【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを覆うように前記基板上に異方性導電樹脂を形成する工程と、半導体素子の底面に設けられた電極部と前記配線パターンとが所定位置で前記異方性導電樹脂を介して電気的に接続されるように位置合わせを行う工程と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記基板に対して加熱しながら圧着する工程とを有し、前記加熱圧着の際に前記基板を前記半導体素子に対して凸状に反らせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、その中央部が凸状になるように形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】 前記異方性導電樹脂の中央部の凸状形成を、凹状の圧着ヘッドを前記異方性導電樹脂に押圧することにより行うとともに、その際、前記圧着ヘッドのエッジ部に設けられた切断部により、前記異方性導電樹脂を所定の大きさ、形状に切断することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大きさ、形状に合わせて、前記半導体素子の角部を多く取った大きさ、形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記半導体素子を加熱圧着するための加熱圧着ヘッドを、その中央部が凸状のものを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、加熱圧着時に発生する前記基板からの蒸気を、前記基板を載置するためのステージに設けられた蒸気孔から逃がしながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記基板を載置するためのステージを１２０℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの大きさが、前記バンプが前記異方性導電性接着層を介して接続される前記基板上に設けられた配線パターンのパッド部の大きさよりも小さく形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの形状が、加熱圧着により発生する前記異方性導電樹脂の流動方向に対して略流線形状に近づくように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
[Claims]
1. A step of forming a wiring pattern on a substrate, a step of forming an anisotropic conductive resin on the substrate so as to cover the wiring pattern, an electrode portion provided on the bottom surface of the semiconductor element, and the above. A step of aligning the wiring pattern so that it is electrically connected at a predetermined position via the anisotropic conductive resin, and a step of crimping the semiconductor element to the substrate while heating after the alignment. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises:
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein when the anisotropic conductive resin is formed, the anisotropic conductive resin is formed so that the central portion thereof is convex.
3. The convex shape of the central portion of the anisotropic conductive resin is formed by pressing a concave crimping head against the anisotropic conductive resin, and at that time, the crimping head is provided at an edge portion. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the anisotropic conductive resin is cut into a predetermined size and shape by the cut portion.
4. When forming the anisotropic conductive resin, the anisotropic conductive resin has a size and shape in which many corners of the semiconductor element are taken according to the size and shape of the semiconductor element. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the semiconductor device is formed.
5. When the semiconductor element is heat-bonded to the substrate via the anisotropic conductive resin, a heat-bonding head for heat-pressing the semiconductor element is provided so that the central portion thereof is convex. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is manufactured by using the semiconductor device.
6. When the semiconductor element is heat-bonded to the substrate via the anisotropic conductive resin, the vapor generated during the heat-bonding is provided on a stage for mounting the substrate. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the method is performed while letting the vapor holes escape.
7. When the semiconductor element is heat-bonded to the substrate via the anisotropic conductive resin, the stage for mounting the substrate is heated at 120 ° C. or lower. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
8. The size of the bumps constituting the electrode portion of the semiconductor element is the pad portion of the wiring pattern provided on the substrate to which the bumps are connected via the anisotropic conductive adhesive layer. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is formed smaller than the size.
9. The shape of the bump forming the electrode portion of the semiconductor element is formed so as to approach a substantially streamlined shape with respect to the flow direction of the anisotropic conductive resin generated by heat bonding. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
本発明の請求項４に記載の発明は、前記異方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大きさ、形状に合わせて、前記半導体素子の角部を多く取った大きさ、形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする。
The invention according to claim 4 of the present invention has a size and a shape in which many corners of the semiconductor element are taken according to the size and shape of the semiconductor element when the anisotropic conductive resin is formed. It is characterized in that the anisotropic conductive resin is formed in the above.