JP2000031224A - Evaluation of semiconductor wafer - Google Patents
Evaluation of semiconductor waferInfo
- Publication number
- JP2000031224A JP2000031224A JP10208634A JP20863498A JP2000031224A JP 2000031224 A JP2000031224 A JP 2000031224A JP 10208634 A JP10208634 A JP 10208634A JP 20863498 A JP20863498 A JP 20863498A JP 2000031224 A JP2000031224 A JP 2000031224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- shape
- semiconductor wafer
- back surface
- quantitatively
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、デバイス工程等で
問題となる、半導体ウエーハの表面形状の定量的な評価
方法に関するもので、特にうねり成分を定量的に評価す
る方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for quantitatively evaluating a surface shape of a semiconductor wafer, which is a problem in a device process or the like, and more particularly to a method for quantitatively evaluating a waviness component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の半導体デバイスの高集積化に伴
い、用いられる半導体ウエーハ表面の平坦度に対する要
求もますます厳しくなっている。特に、半導体ウエーハ
がデバイスプロセス等でウエーハチャック等に吸着され
た場合、ウエーハの反りが矯正される反面、ウエーハの
裏面に存在する凹凸が表面に転写し、デバイス工程の製
造歩留りを悪化させる。したがって、半導体ウエーハ表
面の平坦度を向上させるためには、半導体ウエーハの表
面のみならず裏面の平坦度を改善する必要があるが、そ
のためにはこれらの半導体ウエーハの平坦度を正確に測
定して評価する必要がある。2. Description of the Related Art With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, the demand for the flatness of the surface of a semiconductor wafer used has become more and more severe. In particular, when a semiconductor wafer is attracted to a wafer chuck or the like in a device process or the like, the warpage of the wafer is corrected, but the unevenness existing on the back surface of the wafer is transferred to the front surface, thereby deteriorating the manufacturing yield in the device process. Therefore, in order to improve the flatness of the front surface of the semiconductor wafer, it is necessary to improve the flatness of not only the front surface but also the back surface of the semiconductor wafer. For this purpose, the flatness of these semiconductor wafers must be accurately measured. Need to be evaluated.
【０００３】従来、一般に半導体ウエーハの製造方法
は、図４に工程の流れ図を示すように、単結晶製造装置
によって育成された単結晶棒をワイヤソーや内周刃切断
機によってスライスして薄円板状のウエーハを得るスラ
イス工程Ａと、該スライス工程Ａで得られたウエーハの
割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部を面取りする
面取り工程Ｂと、面取りされたウエーハをラッピングし
てこれを平坦化するラッピング工程Ｃと、面取りおよび
ラッピングされたウエーハ表面に残留する加工歪を除去
するエッチング工程Ｄと、エッチングされたウエーハを
研磨して鏡面状に仕上げ、表面粗さや平坦度を向上させ
る鏡面研磨工程Ｅと、鏡面研磨されたウエーハを洗浄し
てこれに付着した研磨材や異物を除去する洗浄工程Ｆと
から成る。Conventionally, a method of manufacturing a semiconductor wafer generally uses a single-crystal rod grown by a single-crystal manufacturing apparatus sliced by a wire saw or an inner peripheral cutting machine as shown in FIG. Slicing step A for obtaining a wafer in a shape, chamfering step B for chamfering an outer peripheral edge portion of the wafer obtained in the slicing step A in order to prevent cracking and chipping, and lapping and flattening the chamfered wafer. Lapping step C, etching step D for removing the processing strain remaining on the chamfered and wrapped wafer surface, and mirror polishing step for polishing the etched wafer to a mirror-like finish to improve the surface roughness and flatness. E, and a cleaning step F of cleaning the mirror-polished wafer to remove abrasives and foreign substances adhering thereto.
【０００４】この場合、研磨加工が行われるウエーハに
は、エッチング工程等で生じた凹凸が表面あるいは裏面
に存在する。研磨加工時にウエーハの片面（裏面）を吸
着保持し、他方の面（表面）を研磨しょうとすると、裏
面の凹凸形状が表面に転写された状態で研磨加工が行わ
れることになる。したがって、研磨終了時においては、
吸着したままのウエーハ表面は凹凸のない平坦な表面と
なるが、ウエーハの保持を解除すると、表面には裏面の
凹凸形状が転写されていることになる。こうしてウエー
ハ裏面の凹凸形状が表面に転写され、前述と同様にデバ
イス工程等において種々の不具合を生じる。[0004] In this case, the wafer to be polished has irregularities generated on the front surface or the back surface in an etching step or the like. If one surface (back surface) of the wafer is sucked and held and the other surface (front surface) is polished during the polishing process, the polishing process is performed in a state where the irregularities on the rear surface are transferred to the front surface. Therefore, at the end of polishing,
The surface of the wafer that has been adsorbed becomes a flat surface without irregularities, but when the wafer is released from holding, the irregularities on the back surface are transferred to the front surface. In this way, the irregularities on the back surface of the wafer are transferred to the front surface, and various problems occur in the device process and the like as described above.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの事
象は定性的には理解できても、実際問題どのような裏面
の凹凸が、表面に転写され問題となるかについては定量
的な評価手法がなく全く把握されていなかった。However, although these phenomena can be understood qualitatively, there is a quantitative evaluation method for determining what kind of irregularities on the back side are actually transferred to the front side and cause problems. Was not grasped at all.
【０００６】また、従来半導体ウエーハの平坦度につい
ては、明確な定義、規格があるわけではないが、反りと
呼ばれる波長が約２０ｍｍ以上の周期性を持った凹凸形
状、うねりと呼ばれる波長が数ｍｍ〜２０ｍｍ程度の凹
凸形状、マイクロラフネスと呼ばれる波長が約１００μ
ｍ以下の凹凸形状、の３つの成分が問題とされるが、特
にうねりと呼ばれる成分は、魔鏡の原理で得られる像と
いう形で捕らえられており、外観的に確認できるだけ
で、定量的に把握することができなかった。Although there is no clear definition or standard for the flatness of a conventional semiconductor wafer, the irregularity shape having a periodicity of about 20 mm or more, called a warp, and the wavelength called a undulation of several mm. Irregular shape of about 20mm, wavelength called micro roughness is about 100μ
The three components of the irregular shape of m or less are considered to be a problem. In particular, the component called swell is captured in the form of an image obtained by the principle of the magic mirror, and it can be confirmed visually and quantitatively I couldn't figure out.
