JP2000153210A - 回転基板処理装置 - Google Patents
回転基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板が大型化しても、基板単位面積当たりの
処理液の供給量を基板表面全体にわたってほぼ同一とす
る。 【解決手段】 回転基板処理装置は、基板１が水平に載
置され回転自在な基板回転台２と、軸方向に沿って複数
のノズル７ａ〜７ｅが設けられ基板回転台２の上方に配
置された処理液供給管９と、基板回転台２を回転させる
回転駆動モータとを備えている。そして、基板回転台２
の回転に伴って回転する基板１に向かってノズル７ａ〜
７ｅから処理液を供給することにより、基板１の表面処
理を行う。このような回転基板処理装置において、各ノ
ズル７ａ〜７ｅの径を、基板１の回転中心からの距離が
大きくなるにつれて大きくする。
処理液の供給量を基板表面全体にわたってほぼ同一とす
る。 【解決手段】 回転基板処理装置は、基板１が水平に載
置され回転自在な基板回転台２と、軸方向に沿って複数
のノズル７ａ〜７ｅが設けられ基板回転台２の上方に配
置された処理液供給管９と、基板回転台２を回転させる
回転駆動モータとを備えている。そして、基板回転台２
の回転に伴って回転する基板１に向かってノズル７ａ〜
７ｅから処理液を供給することにより、基板１の表面処
理を行う。このような回転基板処理装置において、各ノ
ズル７ａ〜７ｅの径を、基板１の回転中心からの距離が
大きくなるにつれて大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回転基板処理装置に
係り、特に、基板を回転させながら塗布液、現像液、ま
たは洗浄液等の処理液を基板表面へ供給して、基板の表
面処理を行う回転基板処理装置に関するものである。
係り、特に、基板を回転させながら塗布液、現像液、ま
たは洗浄液等の処理液を基板表面へ供給して、基板の表
面処理を行う回転基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体および液晶ディスプレイ製造装置
などには回転基板処理装置が広く使用されている。この
ような回転基板処理装置においては、回転する基板の表
面全体にできるだけ均一に処理液が供給されるようにす
るために、各種形式の処理液供給ノズルが提案されてい
る。
などには回転基板処理装置が広く使用されている。この
ような回転基板処理装置においては、回転する基板の表
面全体にできるだけ均一に処理液が供給されるようにす
るために、各種形式の処理液供給ノズルが提案されてい
る。
【０００３】例えば、特開平５−２６９４２５号公報
（従来例１）には、円盤状基板の半径方向に沿って複数
のノズルが配列され、各ノズルから液温の異なる塗布液
を吐出することにより、基板の内周側と外周側とで塗膜
の厚み分布を操作できるようにした装置が開示されてい
る。
（従来例１）には、円盤状基板の半径方向に沿って複数
のノズルが配列され、各ノズルから液温の異なる塗布液
を吐出することにより、基板の内周側と外周側とで塗膜
の厚み分布を操作できるようにした装置が開示されてい
る。
【０００４】また、特開平９−１３８５０８号公報（従
来例２）には、ノズルの吐出方向を基板の回転方向と同
一方向とし、基板上に吐出された処理液がスムーズに広
がるようにした装置が開示されている。
来例２）には、ノズルの吐出方向を基板の回転方向と同
一方向とし、基板上に吐出された処理液がスムーズに広
がるようにした装置が開示されている。
【０００５】また、特開平９−２７０４０９号公報（従
来例３）には、従来例２の場合とは逆に、ノズルの吐出
方向が基板の回転方向に対向するようにノズルを設置し
た装置が開示されている。
来例３）には、従来例２の場合とは逆に、ノズルの吐出
方向が基板の回転方向に対向するようにノズルを設置し
た装置が開示されている。
【０００６】さらに、特開平９−３１９０９４号公報
（従来例４）には、基板の回転中心から離れた円周上の
複数の箇所にノズルが設けられ、径の大きな範囲に短時
間で塗布できるようにした装置が開示されている。
（従来例４）には、基板の回転中心から離れた円周上の
複数の箇所にノズルが設けられ、径の大きな範囲に短時
間で塗布できるようにした装置が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体および液
晶ディスプレイ等の製品の生産性向上および生産コスト
低減のため、基板の大型化の要求が増加してきており、
それに伴い処理液を基板表面全体に均一に供給する技術
がますます重要な課題となっている。
晶ディスプレイ等の製品の生産性向上および生産コスト
低減のため、基板の大型化の要求が増加してきており、
それに伴い処理液を基板表面全体に均一に供給する技術
がますます重要な課題となっている。
【０００８】しかしながら、上記従来例ではいずれのも
のも、同じ径のノズルが配列されており、各ノズルから
の処理液の吐出量も同じであるために、基板サイズの大
型化に対応できなくなってきた。すなわち、各ノズル直
下での基板回転速度を比較してみると、基板中心部付近
では低速であるが、基板周辺部では高速となっており、
基板中心部付近と基板周辺部における基板回転速度の違
いによる影響のため、基板単位表面積当たりに供給され
