JP2000089240A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲートバスラインの電界により引き起こされ
るＣＦ側のブラックマトリクスなどの分極によるスミア
や映像の焼き付きを防止する。 【解決手段】 共通電極５（または画素電極４）を、そ
の下方にあるゲートバスライン１とゲート電極７を完全
に覆うように形成し、選択信号の印加によってゲートバ
スライン１から放射される不要な電界をシールドする。
これにより、ゲートバスライン１からの電界がＣＦ側に
洩れるのを防ぐ。共通電極５（または画素電極４）をＴ
ＦＴ６を覆うように形成すれば、ＴＦＴ６の遮光膜とし
て使用できる、焼き付きなどの要因となるブラックマト
リクスを省略できる。
るＣＦ側のブラックマトリクスなどの分極によるスミア
や映像の焼き付きを防止する。 【解決手段】 共通電極５（または画素電極４）を、そ
の下方にあるゲートバスライン１とゲート電極７を完全
に覆うように形成し、選択信号の印加によってゲートバ
スライン１から放射される不要な電界をシールドする。
これにより、ゲートバスライン１からの電界がＣＦ側に
洩れるのを防ぐ。共通電極５（または画素電極４）をＴ
ＦＴ６を覆うように形成すれば、ＴＦＴ６の遮光膜とし
て使用できる、焼き付きなどの要因となるブラックマト
リクスを省略できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、さらに言えば、イン・プレイン・スイッチング（In
-Plane-Switching、ＩＰＳ）モードで動作し、広視野角
が実現できるアクティブマトリクス（active matrix）
型液晶表示装置に関する。
し、さらに言えば、イン・プレイン・スイッチング（In
-Plane-Switching、ＩＰＳ）モードで動作し、広視野角
が実現できるアクティブマトリクス（active matrix）
型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置の動作モードに
は、配向した液晶分子の分子軸の方向をガラス基板に対
して垂直な方向に回転させて情報の表示を行うツイステ
ィド・ネマティック（Twisted Nematic、ＴＮ）モード
と、ガラス基板に対して平行な方向に回転させて情報の
表示を行うＩＰＳモードがある。
は、配向した液晶分子の分子軸の方向をガラス基板に対
して垂直な方向に回転させて情報の表示を行うツイステ
ィド・ネマティック（Twisted Nematic、ＴＮ）モード
と、ガラス基板に対して平行な方向に回転させて情報の
表示を行うＩＰＳモードがある。
【０００３】ＩＰＳモードの液晶表示装置では、視点を
動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみを見ている
ことになるため、表示品位の視野角依存性が少ないとい
う特徴がある。この特徴により、ＴＮモードの液晶表示
装置に比べて広い視野角を達成できるという利点があ
る。
動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみを見ている
ことになるため、表示品位の視野角依存性が少ないとい
う特徴がある。この特徴により、ＴＮモードの液晶表示
装置に比べて広い視野角を達成できるという利点があ
る。
【０００４】従来のＩＰＳモードを利用した広視野角の
液晶表示装置としては、特公昭６３−２１９０７号公報
および特開平６−２０２１２７号公報に記載されている
もの（以下、それぞれ従来例１、２という）が挙げられ
る。しかし、これら従来例１、２の液晶表示装置では、
映像信号が印加されるデータバスライン（ドレイン電極
線）とそれに対応する画素電極との間に、映像信号に対
応する表示電位とは無関係の電位が常に印加されるた
め、その電位によってデータバスラインから放射される
不要な電界が液晶層に印加され、その結果、表示品位が
劣化するという問題がある。
液晶表示装置としては、特公昭６３−２１９０７号公報
および特開平６−２０２１２７号公報に記載されている
もの（以下、それぞれ従来例１、２という）が挙げられ
る。しかし、これら従来例１、２の液晶表示装置では、
映像信号が印加されるデータバスライン（ドレイン電極
線）とそれに対応する画素電極との間に、映像信号に対
応する表示電位とは無関係の電位が常に印加されるた
め、その電位によってデータバスラインから放射される
不要な電界が液晶層に印加され、その結果、表示品位が
劣化するという問題がある。
【０００５】そこで、このようなデータバスラインから
の不要な電界の液晶層への印加を防止するため、図２０
〜図２２に示す液晶表示装置（以下、従来例３という）
