JP2000150571A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度の高い不透明基板が使用でき、加圧治具
が少なくてハンドリング性が良く、加圧時間が短いため
生産性が良く、しかも設備投資費用が少なくコストの削
減が図れる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２の半導体素子５の実装位置に光硬
化型の絶縁性接着樹脂４を供給し、半導体素子５の裏面
に形成された光透過性の突起電極６ａ，６ｂを基板２の
側に向けて基板２の配線パターン３ａ，３ｂの上に突起
電極６ａ，６ｂを当接させて電気的に接続し、半導体素
子５の外周部から基板２と半導体素子５の間に光源９か
ら光１０を照射して絶縁性接着樹脂４を硬化させるとと
もに、光１０の入射方向に対して突起電極６ａ，６ｂの
背面の絶縁性接着樹脂４を突起電極６ａ，６ｂを透過し
た光で硬化させ半導体素子を基板に位置固定する。
が少なくてハンドリング性が良く、加圧時間が短いため
生産性が良く、しかも設備投資費用が少なくコストの削
減が図れる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２の半導体素子５の実装位置に光硬
化型の絶縁性接着樹脂４を供給し、半導体素子５の裏面
に形成された光透過性の突起電極６ａ，６ｂを基板２の
側に向けて基板２の配線パターン３ａ，３ｂの上に突起
電極６ａ，６ｂを当接させて電気的に接続し、半導体素
子５の外周部から基板２と半導体素子５の間に光源９か
ら光１０を照射して絶縁性接着樹脂４を硬化させるとと
もに、光１０の入射方向に対して突起電極６ａ，６ｂの
背面の絶縁性接着樹脂４を突起電極６ａ，６ｂを透過し
た光で硬化させ半導体素子を基板に位置固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に形成された
配線パターンの上に、実装すべき半導体素子の裏面に形
成された突起電極を当接させて電気的に接続し、前記基
板と半導体素子の裏面との間に介装された絶縁性接着樹
脂によって半導体素子を基板に位置固定した半導体装置
およびその製造方法に関する。
配線パターンの上に、実装すべき半導体素子の裏面に形
成された突起電極を当接させて電気的に接続し、前記基
板と半導体素子の裏面との間に介装された絶縁性接着樹
脂によって半導体素子を基板に位置固定した半導体装置
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、配線パターンの形成され
た基板に絶縁性接着樹脂を用いて半導体素子を実装する
ことにより構成され、その製造工程は、使用する絶縁性
接着樹脂が紫外線硬化型樹脂である場合と熱硬化型樹脂
である場合とによって異なる。
た基板に絶縁性接着樹脂を用いて半導体素子を実装する
ことにより構成され、その製造工程は、使用する絶縁性
接着樹脂が紫外線硬化型樹脂である場合と熱硬化型樹脂
である場合とによって異なる。
【０００３】従来の半導体装置の製造工程を図７と図８
に示す。図７は、紫外線硬化型樹脂を用いた半導体装置
の製造工程を示し、図８は、熱硬化型樹脂を用いた半導
体装置の製造工程を示している。
に示す。図７は、紫外線硬化型樹脂を用いた半導体装置
の製造工程を示し、図８は、熱硬化型樹脂を用いた半導
体装置の製造工程を示している。
【０００４】絶縁性接着樹脂としてエポキシ系、シリコ
ン系、あるいはアクリル系などの紫外線硬化型樹脂を用
いる場合には、図７（ａ）に示すように、半導体素子５
を実装する基板として、ガラスなどのように光や紫外線
などを透過する光透過性の透明基板１５を用いる。
ン系、あるいはアクリル系などの紫外線硬化型樹脂を用
いる場合には、図７（ａ）に示すように、半導体素子５
を実装する基板として、ガラスなどのように光や紫外線
などを透過する光透過性の透明基板１５を用いる。
【０００５】この透明基板１５にＣｒ−Ａｕ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，ＩＴＯなどをスパッタリング法や蒸着法により基板
配線用金属を形成した後、フォト・レジスト法によりレ
ジストを基板配線を形成する部分に残して基板配線用金
属をエッチングする、あるいは印刷法を用いて配線パタ
ーン３ａ，３ｂを形成し、配線基板１を形成する。
ｕ，ＩＴＯなどをスパッタリング法や蒸着法により基板
配線用金属を形成した後、フォト・レジスト法によりレ
ジストを基板配線を形成する部分に残して基板配線用金
属をエッチングする、あるいは印刷法を用いて配線パタ
ーン３ａ，３ｂを形成し、配線基板１を形成する。
【０００６】得られた配線基板１を加圧治具７の上に配
置し、配線基板１の半導体素子５の実装位置に紫外線硬
化型樹脂４を供給する。半導体素子５の裏面には、アル
ミ電極の上に電気めっき法などにより形成されたＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕなどからなる突起電極１２ａ，１２ｂが形成
されている。この突起電極１２ａ，１２ｂを配線基板１
の側に向けて、配線パターン３ａ，３ｂと重なるように
位置合わせし、図７（ｂ）に示すように加圧治具７，８
にて加圧して、配線パターン３ａと突起電極１２ａ、配
線パターン３ｂと突起電極１２ｂとを当接させ電気的に
接続する。
置し、配線基板１の半導体素子５の実装位置に紫外線硬
化型樹脂４を供給する。半導体素子５の裏面には、アル
ミ電極の上に電気めっき法などにより形成されたＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕなどからなる突起電極１２ａ，１２ｂが形成
されている。この突起電極１２ａ，１２ｂを配線基板１
の側に向けて、配線パターン３ａ，３ｂと重なるように
位置合わせし、図７（ｂ）に示すように加圧治具７，８
にて加圧して、配線パターン３ａと突起電極１２ａ、配
線パターン３ｂと突起電極１２ｂとを当接させ電気的に
接続する。
【０００７】そして、加圧治具７，８による加圧を保持
した状態で、加圧治具７の下部に配置された紫外線照射
器９より紫外線硬化型樹脂４に向けて紫外線１０を照射
する。照射された紫外線１０は、透明基板１５を透過し
て紫外線硬化型樹脂４を硬化する。その後、加圧治具
７，８を取り外し、加圧を解除することにより半導体装
置が得られる。
した状態で、加圧治具７の下部に配置された紫外線照射
器９より紫外線硬化型樹脂４に向けて紫外線１０を照射
する。照射された紫外線１０は、透明基板１５を透過し
て紫外線硬化型樹脂４を硬化する。その後、加圧治具
７，８を取り外し、加圧を解除することにより半導体装
置が得られる。
【０００８】一方、絶縁性接着樹脂としてエポキシ系、
シリコン系、あるいはアクリル系などの熱硬化型樹脂を
用いる場合には、図８（ａ）に示すように、半導体素子
５を実装する基板として、セラミックやガラスエポキシ