【０００７】しかも、近年のデバイス工程におけるフォ
トリソグラフィー技術は、ウエーハ全面を一括露光から
部分露光（ステッパ）方式へ移行しており、うねり成分
の領域における平坦度がより重要になってきているし、
またデバイス工程における素子分離手法としてＳＴＩ
（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏ
ｎ）が採用されつつある現在、ＳＴＩを形成するために
は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によるプラナリゼーションが重
要であるが、研磨代を均一にし確実に素子分離をするた
めにはうねり成分を正確に把握して評価する必要があ
る。In recent years, the photolithography technology in the device process has shifted the whole surface of the wafer from the batch exposure to the partial exposure (stepper) method, and the flatness in the area of the waviness component has become more important.
Also, STI is used as an element isolation technique in the device process.
(Shallow Trench Isolation
n) is currently being adopted, in order to form STI, CMP (Chemical Mechanical) is required.
Although planarization by polishing is important, it is necessary to accurately grasp and evaluate the undulation component in order to make the polishing allowance uniform and to perform element separation reliably.
【０００８】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は、半導体ウエーハの表
面および／または裏面の形状を正確かつ定量的に評価す
る方法を提供し、これによって特にうねり成分を定量的
に把握し、例えばウエーハ裏面のうねり成分が表面に転
写して、デバイス工程におけるフォトリソグラフィーや
素子分離等において問題となるようなうねり成分のない
半導体ウエーハを見出すことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for accurately and quantitatively evaluating the shape of a front surface and / or a back surface of a semiconductor wafer. In particular, the undulation component is quantitatively grasped, for example, the undulation component on the back surface of the wafer is transferred to the front surface, and a semiconductor wafer having no undulation component that is a problem in photolithography and element isolation in a device process is to be found. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１に記載した発明は、ウエーハ表面
および／または裏面の形状を測定し、そのプロファイル
を周波数解析することによって、半導体ウエーハの表面
および／または裏面の形状を定量的に評価する方法であ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: measuring a shape of a front surface and / or a rear surface of a wafer; This is a method for quantitatively evaluating the shape of the front surface and / or the back surface of the wafer.
【００１０】このように、本発明では、半導体ウエーハ
の表面および裏面形状を測定し、その測定した表面プロ
ファイルの周波数解析を行い、空間周波数ごとの影響を
調査するもので、このような周波数解析によれば、ウエ
ーハ形状を正確かつ定量的に評価することができる。As described above, according to the present invention, the shape of the front and back surfaces of a semiconductor wafer is measured, the frequency analysis of the measured surface profile is performed, and the influence of each spatial frequency is investigated. According to this, the wafer shape can be evaluated accurately and quantitatively.
【００１１】この場合、請求項２に記載したように、前
記周波数解析によって振幅を求め、これをパラメータと
して定量評価してもよいし、請求項３に記載したよう
に、前記周波数解析によってパワースぺクトル密度（Ｐ
ＳＤ：Ｐｏｗｅｒ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ Ｄｅｎｓｉｔ
ｙ）を求め、これをパラメータとして定量評価するよう
にしてもよい。In this case, the amplitude may be determined by the frequency analysis and quantitative evaluation may be performed using the amplitude as a parameter, as described in claim 2, or the power spectrum may be determined by the frequency analysis as described in claim 3. Vector density (P
SD: Power Spectrum Densit
y) may be obtained and quantitative evaluation may be performed using this as a parameter.
【００１２】このように、周波数解析により、振幅ある
いはパワースぺクトル密度を求め、これをパラメータと
してウエーハの形状を評価すれば、実態に則した正確な
評価をすることができる。したがって、フォトリソグラ
フィー等で問題となるような形状を有する半導体ウエー
ハの選別、あるいは製造工程の改善等に適用することが
できる。As described above, if the amplitude or the power spectrum density is obtained by the frequency analysis and the wafer shape is evaluated using the amplitude or the power spectrum density as a parameter, an accurate evaluation according to the actual situation can be performed. Therefore, the present invention can be applied to selection of a semiconductor wafer having a shape that causes a problem in photolithography or the like, or improvement of a manufacturing process.
【００１３】そして、本発明では請求項４に記載したよ
うに、評価するウエーハの表面および／または裏面の形
状をうねり成分とし、特に、請求項５に記載したよう
に、評価するウエーハの表面および／または裏面の形状
を波長３〜２０ｍｍのうねり成分とすることができる。In the present invention, as described in claim 4, the shape of the front and / or back surface of the wafer to be evaluated is used as a waviness component. And / or the shape of the back surface can be a wave component having a wavelength of 3 to 20 mm.
【００１４】このように、本発明では、従来外観的にし
か把握できなかったうねり成分を定量的に評価すること
ができるので、前記ウエーハ裏面のうねり成分が表面に
転写するようなウエーハを排除したり、ウエーハ製造工
程の改善等に役に立つ。As described above, according to the present invention, it is possible to quantitatively evaluate the undulation component which could only be grasped in terms of the external appearance in the past, so that a wafer in which the undulation component on the back surface of the wafer is transferred to the front surface is eliminated. Or to improve the wafer manufacturing process.
【００１５】また、本発明の請求項６に記載した発明
は、評価する半導体ウエーハをシリコン半導体ウエーハ
とした。裏面形状が転写されフォトリソグラフィー工程
等で問題が生じるのは、ますます高集積化が進むシリコ
ン半導体デバイスで特に問題となっており、これを正確
に定量評価することが必要だからである。In the invention described in claim 6 of the present invention, the semiconductor wafer to be evaluated is a silicon semiconductor wafer. The reason why the backside shape is transferred and a problem occurs in the photolithography process or the like is that it is a particular problem in silicon semiconductor devices that are becoming increasingly integrated, and it is necessary to accurately and quantitatively evaluate this.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、評価する半導体ウエーハとしてシリコンウエーハと
した場合を例として詳細に説明するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。前述のように、半導体ウエ
ーハをデバイス工程等でウエーハチャック等に吸着させ
た場合、あるいはウエーハ製造工程においてウエーハ表
面を研磨するため裏面を保持した場合に、ウエーハの裏
面に存在する凹凸が表面に転写し、表面の平坦度を悪化
させることが懸念される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail using a silicon wafer as an example of a semiconductor wafer to be evaluated, but the present invention is not limited to these. As described above, when a semiconductor wafer is attracted to a wafer chuck or the like in a device process, or when the back surface is held to polish the wafer surface in a wafer manufacturing process, irregularities present on the back surface of the wafer are transferred to the front surface. However, there is a concern that the flatness of the surface is deteriorated.