る処理液の量に差が生じてしまう。この傾向は基板が大
型化すればするほど顕著になり、各ノズルから基板に吐
出された処理液が、基板表面全体にわたって均一厚さと
なるように、調整することが非常に困難となっている。
のも、同じ径のノズルが配列されており、各ノズルから
の処理液の吐出量も同じであるために、基板サイズの大
型化に対応できなくなってきた。すなわち、各ノズル直
下での基板回転速度を比較してみると、基板中心部付近
では低速であるが、基板周辺部では高速となっており、
基板中心部付近と基板周辺部における基板回転速度の違
いによる影響のため、基板単位表面積当たりに供給され
る処理液の量に差が生じてしまう。この傾向は基板が大
型化すればするほど顕著になり、各ノズルから基板に吐
出された処理液が、基板表面全体にわたって均一厚さと
なるように、調整することが非常に困難となっている。
【０００９】また、従来例２のようにノズルの吐出方向
を基板の回転方向と同一にしたり、もしくは、従来例３
のように基板の回転方向と逆方向にするだけでは、基板
中心部付近と基板周辺部における基板回転速度の違いに
よる影響のため、基板単位表面積当たりが受ける処理液
の吐出圧力に差が生じてしまう。この傾向は基板が大型
化すればするほど顕著になり、特に処理液として現像液
や洗浄液を使用した場合、基板中心部付近と基板周辺部
とでは現像および洗浄の仕上がり具合に大きな影響を与
えるという問題がある。
を基板の回転方向と同一にしたり、もしくは、従来例３
のように基板の回転方向と逆方向にするだけでは、基板
中心部付近と基板周辺部における基板回転速度の違いに
よる影響のため、基板単位表面積当たりが受ける処理液
の吐出圧力に差が生じてしまう。この傾向は基板が大型
化すればするほど顕著になり、特に処理液として現像液
や洗浄液を使用した場合、基板中心部付近と基板周辺部
とでは現像および洗浄の仕上がり具合に大きな影響を与
えるという問題がある。
【００１０】本発明の目的は、基板が大型化しても、基
板単位面積当たりの処理液の供給量および吐出圧力を、
基板表面全体にわたってほぼ同一とすることのできる回
転基板処理装置を提供することである。
板単位面積当たりの処理液の供給量および吐出圧力を、
基板表面全体にわたってほぼ同一とすることのできる回
転基板処理装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、軸方向に沿って複数のノズルが設けられ前記基
板回転台の上方に配置された処理液供給管と、前記基板
回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板回転
台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記複数
のノズルから処理液を供給することにより、前記基板の
表面を処理する回転基板処理装置において、前記各ノズ
ルの径を、前記基板の回転中心から距離に応じて変えた
ことを特徴としている。そして前記各ノズルの径を、前
記基板の回転中心からの距離が大きくなるにつれて大き
くしたことである。
に、本発明は、基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、軸方向に沿って複数のノズルが設けられ前記基
板回転台の上方に配置された処理液供給管と、前記基板
回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板回転
台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記複数
のノズルから処理液を供給することにより、前記基板の
表面を処理する回転基板処理装置において、前記各ノズ
ルの径を、前記基板の回転中心から距離に応じて変えた
ことを特徴としている。そして前記各ノズルの径を、前
記基板の回転中心からの距離が大きくなるにつれて大き
くしたことである。
【００１２】上記構成によれば、ノズルから基板上に供
給される処理液の供給量は、基板回転速度が小さい基板
中心部付近では少なく、基板回転速度の大きい基板周辺
部では多くなる。これによって、基板表面全体にわたっ
て処理液の供給量をほぼ同一にすることができる。
給される処理液の供給量は、基板回転速度が小さい基板
中心部付近では少なく、基板回転速度の大きい基板周辺
部では多くなる。これによって、基板表面全体にわたっ
て処理液の供給量をほぼ同一にすることができる。
【００１３】また、本発明は上記と同じ構成の回転基板
処理装置において、前記各ノズルの吐出方向が前記基板
の回転方向に対向するように各ノズルを傾斜させるとと
もに、前記各ノズルの傾斜角度を、前記基板の回転中心
から距離に応じて変えたことを特徴としている。そして
前記各ノズルの傾斜角度を、前記基板の回転中心からの
距離が大きくなるにつれて小さくしたことである。
処理装置において、前記各ノズルの吐出方向が前記基板
の回転方向に対向するように各ノズルを傾斜させるとと
もに、前記各ノズルの傾斜角度を、前記基板の回転中心
から距離に応じて変えたことを特徴としている。そして
前記各ノズルの傾斜角度を、前記基板の回転中心からの
距離が大きくなるにつれて小さくしたことである。
【００１４】上記構成によれば、ノズルから基板上に吐
