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JP4769494B2 - スペーサを備える電子放出表示装置 - Google Patents

スペーサを備える電子放出表示装置 Download PDF

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JP4769494B2 JP2005168714A JP2005168714A JP4769494B2 JP 4769494 B2 JP4769494 B2 JP 4769494B2 JP 2005168714 A JP2005168714 A JP 2005168714A JP 2005168714 A JP2005168714 A JP 2005168714A JP 4769494 B2 JP4769494 B2 JP 4769494B2
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Description

本発明は,スペーサを備える電子放出表示装置に関し,特に,電子放出表示装置のパネルに接する単位面積当たりのスペーサの面積が,領域によって互いに異なる電子放出表示装置に関する。
一般に,電子放出素子(Electron Emission Device)は,電子源として熱陰極を利用するする方式と,冷陰極を利用する方式がある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としてはFEA(Field Emitter Array)型,SCE(Surface Conduction Emitter)型,MIM(Metal-Insulator-Metal)型およびMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型,BSE(Ballisticelectron Surface Emitting)型等が知られている。
このような電子放出素子を利用すると,電子放出表示装置,各種バックライト,リソグラフィ用の電子ビ-ム装置等を実現できる。このうち,電子放出表示装置は,電子放出素子を具備して電子を放出するカソ-ド基板と,放出された電子を螢光膜に衝突させて発光させるためのアノ-ド基板を具備して構成される。
一般に,電子放出表示装置において,電子放出基板は,カソ-ド電極とゲ-ト電極が交差するマトリックス状に構成され,この交差領域で定義される複数の電子放出素子を設け,アノ-ド基板は,螢光体とこれに接続されたアノ-ド電極を備え,電子放出素子から放出された電子をアノ-ド基板に形成された螢光体に向けて加速させる。
電子放出表示装置は,交差領域をマトリックス駆動させて選択的な表示ができるように構成される。カソ-ド基板とアノ-ド基板は,一定距離を維持するためにその間にスペーサを具備する。このようなスペーサは,電子放出素子とアノ-ド基板の間の空間を,高真空でパッケージングする際に,内外部の圧力差によって変形されるのをまたは破損されるのを防止し,二つの基板間の間隔を一定に維持して,発光位置による輝度のばらつきを抑制する。
このようなスペーサを適用した電子放出表示装置の一例が韓国公開特許公報第2003-0031355号(特許文献1参照)に開示されており,以下において,このような従来の技術による電子放出表示装置を説明する。
図1は,従来の技術に係わるスペーサを具備する電子放出表示装置の一部断面図である。
図1を参照すると,電子放出表示装置は電子放出素子10と,アノ-ド基板20と,電子放出素子10の一面に提供されるライン形態のカソ-ド電極12と,絶縁層14を間において,カソ-ド電極12と直交して交差形成されるライン形態のゲ-ト電極16と,アノ-ド基板20と,一面にカソ-ド電極12と同一方向に提供されるライン形態のアノ-ド電極22とを含んで形成される。カソ-ド電極12とゲ-ト電極16が交差する画素領域には,ゲ-ト電極16と絶縁層14を貫通する複数の溝が形成され,各溝の内部のカソ-ド電極12には,CNT(Carbon Nano Tube)等のカ-ボン系列の物質からなる面タイプの電子放出部18が提供される。
電子放出部18に対向する位置に配置されたアノ-ド電極22表面には,電子放出部18から放出された電子が衝突する時に発光する螢光膜24が提供され,アノ-ド電極22の表面における螢光膜24同士の間には,高真空で密封する両基板10,20を支持するスペーサ26の一端部が支持され,スペーサ26の他端部はゲ-ト電極16に支持される。
上述したようなスペーサが適用されたディスプレーパネルの場合,パネルに加えられる外力が一定であるという仮定の下で,同じ形状を有するスペーサを適用している。しかし,このようなスペーサを適用してもパネルに加えられる外力がパネルの領域別に異なるため,基板の変形を根本的に抑制することができず,ディスプレーする際には輝度差が発生して色再現性の均一度が維持されないという問題がある。
