JP2001068044A - 画像形成装置及びその製造方法 - Google Patents
画像形成装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子源からの放出電子の広がりを抑え、画素サ
イズの小型化、画像の高精細化を簡単な構造かつ低コス
トで実現した画像形成装置及び大量生産が容易なその製
造方法を提供することにある。 【解決手段】電子源５と対向して配置されるフェースプ
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットのガラス基板８の面に対して
垂直な面の断面形状が半円形状となる凸部９を画素の行
方向或いは列方向に形成し、凸部９、９間のガラス基板
８の板面には後述するスペーサ１１が嵌めるために断面
が矩形状の凹部１０を形成してある。この凹部１０は、
サンドブラスト方法を用いてガラス基板８を加工するこ
とにより形成される。そして１画素を形成する３つの凸
部９…の表面には、透明電極と電子によって可視光を発
光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗布して蛍光面を形成
している。
イズの小型化、画像の高精細化を簡単な構造かつ低コス
トで実現した画像形成装置及び大量生産が容易なその製
造方法を提供することにある。 【解決手段】電子源５と対向して配置されるフェースプ
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットのガラス基板８の面に対して
垂直な面の断面形状が半円形状となる凸部９を画素の行
方向或いは列方向に形成し、凸部９、９間のガラス基板
８の板面には後述するスペーサ１１が嵌めるために断面
が矩形状の凹部１０を形成してある。この凹部１０は、
サンドブラスト方法を用いてガラス基板８を加工するこ
とにより形成される。そして１画素を形成する３つの凸
部９…の表面には、透明電極と電子によって可視光を発
光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗布して蛍光面を形成
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源から放出さ
れる電子線が蛍光面を有したフェースプレートに入射
し、発光により画像を形成する画像形成装置および製造
方法に関する。
れる電子線が蛍光面を有したフェースプレートに入射
し、発光により画像を形成する画像形成装置および製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、薄型でフラットなディスプレ
イとして、冷電子源、例えば、電界放出型（ＦＥ型)、
表面伝導型(ＳＣＥ型)、金属／絶縁層／金属(ＭＩＭ
型）、から放出された電子により、電子源と対向して配
置したガラス基板上に塗布した蛍光体を発光させて、文
字や画像を表示する画像形成装置が研究されている。
イとして、冷電子源、例えば、電界放出型（ＦＥ型)、
表面伝導型(ＳＣＥ型)、金属／絶縁層／金属(ＭＩＭ
型）、から放出された電子により、電子源と対向して配
置したガラス基板上に塗布した蛍光体を発光させて、文
字や画像を表示する画像形成装置が研究されている。
【０００３】このような画像形成装置は、代表的なブラ
ウン管に比べて、薄型、軽量化が可能であり、また、液
晶を用いた画像形成装置と比べて、自発光型であるため
バックライトが不要である、視野角特性が優れている等
の長所を有している。
ウン管に比べて、薄型、軽量化が可能であり、また、液
晶を用いた画像形成装置と比べて、自発光型であるため
バックライトが不要である、視野角特性が優れている等
の長所を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
画像形成装置では、スピント型に代表される電界放出型
電子源に見られるように放出された電子の広がりによ
り、画素サイズが小さくできず高精細化が困難である問
題があった。
画像形成装置では、スピント型に代表される電界放出型
電子源に見られるように放出された電子の広がりによ
り、画素サイズが小さくできず高精細化が困難である問
題があった。
【０００５】特開平５−４７３５４号公報で示されるス
ピント型の電界放出型電子源５’を用いたものは図８に
示すように、放出電子ｅの広がりを抑えるために収束電
極(グリッド)１２を設けることによって、放出電子ｅの
広がりを抑制し、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を目指す試みがなされている。
ピント型の電界放出型電子源５’を用いたものは図８に
示すように、放出電子ｅの広がりを抑えるために収束電
極(グリッド)１２を設けることによって、放出電子ｅの
広がりを抑制し、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を目指す試みがなされている。
【０００６】図８中、７’はガラス基板、１３は反射用
のアルミメタルバック、Ｒ，Ｇ、Ｂは透明電極を介して
ガラス基板８’に塗布してからパターン形成された蛍光
体である。
のアルミメタルバック、Ｒ，Ｇ、Ｂは透明電極を介して
ガラス基板８’に塗布してからパターン形成された蛍光
体である。
【０００７】しかし、このような方法では、構造が複雑
で、グリッドの形成や駆動回路の負荷増大によるコスト
アップが大きく、問題があった。
で、グリッドの形成や駆動回路の負荷増大によるコスト
アップが大きく、問題があった。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑みて為された物
で、その目的とするところは、電子源からの放出電子の
広がりを抑え、画素サイズの小型化、画像の高精細化を
簡単な構造かつ低コストで実現した画像形成装置及び大
量生産が容易なその製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、電子源からの放出電子の
広がりを抑え、画素サイズの小型化、画像の高精細化を
簡単な構造かつ低コストで実現した画像形成装置及び大
量生産が容易なその製造方法を提供することにある。
【０００９】また真空射止パネルの大型化に不可欠なス
ペーサの簡易固定方法、輝度の向上を同時に実現した画
像形成装置の提供を目的とする。
ペーサの簡易固定方法、輝度の向上を同時に実現した画
像形成装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、電子源と、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を備えたフェースプレート
を有する画像形成装置において、前記フェースプレート
の蛍光面側に凹凸を設けたことを特徴とする。
に、請求項１の発明では、電子源と、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を備えたフェースプレート
を有する画像形成装置において、前記フェースプレート
の蛍光面側に凹凸を設けたことを特徴とする。
【００１１】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であること
を特徴とする。
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であること
を特徴とする。
【００１２】請求項３の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭
となる形状であることを特徴とする。
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭
となる形状であることを特徴とする。
【００１３】請求項４の発明では、請求項１乃至３の発
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
ることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
ることを特徴とする。
【００１４】請求項５の発明では、請求項１乃至３の発
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において反電子源方
向に幅狭となる形状であることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において反電子源方
向に幅狭となる形状であることを特徴とする。
【００１５】請求項６の発明では、請求項１乃至５の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする。
【００１６】請求項７の発明では、請求項１乃至５の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする。
【００１７】請求項８の発明では、請求項１乃至７の何
れかの発明において、前記フェースプレートの凹部に、
スペーサの先端を嵌め込み固定して成ることを特徴とす
る。
れかの発明において、前記フェースプレートの凹部に、
スペーサの先端を嵌め込み固定して成ることを特徴とす
る。
【００１８】請求項９の発明では、請求項１乃至８の何
れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガラ
ス基板の一面にサンドブラスト、ウェットエッチ、ＲＩ
Ｅ、熱加圧の何れかの凹部形成法により凹部を形成し、
この凹部を形成せる基板の一面側に、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を設けてフェースプレート
を得ることを特徴とする。
れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガラ
ス基板の一面にサンドブラスト、ウェットエッチ、ＲＩ
Ｅ、熱加圧の何れかの凹部形成法により凹部を形成し、
この凹部を形成せる基板の一面側に、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を設けてフェースプレート
を得ることを特徴とする。
【００１９】請求項１０の発明では、請求項１乃至８の
何れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガ
ラス基板の一面にスクリーン印刷、ディスペンサー塗
布、メッキの何れかの突部形成法により凸部を形成し、
この凸部の表面に電子源から放出される電子が照射され
る蛍光面を設けてフェースプレートを得ることを特徴と
する。
何れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガ
ラス基板の一面にスクリーン印刷、ディスペンサー塗
布、メッキの何れかの突部形成法により凸部を形成し、
この凸部の表面に電子源から放出される電子が照射され
る蛍光面を設けてフェースプレートを得ることを特徴と
する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施形態により説明
する。
する。
【００２１】（実施形態１）本実施形態の画像形成装置
は図１、図２に示すように電子源としては多孔質シリコ
