JP3520854B2 - レジスタコネクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、制御回路の電流
値を制限する、又は抵抗値を検知して電装品の識別を行
うなどの目的に使用されるレジスタコネクタに関するも
のである。
値を制限する、又は抵抗値を検知して電装品の識別を行
うなどの目的に使用されるレジスタコネクタに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】この種のレジスタコネクタとして、例え
ば、図７に示すものがあり、このレジスタコネクタＣ
は、並列した対のリードフレーム１、１間に抵抗器１０
を跨がって固着し、そのリードフレーム１の端子部を突
出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２したもの
である。抵抗器１０は、一般に、基板１１に抵抗体１２
を設け、その抵抗体１２をガラス製保護膜１３で被うと
ともに電極１４、１４を保護膜１３から導出したもので
あり、その電極１４を半田１５により前記リードフレー
ム１に電気的に接続するとともに、その半田１５でもっ
て抵抗器１０をリードフレーム１に固着する（図１参
照）。
ば、図７に示すものがあり、このレジスタコネクタＣ
は、並列した対のリードフレーム１、１間に抵抗器１０
を跨がって固着し、そのリードフレーム１の端子部を突
出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２したもの
である。抵抗器１０は、一般に、基板１１に抵抗体１２
を設け、その抵抗体１２をガラス製保護膜１３で被うと
ともに電極１４、１４を保護膜１３から導出したもので
あり、その電極１４を半田１５により前記リードフレー
ム１に電気的に接続するとともに、その半田１５でもっ
て抵抗器１０をリードフレーム１に固着する（図１参
照）。
【０００３】一方、このレジスタコネクタＣの設置個所
はエンジンルーム周りなどの厳しい環境下が多く、温度
変化が大である。このため、レジスタコネクタＣにはそ
の温度変化によっても抵抗値が変動し、その変化が許容
範囲内である必要があり、その変化は少なければ少ない
程好ましい。
はエンジンルーム周りなどの厳しい環境下が多く、温度
変化が大である。このため、レジスタコネクタＣにはそ
の温度変化によっても抵抗値が変動し、その変化が許容
範囲内である必要があり、その変化は少なければ少ない
程好ましい。
【０００４】ところで、一般に、この種のレジスタコネ
クタＣにおいては、抵抗体１２にクラックが生じると、
抵抗値の変化が生じ、従来品の多くは、ガラス製保護膜
１３にクラックが生じている。これは、モールド時の成
形圧及び成形後の残留歪によるものと考える。このよう
なレジスタコネクタＣが、過酷な温度変化に晒される
と、モールド被覆２と抵抗器１０の熱膨張率の差によ
り、熱応力（熱衝撃）が生じ、この熱応力により、クラ
ックが成長して抵抗体１２に至ってクラックを生じさせ
たり、抵抗体１２のクラックをさらに大きくする。クラ
ックの成長は抵抗値の大きな変動を招く。これらのこと
から、樹脂モールド時に、保護膜１３を含めて、抵抗体
１２にクラックを生じさせないことが重要であり、か
つ、冷熱サイクル時（使用時）にもクラックを生じさせ
ないことが重要となる。
クタＣにおいては、抵抗体１２にクラックが生じると、
抵抗値の変化が生じ、従来品の多くは、ガラス製保護膜
１３にクラックが生じている。これは、モールド時の成
形圧及び成形後の残留歪によるものと考える。このよう
なレジスタコネクタＣが、過酷な温度変化に晒される
と、モールド被覆２と抵抗器１０の熱膨張率の差によ
り、熱応力（熱衝撃）が生じ、この熱応力により、クラ
ックが成長して抵抗体１２に至ってクラックを生じさせ
たり、抵抗体１２のクラックをさらに大きくする。クラ
ックの成長は抵抗値の大きな変動を招く。これらのこと
から、樹脂モールド時に、保護膜１３を含めて、抵抗体
１２にクラックを生じさせないことが重要であり、か
つ、冷熱サイクル時（使用時）にもクラックを生じさせ
ないことが重要となる。
【０００５】この要望の下、本出願人は、特開２０００
−１７３８０３号公報に記載のごとく、抵抗器１０とモ
ールド樹脂２の間に緩衝層を介在して（この発明の実施
例図２参照）、その緩衝層により、モールド時の抵抗器
１０内のクラックの発生を極力抑制し、また、過酷な温
度変化が生じて、モールド樹脂２と抵抗器１０の熱膨張
率の差により、抵抗器１０に熱応力が生じてもその熱応
力を吸収して、冷熱変化時の抵抗器１０内のクラックの
発生を極力抑制する技術を開発した。
−１７３８０３号公報に記載のごとく、抵抗器１０とモ
ールド樹脂２の間に緩衝層を介在して（この発明の実施