韓国特許公開第2003−0031355号明細書
本発明は,従来の電子放出表示装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,パネルに接触するスペーサの面積を領域別に異ならせ,パネルに加えられる外力をパネル全体に均一に分布させることが可能な,新規かつ改良された電子放出表示装置を提供することである。
上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と;上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と;上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと;を含み,中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,単位面積当たりの上記スペーサの設置面積が増加することを特徴とする,電子放出表示装置が提供される。
単位面積当たりの上記スペーサの設置面積は,中心領域から周辺領域へ放射状に増加するとしても良い。ここで,放射状とは,中央の例えば1点から四方八方に放出している状態を言う。従って,放射状に増加とは,中央から距離が離れれば離れるほど設置面積が増加することを示す。
上記中心領域に対する周辺領域の,上記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は,1.05〜1.35であるとしても良く,1.1〜1.3であるとしても良い。
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,上記スペーサの高さが減少するとしても良い。
上記スペーサの高さは,中心領域から周辺領域へ放射状に減少するとしても良い。
上記周辺領域に対する中心領域の,上記スペーサの高さの比は,1.002〜1.018であるとしても良く,1.005〜1.015であるとしても良い。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と;上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と;上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと;を含み,中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,上記スペーサの断面積が増加することを特徴とする,電子放出表示装置が提供される。
上記中心領域に対する周辺領域の,上記スペーサの断面積の比は,1.1〜1.3であるとしても良い。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と;上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と;上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと;を含み,中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,上記スペーサの数が増加することを特徴とする,電子放出表示装置が提供される。
上記中心領域に対する周辺領域の,単位面積当たりの上記スペーサの数の比は1.1〜1.3であるとしても良い。
以上説明したように本発明によるスペーサを適用する電子放出表示装置は,パネルの周辺領域から発生する基板の変形,および,その変形を原因とした破損を防止することができ,また,ディスプレー時のパネルの左右間または上下間の輝度差を補償して,色再現の均一度を一定に維持することが可能である。
以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図2は,電子放出表示装置のパネルに加えられる外力による変位を示した分布図である。
図2は,電子放出表示装置のディスプレーパネル400に加えられる外力の分布を段階別で示したものであり,パネルの中心領域Aより周辺領域Bがさらに濃い色で表示されていることが分かる。つまり,パネルの中心領域Aより周辺領域Bが外部から高い外力を受けている。これはガラスを含む前面基板(図示せず)の変形の変曲点が,支持フレーム(図示せず)が形成される周辺領域Bに集中分布されるからである。このように,周辺領域Bが高い外力を受けることにより前面基板の変形が発生すると,中心領域Aと周辺領域Bの間に輝度の差が発生し,パネル全体にわたる色再現に対する均一度が低くなる。
