JP2000113504A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示されるナフタレン化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に、置換基を有していて
も良い芳香族炭化水素基、複素環基を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌ
ｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６
５ＧＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報
記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求は高
まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動
画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶ
Ｄは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、
それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われてい
る。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案さ
れている化合物の例は、特開平７−３０４２５６などに
記載のポルフィリン化合物など、ごく限られた例しかな
いため、その開発が急務となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー
光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適し
た化合物を記録層に有する光記録媒体を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記
録層および反射層を有する光記録媒体において、記録層
中に一般式（１）

【０００８】

【化３】

【０００９】〔式中、Ａ、Ｂはそれぞれ置換基を有して
いても良い芳香族炭化水素基、複素環基を表す。〕で示
されるナフタレン化合物を含有する光記録媒体であり、
特には、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である新
規な光記録媒体に関するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１１】この光記録媒体は基板１、記録層２、反射
層３および保護層４が順次積層している４層構造を有し
ている。これを図１に示すように単板で用いてもよく、
図２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせ
ても良い。

【００１２】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１３】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示されるナフ
タレン化合物を含有するものであり、好ましくは、一般
式（２）で表されるナフタレン化合物を含有するもので
ある。

【００１４】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるナフタレン化合物について、以下に具体例を
述べる。

【００１５】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるナフタレン化合物について、式（１）中、
Ａ、Ｂで示される置換基を有していても良い芳香族炭化
水素基としては、フェニル基などの単環式炭化水素基、
ナフチル基、インデニル基、アントラセニル基、フルオ
レニル基、アズレニル基、ナフタセニル基、クリセニル
基、ピレニル基、ペリレニル基などの多環式炭化水素基
等の無置換芳香族炭化水素基；ハロゲン原子、シアノ
基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
ルオキシ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アル
キルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アル
キルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ
基、アルケニルアミノ基、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アル
キルアミノカルボニル基、複素環基により置換したナフ
チル基、インデニル基、アントラセニル基、フルオレニ
ル基、アズレニル基、ナフタセニル基、クリセニル基、
ピレニル基、ペリレニル基などの置換基を有する芳香族
炭化水素基等が挙げられる。

【００１６】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるナフタレン化合物について、式（１）中、
Ａ、Ｂで示される置換基を有していても良い複素環基と
しては、フラニル基、ピロリル基、３−ピロリニル基、
ピロリジニル基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル
基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾ
リル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−
オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基などの
無置換複素環基；ハロゲン原子、シアノ基、置換または
無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
ラルキルチオ基、アリールチオ基、ジアルキルアミノ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アル
ケニルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、複素環基により置換したフラニル基、ピロリル基、
３−ピロリニル基、ピロリジニル基、１，３−オキソラ
ニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリ
ジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−
トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，
３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジ
ニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニ
ル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル
基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル
基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダ
ゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニ
ル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、ペリミジノ基などの置換基を有する複素
環基等が挙げられる。

【００１７】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるナフタレン化合物について、好ましい化合物
である一般式（２）で示されるナフタレン化合物につい
て、以下に具体例を詳細に述べる。

【００１８】

【化４】

【００１９】〔式中、Ｚ₁、Ｚ₂はそれぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または無置換のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニル
基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキル
チオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アラルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アルケニルアミノ基、
アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシ
カルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニ
ルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、
複素環基により置換した単環式あるいは多環式の芳香族
炭化水素基、あるいは複素環基である。〕

【００２０】式（２）中、Ｚ₁、Ｚ₂で示される無置換の
単環式あるいは多環式の芳香族炭化水素基としてはフェ
ニル基などの単環式炭化水素基、ナフチル基、インデニ
ル基、アントラセニル基、フルオレニル基、アズレニル
基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ペリ
レニル基などの多環式炭化水素基等の無置換芳香族炭化
水素基等が挙げられる。

