JP2000173803A - レジスタコネクタ - Google Patents
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化の激しい環境下でも、抵抗値変化の
少ないものとする。 【解決手段】 対のリードフレーム１、１間に抵抗器１
０を設け、この抵抗器１０をシリコン樹脂２０の緩衝層
を介在してモールド被覆２を行ったレジスタコネクタＣ
である。シリコン樹脂２０に関しては、その抵抗体１２
上面側の最大層厚は０．５〜１．０ｍｍとする。緩衝層
２０により、モールド成形圧及び温度変化による熱応力
が緩和され、抵抗体１２のクラックの発生及び成長が抑
制される。このため、抵抗値の変化が極めて少なくな
る。
少ないものとする。 【解決手段】 対のリードフレーム１、１間に抵抗器１
０を設け、この抵抗器１０をシリコン樹脂２０の緩衝層
を介在してモールド被覆２を行ったレジスタコネクタＣ
である。シリコン樹脂２０に関しては、その抵抗体１２
上面側の最大層厚は０．５〜１．０ｍｍとする。緩衝層
２０により、モールド成形圧及び温度変化による熱応力
が緩和され、抵抗体１２のクラックの発生及び成長が抑
制される。このため、抵抗値の変化が極めて少なくな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ディーゼル噴射
システム（コモンレールシステム）などに使用されるレ
ジスタコネクタに関するものである。
システム（コモンレールシステム）などに使用されるレ
ジスタコネクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ディーゼルエンジンの燃費向上
及び排ガス対策としてコモンレールシステムなどがあ
る。このシステムでは、各気筒間の噴射を制御するため
に各気筒を識別する必要があり、各気筒に設置のインジ
ェクタに固有の抵抗値を与えて行う。
及び排ガス対策としてコモンレールシステムなどがあ
る。このシステムでは、各気筒間の噴射を制御するため
に各気筒を識別する必要があり、各気筒に設置のインジ
ェクタに固有の抵抗値を与えて行う。
【０００３】その固有の抵抗値を設定する電子部品に、
図７に示すレジスタコネクタＣがある。このレジスタコ
ネクタＣは、並列した対のリードフレーム１、１間に抵
抗器１０を跨がって固着し、そのリードフレーム１の一
部を突出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２し
たものである。抵抗器１０は、一般に、基板１１に抵抗
体１２を設け、その抵抗体１２をガラス製保護膜１３で
被うとともに電極１４、１４を保護膜１３から導出した
ものであり、その電極１４を半田１５により前記リード
フレーム１に電気的に接続するとともに、その半田１５
でもって抵抗器１０をリードフレーム１に固着する（図
１参照）。
図７に示すレジスタコネクタＣがある。このレジスタコ
ネクタＣは、並列した対のリードフレーム１、１間に抵
抗器１０を跨がって固着し、そのリードフレーム１の一
部を突出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２し
たものである。抵抗器１０は、一般に、基板１１に抵抗
体１２を設け、その抵抗体１２をガラス製保護膜１３で
被うとともに電極１４、１４を保護膜１３から導出した
ものであり、その電極１４を半田１５により前記リード
フレーム１に電気的に接続するとともに、その半田１５
でもって抵抗器１０をリードフレーム１に固着する（図
１参照）。
【０００４】一方、上記コモンレールシステムにおける
レジスタコネクタＣの設置個所はエンジンルーム内とな
り、温度変化が大である。このため、上記レジスタコネ
クタＣにはその温度変化によっても抵抗値が変動し、そ
の変化が許容範囲内である必要があり、その変化は少な
ければ少ない程好ましい。
レジスタコネクタＣの設置個所はエンジンルーム内とな
り、温度変化が大である。このため、上記レジスタコネ
クタＣにはその温度変化によっても抵抗値が変動し、そ
の変化が許容範囲内である必要があり、その変化は少な
ければ少ない程好ましい。
【０００５】ところで、一般に、この種のレジスタコネ