例図２参照）、その緩衝層により、モールド時の抵抗器
１０内のクラックの発生を極力抑制し、また、過酷な温
度変化が生じて、モールド樹脂２と抵抗器１０の熱膨張
率の差により、抵抗器１０に熱応力が生じてもその熱応
力を吸収して、冷熱変化時の抵抗器１０内のクラックの
発生を極力抑制する技術を開発した。
【０００６】このレジスタコネクタＣは、冷熱変化時の
抵抗値の変動幅も極めて小さく、信頼性の高いものであ
り、半田内のフラックス揮発成分の飛散は、その緩衝層
により半田を含めた抵抗器全周面を被うこと（同図４
（ｂ）参照）によって防止し得ると考えた。
抵抗値の変動幅も極めて小さく、信頼性の高いものであ
り、半田内のフラックス揮発成分の飛散は、その緩衝層
により半田を含めた抵抗器全周面を被うこと（同図４
（ｂ）参照）によって防止し得ると考えた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、緩衝層
をなす、例えばシリコン樹脂と金属製リードフレーム１
との界面は強固な接着力を得ても、その界面全域にその
強度を得ることはできず、半田フラックスの揮発成分が
その界面一部から飛散し、リードフレームの端子部に付
着したり、被覆中に侵入して汚染するなどの問題が生じ
た。端子部への付着は接続（接触）不良を招いて不良品
となり、被覆中への侵入は外観上から不良品となる。す
なわち、上記レジスタコネクタは歩留りが極めて低いも
のとなった。
をなす、例えばシリコン樹脂と金属製リードフレーム１
との界面は強固な接着力を得ても、その界面全域にその
強度を得ることはできず、半田フラックスの揮発成分が
その界面一部から飛散し、リードフレームの端子部に付
着したり、被覆中に侵入して汚染するなどの問題が生じ
た。端子部への付着は接続（接触）不良を招いて不良品
となり、被覆中への侵入は外観上から不良品となる。す
なわち、上記レジスタコネクタは歩留りが極めて低いも
のとなった。
【０００８】この発明は、半田フラックス揮発成分の飛
散を防止することを課題とする。
散を防止することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は一手段として、半田の端子部への流れを
規制することとしたのである。このようにすれば、半田
が端子部に至らず、半田付着による接続不良がなくな
る。
に、この発明は一手段として、半田の端子部への流れを
規制することとしたのである。このようにすれば、半田
が端子部に至らず、半田付着による接続不良がなくな
る。
【００１０】また、他の手段として、モールド被覆の前
にフラックス揮発成分を強制的に揮発させることとした
のである。強制揮発させれば、モールド被覆時の半田内
フラックス揮発成分量も減少し、上記端子部への付着も
極力少なくなる。
にフラックス揮発成分を強制的に揮発させることとした
のである。強制揮発させれば、モールド被覆時の半田内
フラックス揮発成分量も減少し、上記端子部への付着も
極力少なくなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】上記一手段の実施形態としては、
並列した対のリードフレームに抵抗器の両電極を半田に
より電気的に接続し、そのリードフレームの端子部を突
出させて前記抵抗器を樹脂モールド被覆したレジスタコ
ネクタにおいて、前記リードフレームの前記抵抗器の電
極接続部（半田ランド部）と前記端子部の間に前記半田
の端子部側への流れを防ぐ壁又は溝を形成した構成を採
用し得る。
並列した対のリードフレームに抵抗器の両電極を半田に
より電気的に接続し、そのリードフレームの端子部を突
出させて前記抵抗器を樹脂モールド被覆したレジスタコ
ネクタにおいて、前記リードフレームの前記抵抗器の電
極接続部（半田ランド部）と前記端子部の間に前記半田
の端子部側への流れを防ぐ壁又は溝を形成した構成を採
用し得る。
【００１２】このとき、モールド被覆が薄いと、そのモ
ールド時に、モールド圧などによりフラックス揮発成分
がその薄い被覆を突破して被覆表面に流出する場合があ
る。このため、上記壁又は溝を、上記電極接続部周り全
周に亘って形成すれば、その囲まれる領域（半田のラン
ド領域）を必要最小限の半田量とすることにより、フラ
ックス揮発成分の飛散量（絶対量）は減少するととも
に、その減少に伴って被覆表面への流出も減少する。ま
た、その領域を半田位置（抵抗器の取付位置）に設定し
ておれば、例えば、リフロー時、半田印刷位置がその領
域からはみでても、半田溶融によって半田はその領域内
の所要位置に集まる。この移動によって、抵抗器も所要
位置に移動して正確に取り付けられる。すなわち、セル
フアライメントがなされる。さらに、この壁又は溝は、
それらの効果に加え、モールド被覆とリードフレームの