【００２１】式（２）中、Ｚ₁、Ｚ₂で示される無置換の
単環式あるいは多環式の複素環基としてはフラニル基、
ピロリル基、３−ピロリニル基、ピロリジニル基、１，
３−オキソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル
基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル
基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、
１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリ
ル基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル
基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、
モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピ
ラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾ
フラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベン
ズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、
キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シン
ノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、
カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジ
ニル基、フラボニル基、ペリミジノ基などの無置換複素
環基等が挙げられる。

【００２２】式（２）中、Ｚ₁、Ｚ₂で示される単環式ま
たは多環式の芳香族炭化水素基、あるいは複素環基に置
換する基としては、ポリカーボネート、アクリル、エポ
キシ、ポリオレフィン基板などへの塗布による加工性の
良好な基を選択して用いることができる。

【００２３】式（２）中、Ｚ₁、Ｚ₂で示される単環式あ
るいは多環式の芳香族炭化水素基あるいは複素環基に置
換する基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子またはシアノ基が挙げられ
る。

【００２４】置換または無置換のアルキル基としては、
直鎖または分岐または環状の無置換アルキル基、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコキシ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルオキシ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基、
アルキルスルホンアミノ基、アルキルスルホン基、複素
環基等の置換基群より選択した置換基が置換したアルキ
ル基などが挙げられる。

【００２５】置換または無置換の直鎖または分岐または
環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓ
ｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル
基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シク
ロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１
−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，
３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、
２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、
２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２
−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル
基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メ
チルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘ
キシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル
基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル
基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメ
チルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，
５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシ
ル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−
ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−
トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ
−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメ
チルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４
−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチル
ヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプ
ロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロ
ピル基などの炭素数１〜１５の無置換アルキル基；

【００２６】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；

【００２７】２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシ
メチル基、４−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシ−
３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロ
プロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル
基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒ
ドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−
ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−
ヒドロキシデカリル−２−オキシ基などのヒドロキシ基
が置換した炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシメ
トキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−
（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メ
チルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキ
シプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−
ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシ
シクロヘキシルオキシ基などのヒドロキシアルコキシ基
が置換した炭素数２〜１０のアルキル基；ヒドロキシメ
トキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシ
エチル基、［２’−（２’−ヒドロキ−１’−メチルエ
トキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキ
シ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）
−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒド
ロキシアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数３〜１
０のアルキル基；

【００２８】シアノメチル基、２−シアノエチル基、４
−シアノエチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル
基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−
３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプ
ロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル
基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などの
シアノ基が置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００２９】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペ
ントキシエチル基、１，３−ジメチルブトキシエチル
基、２−エチルヘキシルオキシエチル基、ｎ−オクチル
オキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シエチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポ
キシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチ
ルオキシエチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル
基、３−メトキシブチル基、３，３，３−トリフルオロ
プロポキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキ
シエチル基などのアルコキシ基が置換した炭素数２〜１
５のアルキル基；メトキシメトキシメチル基、メトキシ
エトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポ
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシ
プロポキシエトキシ基、１，２−ジメチルプロポキシエ
トキシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブト
キシエトキシエチル基、２−メトキシ−１−メチルエト
キシエチル基、２−ブトキシ−１−メチルエトキシエチ
ル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）
−１−メチルエチル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ポキシエトキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロ
ポキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基
が置換した炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシメト
キシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチ
ル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエ
トキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシ、プロ
ポキシプロポキシプロポキシ基、２，２，２−トリフル
オロエトキシエトキシエトキシエチル基、２，２，２−
トリクロロエトキシエトキシエトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシアルコキシが置換した炭素数４〜１
５のアルキル基；

【００３０】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、１，３−ジ
オキソ−２−シクロヘキシル基、２−オキソ−５−ｔ−
ブチル−１−シクロヘキシル基等のアシル基が置換した
炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキシメチル
基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル
基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル
基、２−エチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシヘキシル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などのアシルオキシ基が置換した炭素数２
〜１５のアルキル基；ホルミルオキシメトキシメチル
基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
２−エチルヘキサノイルオキシエトキシエチル基、３，
５，５−トリメチルヘキサノイルオキシブトキシエチル
基、３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシエトキ
シエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエチ
ル基などのアシルオキシアルコキシ基が置換した炭素数
３〜１５のアルキル基；

