JP2000212660A - フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高屈曲性圧延銅箔の軟化温度を適度に高めて保
管中の軟化に伴うトラブルを解消することにより，優れ
た屈曲性と適度な軟化特性を有する併せ持つFPC用圧延
銅箔を提供すること。 【解決手段】酸素が10重量ppm以下であり，次式で定義
したTが4〜34の範囲にあり， T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.
36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] + 0.76[Te]
+ 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただし，[i]は元
素iの重量ppm濃度) 上記各元素の濃度が次の範囲にあり， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Sn]＜20，[A
g]＜50，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) 厚さが5〜50μmであり，120〜150℃の半軟化温度を有
し，３０℃において継続して300 N／mm２以上の引っ張
り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する
フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
管中の軟化に伴うトラブルを解消することにより，優れ
た屈曲性と適度な軟化特性を有する併せ持つFPC用圧延
銅箔を提供すること。 【解決手段】酸素が10重量ppm以下であり，次式で定義
したTが4〜34の範囲にあり， T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.
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素iの重量ppm濃度) 上記各元素の濃度が次の範囲にあり， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Sn]＜20，[A
g]＜50，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) 厚さが5〜50μmであり，120〜150℃の半軟化温度を有
し，３０℃において継続して300 N／mm２以上の引っ張
り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する
フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は屈曲性および好適な製造
性を有するフレキシブルプリント回路基板（Flexible p
rinted circuit，以下FPCと表記する）等の可撓性配線
部材に関するものである。
性を有するフレキシブルプリント回路基板（Flexible p
rinted circuit，以下FPCと表記する）等の可撓性配線
部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機物を基材としたプリント配線基板
は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料
とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリイミドおよ
びポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基
板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の
導電材としては主として銅箔が使用されている．銅箔は
その製造方法の違いにより電解銅箔と圧延銅箔に分類さ
れる。
は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料
とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリイミドおよ
びポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基
板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の
導電材としては主として銅箔が使用されている．銅箔は
その製造方法の違いにより電解銅箔と圧延銅箔に分類さ
れる。
【０００３】上記プリント配線基板のうち，フレキシブ
ルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基板に銅箔をラミ
ネートし，接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形
成される。近年では高密度実装の有効な手段として，ビ
ルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板が多く用いられ
ている。これFPCの構成部材となる銅箔には，主に圧延
銅箔が用いられている。
ルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基板に銅箔をラミ
ネートし，接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形
成される。近年では高密度実装の有効な手段として，ビ
ルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板が多く用いられ
ている。これFPCの構成部材となる銅箔には，主に圧延
銅箔が用いられている。
【０００４】FPCは，プリンターのヘッド部やハードデ
ィスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる
場所に広く使用され，100万回以上の屈曲が繰り返され
る。近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性
への要求はより高度化している。
ィスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる
場所に広く使用され，100万回以上の屈曲が繰り返され
る。近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性
への要求はより高度化している。
【０００５】FPCに使用される銅箔の素材には，主にタ
フピッチ銅（酸素含有量100〜500 ppm）が用いられる。
このタフピッチ銅箔は，インゴットを熱間圧延した後，
所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造され
る。その後，樹脂基板との接着性を向上させるため，銅
箔には表面に粗化めっきが施される。粗化めっき後の銅
箔は，裁断された後，樹脂基板と貼り合わせられる。銅
箔と樹脂との貼りあわせには，例えばエポキシ等の熱硬
化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張り合わせ後130
〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化させる。つぎ
に，銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成す
