃ）は下
ゾーン用の正面図である。

【図４】内管の拡大平面図である。

【図５】図１のＡ−Ａ矢視拡大断面図である。

【図６】支持具の一例を示す図で、（ａ）は横断面図、
（ｂ）は部分的正面図である。

【図７】処理容器の変形例を示す図で、（ａ）は排気口
を縦に一列に配設した内管の正面図、（ｂ）は処理容器
を一重構造とした正面図である。

【符号の説明】

ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ ボート（支持具） ２ 反応管（処理容器） ２ａ 内管 ２ｂ 外管 ５（５ａ，５ｂ，５ｃ） ガス導入管 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 排気口 １３ 吐出孔 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 排気通路 １７ 区画壁 １８（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ） 凹部 ２０ 爪部 ２１ リング ２２ 支柱

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多数の被処理体を所定間隔で配列支持し
   た支持具を処理容器内に収容して所定の処理ガス雰囲気
   下で被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置にお
   いて、前記処理容器の側壁に前記被処理体の配列方向に
   複数のゾーンに分けて排気する排気口を設け、前記被処
   理体を挟んで前記排気口と対向する位置に処理ガスを各
   被処理体に沿って送流する吐出孔を有するガス導入管を
   設けたことを特徴とする縦型熱処理装置。
2. 【請求項２】 多数の被処理体を所定間隔で配列支持し
   た支持具を処理容器内に収容して所定の処理ガス雰囲気
   下で被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置にお
   いて、前記処理容器を内管と外管からなる二重管構造と
   し、その内管の側壁に前記被処理体の配列方向に複数の
   ゾーンに分けて排気する排気口をゾーン毎に周方向に位
   置をずらして設けると共に、内管と外管の間に各排気口
   と連通してゾーン毎に排気する排気通路を設け、前記被
   処理体を挟んで各排気口と対向する位置に処理ガスを各
   被処理体に沿ってゾーン毎に送流する吐出孔を有するガ
   ス導入管を配設したことを特徴とする縦型熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記内管の外側には外管との間に前記排
   気通路を区画形成する区画壁が突設されていることを特
   徴とする請求項２記載の縦型熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記内管の内側には前記ガス導入管を着
   脱可能に収容する凹部が形成されていることを特徴とす
   る請求項２記載の縦型熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記支持具は、各被処理体の周縁部を直
   接または爪部を介して支持するリングと、多数のリング
   を所定間隔で支持固定する支柱とを有し、前記リングの
   外周縁部が前記内管の内周面にできるだけ接近して形成
   されていると共にリングの外周縁部よりも内側に前記支
   柱が配置されていることを特徴とする請求項２記載の縦
   型熱処理装置。