界面方向へのフラックス揮発成分の飛散を止める効果も
ある。その壁の形成には、レジスト印刷、クロムメッ
キ、ニッケルメッキなどの半田に濡れない材料が考えら
れる。
ールド時に、モールド圧などによりフラックス揮発成分
がその薄い被覆を突破して被覆表面に流出する場合があ
る。このため、上記壁又は溝を、上記電極接続部周り全
周に亘って形成すれば、その囲まれる領域（半田のラン
ド領域）を必要最小限の半田量とすることにより、フラ
ックス揮発成分の飛散量（絶対量）は減少するととも
に、その減少に伴って被覆表面への流出も減少する。ま
た、その領域を半田位置（抵抗器の取付位置）に設定し
ておれば、例えば、リフロー時、半田印刷位置がその領
域からはみでても、半田溶融によって半田はその領域内
の所要位置に集まる。この移動によって、抵抗器も所要
位置に移動して正確に取り付けられる。すなわち、セル
フアライメントがなされる。さらに、この壁又は溝は、
それらの効果に加え、モールド被覆とリードフレームの
界面方向へのフラックス揮発成分の飛散を止める効果も
ある。その壁の形成には、レジスト印刷、クロムメッ
キ、ニッケルメッキなどの半田に濡れない材料が考えら
れる。
【００１３】この構成において、上記緩衝層を設けるこ
とができ、その材料としては、耐熱性、接着性、硬度、
拡がり性などの点から、シリコン樹脂（ゴム）、ウレタ
ン系樹脂（ゴム）などを挙げることができる。このと
き、その緩衝層は、上記のように抵抗器の保護の役目に
加え、フラックス揮発成分の飛散防止を果す役目も無視
し得ない。また、緩衝層は、支障がない限りにおいて極
力少ない方が好ましく、例えば前記抵抗器上面とモール
ド樹脂の間のみ形成する、さらには、抵抗器の対のリー
ドフレーム間の下面程度とするとよい。耐久性を維持す
るために、例えば、チップ抵抗器のガラス保護膜面のみ
などの必要最小限の支障がある抵抗器部分への直接的な
熱応力を緩和すればよいからである。
とができ、その材料としては、耐熱性、接着性、硬度、
拡がり性などの点から、シリコン樹脂（ゴム）、ウレタ
ン系樹脂（ゴム）などを挙げることができる。このと
き、その緩衝層は、上記のように抵抗器の保護の役目に
加え、フラックス揮発成分の飛散防止を果す役目も無視
し得ない。また、緩衝層は、支障がない限りにおいて極
力少ない方が好ましく、例えば前記抵抗器上面とモール
ド樹脂の間のみ形成する、さらには、抵抗器の対のリー
ドフレーム間の下面程度とするとよい。耐久性を維持す
るために、例えば、チップ抵抗器のガラス保護膜面のみ
などの必要最小限の支障がある抵抗器部分への直接的な
熱応力を緩和すればよいからである。
【００１４】上記他の手段の実施形態としては、並列し
た対のリードフレームの抵抗器電極接続位置に半田を印
刷し、その対のリードフレームに抵抗器を前記半田を介
して電気的に接続し、そのリードフレームの一部を突出
させて前記抵抗器を樹脂モールド被覆してレジスタコネ
クタを製造する際、前記樹脂モールド被覆の前に前記半
田のフラックス固形成分を高温放置により十分炭化させ
るとともに、揮発成分を十分揮発させた後、前記樹脂モ
ールド被覆をする構成を採用し得る。
た対のリードフレームの抵抗器電極接続位置に半田を印
刷し、その対のリードフレームに抵抗器を前記半田を介
して電気的に接続し、そのリードフレームの一部を突出
させて前記抵抗器を樹脂モールド被覆してレジスタコネ
クタを製造する際、前記樹脂モールド被覆の前に前記半
田のフラックス固形成分を高温放置により十分炭化させ
るとともに、揮発成分を十分揮発させた後、前記樹脂モ
ールド被覆をする構成を採用し得る。
【００１５】そのフラックス揮発成分の揮発は、リード
フレームに抵抗器を半田を介してリフローにより電気的
に接続する場合には、そのリフローの温度、時間又はそ
の両者を通常より高く、長く、又は高くかつ長くした
り、また、リフローなどの半田による電気接続の後に、
フラックスの炭化・揮発工程を付加して行うことができ
る。
フレームに抵抗器を半田を介してリフローにより電気的
に接続する場合には、そのリフローの温度、時間又はそ
の両者を通常より高く、長く、又は高くかつ長くした
り、また、リフローなどの半田による電気接続の後に、
フラックスの炭化・揮発工程を付加して行うことができ
る。
【００１６】また、上記半田を鉛フリー半田（鉛を含ま
ない半田）、例えばＳｎ−Ａｇ共晶半田、Ｓｎ−Ａｇ−
Ｃｕ半田などとすることができ、この鉛フリー半田は、
Ｓｎ−Ｐｂの共晶半田の溶融点が約１８３℃に対し、Ｓ
ｎ−Ａｇ共晶半田では、約２２１℃と高いため、リフロ
ー温度も必然的に高くなって、フラックス揮発も促進さ
れるから好ましい。このとき、上記リードフレームは、
全面にニッケルメッキが施され、上記電極接続部（半田