などのように光や紫外線などを透過しない不透明基板２
を用いる。
シリコン系、あるいはアクリル系などの熱硬化型樹脂を
用いる場合には、図８（ａ）に示すように、半導体素子
５を実装する基板として、セラミックやガラスエポキシ
などのように光や紫外線などを透過しない不透明基板２
を用いる。
【０００９】この不透明基板２に上記と同様にして配線
パターン３ａ，３ｂを形成した配線基板１を加圧治具１
７の上に配置し、配線基板１の半導体素子５の実装位置
に熱硬化型樹脂１６を供給する。
パターン３ａ，３ｂを形成した配線基板１を加圧治具１
７の上に配置し、配線基板１の半導体素子５の実装位置
に熱硬化型樹脂１６を供給する。
【００１０】半導体素子５は上記と同様の構成であり、
この半導体素子５の突起電極１２ａ，１２ｂを上記と同
様にして配線パターン３ａ，３ｂと当接させ、加圧治具
１７，１８にて加圧し、ねじ１９ａ，１９ｂと留め金２
０ａ，２０ｂにて加圧状態を保持する。
この半導体素子５の突起電極１２ａ，１２ｂを上記と同
様にして配線パターン３ａ，３ｂと当接させ、加圧治具
１７，１８にて加圧し、ねじ１９ａ，１９ｂと留め金２
０ａ，２０ｂにて加圧状態を保持する。
【００１１】そして、加圧状態を保持したまま半導体装
置５を電気炉などに入れて外周部より加熱し、熱硬化型
樹脂１６を硬化する。その後、加圧治具１７，１８を取
り外して加圧を解除することにより半導体装置が得られ
る。
置５を電気炉などに入れて外周部より加熱し、熱硬化型
樹脂１６を硬化する。その後、加圧治具１７，１８を取
り外して加圧を解除することにより半導体装置が得られ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造方法には、以下のような問題点が
ある。
来の半導体装置の製造方法には、以下のような問題点が
ある。
【００１３】図７に示す半導体装置の製造方法では、ガ
ラスなどの透明基板１５を使用する際には容易に製造で
きるものの、この透明基板１５よりも強度の高いセラミ
ックやガラスエポキシからなる不透明基板２を用いて半
導体装置を製造することが難しい。
ラスなどの透明基板１５を使用する際には容易に製造で
きるものの、この透明基板１５よりも強度の高いセラミ
ックやガラスエポキシからなる不透明基板２を用いて半
導体装置を製造することが難しい。
【００１４】すなわち、不透明基板２を用いた配線基板
１の背後から紫外線１０を照射すると、紫外線１０が透
過しにくくなり紫外線硬化型樹脂４を充分に硬化するこ
とができず、信頼性が高く、耐久性の良い半導体装置を
得ることができない。
１の背後から紫外線１０を照射すると、紫外線１０が透
過しにくくなり紫外線硬化型樹脂４を充分に硬化するこ
とができず、信頼性が高く、耐久性の良い半導体装置を
得ることができない。
【００１５】また、図８に示す半導体装置の製造方法で
は、強度の高い不透明基板２は使用できるものの、熱可
塑性樹脂１６を固定するためには、図８（ｂ）に示すよ
うに多数の加熱治具にて固定した状態で電気炉などに入
れて加熱する必要があり、ハンドリング性が悪く、設備
費がかかりコスト高になる。また、一般に熱硬化型樹脂
の硬化には数十分から数時間かかることから加圧時間が
長くなり、生産性に劣るものである。
は、強度の高い不透明基板２は使用できるものの、熱可
塑性樹脂１６を固定するためには、図８（ｂ）に示すよ
うに多数の加熱治具にて固定した状態で電気炉などに入
れて加熱する必要があり、ハンドリング性が悪く、設備
費がかかりコスト高になる。また、一般に熱硬化型樹脂
の硬化には数十分から数時間かかることから加圧時間が
長くなり、生産性に劣るものである。
【００１６】本発明は前記問題点を解決し、強度の高い
不透明基板が使用でき、加圧治具が少なくてハンドリン
グ性が良く、加圧時間が短いため生産性が良く、しかも
設備投資費用が少なくコストの削減が図れる半導体装置
およびその製造方法を提供するものである。
不透明基板が使用でき、加圧治具が少なくてハンドリン
グ性が良く、加圧時間が短いため生産性が良く、しかも
設備投資費用が少なくコストの削減が図れる半導体装置
およびその製造方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子の裏面の構成を特殊にしたことを特徴とす
る。
半導体素子の裏面の構成を特殊にしたことを特徴とす
る。
【００１８】この本発明によると、光硬化型樹脂を使用
しても不透明基板の使用が可能となり、信頼性が高く耐
久性の良い半導体装置が得られる。また本発明の半導体
装置の製造方法は、半導体装置の突起電極の周囲の樹脂
を完全に硬化できるように光を照射することを特徴とす
る。
しても不透明基板の使用が可能となり、信頼性が高く耐
久性の良い半導体装置が得られる。また本発明の半導体
装置の製造方法は、半導体装置の突起電極の周囲の樹脂
を完全に硬化できるように光を照射することを特徴とす
る。
【００１９】この本発明によると、加圧治具を少なくし
てハンドリング性を向上させ、加圧時間を短縮して生産
性を良好にし、しかも大掛りな設備を必要としないため
コストの削減を図ることができる。
てハンドリング性を向上させ、加圧時間を短縮して生産
性を良好にし、しかも大掛りな設備を必要としないため
コストの削減を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】請求項１記載の半導体装置は、基
板に形成された配線パターンの上に、実装すべき半導体
素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電気的に
接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介装され
た絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固定
した半導体装置において、前記絶縁性接着樹脂を光硬化
型樹脂とするとともに、半導体素子の前記突起電極を光
透過性の材料で形成したことを特徴とする。
板に形成された配線パターンの上に、実装すべき半導体
素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電気的に
接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介装され
た絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固定
した半導体装置において、前記絶縁性接着樹脂を光硬化
型樹脂とするとともに、半導体素子の前記突起電極を光
透過性の材料で形成したことを特徴とする。
【００２１】この構成によると、突起電極の周囲の絶縁
性接着樹脂を完全に硬化し、突起電極と配線パターンと
の電気的接続を良好で信頼性の高いものとすることがで
きる。
性接着樹脂を完全に硬化し、突起電極と配線パターンと