が開発されている。この従来例３は、特願平０８−２８
６３８１号特許出願（特開平１０−１８６４０７号公
報）に開示されているもので、映像信号が印加されるデ
ータバスラインを、基準電位が印加される共通バスライ
ン（共通電極線）に重なるように、換言すれば、共通バ
スラインの全体を覆うように形成することにより、前記
の不要な電界を遮断するものである。
の不要な電界の液晶層への印加を防止するため、図２０
〜図２２に示す液晶表示装置（以下、従来例３という）
が開発されている。この従来例３は、特願平０８−２８
６３８１号特許出願（特開平１０−１８６４０７号公
報）に開示されているもので、映像信号が印加されるデ
ータバスラインを、基準電位が印加される共通バスライ
ン（共通電極線）に重なるように、換言すれば、共通バ
スラインの全体を覆うように形成することにより、前記
の不要な電界を遮断するものである。
【０００６】図２０は従来例３の液晶表示装置のゲート
バスラインとデータバスラインと共通電極と共通バスラ
インのレイアウトを示す部分平面図であり、図２１と図
２２はそれぞれ図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線とＸＸＩＩ−
ＸＸＩＩ線に沿った部分断面図である。
バスラインとデータバスラインと共通電極と共通バスラ
インのレイアウトを示す部分平面図であり、図２１と図
２２はそれぞれ図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線とＸＸＩＩ−
ＸＸＩＩ線に沿った部分断面図である。
【０００７】図２１と図２２に示されているように、こ
の液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数の
薄膜トランジスタ６（Thin-Film Transistor, 以下、Ｔ
ＦＴという）を有するガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と
いう）１１３と、カラーフィルタ層１２２を有するガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板という）１１５と、それら二枚
の基板１１３と１１５の間に配置された液晶層１１８と
を備えて構成されている。液晶層１１８の周囲はシール
材（図示せず）によって封止されて空間を形成してお
り、その封止された空間に液晶（図示せず）とスペーサ
が充填されている。
の液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数の
薄膜トランジスタ６（Thin-Film Transistor, 以下、Ｔ
ＦＴという）を有するガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と
いう）１１３と、カラーフィルタ層１２２を有するガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板という）１１５と、それら二枚
の基板１１３と１１５の間に配置された液晶層１１８と
を備えて構成されている。液晶層１１８の周囲はシール
材（図示せず）によって封止されて空間を形成してお
り、その封止された空間に液晶（図示せず）とスペーサ
が充填されている。
【０００８】ＴＦＴ基板１１３の表面には、ＴＦＴ１０
６のゲート電極１０７がマトリックス状に配置され、さ
らに、それらゲート電極１０７を電気的に接続する複数
のゲートバスライン（ゲート電極線）１０１が形成され
ている。各ゲートバスライン１０１は、Ｘ方向において
隣接する（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ行
に属する）ゲート電極１０７を互いに電気的に接続して
いる。複数のゲートバスライン１０１は、図２０に示す
ように、互いに平行であっていずれもＸ方向に延在して
いる。それらのゲート電極１０７とゲートバスライン１
０１は、ＴＦＴ基板１１３の表面に形成されたゲート絶
縁膜１１１によって覆われている。
６のゲート電極１０７がマトリックス状に配置され、さ
らに、それらゲート電極１０７を電気的に接続する複数
のゲートバスライン（ゲート電極線）１０１が形成され
ている。各ゲートバスライン１０１は、Ｘ方向において
隣接する（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ行
に属する）ゲート電極１０７を互いに電気的に接続して
いる。複数のゲートバスライン１０１は、図２０に示す
ように、互いに平行であっていずれもＸ方向に延在して
いる。それらのゲート電極１０７とゲートバスライン１