ンを用いた平面型電子源５を使用したもので、ｐ型の単
結晶シリコン基板１の表面にｎ型領域２をストライプ状
に形成し（図１において紙面と直交する方向に延設）す
るとともに、シリコン基板１上には多結晶シリコン層３
を形成し、この多結晶シリコン層３の内、ｎ型領域２の
上に形成された部分を、酸化して多孔質多結晶シリコン
からなる電界ドリフト層４を形成し、更に多結晶シリコ
ン層３上に、ｎ型領域２とは直交する方向にストライプ
状に表面電極６を形成している。このような構造の電子
源５を形成するシリコン基板１は、リヤプレートを構成
するガラス基板７上に接着されている。
は図１、図２に示すように電子源としては多孔質シリコ
ンを用いた平面型電子源５を使用したもので、ｐ型の単
結晶シリコン基板１の表面にｎ型領域２をストライプ状
に形成し（図１において紙面と直交する方向に延設）す
るとともに、シリコン基板１上には多結晶シリコン層３
を形成し、この多結晶シリコン層３の内、ｎ型領域２の
上に形成された部分を、酸化して多孔質多結晶シリコン
からなる電界ドリフト層４を形成し、更に多結晶シリコ
ン層３上に、ｎ型領域２とは直交する方向にストライプ
状に表面電極６を形成している。このような構造の電子
源５を形成するシリコン基板１は、リヤプレートを構成
するガラス基板７上に接着されている。
【００２２】而して電子源５のｎ型領域２と表面電極６
に電圧を印加すれば、ｎ型領域２と表面電極６とが交差
している部分から電子が放出される。
に電圧を印加すれば、ｎ型領域２と表面電極６とが交差
している部分から電子が放出される。
【００２３】電子源５と対向して配置されるフェースプ
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットに対応して、ガラス基板８の
面に対して垂直な面の断面形状が半円形状（半楕円形状
でも良い）となる凸部９を画素の行方向或いは列方向に
形成し、凸部９、９間のガラス基板８の板面には後述す
るスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するために断面が
矩形状の凹部１０を形成してある。
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットに対応して、ガラス基板８の
面に対して垂直な面の断面形状が半円形状（半楕円形状
でも良い）となる凸部９を画素の行方向或いは列方向に
形成し、凸部９、９間のガラス基板８の板面には後述す
るスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するために断面が
矩形状の凹部１０を形成してある。
【００２４】この凹部１０は、サンドブラスト方法を用
いてガラス基板８を加工することにより形成される。そ
して１画素を形成する３つのドットに対応する凸部９…
の表面には、透明電極（図示せず）と電子によって赤、
緑、青に可視光を発光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗
布して蛍光面を形成している。
いてガラス基板８を加工することにより形成される。そ
して１画素を形成する３つのドットに対応する凸部９…
の表面には、透明電極（図示せず）と電子によって赤、
緑、青に可視光を発光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗
布して蛍光面を形成している。
【００２５】ここで、凹部１０の形成には一般的なガラ
ス加工方法であるサンドブラスト以外に、ウェットエッ
チ、ＲＩＥ、熱加圧等の凹部形成方法を用いることもで
きる。 また、平滑なガラス基板８に凸部９を形成する
方法としては、一般的なスクリーン印刷、ディスペンサ
ー塗布、メッキ等の凸部形成方法を用いる。
ス加工方法であるサンドブラスト以外に、ウェットエッ
チ、ＲＩＥ、熱加圧等の凹部形成方法を用いることもで
きる。 また、平滑なガラス基板８に凸部９を形成する
方法としては、一般的なスクリーン印刷、ディスペンサ
ー塗布、メッキ等の凸部形成方法を用いる。
【００２６】そして、フェースプレートを構成するガラ
ス基板８と、電子源５を設けたリアプレートを構成する
ガラス基板７とを、凹部１０に先端を嵌めてガラス基板
８と電子源５との間に固定されるスペーサ１１を介し
て、対向して設置し、周辺部を接着剤で封止することに
より、両ガラス基板７，８間の空間内を、１Ｐａ以下の
真空状態に維持して、パネル状の画像形成装置を構成し
ている。
ス基板８と、電子源５を設けたリアプレートを構成する
ガラス基板７とを、凹部１０に先端を嵌めてガラス基板
８と電子源５との間に固定されるスペーサ１１を介し
て、対向して設置し、周辺部を接着剤で封止することに
より、両ガラス基板７，８間の空間内を、１Ｐａ以下の
真空状態に維持して、パネル状の画像形成装置を構成し
ている。
【００２７】スペーサ１１の材料としては、ガラス、セ
ラミック或いは表面を琺瑯などにより絶縁処理した金属
が使用できる。
ラミック或いは表面を琺瑯などにより絶縁処理した金属
が使用できる。
【００２８】また、両ガラス基板７，８の接着には、フ
リットガラスやエポキシ系等の真空用接着剤を使用す
る。
リットガラスやエポキシ系等の真空用接着剤を使用す
る。
【００２９】このようにフェースプレートに凹部１０、
凸部９を設けると、フェースプレートと電子源５の間の
等電位面は歪められ、矢印で示すように放出された電子
ｅは凸部９に形成されたドットに対応せる蛍光面に収束
されることになり、その結果画素の小型化、画像の高精
細化した設計ができる。
凸部９を設けると、フェースプレートと電子源５の間の