の電気的接続を良好で信頼性の高いものとすることがで
きる。
【００２２】請求項２記載の半導体装置は、基板に形成
された配線パターンの上に、実装すべき半導体素子の裏
面に形成された突起電極を当接させて電気的に接続し、
前記基板と半導体素子の裏面との間に介装された絶縁性
接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固定した半導
体装置において、前記絶縁性接着樹脂を光硬化型樹脂と
するとともに、前記基板と半導体素子の裏面との間で半
導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の外周部から
内側に配設されて半導体素子の外周部から入射した光を
前記突起電極の背面に反射させる凸部を設けたことを特
徴とする。
された配線パターンの上に、実装すべき半導体素子の裏
面に形成された突起電極を当接させて電気的に接続し、
前記基板と半導体素子の裏面との間に介装された絶縁性
接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固定した半導
体装置において、前記絶縁性接着樹脂を光硬化型樹脂と
するとともに、前記基板と半導体素子の裏面との間で半
導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の外周部から
内側に配設されて半導体素子の外周部から入射した光を
前記突起電極の背面に反射させる凸部を設けたことを特
徴とする。
【００２３】この構成によっても上記と同様の効果が得
られる。請求項３記載の半導体装置は、請求項１におい
て、突起電極の先端で配線パターンとの接触面に、突起
電極の材質よりも低抵抗の材質の薄膜層を形成したこと
を特徴とする。
られる。請求項３記載の半導体装置は、請求項１におい
て、突起電極の先端で配線パターンとの接触面に、突起
電極の材質よりも低抵抗の材質の薄膜層を形成したこと
を特徴とする。
【００２４】この構成によると、突起電極の焼き付き不
良を解消してさらに信頼性の高い半導体装置を得ること
ができる。請求項４記載の半導体装置は、請求項２にお
いて、半導体素子の外周部から入射した光を突起電極の
背面に反射させる凸部を、半導体素子の裏面に設けたこ
とを特徴とする。
良を解消してさらに信頼性の高い半導体装置を得ること
ができる。請求項４記載の半導体装置は、請求項２にお
いて、半導体素子の外周部から入射した光を突起電極の
背面に反射させる凸部を、半導体素子の裏面に設けたこ
とを特徴とする。
【００２５】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
基板に形成された配線パターンの上に、実装すべき半導
体素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電気的
に接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介装さ
れた絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固
定した半導体装置を製造するに際し、基板の前記半導体
素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接着樹脂を供給し、
半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極を前
記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に半導
体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、半導体
素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間に光源
から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突起電極
の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるとともに、前記
光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前記絶縁性
接着樹脂を前記突起電極を透過した光で硬化させ半導体
素子を基板に位置固定することを特徴とする。
基板に形成された配線パターンの上に、実装すべき半導
体素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電気的
に接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介装さ
れた絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位置固
定した半導体装置を製造するに際し、基板の前記半導体
素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接着樹脂を供給し、
半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極を前
記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に半導
体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、半導体
素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間に光源
から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突起電極
の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるとともに、前記
光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前記絶縁性
接着樹脂を前記突起電極を透過した光で硬化させ半導体
素子を基板に位置固定することを特徴とする。
【００２６】この構成によると、上記の半導体装置が容
易に実現できる。請求項６記載の半導体装置の製造方法
は、基板に形成された配線パターンの上に、実装すべき
半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電
気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介
装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位
置固定した半導体装置を製造するに際し、基板の前記半
導体素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接着樹脂を供給