クタＣにおいては、抵抗体１２にクラックが生じると、
抵抗値の変化が生じ、従来品の多くは、ガラス製保護膜
１３にクラックが生じている。これは、モールド時の成
形圧及び成形後の残留歪によるものと考える。このよう
なレジスタコネクタＣが、過酷な温度変化に晒される
と、モールド被覆２と抵抗器１０の熱膨張率の差によ
り、熱応力（熱衝撃）が生じ、この熱応力により、クラ
ックが成長して抵抗体１２に至ってクラックを生じさせ
たり、抵抗体１２のクラックをさらに大きくする。クラ
ックの成長は抵抗値の大きな変動を招く。これらのこと
から、樹脂モールド時に、保護膜１３を含めて、抵抗体
１２にクラックを生じさせないことが重要であり、か
つ、冷熱サイクル時（使用時）にもクラックを生じさせ
ないことが重要となる。
クタＣにおいては、抵抗体１２にクラックが生じると、
抵抗値の変化が生じ、従来品の多くは、ガラス製保護膜
１３にクラックが生じている。これは、モールド時の成
形圧及び成形後の残留歪によるものと考える。このよう
なレジスタコネクタＣが、過酷な温度変化に晒される
と、モールド被覆２と抵抗器１０の熱膨張率の差によ
り、熱応力（熱衝撃）が生じ、この熱応力により、クラ
ックが成長して抵抗体１２に至ってクラックを生じさせ
たり、抵抗体１２のクラックをさらに大きくする。クラ
ックの成長は抵抗値の大きな変動を招く。これらのこと
から、樹脂モールド時に、保護膜１３を含めて、抵抗体
１２にクラックを生じさせないことが重要であり、か
つ、冷熱サイクル時（使用時）にもクラックを生じさせ
ないことが重要となる。
【０００６】この発明は、温度変化の激しい環境下にお
いても、抵抗値変化の小さいレジスタコネクタを提供す
ることを課題とする。
いても、抵抗値変化の小さいレジスタコネクタを提供す
ることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、抵抗器とモールド樹脂の間に緩衝層を
介在することとしたのである。樹脂モールド時には、成
形圧及び樹脂収縮圧が抵抗器に加わるが、緩衝層がその
成形圧及び収縮圧を吸収して抵抗器への圧力を軽減す
る。このため、モールド時の抵抗器内のクラックの発生
は極力抑制される。また、過酷な温度変化が生じても、
モールド樹脂と抵抗器の熱膨張率の差により、抵抗器に
熱応力が生じようとするが、緩衝層により、その熱応力
が吸収される。このため、冷熱変化時の抵抗器内のクラ
ックの発生は極力抑制される。
に、この発明は、抵抗器とモールド樹脂の間に緩衝層を
介在することとしたのである。樹脂モールド時には、成
形圧及び樹脂収縮圧が抵抗器に加わるが、緩衝層がその
成形圧及び収縮圧を吸収して抵抗器への圧力を軽減す
る。このため、モールド時の抵抗器内のクラックの発生
は極力抑制される。また、過酷な温度変化が生じても、
モールド樹脂と抵抗器の熱膨張率の差により、抵抗器に
熱応力が生じようとするが、緩衝層により、その熱応力
が吸収される。このため、冷熱変化時の抵抗器内のクラ
ックの発生は極力抑制される。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の実施形態としては、並
列した対のリードフレームに抵抗器の両電極を接続し、
そのリードフレームを突出させて前記抵抗器を緩衝層を
介在して樹脂モールド被覆した構成を採用できる。
列した対のリードフレームに抵抗器の両電極を接続し、
そのリードフレームを突出させて前記抵抗器を緩衝層を
介在して樹脂モールド被覆した構成を採用できる。
【０００９】上記緩衝層としては、空気、ガス、特に不
活性ガスなどの気体の他、ウレタン樹脂、シリコン樹脂
などの柔軟な樹脂等の介在により形成することが考えら
れ、緩衝層の形成し易さ、耐熱性、接着性などから、シ
リコン樹脂が好ましい。このシリコン樹脂の場合、上記
抵抗体１２の上面側を被う層厚を最も厚いところで０．
５ｍｍ以上とすることが好ましく、また、材料硬度は低
い程好ましい。
活性ガスなどの気体の他、ウレタン樹脂、シリコン樹脂
などの柔軟な樹脂等の介在により形成することが考えら
れ、緩衝層の形成し易さ、耐熱性、接着性などから、シ
リコン樹脂が好ましい。このシリコン樹脂の場合、上記