等電位面は歪められ、矢印で示すように放出された電子
ｅは凸部９に形成されたドットに対応せる蛍光面に収束
されることになり、その結果画素の小型化、画像の高精
細化した設計ができる。
【００３０】また、画素の行方向又は列方向に凹部１０
を形成しているためスペーサ１１の固定が容易になる。
さらに、蛍光面からの発光が凸部９の内壁で反射してガ
ラス基板８の前面に放射されることによる輝度の向上効
果もある。
を形成しているためスペーサ１１の固定が容易になる。
さらに、蛍光面からの発光が凸部９の内壁で反射してガ
ラス基板８の前面に放射されることによる輝度の向上効
果もある。
【００３１】（実施形態２）上記実施形態１では凸部９
の断面形状を半円形状としているが、図３に示すように
略台形状にしても良い。この場合凸部９の形成方向は画
素の行方向或いは列方向とする。
の断面形状を半円形状としているが、図３に示すように
略台形状にしても良い。この場合凸部９の形成方向は画
素の行方向或いは列方向とする。
【００３２】（実施形態３）上記実施形態１では凸部９
の断面形状を半円形状としているが、図４に示すように
矩形状とすることにより、凸部９，９間に断面矩形状の
凹部１０を形成氏、この凹部１０に電子源５側から立設
したリブ状のスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するよ
うにしても良い。この場合凸部９の形成方向は画素の行
方向或いは列方向とする。
の断面形状を半円形状としているが、図４に示すように
矩形状とすることにより、凸部９，９間に断面矩形状の
凹部１０を形成氏、この凹部１０に電子源５側から立設
したリブ状のスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するよ
うにしても良い。この場合凸部９の形成方向は画素の行
方向或いは列方向とする。
【００３３】（実施形態４）上記実施形態１〜３では凸
部９，凹部１０の形成を画素の行方向或いは列方向とし
ているが、本実施形態は画素のＲ，Ｇ，Ｂのドット毎に
図５，図６（ａ）（ｂ）に示すように形成してある。
部９，凹部１０の形成を画素の行方向或いは列方向とし
ているが、本実施形態は画素のＲ，Ｇ，Ｂのドット毎に
図５，図６（ａ）（ｂ）に示すように形成してある。
【００３４】（実施形態５）実施形態１乃至４では多孔
質シリコンを用いた電子源５を用いているが、電子源５
は多孔質シリコン型のものに限定されるものではなく、
例えば、スピント型やMIM型、MOS型の電子源などを用い
てもよく、本実施形態では図７に示すようにスピン型電
子源５’に対向するように配置されるフェースプレート
を実施形態１と同様な形状のものを用いている。
質シリコンを用いた電子源５を用いているが、電子源５
は多孔質シリコン型のものに限定されるものではなく、
例えば、スピント型やMIM型、MOS型の電子源などを用い
てもよく、本実施形態では図７に示すようにスピン型電
子源５’に対向するように配置されるフェースプレート
を実施形態１と同様な形状のものを用いている。
【００３５】
【発明の効果】請求項１の発明では、電子源と、電子源
から放出される電子が照射される蛍光面を備えたフェー
スプレートを有する画像形成装置において、前記フェー
スプレートに凹凸を設けたので、フェースプレートとリ
ヤプレート間の電界分布を画素中心部で密にすることが
でき、この結果放出電子を画素中心部に収束でき、同一
電子源面積に対する画素サイズの小型化や高輝度化がで
きるという効果がある。
から放出される電子が照射される蛍光面を備えたフェー
スプレートを有する画像形成装置において、前記フェー
スプレートに凹凸を設けたので、フェースプレートとリ
ヤプレート間の電界分布を画素中心部で密にすることが
でき、この結果放出電子を画素中心部に収束でき、同一
電子源面積に対する画素サイズの小型化や高輝度化がで
きるという効果がある。
【００３６】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であるの
で、ガラス基板の一部をエッチング等により掘り込むこ
とによって凹凸形状を形成でき、凹部の形状に合わせて
設計すれば、非常に容易に加工できるという効果があ
る。
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であるの
で、ガラス基板の一部をエッチング等により掘り込むこ
とによって凹凸形状を形成でき、凹部の形状に合わせて
設計すれば、非常に容易に加工できるという効果があ
る。
【００３７】請求項３の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭
となる形状であるので、凸部表面に形成された蛍光体に
放出電子が入射することによって発光した光が、その凸
部の傾斜表面で反射してフェースプレート全面に導か
れ、結果従来のフラットな構造に比べて輝度が向上する
という効果がある。
いて、前記フェースプレートの凸部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭
となる形状であるので、凸部表面に形成された蛍光体に
放出電子が入射することによって発光した光が、その凸
部の傾斜表面で反射してフェースプレート全面に導か
れ、結果従来のフラットな構造に比べて輝度が向上する
という効果がある。
【００３８】請求項４の発明では、請求項１乃至３の発
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
るので、外部の大気圧による真空のフェースプレートと