出される処理液の吐出圧力は、基板回転速度が小さい基
板中心部付近では大きく、基板回転速度の大きい基板周
辺部では小さくなる。これによって、基板表面全体にわ
たって処理液の吐出圧力をほぼ同一にすることができ
る。
出される処理液の吐出圧力は、基板回転速度が小さい基
板中心部付近では大きく、基板回転速度の大きい基板周
辺部では小さくなる。これによって、基板表面全体にわ
たって処理液の吐出圧力をほぼ同一にすることができ
る。
【００１５】また、本発明は、上記と同じ構成の回転基
板処理装置において、前記基板表面から前記各ノズルの
吐出口までの高さを、前記基板の回転中心から距離に応
じて変えたことを特徴としている。そして前記基板表面
から前記各ノズルの吐出口までの高さを、前記基板の回
転中心からの距離が大きくなるにつれて小さくしたこと
である。このように構成した場合も、基板表面全体にわ
たって処理液の吐出圧力をほぼ同一にすることができ
る。
板処理装置において、前記基板表面から前記各ノズルの
吐出口までの高さを、前記基板の回転中心から距離に応
じて変えたことを特徴としている。そして前記基板表面
から前記各ノズルの吐出口までの高さを、前記基板の回
転中心からの距離が大きくなるにつれて小さくしたこと
である。このように構成した場合も、基板表面全体にわ
たって処理液の吐出圧力をほぼ同一にすることができ
る。
【００１６】さらに、本発明は、基板が水平に載置され
回転自在な基板回転台と、スリットノズルが設けられ前
記基板回転台の上方に配置された処理液供給部と、前記
基板回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板
回転台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記
スリットノズルから処理液を供給することにより、前記
基板の表面を処理する回転基板処理装置において、前記
スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中心か
ら距離に応じて変えたことを特徴としている。そして前
記スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中心
からの距離が大きくなるにつれて広くしたことである。
回転自在な基板回転台と、スリットノズルが設けられ前
記基板回転台の上方に配置された処理液供給部と、前記
基板回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板
回転台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記
スリットノズルから処理液を供給することにより、前記
基板の表面を処理する回転基板処理装置において、前記
スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中心か
ら距離に応じて変えたことを特徴としている。そして前
記スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中心
からの距離が大きくなるにつれて広くしたことである。
【００１７】上記構成によれば、スリットノズルから基
板上に供給される処理液の供給量は、基板回転速度が小
さい基板中心部付近では少なく、基板回転速度の大きい
基板周辺部では多くなる。これによって、基板表面全体
にわたって処理液の供給量をほぼ同一にすることができ
る。
板上に供給される処理液の供給量は、基板回転速度が小
さい基板中心部付近では少なく、基板回転速度の大きい
基板周辺部では多くなる。これによって、基板表面全体
にわたって処理液の供給量をほぼ同一にすることができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１による回
転基板処理装置の概略構成図である。また、図２は処理
液供給ノズルと基板だけを示し、他の部分を省略した斜
視図である。
て図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１による回
転基板処理装置の概略構成図である。また、図２は処理
液供給ノズルと基板だけを示し、他の部分を省略した斜
視図である。
【００１９】本実施の形態による回転基板処理装置は、
図１および図２に示すように、基板１を水平姿勢に保持
する基板回転台２、基板回転台２を支持する回転軸３、
回転軸３を回転させて基板回転台２に保持された基板１
を鉛直軸回りに回転させる回転駆動モータ４、基板１の
側方および下方を取り囲むように配設され基板１上から
周囲へ飛散する処理液８を回収するカップ５、基板回転
台２の上方に設置され５本の処理液供給ノズル７ａ，７
ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを有する処理液供給管９、および
処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの各々
を固定するノズル固定アーム６を備えている。処理液供
給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの位置は回転中
心１０を中心として回転する基板１０の半径方向に一致
している。なお、図示されていない構成要素は、従来の