したがって,パネル全体に外力を均一に分布させ,色再現に対する均一度を維持することが本発明の技術的思想であり,以下具体的な実施形態を上げて説明する。
図3Aは,本発明の一実施形態によるスペーサを具備する電子放出表示装置の概略的な平面図であり,図3Bは,図3Aの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
図3Aおよび3Bを参照すると,電子放出表示装置300は,上部に少なくとも一つの電子放出素子を含む電子放出基板100と,電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板200と,電子放出基板100と画像形成基板200とを離隔するように支持する少なくとも二つ以上のスペーサ330とを含んで構成される。このとき,電子放出基板100または画像形成基板200と接する単位面積当たりスペーサ330の設置面積は,少なくとも一方向に電子放出基板100または画像形成基板200の中心領域Aから周辺領域Bに向かって増加する。
ディスプレーパネル400の外郭には,電子放出基板100と画像形成基板200を所定の距離を離隔しながら外部圧力から保護する支持フレーム320が形成され,支持フレーム320は,圧着工程の便宜上,正六面体のほうが好ましいが,これに限定されない。また,その材質としてソーダライム(soda lime)を含むとしても良いが,かかる材質にも限定されず,PD200またはセラミックス等の利用が可能である。
また,支持フレーム320は,熱変形特性が少ない材質として電子放出基板100および画像形成基板200の熱膨脹係数と同一のものが好ましいが,熱膨脹係数が20%以下であれば適用可能である。ここで,熱膨脹係数とは1℃の温度変化に対する体積または長さの変化の比率を意味する。
ディスプレーパネル400上部の電子放出素子が形成される領域,すなわち,スペーサ形成領域sで電子放出基板100または画像形成基板200と接する単位面積当たりスペーサの面積がパネルの中心領域Aから周辺領域Bへ少なくとも一方向(x,y,d(対角線方向))に増加するように構成することが好ましい。
これは図2に例示された外力分布図に相応するように中心領域Aに対する周辺領域Bの,単位面積当たりスペーサ330の設置面積の比を決定することが望ましく,その比は1.05から1.35までとしても良い。
より好ましくは,中心領域Aに対する周辺領域Bの,単位面積当たりスペーサの設置面積の比は,1.1から1.3までである。
また,スペーサ330の設置面積が増加する方向は,x方向,y方向,d方向(対角線方向),または中心領域Aからの放射状方向に分布されることが好ましい。より好ましくは放射状方向に増加することが好ましい。
このように,スペーサの設置面積を中心領域から周辺領域へ少なくとも一方向に増加させることによって,支持フレーム320から発生する過度な外力をパネル全体に亘って均一に分散することができる。
一方,中心領域Aから周辺領域Bへ単位面積当たりスペーサ330の設置面積が増加する具体的な方法としては,個別的なスペーサ330の断面積を少なくとも一方向に増加させることが考えられる。中心領域に対する周辺領域の個別的なスペーサの断面積の比は1.1から1.3までが好ましい。
また別の方法としては,スペーサ330の数を少なくとも一方向に増加させることが考えられる。中心領域に対する周辺領域のスペーサの数は1.1から1.3までが好ましい。個別的なスペーサの断面積の変更,もしくは,スペーサの数の変更は,同一の効果を奏する。
ここで,電子放出基板100は,少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含み,電子放出素子は,第1電極(図示せず)と,第1電極と電気的に絶縁され交差形成される第2電極(図示せず)と,第1電極に電気的に接続される電子放出部(図示せず)とを含み,第1電極と第2電極に印加される電圧によって形成される電界によって,電子放出部から電子が放出される構造を有す。画像形成基板200は,電子放出素子から放出される電子によって発光する螢光体(図示せず)と,螢光体と電気的に接続されるアノ-ド電極(図示せず)とを含み,かかるアノ-ド電極には放出された電子を螢光体で加速させる電圧が印加され,所定のイメージを具現する構造からなる。
図4Aは,本発明の他の実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置の概略的な平面図であり,図4Bは,図4Aの切断線のI-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