【００１７】これは、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、
魔鏡によるシリコンウエーハ面の像（以下、単に魔鏡像
ということがある）によって確認することができる。す
なわち、（Ａ）は吸着前のウエーハ表面の魔鏡像であ
り、（Ｂ）は吸着後のウエーハ表面の魔鏡像であるが、
吸着前後で明らかに表面形状に変化が起こっていること
がわかる。しかし、これは外観的に変化が起こっている
ことを確認できるだけで、定量的に把握されるものでは
なく、結局裏面のどのような凹凸を改善すれば良いのか
が不明であった。しかも、このような裏面の凹凸が転写
したウエーハを選別しようとしても、その程度は見た感
じで決定せざるを得えなかった。This is shown in FIGS. 3A and 3B.
It can be confirmed by an image of a silicon wafer surface by a magic mirror (hereinafter, sometimes simply referred to as a magic mirror image). That is, (A) is a magic mirror image of the wafer surface before adsorption, and (B) is a magic mirror image of the wafer surface after adsorption.
It can be seen that the surface shape clearly changed before and after the adsorption. However, this can only confirm that a change has occurred in appearance, but cannot be quantitatively grasped, and it is unclear what kind of irregularities on the back surface should be improved after all. Moreover, even if it is attempted to select a wafer to which such irregularities on the back surface have been transferred, the degree has to be determined according to the appearance.
【００１８】そこで、本発明では、真空吸着前後の半導
体ウエーハの表面および裏面形状の変化を測定し、裏面
から表面形状への影響を定量的に評価することを試み
た。すなわち、裏面仕上げが異なる鏡面研磨ウエーハを
用いて、真空吸着前後の半導体ウエーハの表面および裏
面形状を例えば光学式形状測定器を用いて測定し、その
測定したプロファイルの周波数解析（振幅およびパワー
スぺクトル解析）を行い、空間周波数ごとの裏面から表
面形状への影響を定量的に評価した。Therefore, in the present invention, the change in the shape of the front and back surfaces of the semiconductor wafer before and after vacuum suction was measured, and an attempt was made to quantitatively evaluate the influence of the back surface on the surface shape. That is, using a mirror-polished wafer having a different back surface finish, the front and back surface shapes of the semiconductor wafer before and after vacuum suction are measured using, for example, an optical shape measuring instrument, and the frequency analysis (amplitude and power spectrum) of the measured profile is performed. Analysis) to quantitatively evaluate the effect of the spatial frequency from the back surface to the surface shape.
【００１９】図１は、本発明による片面鏡面研磨シリコ
ンウエーハの吸着前後の表面形状および裏面形状のパワ
ースぺクトル解析結果の代表的な例である。ウエーハの
吸着前後のパワースぺクトル密度（ＰＳＤ）を比較する
と、（１）吸着によりＰＳＤ強度が減少する領域（空間
波長約２０ｍｍ以上）、（２）吸着によりＰＳＤ強度が
増加する領域（空間波長約３〜２０ｍｍ）、（３）吸着
の有無によりＰＳＤ強度が変化しない領域（空間波長約
３ｍｍ以下）とに大別することができる。FIG. 1 shows a typical example of the results of power spectrum analysis of the front surface shape and the back surface shape of a single-side mirror-polished silicon wafer according to the present invention before and after adsorption. A comparison of power spectrum densities (PSD) before and after wafer adsorption shows that (1) a region where the PSD intensity decreases due to adsorption (spatial wavelength of about 20 mm or more), and (2) a region where the PSD intensity increases due to adsorption (spatial wavelength approx. (3 to 20 mm) and (3) a region where the PSD intensity does not change depending on the presence or absence of adsorption (spatial wavelength of about 3 mm or less).
【００２０】これらは、それぞれ（１）の領域はいわゆ
る反り成分の領域であり、吸着により矯正されたものと
思われる。（２）の領域はいわゆるうねり成分の領域で
あり、裏面の粗さ、凹凸が表面に転写されたものと思わ
れる。（３）の領域では、裏面粗さが表面に転写されな
い。In each of these cases, the region (1) is a region of a so-called warp component, and is considered to have been corrected by adsorption. The region (2) is a so-called waviness component region, and it is considered that the roughness and unevenness of the back surface have been transferred to the front surface. In the area (3), the back surface roughness is not transferred to the front surface.
【００２１】このように、本発明によって、初めて半導
体ウエーハの裏面の粗さ、凹凸の表面形状への影響が空
間波長ごとに異なることが定量的に確認することができ
た。すなわち、裏面形状が表面形状に転写して問題とな
るのは、いわゆるうねり成分であり、波長で言えば３〜
２０ｍｍ程度の凹凸形状であることがわかる。したがっ
て、裏面形状の転写の問題に関しては、主にうねり成分
を改善する必要があると評価することができた。As described above, according to the present invention, it was possible to quantitatively confirm, for the first time, that the influence of the roughness of the back surface of the semiconductor wafer and the surface shape of the unevenness differs for each spatial wavelength. In other words, what causes a problem when the back surface shape is transferred to the front surface shape is a so-called swell component, which is 3 to
It can be seen that the shape is unevenness of about 20 mm. Therefore, with respect to the problem of the transfer of the back surface shape, it was evaluated that it was necessary to mainly improve the undulation component.
【００２２】ここで、本発明で行った周波数解析は、ま
ず半導体ウエーハの表面あるいは裏面の形状を測定す
る。この測定は、従来から用いられている方法によれば
良く、表面あるいは裏面の形状が測定できるものであれ
ばよい。例えば触針法、光干渉法、位相シフト干渉法、
光散乱トポグラフィ法、原子間力顕微鏡法等が挙げられ
る。これらは測定できる凹凸の波長領域が異なるので、
目的に応じて選択して使用すれば良いが、好ましくはウ
エーハ全面をより広い範囲で細かく測定できる装置を用
いるのがよい。本発明では、うねり成分の解析をする場
合には、例えば光学式の表面形状測定器で、検出器から
ウエーハ表面までの距離を非接触で測定するＡｕｔｏＳ
ｏｒｔ２００（Ｔｒｏｐｅｌ社製商品名）を用い、ウエ
ーハ面内約２０００点を測定した。Here, in the frequency analysis performed in the present invention, first, the shape of the front surface or the back surface of the semiconductor wafer is measured. This measurement may be performed by a conventionally used method, as long as the shape of the front surface or the back surface can be measured. For example, stylus method, optical interferometry, phase shift interferometry,
Light scattering topography, atomic force microscopy and the like can be mentioned. Since these are different in the wavelength range of the unevenness that can be measured,
It may be used selectively according to the purpose, but it is preferable to use an apparatus capable of measuring the entire surface of the wafer in a wider range. In the present invention, when analyzing the undulation component, for example, an AutoS which measures the distance from the detector to the wafer surface in a non-contact manner with an optical surface shape measuring device, for example.