し、半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極
を前記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に
半導体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、半
導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間に
光源から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突起
電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるとともに、
前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前記絶
縁性接着樹脂を、前記基板と半導体素子の裏面との間で
半導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の外周部か
ら内側に配設された凸部で半導体素子の外周部から入射
した光を前記突起電極の背面に反射させて硬化させ半導
体素子を基板に位置固定することを特徴とする。
易に実現できる。請求項６記載の半導体装置の製造方法
は、基板に形成された配線パターンの上に、実装すべき
半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接させて電
気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面との間に介
装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を基板に位
置固定した半導体装置を製造するに際し、基板の前記半
導体素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接着樹脂を供給
し、半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極
を前記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に
半導体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、半
導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間に
光源から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突起
電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるとともに、
前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前記絶
縁性接着樹脂を、前記基板と半導体素子の裏面との間で
半導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の外周部か
ら内側に配設された凸部で半導体素子の外周部から入射
した光を前記突起電極の背面に反射させて硬化させ半導
体素子を基板に位置固定することを特徴とする。
【００２７】この構成によっても上記と同様の効果が得
られる。以下、本発明の各実施の形態について図１〜図
６を用いて説明する。なお、上記従来例を示す図７と図
８と同様をなすものについては同一の符号をつけて説明
する。
られる。以下、本発明の各実施の形態について図１〜図
６を用いて説明する。なお、上記従来例を示す図７と図
８と同様をなすものについては同一の符号をつけて説明
する。
【００２８】（実施の形態１）図１〜図５は本発明の
（実施の形態１）を示す。紫外線硬化型樹脂４を用いる
点は上記従来例を示す図７と同様であるが、この（実施
の形態１）では、配線基板１を構成する基板としてセラ
ミック、ガラスエポキシなどからなる非透過性の不透明
基板２を用いるとともに、半導体装置５の配線基板１と
対向する裏面の構成を特殊にした点で異なる。
（実施の形態１）を示す。紫外線硬化型樹脂４を用いる
点は上記従来例を示す図７と同様であるが、この（実施
の形態１）では、配線基板１を構成する基板としてセラ
ミック、ガラスエポキシなどからなる非透過性の不透明
基板２を用いるとともに、半導体装置５の配線基板１と
対向する裏面の構成を特殊にした点で異なる。
【００２９】詳しくは、図１（ａ）に示すように、不透
明基板２に上記従来例と同様にして配線パターン３ａ，
３ｂの形成された配線基板１を加圧治具７に載置する。
絶縁性接着樹脂としては紫外線硬化型樹脂４を用い、こ
の紫外線硬化型樹脂４を配線基板１の半導体素子５の実
装位置に厚さが０．５〜５０μｍ程度となるように供給
する。
明基板２に上記従来例と同様にして配線パターン３ａ，
３ｂの形成された配線基板１を加圧治具７に載置する。
絶縁性接着樹脂としては紫外線硬化型樹脂４を用い、こ
の紫外線硬化型樹脂４を配線基板１の半導体素子５の実
装位置に厚さが０．５〜５０μｍ程度となるように供給
する。
【００３０】半導体素子５の裏面にはＩＴＯなどの透明
な導電性材料にて光透過性の突起電極６ａ，６ｂを形成
する。この半導体素子５の裏面を配線基板１の側に向け
て、配線パターン３ａと突起電極６ａ、配線パターン３
ｂと突起電極６ｂとが当接するように配置し、図１
（ｂ）に示すように加圧治具７、８にて半導体素子５を
加圧して、配線パターン３ａ，３ｂと突起電極６ａ，６
ｂとを電気的に接続する。
な導電性材料にて光透過性の突起電極６ａ，６ｂを形成
する。この半導体素子５の裏面を配線基板１の側に向け
て、配線パターン３ａと突起電極６ａ、配線パターン３
ｂと突起電極６ｂとが当接するように配置し、図１
（ｂ）に示すように加圧治具７、８にて半導体素子５を
加圧して、配線パターン３ａ，３ｂと突起電極６ａ，６
ｂとを電気的に接続する。
【００３１】加圧状態を保った状態で、半導体素子５の
外周部、具体的には半導体素子５の側面から配線基板１
と半導体素子５の間に向けて紫外線照射器９から紫外線
１０を照射する。紫外線照射により樹脂が硬化すると、
図２に示すように、突起電極６ａ，６ｂと電極パターン
３ａ，３ｂとは、矢印Ａで示す樹脂の収縮力により固定
される。
外周部、具体的には半導体素子５の側面から配線基板１
と半導体素子５の間に向けて紫外線照射器９から紫外線
１０を照射する。紫外線照射により樹脂が硬化すると、
図２に示すように、突起電極６ａ，６ｂと電極パターン
３ａ，３ｂとは、矢印Ａで示す樹脂の収縮力により固定
される。
【００３２】ところで、上記図７に示す従来の半導体素
子５の突起電極１２ａ，１２ｂは、一般に半導体素子５
のアルミ電極の上にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの不透明な金