図4Aおよび4Bを参照すると,電子放出表示装置300は,上部に少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含む電子放出基板100と,電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板200と,電子放出基板100と画像形成基板200を離隔するように支持する少なくとも二つ以上のスペーサ330とを含んで構成される。かかるスペーサ330の高さは,中心領域Aから周辺領域Bへ少なくとも一方向に減少し得る。
ディスプレーパネル400の外郭には,電子放出基板100と画像形成基板200とを所定の距離を離隔させて外部圧力から保護する支持フレーム320が形成され,支持フレーム320は,圧着工程の便宜上,正六面体のほうが好ましいが,それに限定されない。また,その材質としてはソーダライム(sodalime)を含むがそれに限定されず,PD200またはセラミックスを含む材料も利用することができる。
また,支持フレーム320は,熱変形の特性が少ない材質であり,電子放出基板100および画像形成基板200の熱膨脹係数と同一のものが好ましいが,熱膨脹係数が20%以下であれば適用可能である。ここで,熱膨脹係数とは1℃温度の変化に対する体積または長さ変化の比率を意味する。
ディスプレーパネル400の上部電子放出素子が形成される領域,すなわち,スペーサ形成領域sで,電子放出基板100または画像形成基板200と接するスペーサの高さがパネルの中心領域Aから周辺領域Bへ少なくとも一方向(x,y,d)に減少するように構成することが好ましい。
このとき,ディスプレーパネル400に加えられる外部大気圧に対応するため,周辺領域Bに形成されるスペーサの高さh2に対する中心領域Aに形成されるスペーサ330の高さh1の比h1/h2を決定することが好ましい。その比は1.002から1.018までであっても良い。より好ましくは,周辺領域Bに対する中心領域Aのスペーサ330の高さの比h1/h2が1.005から1.015までである。一方,スペーサ330の高さの比h1/h2は大気圧による周辺領域Bに対する中心領域Aの変形率によって決定され,その変形率はスペーサ330の高さの比に相応することが好ましい。
また,スペーサ330の高さが減少する方向は,x方向,y方向,d方向(対角線方向),または中心領域Aからの放射状方向に分布されることが好ましい。より好ましくは放射状方向に減少することが好ましい。スペーサの高さを中心領域から周辺領域へ少なくとも一方向に減少させることによって,外部大気圧による外力をパネル全体に亘って均一に分散がすることができる。
ここで,電子放出基板100は,少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含み,電子放出素子は,第1電極(図示せず)と,第1電極と電気的に絶縁され交差形成される第2電極(図示せず)と,第1電極に電気的に接続する電子放出部(図示せず)とを含み,第1電極と第2電極に印加される電圧によって形成された電界によって電子放出部から電子が放出される構造を有す。
画像形成基板200は,電子放出素子から放出される電子によって発光する螢光体(図示せず)と,螢光体と電気的に接続されるアノ-ド電極(図示せず)とを含み,アノ-ド電極には,放出された電子を螢光体で加速する高電圧が印加され,所定のイメージを具現する。ここで,x方向は,ディスプレーパネル400の横軸方向を意味し,y方向はディスプレーパネル400の縦軸方向を意味する。
上述したように,ディスプレーパネルに加えられる大気圧によってスペーサの高さを異なるようにすることで,左右または上下間の輝度差を克服でき,これにより色再現時の均一度を一定に維持することができる。
図5Aは,本実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置のパネルに加えられる外力を段階別で示した分布図であり,図5Bは,図5Aの外力分布図を2次元で表現したグラフである。
図5Aおよび5Bを参照し,スペーサが受ける外力を,x方向およびy方向に沿って段階別に表現すると,中心領域から周辺領域へ向かうほど許容可能外力が増加することが分かる。これは中心領域から周辺領域へ,単位面積当たりスペーサの設置面積が増加するにつれて,それに相応して許容可能外力が相対的に増加することを示している。
x方向への許容可能外力に対し,中心領域に比べて周辺領域の許容可能外力が,凡そ1.2倍ぐらい高い。実験例では,中心領域の許容可能外力は,420MPaであり,周辺領域の許容可能外力は590Mpaと測定された。
y方向への許容可能外力は,中心領域に比べて周辺領域の許容可能外力が,凡そ1.2倍高い。実験例では,中心領域の許容可能外力は420MPaであり,周辺領域の許容可能外力は480Mpaと測定された。
ここで,x方向はディスプレーパネルの横軸方向を意味し,y方向はディスプレーパネルの縦軸方向を意味する。x方向への許容可能外力がy方向への許容可能外力より高く示されるのはディスプレーパネルがy方向の長さよりx方向への長さが長いからである。
