JP2000223264A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水分によって発光特性が劣化されないように
した有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光透過性を有する基板上に少なくとも陽
極、有機発光層および陰極が順次積層して成る有機ＥＬ
素子において、前記陽極、有機発光層および陰極からな
る積層構造体の表面上に無機パッシベーション封止膜
と、前記無機パッシベーション封止膜の上に樹脂からな
る樹脂封止膜と、を設ける。
した有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光透過性を有する基板上に少なくとも陽
極、有機発光層および陰極が順次積層して成る有機ＥＬ
素子において、前記陽極、有機発光層および陰極からな
る積層構造体の表面上に無機パッシベーション封止膜
と、前記無機パッシベーション封止膜の上に樹脂からな
る樹脂封止膜と、を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ（Electro
Luminescence）素子に関し、特に長期にわたって安定し
た発光特性を維持する有機ＥＬ素子およびその製造方法
に関する。
Luminescence）素子に関し、特に長期にわたって安定し
た発光特性を維持する有機ＥＬ素子およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、例えば図４に示すよう
に、光透過性を有する基板１上に陽極２を形成し、その
上に有機化合物からなる正孔注入層３、正孔輸送層４、
発光層５、電子注入層６を順次積層し、その上に陰極７
を形成した積層構造体８からなっている。
に、光透過性を有する基板１上に陽極２を形成し、その
上に有機化合物からなる正孔注入層３、正孔輸送層４、
発光層５、電子注入層６を順次積層し、その上に陰極７
を形成した積層構造体８からなっている。
【０００３】基板１としては、例えば透明なガラス、石
英、サファイアまたは有機フィルムが用いられ、陽極２
は例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。
また陰極７には電子の放出エネルギが小さい、例えばア
ルカリ金属やアルカリ土類金属を基本とした反応性の高
い合金が用いられている。このような有機ＥＬ素子は、
積層構造体８が大気に晒されているため、特に陰極７は
大気に含まれる湿気によって酸化され、発光特性を劣化
させる。
英、サファイアまたは有機フィルムが用いられ、陽極２
は例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。
また陰極７には電子の放出エネルギが小さい、例えばア
ルカリ金属やアルカリ土類金属を基本とした反応性の高
い合金が用いられている。このような有機ＥＬ素子は、
積層構造体８が大気に晒されているため、特に陰極７は
大気に含まれる湿気によって酸化され、発光特性を劣化
させる。
【０００４】そこで、特開平９−１４８０６６号公報に
おいては、図５（Ａ）に示されるように、積層構造体８
を気密容器９で封止し、更に気密容器９の内部に乾燥剤
１０を入れたり、特開平８−１１１２８６号公報では、
図５（Ｂ）に示されるように、積層構造体８の表面をＳ
ｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 の保護膜１１で覆ったり、また
特開平１０−１４４４６８号公報では積層構造体８を樹
脂膜で覆って大気と遮断するようにしている。
おいては、図５（Ａ）に示されるように、積層構造体８
を気密容器９で封止し、更に気密容器９の内部に乾燥剤
１０を入れたり、特開平８−１１１２８６号公報では、
図５（Ｂ）に示されるように、積層構造体８の表面をＳ
ｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 の保護膜１１で覆ったり、また
特開平１０−１４４４６８号公報では積層構造体８を樹
脂膜で覆って大気と遮断するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した気密
容器で封止する方法は気密容器を設けたことにより厚み
が厚くなると共に重量も重くなる。またＳｉＯ2 やＳｉ
3 Ｎ4 の保護膜で覆う方法は、素子のリペア（障害素子
をレーザ等によって焼断させてオープン状態にする）時
や製造作業時等において物がぶつかることによる傷の発
生を防止するために膜厚を厚くする必要があるが、膜厚
を厚くすると残留応力が増して基板を反らせたりクラッ