【００３１】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、２−エチルヘキサノイルオキシエト
キシエトキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキサ
ノイルオキシオキシエトキシエトキシエチル基、２−フ
ルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、
２−クロロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル
基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基が置換し
た炭素数５〜１５のアルキル基；

【００３２】メトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、ｐ−エチルシクロヘ
キシルオキシカルボニルシクロヘキシル基、２，２，
３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニルメチル
基、２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニ
ルメチル基などのアルコキシカルボニル基が置換した炭
素数３〜１５のアルキル基；フェノキシカルボニルメチ
ル基、フェノキシカルボニルエチル基、４−ｔ−ブチル
フェノキシカルボニルエチル基、ナフチルオキシカルボ
ニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基な
どのアリールオキシカルボニル基が置換した炭素数８〜
１５のアルキル基；ベンジルオキシカルボニルメチル
基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオ
キシカルボニルメチル基、４−シクロヘキシルオキシベ
ンジルオキシカルボニルメチル基などのアラルキルオキ
シカルボニル基が置換した炭素数９〜１５のアルキル
基；

【００３３】ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニル
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケ
ニルオキシカルボニル基が置換した炭素数４〜１０のア
ルキル基；メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキ
シカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキ
シエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、２，
２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシエチル
基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ
エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基が置換し
た炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシメトキシカル
ボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、
２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコ
キシカルボニルオキシ基が置換した炭素数４〜１５のア
ルキル基；

【００３４】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基；ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基；ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基；ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；アセチルアミノメチ
ル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエ
チル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカ
ルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカ
ルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基など
のアシルアミノ基が置換した炭素数３〜１０のアルキル
基；

【００３５】メチルスルホンアミノメチル基、メチルス
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基が置
換した炭素数２〜１０のアルキル基；メチルスルホンメ
チル基、エチルスルホンメチル基、ブチルスルホンメチ
ル基、メチルスルホンエチル基、エチルスルホンエチル
基、ブチルスルホンエチル基、２−エチルヘキシルスル
ホンエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルスルホンメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプ
ロピルスルホンメチル基などのアルキルスルホン基が置
換した炭素数２〜１０のアルキル基；ピロリノメチル
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメ
チル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、
ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基な
どの複素環基が置換したアルキル基等が挙げられる。

【００３６】置換または無置換のアラルキル基の例とし
ては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基、フルオレン−９−イルエチル基などの炭素数７
〜１５のアラルキル基等が挙げられる。

【００３７】置換または無置換のアリール基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基、めときしカルボニルフェニル基、４−
（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−イル）フェニ
ル基、ジブチルアミノカルボニルフェニル基などの炭素
数６〜１５のアリール基等が挙げられる。

【００３８】置換または無置換のアルコキシ基の例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチ
ルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチ
ルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチ
ルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチル
ペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，
１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ
基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，３−ジメチルブ
トキシ基、１，１，２−トリメチルプロポキシ基、１，
２，２−トリメチルプロポキシ基、１−エチルブトキシ
基、２−エチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルプ
ロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペ
ンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘ
キシルオキシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メ
チルヘキシルオキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、
５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチ
ルオキシ基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，
３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペン
チルオキシ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、
２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチル
ペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ
基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペ
ンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エ
チルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルブトキ
シ基、１，１，３−トリメチルブトキシ基、１，２，３
−トリメチルブトキシ基、１，２，２−トリメチルブト
キシ基、１，３，３−トリメチルブトキシ基、２，３，
３−トリメチルブトキシ基、１−エチル−１−メチルブ
トキシ基、１−エチル−２−メチルブトキシ基、１−エ
チル−３−メチルブトキシ基、２−エチル−１−メチル
ブトキシ基、２−エチル−３−メチルブトキシ基、１−
ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプロピルブトキシ
基、１−イソプロピル−２−メチルプロポキシ基、メチ
ルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１
−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ
基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチル
オキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘ
プチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、
１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
ヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ
基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメ
チルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキ
シ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジ
メチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオ
キシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−
ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシル
オキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エ
チルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、
３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキ
シ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プ
ロピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオ
キシ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチ
ル−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メ
チルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチ
ルオキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ
基、２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エ
チル−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−
メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペン
チルオキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ
基、３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エ
チル−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−
メチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペン
チルオキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ
基、１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，
２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペ
ンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキ
シ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，
２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペ
ンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキ
シ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，
４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペ
ンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ基、１−イソ
ブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブトキシ基、１
−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル
ブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブトキシ
基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ基、１−ｎ
−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−イソプロピル
−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチ
ルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メチルブトキシ
基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２−ジエチルブ
トキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、
１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、１−エチル
−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，１−
ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブ
トキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、
２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、１，２−ジ
メチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシク
ロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシル
オキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニル
オキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、
ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ド
デシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペン
タデカニルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又
は環状の無置換アルコキシ基；