抵抗体１２の上面側を被う層厚を最も厚いところで０．
５ｍｍ以上とすることが好ましく、また、材料硬度は低
い程好ましい。
【００１０】上記緩衝層は、抵抗器上面のみの形成で、
その抵抗体への圧力を緩和できるが、半田などのクラッ
クも考慮すれば、その半田部分も被うのが好ましく、さ
らに、抵抗体及び半田のクラックをより抑制するため
に、半田部分も含めて抵抗器全面を被うのがより好まし
い（後述の図４参照）。
その抵抗体への圧力を緩和できるが、半田などのクラッ
クも考慮すれば、その半田部分も被うのが好ましく、さ
らに、抵抗体及び半田のクラックをより抑制するため
に、半田部分も含めて抵抗器全面を被うのがより好まし
い（後述の図４参照）。
【００１１】これらの構成から成るレジスタコネクタ
は、コモンレールシステムにおけるインジェクタに各種
の抵抗値を設定する場合のように、過酷な使用環境とな
るエンジンルーム内などに使用すれば、より効果を得る
ことができる。
は、コモンレールシステムにおけるインジェクタに各種
の抵抗値を設定する場合のように、過酷な使用環境とな
るエンジンルーム内などに使用すれば、より効果を得る
ことができる。
【００１２】
【実施例】図１及び図２に一実施例を示し、この実施例
は、従来と同様に、リードフレーム１、１間に抵抗器１
０を跨がって固着するとともに、その抵抗器１０をシリ
コン樹脂２０を介在してガラス入りエポキシ樹脂により
モールド被覆２したものである。
は、従来と同様に、リードフレーム１、１間に抵抗器１
０を跨がって固着するとともに、その抵抗器１０をシリ
コン樹脂２０を介在してガラス入りエポキシ樹脂により
モールド被覆２したものである。
【００１３】抵抗器１０は、アルミナ系基板１１にルテ
ニウム系メタルグレーズからなる抵抗体１２を設け、こ
の抵抗体１２を特殊鉛ガラスから成る保護膜１３で被う
とともに、Ｎｉメッキ及びその上に半田メッキした銀系
電極を抵抗体１２から導出したものであり、その電極１
４を半田１５によりリードフレーム１に電気的に接続す
る。
ニウム系メタルグレーズからなる抵抗体１２を設け、こ
の抵抗体１２を特殊鉛ガラスから成る保護膜１３で被う
とともに、Ｎｉメッキ及びその上に半田メッキした銀系
電極を抵抗体１２から導出したものであり、その電極１
４を半田１５によりリードフレーム１に電気的に接続す
る。
【００１４】このレジスタコネクタＣの一製造例は、図
３に示すように、リード帯３０に各リードフレーム１を
所要間隔に連続して設け、このリード帯３０を一定ピッ
チで間欠的に矢印の方向に移動させ（同図（ａ））、そ
の停止時に、抵抗器１０を対のリードフレーム１、１間
に載置するとともに半田付け１５により固着し（同図
（ｂ））、その抵抗器１０の上面にシリコン樹脂２０を
塗布した後（同図（ｃ））、樹脂モールド２をし（同図
（ｄ））、その後、切断線ｔで、リード帯３０から切り
離すことにより、図１、２に示す、レジスタコネクタＣ
を得る。
３に示すように、リード帯３０に各リードフレーム１を
所要間隔に連続して設け、このリード帯３０を一定ピッ
チで間欠的に矢印の方向に移動させ（同図（ａ））、そ
の停止時に、抵抗器１０を対のリードフレーム１、１間
に載置するとともに半田付け１５により固着し（同図
（ｂ））、その抵抗器１０の上面にシリコン樹脂２０を
塗布した後（同図（ｃ））、樹脂モールド２をし（同図
（ｄ））、その後、切断線ｔで、リード帯３０から切り
離すことにより、図１、２に示す、レジスタコネクタＣ
を得る。
【００１５】シリコン樹脂（緩衝層）２０の形成態様と
しては、図２に示す、半田１５まで被う以外に、図４に
示すように、抵抗器１０の上面のみ（同図（ａ））、リ
ードフレーム１を含めた抵抗器１０全体（同図
（ｂ））、抵抗器１０の下面一部を除いたもの（同図
（ｃ））などが考えられる。
しては、図２に示す、半田１５まで被う以外に、図４に
示すように、抵抗器１０の上面のみ（同図（ａ））、リ
ードフレーム１を含めた抵抗器１０全体（同図
（ｂ））、抵抗器１０の下面一部を除いたもの（同図
（ｃ））などが考えられる。
【００１６】つぎに、この実施例の性能試験について説
明すると、上記実施例において、抵抗器１０に、縦：