属を電気めっき法などにより配置して形成している。
子５の突起電極１２ａ，１２ｂは、一般に半導体素子５
のアルミ電極の上にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの不透明な金
属を電気めっき法などにより配置して形成している。
【００３３】このような突起電極１２ａ，１２ｂを使用
すると、上述のように半導体素子５の側面から紫外線１
０を照射した際に、図３（ａ）に示すように突起電極１
２ａ，１２ｂは紫外線１０を透過しないため、その前面
で紫外線１０は反射され、突起電極１２ａ，１２ｂの背
面には紫外線１０が照射されずハッチングで示すように
未硬化の部分１４が発生する。
すると、上述のように半導体素子５の側面から紫外線１
０を照射した際に、図３（ａ）に示すように突起電極１
２ａ，１２ｂは紫外線１０を透過しないため、その前面
で紫外線１０は反射され、突起電極１２ａ，１２ｂの背
面には紫外線１０が照射されずハッチングで示すように
未硬化の部分１４が発生する。
【００３４】このような未硬化の部分１４が発生する
と、加圧を解除した際に、未硬化の樹脂が突起電極１２
ａ，１２ｂと配線パターン３ａ，３ｂとの間に入り込
み、接続不良が発生して半導体装置の信頼性が低下する
こととなる。
と、加圧を解除した際に、未硬化の樹脂が突起電極１２
ａ，１２ｂと配線パターン３ａ，３ｂとの間に入り込
み、接続不良が発生して半導体装置の信頼性が低下する
こととなる。
【００３５】しかし、この（実施の形態１）では、上述
のように突起電極６ａ，６ｂは透明な導電性材料にて形
成されているため、図３（ｂ）に示すように半導体素子
５の側面から照射された紫外線１０は、突起電極６ａ，
６ｂを透過してその背面にある紫外線硬化型樹脂４を硬
化し、突起電極６ａ，６ｂの周囲の樹脂は完全に硬化さ
れる。
のように突起電極６ａ，６ｂは透明な導電性材料にて形
成されているため、図３（ｂ）に示すように半導体素子
５の側面から照射された紫外線１０は、突起電極６ａ，
６ｂを透過してその背面にある紫外線硬化型樹脂４を硬
化し、突起電極６ａ，６ｂの周囲の樹脂は完全に硬化さ
れる。
【００３６】従って、加圧を解除しても未硬化の樹脂が
突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３ａ，３ｂとの間に
入り込むことがなくなり、電気的接続が良好で信頼性の
高い半導体装置が得られる。
突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３ａ，３ｂとの間に
入り込むことがなくなり、電気的接続が良好で信頼性の
高い半導体装置が得られる。
【００３７】なお、この（実施の形態１）で得られた半
導体装置は、通常の動作モードでは矢印Ａで示す樹脂の
収縮力が矢印Ｂで示す樹脂の膨張力を上回っているた
め、図４（ａ）に示すように突起電極６ａ，６ｂと配線
パターン３ａ，３ｂとが密着しており、安定な電気的接
続が得られている。
導体装置は、通常の動作モードでは矢印Ａで示す樹脂の
収縮力が矢印Ｂで示す樹脂の膨張力を上回っているた
め、図４（ａ）に示すように突起電極６ａ，６ｂと配線
パターン３ａ，３ｂとが密着しており、安定な電気的接
続が得られている。
【００３８】しかし、半導体装置の使用中に半導体素子
５の誤動作などにより高温高圧状態にさらされると、突
起電極６ａ，６ｂを形成するＩＴＯなどの透明な導電性
材料はＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属に比べ２桁ほど抵抗
値が高いため、矢印Ａで示す樹脂の収縮力よりも矢印Ｂ
で示す樹脂の膨張力が大きくなることがある。
５の誤動作などにより高温高圧状態にさらされると、突
起電極６ａ，６ｂを形成するＩＴＯなどの透明な導電性
材料はＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属に比べ２桁ほど抵抗
値が高いため、矢印Ａで示す樹脂の収縮力よりも矢印Ｂ
で示す樹脂の膨張力が大きくなることがある。
【００３９】このような状態になると、図４（ｂ）に示
すように突起電極６ａ，６ｂの配線パターン３ａ，３ｂ
との接触面が配線パターン３ａ，３ｂの側に凸に褶曲し
た形状となり、突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３
ａ，３ｂとの間に隙間が生じてその接触面積が減少し、
電気的接続に不良が生じる。
すように突起電極６ａ，６ｂの配線パターン３ａ，３ｂ
との接触面が配線パターン３ａ，３ｂの側に凸に褶曲し
た形状となり、突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３
ａ，３ｂとの間に隙間が生じてその接触面積が減少し、
電気的接続に不良が生じる。
【００４０】その結果、突起電極６ａ，６ｂと配線パタ
ーン３ａ，３ｂとの接触部は高抵抗での電気的接続状態
となり、最終的にこの突起電極６ａ，６ｂが焼け付いて
不導体となり電気的接続を失ってしまう。
ーン３ａ，３ｂとの接触部は高抵抗での電気的接続状態
となり、最終的にこの突起電極６ａ，６ｂが焼け付いて
不導体となり電気的接続を失ってしまう。
【００４１】このような半導体装置の使用中の接続不良
を解消する手法として、この（実施の形態１）では、図
５に示すように、突起電極６ａ，６ｂの先端で配線パタ
ーン３ａ，３ｂとの接触面にＩＴＯなどの透明な導電性
材料よりも低抵抗の材質からなる薄膜層１１を形成する
ことが好ましい。
を解消する手法として、この（実施の形態１）では、図
５に示すように、突起電極６ａ，６ｂの先端で配線パタ
ーン３ａ，３ｂとの接触面にＩＴＯなどの透明な導電性
材料よりも低抵抗の材質からなる薄膜層１１を形成する
ことが好ましい。
【００４２】低抵抗の薄膜層１１を突起電極６ａ，６ｂ
の先端部に形成することで、上記のように半導体装置が
誤動作し予想の温度以上になり樹脂の膨張が起こった場
合でも、高抵抗の突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３
ａ，３ｂとは低抵抗の薄膜層１１を介して接続している
ためこの部分での抵抗値は変化せず、突起電極６ａ，６
ｂの焼き付きを防止することができる。
の先端部に形成することで、上記のように半導体装置が
誤動作し予想の温度以上になり樹脂の膨張が起こった場
合でも、高抵抗の突起電極６ａ，６ｂと配線パターン３
ａ，３ｂとは低抵抗の薄膜層１１を介して接続している
ためこの部分での抵抗値は変化せず、突起電極６ａ，６
ｂの焼き付きを防止することができる。
【００４３】薄膜層１１は、透明な導電性材料よりも低
抵抗の材質であれば特に限定されるものではないが、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属が好適に使用でき、このよう