ランド部）は銀メッキを施したものとして、リフロー温
度が高くなった分、耐熱性メッキとするとともに、鉛フ
リー半田との親和性を高めるとよい。
ない半田）、例えばＳｎ−Ａｇ共晶半田、Ｓｎ−Ａｇ−
Ｃｕ半田などとすることができ、この鉛フリー半田は、
Ｓｎ−Ｐｂの共晶半田の溶融点が約１８３℃に対し、Ｓ
ｎ−Ａｇ共晶半田では、約２２１℃と高いため、リフロ
ー温度も必然的に高くなって、フラックス揮発も促進さ
れるから好ましい。このとき、上記リードフレームは、
全面にニッケルメッキが施され、上記電極接続部（半田
ランド部）は銀メッキを施したものとして、リフロー温
度が高くなった分、耐熱性メッキとするとともに、鉛フ
リー半田との親和性を高めるとよい。
【００１７】これらの製造方法において、上記一手段、
すなわち、上記リードフレームに壁又は溝を形成したも
のとすれば、より効果は増す。緩衝層の付加も同様であ
る。
すなわち、上記リードフレームに壁又は溝を形成したも
のとすれば、より効果は増す。緩衝層の付加も同様であ
る。
【００１８】
【実施例】図１及び図２に一実施例を示し、この実施例
は、従来と同様に、リードフレーム１、１間に抵抗器１
０を跨がって固着するとともに、その抵抗器１０をシリ
コン樹脂２０を介在してガラス入りエポキシ樹脂により
モールド被覆２したものである。このとき、抵抗器１０
のサイズ（縦、横、厚さ）は所要定格電力値に応じて適
宜に設定する。
は、従来と同様に、リードフレーム１、１間に抵抗器１
０を跨がって固着するとともに、その抵抗器１０をシリ
コン樹脂２０を介在してガラス入りエポキシ樹脂により
モールド被覆２したものである。このとき、抵抗器１０
のサイズ（縦、横、厚さ）は所要定格電力値に応じて適
宜に設定する。
【００１９】抵抗器１０は、アルミナ系基板１１にルテ
ニウム系メタルグレーズからなる抵抗体１２を設け、こ
の抵抗体１２を特殊鉛ガラスから成る保護膜１３で被う
とともに、ニッケル（Ｎｉ）メッキ及びその上に半田メ
ッキした銀系電極１４を抵抗体１２から導出したもので
あり、その電極１４を半田ｂによりリードフレーム１に
電気的に接続する。
ニウム系メタルグレーズからなる抵抗体１２を設け、こ
の抵抗体１２を特殊鉛ガラスから成る保護膜１３で被う
とともに、ニッケル（Ｎｉ）メッキ及びその上に半田メ
ッキした銀系電極１４を抵抗体１２から導出したもので
あり、その電極１４を半田ｂによりリードフレーム１に
電気的に接続する。
【００２０】このレジスタコネクタＣの一製造例は、ま
ず、図３各図に示すように、リード帯３０に各リードフ
レーム１を所要間隔に連続して設け（同図（ａ））、こ
のリードフレーム１は全面にＮｉメッキがなされて、抵
抗器１０の取付エリアに銀メッキａがなされ（同図
（ｂ））、その銀メッキａエリアに、抵抗器１０の両電
極１４の各接続部（半田ランド領域）を囲むようにエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂によるレジスト印刷によっ
て壁４０が形成されている（同図（ｃ））。この壁４０
の形状は四角、楕円などと任意であり、その大きさも抵
抗器１０のサイズと接合強度を考慮して適宜に選定す
る。但し、フラックス揮発成分の飛散量を極力少なくす
る点から、半田ｂ量が極力少なくて所要の接合強度を得
られるようにする。また、熱硬化性樹脂は加熱で硬化す
るため、リフロー時にも有効な半田ランド領域を確保す
る。
ず、図３各図に示すように、リード帯３０に各リードフ
レーム１を所要間隔に連続して設け（同図（ａ））、こ
のリードフレーム１は全面にＮｉメッキがなされて、抵
抗器１０の取付エリアに銀メッキａがなされ（同図
（ｂ））、その銀メッキａエリアに、抵抗器１０の両電
極１４の各接続部（半田ランド領域）を囲むようにエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂によるレジスト印刷によっ
て壁４０が形成されている（同図（ｃ））。この壁４０
の形状は四角、楕円などと任意であり、その大きさも抵
抗器１０のサイズと接合強度を考慮して適宜に選定す
る。但し、フラックス揮発成分の飛散量を極力少なくす
る点から、半田ｂ量が極力少なくて所要の接合強度を得
られるようにする。また、熱硬化性樹脂は加熱で硬化す
るため、リフロー時にも有効な半田ランド領域を確保す
る。
【００２１】つぎに、このリード帯３０を一定ピッチで
間欠的に矢印の方向に移動させ、その停止時に、上記壁
４０内にＳｎ（９６．５％）−Ａｇ（３．５％）の共晶
半田ｂを印刷により塗布し（同図（ｄ））、つづけて、
抵抗器１０を対のリードフレーム１、１間の半田ｂ上に
載置してリフローにより固着し（同図（ｅ））、その抵
抗器１０の上面にシリコン樹脂２０を塗布した後（同図