０１は、ＴＦＴ基板１１３の表面に形成されたゲート絶
縁膜１１１によって覆われている。
【０００９】ゲート絶縁膜１１１の上には、複数のゲー
ト電極１０７のそれぞれに対応してドレイン電極１０８
およびソース電極１０９と、一つのパターン化されたア
モルファスシリコン層１１０とが形成されている。ドレ
イン電極１０８およびソース電極１０９を電気的に接続
する導電性チャネルは、このアモルファスシリコン層１
１０の内部に形成される。一つのゲート電極１０７と、
それに対応するドレイン電極１０８およびソース電極１
０９と、アモルファスシリコン層１１０とが、各ＴＦＴ
１０６を構成する。
ト電極１０７のそれぞれに対応してドレイン電極１０８
およびソース電極１０９と、一つのパターン化されたア
モルファスシリコン層１１０とが形成されている。ドレ
イン電極１０８およびソース電極１０９を電気的に接続
する導電性チャネルは、このアモルファスシリコン層１
１０の内部に形成される。一つのゲート電極１０７と、
それに対応するドレイン電極１０８およびソース電極１
０９と、アモルファスシリコン層１１０とが、各ＴＦＴ
１０６を構成する。
【００１０】ゲート絶縁膜１１１の上にはさらに、複数
の画素電極１０４と、複数のデータバスライン（ドレイ
ン電極線）１０２とが形成されている。
の画素電極１０４と、複数のデータバスライン（ドレイ
ン電極線）１０２とが形成されている。
【００１１】複数のデータバスライン１０２は、互いに
平行であっていずれもＹ方向に延在している。各ドレイ
ン電極線１０２は、Ｙ方向において隣接する（すなわ
ち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ列に属する）ドレイ
ン電極１０８を互いに電気的に接続している。
平行であっていずれもＹ方向に延在している。各ドレイ
ン電極線１０２は、Ｙ方向において隣接する（すなわ
ち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ列に属する）ドレイ
ン電極１０８を互いに電気的に接続している。
【００１２】各画素電極１０４は、隣接する二つのゲー
トバスライン１０１と隣接する二つのデータバスライン
１０２に挟まれた画素領域Ｐに配置されており、対応す
るＴＦＴ１０６のソース電極１０９に電気的に接続され
ている。各画素電極１０４の形状はストリップ状で、対
応する画素領域Ｐ内でデータバスライン１０２に平行に
Ｙ方向に延在している。
トバスライン１０１と隣接する二つのデータバスライン
１０２に挟まれた画素領域Ｐに配置されており、対応す
るＴＦＴ１０６のソース電極１０９に電気的に接続され
ている。各画素電極１０４の形状はストリップ状で、対
応する画素領域Ｐ内でデータバスライン１０２に平行に
Ｙ方向に延在している。
【００１３】ＴＦＴ１０６と画素電極１０４とゲート電
極線１０１とデータバスライン１０２とは、図２５およ
び図２２に示すように、ゲート絶縁膜１１１の上に形成
された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１１２によっ
て覆われている。
極線１０１とデータバスライン１０２とは、図２５およ
び図２２に示すように、ゲート絶縁膜１１１の上に形成
された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１１２によっ
て覆われている。
【００１４】層間絶縁膜１１２の表面には、図２０に示
すように、Ｙ方向に延在する複数の共通電極１０５と、
Ｘ方向に延在する複数の共通バスライン（共通電極線）
１０３とが形成されている。各共通電極１０５はストリ
ップ状をしていて、画素電極１０４とデータバスライン
１０２に平行にＹ方向に延在している。共通バスライン
１０３は、複数の共通電極１０５を互いに電気的に接続
しており、ゲートバスライン１０１に平行にＸ方向に延
在している。
すように、Ｙ方向に延在する複数の共通電極１０５と、
Ｘ方向に延在する複数の共通バスライン（共通電極線）
１０３とが形成されている。各共通電極１０５はストリ
ップ状をしていて、画素電極１０４とデータバスライン
１０２に平行にＹ方向に延在している。共通バスライン
１０３は、複数の共通電極１０５を互いに電気的に接続
しており、ゲートバスライン１０１に平行にＸ方向に延
在している。
【００１５】図２０に明瞭に示すように、各共通電極１
０５は、対応するデータバスライン１０２と重なってい
てそのデータバスライン１０２の全体を覆っている。ま
た、各共通バスライン１０３は、対応するゲートバスラ
イン１０１の近傍に配置され、そのゲートバスライン１
０１とは重なっていない。