な金属薄膜を使用すると、酸化などの変質を防ぐことが
可能となる。
抵抗の材質であれば特に限定されるものではないが、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属が好適に使用でき、このよう
な金属薄膜を使用すると、酸化などの変質を防ぐことが
可能となる。
【００４４】薄膜層１１の厚さは０．２μｍ程度であれ
ば良く、このような金属層は突起電極６ａ，６ｂをスパ
ッタリング法で形成した後、この突起電極６ａ，６ｂの
上にＡｕなどの材質をスパッタリング法またはめっき法
によって形成することにより得られる。
ば良く、このような金属層は突起電極６ａ，６ｂをスパ
ッタリング法で形成した後、この突起電極６ａ，６ｂの
上にＡｕなどの材質をスパッタリング法またはめっき法
によって形成することにより得られる。
【００４５】（実施の形態２）図６は、本発明の（実施
の形態２）を示す。上記（実施の形態１）では、半導体
素子５として透明な導電性材料からなる光透過性の突起
電極６ａ，６ｂが形成されたものを用いたが、この（実
施の形態２）では、上記従来例を示す図７と同様に金属
からなる非透過性の突起電極１２ａ，１２ｂが形成され
た半導体素子５を用いるとともに、突起電極１２ａ，１
２ｂの周辺部の紫外線硬化型樹脂を充分に硬化させる反
射手段を設けた点で異なり、その他の点については上記
（実施の形態１）とほぼ同様の構成である。
の形態２）を示す。上記（実施の形態１）では、半導体
素子５として透明な導電性材料からなる光透過性の突起
電極６ａ，６ｂが形成されたものを用いたが、この（実
施の形態２）では、上記従来例を示す図７と同様に金属
からなる非透過性の突起電極１２ａ，１２ｂが形成され
た半導体素子５を用いるとともに、突起電極１２ａ，１
２ｂの周辺部の紫外線硬化型樹脂を充分に硬化させる反
射手段を設けた点で異なり、その他の点については上記
（実施の形態１）とほぼ同様の構成である。
【００４６】具体的には、図６に示すように、反射手段
として半導体素子５の裏面に突起電極１２ａ，１２ｂよ
りも半導体素子５の外周部から内側に配設されて光源か
らの光を突起電極１２ａ，１２ｂの背面に反射させる凸
部１３ａ，１３ｂを設けた。
として半導体素子５の裏面に突起電極１２ａ，１２ｂよ
りも半導体素子５の外周部から内側に配設されて光源か
らの光を突起電極１２ａ，１２ｂの背面に反射させる凸
部１３ａ，１３ｂを設けた。
【００４７】この凸部１３ａ，１３ｂは、突起電極１２
ａ，１２ｂと同じ材質であり、具体的にはＡｕ等の金属
からなり、厚さ５〜３０μｍ程度の円柱形状で入射光を
突起電極１２ａ，１２ｂに対して反射させるものであ
る。また、この凸部１３ａ，１３ｂは、突起電極１２
ａ，１２ｂを形成する際に、スパッタリング法またはめ
っき法により同時に形成したものである。
ａ，１２ｂと同じ材質であり、具体的にはＡｕ等の金属
からなり、厚さ５〜３０μｍ程度の円柱形状で入射光を
突起電極１２ａ，１２ｂに対して反射させるものであ
る。また、この凸部１３ａ，１３ｂは、突起電極１２
ａ，１２ｂを形成する際に、スパッタリング法またはめ
っき法により同時に形成したものである。
【００４８】このような構成とすると、紫外線照射器９
から紫外線１０が照射された際に、突起電極１２ａ〜１
２ｃの前面および側面の紫外線硬化樹脂４は、外部から
直接入射した紫外線１０および突起電極１２ａ〜１２ｃ
の前面にて反射された紫外線１０にて硬化される。
から紫外線１０が照射された際に、突起電極１２ａ〜１
２ｃの前面および側面の紫外線硬化樹脂４は、外部から
直接入射した紫外線１０および突起電極１２ａ〜１２ｃ
の前面にて反射された紫外線１０にて硬化される。
【００４９】また、突起電極１２ａ〜１２ｃの背面側の
紫外線硬化樹脂４は、凸部１３ａ，１３ｂにて反射され
た光にて硬化されるため、突起電極１２ａ，１２ｂの周
囲に位置する紫外線硬化樹脂４は完全に硬化され、良好
な電気的接続が得られる。
紫外線硬化樹脂４は、凸部１３ａ，１３ｂにて反射され
た光にて硬化されるため、突起電極１２ａ，１２ｂの周
囲に位置する紫外線硬化樹脂４は完全に硬化され、良好
な電気的接続が得られる。
【００５０】なお、光の入射側に対し凸部１３ａ，１３
ｂの背面側には、紫外線１０が届かないためハッチング
１４で示すように樹脂が未硬化の部分が発生するが、突
起電極１２ａ〜１２ｃの周囲、すなわち電気的接続を保
証する必要がある部分では紫外線硬化型樹脂４は完全に
硬化している。このように突起電極１２ａ〜１２ｃの周
囲の樹脂は完全に硬化されているため、突起電極１２ａ
〜１２ｃと配線パターンとの間に未硬化の樹脂が入り込
むことがなくなり、良好な電気的接続が実現できる。ま
た、ハッチング１４で示される未硬化の樹脂は、紫外線
１０を照射した後に加圧を解除せずにそのまま電気炉に
入れて硬化し、加圧を解除することで、良好な物理的接
続が実現できる。
ｂの背面側には、紫外線１０が届かないためハッチング
１４で示すように樹脂が未硬化の部分が発生するが、突
起電極１２ａ〜１２ｃの周囲、すなわち電気的接続を保
証する必要がある部分では紫外線硬化型樹脂４は完全に
硬化している。このように突起電極１２ａ〜１２ｃの周
囲の樹脂は完全に硬化されているため、突起電極１２ａ
〜１２ｃと配線パターンとの間に未硬化の樹脂が入り込
むことがなくなり、良好な電気的接続が実現できる。ま
た、ハッチング１４で示される未硬化の樹脂は、紫外線
１０を照射した後に加圧を解除せずにそのまま電気炉に
入れて硬化し、加圧を解除することで、良好な物理的接
続が実現できる。
【００５１】また、紫外線１０を照射した後に電気炉を
使用する必要は生じるが、上記従来例を示す図８とは異
なり、突起電極１２ａ〜１２ｃの周囲の樹脂の硬化によ
り半導体素子５と配線基板１とが仮固定された状態とな
り大掛りな加圧治具を必要としないため、ハンドリング
性が低下することはない。さらに、電気炉のみを使用し
て樹脂を硬化する場合に較べてその硬化時間も短いもの
であるため、生産性が低下することもない。
使用する必要は生じるが、上記従来例を示す図８とは異
なり、突起電極１２ａ〜１２ｃの周囲の樹脂の硬化によ
り半導体素子５と配線基板１とが仮固定された状態とな
り大掛りな加圧治具を必要としないため、ハンドリング
性が低下することはない。さらに、電気炉のみを使用し
て樹脂を硬化する場合に較べてその硬化時間も短いもの
であるため、生産性が低下することもない。
【００５２】また、上記（実施の形態２）では凸部１３
ａ，１３ｂを半導体素子５の裏面に形成したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、配線基板１の側に形
成しても同様の効果が得られる。
ａ，１３ｂを半導体素子５の裏面に形成したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、配線基板１の側に形
成しても同様の効果が得られる。