回転基板処理装置と同じであるから、その説明は省略す
る。
図１および図２に示すように、基板１を水平姿勢に保持
する基板回転台２、基板回転台２を支持する回転軸３、
回転軸３を回転させて基板回転台２に保持された基板１
を鉛直軸回りに回転させる回転駆動モータ４、基板１の
側方および下方を取り囲むように配設され基板１上から
周囲へ飛散する処理液８を回収するカップ５、基板回転
台２の上方に設置され５本の処理液供給ノズル７ａ，７
ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを有する処理液供給管９、および
処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの各々
を固定するノズル固定アーム６を備えている。処理液供
給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの位置は回転中
心１０を中心として回転する基板１０の半径方向に一致
している。なお、図示されていない構成要素は、従来の
回転基板処理装置と同じであるから、その説明は省略す
る。
【００２０】図３は、処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄ，７ｅ（図３では代表させて７と記す）の具体
的構成例を示している。それぞれ、（Ａ）は単純ノズ
ル、（Ｂ）はスプレーノズル、（Ｃ）は二流体スプレー
ノズルである。単純ノズルはその先端部には何も設けら
れてないが、スプレーノズルの先端部にはスプレーノズ
ルヘッド１１が設けられている。また、二流体スプレー
ノズルにはスプレーノズルヘッド１１と空気供給管１２
とが設けられている。
ｃ，７ｄ，７ｅ（図３では代表させて７と記す）の具体
的構成例を示している。それぞれ、（Ａ）は単純ノズ
ル、（Ｂ）はスプレーノズル、（Ｃ）は二流体スプレー
ノズルである。単純ノズルはその先端部には何も設けら
れてないが、スプレーノズルの先端部にはスプレーノズ
ルヘッド１１が設けられている。また、二流体スプレー
ノズルにはスプレーノズルヘッド１１と空気供給管１２
とが設けられている。
【００２１】処理液供給ノズルは、使用する処理液の種
類に応じて選定される。例えば、（Ａ）の単純ノズル
は、フォトレジストのような塗布液を塗布する場合のノ
ズルとして用いられる。（Ｂ）のスプレーノズルは、現
像液のように短時間に基板表面全体に液を広がらせる場
合のノズルとして用いられる。（Ｃ）の二流体スプレー
ノズルは、高速空気流に処理液を混合して基板と処理液
との衝突力を高めたスプレーノズルであり、基板の洗浄
用として用いられる。
類に応じて選定される。例えば、（Ａ）の単純ノズル
は、フォトレジストのような塗布液を塗布する場合のノ
ズルとして用いられる。（Ｂ）のスプレーノズルは、現
像液のように短時間に基板表面全体に液を広がらせる場
合のノズルとして用いられる。（Ｃ）の二流体スプレー
ノズルは、高速空気流に処理液を混合して基板と処理液
との衝突力を高めたスプレーノズルであり、基板の洗浄
用として用いられる。
【００２２】本実施の形態では、５本の処理液供給ノズ
ル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅのノズル径Ｄが、基板
１の回転中心１０から各処理液供給ノズルの設置位置ま
での距離ｒに応じて異なっている。ノズル径Ｄの決定の
仕方は種々あるが、本実施の形態では、図４に示すよう
に、基板の回転中心１０から個々の処理液供給ノズルの
設置位置までの距離ｒの平方根（ルートｒ）に比例する
ように、各処理液供給ノズルのノズル径Ｄが決定されて
いる。このようにノズル径Ｄを決定した場合、処理液吐
出量Ｑはノズル径Ｄの２乗に比例するため、各処理液供
給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅからの処理液吐
出量Ｑは、各処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒ
に比例している。なお、処理液供給ノズルの本数は、５
本に限らず、基板１の大きさに応じて任意に選定するこ
とができる。
ル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅのノズル径Ｄが、基板
１の回転中心１０から各処理液供給ノズルの設置位置ま
での距離ｒに応じて異なっている。ノズル径Ｄの決定の
仕方は種々あるが、本実施の形態では、図４に示すよう
に、基板の回転中心１０から個々の処理液供給ノズルの
設置位置までの距離ｒの平方根（ルートｒ）に比例する
ように、各処理液供給ノズルのノズル径Ｄが決定されて
いる。このようにノズル径Ｄを決定した場合、処理液吐
出量Ｑはノズル径Ｄの２乗に比例するため、各処理液供
給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅからの処理液吐
出量Ｑは、各処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒ
に比例している。なお、処理液供給ノズルの本数は、５
本に限らず、基板１の大きさに応じて任意に選定するこ
とができる。
【００２３】本実施の形態によれば、処理液供給ノズル