【００３９】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、３，５，５
−トリメチルヘキシルオキシエトキシ基、３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシブトキシ基、ｎ−デシルオキ
シエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−
ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロポキシ
基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プロポキ
シ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキシ基、
２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ基、２
−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロポキシ
ブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチル
オキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した炭素数
２〜１５のアルコキシ基；

【００４０】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、４−エチルシクロへキシルオキシエトキシエトキシ
基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロ
ポキシ基、４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シブトキシエトキシ基等の、アルコキシアルコキシ基で
置換した直鎖、分岐または環状の炭素数３〜１５のアル
コキシ基；

【００４１】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、４’−
エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ基等の
アルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；ホルミルメトキシ基、アセチルメトキシ
基、エチルカルボニルメトキシ基、オクチルカルボニル
メトキシ基等の炭素数１〜１０のアシル基で置換したア
ルコキシ基；アセチルオキシメチル基、アセチルオキシ
エチル基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタノイ
ルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキシ基
で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；ジメチルア
ミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキシ基、２−
（２−ジメチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−ジメ
チルアミノブトキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−
２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロポキシ基、
２−ジメチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、２−ジ
エチルアミノエトキシ基、２−（２−ジエチルアミノエ
トキシ）エトキシ基、３−ジエチルアミノプロポキシ
基、１−ジエチルアミノプロポキシ基、２−ジイソプロ
ピルアミノエトキシ基、２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）
エトキシ基、２−ピペリジルエトキシ基、４−（ジ−ｎ
−ヘキシルアミノ）プロピル基等の、ジアルキルアミノ
基で置換した炭素数３〜１５のアルコキシ基；

【００４２】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブト
キシオキシ基等の、ジアルキルアミノアルコキシ基で置
換した炭素数４〜１５のアルコキシ基；２−メチルチオ
メトキシ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチ
オエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−
イソプロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエト
キシ基、２−イソブチルチオエトキシ基、３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシヘキシルオキシ基等の、アル
キルチオ基で置換した炭素数２〜１５のアルコキシ基；
等が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ
基、ネオペントキシ基、２−メチルブトキシ基、２−エ
チルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシ
ルオキシ基、デカリル基などの炭素数１〜１０のアルコ
キシ基が挙げられる。

【００４３】置換または無置換のアラルキルオキシ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアラルキルオキシ基であり、好ましくは、ベンジ
ルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジル
オキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジ
ルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナ
フチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノ
ナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、
メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチ
ルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの
炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。

【００４４】置換または無置換のアリールオキシ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ
基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノ
キシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキ
シ基などの炭素数６〜１０のが挙げられる。

【００４５】置換または無置換のアルケニル基の例とし
ては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、ビニル基、プロペニ
ル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペン
テニル基、２−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニ
ル基、３−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−
ブテニル基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−
２−メチルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メ
チルスルホンビニル基、スチリル基、４−フェニル−２
−ブテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙
げられる。

