JP2000269552A - チップ型発光装置 - Google Patents
チップ型発光装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得ら
れると共に、ワイヤボンデングの信頼性を高めることが
できる超小型のチップ型発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板２の一端に切欠部７を形成し、他端
には両側の側縁に二個所に切欠部８ａ、８ｂを形成す
る。基板表面には前記両端の切欠部を覆う第１および第
２の電極パターン３、４を形成し、第１の電極パターン
３に発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）チップ１を接続し、ＬＥ
Ｄチップ１の電極１ａと第２の電極パターン４の表面側
電極４ａを金属線５でワイヤボンデングで接続する。Ｌ
ＥＤチップ１および金属線５透光性樹脂モールド６で封
止する。ワイヤボンデングは、二個所の切欠部間に残さ
れている基板上で第２の電極パターン４の表面側電極４
ａと金属線の端子５ａとで行う。
れると共に、ワイヤボンデングの信頼性を高めることが
できる超小型のチップ型発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板２の一端に切欠部７を形成し、他端
には両側の側縁に二個所に切欠部８ａ、８ｂを形成す
る。基板表面には前記両端の切欠部を覆う第１および第
２の電極パターン３、４を形成し、第１の電極パターン
３に発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）チップ１を接続し、ＬＥ
Ｄチップ１の電極１ａと第２の電極パターン４の表面側
電極４ａを金属線５でワイヤボンデングで接続する。Ｌ
ＥＤチップ１および金属線５透光性樹脂モールド６で封
止する。ワイヤボンデングは、二個所の切欠部間に残さ
れている基板上で第２の電極パターン４の表面側電極４
ａと金属線の端子５ａとで行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の長さ方向で
左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤボンデン
グの信頼性を高めることができる、発光ダイオ−ド（Ｌ
ＥＤ）チップを用いた超小型のチップ型発光装置に関す
る。
左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤボンデン
グの信頼性を高めることができる、発光ダイオ−ド（Ｌ
ＥＤ）チップを用いた超小型のチップ型発光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光源として発光ダイオ−ド（Ｌ
ＥＤ）チップを用いた小型のチップ型発光装置が知られ
ている。図２はこのようなチップ型発光装置の一例を示
す斜視図である。図２において、基板２の両端部に銅
（Ｃｕ）メッキ層等の導電層よりなる一対の電極パター
ン３、４が形成される。一方の電極パターン３は、表面
側電極３ａ、側面電極３ｂ、裏面側電極３ｃで構成され
る。
ＥＤ）チップを用いた小型のチップ型発光装置が知られ
ている。図２はこのようなチップ型発光装置の一例を示
す斜視図である。図２において、基板２の両端部に銅
（Ｃｕ）メッキ層等の導電層よりなる一対の電極パター
ン３、４が形成される。一方の電極パターン３は、表面
側電極３ａ、側面電極３ｂ、裏面側電極３ｃで構成され
る。
【０００３】他方の電極パターン４も、表面側電極４
ａ、側面電極４ｂ、裏面側電極４ｃで構成されている。
一対の電極パターン３、４の側面電極３ｂ、側面電極４
ｂは、分割されることにより基板２が得られる元の大き
な基板に長穴状のスルーホールを複数平行に形成し、こ
の長穴状のスルーホールの内壁面にＣｕ等のメッキを施
して形成され、一対の電極パターン３、４の表面側電極
３ａ、４ａと裏面側電極３ｃ、４ｃとを接続する。
ａ、側面電極４ｂ、裏面側電極４ｃで構成されている。
一対の電極パターン３、４の側面電極３ｂ、側面電極４
ｂは、分割されることにより基板２が得られる元の大き
な基板に長穴状のスルーホールを複数平行に形成し、こ
の長穴状のスルーホールの内壁面にＣｕ等のメッキを施
して形成され、一対の電極パターン３、４の表面側電極
３ａ、４ａと裏面側電極３ｃ、４ｃとを接続する。
【０００４】一方の電極パターン３の表面側電極３ａに
は、パッド部３ｐを形成し、ＬＥＤチップ１をダイボン
デングにより搭載する。ＬＥＤチップ１の電極１ａに金
属線５の一方端５ａをワイヤボンデングにて電気的に接
続する。金属線５の他方端５ｂは、他方の電極パターン
４の表面側電極４ａにワイヤボンデングにて電気的に接
続する。このワイヤボンデング処理には、超音波が用い
られる。
は、パッド部３ｐを形成し、ＬＥＤチップ１をダイボン
デングにより搭載する。ＬＥＤチップ１の電極１ａに金
属線５の一方端５ａをワイヤボンデングにて電気的に接
続する。金属線５の他方端５ｂは、他方の電極パターン
４の表面側電極４ａにワイヤボンデングにて電気的に接
続する。このワイヤボンデング処理には、超音波が用い
られる。
【０００５】基板２にダイボンデングにより一方の電極
パターン３の表面側電極３ａに下部電極を接続して搭載
されたＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の上部電極１
ａおよび他方の電極パターン４の表面側電極４ａにワイ
ヤボンデングにて電気的に接続された金属線５は、透光
性樹脂モールド６により封止される。この透光性樹脂モ
ールド６の両端の位置は、基板２の両端縁より内側の位
置に離間して形成されている。このようにして、チップ
型発光装置２０が形成される。
パターン３の表面側電極３ａに下部電極を接続して搭載
されたＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の上部電極１
ａおよび他方の電極パターン４の表面側電極４ａにワイ
ヤボンデングにて電気的に接続された金属線５は、透光