０５は、対応するデータバスライン１０２と重なってい
てそのデータバスライン１０２の全体を覆っている。ま
た、各共通バスライン１０３は、対応するゲートバスラ
イン１０１の近傍に配置され、そのゲートバスライン１
０１とは重なっていない。
【００１６】ＣＦガラス基板１１５の表面には、カラー
フィルター層１２２が形成されている。このカラーフィ
ルター層１２２は、色材層１１６と、その色材層１１６
を保護し、且つカラーフィルター層１２２の表面を平坦
化するためのオーバーコート層１１７とを有している。
色材層１１６は、所定規則に従って配置された赤（Ｒｅ
ｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の色材のドッ
トまたはストライプと、それらＲ、Ｇ、Ｂのドットまた
はストライプの間を埋めるように配置されたブラックマ
トリックス１２１とを含んでいる。
フィルター層１２２が形成されている。このカラーフィ
ルター層１２２は、色材層１１６と、その色材層１１６
を保護し、且つカラーフィルター層１２２の表面を平坦
化するためのオーバーコート層１１７とを有している。
色材層１１６は、所定規則に従って配置された赤（Ｒｅ
ｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の色材のドッ
トまたはストライプと、それらＲ、Ｇ、Ｂのドットまた
はストライプの間を埋めるように配置されたブラックマ
トリックス１２１とを含んでいる。
【００１７】ゲートバスライン１０１には所定の選択信
号が印加され、それによって対応するＴＦＴ１０６がＯ
Ｎ−ＯＦＦスイッチングされる。選択信号によって選択
されたデータバスライン１０２には、対応する映像信号
がそれぞれ印加される。複数の共通バスライン１０３に
は共通の基準電位が印加される。ゲートバスライン１０
１に印加された選択信号によって選択された画素では、
対応するＴＦＴ１０６がＯＮとなり、その結果、データ
バスライン１０２に印加された映像信号に応じて対応す
る共通電極１０５と画素電極１０４の間に電圧が印加さ
れる。その電圧により、液晶層１１８に閉じ込められた
液晶の分子に対してＴＦＴ基板１１３およびＣＦ基板１
１５にほぼ平行な電界が印加される。この電界によって
各液晶の分子が映像信号に対応する回転運動を行い、そ
の結果、印加された映像信号に対応する映像が当該液晶
表示装置のスクリーンに表示される。
号が印加され、それによって対応するＴＦＴ１０６がＯ
Ｎ−ＯＦＦスイッチングされる。選択信号によって選択
されたデータバスライン１０２には、対応する映像信号
がそれぞれ印加される。複数の共通バスライン１０３に
は共通の基準電位が印加される。ゲートバスライン１０
１に印加された選択信号によって選択された画素では、
対応するＴＦＴ１０６がＯＮとなり、その結果、データ
バスライン１０２に印加された映像信号に応じて対応す
る共通電極１０５と画素電極１０４の間に電圧が印加さ
れる。その電圧により、液晶層１１８に閉じ込められた
液晶の分子に対してＴＦＴ基板１１３およびＣＦ基板１
１５にほぼ平行な電界が印加される。この電界によって
各液晶の分子が映像信号に対応する回転運動を行い、そ
の結果、印加された映像信号に対応する映像が当該液晶
表示装置のスクリーンに表示される。
【００１８】各ＴＦＴ１０６は、ゲート電極１０７の上
方にソース電極１０９とドレイン電極１０８が配置され
る、いわゆるボトムゲート構造であるため、「逆スタガ
ー構造」と一般に呼ばれている。
方にソース電極１０９とドレイン電極１０８が配置され
る、いわゆるボトムゲート構造であるため、「逆スタガ
ー構造」と一般に呼ばれている。
【００１９】以上の構成を持つ従来例３の液晶表示装置
では、図２０より明らかなように、各共通電極１０５が
対応するデータバスライン１０２の全体を完全に覆って
いるため、従来例１、２の液晶表示装置で問題となった
データバスライン１０２から放射される不要な電界は共
通電極５によってほぼ遮断される。このため、その不要
な電界が液晶層１１８中の液晶分子に及ぶことによって
生じる表示品位の劣化は抑制されるのである。
では、図２０より明らかなように、各共通電極１０５が
対応するデータバスライン１０２の全体を完全に覆って
いるため、従来例１、２の液晶表示装置で問題となった
データバスライン１０２から放射される不要な電界は共
通電極５によってほぼ遮断される。このため、その不要
な電界が液晶層１１８中の液晶分子に及ぶことによって
生じる表示品位の劣化は抑制されるのである。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例３の液
晶表示装置は次のような問題を有しており、表示品位は