【００４６】置換または無置換のアルケニルオキシ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルケニルオキシ基であり、好ましくは、ビニル
オキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ
基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ
基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニ
ルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−
メチル−２−ブテニルオキシ基、２，２−ジシアノビニ
ルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニ
ルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオ
キシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニ
ルオキシ基などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基
が挙げられる。

【００４７】置換または無置換のアルキルチオ基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピル
チオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓ
ｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ
基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチ
ルチオ基、２−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメ
チルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜
１０のアルキルチオ基が挙げられる。

【００４８】置換または無置換のアラルキルチオ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアラルキルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチ
オ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、
ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、ト
リフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ
基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチ
ルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナ
フチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチ
ルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭
素数７〜１５のアラルキルチオ基等が挙げられる。

【００４９】置換または無置換のアリールチオ基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ
基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニル
チオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ
基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などが挙げられ
る。

【００５０】置換または無置換のアルキルアミノ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルキルアミノ基であり、好ましくは、メチルアミ
ノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミ
ノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチル
アミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミ
ノ基、シクロヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基
などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基や、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ
基、ブチルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ジ
（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（プロピオニル
オキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１０のジアル
キルアミノ基が挙げられる。

【００５１】置換または無置換のアラルキルアミノ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアラルキルアミノ基であり、好ましくは、ベンジ
ルアミノ基、フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピ
ルアミノ基、４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプ
ロピルベンジルアミノ基などの炭素数７〜１０のモノア
ラルキルアミノ基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチ
ルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビ
ス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数
１４〜２０のジアラルキルアミノ基が挙げられる。

【００５２】置換または無置換のアリールアミノ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアリールアミノ基であり、好ましくは、アニリノ
基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、
エチルフェニルアミノ基、イソプロピルフェニルアミノ
基、メトキシフェニルアミノ基、エトキシエチルアミノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基など、炭素数６〜
１０のモノアリールアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ
トリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基な
どの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基が挙げられ
る。

【００５３】置換または無置換のアルケニルアミノ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルケニルアミノ基であり、好ましくは、アリル
アミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘ
キセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、オクタ
ジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素
数３〜１０のモノアルケニルアミノ基、ジアリルアミノ
基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘ
キセニルアミノ基などの炭素数６〜１２のジアルケニル
アミノ基が挙げられる。

【００５４】置換または無置換のアシル基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル
基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボ
ニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチル
カルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペ
ンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、
フェナシル基、メチルフェナシル基、エチルフェナシル
基、トリルカルボニル基、プロピルフェナシル基、４−
ｔ−ブチルフェナシル基、ニトロベンジルカルボニル
基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基
などの炭素数７〜１５のアシル基が挙げられる。

【００５５】置換または無置換のアルコキシカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルコキシカルボニル基であり、好ましく
は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボ
ニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシ
カルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉ
ｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボ
ニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキ
シルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキ
シルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボ
ニル基、デカリルオキシカルボニル基などの炭素数２〜
１１のアルコキシカルボニル基が挙げられる。

【００５６】置換または無置換のアラルキルオキシカル
ボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基であ
り、好ましくは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロ
ベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカ
ルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、
メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチ
ルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカル
ボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シア
ノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチル
メトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボ
ニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニ
ル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基など
の炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等が
挙げられる。

【００５７】置換または無置換のアリールオキシカルボ
ニル基の例としては、前記に挙げたアリール基と同様な
置換基を有するアリールオキシカルボニル基であり、好
ましくは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノ
キシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル
基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メト
キシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフ
ェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基などの
炭素数７〜１１のが挙げられる。

【００５８】置換または無置換のアルケニルオキシカル
ボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基であ
り、好ましくは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニ
ルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル
基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボ
ニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル
基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２
−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−
ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−
メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シ
アノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、
スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２ブテニ
ルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニ
ルオキシカルボニル基が挙げられる。

【００５９】置換または無置換のアルキルアミノカルボ
ニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルアミノカルボニル基であり、好
ましくは、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカ
ルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミ
ノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシ
ルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、
オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル基；ジメチル
アミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ
プロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニ
ル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミ
ノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオ
クチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、
モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボ
ニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数
３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基が挙げられ
る。