クが発生して特性を劣化させ、また膜厚を厚くすると成
膜時間が長くなる。
容器で封止する方法は気密容器を設けたことにより厚み
が厚くなると共に重量も重くなる。またＳｉＯ2 やＳｉ
3 Ｎ4 の保護膜で覆う方法は、素子のリペア（障害素子
をレーザ等によって焼断させてオープン状態にする）時
や製造作業時等において物がぶつかることによる傷の発
生を防止するために膜厚を厚くする必要があるが、膜厚
を厚くすると残留応力が増して基板を反らせたりクラッ
クが発生して特性を劣化させ、また膜厚を厚くすると成
膜時間が長くなる。
【０００６】また樹脂で覆う方法は水分の遮断が十分で
なく、性能的に問題がある。本発明は水分によって発光
特性が劣化されないようにした有機ＥＬ素子およびその
製造方法を提供することを課題とする。
なく、性能的に問題がある。本発明は水分によって発光
特性が劣化されないようにした有機ＥＬ素子およびその
製造方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、請求項１の発明においては、基板上に少なくと
も陽極、有機発光層および陰極が積層して成る有機ＥＬ
素子において、前記陽極、有機発光層および陰極からな
る積層構造体の表面上に気相成長法によって形成された
無機パッシベーション封止膜と、前記無機パッシベーシ
ョン封止膜の上に樹脂からなる樹脂封止膜と、を設け
る。
ために、請求項１の発明においては、基板上に少なくと
も陽極、有機発光層および陰極が積層して成る有機ＥＬ
素子において、前記陽極、有機発光層および陰極からな
る積層構造体の表面上に気相成長法によって形成された
無機パッシベーション封止膜と、前記無機パッシベーシ
ョン封止膜の上に樹脂からなる樹脂封止膜と、を設け
る。
【０００８】請求項２の発明においては、前記樹脂封止
膜の上に更に気相成長法によって形成された無機パッシ
ベーション封止膜を設ける。
膜の上に更に気相成長法によって形成された無機パッシ
ベーション封止膜を設ける。
【０００９】請求項３の発明においては、基板上に少な
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次積層して成る
有機ＥＬ素子において、前記陽極、有機発光層および陰
極からなる積層構造体の表面上に樹脂からなる樹脂封止
膜と、前記樹脂封止膜の上に気相成長法によって形成さ
れた無機パッシベーション封止膜と、を設ける。
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次積層して成る
有機ＥＬ素子において、前記陽極、有機発光層および陰
極からなる積層構造体の表面上に樹脂からなる樹脂封止
膜と、前記樹脂封止膜の上に気相成長法によって形成さ
れた無機パッシベーション封止膜と、を設ける。
【００１０】請求項４の発明においては、前記無機パッ
シベーション封止膜の上に更に樹脂からなる樹脂封止膜
を設ける。
シベーション封止膜の上に更に樹脂からなる樹脂封止膜
を設ける。
【００１１】請求項５の発明においては、前記無機パッ
シベーション封止膜は、窒化シリコンからなる窒化シリ
コン封止膜とする。
シベーション封止膜は、窒化シリコンからなる窒化シリ
コン封止膜とする。
【００１２】請求項６の発明においては、基板上に少な
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次形成して成る
有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記陽極、有機発光
層および陰極からなる積層構造体の表面上に気相成長法
によって形成された無機パッシベーション封止膜を成膜
し、該無機パッシベーション封止膜の上に樹脂からなる
樹脂封止膜を成膜する。
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次形成して成る
有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記陽極、有機発光
層および陰極からなる積層構造体の表面上に気相成長法
によって形成された無機パッシベーション封止膜を成膜
し、該無機パッシベーション封止膜の上に樹脂からなる
樹脂封止膜を成膜する。
【００１３】請求項７の発明においては、前記樹脂封止
膜の上に更に気相成長法によって形成された無機パッシ
ベーション封止膜を成膜する。
膜の上に更に気相成長法によって形成された無機パッシ
ベーション封止膜を成膜する。
【００１４】請求項８の発明においては、基板上に少な
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次形成して成る