る。
フピッチ銅（酸素含有量100〜500 ppm）が用いられる。
このタフピッチ銅箔は，インゴットを熱間圧延した後，
所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造され
る。その後，樹脂基板との接着性を向上させるため，銅
箔には表面に粗化めっきが施される。粗化めっき後の銅
箔は，裁断された後，樹脂基板と貼り合わせられる。銅
箔と樹脂との貼りあわせには，例えばエポキシ等の熱硬
化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張り合わせ後130
〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化させる。つぎ
に，銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成す
る。
【０００６】銅箔の屈曲性は再結晶焼鈍を行うことによ
り圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍
状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は
粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，銅箔を
樹脂基板と接着する際の加熱で兼ねる。このように，焼
鈍状態の銅箔を最初から用いず製造工程の中間で焼鈍を
行う理由は，焼鈍後の軟質状態では裁断や樹脂基盤との
貼りあわせの際に銅箔が変形したり，銅箔にしわが生じ
たりするためであり，圧延上がりの硬質の状態の方がFP
Cの製造性の点からは有利なためである。
り圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍
状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は
粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，銅箔を
樹脂基板と接着する際の加熱で兼ねる。このように，焼
鈍状態の銅箔を最初から用いず製造工程の中間で焼鈍を
行う理由は，焼鈍後の軟質状態では裁断や樹脂基盤との
貼りあわせの際に銅箔が変形したり，銅箔にしわが生じ
たりするためであり，圧延上がりの硬質の状態の方がFP
Cの製造性の点からは有利なためである。
【０００７】FPCの屈曲性を高めるためには，その素材
となる圧延銅箔の屈曲性を高めることが有効である。焼
鈍後の銅箔の屈曲性は，立方体集合組織が発達するほど
向上する。また，この立方体集合組織を発達させるため
には，銅箔の製造プロセスにおいて，最終圧延での加工
度を高くすること，および最終圧延直前の焼鈍での結晶
粒径を小さくすることが効果的である（特願平10-10185
8）。
となる圧延銅箔の屈曲性を高めることが有効である。焼
鈍後の銅箔の屈曲性は，立方体集合組織が発達するほど
向上する。また，この立方体集合組織を発達させるため
には，銅箔の製造プロセスにおいて，最終圧延での加工
度を高くすること，および最終圧延直前の焼鈍での結晶
粒径を小さくすることが効果的である（特願平10-10185
8）。
【０００８】ところが，このようなプロセスで製造した
銅箔は，圧延で蓄積される塑性歪みが増大するため軟化
温度が著しく低下し，場合によっては，室温で保管して
いても保管期間が長期に及ぶと軟化することがある（例
えば特開平10-230303）。
銅箔は，圧延で蓄積される塑性歪みが増大するため軟化
温度が著しく低下し，場合によっては，室温で保管して
いても保管期間が長期に及ぶと軟化することがある（例
えば特開平10-230303）。
【０００９】上述したように，すでに軟化した銅箔を用
いてFPCを製造すると，銅箔が変形する等の問題が生
じ，FPCの製造性が著しく低下する。したがって，上記
の製造プロセスを選択して銅箔の屈曲性を向上させる場
合，同時に銅箔の軟化温度を適度に高くする必要があ
る。
いてFPCを製造すると，銅箔が変形する等の問題が生
じ，FPCの製造性が著しく低下する。したがって，上記
の製造プロセスを選択して銅箔の屈曲性を向上させる場
合，同時に銅箔の軟化温度を適度に高くする必要があ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は，高屈
曲性圧延銅箔の軟化温度を適度に高めて保管中の軟化に
伴うトラブルを解消することにより，優れた屈曲性と適
度な軟化特性を有する併せ持つFPC用圧延銅箔を提供す
ることである。
曲性圧延銅箔の軟化温度を適度に高めて保管中の軟化に
伴うトラブルを解消することにより，優れた屈曲性と適
度な軟化特性を有する併せ持つFPC用圧延銅箔を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を改善するための手段】すなわち本発明は，上記
の問題点を解決したものであり， （１）酸素が10重量ppm以下であり，次式で定義したTが
4〜34の範囲にあり， T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.
36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] + 0.76[Te]
+ 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただし，[i]は元
素iの重量ppm濃度) 上記各元素の濃度が次の範囲にあり， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Sn]＜20，[A
g]＜50，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) 厚さが5〜50μmであり，120〜150℃の半軟化温度を有
し，３０℃において継続して300 N／mm２以上の引張り
強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有するこ
とを特徴とするフレキシブルプリント回路基板用圧延銅
箔。
の問題点を解決したものであり， （１）酸素が10重量ppm以下であり，次式で定義したTが
4〜34の範囲にあり， T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.
36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] + 0.76[Te]
+ 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただし，[i]は元
素iの重量ppm濃度) 上記各元素の濃度が次の範囲にあり， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Sn]＜20，[A
g]＜50，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) 厚さが5〜50μmであり，120〜150℃の半軟化温度を有
し，３０℃において継続して300 N／mm２以上の引張り
強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有するこ
とを特徴とするフレキシブルプリント回路基板用圧延銅
箔。
【００１２】（２） Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，CaおよびN