About 2,000 points in the wafer plane were measured using ort200 (trade name, manufactured by Tropel).
【００２３】こうして測定されたデータをコンピュータ
に送り周波数解析を行うが、まずフィルター処理をし、
次にフーリエ変換することによって振幅を求めることが
できる。そして、さらにこれからパワースぺクトル密度
を算出することができる。The data measured in this way is sent to a computer for frequency analysis.
Next, the amplitude can be obtained by performing Fourier transform. Then, the power spectrum density can be calculated from this.
【００２４】ここで、フィルター処理は、フーリエ変換
に必要となる基本周期成分を取り出すために行うもの
で、中心線を出す処理とＷｉｎｄｏｗ関数によりデータ
のある区間を切り出し変換を行う処理を行う。Here, the filter processing is performed to extract a fundamental period component necessary for Fourier transform, and performs processing of extracting a center line and processing of extracting a certain section of data by a Window function and performing conversion.
【００２５】フーリエ変換は、すべての周期関数は三角
関数の和で表記できるとするものである。つまり、プロ
ファイルをｓｉｎとｃｏｓに分解し、この時のｓｉｎと
ｃｏｓの周波数（本発明では空間周波数）と強度（振
幅）を、次の（１）式より求める。 Ｆ（ｋ）＝ ΣＸi ｅｘｐ（−ｊ２πｋi ／Ｎ） ・・・（１） （ｉ＝１，……Ｎ、 ｋ＝０，１，……Ｎ−１） ここで、Ｆ（ｋ）は、波数ｋでの振幅である。また、Ｘ
i は測定したデータを表わしており、ｉはデータ個数で
ある。ｊは虚数を表わしているが、フーリエ変換で現れ
る実数項と虚数項はｓｉｎ成分の振幅とｃｏｓ成分の振
幅を表わしている。In the Fourier transform, all periodic functions can be represented by the sum of trigonometric functions. That is, the profile is decomposed into sin and cos, and the frequency (spatial frequency in the present invention) and the intensity (amplitude) of sin and cos at this time are obtained from the following equation (1). F (k) = ΣX i exp (-j2πk i / N) ··· (1) (i = 1, ...... N, k = 0,1, ...... N-1) where, F (k) is , At the wave number k. Also, X
i represents measured data, and i is the number of data. j represents the imaginary number, and the real and imaginary terms appearing in the Fourier transform represent the amplitude of the sin component and the amplitude of the cos component.
【００２６】次にパワースぺクトル密度を求める。これ
は、上記振幅をパラメータとして解析しても良いのであ
るが、フーリエ変換によって求められる空間周波数と粗
さ強度（振幅）はサンプリング長に依存してしまうの
で、解析結果が不正確になりがちである。そこで測定領
域が異なる場合、特定の空間周波数における粗さ強度
（パラメータ）の定量的な比較には単位長さ当りの振動
エネルギーを求めるのが望ましい。この単位長さ当りの
エネルギーはパワーと呼ばれ、空間周波数とパワーの関
係をプロットしたものがパワースぺクトルである。Next, the power spectrum density is determined. Although the analysis may be performed using the amplitude as a parameter, the spatial frequency and the roughness intensity (amplitude) obtained by the Fourier transform depend on the sampling length, and the analysis result tends to be inaccurate. is there. Therefore, when the measurement regions are different, it is desirable to obtain vibration energy per unit length for quantitative comparison of roughness intensity (parameter) at a specific spatial frequency. The energy per unit length is called power, and the power spectrum is obtained by plotting the relationship between the spatial frequency and the power.
【００２７】パワースぺクトルを求める方法には、直接
フーリエ変換の自乗演算、自己相関関数のフーリエ変
換、ＡＲ法等が知られている。これらの中で今回は、直
接フーリエ変換の自乗演算の方法を採用した。具体的に
は、上記（１）式で求めた粗さデータのフーリエ変換Ｆ
（ｋ）を用い各空間周波数ｋにおけるパワーＰ（ｋ）
を、次の（２）式より求める。 Ｐ（ｋ）＝ ２πｄＦ（ｋ）2 ／Ｎ ・・・（２） ここで、ｄはサンプリング長である。As a method for obtaining the power spectrum, a square operation of a direct Fourier transform, a Fourier transform of an autocorrelation function, an AR method, and the like are known. Among them, this time, the method of square calculation of direct Fourier transform was adopted. Specifically, the Fourier transform F of the roughness data obtained by the above equation (1)
Power (P) at each spatial frequency k using (k)
Is obtained from the following equation (2). P (k) = 2πdF (k) 2 / N (2) where d is a sampling length.
【００２８】このような周波数解析により、図３（Ｂ）
に示したような魔鏡像でうねりが見られるウエーハの表
面および裏面の形状を解析した結果、例えば波長１０ｍ
ｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で約２０μｍ
3 もあった。したがって、これを半分以下とすれば格段
にうねり成分を改善したウエーハとなることがわかっ
た。By such a frequency analysis, FIG.
As a result of analyzing the shapes of the front and back surfaces of the wafer in which the undulation is seen in the magic mirror image as shown in FIG.
The swell component of m is about 20μm in power spectrum density
There were also three . Therefore, it was found that if the ratio was reduced to half or less, a wafer having a significantly improved swell component was obtained.