有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記陽極、有機発光
層および陰極からなる積層構造体の表面上に樹脂からな
る樹脂封止膜を成膜し、該樹脂封止膜の上に気相成長法
によって形成された無機パッシベーション封止膜を成膜
する。
くとも陽極、有機発光層および陰極が順次形成して成る
有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記陽極、有機発光
層および陰極からなる積層構造体の表面上に樹脂からな
る樹脂封止膜を成膜し、該樹脂封止膜の上に気相成長法
によって形成された無機パッシベーション封止膜を成膜
する。
【００１５】請求項９の発明においては、前記無機パッ
シベーション封止膜の上に更に樹脂からなる樹脂封止膜
を成膜する。
シベーション封止膜の上に更に樹脂からなる樹脂封止膜
を成膜する。
【００１６】請求項１０の発明においては、前記無機パ
ッシベーション封止膜は、プラズマＣＶＤ法により成膜
される窒化シリコン封止膜とする。
ッシベーション封止膜は、プラズマＣＶＤ法により成膜
される窒化シリコン封止膜とする。
【００１７】また、請求項１１の発明においては、前記
プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン封止膜の成膜時の
原料ガスがシランガスと窒素ガスのみとする。
プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン封止膜の成膜時の
原料ガスがシランガスと窒素ガスのみとする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を参照
して説明する。図１は本発明の第１の実施例の断面図で
ある。図１において、基板１、陽極２、正孔注入層３、
正孔輸送層４、発光層５、電子注入層６、陰極７、およ
び積層構造体８は図４の従来例で説明した通りである。
して説明する。図１は本発明の第１の実施例の断面図で
ある。図１において、基板１、陽極２、正孔注入層３、
正孔輸送層４、発光層５、電子注入層６、陰極７、およ
び積層構造体８は図４の従来例で説明した通りである。
【００１９】第１の実施例では、積層構造体８の表面上
に窒化シリコン（ＳｉＮx ）からなる窒化シリコン封止
膜２０を設け、更に窒化シリコン封止膜２０の表面上に
樹脂からなる樹脂封止膜２１を設ける。
に窒化シリコン（ＳｉＮx ）からなる窒化シリコン封止
膜２０を設け、更に窒化シリコン封止膜２０の表面上に
樹脂からなる樹脂封止膜２１を設ける。
【００２０】すなわち、図１に示すように、透明なガラ
ス基板１上に透光性のＩＴＯからなる陽極２を図示しな
い電極パターンを形成するように蒸着する。その上に、
銅フタロシアニンからなる正孔注入層３、ＴＰＤ（トリ
フェニルアミン誘導体）からなる正孔輸送層４、Ａｌｑ
3 （アルミキレート錯体）からなる発光層５、Ｌｉ2Ｏ
（酸化リチウム）からなる電子注入層６を順次、蒸着す
る。さらに、この上に蒸着によって、Ａｌからなる陰極
７を陽極２の電極パターンと対向するようにパターニン
グする。こうして得られたガラス基板１上の積層構造体
８を大気に曝すことなく、プラズマＣＶＤ（Chemical V
apour Deposition）のチャンバ内に移送、配置して、Ｓ
ｉＮx （窒化ケイ素）からなる窒化シリコン封止膜２０
をその表面に成膜する。
ス基板１上に透光性のＩＴＯからなる陽極２を図示しな
い電極パターンを形成するように蒸着する。その上に、
銅フタロシアニンからなる正孔注入層３、ＴＰＤ（トリ
フェニルアミン誘導体）からなる正孔輸送層４、Ａｌｑ
3 （アルミキレート錯体）からなる発光層５、Ｌｉ2Ｏ
（酸化リチウム）からなる電子注入層６を順次、蒸着す
る。さらに、この上に蒸着によって、Ａｌからなる陰極
７を陽極２の電極パターンと対向するようにパターニン
グする。こうして得られたガラス基板１上の積層構造体
８を大気に曝すことなく、プラズマＣＶＤ（Chemical V
apour Deposition）のチャンバ内に移送、配置して、Ｓ
ｉＮx （窒化ケイ素）からなる窒化シリコン封止膜２０
をその表面に成膜する。
【００２１】本実施例においては、プラズマＣＶＤ法に
用いる原料ガスとしてＳｉＨ4 （シラン）ガス及びＮ2
（窒素）ガスのみを用い、各々の流量を１０ｓｃｃｍ及
び２００ｓｃｃｍとし、ＲＦパワーを１０Ｗ、チャンバ
内温度を１２０℃、チャンバ内圧力を０．９Ｔｏｒｒと
した。得られた膜厚は約２μｍであった。
用いる原料ガスとしてＳｉＨ4 （シラン）ガス及びＮ2
（窒素）ガスのみを用い、各々の流量を１０ｓｃｃｍ及
び２００ｓｃｃｍとし、ＲＦパワーを１０Ｗ、チャンバ