（ｆ））、樹脂モールド２をし（同図（ｇ））、その
後、切断線ｔで、リード帯３０から切り離すことによ
り、図１、２に示す、レジスタコネクタＣを得る。
間欠的に矢印の方向に移動させ、その停止時に、上記壁
４０内にＳｎ（９６．５％）−Ａｇ（３．５％）の共晶
半田ｂを印刷により塗布し（同図（ｄ））、つづけて、
抵抗器１０を対のリードフレーム１、１間の半田ｂ上に
載置してリフローにより固着し（同図（ｅ））、その抵
抗器１０の上面にシリコン樹脂２０を塗布した後（同図
（ｆ））、樹脂モールド２をし（同図（ｇ））、その
後、切断線ｔで、リード帯３０から切り離すことによ
り、図１、２に示す、レジスタコネクタＣを得る。
【００２２】シリコン樹脂（緩衝層）２０の形成態様と
しては、図２に示す以外に、図４各図に示すように、抵
抗器１０の上面のみ（同図（ａ））、リードフレーム１
を含めた抵抗器１０全体（同図（ｂ））、抵抗器１０の
下面一部を除いたもの（同図（ｃ））、半田ｂまでのも
の（同図（ｄ））、抵抗器１０の上面とリードフレーム
１、１間のみのもの（同図（ｅ））などが考えられる。
しては、図２に示す以外に、図４各図に示すように、抵
抗器１０の上面のみ（同図（ａ））、リードフレーム１
を含めた抵抗器１０全体（同図（ｂ））、抵抗器１０の
下面一部を除いたもの（同図（ｃ））、半田ｂまでのも
の（同図（ｄ））、抵抗器１０の上面とリードフレーム
１、１間のみのもの（同図（ｅ））などが考えられる。
【００２３】このとき、半田ｂのフラックス揮発成分の
揮発開始温度は１５０℃前後であり、この１５０℃前後
では約２時間程度で揮発がほぼ完了する。一方、フラッ
クスの沸点は２７０℃前後のため、その温度まで上昇す
れば、揮発はすみやかになされるが、抵抗体１２に問題
が生じる恐れがある。このため、この実施例では、リフ
ロー温度を２５０℃前後（２４５±１０℃）とし、その
時間を約１０分以上とした。
揮発開始温度は１５０℃前後であり、この１５０℃前後
では約２時間程度で揮発がほぼ完了する。一方、フラッ
クスの沸点は２７０℃前後のため、その温度まで上昇す
れば、揮発はすみやかになされるが、抵抗体１２に問題
が生じる恐れがある。このため、この実施例では、リフ
ロー温度を２５０℃前後（２４５±１０℃）とし、その
時間を約１０分以上とした。
【００２４】この実施例では、フラックスのリードフレ
ーム１の端子部１ａへの付着もなく、被覆２への侵入も
なかった。すなわち、歩留りは１００％に近くなった。
ーム１の端子部１ａへの付着もなく、被覆２への侵入も
なかった。すなわち、歩留りは１００％に近くなった。
【００２５】この実施例は、Ｓｎ−Ａｇ共晶半田を使用
し、その半田部の粒子組織を密のものとし、半田ランド
部にも、銀メッキを行って接合強度を高め、かつ半田自
身の融点とメッキの融点を上げることで、リフロー高温
によるフラックス揮発成分の揮発が促進されたものであ
る。因みに、半田組織が密であれば、その接合部の初期
剥離強度は増す。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ半田に対し、Ｓｎ
−Ａｇ共晶半田はより優れた耐久強度を有する。
し、その半田部の粒子組織を密のものとし、半田ランド
部にも、銀メッキを行って接合強度を高め、かつ半田自
身の融点とメッキの融点を上げることで、リフロー高温
によるフラックス揮発成分の揮発が促進されたものであ
る。因みに、半田組織が密であれば、その接合部の初期
剥離強度は増す。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ半田に対し、Ｓｎ
−Ａｇ共晶半田はより優れた耐久強度を有する。
【００２６】この実施例において、図５（ａ）に示すよ
うに、半田ランド領域のみに銀メッキａを施し、その銀
メッキａの周縁（Ｎｉメッキのその銀メッキａを囲む露
出縁）を壁４０とすることもできる。Ｎｉメッキは半田
が濡れないため、その境界縁で半田流れが阻止されるか
らである。この実施例は、図５（ａ）以後、図３（ｄ）
以降と同様にしてレジスタコネクタＣを得る。
うに、半田ランド領域のみに銀メッキａを施し、その銀
メッキａの周縁（Ｎｉメッキのその銀メッキａを囲む露
出縁）を壁４０とすることもできる。Ｎｉメッキは半田
が濡れないため、その境界縁で半田流れが阻止されるか
らである。この実施例は、図５（ａ）以後、図３（ｄ）
以降と同様にしてレジスタコネクタＣを得る。
【００２７】また、図５（ｂ）に示すように、リードフ
レーム１にＶ溝４０’を形成することにより、半田の流
れを阻止するようにし得る。同図の実施例では、一方の
リードフレーム１にのみＶ溝４０’を形成しているが、
これは、他方のリードフレーム１は半田ランド領域から
端子部１ａまでに距離があるからである。但し、同図鎖