未だ十分ではない。
晶表示装置は次のような問題を有しており、表示品位は
未だ十分ではない。
【００２１】すなわち、ＣＦ基板１１５側の色材層１１
６、ブラックマトリクス１２１、オーバーコート層１１
７は電気的にフローティング状態にあるため、分極また
は帯電しやすい性質を持つ。ブラックマトリクス１２１
は特に分極・帯電しやすい。しかも、ブラックマトリク
ス１２１は導電性があるため、分極・帯電した電荷はブ
ラックマトリクス１２１内を容易に移動し、その結果、
ブラックマトリクス１２１の端が光ったり、当該液晶表
示装置のスクリーンに映像が焼き付いたりする表示不良
を引き起こすのである。
６、ブラックマトリクス１２１、オーバーコート層１１
７は電気的にフローティング状態にあるため、分極また
は帯電しやすい性質を持つ。ブラックマトリクス１２１
は特に分極・帯電しやすい。しかも、ブラックマトリク
ス１２１は導電性があるため、分極・帯電した電荷はブ
ラックマトリクス１２１内を容易に移動し、その結果、
ブラックマトリクス１２１の端が光ったり、当該液晶表
示装置のスクリーンに映像が焼き付いたりする表示不良
を引き起こすのである。
【００２２】この表示不良を防止するには、ブラックマ
トリクス１２１として分極が少なく導電性の低い材料を
選定するなどの対策が必要である。
トリクス１２１として分極が少なく導電性の低い材料を
選定するなどの対策が必要である。
【００２３】そこで、本発明の目的は、従来の液晶表示
装置より優れた表示品位が得られるＩＰＳモードのアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにあ
る。
装置より優れた表示品位が得られるＩＰＳモードのアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００２４】本発明の他の目的は、新たな電界シールド
層を設けることなしに、ＴＦＴ基板のような能動素子基
板から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑
制できるＩＰＳモードのアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することにある。
層を設けることなしに、ＴＦＴ基板のような能動素子基
板から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑
制できるＩＰＳモードのアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することにある。
【００２５】本発明のさらに他の目的は、帯電・分極を
起こしやすいブラックマトリクスに起因するスミアや映
像の焼き付きを生じないＩＰＳモードのアクティブマト
リクス型液晶表示装置を提供することにある。
起こしやすいブラックマトリクスに起因するスミアや映
像の焼き付きを生じないＩＰＳモードのアクティブマト
リクス型液晶表示装置を提供することにある。
【００２６】本発明のさらに他の目的は、帯電・分極を
引き起こしやすいブラックマトリクスをなくすことがで
きるＩＰＳモードのアクティブマトリクス型液晶表示装
置を提供することにある。
引き起こしやすいブラックマトリクスをなくすことがで
きるＩＰＳモードのアクティブマトリクス型液晶表示装
置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】（１） 本発明の第１の
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状
に配置された複数のＴＦＴを有する能動素子基板と、カ
ラーフィルターを有するカラーフィルター基板と、前記
能動素子基板と前記カラーフィルター基板の間に設けら
れると共に、複数の前記ＴＦＴによりＩＰＳモードで動
作せしめられる液晶層と、前記能動素子基板上で前記Ｔ
ＦＴのマトリックスの行方向に延在し、且つそのマトリ
ックスの同じ行に属する前記ＴＦＴのゲート電極を電気
的に接続する複数のゲートバスラインと、前記能動素子
基板の複数の画素領域のそれぞれに配置され、且つ複数
の前記ＴＦＴのソース電極のそれぞれに電気的に接続さ
れた複数の画素電極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦ
Ｔのマトリックスの列方向に延在し、且つそのマトリッ
クスの同じ列に属する前記ＴＦＴのドレイン電極を電気
的に接続する複数のデータバスラインと、前記能動素子
基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方向に延在し、