bの各成分の内一種以上の合計量が20重量ppm以下である
ことを特徴とする，上記（１）のフレキシブルプリント
回路基板用圧延銅箔。 （３）200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求め
た（200）面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で求めた
（200）面の強度（I0）に対しI／I0＞20.0であることを
特徴とする，上記（１）および（２）のフレキシブルプ
リント回路基板用圧延銅箔。
bの各成分の内一種以上の合計量が20重量ppm以下である
ことを特徴とする，上記（１）のフレキシブルプリント
回路基板用圧延銅箔。 （３）200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求め
た（200）面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で求めた
（200）面の強度（I0）に対しI／I0＞20.0であることを
特徴とする，上記（１）および（２）のフレキシブルプ
リント回路基板用圧延銅箔。
【００１３】（４）インゴットを熱間圧延した後，冷間
圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げ
るプロセスで製造し，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこ
の焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が20μmになる条
件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を90.0 %を超える
値とし，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する圧延銅
箔を得ることを特徴とする請求項１，２及び３のフレキ
シブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法に関する
ものである。
圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げ
るプロセスで製造し，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこ
の焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が20μmになる条
件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を90.0 %を超える
値とし，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する圧延銅
箔を得ることを特徴とする請求項１，２及び３のフレキ
シブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法に関する
ものである。
【００１４】銅箔を高加工度または微細結晶粒のプロセ
スで製造して立方体集合組織を発達させれば，屈曲性は
向上するが，軟化温度が低くなり過ぎる。しかし，素材
の成分をコントロールすることにより軟化温度を高めて
やれば，適度な軟化温度を有する銅箔を得ることが可能
となる。
スで製造して立方体集合組織を発達させれば，屈曲性は
向上するが，軟化温度が低くなり過ぎる。しかし，素材
の成分をコントロールすることにより軟化温度を高めて
やれば，適度な軟化温度を有する銅箔を得ることが可能
となる。
【００１５】ここでいう適度な軟化温度とは，(1) 銅箔
の圧延上がりの引張り強さは400〜500 N／ｍｍ２である
が，３０℃で１年間放置しても300 N／mm２以上の引張
り強さを保つこと，(2) 粗化めっきして裁断した後の熱
処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で，銅箔が軟
化すること，の２つの条件によって規定され，30分間焼
鈍の際の半軟化温度（引張強さが焼鈍前と完全に軟化し
たときの中間の値になるときの焼鈍温度）でいえば，12
0〜150℃の範囲に相当する。
の圧延上がりの引張り強さは400〜500 N／ｍｍ２である
が，３０℃で１年間放置しても300 N／mm２以上の引張
り強さを保つこと，(2) 粗化めっきして裁断した後の熱
処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で，銅箔が軟
化すること，の２つの条件によって規定され，30分間焼
鈍の際の半軟化温度（引張強さが焼鈍前と完全に軟化し
たときの中間の値になるときの焼鈍温度）でいえば，12
0〜150℃の範囲に相当する。
【００１６】従来，FPC用の圧延銅箔の素材には，無酸
素銅ではなくタフピッチ銅が用いられているが，この理
由は，無酸素銅はタフピッチ銅と比較して軟化温度が30
℃以上高く，上述の樹脂基板と接着する際の熱処理で軟
化しないためである（例えば，酒井修二，永井康睦，菅
谷和雄，大谷憲夫：“低温軟化無酸素銅の諸特性とその
応用”，日立電線，No.8 (1989)，Ｐ．51-56，および
江口立彦，藤田繁男，宮武幸裕，千草成史，徳永新，佐
藤矩正，稲田孝：“低温軟化・高屈曲性無酸素銅の開発
“，古河電工時報，No.86 (1990)，Ｐ．25-31）。
素銅ではなくタフピッチ銅が用いられているが，この理
由は，無酸素銅はタフピッチ銅と比較して軟化温度が30
℃以上高く，上述の樹脂基板と接着する際の熱処理で軟
化しないためである（例えば，酒井修二，永井康睦，菅
谷和雄，大谷憲夫：“低温軟化無酸素銅の諸特性とその
応用”，日立電線，No.8 (1989)，Ｐ．51-56，および
江口立彦，藤田繁男，宮武幸裕，千草成史，徳永新，佐
藤矩正，稲田孝：“低温軟化・高屈曲性無酸素銅の開発
“，古河電工時報，No.86 (1990)，Ｐ．25-31）。
【００１７】そこで，従来FPC用圧延銅箔の素材として
敬遠されてきた無酸素銅を，優れた屈曲性が得られる高
加工度または微細結晶粒のプロセスで製造すれば，この
プロセスによって軟化温度が低下し，FPC用銅箔として
好適な軟化温度が得られる可能性がある。
敬遠されてきた無酸素銅を，優れた屈曲性が得られる高
加工度または微細結晶粒のプロセスで製造すれば，この
プロセスによって軟化温度が低下し，FPC用銅箔として
好適な軟化温度が得られる可能性がある。
【００１８】このようにFPC用圧延銅箔の素材に無酸素
銅を用いることは従来より提案されていたが，例えば，
硼素を10〜600 ppm添加して軟化温度を低下させた無
酸素銅箔を用いる（特許番号第1582981），Ca，Zrま
たはミッシュメタルの１種以上を10〜30ppm添加して軟
化温度を低下させた無酸素銅を用いる（特許番号第1849
316）など，合金元素の微量添加によって軟化温度をタ
フピッチ銅レベルまで低下させた上で，無酸素銅を使用
する場合がほとんどであった。
銅を用いることは従来より提案されていたが，例えば，
硼素を10〜600 ppm添加して軟化温度を低下させた無
酸素銅箔を用いる（特許番号第1582981），Ca，Zrま
たはミッシュメタルの１種以上を10〜30ppm添加して軟
化温度を低下させた無酸素銅を用いる（特許番号第1849
316）など，合金元素の微量添加によって軟化温度をタ
フピッチ銅レベルまで低下させた上で，無酸素銅を使用
する場合がほとんどであった。