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅのノズル径Ｄが基板１の
回転中心からの距離ｒに比例して大きく構成されている
ので、基板周辺部に向かうほど処理液の吐出量Ｑが増加
することになり、基板中心部付近と基板周辺部における
基板回転速度の違いにより発生していた基板単位表面積
当たりの処理液の供給量（処理液膜厚さ）の差をほとん
どなくすことが可能である。その結果、処理液８を基板
表面全体にわたって均一厚さにすることが可能となる。
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅのノズル径Ｄが基板１の
回転中心からの距離ｒに比例して大きく構成されている
ので、基板周辺部に向かうほど処理液の吐出量Ｑが増加
することになり、基板中心部付近と基板周辺部における
基板回転速度の違いにより発生していた基板単位表面積
当たりの処理液の供給量（処理液膜厚さ）の差をほとん
どなくすことが可能である。その結果、処理液８を基板
表面全体にわたって均一厚さにすることが可能となる。
【００２４】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２を示しており、処理液供給ノズルと基板だけを示し
他の部分を省略した斜視図である。他の構成は実施の形
態１の場合と同様である。
態２を示しており、処理液供給ノズルと基板だけを示し
他の部分を省略した斜視図である。他の構成は実施の形
態１の場合と同様である。
【００２５】本実施の形態では、５本の処理液供給ノズ
ル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅは、吐出方向が基板１
の回転方向に対向するように傾斜して設置されている。
そして、各処理液供給ノズルと基板１の表面とのなす角
θ（図５ではθａ〜θｅ）が、基板１の回転中心１０か
ら各処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒに応じて
異なっている。各処理液供給ノズルと基板１の表面との
なす角θの決定の仕方は種々あるが、一例として図６に
その決定方法を示す。
ル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅは、吐出方向が基板１
の回転方向に対向するように傾斜して設置されている。
そして、各処理液供給ノズルと基板１の表面とのなす角
θ（図５ではθａ〜θｅ）が、基板１の回転中心１０か
ら各処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒに応じて
異なっている。各処理液供給ノズルと基板１の表面との
なす角θの決定の仕方は種々あるが、一例として図６に
その決定方法を示す。
【００２６】図６のように、処理液供給ノズルの吐出口
から吐出される処理液の供給速度ベクトルを符号１３
で、基板回転速度ベクトルを符号１４でそれぞれ示す
と、供給速度ベクトル１３と基板回転速度ベクトル１４
とのなす角度はθである。そして、この角度θを、基板
回転速度ベクトル１４と、処理液供給速度と基板回転速
度の合成ベクトル１５とが直交するように決定する。す
なわち、基板中心部付近では基板回転速度ベクトル１４
の大きさは小さいため角度θは大きくなり、基板周辺部
で基板回転速度ベクトル１４の大きさは大きいため角度
θは小さくなる。以上をまとめると、処理液供給ノズル
の設置位置と角度θ（ノズル噴射角度）との関係は図７
に示すようになる。なお、処理液供給ノズルの本数は、
基板１の大きさに応じて任意に選定できる。
から吐出される処理液の供給速度ベクトルを符号１３
で、基板回転速度ベクトルを符号１４でそれぞれ示す
と、供給速度ベクトル１３と基板回転速度ベクトル１４
とのなす角度はθである。そして、この角度θを、基板
回転速度ベクトル１４と、処理液供給速度と基板回転速
度の合成ベクトル１５とが直交するように決定する。す
なわち、基板中心部付近では基板回転速度ベクトル１４
の大きさは小さいため角度θは大きくなり、基板周辺部
で基板回転速度ベクトル１４の大きさは大きいため角度
θは小さくなる。以上をまとめると、処理液供給ノズル
の設置位置と角度θ（ノズル噴射角度）との関係は図７
に示すようになる。なお、処理液供給ノズルの本数は、
基板１の大きさに応じて任意に選定できる。
【００２７】本実施の形態によれば、処理液供給ノズル
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅと基板表面とのなす角θ
を、基板中心部付近から基板周辺部へ向かって段階的に
小さくすることにより、基板表面が受ける処理液の吐出
圧力を調整することができ、基板中心部付近と基板周辺
部における基板回転速度の違いにより発生する基板単位
表面積当たりの処理液の吐出圧力の差をほとんどなくす
ことが可能になる。その結果、基板表面全体にわたっ
て、基板表面が受ける供給処理液の吐出圧力をほぼ均一
にすることができ、特に処理液として現像液や洗浄液を
使用した場合でも、基板中心部付近と基板周辺部とでの
現像および洗浄の仕上がり具合にはほとんど差が生じな
いようにすることが可能となる。
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅと基板表面とのなす角θ