性樹脂モールド６により封止される。この透光性樹脂モ
ールド６の両端の位置は、基板２の両端縁より内側の位
置に離間して形成されている。このようにして、チップ
型発光装置２０が形成される。
【０００６】チップ型発光装置２０は、プリント基板等
への自動実装時の搬送等のハンドリングの際に、チャッ
クにより透光性樹脂モールド６の部分が吸着されて移送
される。図２の構成では、一対の電極パターン３、４の
表面側電極３ａ、４ａの内側に透光性樹脂モールド６の
両端部が位置している。このため、チップ型発光装置２
０の基板２の長さよりも透光性樹脂モールド６の長さが
短く吸着面が少なくなり、基板２のサイズ（長さ×幅）
が、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍ以下の小型になる
と、前記ハンドリング処理が円滑に行えないという問題
がある。
への自動実装時の搬送等のハンドリングの際に、チャッ
クにより透光性樹脂モールド６の部分が吸着されて移送
される。図２の構成では、一対の電極パターン３、４の
表面側電極３ａ、４ａの内側に透光性樹脂モールド６の
両端部が位置している。このため、チップ型発光装置２
０の基板２の長さよりも透光性樹脂モールド６の長さが
短く吸着面が少なくなり、基板２のサイズ（長さ×幅）
が、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍ以下の小型になる
と、前記ハンドリング処理が円滑に行えないという問題
がある。
【０００７】図３、図４は他のチップ型発光装置の従来
例を示す斜視図であり、基板２の両端縁に半円形状の切
欠部７、８が形成された例である。また、図５は図３の
チップ型発光装置の光度Ｉの分布を示す特性図である。
図３、図４において、図２と同じところまたは対応する
部分には同じ符号を付している。図３の例では、一対の
電極パターン３、４の側面電極３ｂ、４ｂは、基板２の
両端縁に半円形状に形成されている切欠部７、８の内周
面に形成される。
例を示す斜視図であり、基板２の両端縁に半円形状の切
欠部７、８が形成された例である。また、図５は図３の
チップ型発光装置の光度Ｉの分布を示す特性図である。
図３、図４において、図２と同じところまたは対応する
部分には同じ符号を付している。図３の例では、一対の
電極パターン３、４の側面電極３ｂ、４ｂは、基板２の
両端縁に半円形状に形成されている切欠部７、８の内周
面に形成される。
【０００８】また、一対の電極パターン３、４の表面側
電極３ａ、４ａは、切欠部７、８の上面を覆う位置まで
延在しており、透光性樹脂モールド６の両端の位置は基
板２の長さ方向の両端縁の位置と揃えられている。図３
の例では、切欠部７、８の表面は、一対の電極パターン
３，４の表面側電極３ａ、４ａで覆われているので、透
光性樹脂モールド６のモールド処理の際に、樹脂が切欠
部７、８内に侵入しない。
電極３ａ、４ａは、切欠部７、８の上面を覆う位置まで
延在しており、透光性樹脂モールド６の両端の位置は基
板２の長さ方向の両端縁の位置と揃えられている。図３
の例では、切欠部７、８の表面は、一対の電極パターン
３，４の表面側電極３ａ、４ａで覆われているので、透
光性樹脂モールド６のモールド処理の際に、樹脂が切欠
部７、８内に侵入しない。
【０００９】このように図３の例では、透光性樹脂モー
ルド６の両端の位置は基板２の長さ方向の両端縁の位置
に延在しているので、チップ型発光装置３０が小型化さ
れても透光性樹脂モールド６の表面面積を、前記ハンド
リング処理が円滑に行える程度に確保できるという利点
がある。
ルド６の両端の位置は基板２の長さ方向の両端縁の位置
に延在しているので、チップ型発光装置３０が小型化さ
れても透光性樹脂モールド６の表面面積を、前記ハンド
リング処理が円滑に行える程度に確保できるという利点
がある。
【００１０】しかしながら、図３に示したような、透光
性樹脂モールド６の両端の位置を基板２の長さ方向の両
端縁の位置に延在した構造とした場合に、基板のサイズ
が、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍのように小型になる
と、図４に示すように、基板２の中心にＬＥＤチップを
搭載する構成とすることはできなくなる。
性樹脂モールド６の両端の位置を基板２の長さ方向の両
端縁の位置に延在した構造とした場合に、基板のサイズ
が、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍのように小型になる
と、図４に示すように、基板２の中心にＬＥＤチップを
搭載する構成とすることはできなくなる。
【００１１】図４のチップ型発光装置４０の例では、Ｌ
ＥＤチップ１を基板２の長さ方向の中心にずらした位置
に搭載しており、金属線５の他方端５ｂは、基板２の端
部に近づいた位置でワイヤボンデングされる。すなわち
金属線５の他方端５ｂは、電極パターン４の表面側電極
４ｂが切欠部８を覆う部分の位置でワイヤボンデングさ
れる。
ＥＤチップ１を基板２の長さ方向の中心にずらした位置
に搭載しており、金属線５の他方端５ｂは、基板２の端
部に近づいた位置でワイヤボンデングされる。すなわち
金属線５の他方端５ｂは、電極パターン４の表面側電極
４ｂが切欠部８を覆う部分の位置でワイヤボンデングさ
れる。
【００１２】このように、金属線５の他方端５ｂをワイ
ヤボンデングする位置は、切欠部８の上面を覆う表面側
電極４ｂの上になっている。したがって、超音波でワイ
ヤボンデング処理する際に、ワイヤボンデング処理され
る部分の下部には切欠部８が存在するために、ホ−ンを
支持する部分の機械的強度が低下することになる。
ヤボンデングする位置は、切欠部８の上面を覆う表面側
電極４ｂの上になっている。したがって、超音波でワイ
ヤボンデング処理する際に、ワイヤボンデング処理され
る部分の下部には切欠部８が存在するために、ホ−ンを
支持する部分の機械的強度が低下することになる。
【００１３】このために、超音波処理の際に接合部に超
音波を伝達するホーンに十分な押圧力が印加できず、電
極パターン４の表面側電極４ｂと金属線５の他方端５ｂ
との超音波による接合が不十分となる。前記超音波によ