図6は,図3Bまたは図4Bの電子放出表示装置に対する詳細な構成断面図である。ここで,本図は本発明によるスペーサを適用した電子放出表示装置の具体的な実施形態を示し,スペーサ以外の構成は特に制限されない。
図6を参照すると,電子放出基板100は,上部に少なくとも一つの電子放出素子を含む。つまり,カソ-ド電極120とゲ-ト電極140との間に形成された電界によって,カソ-ド電極120に接続された電子放出部150から電子が放出される。
本実施形態では電子放出素子として上部ゲ-トの構造を例として取り上げたが,これに限定されず,電子を放出する構造であれば下部ゲ-ト構造および二重ゲ-ト構造を含む多樣な構造が可能である。
背面基板110上には,所定の形状,例えばストライプ状で,少なくとも一つのカソ-ド電極120が配置される。背面基板110は通常使われるガラスまたはシリコン基板であるが,電子放出部150としてCNT(Carbon Nano Tube)ペーストを利用し,後面露光によってこれを形成する場合には,ガラス基板のような透明基板が好ましい。
カソ-ド電極120は,データ駆動部(図示せず)または走査駆動部(図示せず)から印加される,それぞれのデータ信号または走査信号を各電子放出素子に供給する。ここで,電子放出素子はカソ-ド電極120とゲ-ト電極140が交差する領域に電子放出部150を具備して形成される。カソ-ド電極120は,基板110と同じ理由により,例えばITO(Indium Tin Oxide)が用いられる。
絶縁層130は,基板110とカソ-ド電極120の上部に形成され,カソ-ド電極120とゲ-ト電極140を電気的に絶縁する。絶縁層130は,カソ-ド電極120が露出されるようにカソ-ド電極120とゲ-ト電極140の交差領域に,少なくとも一つの第1ホール135を具備する。
ゲ-ト電極140は,絶縁層130上に所定の形状,例えばストライプ状でカソ-ド電極120と交差する方向へ配置され,データ駆動部または走査駆動部から印加される,それぞれのデータ信号または走査信号を各電子放出素子に供給する。ゲ-ト電極140は,電子放出部150が露出されるように第1ホールに対応して少なくとも一つの第2ホール145を具備する。
電子放出部150は,絶縁層130の第1ホール135によって露出されるカソ-ド電極120上に電気的に接続され,それぞれ位置し,カ-ボンナノチューブ,グラパイト(graphite),グラパイトナノファイバー,ダイヤモンド状カ-ボンC60,シリコンナノワイヤおよびこれらの組み合わせにより形成され得る。
画像形成基板200は,前面基板210と,前面基板210の上部に形成されるアノ-ド電極220と,アノ-ド電極220の上部の電子放出部150から放出される電子によって発光する螢光体230と,螢光体230同士間に形成される光遮閉膜240とを含む。
前面基板210には,電子放出部150から放出される電子の衝突によって発光する螢光体230が任意の間隔で配置される。ここで,螢光体230とは,独立した単色の螢光体を意味し,例えば,本実施形態ではR,G,Bを各々表現する螢光体に例示される。しかし,これに限定されない。一方,前面基板210は,螢光体230から発光する光が外部への伝達されるように透明な材質からなることが好ましい。
アノ-ド電極220は,前面基板210の上部に位置し,電子放出部150から放出された電子をより良好に集束する役割を行う。また,アノ-ド電極220は,透明な材質からなり,例えば本実施形態ではITO電極220に形成され得る。
光遮閉膜240は,外部の光を吸收および遮断して,光学的クロストークを防止し,コントラストを向上させるために,螢光体230の間に任意の間隔をおいて配置される。
当該電子放出表示装置は,電子放出基板100と画像形成基板200との間の内部の真空空間を表示装置300の外部から加えられる大気圧に対抗して一定間隔で維持しながら支持する少なくとも一つのスペーサ330を含む。かかるスペーサ330の一端部は光遮閉膜240の上部に接触して形成され,他端部は絶縁層130の上部に接触して形成される。
ここで,単位面積当たりスペーサ330の面積は,中心領域Aから周辺領域Bまで増加し,これによってディスプレーパネルに加えられる外力を均一に分散することができる。これにより左右または上下間の輝度差を克服して色再現時の均一度を一定に維持することができる。
上述したように,電子放出表示装置300は,電子放出基板100と画像形成基板200を密封して真空状態に維持し,二つの基板100,200を支持する支持フレーム320を含む。