を、基板中心部付近から基板周辺部へ向かって段階的に
小さくすることにより、基板表面が受ける処理液の吐出
圧力を調整することができ、基板中心部付近と基板周辺
部における基板回転速度の違いにより発生する基板単位
表面積当たりの処理液の吐出圧力の差をほとんどなくす
ことが可能になる。その結果、基板表面全体にわたっ
て、基板表面が受ける供給処理液の吐出圧力をほぼ均一
にすることができ、特に処理液として現像液や洗浄液を
使用した場合でも、基板中心部付近と基板周辺部とでの
現像および洗浄の仕上がり具合にはほとんど差が生じな
いようにすることが可能となる。
【００２８】（実施の形態３）図８は本発明の実施の形
態３による回転基板処理装置の概略構成図である。本実
施の形態では、５本の処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄ，７ｅは、基板１から各ノズルの吐出口までの
高さＨが、基板１の回転中心１０から各処理液供給ノズ
ルの設置位置までの距離ｒに応じて異なっている。他の
構成は実施の形態１の場合と同じである。
態３による回転基板処理装置の概略構成図である。本実
施の形態では、５本の処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄ，７ｅは、基板１から各ノズルの吐出口までの
高さＨが、基板１の回転中心１０から各処理液供給ノズ
ルの設置位置までの距離ｒに応じて異なっている。他の
構成は実施の形態１の場合と同じである。
【００２９】基板表面から各処理液供給ノズルの吐出口
までの高さＨの決定の仕方は種々あるが、本実施の形態
では、図８に示すように、基板１の回転中心１０から各
処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒに応じて、高
さＨが比例するように設定されている。ただし、この場
合、比例定数は負であり、基板１の回転中心１０からの
距離ｒが大きくなると、高さＨは小さくなる。なお、処
理液供給ノズルの本数は、基板１の大きさに応じて任意
に選定できる。
までの高さＨの決定の仕方は種々あるが、本実施の形態
では、図８に示すように、基板１の回転中心１０から各
処理液供給ノズルの設置位置までの距離ｒに応じて、高
さＨが比例するように設定されている。ただし、この場
合、比例定数は負であり、基板１の回転中心１０からの
距離ｒが大きくなると、高さＨは小さくなる。なお、処
理液供給ノズルの本数は、基板１の大きさに応じて任意
に選定できる。
【００３０】本実施の形態によれば、基板表面から処理
液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの吐出口ま
での高さＨを、基板中心部付近から基板周辺部へ向かっ
て段階的に小さくすることにより、基板表面が受ける処
理液の吐出圧力を調整することができる。その結果、基
板表面全体にわたって、基板表面が受ける供給処理液の
吐出圧力をほぼ均一にすることが可能で、実施の形態２
の場合と同様な効果を期待できる。
液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅの吐出口ま
での高さＨを、基板中心部付近から基板周辺部へ向かっ
て段階的に小さくすることにより、基板表面が受ける処
理液の吐出圧力を調整することができる。その結果、基
板表面全体にわたって、基板表面が受ける供給処理液の
吐出圧力をほぼ均一にすることが可能で、実施の形態２
の場合と同様な効果を期待できる。
【００３１】なお、以上説明した実施の形態１〜３のう
ち、実施の形態１と実施の形態２を組み合わせてもよい
し、実施の形態１と実施の形態３を組み合わせてもよい
し、実施の形態２と実施の形態３を組み合わせてもよ
い。さらに、実施の形態１〜３のすべてを組み合わせる
こともできる。
ち、実施の形態１と実施の形態２を組み合わせてもよい
し、実施の形態１と実施の形態３を組み合わせてもよい
し、実施の形態２と実施の形態３を組み合わせてもよ
い。さらに、実施の形態１〜３のすべてを組み合わせる
こともできる。
【００３２】また、実施の形態２や実施の形態３でも、
処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅとして
は、図３に示した３種類のノズルの中から任意に選定す
ることができる。
処理液供給ノズル７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅとして
は、図３に示した３種類のノズルの中から任意に選定す
ることができる。
【００３３】（実施の形態４）図９は本発明の実施の形
態４を示しており、処理液供給ノズルと基板だけを示し
他の部分を省略した斜視図である。他の構成は実施の形
態１の場合と同様である。
態４を示しており、処理液供給ノズルと基板だけを示し
他の部分を省略した斜視図である。他の構成は実施の形
態１の場合と同様である。
【００３４】本実施の形態では、処理液供給ノズルとし
てスリットノズル１６が用いられ、このスリットノズル
１６は基板１の上方に設置され、その位置は回転中心１
０を中心として回転する基板１０の半径方向に一致して
いる。スリットノズル１６は、その吐出口の幅ｔが基板