【００１９】一方，微量成分をコントロールすることな
しに，特殊な製造プロセスで製造することによって無酸
素銅箔の軟化温度を低下させ，FPCに用いる例もある
が，最終焼鈍を低温・長時間で行うなど，銅箔の生産性
を低下させるものであった（特開平01-212739）。いず
れにしても，従来の研究は無酸素銅の軟化温度を低下さ
せることだけを目的としたものであり，無酸素銅本来の
高い軟化温度を積極的に利用した例はなかった。
しに，特殊な製造プロセスで製造することによって無酸
素銅箔の軟化温度を低下させ，FPCに用いる例もある
が，最終焼鈍を低温・長時間で行うなど，銅箔の生産性
を低下させるものであった（特開平01-212739）。いず
れにしても，従来の研究は無酸素銅の軟化温度を低下さ
せることだけを目的としたものであり，無酸素銅本来の
高い軟化温度を積極的に利用した例はなかった。
【００２０】無酸素銅中に比較的高濃度で含有され，無
酸素銅の軟化温度に影響を及ぼす不純物元素は，Bi，P
b，Sb，Se，S，As，Fe，Ni，Te，Ag，SnおよびPであ
る。これら元素の濃度が高くなると軟化温度は上昇する
が，各元素の無酸素銅中の濃度は製造タイミングによっ
てばらつき，従来のばらつきのレベルでは，半軟化温度
を120〜150℃という狭い範囲に収めることはできない。
そこで，これら元素の濃度を適正範囲に調整することが
必要となる。
酸素銅の軟化温度に影響を及ぼす不純物元素は，Bi，P
b，Sb，Se，S，As，Fe，Ni，Te，Ag，SnおよびPであ
る。これら元素の濃度が高くなると軟化温度は上昇する
が，各元素の無酸素銅中の濃度は製造タイミングによっ
てばらつき，従来のばらつきのレベルでは，半軟化温度
を120〜150℃という狭い範囲に収めることはできない。
そこで，これら元素の濃度を適正範囲に調整することが
必要となる。
【００２１】無酸素銅を溶製する際の主原料は電気銅で
ある。上記元素のうち，Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Ni，T
e，AgおよびSnは，主にこの電気銅から持ち込まれるも
のである。したがって，これら不純物の濃度は，原料に
用いる電気銅を，その不純物含有量に応じて選別するこ
とによって調整できる。
ある。上記元素のうち，Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Ni，T
e，AgおよびSnは，主にこの電気銅から持ち込まれるも
のである。したがって，これら不純物の濃度は，原料に
用いる電気銅を，その不純物含有量に応じて選別するこ
とによって調整できる。
【００２２】つぎに，溶解後の電気銅は，カーボン脱酸
等によって酸素濃度を調整されて無酸素銅となる。Feは
主にこの過程で鉄錆などから混入するものであり，この
ようなFe分の混入を管理すればFe濃度を調整できる。ま
た，無酸素銅の製造過程において，脱酸の仕上げとし
て，微量のPが添加されることがある。P濃度は，このP
添加量を管理することで調整できる。
等によって酸素濃度を調整されて無酸素銅となる。Feは
主にこの過程で鉄錆などから混入するものであり，この
ようなFe分の混入を管理すればFe濃度を調整できる。ま
た，無酸素銅の製造過程において，脱酸の仕上げとし
て，微量のPが添加されることがある。P濃度は，このP
添加量を管理することで調整できる。
【００２３】一方，Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，Ca，Nbなど
を銅に低濃度で添加すると，軟化温度が低下することが
知られている。これは，これら元素が上記の不純物元素
と化合し不純物を固溶状態から析出状態に変える，ある
いは再結晶核となって再結晶エネルギーを下げるためで
あるといわれている（例えば，特開昭63-140052）。
を銅に低濃度で添加すると，軟化温度が低下することが
知られている。これは，これら元素が上記の不純物元素
と化合し不純物を固溶状態から析出状態に変える，ある
いは再結晶核となって再結晶エネルギーを下げるためで
あるといわれている（例えば，特開昭63-140052）。
【００２４】これらの元素は，電気銅中に極めて微量に
しか含有されていないため，無酸素銅の製造過程におい
て意図的に添加しない限り，軟化温度低下の効果が発現
する濃度まで無酸素銅中に含有されることは少ない。し
たがって，これら元素を含有する電気銅を用いないこと
も重要であるが，無酸素銅の製造過程でこれら元素を脱
酸剤等として添加しないことがとくに重要である。
しか含有されていないため，無酸素銅の製造過程におい
て意図的に添加しない限り，軟化温度低下の効果が発現
する濃度まで無酸素銅中に含有されることは少ない。し
たがって，これら元素を含有する電気銅を用いないこと
も重要であるが，無酸素銅の製造過程でこれら元素を脱
酸剤等として添加しないことがとくに重要である。
【００２５】本発明者らは上記観点に基づいて実験を繰
り返し，無酸素銅の微量不純物量を厳密に調整し，また
その製造工程を厳密に規定すれば，優れた屈曲性を得る
と同時に，その半軟化温度を120〜150℃の範囲に調整で
きることを見出した。
り返し，無酸素銅の微量不純物量を厳密に調整し，また
その製造工程を厳密に規定すれば，優れた屈曲性を得る
と同時に，その半軟化温度を120〜150℃の範囲に調整で
きることを見出した。
【００２６】本発明に関わる圧延銅箔の限定理由を以下
に示す。本発明では，圧延銅箔を室温において継続して
300 N／mm２以上の引張り強さを保持することを目標と
した。より望ましくは30℃において１年間放置した場合
であったも，300 N／mm 2以上の引張り強さを保持でき
ることである。
に示す。本発明では，圧延銅箔を室温において継続して
300 N／mm２以上の引張り強さを保持することを目標と
した。より望ましくは30℃において１年間放置した場合
であったも，300 N／mm 2以上の引張り強さを保持でき
ることである。
【００２７】ここで，30℃とは日本国内の年間平均気温
を超える温度に相当し，銅箔がFPCに加工されるまでの
保管期間は継続してとは，継続して保管されることが多
く，更に長くても１年間である。また，引張り強さが30
0 N／mm２以上であれば，銅箔を加工中にしわが生じる
等のトラブルは発生しない。したがって，30℃で１年間
放置しても300 N／mm２以上の引張り強さを保持できれ
ば実用上問題はない。このような軟化特性は，30分間焼
鈍したときの半軟化温度に換算すると，120℃以上の温
度に相当する。
を超える温度に相当し，銅箔がFPCに加工されるまでの
保管期間は継続してとは，継続して保管されることが多
く，更に長くても１年間である。また，引張り強さが30
0 N／mm２以上であれば，銅箔を加工中にしわが生じる
等のトラブルは発生しない。したがって，30℃で１年間
放置しても300 N／mm２以上の引張り強さを保持できれ
ば実用上問題はない。このような軟化特性は，30分間焼
鈍したときの半軟化温度に換算すると，120℃以上の温
度に相当する。
【００２８】一方，30分間焼鈍したときの半軟化温度が
150℃を超えると， 粗化めっきして裁断した後の熱処理
または樹脂基板と接着する際の熱処理で銅箔が軟化しな
いことがある。そこで，30分間焼鈍したときの半軟化温
度を120〜150℃に規定した。
150℃を超えると， 粗化めっきして裁断した後の熱処理
または樹脂基板と接着する際の熱処理で銅箔が軟化しな
いことがある。そこで，30分間焼鈍したときの半軟化温