且つそのマトリックスの同じ列に属する前記ＴＦＴのド
レイン電極のそれぞれと重なるように配置された複数の
共通電極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリ
ックスの行方向に延在すると共に、そのマトリックスの
同じ行に属する前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞ
れと重なるように配置され、しかもそのマトリックスの
同じ行に属する前記共通電極を電気的に接続する複数の
共通バスラインとを備えて構成され、複数の前記共通電
極のそれぞれは、対応する前記データバスラインから前
記液晶層に向かって放出される不要な電界を遮断する作
用を持ち、しかも、複数の前記共通バスラインのそれぞ
れは、対応する前記ゲートバスラインから前記液晶層に
向かって放出される不要な電界を遮断する作用を持つこ
とを特徴とする。
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状
に配置された複数のＴＦＴを有する能動素子基板と、カ
ラーフィルターを有するカラーフィルター基板と、前記
能動素子基板と前記カラーフィルター基板の間に設けら
れると共に、複数の前記ＴＦＴによりＩＰＳモードで動
作せしめられる液晶層と、前記能動素子基板上で前記Ｔ
ＦＴのマトリックスの行方向に延在し、且つそのマトリ
ックスの同じ行に属する前記ＴＦＴのゲート電極を電気
的に接続する複数のゲートバスラインと、前記能動素子
基板の複数の画素領域のそれぞれに配置され、且つ複数
の前記ＴＦＴのソース電極のそれぞれに電気的に接続さ
れた複数の画素電極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦ
Ｔのマトリックスの列方向に延在し、且つそのマトリッ
クスの同じ列に属する前記ＴＦＴのドレイン電極を電気
的に接続する複数のデータバスラインと、前記能動素子
基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方向に延在し、
且つそのマトリックスの同じ列に属する前記ＴＦＴのド
レイン電極のそれぞれと重なるように配置された複数の
共通電極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリ
ックスの行方向に延在すると共に、そのマトリックスの
同じ行に属する前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞ
れと重なるように配置され、しかもそのマトリックスの
同じ行に属する前記共通電極を電気的に接続する複数の
共通バスラインとを備えて構成され、複数の前記共通電
極のそれぞれは、対応する前記データバスラインから前
記液晶層に向かって放出される不要な電界を遮断する作
用を持ち、しかも、複数の前記共通バスラインのそれぞ
れは、対応する前記ゲートバスラインから前記液晶層に
向かって放出される不要な電界を遮断する作用を持つこ
とを特徴とする。
【００２８】（２） 本発明の第１のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置では、前記能動素子基板上におい
て、前記マトリックスの同じ列に属する前記ＴＦＴのデ
ータバスラインのそれぞれと重なるように複数の共通電
極が配置され、且つ、そのマトリックスの同じ行に属す
る前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞれと重なるよ
うに複数の共通バスラインが配置されている。
クス型液晶表示装置では、前記能動素子基板上におい
て、前記マトリックスの同じ列に属する前記ＴＦＴのデ
ータバスラインのそれぞれと重なるように複数の共通電
極が配置され、且つ、そのマトリックスの同じ行に属す
る前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞれと重なるよ
うに複数の共通バスラインが配置されている。
【００２９】そして、複数の前記共通電極のそれぞれ
は、対応する前記データバスラインから前記液晶層に向
かって放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、ま
た、複数の前記共通バスラインのそれぞれは、対応する
前記ゲートバスラインから前記液晶層に向かって放出さ
れる不要な電界を遮断する作用を持っている。
は、対応する前記データバスラインから前記液晶層に向
かって放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、ま