リヤプレート間への圧力での変形、破損を防止するため
にスペーサを固定配置する際に、凹部の間隔とスペーサ
の幅を調整することによって、フェースプレートに容易
に固定可能することができるという効果がある。
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
るので、外部の大気圧による真空のフェースプレートと
リヤプレート間への圧力での変形、破損を防止するため
にスペーサを固定配置する際に、凹部の間隔とスペーサ
の幅を調整することによって、フェースプレートに容易
に固定可能することができるという効果がある。
【００３９】請求項５の発明では、請求項１乃至３の発
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において反電子源方
向に幅狭となる形状であるので、平滑なガラス基板の一
部をエッチング、等により掘り込むことによって形成で
き、凸部の形状に合わせて容易に加工できるという効果
がある。
明において、前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において反電子源方
向に幅狭となる形状であるので、平滑なガラス基板の一
部をエッチング、等により掘り込むことによって形成で
き、凸部の形状に合わせて容易に加工できるという効果
がある。
【００４０】請求項６の発明では、請求項１乃至５の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであるので、リブ状スペーサを
容易に固定可能であるという効果がある。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであるので、リブ状スペーサを
容易に固定可能であるという効果がある。
【００４１】請求項７の発明では、請求項１乃至５の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであるので、請求項６の発明
の効果に加えて、ドットに対応する蛍光面の発光漏れを
上下左右とも抑制することができるという効果がある。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであるので、請求項６の発明
の効果に加えて、ドットに対応する蛍光面の発光漏れを
上下左右とも抑制することができるという効果がある。
【００４２】請求項８の発明では、請求項１乃至７の何
れかの発明において、前記フェースプレートの凹部に、
スペーサの先端を嵌め込み固定して成るので、製造工程
中での熱膨張係数の違いや張り合わせ時の位置ずれが発
生せずにスペーサによる画素不良の発生が著しく減少す
るという効果がある。
れかの発明において、前記フェースプレートの凹部に、
スペーサの先端を嵌め込み固定して成るので、製造工程
中での熱膨張係数の違いや張り合わせ時の位置ずれが発
生せずにスペーサによる画素不良の発生が著しく減少す
るという効果がある。
【００４３】請求項９の発明では、請求項１乃至８の何
れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガラ
ス基板の一面にサンドブラスト、ウェットエッチ、ＲＩ
Ｅ、熱加圧の何れかの凹部形成法により凹部を形成し、
この凹部を形成せる基板の一面側に、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を設けてフェースプレート
を得るので、フェースプレートの凹部を平坦なガラス基
板から容易に形成でき、そのため大量生産に対応可能で
低コスト化が実現できるという効果がある。
れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガラ
ス基板の一面にサンドブラスト、ウェットエッチ、ＲＩ
Ｅ、熱加圧の何れかの凹部形成法により凹部を形成し、
この凹部を形成せる基板の一面側に、電子源から放出さ
れる電子が照射される蛍光面を設けてフェースプレート
を得るので、フェースプレートの凹部を平坦なガラス基
板から容易に形成でき、そのため大量生産に対応可能で
低コスト化が実現できるという効果がある。
【００４４】請求項１０の発明では、請求項１乃至８の
何れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガ
ラス基板の一面にスクリーン印刷、ディスペンサー塗
布、メッキの何れかの突部形成法により凸部を形成し、
この凸部の表面に電子源から放出される電子が照射され
る蛍光面を設けてフェースプレートを得るので、フェー
スプレートの凸部を平坦なガラス基板から容易に形成で
き、大量生産に対応可能で低コスト化が実現できる。
何れかの画像形成装置の製造するに当たって、平坦なガ
ラス基板の一面にスクリーン印刷、ディスペンサー塗
布、メッキの何れかの突部形成法により凸部を形成し、
この凸部の表面に電子源から放出される電子が照射され
る蛍光面を設けてフェースプレートを得るので、フェー
スプレートの凸部を平坦なガラス基板から容易に形成で
き、大量生産に対応可能で低コスト化が実現できる。
【図１】本発明の実施形態１の要部の断面図である。
【図２】同上の要部の一部破断せる斜視図である。
【図３】本発明の実施形態２のガラス基板の要部の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施形態３の要部の一部破断省略せる
斜視図である。
斜視図である。
【図５】本発明の実施形態４のガラス基板の一部省略せ
る下面図である。
る下面図である。
【図６】（ａ）は同上の図５のＸ−Ｘ’断面図である。