度を120〜150℃に規定した。
【００２９】FPCの屈曲性を高めるためには，銅箔の屈
曲性を高める必要がある。銅箔は再結晶状態でFPC中に
組み込まれるが，純Cuの再結晶集合組織である立方体集
合組織を発達させれば，銅箔の屈曲性は向上する。
曲性を高める必要がある。銅箔は再結晶状態でFPC中に
組み込まれるが，純Cuの再結晶集合組織である立方体集
合組織を発達させれば，銅箔の屈曲性は向上する。
【００３０】満足できる屈曲性が得られるときの立方体
集合組織の発達度は，X線回折で求めた（200）面の強度
が微粉末銅のX線回折で求めた（200）面の強度（I0）に
対しI／I0＞20.0の関係であることで規定され，好まし
くはI／I0＞40.0の関係で規定される。ここで，200℃で
30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶
させるために行うものである。
集合組織の発達度は，X線回折で求めた（200）面の強度
が微粉末銅のX線回折で求めた（200）面の強度（I0）に
対しI／I0＞20.0の関係であることで規定され，好まし
くはI／I0＞40.0の関係で規定される。ここで，200℃で
30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶
させるために行うものである。
【００３１】O濃度を10重量ppm以下とする理由は，120
℃以上の軟化温度を得るためである。O濃度が10 重量pp
mを超えると，高屈曲が得られるプロセスで箔を製造す
る場合，微量成分量を後述する範囲に調整しても120℃
以上の半軟化温度を得ることができない。また，O濃度
を低減するとCu2O介在物が減少するため，屈曲性が改善
される効果も得られる。
℃以上の軟化温度を得るためである。O濃度が10 重量pp
mを超えると，高屈曲が得られるプロセスで箔を製造す
る場合，微量成分量を後述する範囲に調整しても120℃
以上の半軟化温度を得ることができない。また，O濃度
を低減するとCu2O介在物が減少するため，屈曲性が改善
される効果も得られる。
【００３２】Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Fe，Ni，Te，A
g，SnおよびPは，無酸素銅の軟化特性を決定付ける元素
であり，これらの濃度を調整することで半軟化温度を制
御できる。ただし，各元素で軟化温度上昇への寄与率が
異なるため，元素により重み付けを行う必要がある。そ
こで，軟化温度上昇指数（T）を次式で定義した。
g，SnおよびPは，無酸素銅の軟化特性を決定付ける元素
であり，これらの濃度を調整することで半軟化温度を制
御できる。ただし，各元素で軟化温度上昇への寄与率が
異なるため，元素により重み付けを行う必要がある。そ
こで，軟化温度上昇指数（T）を次式で定義した。
【数１】T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64
[Se] + 1.36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] +
0.76[Te] + 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただ
し，[i]は元素iの重量ppm濃度)
[Se] + 1.36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] +
0.76[Te] + 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただ
し，[i]は元素iの重量ppm濃度)
【００３３】ここで，各元素の係数は，高純度Cu中に各
元素を単独で種々の量添加して濃度と半軟化温度との関
係を求め，この関係を一次直線で整理したときの直線の
傾き（℃／重量ppm）である。また，各元素の半軟化温
度の上昇効果が，加算的に働くことを確認している。
元素を単独で種々の量添加して濃度と半軟化温度との関
係を求め，この関係を一次直線で整理したときの直線の
傾き（℃／重量ppm）である。また，各元素の半軟化温
度の上昇効果が，加算的に働くことを確認している。
【００３４】このTが4〜34の範囲になるように上記元素
の濃度を調整すれば，高屈曲が得られるプロセスで製造
した銅箔の半軟化温度を，120〜150℃の範囲に収めるこ
とができる。一方，Tが4より小さくなると半軟化温度が
120℃より低くなり，Tが34を超えると半軟化温度が150
℃を超える。
の濃度を調整すれば，高屈曲が得られるプロセスで製造
した銅箔の半軟化温度を，120〜150℃の範囲に収めるこ
とができる。一方，Tが4より小さくなると半軟化温度が
120℃より低くなり，Tが34を超えると半軟化温度が150
℃を超える。
【００３５】Tを4〜34の範囲に調整するためには，上述
したように不純物としての混入量を調整すればよいが，
無酸素銅の製造過程においてこれら元素を意図的に添加
する方法もある。ただし，各元素の濃度は，それぞれ規
定の範囲内に調整する必要がある。
したように不純物としての混入量を調整すればよいが，
無酸素銅の製造過程においてこれら元素を意図的に添加
する方法もある。ただし，各元素の濃度は，それぞれ規
定の範囲内に調整する必要がある。
【００３６】これは，以下の理由によるものである。 Bi，Pb，Se，S，Sn等の融点が低い元素が，無酸素銅
インゴットの粒界に偏析すると，熱間圧延の際に割れが
発生する。S，Sb，Se，As，Te，P等の非金属元素は，Cu
との間で非金属介在物を形成し，屈曲性をはじめとする
機械的特性を低下させる。
インゴットの粒界に偏析すると，熱間圧延の際に割れが
発生する。S，Sb，Se，As，Te，P等の非金属元素は，Cu
との間で非金属介在物を形成し，屈曲性をはじめとする
機械的特性を低下させる。
【００３７】Ag等は高価であるため，このような元素
を多量に用いて軟化温度を調整することは経済的に不利
である。 Fe，Ni等の濃度が高くなると，再結晶集合組織の発達
が阻害され｛（200）面のI/I0が低下｝，屈曲性が低下
する。 そこで，上記弊害が生じない範囲として，各元素の濃度
を， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Ag]＜50，[S
n]＜20，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) に規定した。
を多量に用いて軟化温度を調整することは経済的に不利
である。 Fe，Ni等の濃度が高くなると，再結晶集合組織の発達
が阻害され｛（200）面のI/I0が低下｝，屈曲性が低下
する。 そこで，上記弊害が生じない範囲として，各元素の濃度
を， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Ag]＜50，[S
n]＜20，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) に規定した。
【００３８】Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，CaおよびNbが，銅
中に含有されると半軟化温度が低下するが，これら元素
の合計量が20重量ppm以下であれば，この軟化温度が低
下する現象は発現しない。そこで，これら元素の合計量
を20重量ppm以下に規定した。
中に含有されると半軟化温度が低下するが，これら元素
の合計量が20重量ppm以下であれば，この軟化温度が低