【００５３】また、上記（実施の形態２）では、凸部１
３ａ，１３ｂを円柱形状としたが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば凸部１３ａ，１３ｂの形状
を三角柱にしてその頂点を入射光に対して配置する、あ
るいはその形状を四角柱として角部を入射光に対して配
置し、入射光を突起電極１２ａ，１２ｂの背面に反射す
るよう構成しても良い。
３ａ，１３ｂを円柱形状としたが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば凸部１３ａ，１３ｂの形状
を三角柱にしてその頂点を入射光に対して配置する、あ
るいはその形状を四角柱として角部を入射光に対して配
置し、入射光を突起電極１２ａ，１２ｂの背面に反射す
るよう構成しても良い。
【００５４】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置による
と、配線基板に半導体素子を実装する絶縁性接着樹脂を
光硬化型樹脂とするとともに、半導体素子の突起電極を
光透過性の材料で形成することで、突起電極の周囲の絶
縁性接着樹脂を完全に硬化し、突起電極と配線パターン
との電気的接続を良好で信頼性の高いものとすることが
できる。
と、配線基板に半導体素子を実装する絶縁性接着樹脂を
光硬化型樹脂とするとともに、半導体素子の突起電極を
光透過性の材料で形成することで、突起電極の周囲の絶
縁性接着樹脂を完全に硬化し、突起電極と配線パターン
との電気的接続を良好で信頼性の高いものとすることが
できる。
【００５５】あるいは、半導体素子の突起電極を光透過
性の材料で形成する代りに配線基板と半導体素子の裏面
との間で半導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の
外周部から内側に配設されて半導体素子の外周部から入
射した光を前記突起電極の背面に反射させる凸部を設け
ることによっても上記と同様の効果が得られる。
性の材料で形成する代りに配線基板と半導体素子の裏面
との間で半導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の
外周部から内側に配設されて半導体素子の外周部から入
射した光を前記突起電極の背面に反射させる凸部を設け
ることによっても上記と同様の効果が得られる。
【００５６】このような半導体装置は、ガラスなどの透
明基板よりも強度の高いセラミックやガラスエポキシか
らなる不透明基板を使用することができるため、耐久性
の良い半導体装置とすることができる。
明基板よりも強度の高いセラミックやガラスエポキシか
らなる不透明基板を使用することができるため、耐久性
の良い半導体装置とすることができる。
【００５７】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
ると、半導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素
子の間に光源から光を照射して、半導体素子の外周部と
前記突起電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させると
ともに、前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面
の前記絶縁性接着樹脂を前記突起電極を透過した光で硬
化させて半導体素子を基板に位置固定することで、上記
の半導体装置が容易に実現できる。
ると、半導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素
子の間に光源から光を照射して、半導体素子の外周部と
前記突起電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させると
ともに、前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面
の前記絶縁性接着樹脂を前記突起電極を透過した光で硬
化させて半導体素子を基板に位置固定することで、上記
の半導体装置が容易に実現できる。
【００５８】あるいは、半導体素子の外周部から前記基
板と前記半導体素子の間に光源から光を照射して、半導
体素子の外周部と前記突起電極の間の前記絶縁性接着樹
脂を硬化させるとともに、前記光の入射方向に対して前
記突起電極の背面の前記絶縁性接着樹脂を、前記基板と
半導体素子の裏面との間で半導体素子の前記突起電極よ
りも半導体素子の外周部から内側に配設された凸部で半
導体素子の外周部から入射した光を前記突起電極の背面
に反射させて硬化させ半導体素子を基板に位置固定する
ことで、上記の半導体装置が容易に実現できる。
板と前記半導体素子の間に光源から光を照射して、半導
体素子の外周部と前記突起電極の間の前記絶縁性接着樹
脂を硬化させるとともに、前記光の入射方向に対して前
記突起電極の背面の前記絶縁性接着樹脂を、前記基板と
半導体素子の裏面との間で半導体素子の前記突起電極よ
りも半導体素子の外周部から内側に配設された凸部で半
導体素子の外周部から入射した光を前記突起電極の背面
に反射させて硬化させ半導体素子を基板に位置固定する
ことで、上記の半導体装置が容易に実現できる。
【００５９】上記のような半導体装置の製造方法による
と、加圧治具を少なくしてハンドリング性を向上させ、
加圧時間を短縮して生産性を良好にし、しかも大掛りな
設備を必要としないためコストの削減を図ることができ
る。
と、加圧治具を少なくしてハンドリング性を向上させ、
加圧時間を短縮して生産性を良好にし、しかも大掛りな
設備を必要としないためコストの削減を図ることができ
る。
【図１】（実施の形態１）における半導体素子の実装工
程を示す図
程を示す図
【図２】（実施の形態１）における半導体素子と配線パ
ターンとの接続状態を示す一部拡大図
ターンとの接続状態を示す一部拡大図
【図３】（実施の形態１）における突起電極近傍の紫外
線の照射状況を示す模式図
線の照射状況を示す模式図
【図４】（実施の形態１）における突起電極と配線パタ
ーンとの接続状況を示す一部拡大図
ーンとの接続状況を示す一部拡大図
【図５】（実施の形態１）における突起電極と配線パタ
ーンとの接続状況を示す一部拡大図
ーンとの接続状況を示す一部拡大図
【図６】（実施の形態２）における突起電極近傍の紫外
線の照射状況を示す模式図
線の照射状況を示す模式図
【図７】従来の紫外線硬化型樹脂を用いた半導体素子の
実装工程を示す図
実装工程を示す図
【図８】従来の熱硬化型樹脂を用いた半導体素子の実装
工程を示す図
工程を示す図
１ 配線基板 ２ 不透明基板 ３ａ，３ｂ 配線パターン ４ 紫外線硬化型樹脂 ５ 半導体素子 ６ａ，６ｂ 突起電極 ７，８ 加圧治具 ９ 紫外線照射器 １０ 紫外線 １１ 導体薄膜 １２ａ，１２ｂ 突起電極 １３ａ，１３ｂ 凸部
Claims (6)