る接合の信頼性を高めるためには、図３に示す構成を採
用することになるが、図３の例では、ＬＥＤチップ１は
基板２の中心から偏心した位置に搭載されている。
音波を伝達するホーンに十分な押圧力が印加できず、電
極パターン４の表面側電極４ｂと金属線５の他方端５ｂ
との超音波による接合が不十分となる。前記超音波によ
る接合の信頼性を高めるためには、図３に示す構成を採
用することになるが、図３の例では、ＬＥＤチップ１は
基板２の中心から偏心した位置に搭載されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図３の例では、ＬＥＤ
チップ１を基板２の中心に搭載できないので、その結
果、ＬＥＤチップ１は透光性樹脂モ−ルド６に対しても
中心からずれて配置されることになる。このため、図５
の光度の特性図に示すように、基板の長さ方向で左右対
称の光度分布が得られないという問題があった。
チップ１を基板２の中心に搭載できないので、その結
果、ＬＥＤチップ１は透光性樹脂モ−ルド６に対しても
中心からずれて配置されることになる。このため、図５
の光度の特性図に示すように、基板の長さ方向で左右対
称の光度分布が得られないという問題があった。
【００１５】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、基板のサイズが小型化されても、基板の長
さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤ
ボンデングの信頼性を高めることができる超小型のチッ
プ型発光装置の提供を目的とする。
ものであり、基板のサイズが小型化されても、基板の長
さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤ
ボンデングの信頼性を高めることができる超小型のチッ
プ型発光装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、チ
ップ型発光装置を、平面視略矩形状の基板と、基板表面
の両端部に形成される第１および第２の電極パターン
と、前記第１の電極パターン上に搭載される発光ダイオ
−ド（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップと第２の電
極パターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、
前記ＬＥＤチップおよび金属線を封止する透光性樹脂モ
ールドとを備えるチップ型発光装置において、前記第１
の電極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成
する一方、前記第２の電極パターン側の基板の端縁両側
に二個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モールドの
両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させた
構成とすることにより達成できる。
ップ型発光装置を、平面視略矩形状の基板と、基板表面
の両端部に形成される第１および第２の電極パターン
と、前記第１の電極パターン上に搭載される発光ダイオ
−ド（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップと第２の電
極パターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、
前記ＬＥＤチップおよび金属線を封止する透光性樹脂モ
ールドとを備えるチップ型発光装置において、前記第１
の電極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成
する一方、前記第２の電極パターン側の基板の端縁両側
に二個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モールドの
両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させた
構成とすることにより達成できる。
【００１７】本発明の上記特徴によれば、基板の一方端
縁両側には二個所に切欠部を形成している。このため、
ワイヤボンデングの位置が基板端部に近づいたとして
も、当該二個所の切欠部に挟まれている基板上で第２の
電極パターンと金属線とのワイヤボンデングを行なうの
で、ワイヤボンデングを安定して行なえ、ＬＥＤチップ
を基板の中央に搭載することができる。このため、基板
の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得
られる。
縁両側には二個所に切欠部を形成している。このため、
ワイヤボンデングの位置が基板端部に近づいたとして
も、当該二個所の切欠部に挟まれている基板上で第２の
電極パターンと金属線とのワイヤボンデングを行なうの
で、ワイヤボンデングを安定して行なえ、ＬＥＤチップ
を基板の中央に搭載することができる。このため、基板
の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得
られる。
【００１８】また、基板の一方端縁には切欠部は一個所
形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されてい
るので、ＬＥＤチップの極性判別が容易となる。特に透
光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モー
ルド内に封止されているＬＥＤチップが見にくくなって
いるが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁で
は一個所であり、他方端縁では二個所であることから、
非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から
極性判別が簡単に行える。
形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されてい