１の回転中心１０からの距離ｒに応じて変化しており、
基板中心部付近では狭く、基板周辺部では広くなってい
る。スリットノズル１６の幅ｔの決定の仕方は種々ある
が、本実施の形態では、図１０に示すように、基板１の
回転中心１０からの距離ｒに比例して、スリットノズル
の幅ｔが直線的に広くなっている。
てスリットノズル１６が用いられ、このスリットノズル
１６は基板１の上方に設置され、その位置は回転中心１
０を中心として回転する基板１０の半径方向に一致して
いる。スリットノズル１６は、その吐出口の幅ｔが基板
１の回転中心１０からの距離ｒに応じて変化しており、
基板中心部付近では狭く、基板周辺部では広くなってい
る。スリットノズル１６の幅ｔの決定の仕方は種々ある
が、本実施の形態では、図１０に示すように、基板１の
回転中心１０からの距離ｒに比例して、スリットノズル
の幅ｔが直線的に広くなっている。
【００３５】本実施の形態によれば、スリットノズル１
６を設置したことにより、基板周辺部に向かうほど吐出
口からの処理液吐出量Ｑが増加するため、基板中心部付
近と基板周辺部における基板回転速度の違いにより発生
していた基板単位面積当たりの処理液供給量（処理液厚
さ）の差をほどんどなくすことが可能となり、実施の形
態１の場合と同様の効果を期待できる。
６を設置したことにより、基板周辺部に向かうほど吐出
口からの処理液吐出量Ｑが増加するため、基板中心部付
近と基板周辺部における基板回転速度の違いにより発生
していた基板単位面積当たりの処理液供給量（処理液厚
さ）の差をほどんどなくすことが可能となり、実施の形
態１の場合と同様の効果を期待できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板中部付近でもまた基板周辺部でも、基板単位面積当
たりの処理液供給量がほぼ同じとなり、処理液を基板表
面全体にわたって均一厚さにすることが可能となる。
基板中部付近でもまた基板周辺部でも、基板単位面積当
たりの処理液供給量がほぼ同じとなり、処理液を基板表
面全体にわたって均一厚さにすることが可能となる。
【００３７】また、処理液の吐出圧力も、基板中心部付
近でもまた基板周辺部でもほぼ同じとなり、特に処理液
として現像液や洗浄液を使用した場合には、基板表面全
体にわたって現像および洗浄の仕上がり具合を同じよう
にすることが可能となる。
近でもまた基板周辺部でもほぼ同じとなり、特に処理液
として現像液や洗浄液を使用した場合には、基板表面全
体にわたって現像および洗浄の仕上がり具合を同じよう
にすることが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１による回転基板処理装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】実施の形態１での処理液供給ノズルの特徴部分
を示した斜視図である。
を示した斜視図である。
【図３】処理液供給ノズルの具体的構成を示した図であ
る。
る。
【図４】処理液供給ノズルの設置位置とノズル径との関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図５】本発明の実施の形態２による処理液供給ノズル
の特徴部分を示した図である。
の特徴部分を示した図である。
【図６】処理液供給ノズルと基板表面とのなす角につい
ての説明図である。
ての説明図である。
【図７】処理液供給ノズルの設置位置とノズル噴射角度
との関係を示した図である。
との関係を示した図である。
【図８】本発明の実施の形態３による回転基板処理装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図９】本発明の実施の形態４による処理液供給ノズル
の特徴部分を示した図である。
の特徴部分を示した図である。
【図１０】スリットノズルの吐出口の詳細を示した図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 基板回転台 ３ 回転軸 ４ 回転駆動モータ（回転駆動部） ５ カップ ６ ノズル固定アーム ７ 処理液供給ノズル ７ａ〜７ｅ 処理液供給ノズル ８ 処理液 ９ 処理液供給管 １０ 基板回転中心 １１ スプレーノズルヘッド １２ 空気供給管 １３ 処理液供給速度ベクトル １４ 基板回転速度ベクトル １５ 処理液供給速度と基板回転速度の合成ベクトル １６ スリットノズル
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｃ (72)発明者 東 人士 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA05 FA15 2H096 CA14 GA31 4D075 AC64 AC84 DA08 DC22 EA45 4F042 AA07 EB18 5F046 JA02 JA04 LA04
Claims (8)
- 【請求項１】 基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、軸方向に沿って複数のノズルが設けられ前記基
板回転台の上方に配置された処理液供給管と、前記基板
回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板回転