外部電源からカソ-ド電極120には(+)電圧が,ゲ-ト電極140には(-)電圧が,光遮閉膜240には(+)電圧が印加される。これによって,カソ-ド電極120とゲ-ト電極140の電圧差により電子放出部150の周辺に電界が形成されて電子が放出され,放出された電子はアノ-ド電極220に印加された高電圧に誘導されて該画素の螢光体領域230と衝突し,これを発光させて所定のイメージを具現することになる。
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は,スペーサを備える電子放出表示装置に適用可能である。
従来の技術によるスペーサを具備する電子放出表示装置の断面図である。 電子放出表示装置のパネルに加えられる外力による変位を示す分布図である。 本発明の一実施形態によるスペーサを具備する電子放出表示装置の概略的な平面図である。 図3Aの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。 本発明の他の実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置の概略的な平面図である。 図4Aの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置のパネルに加えられる外力を段階別に示す分布図である。 図5Aの外力分布図を2次元に表現するグラフである。 図3Bまたは図4Bの電子放出表示装置に対する詳細な構成断面図である。
符号の説明
10 電子放出素子
12 カソード電極
14 絶縁層
16 ゲート電極
18 電子放出部
20 アノード基板
22 アノード電極
24 蛍光膜
26,330 スペーサ
100 電子放出基板
200 画像形成基板
320 支持フレーム
400 ディスプレーパネル

Claims (11)

  1. 少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と;
    前記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と;
    前記電子放出基板と前記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと;
    を含み,
    中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,単位面積当たりの前記スペーサの設置面積が増加し、
    中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,前記スペーサの高さが減少する
    ことを特徴とする,電子放出表示装置。
  2. 単位面積当たりの前記スペーサの設置面積は,中心領域から周辺領域へ放射状に増加する
    ことを特徴とする,請求項1に記載の電子放出表示装置。
  3. 前記中心領域に対する周辺領域の,前記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は,1.05〜1.35である
    ことを特徴とする,請求項1に記載の電子放出表示装置。
  4. 前記中心領域に対する周辺領域の,前記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は,1.1〜1.3である
    ことを特徴とする,請求項1に記載の電子放出表示装置。
  5. 前記スペーサの高さは,中心領域から周辺領域へ放射状に減少する
    ことを特徴とする,請求項に記載の電子放出表示装置。
  6. 前記周辺領域に対する中心領域の,前記スペーサの高さの比は,1.002〜1.018である
    ことを特徴とする,請求項に記載の電子放出表示装置。
  7. 前記周辺領域に対する中心領域の,前記スペーサの高さの比は,1.005〜1.015である
    ことを特徴とする,請求項に記載の電子放出表示装置。
  8. 中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,前記スペーサの断面積が増加する
    ことを特徴とする,請求項1に記載の電子放出表示装置。
  9. 前記中心領域に対する周辺領域の,前記スペーサの断面積の比は,1.1〜1.3である
    ことを特徴とする,請求項に記載の電子放出表示装置。
  10. 中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって,前記スペーサの数が増加する
    ことを特徴とする,請求項1に記載の電子放出表示装置。
  11. 前記中心領域に対する周辺領域の,単位面積当たりの前記スペーサの数の比は1.1〜1.3である
    ことを特徴とする,請求項10に記載の電子放出表示装置。
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