るので、ＬＥＤチップの極性判別が容易となる。特に透
光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モー
ルド内に封止されているＬＥＤチップが見にくくなって
いるが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁で
は一個所であり、他方端縁では二個所であることから、
非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から
極性判別が簡単に行える。
【００１９】更に、透光性樹脂モールドの両端の位置を
基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸
着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装
置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが
可能となる。
基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸
着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装
置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが
可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に
係るチップ型発光装置１０の斜視図である。図２〜図４
に示した従来例のチップ型発光装置と同じ部分または対
応する部分については同一の符号を付しており、詳細な
説明は省略する。
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に
係るチップ型発光装置１０の斜視図である。図２〜図４
に示した従来例のチップ型発光装置と同じ部分または対
応する部分については同一の符号を付しており、詳細な
説明は省略する。
【００２１】図１において、基板２の形状は、平面視略
長方形状（例えば、長さ×幅のサイズが１．０ｍｍ×
０．５ｍｍ）であり、基板２の表面両端部には、第１の
電極パターン３と第２の電極パターン４が形成されてい
る。基板２の一対の短手側の端縁の一方中央部には、厚
み方向に貫通する半円筒形状の切欠部７が形成される。
また、基板２の他方の短手側の端縁には、幅方向でみて
両側二個所に厚み方向に貫通する１／４円筒形状の切欠
部８ａ、８ｂが形成されている。
長方形状（例えば、長さ×幅のサイズが１．０ｍｍ×
０．５ｍｍ）であり、基板２の表面両端部には、第１の
電極パターン３と第２の電極パターン４が形成されてい
る。基板２の一対の短手側の端縁の一方中央部には、厚
み方向に貫通する半円筒形状の切欠部７が形成される。
また、基板２の他方の短手側の端縁には、幅方向でみて
両側二個所に厚み方向に貫通する１／４円筒形状の切欠
部８ａ、８ｂが形成されている。
【００２２】一方側の切欠部７および他方側の二個所の
切欠部８ａ、８ｂの上には、ひさし状にそれぞれ第１お
よび第２の電極パターン３、４の表面側電極３ａ、４ａ
が張り出している。また、これら切欠部７および切欠部
８ａ、８ｂの内周面の側壁には、表面側電極３ａおよび
表面側電極４ａと接続される側面電極３ｂ、４ｂが形成
されて露出している。更に、裏面側電極３ｃ、４ｃが基
板２の裏面両端に形成されている。
切欠部８ａ、８ｂの上には、ひさし状にそれぞれ第１お
よび第２の電極パターン３、４の表面側電極３ａ、４ａ
が張り出している。また、これら切欠部７および切欠部
８ａ、８ｂの内周面の側壁には、表面側電極３ａおよび
表面側電極４ａと接続される側面電極３ｂ、４ｂが形成
されて露出している。更に、裏面側電極３ｃ、４ｃが基
板２の裏面両端に形成されている。
【００２３】このように、基板２の一方の端縁両側に二
個所の切欠部８ａ、８ｂを形成するには、一枚の大きな
基板に複数のＬＥＤチップを搭載して複数のチップ型発
光装置を製造する際に、切欠部を形成する位置を選定
し、この大きな基板を個々のチップ型発光装置を形成す
るために縦方向および横方向に切断する位置を、図１に
示した切欠部８ａ、８ｂの位置となるように設定するこ
とで実現できる。
個所の切欠部８ａ、８ｂを形成するには、一枚の大きな
基板に複数のＬＥＤチップを搭載して複数のチップ型発
光装置を製造する際に、切欠部を形成する位置を選定
し、この大きな基板を個々のチップ型発光装置を形成す
るために縦方向および横方向に切断する位置を、図１に
示した切欠部８ａ、８ｂの位置となるように設定するこ
とで実現できる。
【００２４】基板２の表面中央部には、ＬＥＤチップ１
が、その下面電極を表面側電極３ａと接続して搭載さ
れ、ＬＥＤチップ１の上面電極１ａは、金（Ａｕ）等の
金属線５の一方端５ａで表面側電極４ａとワイヤボンデ
ングされている。金属線５は、基板２の中央から、基板
２の他方短手端縁の中央、すなわち、切欠部８ａ、８ｂ
間の表面側電極４ａの位置へ向かって張設される。金属
線５の他方端５ｂは、基板２の端部で表面側電極４ａと
接続される。
が、その下面電極を表面側電極３ａと接続して搭載さ
れ、ＬＥＤチップ１の上面電極１ａは、金（Ａｕ）等の
金属線５の一方端５ａで表面側電極４ａとワイヤボンデ
ングされている。金属線５は、基板２の中央から、基板
２の他方短手端縁の中央、すなわち、切欠部８ａ、８ｂ
間の表面側電極４ａの位置へ向かって張設される。金属
線５の他方端５ｂは、基板２の端部で表面側電極４ａと
接続される。
【００２５】前記第１の電極パターン３、第２の電極パ
ターン４の表面側電極３ａ、４ａは、切欠部７と切欠部
８ａ、８ｂ上を覆い、第１の電極パターン３、第２の電
極パターン４の端部は、基板２の両端の位置に形成され
ている。また、透光性樹脂モールド６の両端の位置は、
基板２の両端の位置に延在させている。
ターン４の表面側電極３ａ、４ａは、切欠部７と切欠部
８ａ、８ｂ上を覆い、第１の電極パターン３、第２の電
極パターン４の端部は、基板２の両端の位置に形成され
ている。また、透光性樹脂モールド６の両端の位置は、