- 【請求項１】基板に形成された配線パターンの上に、実
装すべき半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接
させて電気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面と
の間に介装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を
基板に位置固定した半導体装置において、 前記絶縁性接着樹脂を光硬化型樹脂とするとともに、 半導体素子の前記突起電極を光透過性の材料で形成した
半導体装置。 - 【請求項２】基板に形成された配線パターンの上に、実
装すべき半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接
させて電気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面と
の間に介装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を
基板に位置固定した半導体装置において、 前記絶縁性接着樹脂を光硬化型樹脂とするとともに、 前記基板と半導体素子の裏面との間で半導体素子の前記
突起電極よりも半導体素子の外周部から内側に配設され
て半導体素子の外周部から入射した光を前記突起電極の
背面に反射させる凸部を設けた半導体装置。 - 【請求項３】突起電極の先端で配線パターンとの接触面
に、突起電極の材質よりも低抵抗の材質の薄膜層を形成
した請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】半導体素子の外周部から入射した光を突起
電極の背面に反射させる凸部を、半導体素子の裏面に設
けた請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項５】基板に形成された配線パターンの上に、実
装すべき半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接
させて電気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面と
の間に介装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を
基板に位置固定した半導体装置を製造するに際し、 基板の前記半導体素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接
着樹脂を供給し、 半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極を前
記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に半導
体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、 半導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間
に光源から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突
起電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるととも
に、前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前
記絶縁性接着樹脂を前記突起電極を透過した光で硬化さ
せ半導体素子を基板に位置固定する半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】基板に形成された配線パターンの上に、実
装すべき半導体素子の裏面に形成された突起電極を当接
させて電気的に接続し、前記基板と半導体素子の裏面と
の間に介装された絶縁性接着樹脂によって半導体素子を
基板に位置固定した半導体装置を製造するに際し、 基板の前記半導体素子の実装位置に光硬化型の絶縁性接
着樹脂を供給し、 半導体素子の裏面に形成された光透過性の突起電極を前
記基板の側に向けて前記基板の配線パターンの上に半導
体素子の突起電極を当接させて電気的に接続し、 半導体素子の外周部から前記基板と前記半導体素子の間
に光源から光を照射して、半導体素子の外周部と前記突
起電極の間の前記絶縁性接着樹脂を硬化させるととも
に、前記光の入射方向に対して前記突起電極の背面の前
記絶縁性接着樹脂を、前記基板と半導体素子の裏面との
間で半導体素子の前記突起電極よりも半導体素子の外周
部から内側に配設された凸部で半導体素子の外周部から
入射した光を前記突起電極の背面に反射させて硬化させ
半導体素子を基板に位置固定する半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31382098A JP2000150571A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31382098A JP2000150571A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150571A true JP2000150571A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18045915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31382098A Pending JP2000150571A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082582A (ja) * | 2011-01-25 | 2011-04-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体 |
| JP2014103378A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び圧着装置 |
-
1998
- 1998-11-05 JP JP31382098A patent/JP2000150571A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082582A (ja) * | 2011-01-25 | 2011-04-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体 |
| JP2014103378A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び圧着装置 |
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