内温度を１２０℃、チャンバ内圧力を０．９Ｔｏｒｒと
した。得られた膜厚は約２μｍであった。
【００２２】上記した実施例において得られた有機ＥＬ
素子の窒化シリコン封止膜の被膜平面方向の残留応力を
測定したところ、成膜直後で０．０６×１０9 ｄｙｎ／
ｃｍ 2 、充分に時間を経過した後にあっても−０．１７
×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 と小さいものであった。ただ
し、正の値を圧縮応力、負の値を引っ張り応力とする。
この有機ＥＬ素子を、それぞれ室温及び高温高湿（６０
℃、９５％）下に５００時間放置した後であっても、封
止膜にクラックや剥離を発生せず、有機ＥＬ素子として
の発光動作も安定していた。
素子の窒化シリコン封止膜の被膜平面方向の残留応力を
測定したところ、成膜直後で０．０６×１０9 ｄｙｎ／
ｃｍ 2 、充分に時間を経過した後にあっても−０．１７
×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 と小さいものであった。ただ
し、正の値を圧縮応力、負の値を引っ張り応力とする。
この有機ＥＬ素子を、それぞれ室温及び高温高湿（６０
℃、９５％）下に５００時間放置した後であっても、封
止膜にクラックや剥離を発生せず、有機ＥＬ素子として
の発光動作も安定していた。
【００２３】上述したプラズマＣＶＤ法を用いて成膜し
た窒化シリコン封止膜２０の上に、例えばフッ素系やシ
リコン系の樹脂をスピンコート、デイッピング等の方法
を用いて樹脂封止膜２１を成膜する。
た窒化シリコン封止膜２０の上に、例えばフッ素系やシ
リコン系の樹脂をスピンコート、デイッピング等の方法
を用いて樹脂封止膜２１を成膜する。
【００２４】このように積層構造体８の上に窒化シリコ
ン封止膜２０を成膜し、更にその上に樹脂封止膜２１を
成膜することによって、水分は窒化シリコン封止膜２０
によって遮断され、傷の発生については樹脂封止膜２１
によって保護される。
ン封止膜２０を成膜し、更にその上に樹脂封止膜２１を
成膜することによって、水分は窒化シリコン封止膜２０
によって遮断され、傷の発生については樹脂封止膜２１
によって保護される。
【００２５】図２は本発明の第２の実施例の断面図を示
す。第１の実施例では積層構造体８の上に窒化シリコン
封止膜２０を、更に窒化シリコン封止膜２０の上に樹脂
封止膜２１を成膜していたが、第２の実施例では積層構
成体８の上に樹脂封止膜２１を成膜し、その上に窒化シ
リコン封止膜２０を成膜させている。
す。第１の実施例では積層構造体８の上に窒化シリコン
封止膜２０を、更に窒化シリコン封止膜２０の上に樹脂
封止膜２１を成膜していたが、第２の実施例では積層構
成体８の上に樹脂封止膜２１を成膜し、その上に窒化シ
リコン封止膜２０を成膜させている。
【００２６】このように積層構造体８の上に樹脂封止膜
２１を、更にその上に窒化シリコン封止膜２０を成膜す
ることによって、第１の実施例に比べて、欠陥画素のレ
ーザリペアの際に、レーザ強度に誤りがあっても膜破壊
が生じにくいという利点がある。
２１を、更にその上に窒化シリコン封止膜２０を成膜す
ることによって、第１の実施例に比べて、欠陥画素のレ
ーザリペアの際に、レーザ強度に誤りがあっても膜破壊
が生じにくいという利点がある。
【００２７】なお、欠陥画素のレーザリペアとは、本出
願人による特願平９−１４５８７１にも記載されるよう
にマトリクス表示装置における欠陥画素の対策に関する
ものであり、欠陥画素が存在すると、その点に駆動電流
が集中するため欠陥画素が存在するライン上の他の画素
に流れる駆動電流が減少し、ライン上の他の画素が暗く
なるという問題を解決するために、透明基板側から欠陥
画素に対してレーザ光線を集束させ、電極ラインを切断
しないように欠陥画素のみを焼ききるものである。
願人による特願平９−１４５８７１にも記載されるよう
にマトリクス表示装置における欠陥画素の対策に関する
ものであり、欠陥画素が存在すると、その点に駆動電流
が集中するため欠陥画素が存在するライン上の他の画素
に流れる駆動電流が減少し、ライン上の他の画素が暗く
なるという問題を解決するために、透明基板側から欠陥
画素に対してレーザ光線を集束させ、電極ラインを切断
しないように欠陥画素のみを焼ききるものである。
【００２８】第１の実施例の場合は、レーザリペアを行
う際に集束焦点を誤ると、強度の劣る窒化シリコン膜に
レーザが照射されて破壊し、水分の遮断が不充分になる
恐れがあるが、第２の実施例の場合においては、強度的
に優れる樹脂膜にレーザが照射されるため、窒化シリコ
ン膜の破壊は防がれる。一方、外部衝突などに対する耐