基板２の両端の位置に延在させている。
【００２６】図１の構成では、切欠部８ａ、８ｂに挟ま
れた中央部に基板２が存在している。このため、金属線
５の他方端５ｂと電極パターン４の表面側電極４ｂとの
接続位置が、基板２の上に形成される。超音波装置のホ
ーンは、この基板により下部から支持されるので、十分
な押圧力を印加することができ、金属線５の他方端５ｂ
と電極パターン４の表面側電極４ｂとの超音波による接
合が良好に行える。したがってワイヤボンデングの信頼
性を高めることができる。
れた中央部に基板２が存在している。このため、金属線
５の他方端５ｂと電極パターン４の表面側電極４ｂとの
接続位置が、基板２の上に形成される。超音波装置のホ
ーンは、この基板により下部から支持されるので、十分
な押圧力を印加することができ、金属線５の他方端５ｂ
と電極パターン４の表面側電極４ｂとの超音波による接
合が良好に行える。したがってワイヤボンデングの信頼
性を高めることができる。
【００２７】図６は、図１のチップ型発光装置の光度Ｉ
の分布を示す特性図である。図６に示すように、図１の
チップ型発光装置１０は、ＬＥＤチップ１を基板２の中
央に搭載することにより、基板２の長さ方向でみて左右
対称となる理想的な光度特性が得られる。また、金属線
５の他方端５ｂの位置が基板２の端部に近い位置まで延
長されても、ワイヤボンデングを安定して行うことがで
きる。
の分布を示す特性図である。図６に示すように、図１の
チップ型発光装置１０は、ＬＥＤチップ１を基板２の中
央に搭載することにより、基板２の長さ方向でみて左右
対称となる理想的な光度特性が得られる。また、金属線
５の他方端５ｂの位置が基板２の端部に近い位置まで延
長されても、ワイヤボンデングを安定して行うことがで
きる。
【００２８】また、基板２の一方の端縁には切欠部が一
個所形成され、他方の端縁には切欠部が二個所形成され
ているので、切欠部の個数をみることによりＬＥＤチッ
プ１の極性判別が容易に行なえる。特に透光性樹脂モー
ルド６が乳白色の場合には、透光性樹脂モールド６内に
封止されているＬＥＤチップ１が見にくくなっている
が、このような場合にもチップ型発光装置１０の外観か
ら極性判別が簡単に行える。
個所形成され、他方の端縁には切欠部が二個所形成され
ているので、切欠部の個数をみることによりＬＥＤチッ
プ１の極性判別が容易に行なえる。特に透光性樹脂モー
ルド６が乳白色の場合には、透光性樹脂モールド６内に
封止されているＬＥＤチップ１が見にくくなっている
が、このような場合にもチップ型発光装置１０の外観か
ら極性判別が簡単に行える。
【００２９】なお、長さと幅が１．０ｍｍ×０．５ｍｍ
の大きさに選定されている超小型のチップ型発光装置に
おいては、極性をレジストで表示することが困難である
ので、前記のよう切欠部が形成されている個数により極
性が判断できると、実務上の効果が大きい。
の大きさに選定されている超小型のチップ型発光装置に
おいては、極性をレジストで表示することが困難である
ので、前記のよう切欠部が形成されている個数により極
性が判断できると、実務上の効果が大きい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、基板の一方端縁両側に二個所に切欠部を形成してい
る。このため、ワイヤボンデングの位置が基板端部に近
づいたとしても、当該二個所の切欠部に挟まれている基
板上で第２の電極パターンと金属線とのワイヤボンデン
グを行なうので、ワイヤボンデングを安定して行なえ、
ＬＥＤチップを基板の中央に搭載することができる。こ
のため、基板の長さ方向でみて左右対称となる理想的な
光度特性が得られる。
は、基板の一方端縁両側に二個所に切欠部を形成してい
る。このため、ワイヤボンデングの位置が基板端部に近
づいたとしても、当該二個所の切欠部に挟まれている基
板上で第２の電極パターンと金属線とのワイヤボンデン
グを行なうので、ワイヤボンデングを安定して行なえ、
ＬＥＤチップを基板の中央に搭載することができる。こ
のため、基板の長さ方向でみて左右対称となる理想的な
光度特性が得られる。
【００３１】また、基板の一方端縁には切欠部は一個所
形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されてい
るので、ＬＥＤチップの極性判別が容易となる。特に透
光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モー
ルド内に封止されているＬＥＤチップが見にくくなって
いるが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁で
は一個所であり、他方端縁では二個所であることから、
非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から
極性判別が簡単に行える。
形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されてい
るので、ＬＥＤチップの極性判別が容易となる。特に透
光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モー
ルド内に封止されているＬＥＤチップが見にくくなって
いるが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁で
は一個所であり、他方端縁では二個所であることから、
非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から
極性判別が簡単に行える。
【００３２】更に、透光性樹脂モールドの両端の位置を
基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸
着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装
置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが
可能となる。
基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸
着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装
置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが
可能となる。
【図１】本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図であ
る。
る。
【図３】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図であ
る。
る。
【図４】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図であ
る。
る。
【図５】従来例のチップ型発光装置の長さ方向の光度を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置の
長さ方向の光度を示す特性図である。
長さ方向の光度を示す特性図である。
１ ＬＥＤチップ ２ 基板 ３ 第１の電極パターン ３ｐ パッド部 ４ 第２の電極パターン ５ 金属線 ６ 透光性樹脂モールド ７、８ 切欠部 １０ チップ型発光装置
Claims (1)
- 【請求項１】 平面視略矩形状の基板と、基板表面の両
端部に形成される第１および第２の電極パターンと、前
記第１の電極パターン上に搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップと、前記ＬＥＤチップと第２の電極パ
ターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、前記
ＬＥＤチップおよび金属線を封止する透光性樹脂モール
ドとを備えるチップ型発光装置において、前記第１の電
極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成する
一方、前記第２の電極パターン側の基板の端縁両側に二
個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モールドの両端
の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させたこと
を特徴とするチップ型発光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07550899A JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
| US09/674,522 US6777719B1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | Chip light-emitting device |
| PCT/JP2000/001704 WO2000057491A1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | Chip light-emitting device |
| EP00909760A EP1100131A4 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | PHOTO-EMISSIVE MICROCIRCUIT DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07550899A JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269552A true JP2000269552A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3795248B2 JP3795248B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=13578264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07550899A Expired - Lifetime JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6777719B1 (ja) |
| EP (1) | EP1100131A4 (ja) |
| JP (1) | JP3795248B2 (ja) |
| WO (1) | WO2000057491A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2012043846A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPWO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-22 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
| JP2016004946A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | ローム株式会社 | 光学装置、光学装置の実装構造、光学装置の製造方法 |
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| US20040137656A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Gurbir Singh | Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same |
| CA2529813C (en) * | 2003-06-20 | 2015-11-17 | Visx, Incorporated | Systems and methods for prediction of objective visual acuity based on wavefront measurements |