【００２９】また、うねり成分全体で規定するため、別
の表現を採用すると、［ｌｏｇ（波長２０ｍｍのＰＳ
Ｄ）−ｌｏｇ（波長３ｍｍのＰＳＤ）］で与えられるウ
エーハの波長３〜２０ｍｍのうねり成分のパワースぺク
トル密度の変化量は、従来のウエーハでは、２．６〜
３．０もあった。したがって、これを２．０以下とすれ
ば格段にうねり成分を改善したウエーハとなることがわ
かった。In order to define the whole swell component, another expression is used: [log (PS of 20 mm wavelength)
D) -log (PSD with a wavelength of 3 mm)], the change in the power spectrum density of the waviness component of the wafer with a wavelength of 3 to 20 mm is 2.6 to 1.0 in the conventional wafer.
There was also 3.0. Therefore, it was found that a wafer with a significantly improved swell component could be obtained by setting this to 2.0 or less.
【００３０】このように、パワースぺクトル密度をパラ
メータとして、ウエーハ形状を定量的に評価することが
できるが、このような評価、解析は、上述のように、空
間波長に対する振幅を解析するようにしてもよい。As described above, the wafer shape can be quantitatively evaluated using the power spectrum density as a parameter. In such evaluation and analysis, as described above, the amplitude with respect to the spatial wavelength is analyzed. You may.
【００３１】こうして、本発明によって、半導体ウエー
ハの形状を周波数解析により定量的に評価し、問題点の
所在やその改善策を見出すことができるようになる。す
なわち、上述のように、例えばウエーハをウエーハチャ
ックに吸着保持する時において、あるいは裏面を保持し
て表面を研磨する時においても、裏面形状が表面に転写
して、表面に問題となるようなうねりが発生することが
ないようにするには、ウエーハ裏面の波長１０ｍｍのう
ねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3 以下で
あるウエーハとすればよい。As described above, according to the present invention, the shape of a semiconductor wafer can be quantitatively evaluated by frequency analysis, and the location of a problem and a measure for improving the problem can be found. That is, as described above, for example, when the wafer is sucked and held on the wafer chuck, or when the back surface is polished while holding the back surface, the back surface shape is transferred to the front surface, and undulation that causes a problem on the front surface. In order to prevent the generation of undulations, the swell component having a wavelength of 10 mm on the back surface of the wafer may be a wafer having a power spectrum density of 10 μm 3 or less.
【００３２】また、半導体ウエーハの裏面を保持し、該
ウエーハの表面を研磨して半導体ウエーハを製造する場
合においては、研磨する前に周波数解析して、ウエーハ
裏面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル
密度で１０μｍ3 以下のものを用いるようにすれば、研
磨により表面にうねりが転写されることなく、良好な表
面形状を有する半導体ウエーハを製造することができ
る。In the case where a semiconductor wafer is manufactured by holding the back surface of a semiconductor wafer and polishing the surface of the wafer, frequency analysis is performed before polishing, and the undulation component having a wavelength of 10 mm on the back surface of the wafer is converted into a power source. If a material having a vector density of 10 μm 3 or less is used, a semiconductor wafer having a good surface shape can be manufactured without undulation being transferred to the surface by polishing.
【００３３】例えば、前記図４の工程で言えば、ウエー
ハのうねりはエッチング工程Ｄで発生しているとする
と、エッチング後のウエーハの裏面形状を本発明により
測定して周波数解析することによって評価し、うねり成
分のないものだけを研磨工程に送るようにすれば、確実
に半導体ウエーハの表面の平坦度を向上させることがで
きる。For example, assuming that the undulation of the wafer occurs in the etching step D in the process of FIG. 4, the shape of the back surface of the etched wafer is measured by the present invention and evaluated by frequency analysis. By sending only those having no undulation component to the polishing step, the flatness of the surface of the semiconductor wafer can be surely improved.
【００３４】また、本発明ではうねり成分を定量的に評
価できることから、さらに他の有用な評価を行うことが
できる。例えば、上記のようにウエーハ裏面のうねり成
分の小さいものを選別するような評価方法の他に、うね
り成分の多いウエーハの評価等で、吸着によってウエー
ハ裏面形状のうねり成分が、ウエーハ表面にどの程度転
写するかその割合を調べることができる。すなわち、ウ
エーハ裏面の影響度として、ウエーハ表面の吸着前後の
周波数解析および非吸着状態での裏面形状の周波数解析
を夫々行い、例えば、（吸着後のウエーハ表面のＰＳＤ
−吸着前のウエーハ表面のＰＳＤ）／（非吸着のウエー
ハ裏面のＰＳＤ）のように算出することにより、裏面の
影響を評価することができる。この値は裏面形状が表面
の変形（転写）に１００％近く寄与していれば値が１に
近くなり、裏面の形状が表面形状に影響をほとんど及ぼ
さない場合は、値が０に近くなる。Further, since the swell component can be quantitatively evaluated in the present invention, further useful evaluation can be performed. For example, in addition to the evaluation method of selecting a small waviness component on the back surface of the wafer as described above, the evaluation of a wafer having a large waviness component, etc. It can be transcribed or its proportion can be determined. That is, as the degree of influence of the back surface of the wafer, a frequency analysis before and after the adsorption of the wafer surface and a frequency analysis of the back surface shape in the non-adsorption state are respectively performed.
By calculating as follows: (PSD on wafer surface before adsorption) / (PSD on non-adsorption wafer rear surface), the influence of the rear surface can be evaluated. This value is close to 1 if the shape of the back surface contributes nearly 100% to the deformation (transfer) of the surface, and close to 0 if the shape of the back surface hardly affects the surface shape.
【００３５】このように、本発明においてうねり成分を
定量化できるので、得られたパワースぺクトル密度ある
いは振幅を種々の手法を用いて評価すれば、一層精度良
くウエーハ形状を詳細に把握することができ、製造条件
等へのフィードバック等をすることができる。As described above, since the undulation component can be quantified in the present invention, if the obtained power spectrum density or amplitude is evaluated by various methods, the wafer shape can be grasped more precisely and in detail. It is possible to provide feedback on manufacturing conditions and the like.
【００３６】なお、本発明の周波数解析によるウエーハ
形状の定量的評価は、うねり成分の把握に極めて有効で
あるが、これに限られるものではなく、ウエーハの反り
成分、あるいはマイクロラフネス等の定量評価にも適用
できるし、これらを合わせて定量評価しても良い。この
場合は、前述のように、表面あるいは裏面の形状を測定
する際に、それぞれの波長領域を測定できるものを用い
るようにすればよい。The quantitative evaluation of the wafer shape by the frequency analysis according to the present invention is extremely effective for grasping the waviness component, but is not limited to this. The quantitative evaluation of the warpage component of the wafer or the micro roughness is provided. Alternatively, these may be combined and quantitatively evaluated. In this case, as described above, when measuring the shape of the front surface or the back surface, one that can measure each wavelength region may be used.