久性は、外表面に樹脂膜が成膜される第１の実施例の方
が優れている。
う際に集束焦点を誤ると、強度の劣る窒化シリコン膜に
レーザが照射されて破壊し、水分の遮断が不充分になる
恐れがあるが、第２の実施例の場合においては、強度的
に優れる樹脂膜にレーザが照射されるため、窒化シリコ
ン膜の破壊は防がれる。一方、外部衝突などに対する耐
久性は、外表面に樹脂膜が成膜される第１の実施例の方
が優れている。
【００２９】図３（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ本発明の第３
および第４の実施例の断面を示している。図３（Ａ）に
示すように、第３の実施例では、図２の第２の実施例で
説明した窒化シリコン封止膜２０の上に更に樹脂封止膜
２１′を成膜させている。このように樹脂封止膜２１′
を成膜することにより、窒化シリコン封止膜２０が外部
からの衝突などによる損傷を無くすことができる。
および第４の実施例の断面を示している。図３（Ａ）に
示すように、第３の実施例では、図２の第２の実施例で
説明した窒化シリコン封止膜２０の上に更に樹脂封止膜
２１′を成膜させている。このように樹脂封止膜２１′
を成膜することにより、窒化シリコン封止膜２０が外部
からの衝突などによる損傷を無くすことができる。
【００３０】また図３（Ｂ）に示すように、第４の実施
例では図１の第１の実施例で説明した樹脂封止膜２１の
上に更に窒化シリコン封止膜２０′を成膜させている。
なお第４の実施例の窒化シリコン封止膜２０′に代えて
カバーガラスで封止するようにしてもよい。このように
構成することによって機械的な強度は強くなる。しかし
フレキシブルな基板などには対応できなくなる。
例では図１の第１の実施例で説明した樹脂封止膜２１の
上に更に窒化シリコン封止膜２０′を成膜させている。
なお第４の実施例の窒化シリコン封止膜２０′に代えて
カバーガラスで封止するようにしてもよい。このように
構成することによって機械的な強度は強くなる。しかし
フレキシブルな基板などには対応できなくなる。
【００３１】なお、上述した実施例においては、水分の
遮断を行うための封止膜として、プラズマＣＶＤ法によ
り形成される窒化シリコン膜を用いたが、これに限られ
ることはなく、スパッタ法、真空蒸着法などの気相成長
法により形成される水分の遮断性に優れた無機パッシベ
ーション膜であれば適用可能である。例えば、Ｓｉ
Ｏ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）等を適用することができる。
遮断を行うための封止膜として、プラズマＣＶＤ法によ
り形成される窒化シリコン膜を用いたが、これに限られ
ることはなく、スパッタ法、真空蒸着法などの気相成長
法により形成される水分の遮断性に優れた無機パッシベ
ーション膜であれば適用可能である。例えば、Ｓｉ
Ｏ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）等を適用することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、積層構造体の上に
無機パッシベーション封止膜および窒化シリコン封止膜
を形成するようにしたので、残留応力の少なく、水分の
遮断が充分な有機ＥＬ素子を得ることができる。
無機パッシベーション封止膜および窒化シリコン封止膜
を形成するようにしたので、残留応力の少なく、水分の
遮断が充分な有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】本発明の第３および第４の実施例の断面図であ
る。
る。
【図４】有機ＥＬ素子の断面図である。
【図５】従来例の説明図である。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 正孔注入層 ４ 正孔輸送層 ５ 発光層 ６ 電子注入層 ７ 陰極 ８ 積層構造体 ２０，２０′ 窒化シリコン封止膜 ２１，２１′ 樹脂封止膜
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも陽極、有機発光層お
よび陰極が積層して成る有機ＥＬ素子において、 前記陽極、有機発光層および陰極からなる積層構造体の
表面上に気相成長法によって形成された無機パッシベー
ション封止膜と、 前記無機パッシベーション封止膜の上に樹脂からなる樹
脂封止膜と、を設けたことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記樹脂封止膜の上に更に気相成長法に
よって形成された無機パッシベーション封止膜を設けた
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも陽極、有機発光層お