下する現象は発現しない。そこで，これら元素の合計量
を20重量ppm以下に規定した。
【００３９】銅箔の厚みについては，薄いほど曲げ部の
外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。
銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達
させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さ
を5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断な
どにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚み
を5〜50μmとした。
外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。
銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達
させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さ
を5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断な
どにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚み
を5〜50μmとした。
【００４０】次に，本発明に関わる銅箔は，平均粒径が
20μm以下になる条件で再結晶焼鈍を行なった後，90.0
%を超える加工度の冷間圧延を行うことによって箔に仕
上げられるが，圧延前の焼鈍での平均粒径が20μmを超
える場合または加工度が90.0%以下の場合には，I／I0＜
20.0となって良好な屈曲性が得られない。
20μm以下になる条件で再結晶焼鈍を行なった後，90.0
%を超える加工度の冷間圧延を行うことによって箔に仕
上げられるが，圧延前の焼鈍での平均粒径が20μmを超
える場合または加工度が90.0%以下の場合には，I／I0＜
20.0となって良好な屈曲性が得られない。
【００４１】また，微量成分の濃度によっては，半軟化
温度が150℃を超えることがある。なお，最終冷間圧延
前の焼鈍を熱間圧延で兼ねることもできるが，この場合
も熱間圧延上がりの結晶粒径を20μm以下に調整するこ
とが望ましい。
温度が150℃を超えることがある。なお，最終冷間圧延
前の焼鈍を熱間圧延で兼ねることもできるが，この場合
も熱間圧延上がりの結晶粒径を20μm以下に調整するこ
とが望ましい。
【００４２】
【実施例】以下，本発明の様態を実施例により説明す
る。表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴ
ットを製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延した。
る。表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴ
ットを製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延した。
【００４３】
【表１】
【００４４】ここで，比較例のNo.1は，FPC用銅箔の素
材として従来より用いられてきたタフピッチ銅である。
つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さt0 mmの圧延
上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結晶させ，酸化
スケールを除去した後，所定の厚みt mmまで冷間圧延し
た。ここで，最後の冷間圧延での加工度はRは，
材として従来より用いられてきたタフピッチ銅である。
つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さt0 mmの圧延
上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結晶させ，酸化
スケールを除去した後，所定の厚みt mmまで冷間圧延し
た。ここで，最後の冷間圧延での加工度はRは，
【数２】R = (t0−t) / t0 × 100 (%) で与えられる。また，最終冷間圧延前の焼鈍では，焼鈍
後の結晶粒径を圧延方向に直角な断面において切断法で
測定した。
後の結晶粒径を圧延方向に直角な断面において切断法で
測定した。
【００４５】このように種々の中間焼鈍条件および最終
圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評
価した。 （１）立方体集合組織 試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面のX線回折で求
めた(200)面強度の積分値（I）求めた。この値をあらか
じめ測定しておいた微粉末銅の(200)面強度の積分値（I
0）で割り，I／I0の値を計算した。なお，ピーク強度の
積分値の測定は，Co管球を用い，2θ＝57〜63°（θは
回折角度）の範囲で行った。
圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評
価した。 （１）立方体集合組織 試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面のX線回折で求
めた(200)面強度の積分値（I）求めた。この値をあらか
じめ測定しておいた微粉末銅の(200)面強度の積分値（I
0）で割り，I／I0の値を計算した。なお，ピーク強度の
積分値の測定は，Co管球を用い，2θ＝57〜63°（θは
回折角度）の範囲で行った。
【００４６】（２）屈曲性 試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，図１に
示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装
置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造に
なっており，被試験銅箔は１は，矢印で示したねじ２の
部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部
３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率
半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の
条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求め
た。
示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装
置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造に
なっており，被試験銅箔は１は，矢印で示したねじ２の
部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部
３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率
半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の
条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求め