線のごとく、他方のリードフレーム１にもＶ溝４０’を
形成し得る。なお、他方のリードフレーム１の外側端
（同図手前側）のＶ溝４０’はリードフレーム１端から
の半田流れを防止するためであるが、省略し得る。この
実施例は、図５（ｂ）以後、図３（ｂ）以降と同様にし
たり、図５（ａ）の処理をした後、図３（ｄ）以降と同
様にしてレジスタコネクタＣを得る。このとき、銀メッ
キａ、壁４０形成の処理は、抵抗器１０の取付性を損な
わないかぎりにおいて適宜に省略し得る。
レーム１にＶ溝４０’を形成することにより、半田の流
れを阻止するようにし得る。同図の実施例では、一方の
リードフレーム１にのみＶ溝４０’を形成しているが、
これは、他方のリードフレーム１は半田ランド領域から
端子部１ａまでに距離があるからである。但し、同図鎖
線のごとく、他方のリードフレーム１にもＶ溝４０’を
形成し得る。なお、他方のリードフレーム１の外側端
（同図手前側）のＶ溝４０’はリードフレーム１端から
の半田流れを防止するためであるが、省略し得る。この
実施例は、図５（ｂ）以後、図３（ｂ）以降と同様にし
たり、図５（ａ）の処理をした後、図３（ｄ）以降と同
様にしてレジスタコネクタＣを得る。このとき、銀メッ
キａ、壁４０形成の処理は、抵抗器１０の取付性を損な
わないかぎりにおいて適宜に省略し得る。
【００２８】なお、対の端子部１ａ、１ａの間隔は、こ
のレジスタコネクタが嵌め込まれるメスコネクタの端子
幅によって決定され、以上の実施例では、その間隔が狭
いため、抵抗器１０を対のリードフレーム１の長さ方向
に跨がって取付けたが、図６（ａ）に示すように、対の
リードフレームの幅方向に跨がって抵抗器１０を取付け
る場合においても、同図（ａ）乃至（ｃ）のごとく、壁
４０、溝４０’を形成したものとし得る。このものは、
同図（ｄ）に示すように抵抗器１０が取付けられ、以
後、上述と同様にしてレジスタコネクタを得る。
のレジスタコネクタが嵌め込まれるメスコネクタの端子
幅によって決定され、以上の実施例では、その間隔が狭
いため、抵抗器１０を対のリードフレーム１の長さ方向
に跨がって取付けたが、図６（ａ）に示すように、対の
リードフレームの幅方向に跨がって抵抗器１０を取付け
る場合においても、同図（ａ）乃至（ｃ）のごとく、壁
４０、溝４０’を形成したものとし得る。このものは、
同図（ｄ）に示すように抵抗器１０が取付けられ、以
後、上述と同様にしてレジスタコネクタを得る。
【００２９】上記壁４０と溝４０’は併用して、抵抗器
１０の取付性を損なわないかぎりにおいて、上述以外の
態様を適宜に採用し得ることは勿論であり、また、図３
（ｃ）において、レジスト印刷に代えて、Ｎｉメッキ、
クロムメッキで壁４０を形成することもできる。さら
に、リードフレーム１の全面Ｎｉメッキに代えてクロム
メッキを採用でき、リードフレーム全面をメッキしない
場合には、半田ランド領域の境界線のみをＮｉ又はクロ
ムメッキで形成することができる。このとき、半田ラン
ド領域は銀メッキａを施すとよい。
１０の取付性を損なわないかぎりにおいて、上述以外の
態様を適宜に採用し得ることは勿論であり、また、図３
（ｃ）において、レジスト印刷に代えて、Ｎｉメッキ、
クロムメッキで壁４０を形成することもできる。さら
に、リードフレーム１の全面Ｎｉメッキに代えてクロム
メッキを採用でき、リードフレーム全面をメッキしない
場合には、半田ランド領域の境界線のみをＮｉ又はクロ
ムメッキで形成することができる。このとき、半田ラン
ド領域は銀メッキａを施すとよい。
【００３０】さらに、この発明は、Ｓｎ−Ａｇ共晶半田
以外の種々の半田においても採用し得ることは言うまで
もない。
以外の種々の半田においても採用し得ることは言うまで
もない。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、以上のように半田フラック
ス揮発成分の飛散を防止したので、歩留りを高めること
ができる。
ス揮発成分の飛散を防止したので、歩留りを高めること
ができる。
【図１】一実施例の斜視図
【図２】同実施例の断面図
【図３（ａ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｂ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｃ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｄ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｅ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｆ）】同実施例の製作説明図