【００３７】[0037]
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例）処理方法の異なる種々の裏面状態のウエーハ
を作製し、裏面の形状を前記ＡｕｔｏＳｏｒｔ２００で
測定し、本発明の方法によって周波数解析を行ってパワ
ースぺクトル密度を求めて評価した。EXAMPLES The present invention will now be described specifically with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples. (Examples) Wafers having various back states with different treatment methods were produced, the back surface shape was measured by the AutoSort 200, and frequency analysis was performed by the method of the present invention to obtain and evaluate the power spectrum density.
【００３８】測定したウエーハは、それぞれ次のような
条件で製造したものである。 酸エッチング品（通常品） エッチング工程では、フッ酸と硝酸の混酸によって、ウ
エーハ両面で３０μｍエッチオフし、その後裏面を保持
して、表面を約８μｍ研磨した。 アルカリエッチング品 エッチング工程では、ＮａＯＨによって、ウエーハ両面
で３０μｍエッチオフし、その後裏面を保持して、表面
を約８μｍ研磨した。 アルカリエッチング＋酸エッチング品 エッチング工程では、まずＮａＯＨによって、ウエーハ
両面で２０μｍエッチオフし、次にフッ酸と硝酸の混酸
によって、ウエーハ両面で１０μｍエッチオフし、その
後裏面を保持して、表面を約８μｍ研磨した。 アルカリエッチング＋裏面研磨品 エッチング工程では、まずＮａＯＨによって、ウエーハ
両面で３０μｍエッチオフし、次に裏面を約１μｍ研磨
した後、裏面を保持して、表面を約８μｍ研磨した。 酸エッチング＋両面研磨品 エッチング工程では、フッ酸と硝酸の混酸によって、ウ
エーハ両面で３０μｍエッチオフし、その後両面を約１
０μｍ研磨した。The measured wafers were each manufactured under the following conditions. Acid Etched Product (Normal Product) In the etching step, the wafer was etched off by 30 μm on both surfaces with a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid, and then the back surface was held and the front surface was polished by about 8 μm. Alkali Etched Product In the etching step, the wafer was etched off on both sides by 30 μm with NaOH, and then the back side was held and the front side was polished by about 8 μm. Alkali etching + acid etching product In the etching process, first, the wafer is etched off by 20 μm on both sides with NaOH, then 10 μm on both sides of the wafer with a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid. Polished 8 μm. Alkali etching + backside polishing product In the etching step, first, the wafer was etched off by 30 μm on both sides with NaOH, then the backside was polished by about 1 μm, and then the backside was held and the frontside was polished by about 8 μm. Acid etching + double-side polished product In the etching process, both sides of the wafer are etched off by 30 μm with a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid, and then both sides are etched by about
It was polished to 0 μm.
【００３９】得られた結果を図２に示す。この図を見る
と、処理方法により裏面のうねり成分のパワースぺクト
ル密度に明らかな相違がでており、裏面の形状を数値で
定量的に捕らえることができていることがわかる。すな
わち、通常の酸エッチング品は、波長１０ｍｍのうね
り成分が、パワースぺクトル密度で約２０μｍ3 もある
のでうねり成分が悪いことがわかる。これに対し、〜
の裏面のうねり成分は改善されており、特にのアル
カリエッチング＋裏面研磨品、の酸エッチング＋両面
研磨品は、非常に裏面形状が良いと評価された。FIG. 2 shows the obtained results. From this figure, it is apparent that there is a clear difference in the power spectrum density of the undulation component on the back surface depending on the processing method, and that the shape of the back surface can be quantitatively captured by numerical values. That is, it can be seen that the normal acid-etched product has a waviness component having a wavelength of 10 mm and a power spectrum density of about 20 μm 3 , so that the waviness component is poor. On the other hand, ~
The waviness component on the back side of the sample was improved, and particularly, the alkali etching + back side polishing product and the acid etching + double side polishing product were evaluated as having very good back surface shape.
【００４０】次に、この図２から波長３〜２０ｍｍのう
ねり成分のパワースぺクトル密度の変化量［ｌｏｇ（波
長２０ｍｍのＰＳＤ）−ｌｏｇ（波長３ｍｍのＰＳ
Ｄ）］を求めると、 １．６０−（−１．１５）＝２．７５ −０．１３−（−１．１５）＝１．０２ ０．８５−（−１．１５）＝２．００ −０．１５−（−１．１５）＝１．００ −０．１５−（−１．１５）＝１．００ である。Next, FIG. 2 shows that the change in the power spectrum density of the swell component having a wavelength of 3 to 20 mm [log (PSD at a wavelength of 20 mm) -log (PSD at a wavelength of 3 mm).
D)], 1.60-(-1.15) = 2.75-0.13-(-1.15) = 1.02 0.85-(-1.15) = 2.00 -0.15-(-1.15) = 1.00 -0.15-(-1.15) = 1.00.
【００４１】このように、変化量も各ウエーハの裏面状
態を正確に捕らえていることがわかる。従って、波長３
〜２０ｍｍのうねり成分のパワースぺクトル密度の変化
量によっても、各半導体ウエーハの裏面あるいは表面の
形状を定量的に評価できることがわかる。Thus, it can be seen that the amount of change accurately captures the state of the back surface of each wafer. Therefore, the wavelength 3
It can be seen that the shape of the back surface or the front surface of each semiconductor wafer can be quantitatively evaluated also by the amount of change in the power spectrum density of the undulation component of about 20 mm.
【００４２】（比較例）次に、保持面の波長１０ｍｍの
うねり成分が、パワースぺクトル密度で０．２μｍ3 の
ウエーハチャックを用い、これに上記のウエー
ハの裏面を真空吸着させ、この状態のウエーハ表面の魔
鏡像を観察した。その観察結果図を図３（Ｂ）〜（Ｅ）
に示した。(Comparative Example) Next, a waviness component having a wavelength of 10 mm on the holding surface was used with a wafer chuck having a power spectrum density of 0.2 μm 3 , and the back surface of the wafer was vacuum-adsorbed to the wafer chuck. A magic mirror image of the wafer surface was observed. FIGS. 3B to 3E show the observation results.
It was shown to.