た、複数の前記共通バスラインのそれぞれは、対応する
前記ゲートバスラインから前記液晶層に向かって放出さ
れる不要な電界を遮断する作用を持っている。
【００３０】よって、ＴＦＴ基板のような能動素子基板
から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制
できる。例えば、帯電・分極を起こしやすいブラックマ
トリクスに起因するスミアや映像の焼き付きを防止でき
る。その結果、上述した従来例３の液晶表示装置よりも
優れた表示品位が得られる。
から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制
できる。例えば、帯電・分極を起こしやすいブラックマ
トリクスに起因するスミアや映像の焼き付きを防止でき
る。その結果、上述した従来例３の液晶表示装置よりも
優れた表示品位が得られる。
【００３１】しかも、そのために新たな電界シールド層
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
【００３２】（３） 本発明の第１のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の好ましい例では、前記能動素子基
板が、前記複数のＴＦＴを覆うように形成された層間絶
縁膜を備えており、前記複数の共通電極と前記複数の共
通バスラインがその層間絶縁膜に対して前記液晶層の側
に配置され、前記複数の画素電極と前記複数のデータバ
スラインがその層間絶縁膜に対して前記液晶層とは反対
側に配置される。
クス型液晶表示装置の好ましい例では、前記能動素子基
板が、前記複数のＴＦＴを覆うように形成された層間絶
縁膜を備えており、前記複数の共通電極と前記複数の共
通バスラインがその層間絶縁膜に対して前記液晶層の側
に配置され、前記複数の画素電極と前記複数のデータバ
スラインがその層間絶縁膜に対して前記液晶層とは反対
側に配置される。
【００３３】この場合、前記層間絶縁膜が、低誘電率で
分極の少ない有機膜により形成されるのが好ましい。そ
の理由は、前記層間絶縁膜を挟んで対向するデータバス
ラインと共通バスラインの間の容量を少なくできるから
である。
分極の少ない有機膜により形成されるのが好ましい。そ
の理由は、前記層間絶縁膜を挟んで対向するデータバス
ラインと共通バスラインの間の容量を少なくできるから
である。
【００３４】また、前記層間絶縁膜は、無機膜と、低誘
電率で分極の少ない有機膜との積層体により形成されて
いてもよい。
電率で分極の少ない有機膜との積層体により形成されて
いてもよい。
【００３５】ここで「低誘電率」とは、比誘電率が２〜
３．５程度を意味する。「分極の少ない」とは、カラー
フィルターやブラックマトリックスよりも分極率が小さ
いことを意味する。
３．５程度を意味する。「分極の少ない」とは、カラー
フィルターやブラックマトリックスよりも分極率が小さ
いことを意味する。
【００３６】前記層間絶縁膜の形成する前記有機膜とし
ては、ベンゾシクロブテン膜が好適に用いられる。その
理由は、誘電率が２．７と低く、しかも吸水性と分極性
が低いからである。
ては、ベンゾシクロブテン膜が好適に用いられる。その
理由は、誘電率が２．７と低く、しかも吸水性と分極性
が低いからである。
【００３７】ベンゾシクロブテン膜の他には、ポリシラ
ザンや種々のＳＯＧ（Spin-On-Glass）材料が使用可能
である。
ザンや種々のＳＯＧ（Spin-On-Glass）材料が使用可能
である。
【００３８】本発明の第１のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の他の好ましい例では、前記層間絶縁膜が前
記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれにおいて選
択的に除去される。その理由は、表示用の電界がより有
効に液晶分子に作用するようにするためである。
晶表示装置の他の好ましい例では、前記層間絶縁膜が前
記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれにおいて選
択的に除去される。その理由は、表示用の電界がより有
効に液晶分子に作用するようにするためである。
【００３９】本発明の第１のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが対応する前記ＴＦＴを覆っていて、
外光が前記ＴＦＴに照射されるのを防ぐ遮光膜として作
用する。こうすれば、外光に起因する悪影響を防止でき
ると共に、前記カラーフィルター層からブラックマトリ
ックスを省略できる利点が生じるからである。