【図３（ｇ）】同実施例の製作説明図
【図４（ａ）】他の各実施例の断面図
【図４（ｂ）】他の各実施例の断面図
【図４（ｃ）】他の各実施例の断面図
【図４（ｄ）】他の各実施例の断面図
【図４（ｅ）】他の各実施例の断面図
【図５】（ａ）、（ｂ）ともに他の実施例の製作説明図
【図６】他の実施例の製作説明図
【図７】従来例の断面図
Ｃ レジスタコネクタ
１ リードフレーム
２ 樹脂モールド被覆
１０ 抵抗器
１１ 抵抗器の基板
１２ 抵抗体
１３ ガラス製保護層
１４ 電極
２０ シリコン樹脂（緩衝層）
４０ 壁（レジスト印刷）
４０’ Ｖ溝
ａ 銀メッキ
ｂ 半田
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2000−173803（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−275602（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−218113（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−272901（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01C 1/016
Claims (11)
- 【請求項１】 並列した対のリードフレーム１、１の抵
抗器電極接続位置に半田ｂを印刷し、その対のリードフ
レーム１、１に抵抗器１０を前記半田ｂを介して電気的
に接続し、そのリードフレーム１、１の端子部１ａ、１
ａを突出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２し
てレジスタコネクタを製造する際、 上記樹脂モールド被覆２の前に上記半田ｂのフラックス
固形成分を高温放置により十分炭化させるとともに、揮
発成分を十分揮発させた後、上記樹脂モールド被覆２を
することを特徴とするレジスタコネクタの製造方法。 - 【請求項２】 上記リードフレーム１に抵抗器１０を半
田ｂを介してリフローにより電気的に接続し、そのリフ
ローの温度、時間又はその両者を通常より高く、長く又
は高くかつ長くして、前記フラックスの固形成分炭化及
び揮発成分揮発を十分にさせることを特徴とする請求項
１に記載のレジスタコネクタの製造方法。 - 【請求項３】 上記リードフレーム１に抵抗器１０を半
田ｂを介して電気的に接続した後に、フラックスの炭化
・揮発工程を付加して、上記フラックス固形成分の炭化
及び揮発成分の揮発を十分にさせることを特徴とする請
求項１に記載のレジスタコネクタの製造方法。 - 【請求項４】 上記半田を鉛フリー半田ｂとしたことを
特徴とする請求項１に記載のレジスタコネクタの製造方
法。 - 【請求項５】 上記リードフレーム１、１は、全面にニ
ッケルメッキが施され、その上記抵抗器電極接続部とな
る半田ランド部には銀メッキａを施したものを使用した
ことを特徴とする請求項４に記載のレジスタコネクタの
製造方法。 - 【請求項６】 並列した対のリードフレーム１、１に抵
抗器１０の両電極１４、１４を半田ｂにより電気的に接
続し、そのリードフレーム１、１の端子部１ａ、１ａを
突出させて前記抵抗器１０を樹脂モールド被覆２したレ
ジスタコネクタを請求項１乃至５のいずれか一つに記載
の製造方法で作る際、 上記リードフレーム１、１に壁４０又は溝４０’を形成
したものを使用して、その壁４０又は溝４０’により、
前記リードフレーム１の前記抵抗器１０の電極接続部と
前記端子部１ａの間に前記半田ｂの端子部１ａ側への流
れを防ぐようにしたことを特徴とするレジスタコネクタ
の製造方法。 - 【請求項７】 上記壁４０又は溝４０’が上記電極接続
部周り全周に亘って形成されていることを特徴とする請
求項６に記載のレジスタコネクタの製造方法。 - 【請求項８】 上記壁４０がレジスト印刷、クロムメッ
キ、又はニッケルメッキにより形成されていることを特
徴とする請求項６又は７に記載のレジスタコネクタの製
造方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか一つに記載の
レジスタコネクタの製造方法において、上記リードフレ
ーム１、１に抵抗器１０を接続後、その抵抗器１０の少
なくとも上面に緩衝層２０を形成した後、樹脂モールド
被覆２することを特徴とするレジスタコネクタの製造方
法。 - 【請求項１０】 上記緩衝層２０がシリコン樹脂から成
ることを特徴とする請求項９に記載のレジスタコネクタ
の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか一つに記
載の製造方法により製造されたレジスタコネクタ。