【００４３】この図を見ると、通常のウエーハである
のウエーハでは、うねりと思われる凹凸がウエーハ全面
に見られるが（図３（Ｂ）参照）、それ以外のウエーハ
表面ではこれが改善されていることがわかる。しかし、
どの程度改善されているかは目視による感覚で捕らえる
しかないものであった（図３（Ｃ）〜（Ｅ）参照）。し
かも、観察された凹凸はうねり成分であろうということ
は推測によるものでしかなく、どの程度の波長の凹凸で
あるかは不明であった。Referring to this figure, in the case of a normal wafer, irregularities that seem to be undulating are seen on the entire surface of the wafer (see FIG. 3B), but this is improved on other wafer surfaces. You can see that. But,
The degree of improvement had to be caught by visual sensation (see FIGS. 3 (C)-(E)). Moreover, it is only speculation that the observed unevenness may be a swell component, and it was unclear how much unevenness the wavelength had.
【００４４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an exemplification, and has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
【００４５】例えば、本発明で評価される半導体ウエー
ハについては、その直径は特に限定されるものではな
い。近年の、直径２００ｍｍ以上、３００ｍｍ以上とい
った大直径半導体ウエーハでも全く同様に評価すること
が可能であるし、１５０ｍｍ以下のウエーハであっても
同様に評価できるものである。For example, the diameter of the semiconductor wafer evaluated in the present invention is not particularly limited. In recent years, a large diameter semiconductor wafer having a diameter of 200 mm or more or 300 mm or more can be evaluated in exactly the same way, and a wafer having a diameter of 150 mm or less can be similarly evaluated.
【００４６】また、上記実施形態では、本発明によって
評価される半導体ウエーハとしてシリコンウエーハであ
る場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定
されず、うねり成分によりフォトリソグラフィー工程等
で問題が生じる、ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ等の化合物
半導体や他の半導体ウエーハにおいても同様に評価でき
るものであることは言うまでもない。In the above embodiment, the case where the semiconductor wafer evaluated by the present invention is a silicon wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, the evaluation can be similarly performed on compound semiconductors such as GaAs, GaP, and InP and other semiconductor wafers.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、半
導体ウエーハの表面および／または裏面の形状を周波数
解析することによって、その形状を正確かつ定量的に評
価することができる。これによって特にうねり成分を定
量的に把握することができるので、例えばウエーハ裏面
のうねり成分が表面に転写して、デバイス工程における
フォトリソグラフィーや素子分離等において問題となる
ようなうねり成分のない半導体ウエーハを選別したり、
製造することができる。As described above, according to the present invention, the shape of the front surface and / or the back surface of a semiconductor wafer can be frequency-analyzed to accurately and quantitatively evaluate the shape. This makes it possible to quantitatively grasp the undulation component, in particular, so that, for example, the undulation component on the back surface of the wafer is transferred to the front surface, and the semiconductor wafer has no undulation component that causes a problem in photolithography and element isolation in the device process. Sort out,
Can be manufactured.
【図１】片面鏡面研磨シリコンウエーハにおける代表的
な吸着前後の表面形状および裏面形状のパワースぺクト
ル解析結果図である。FIG. 1 is a diagram showing a power spectrum analysis result of a surface shape and a back surface shape of a typical single-side mirror-polished silicon wafer before and after adsorption.
【図２】実施例の結果図である。FIG. 2 is a result diagram of an example.
【図３】種々の半導体ウエーハの魔鏡像を示した図であ
る。 （Ａ）通常ウエーハ（酸エッチング品）のウエーハチャ
ックに吸着前のウエーハ表面の魔鏡像を示した図であ
る。 （Ｂ）通常ウエーハ（酸エッチング品）のウエーハチャ
ックに吸着後のウエーハ表面の魔鏡像を示した図であ
る。 （Ｃ）アルカリエッチング品のウエーハチャックに吸着
後のウエーハ表面の魔鏡像を示した図である。 （Ｄ）アルカリエッチング＋裏面研磨品のウエーハチャ
ックに吸着後のウエーハ表面の魔鏡像を示した図であ
る。 （Ｅ）酸エッチング＋両面研磨品のウエーハチャックに
吸着後のウエーハ表面の魔鏡像を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing magic mirror images of various semiconductor wafers. (A) is a diagram showing a magic mirror image of a wafer surface before being attracted to a wafer chuck of a normal wafer (acid-etched product). (B) is a diagram showing a magic mirror image of a wafer surface after being attracted to a wafer chuck of a normal wafer (acid-etched product). (C) is a view showing a magic mirror image of a wafer surface after being adsorbed on a wafer chuck of an alkali-etched product. FIG. 4D is a view showing a magic mirror image of a wafer surface after being adsorbed on a wafer chuck of a product obtained by alkali etching and back polishing. (E) is a diagram showing a magic mirror image of a wafer surface after being adsorbed on a wafer chuck of an acid-etched + double-side polished product.
【図４】従来の半導体ウエーハの製造工程を示した流れ
図である。FIG. 4 is a flowchart showing a conventional semiconductor wafer manufacturing process.
Ａ…スライス工程、 Ｂ…面取り工程、 Ｃ…ラッピン
グ工程、Ｄ…エッチング工程、 Ｅ…鏡面研磨工程、
Ｆ…洗浄工程。A: slicing step, B: chamfering step, C: lapping step, D: etching step, E: mirror polishing step,
F: Cleaning step.
Claims (6)
を測定し、そのプロファイルを周波数解析することによ
って、半導体ウエーハの表面および／または裏面の形状
を定量的に評価する方法。1. A method for quantitatively evaluating the shape of the front surface and / or the back surface of a semiconductor wafer by measuring the shape of the front surface and / or the back surface of the wafer and performing a frequency analysis of the profile.
れをパラメータとして定量評価することを特徴とする請
求項１に記載の半導体ウエーハの表面および／または裏
面の形状を定量的に評価する方法。2. The method for quantitatively evaluating the shape of the front surface and / or the back surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein an amplitude is obtained by the frequency analysis, and the amplitude is obtained and quantitatively evaluated using the amplitude as a parameter.
ル密度を求め、これをパラメータとして定量評価するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの表面
および／または裏面の形状を定量的に評価する方法。3. The method according to claim 1, wherein the power spectrum density is determined by the frequency analysis, and the power spectrum density is quantitatively evaluated using the power spectrum density as a parameter. Method.