【００６０】置換または無置換の複素環基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する複
素環基であり、好ましくは、フラニル基、ピロリル基、
３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル
基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニ
ル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−ト
リアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，
４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル
基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル
基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、
ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、
インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基などの無置換複素環基；

【００６１】ハロゲン原子、シアノ基；メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチ
ル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフル
オロメチル基等のアルキル基；ベンジル基、フェネチル
基などのアラルキル基；フェニル基、トリル基、ナフチ
ル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メト
キシフェニル基等のアリール基；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノ
ニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基等のアル
コキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキル基；フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフ
トキシ基、キシリルオキシ基、メシルオキシ基、クロロ
フェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキ
シ基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル
基、ペンテニル基、オクテニル基等のアルケニル基；ビ
ニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブ
タジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、オクテニル
オキシ基等のアルケニルオキシ基；メチルチオ基、エチ
ルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチ
オ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ
基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエ
チルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチ
ルチオ基等のアルキルチオ基；ベンジルチオ基、フェネ
チルチオ基などのアラルキルチオ基；フェニルチオ基、
トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシ
ルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチ
オ基等のアリールチオ基；ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等の
ジアルキルアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブ
タノイル基等のアシル基；メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジ
ルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基
等のアラルキルオキシカルボニル基；フェノキシカルボ
ニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボ
ニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカ
ルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシ
フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル
基；ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニ
ル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキ
シカルボニル基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
１〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカ
ルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数１〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；フラニル基、ピロリル基、３
−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル
基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニ
ル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−ト
リアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，
４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル
基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル
基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、
ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、
インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基等の複素環基などの置換基により置換した
複素環基が挙げられる。

【００６２】本発明の一般式（１）で示されるナフタレ
ン化合物は、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボ
ン酸および／またはその無水物と、式（３）および／ま
たは式（４） Ａ−ＮＨ₂ （３）， Ｂ−ＮＨ₂ （４） 〔式中のＡおよびＢは、式（１）中のＡおよびＢと同一
の意味を表す。〕で示されるアミンとを溶媒の存在／あ
るいは非存在下で加熱反応することで容易に得ることが
できる。

【００６３】また、１，４，５，８−ナフタレンテトラ
カルボン酸および／またはその無水物と、式（５） Ｑ−ＮＨ₂ （５） 〔式中のＱは、式（１）中のＡまたはＢのいずれかの意
味を表す。〕で示されるアミンとを溶媒の存在／あるい
は非存在下で加熱反応して、式（６）

【００６４】

【化５】

【００６５】〔式中のＱは、式（５）中のＱと同一の意
を表す。〕で示されるイミド化合物を生成した後に、式
（７） Ｑ’−ＮＨ₂ （７） 〔式中のＱ’は、式（１）中のＡまたはＢのいずれかの
意を表す。〕で示されるアミンとを溶媒の存在／あるい
は非存在下で加熱反応して、式（８）

【００６６】

【化６】

【００６７】〔式中のＱおよびＱ’は、式（１）中のＡ
またはＢのいずれかの意味を表す。〕の化合物、すなわ
ち式（１）の化合物を容易に得ることができる。

【００６８】一般式（１）で示されるナフタレン化合物
の具体例については、表１に記載する化合物（１−１）
〜（１−５５）のものが挙げられる。

【００６９】

【表１】

【００７０】

【表２】

【００７１】

【表３】

【００７２】

【表４】

【００７３】

【表５】

【００７４】

【表６】

【００７５】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００７６】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【００７７】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【００７８】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）
₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセ
ン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。

【００７９】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【００８０】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【００８１】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【００８２】記録層を基板の上に製膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００８３】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【００８４】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００８５】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。なお、必要に応
じて、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用い
たりすることもできる。

【００８６】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００８７】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が３００ｎｍ
より厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化す
る場合がある。