た。
【００４７】試験片幅12.7 mm，試験片長さ：200 mm，
試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行に
なるように採取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストロー
ク：25mm，振動速度：1500回／分 なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲
性を有していると判断した。また，この試験は加速試験
であり，実際にFPCが使用させる条件よりも厳しい条件
下で行っている。
試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行に
なるように採取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストロー
ク：25mm，振動速度：1500回／分 なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲
性を有していると判断した。また，この試験は加速試験
であり，実際にFPCが使用させる条件よりも厳しい条件
下で行っている。
【００４８】（３）半軟化温度 種々の温度で30分間の焼鈍を行なった後の引張り強さを
測定した。そして，焼鈍後の引張り強さが，圧延上がり
の引張り強さと300℃で30分間焼鈍し完全に軟化させた
後の引張り強さとの中間の値になるときの焼鈍温度を求
めた。半軟化温度が120〜150℃の範囲であれば，適正な
軟化特性を有していると判断した。
測定した。そして，焼鈍後の引張り強さが，圧延上がり
の引張り強さと300℃で30分間焼鈍し完全に軟化させた
後の引張り強さとの中間の値になるときの焼鈍温度を求
めた。半軟化温度が120〜150℃の範囲であれば，適正な
軟化特性を有していると判断した。
【００４９】（４）室温での軟化挙動 圧延上がりの材料を30℃に調整した恒温槽中に保管し，
保管開始から1ヶ月毎に引張り強さを測定し，引張り強
さが300 N／mm２以下の値になるまでの期間を求めた。
この評価は12ヶ月間まで継続した。
保管開始から1ヶ月毎に引張り強さを測定し，引張り強
さが300 N／mm２以下の値になるまでの期間を求めた。
この評価は12ヶ月間まで継続した。
【００５０】表2に各組成の銅箔の加工履歴と特性を示
す。
す。
【００５１】
【表２】
【００５２】本発明に関わる圧延銅箔である本発明例の
No.1〜20は，焼鈍を行うと立方体集合組織が発達して20
0面のI／I0が20.0を超え，その結果として3万回以上の
優れた屈曲寿命を示している。また，軟化温度は，目標
の120〜150℃の範囲内であり，室温（30℃）で1年間保
管しても引張強さが300 N／mm２以上の値を保ってい
る。
No.1〜20は，焼鈍を行うと立方体集合組織が発達して20
0面のI／I0が20.0を超え，その結果として3万回以上の
優れた屈曲寿命を示している。また，軟化温度は，目標
の120〜150℃の範囲内であり，室温（30℃）で1年間保
管しても引張強さが300 N／mm２以上の値を保ってい
る。
【００５３】一方，高屈曲が得られるプロセスで製造し
たタフピッチ銅箔である比較例のNo. 1は，Tが4以上で
あるにもかかわらず，半軟化温度が120℃よりも低く，3
0℃の保管で1年以内に引張強さが300 N／mm２以下に低
下した。比較例のNo.2はTが4に満たないため，半軟化温
度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さ
が300 N／mm２以下に低下した。また，比較例のNo.3はT
が34を超えているため，半軟化温度が150℃を超えてお
り，FPCの製造段階で再結晶しない危険性が高い。
たタフピッチ銅箔である比較例のNo. 1は，Tが4以上で
あるにもかかわらず，半軟化温度が120℃よりも低く，3
0℃の保管で1年以内に引張強さが300 N／mm２以下に低
下した。比較例のNo.2はTが4に満たないため，半軟化温
度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さ
が300 N／mm２以下に低下した。また，比較例のNo.3はT
が34を超えているため，半軟化温度が150℃を超えてお
り，FPCの製造段階で再結晶しない危険性が高い。
【００５４】比較例のNo.5はBi濃度が5 重量ppmを超え
ているため，インゴットを熱間圧延する際に割れが発生
し，銅箔に加工することができなかった。同様に，Pb，
Se，S，Sn濃度が規定範囲を超えた場合にも熱間圧延割
れが発生した。
ているため，インゴットを熱間圧延する際に割れが発生
し，銅箔に加工することができなかった。同様に，Pb，
Se，S，Sn濃度が規定範囲を超えた場合にも熱間圧延割
れが発生した。
【００５５】比較例のNo.4はS濃度が15重量ppmを超えて
いるため熱間圧延割れが発生したが，この割れを研削し
て35μmまで加工した。しかし，Cu2S介在物が増大した
ため，I／I0が20を超えたにもかかわらず，30000回以上
の屈曲回数が得られなかった。同様に，Sb，Se，As，T
e，P濃度が規定範囲を超えた場合にも，非金属介在物が
増大して屈曲性が低下した。
いるため熱間圧延割れが発生したが，この割れを研削し
て35μmまで加工した。しかし，Cu2S介在物が増大した
ため，I／I0が20を超えたにもかかわらず，30000回以上
の屈曲回数が得られなかった。同様に，Sb，Se，As，T
e，P濃度が規定範囲を超えた場合にも，非金属介在物が
増大して屈曲性が低下した。
【００５６】比較例のNo.6はFeが20重量ppmを超えてい
るため，再結晶集合組織の発達が阻害されI／I0が20未
満となり，30000回以上の屈曲回数が得られなかった。
同様に，Ni濃度が規定範囲を超えた場合にも，I/I0が20
未満となった。
るため，再結晶集合組織の発達が阻害されI／I0が20未
満となり，30000回以上の屈曲回数が得られなかった。
同様に，Ni濃度が規定範囲を超えた場合にも，I/I0が20
未満となった。
【００５７】比較例のNo.7，8および9は，Tが4を超えて
いるが，Ti，Zr，Hf，V，B，Ca，Nb等を脱酸剤として用
い，これらの合計濃度が20重量ppmを超えてしまったた
め，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以
内に引張強さが300 N／mm２以下に低下した。
いるが，Ti，Zr，Hf，V，B，Ca，Nb等を脱酸剤として用
い，これらの合計濃度が20重量ppmを超えてしまったた
め，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以
内に引張強さが300 N／mm２以下に低下した。
【００５８】比較例のNo.10は圧延前の結晶粒径が20μm
を超えているため，比較例のNo.11は圧延加工度が90 %
以下であるため，200面のI／I0が20未満であり，屈曲回
数が3万回に満たず，圧延で蓄積された塑性歪み少ない
ため半軟化温度が150℃を超えている。
を超えているため，比較例のNo.11は圧延加工度が90 %
以下であるため，200面のI／I0が20未満であり，屈曲回
数が3万回に満たず，圧延で蓄積された塑性歪み少ない
ため半軟化温度が150℃を超えている。
【００５９】比較例のNo.12は厚さが50μmを超えている
ため，立方体集合組織が発達しているにもかかわらず，
屈曲回数が3万回未満である。