（ｂ）は同上の図５のＹ−Ｙ’断面図である。
（ｂ）は同上の図５のＹ−Ｙ’断面図である。
【図７】同上の実施形態５の要部の断面図である。
【図８】従来例の要部の断面図である。
１ シリコン基板 ２ ｎ型領域 ３ 多結晶シリコン層 ４ 電界ドリフト層 ５ 電子源 ６ 表面電極 ７ ガラス基板 ８ ガラス基板 ９ 凸部 １０ 凹部 １１ スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/32 Ｈ０１Ｊ 29/32 (72)発明者 相澤 浩一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 菰田 卓哉 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5C028 HH14 5C036 CC06 CC07 CC13 CC20 EE03 EF01 EF06 EF09 EG01 EG36 EH01 5C094 AA05 AA43 AA46 BA31 CA19 CA24 EB02 EC04 FA04 GB01 5C096 AA22 AA27 BA04 CC05 CC23 CC36 CG02 CG07 EB04 EB05 EB14 EB16
Claims (10)
- 【請求項１】電子源と、電子源から放出される電子が照
射される蛍光面を備えたフェースプレートを有する画像
形成装置において、前記フェースプレートの蛍光面側に
凹、凸部を設けたことを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】前記フェースプレートの凸部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
ることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。 - 【請求項３】前記フェースプレートの凸部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において電子源方向
に幅狭となる形状であることを特徴とする請求項１記載
の画像形成装置。 - 【請求項４】前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
ることを特徴とする請求項１乃至３の何れか記載の記載
の画像形成装置。 - 【請求項５】前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において反電子源方
向に幅狭となる形状であることを特徴とする請求項１乃
至３の何れか記載の画像形成装置。 - 【請求項６】前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする請求項
１乃至５の何れか記載の画像形成装置。 - 【請求項７】前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする請求
項１乃至５記載の画像形成装置。 - 【請求項８】前記フェースプレートの凹部に、スペーサ
の先端を嵌め込み固定して成ることを特徴とする請求項
１乃至７の何れか記載の画像形成装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８の何れかの画像形成装置の
製造するに当たって、平坦なガラス基板の一面にサンド
ブラスト、ウェットエッチ、ＲＩＥ、熱加圧の何れかの
凹部形成法により凹部を形成し、この凹部を形成せる基
板の一面側に、電子源から放出される電子が照射される
蛍光面を設けてフェースプレートを得ることを特徴とす
る画像形成装置の製造方法。 - 【請求項１０】請求項１乃至８の何れかの画像形成装置
の製造するに当たって、平坦なガラス基板の一面にスク
リーン印刷、ディスペンサー塗布、メッキの何れかの突
部形成法により凸部を形成し、この凸部の表面に電子源
から放出される電子が照射される蛍光面を設けてフェー
スプレートを得ることを特徴とする画像形成装置の製造
方法。
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| JP23905999A JP3514181B2 (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 画像形成装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2001068044A true JP2001068044A (ja) | 2001-03-16 |
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| JP (1) | JP3514181B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024461A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Hidetoshi Saito | 高輝度発光装置 |
| WO2007097252A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 平面表示装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23905999A patent/JP3514181B2/ja not_active Expired - Fee Related
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