よび陰極が順次積層して成る有機ＥＬ素子において、 前記陽極、有機発光層および陰極からなる積層構造体の
表面上に樹脂からなる樹脂封止膜と、 前記樹脂封止膜の上に気相成長法によって形成された無
機パッシベーション封止膜と、を設けたことを特徴とす
る有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記無機パッシベーション封止膜の上に
更に樹脂からなる樹脂封止膜を設けたことを特徴とする
請求項３記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記無機パッシベーション封止膜は、窒
化シリコンからなる窒化シリコン封止膜であることを特
徴とする請求項１，２，３または４記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項６】 基板上に少なくとも陽極、有機発光層お
よび陰極が順次形成して成る有機ＥＬ素子の製造方法で
あって、 前記陽極、有機発光層および陰極からなる積層構造体の
表面上に気相成長法によって形成された無機パッシベー
ション封止膜を成膜し、該無機パッシベーション封止膜
の上に樹脂からなる樹脂封止膜を成膜するようにしたこ
とを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記樹脂封止膜の上に更に気相成長法に
よって形成された無機パッシベーション封止膜を成膜す
るようにしたことを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に少なくとも陽極、有機発光層お
よび陰極が順次形成して成る有機ＥＬ素子の製造方法で
あって、 前記陽極、有機発光層および陰極からなる積層構造体の
表面上に樹脂からなる樹脂封止膜を成膜し、該樹脂封止
膜の上に気相成長法によって形成された無機パッシベー
ション封止膜を成膜するようにしたことを特徴とする有
機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記無機パッシベーション封止膜の上に
更に樹脂からなる樹脂封止膜を成膜するようにしたこと
を特徴とする請求項８記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記無機パッシベーション封止膜は、
プラズマＣＶＤ法により成膜される窒化シリコン封止膜
であることを特徴とする請求項６，７，８または９記載
の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記プラズマＣＶＤ法による窒化シリ
コン封止膜の成膜時の原料ガスがシランガスと窒素ガス
のみからなることを特徴とする請求項１０記載の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP02197599A JP3817081B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US09/493,121 US6864629B2 (en) | 1999-01-29 | 2000-01-28 | Organic electroluminescence (EL) cell that prevents moisture from deteriorating light-emitting characteristics and a method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02197599A JP3817081B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223264A true JP2000223264A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3817081B2 JP3817081B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=12070044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02197599A Expired - Lifetime JP3817081B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6864629B2 (ja) |
| JP (1) | JP3817081B2 (ja) |
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