裏面の形状をうねり成分とすることを特徴とする請求項
１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウエー
ハの表面および／または裏面の形状を定量的に評価する
方法。4. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein the shape of the front and / or back surface of the wafer to be evaluated is a waviness component. A method for quantitatively evaluating a shape.
裏面の形状を波長３〜２０ｍｍのうねり成分とすること
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載の半導体ウエーハの表面および／または裏面の形状
を定量的に評価する方法。5. The front surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the shape of the front surface and / or the rear surface of the wafer to be evaluated is a waviness component having a wavelength of 3 to 20 mm. And / or a method of quantitatively evaluating the shape of the back surface.
体ウエーハとすることを特徴とする請求項１ないし請求
項５のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの表面およ
び／または裏面の形状を定量的に評価する方法。6. The semiconductor wafer to be evaluated is a silicon semiconductor wafer, and the shape of the front and / or back surface of the semiconductor wafer according to claim 1 is quantitatively evaluated. how to.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208634A JP2000031224A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Evaluation of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208634A JP2000031224A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Evaluation of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031224A true JP2000031224A (en) | 2000-01-28 |
Family
ID=16559491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10208634A Pending JP2000031224A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Evaluation of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031224A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176828A (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2006278972A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method and apparatus for evaluating semiconductor wafer |
| JP2007227631A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Thin-film silicon solar cell and its manufacturing method |
| JP2009182170A (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | Evaluating method and manufacturing method for semiconductor wafer |
| JP2009266896A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Evaluation wafer and method of evaluating polishing margin in double-sided polishing |
| WO2010050365A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Reference wafer for calibrating dark-field inspection device, method for fabricating reference wafer for calibrating dark-field inspection device, method for calibrating dark-field inspection device, dark-field inspection device, and wafer inspection method |
| WO2013031445A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Surface shape measurement device |
| JP2013114730A (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Showa Denko Kk | Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and manufacturing method and surface inspection method of substrate for magnetic recording medium |
| JP2013131537A (en) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of determining cracking of plate-like work |
| JP2013527972A (en) * | 2010-01-08 | 2013-07-04 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Site-based quantification of substrate topography and its relationship to lithography defocus and overlay |
| WO2013118543A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Surface measurement device |
| US8573969B2 (en) | 2006-09-29 | 2013-11-05 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon wafer heat treatment method |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10208634A patent/JP2000031224A/en active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176828A (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| JP4580488B2 (en) * | 1999-12-15 | 2010-11-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2006278972A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method and apparatus for evaluating semiconductor wafer |
| JP4706304B2 (en) * | 2005-03-30 | 2011-06-22 | 信越半導体株式会社 | Semiconductor wafer evaluation method and evaluation apparatus |
| JP2007227631A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Thin-film silicon solar cell and its manufacturing method |
| US8573969B2 (en) | 2006-09-29 | 2013-11-05 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon wafer heat treatment method |
| JP2009182170A (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | Evaluating method and manufacturing method for semiconductor wafer |
| US8906777B2 (en) * | 2008-01-31 | 2014-12-09 | Sumco Techxiv Corporation | Methods for evaluating and manufacturing semiconductor wafer |
| JP2009266896A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Evaluation wafer and method of evaluating polishing margin in double-sided polishing |
| WO2010050365A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Reference wafer for calibrating dark-field inspection device, method for fabricating reference wafer for calibrating dark-field inspection device, method for calibrating dark-field inspection device, dark-field inspection device, and wafer inspection method |
| US8831899B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-09-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspecting apparatus and an inspecting method |
| JP2010109257A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | Reference wafer for calibration of dark field inspection system, method of manufacturing the same, method of calibration of dark field inspection system, the dark field inspection system, and wafer inspection method |
| JP2013527972A (en) * | 2010-01-08 | 2013-07-04 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Site-based quantification of substrate topography and its relationship to lithography defocus and overlay |
| JP2013050371A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hitachi High-Technologies Corp | Surface shape measuring device |
| WO2013031445A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Surface shape measurement device |
| US9310190B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-04-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface shape measuring apparatus |
| JP2013114730A (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Showa Denko Kk | Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and manufacturing method and surface inspection method of substrate for magnetic recording medium |
| JP2013131537A (en) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of determining cracking of plate-like work |
| WO2013118543A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Surface measurement device |
| US9366625B2 (en) | 2012-02-09 | 2016-06-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface measurement device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000031224A (en) | Evaluation of semiconductor wafer | |
| US6200908B1 (en) | Process for reducing waviness in semiconductor wafers | |
| KR100701342B1 (en) | Method for producing bonded wafer and bonded wafer | |
| US6895360B2 (en) | Method to measure oxide thickness by FTIR to improve an in-line CMP endpoint determination | |
| US6074947A (en) | Process for improving uniform thickness of semiconductor substrates using plasma assisted chemical etching | |
| JP3358549B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer and wafer chuck | |
| US6600557B1 (en) | Method for the detection of processing-induced defects in a silicon wafer | |
| JP4385978B2 (en) | Semiconductor wafer evaluation method and manufacturing method | |
| Wilder et al. | Atomic force microscopy for cross section inspection and metrology | |
| TW202338952A (en) | Method for washing silicon wafer, and method for producing silicon wafer with natural oxide film | |
| KR102550487B1 (en) | Systems and methods for manufacturing semiconductor wafer features with controlled dimensions | |
| Bhonsle et al. | Inspection, characterization and classification of defects for improved CMP of III-V materials | |
| TWI859807B (en) | Method for processing silicon wafers | |
| JP2000243796A (en) | Measurement of contamination on surface of semiconductor wafer | |
| JP7457896B2 (en) | Evaluation method and evaluation system for process-affected layer | |
| JP2001219386A (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer with laser mark | |
| KR101063068B1 (en) | DSOD method with improved wafer surface treatment | |
| JPS60148137A (en) | Appreciation for crystallinity of surface of single crystal semiconductor | |
| TW202234543A (en) | Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate | |
| TW202342254A (en) | Method for processing silicon wafers | |
| JPH11251273A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device, semiconductor wafer and manufacture thereof | |
| JP2006267048A (en) | Method for preparing sample for cross-section observation | |
| JP2006039407A (en) | Method for manufacturing glass plate, and pellicle | |
| JP2006203087A (en) | Micro roughness evaluating method of thin film soi wafer | |
| JP4128687B2 (en) | Semiconductor wafer surface cleanliness management method and etching allowance detection method |