JP2000010287A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000010287A5 JP2000010287A5 JP1998250050A JP25005098A JP2000010287A5 JP 2000010287 A5 JP2000010287 A5 JP 2000010287A5 JP 1998250050 A JP1998250050 A JP 1998250050A JP 25005098 A JP25005098 A JP 25005098A JP 2000010287 A5 JP2000010287 A5 JP 2000010287A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- positive photosensitive
- acid
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 5
- -1 nitrogen containing basic compound Chemical class 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 2-Heptanone Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N Ethyl lactate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
Claims (9)
- (A)環状脂肪族炭化水素骨格を有し、酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる重合体、
(B)活性光線の照射により酸を発生する化合物、
(C)含窒素塩基性化合物、並びに
(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - (A)有橋環状脂肪族炭化水素骨格を有し、酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる重合体、
(B)活性光線の照射により酸を発生する化合物、
(C)含窒素塩基性化合物、
(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、並びに
(E)溶剤
を含有し、(C)に対する(B)の重量割合((B)/(C))が5〜300の範囲であり、(D)に対する(A)の重量割合((A)/(D))が500〜20000の範囲であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - 分子量が2000以下であって、酸の作用により分解し得る基を有し、アルカリ溶解性が酸の作用により増大する低分子酸分解性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記低分子酸分解性化合物の含有量が、固型分100重量部に対して0.5〜20.0重量部の割合であることを特徴とする請求項3に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (B)の化合物がオニウム塩であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (C)の含窒素塩基性化合物が有機アミンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (E)の溶剤が、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル及び2−ヘプタノンの中から選択される少なくとも1種を全溶剤中70重量%以上含有することを特徴とする請求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 活性光線が220nm以下の波長の遠紫外光であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25005098A JP3922673B2 (ja) | 1998-04-22 | 1998-09-03 | ポジ型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
KR1019990014184A KR100601078B1 (ko) | 1998-04-22 | 1999-04-21 | 포지티브 감광성 수지 조성물 |
US09/295,329 US6806022B1 (en) | 1998-04-22 | 1999-04-21 | Positive photosensitive resin composition |
EP99107339.6A EP0952489B1 (en) | 1998-04-22 | 1999-04-21 | Positive photosensitive resin composition |
US10/315,182 US6846610B2 (en) | 1998-04-22 | 2002-12-10 | Positive photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11221998 | 1998-04-22 | ||
JP10-112219 | 1998-04-22 | ||
JP25005098A JP3922673B2 (ja) | 1998-04-22 | 1998-09-03 | ポジ型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000010287A JP2000010287A (ja) | 2000-01-14 |
JP2000010287A5 true JP2000010287A5 (ja) | 2005-02-24 |
JP3922673B2 JP3922673B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=26451442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25005098A Expired - Lifetime JP3922673B2 (ja) | 1998-04-22 | 1998-09-03 | ポジ型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3922673B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3802732B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2006-07-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2002006483A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2002097219A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属含量の低減されたポリ(メタ)アクリレート類の製造方法 |
JP4190167B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4199914B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2008-12-24 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4225699B2 (ja) | 2001-03-12 | 2009-02-18 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
DE60238029D1 (de) * | 2001-12-27 | 2010-12-02 | Shinetsu Chemical Co | Resistzusammensetzung und Musterübertragungsverfahren |
JP4347110B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2009-10-21 | 東京応化工業株式会社 | 電子線又はeuv用ポジ型レジスト組成物 |
EP1720072B1 (en) | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Compositons and processes for immersion lithography |
JP5183069B2 (ja) * | 2006-01-08 | 2013-04-17 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | フォトレジストのためのコーティング組成物 |
JP4857138B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-01-18 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
CN101256355B (zh) | 2006-10-30 | 2013-03-27 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法 |
US8257902B2 (en) | 2007-11-05 | 2012-09-04 | Deyan Wang | Compositons and processes for immersion lithography |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP25005098A patent/JP3922673B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4725427B2 (ja) | パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂 | |
US5707777A (en) | Light-sensitive composition | |
JP4686367B2 (ja) | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
EP2144116B1 (en) | Chemically-amplified positive resist composition and patterning process using the same | |
JP4530751B2 (ja) | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2004004834A5 (ja) | ||
KR20160124769A (ko) | 광증감 화학 증폭형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법, 반도체 디바이스, 리소그래피용 마스크와, 나노임프린트용 템플릿 | |
JP2009053657A5 (ja) | ||
KR102027592B1 (ko) | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 | |
JP2000010287A5 (ja) | ||
CN103201680A (zh) | 用于负显影的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法 | |
JP2001183837A5 (ja) | ||
KR101680921B1 (ko) | 패턴 형성 방법, 레지스트 조성물, 고분자 화합물, 및 중합성 에스테르 화합물 | |
JP3972438B2 (ja) | 化学増幅型のポジ型レジスト組成物 | |
KR101753433B1 (ko) | 감방사선성 조성물 | |
JP2002303980A5 (ja) | ||
JP6435109B2 (ja) | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 | |
JP2003222999A (ja) | レジスト組成物 | |
JP2001142212A5 (ja) | ||
JP2000231194A5 (ja) | ||
JP4514583B2 (ja) | 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法 | |
JP2000066380A5 (ja) | ||
JP2001330957A5 (ja) | ||
JP2000066396A5 (ja) | ||
JP2000047385A5 (ja) |