３．２、横：４．５、厚さ：１．０（ｍｍ）のものを採
用し、シリコン樹脂２０を抵抗器１０の上面に０．５〜
１．０ｍｍ厚で半田１５まで塗布し、それを、縦：７．
０、横：８．８、厚さ：４．８（ｍｍ）でモールド被覆
２したものを得た。一方、シリコン樹脂２０を介在しな
い以外はこの実施例と同一構成の比較例も製作した。こ
の樹脂モールド時の樹脂収縮時（１８０℃から２０℃）
における実施例での抵抗体１２に生じた応力を計算する
と、３．２ｇｆ／ｍｍ2 であったのに対し、比較例では
１９．２ｋｇｆ／ｍｍ2 となった。
明すると、上記実施例において、抵抗器１０に、縦：
３．２、横：４．５、厚さ：１．０（ｍｍ）のものを採
用し、シリコン樹脂２０を抵抗器１０の上面に０．５〜
１．０ｍｍ厚で半田１５まで塗布し、それを、縦：７．
０、横：８．８、厚さ：４．８（ｍｍ）でモールド被覆
２したものを得た。一方、シリコン樹脂２０を介在しな
い以外はこの実施例と同一構成の比較例も製作した。こ
の樹脂モールド時の樹脂収縮時（１８０℃から２０℃）
における実施例での抵抗体１２に生じた応力を計算する
と、３．２ｇｆ／ｍｍ2 であったのに対し、比較例では
１９．２ｋｇｆ／ｍｍ2 となった。
【００１７】この実施例と比較例を、−４０℃〜１２０
℃の冷熱サイクル（各温度保持時間：３０分）をした結
果を図５に示す。図中、丸、三角などは、各サンプルを
示す。この試験によると、同図（ａ）で示す実施例で
は、温度変化が生じても、抵抗値が殆ど変化しないが、
比較例では、サイクル数の増加とともに抵抗値の劣化が
生じることが確認できる。これは、実施例では、モール
ド成形時において、その成形圧をシリコンゴム樹脂が吸
収し、保護層１３及び抵抗体１２におけるクラックの発
生が極力抑えられ、温度変化の繰り返しに対しても、シ
リコン樹脂２０により、熱応力の緩和がなされたのに対
し、比較例では、それらの圧力（応力）を吸収するもの
がなく、抵抗体１２にその圧力が働いてクラックが発生
・成長したことによるものと考える。
℃の冷熱サイクル（各温度保持時間：３０分）をした結
果を図５に示す。図中、丸、三角などは、各サンプルを
示す。この試験によると、同図（ａ）で示す実施例で
は、温度変化が生じても、抵抗値が殆ど変化しないが、
比較例では、サイクル数の増加とともに抵抗値の劣化が
生じることが確認できる。これは、実施例では、モール
ド成形時において、その成形圧をシリコンゴム樹脂が吸
収し、保護層１３及び抵抗体１２におけるクラックの発
生が極力抑えられ、温度変化の繰り返しに対しても、シ
リコン樹脂２０により、熱応力の緩和がなされたのに対
し、比較例では、それらの圧力（応力）を吸収するもの
がなく、抵抗体１２にその圧力が働いてクラックが発生
・成長したことによるものと考える。
【００１８】なお、上記実施例において、冷熱サイクル
１０００回に対するシリコン樹脂２０の塗布量と抵抗値
の変化率の関係は、図６に示すようになり、これによる
と、シリコンゴム量：０．００５ｇ以上は殆ど変化が認
められない。このため、塗布量：０．００５ｇすなわち
シリコン樹脂２０の最大層厚：０．５ｍｍ以上であれ
ば、成形圧及び熱応力による抵抗値変化を十分に抑制し
得ることがわかる。
１０００回に対するシリコン樹脂２０の塗布量と抵抗値
の変化率の関係は、図６に示すようになり、これによる
と、シリコンゴム量：０．００５ｇ以上は殆ど変化が認
められない。このため、塗布量：０．００５ｇすなわち
シリコン樹脂２０の最大層厚：０．５ｍｍ以上であれ
ば、成形圧及び熱応力による抵抗値変化を十分に抑制し
得ることがわかる。
【００１９】因みに、比較例において、図８に示すよう
に、冷熱サイクルと抵抗値の変動率を見ると、サイクル
数が２００回を越えると、急上昇する。
に、冷熱サイクルと抵抗値の変動率を見ると、サイクル
数が２００回を越えると、急上昇する。
【００２０】
【発明の効果】この発明は、以上のように緩衝層の介在
により、モールド成形圧及び熱応力から抵抗体を保護す
るようにしたので、抵抗値の変動幅が小さい信頼性の高
いレジスタコネクタを得ることができる。
により、モールド成形圧及び熱応力から抵抗体を保護す
るようにしたので、抵抗値の変動幅が小さい信頼性の高
いレジスタコネクタを得ることができる。