台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記複数
のノズルから処理液を供給することにより、前記基板の
表面を処理する回転基板処理装置において、 前記各ノズルの径を、前記基板の回転中心から距離に応
じて変えたことを特徴とする回転基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の回転基板処理装置にお
いて、 前記各ノズルの径を、前記基板の回転中心からの距離が
大きくなるにつれて大きくしたことを特徴とする回転基
板処理装置。 - 【請求項３】 基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、軸方向に沿って複数のノズルが設けられ前記基
板回転台の上方に配置された処理液供給管と、前記基板
回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板回転
台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記複数
のノズルから処理液を供給することにより、前記基板の
表面を処理する回転基板処理装置において、 前記各ノズルの吐出方向が前記基板の回転方向に対向す
るように各ノズルを傾斜させるとともに、前記各ノズル
の傾斜角度を、前記基板の回転中心から距離に応じて変
えたことを特徴とする回転基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の回転基板処理装置にお
いて、 前記各ノズルの傾斜角度を、前記基板の回転中心からの
距離が大きくなるにつれて小さくしたことを特徴とする
回転基板処理装置。 - 【請求項５】 基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、軸方向に沿って複数のノズルが設けられ前記基
板回転台の上方に配置された処理液供給管と、前記基板
回転台を回転させる回転駆動部とを備え、前記基板回転
台の回転に伴って回転する前記基板に向かって前記複数
のノズルから処理液を供給することにより、前記基板の
表面を処理する回転基板処理装置において、 前記基板表面から前記各ノズルの吐出口までの高さを、
前記基板の回転中心から距離に応じて変えたことを特徴
とする回転基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の回転基板処理装置にお
いて、 前記基板表面から前記各ノズルの吐出口までの高さを、
前記基板の回転中心からの距離が大きくなるにつれて小
さくしたことを特徴とする回転基板処理装置。 - 【請求項７】 基板が水平に載置され回転自在な基板回
転台と、スリットノズルが設けられ前記基板回転台の上
方に配置された処理液供給部と、前記基板回転台を回転
させる回転駆動部とを備え、前記基板回転台の回転に伴
って回転する前記基板に向かって前記スリットノズルか
ら処理液を供給することにより、前記基板の表面を処理
する回転基板処理装置において、 前記スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中
心から距離に応じて変えたことを特徴とする回転基板処
理装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の回転基板処理装置にお
いて、 前記スリットノズルの吐出口の幅を、前記基板の回転中
心からの距離が大きくなるにつれて広くしたことを特徴
とする回転基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911698A JP2000153210A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 回転基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911698A JP2000153210A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 回転基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000153210A true JP2000153210A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18217800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32911698A Pending JP2000153210A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 回転基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000153210A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-11-19 JP JP32911698A patent/JP2000153210A/ja active Pending
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