ため，立方体集合組織が発達しているにもかかわらず，
屈曲回数が3万回未満である。
【００６０】図2に同一のプロセスで製造した，本発明
例のNo.1〜9および比較例のNo.2，3について，Tと半軟
化温度との関係を示した。Tが高くなると半軟化温度が
上昇し，Tが4〜34の範囲で目標の120〜150℃の半軟化温
度が得られていることがわかる。
例のNo.1〜9および比較例のNo.2，3について，Tと半軟
化温度との関係を示した。Tが高くなると半軟化温度が
上昇し，Tが4〜34の範囲で目標の120〜150℃の半軟化温
度が得られていることがわかる。
【００６１】
【発明の効果】本発明のフレキシブルプリント回路用圧
延銅箔は優れた屈曲性を有する。また，適度な軟化温度
を有し、かつ保管中に軟化したりあるいは焼鈍を行って
も軟化しないといったトラブルが生じないため，フレキ
シブルプリント回路基板としての好ましい特性を有す
る。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極等
のフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適であ
る。
延銅箔は優れた屈曲性を有する。また，適度な軟化温度
を有し、かつ保管中に軟化したりあるいは焼鈍を行って
も軟化しないといったトラブルが生じないため，フレキ
シブルプリント回路基板としての好ましい特性を有す
る。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極等
のフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適であ
る。
【図１】屈曲疲労寿命の測定を行うために使用した屈曲
試験の説明図である。
試験の説明図である。
【図２】本発明例と比較例と半軟化温度との関係をしめ
すグラフである。
すグラフである。
銅箔 ねじ 振動伝達部材 発振駆動体
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８５ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８５Ｚ ６８６ ６８６Ｚ ６９１ ６９１Ｚ ６９４ ６９４Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】酸素が10重量ppm以下であり，次式で定義
したTが4〜34の範囲にあり， T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.
36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] + 0.76[Te]
+ 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P] (ただし，[i]は元
素iの重量ppm濃度) 上記各元素の濃度が次の範囲にあり， [Bi]＜5，[Pb]＜10，[Sb]＜5，[Se]＜5，[S]＜15 ，[A
s]＜5， [Fe]＜20，[Ni]＜20， [Te]＜5，[Sn]＜20，[A
g]＜50，[P]＜15 (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度) 厚さが5〜50μmであり，120〜150℃の半軟化温度を有
し，３０℃において継続して300 N／ｍｍ２以上の引張
り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する
ことを特徴とするフレキシブルプリント回路基板用圧延
銅箔。 - 【請求項２】Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，CaおよびNbの各成
分の内一種以上の合計量が20重量ppm以下であることを
特徴とする，請求項１のフレキシブルプリント回路基板
用圧延銅箔。 - 【請求項３】200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折
で求めた（200）面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で
求めた（200）面の強度（I0）に対しI／I0＞20.0である
ことを特徴とする，請求項１および２のフレキシブルプ
リント回路基板用圧延銅箔。 - 【請求項４】インゴットを熱間圧延した後，冷間圧延と
焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げるプロ
セスで製造し，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこの焼鈍
で得られる再結晶粒の平均粒径が20μmになる条件下で
行い，最後の冷間圧延の加工度を90.0 %を超える値と
し，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有する圧延銅箔を
得ることを特徴とする請求項１，２及び３のフレキシブ
ルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
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| TW088122217A TW487738B (en) | 1999-01-18 | 1999-12-17 | Rolled copper foil for flexible printed circuit and method of manufacturing the same |
| KR1019990059878A KR100344859B1 (ko) | 1999-01-18 | 1999-12-21 | 가요성 인쇄회로기판용 압연동박 및 그 제조방법 |
| CN99127521A CN1083014C (zh) | 1999-01-18 | 1999-12-30 | 软性印刷电路基板用轧制铜箔及其制造方法 |
| US09/481,673 US6197433B1 (en) | 1999-01-18 | 2000-01-12 | Rolled copper foil for flexible printed circuit and method of manufacturing the same |
| DE10001137A DE10001137C2 (de) | 1999-01-18 | 2000-01-13 | Gewalzte Kupferfolie für eine flexible gedruckte Schaltung und Herstellungsverfahren dafür |
| MYPI20000140A MY120263A (en) | 1999-01-18 | 2000-01-17 | Rolled copper foil for flexible printed circuit and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|
| JP00933299A JP3856581B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法 |
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|---|---|
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