【００８８】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【００８９】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【００９０】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【００９１】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００９２】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【００９３】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【００９４】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【００９５】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【００９６】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約４１０ｎｍのＧａＮ
系半導体レーザー、波長約８５０ｎｍの赤外線レーザー
の第２高調波４２５ｎｍを発振する半導体レーザーなど
があげられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【００９７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００９８】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【００９９】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【０１００】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3Ｔｏｒｒで行った。

【０１０１】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０１０２】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【０１０３】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し
た。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施し
た。

【０１０４】反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、反射率５０％、エラーレート８ｃｐｓ、ジッ
ター９．０％であり、良好な値を示した。

【０１０５】また、この記録した媒体について、加速劣
化試験（湿度８５％ＲＨ、８０℃で１００時間）を行
い、試験後の反射率及びエラーレートを測定した結果、
初期値よりの反射率変化１％、エラーレート変化１ｃｐ
ｓ、ジッター変化０．５％と変化は小さく、優れた耐久
性を有することが確認された。

【０１０６】実施例２〜９ 記録層に化合物（１−２）〜（１−９）を用いること以
外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピット
を書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれの
場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐｓ以
下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１０７】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１０８】実施例１０ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−３）０．１ｇおよび（１−８）０．
１ｇを用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生
を行った。その結果、反射率４３％、エラーレート１０
ｃｐｓ、ジッター９．６％と良好な値を示した。

【０１０９】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．４％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１１０】表２に実施例１〜１０における加速劣化試
験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１１１】

【表７】

【０１１２】実施例１１ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−１０）０．１ｇ、化合物（１−２
４）０．０５ｇおよび化合物（１−３９）０．０５ｇを
用いた以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製
し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生を行っ
た。その結果、反射率４５％、エラーレート９ｃｐｓ、
ジッター９．３％と良好な値を示した。

【０１１３】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．３％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１１４】実施例１２ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−４７）０．１ｇおよび化合物（１−
４８）０．１ｇを用いた以外は実施例１と同様にして光
記録媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信
号再生を行った。その結果、反射率４８％、エラーレー
ト８ｃｐｓ、ジッター９．２％と良好な値を示した。

【０１１５】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．２％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１１６】実施例１３〜５８ 記録層にナフタレン化合物（１−１０）〜（１−５５）
を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒体を
作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生を行
った。その結果、反射率４０％以上、エラーレート１１
ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１１７】また実施例１と同様に加速劣化試験を行っ
た結果、初期値よりの反射率変化２％以下、エラーレー
ト変化２ｃｐｓ以下、ジッター変化１％以下と小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１１８】表２および実施例１１〜５８に記載される
ように、本発明の光記録媒体は、いずれも高反射率を有
し、記録特性および耐久性に優れている。

【０１１９】このことから、本発明で規定する構造のナ
フタレン化合物を含有する記録層は、青色レーザーによ
る信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は青色レ
ーザーを記録再生に用いる光記録媒体に用いることがで
きる。

【０１２０】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：記録層 ３ ：反射層 ４ ：保護層 ５ ：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C065 AA07 AA18 BB09 CC09 DD02 EE02 HH09 JJ04 KK09 LL04 PP03 PP06 PP09 PP10 PP12 PP13 PP14 PP16 PP17 5D029 JA04 JC03 JC17

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および反射層
   を有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）
   で示されるナフタレン化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に、置換基を有していて
   も良い芳香族炭化水素基、複素環基を表す。〕
2. 【請求項２】 ナフタレン化合物が下式（２）で表され
   る請求項１の光記録媒体。 【化２】 〔式中、Ｚ₁、Ｚ₂はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
   ン原子、シアノ基、置換または無置換のアルキル基、ア
   ラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオ
   キシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アルケニル
   オキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリー
   ルチオ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ア
   リールアミノ基、アルケニルアミノ基、アシル基、アル
   コキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、
   アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボ
   ニル基、アルキルアミノカルボニル基、複素環基により
   置換した単環式あるいは多環式の芳香族炭化水素基、あ
   るいは複素環基である。〕
3. 【請求項３】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
   ある請求項１または請求項２の光記録媒体。