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|---|---|---|---|
| JP2001021949A JP3520854B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | レジスタコネクタ及びその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021949A JP3520854B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | レジスタコネクタ及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP2002231501A JP2002231501A (ja) | 2002-08-16 |
| JP3520854B2 true JP3520854B2 (ja) | 2004-04-19 |
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|---|---|---|---|
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| KR101697381B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2017-01-17 | 타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이. | Ｐｔｃ 디바이스 |
| DE102012109704A1 (de) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | Epcos Ag | Keramisches Bauelement mit Schutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
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| CN109599334A (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-09 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 用于绝缘栅双极晶体管的制造方法 |
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| JPH07272901A (ja) | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Rohm Co Ltd | 樹脂モールド型電子部品 |
| JPH0970687A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-03-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 無鉛はんだ合金 |
| US5804880A (en) * | 1996-11-04 | 1998-09-08 | National Semiconductor Corporation | Solder isolating lead frame |
| JPH10144718A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | スズ基鉛フリーハンダワイヤー及びボール |
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- 2001-01-30 JP JP2001021949A patent/JP3520854B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-29 EP EP02710370A patent/EP1357563A4/en not_active Withdrawn
- 2002-01-29 US US10/451,161 patent/US6820324B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-29 CN CNA028040252A patent/CN1605109A/zh active Pending
- 2002-01-29 WO PCT/JP2002/000649 patent/WO2002061768A1/ja active Application Filing
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