【図１】一実施例の斜視図
【図２】同実施例の断面図
【図３】同実施例の製作説明図
【図４】他の各実施例の断面図
【図５】実施例及び比較例の冷熱サイクル数と抵抗値の
関係図
関係図
【図６】シリコンゴム塗布量と抵抗変化率の関係図
【図７】従来例の断面図
【図８】従来例における冷熱サイクル数とＭ．Ｇ率の関
係図
係図
Ｃ レジスタコネクタ １ リードフレーム ２ 樹脂モールド被覆 １０ 抵抗器 １１ 抵抗器の基板 １２ 抵抗体 １３ ガラス製保護層 １４ 電極 １５ 半田 ２０ シリコン樹脂（緩衝層）
Claims (6)
- 【請求項１】 並列した対のリードフレーム１、１に抵
抗器１０の両電極１４、１４を電気的に接続し、そのリ
ードフレーム１、１の一部を突出させて前記抵抗器１０
を樹脂モールド被覆２したレジスタコネクタＰであっ
て、 上記抵抗器１０とモールド樹脂２の間に緩衝層２０を形
成したことを特徴とするレジスタコネクタ。 - 【請求項２】 上記緩衝層２０がシリコン樹脂から成る
ことを特徴とする請求項１に記載のレジスタコネクタ。 - 【請求項３】 上記抵抗体１２の上面側を被う緩衝層２
０の厚みを最も厚い所で０．５ｍｍ以上としたことを特
徴とする請求項２に記載のレジスタコネクタ。 - 【請求項４】 上記緩衝層２０は、抵抗器１０の上面に
のみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれか一つに記載のレジスタコネクタ。 - 【請求項５】 上記緩衝層２０は、抵抗器１０の上面及
び上記電極１４とリードフレーム１を接続する半田１５
を被っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か一つに記載のレジスタコネクタ。 - 【請求項６】 上記緩衝層２０は、上記電極１４とリー
ドフレーム１を接続する半田１５を含めた抵抗器１０の
全面を被っていることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一つに記載のレジスタコネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34210798A JP3772558B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | レジスタコネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34210798A JP3772558B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | レジスタコネクタ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005134372A Division JP4075905B2 (ja) | 2005-05-02 | 2005-05-02 | レジスタコネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173803A true JP2000173803A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3772558B2 JP3772558B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=18351210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34210798A Expired - Fee Related JP3772558B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | レジスタコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3772558B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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