| JP4397728B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-01-13 | 日東電工株式会社 | 直下型バックライト |
| US7652471B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-01-26 | Honeywell International Inc. | Magnetic tagging of magnetoresistive sensors |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
| US20120091572A1 (en) * | 2009-06-22 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor package and implementation structure of semiconductor package |
| JP2013239644A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| KR101584201B1 (ko) | 2014-01-13 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| TWD166329S (zh) * | 2014-06-06 | 2015-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
| USD737784S1 (en) * | 2014-07-30 | 2015-09-01 | Kingbright Electronics Co., Ltd. | LED component |
| USD774475S1 (en) * | 2016-02-19 | 2016-12-20 | Kingbright Electronics Co. Ltd. | LED component |
| TWD194647S (zh) * | 2018-05-11 | 2018-12-11 | 今臺電子股份有限公司 | 發光二極體封裝 |
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| JPS599564U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | 清水 亮太郎 | リ−ドレス発光ダイオ−ド |
| JPS60179058U (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-28 | 株式会社 シチズン電子 | フラツト型発光ダイオ−ド |
| US4843280A (en) * | 1988-01-15 | 1989-06-27 | Siemens Corporate Research & Support, Inc. | A modular surface mount component for an electrical device or led's |
| JP2997100B2 (ja) * | 1991-07-23 | 2000-01-11 | シャープ株式会社 | 光半導体装置 |
| JPH05327027A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Sharp Corp | 電圧変動表示素子 |
| JP2981370B2 (ja) * | 1993-07-16 | 1999-11-22 | シャープ株式会社 | Ｍｉｄチップ型発光素子 |
| JP3127195B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
| JP3992301B2 (ja) * | 1995-04-26 | 2007-10-17 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード |
| US6093940A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device |
| JP3741512B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-02-01 | ローム株式会社 | Ｌｅｄチップ部品 |
| JPH1174410A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型チップ部品及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07550899A patent/JP3795248B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-21 WO PCT/JP2000/001704 patent/WO2000057491A1/ja active Application Filing
- 2000-03-21 US US09/674,522 patent/US6777719B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-21 EP EP00909760A patent/EP1100131A4/en not_active Withdrawn
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| WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6777719B1 (en) | 2004-08-17 |
| JP3795248B2 (ja) | 2006-07-12 |
| EP1100131A1 (en) | 2001-05-16 |
| EP1100131A4 (en) | 2007-03-14 |
| WO2000057491A1 (en) | 2000-09-28 |
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