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが対応する前記ＴＦＴを覆っていて、
外光が前記ＴＦＴに照射されるのを防ぐ遮光膜として作
用する。こうすれば、外光に起因する悪影響を防止でき
ると共に、前記カラーフィルター層からブラックマトリ
ックスを省略できる利点が生じるからである。
【００４０】よって、この場合には、前記カラーフィル
ター層がブラックマトリックスを含まないように構成し
てもよい。こうすれば、前記カラーフィルター層の構成
および製法が簡単になる利点が得られる。
ター層がブラックマトリックスを含まないように構成し
てもよい。こうすれば、前記カラーフィルター層の構成
および製法が簡単になる利点が得られる。
【００４１】（４） 本発明の第２のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数
のＴＦＴを有する能動素子基板と、カラーフィルターを
有するカラーフィルター基板と、前記能動素子基板と前
記カラーフィルター基板の間に設けられると共に、複数
の前記ＴＦＴによりＩＰＳモードで動作せしめられる液
晶層と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリック
スの行方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に
属する前記ＴＦＴのゲート電極を電気的に接続する複数
のゲートバスラインと、前記能動素子基板の複数の画素
領域のそれぞれに配置され、且つ複数の前記ＴＦＴのソ
ース電極のそれぞれに電気的に接続された複数の画素電
極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックス
の列方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ列に属
する前記ＴＦＴのドレイン電極を電気的に接続する複数
のデータバスラインと、前記能動素子基板上で前記ＴＦ
Ｔのマトリックスの列方向に延在する複数の共通電極
と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの
行方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に属す
る前記共通電極を電気的に接続する複数の共通バスライ
ンとを備えて構成され、複数の前記画素電極は、前記Ｔ
ＦＴのマトリックスの同じ行に属する前記ＴＦＴのゲー
トバスラインのそれぞれと重なると共に、対応する前記
データバスラインとも重なっており、しかも、複数の前
記画素電極のそれぞれは、対応する前記データバスライ
ンと対応する前記ゲートバスラインから前記液晶層に向
かってそれぞれ放出される不要な電界を遮断する作用を
持つことを特徴とする。
クス型液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数
のＴＦＴを有する能動素子基板と、カラーフィルターを
有するカラーフィルター基板と、前記能動素子基板と前
記カラーフィルター基板の間に設けられると共に、複数
の前記ＴＦＴによりＩＰＳモードで動作せしめられる液
晶層と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリック
スの行方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に
属する前記ＴＦＴのゲート電極を電気的に接続する複数
のゲートバスラインと、前記能動素子基板の複数の画素
領域のそれぞれに配置され、且つ複数の前記ＴＦＴのソ
ース電極のそれぞれに電気的に接続された複数の画素電
極と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックス
の列方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ列に属
する前記ＴＦＴのドレイン電極を電気的に接続する複数
のデータバスラインと、前記能動素子基板上で前記ＴＦ
Ｔのマトリックスの列方向に延在する複数の共通電極
と、前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの
行方向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に属す
る前記共通電極を電気的に接続する複数の共通バスライ
ンとを備えて構成され、複数の前記画素電極は、前記Ｔ
ＦＴのマトリックスの同じ行に属する前記ＴＦＴのゲー
トバスラインのそれぞれと重なると共に、対応する前記
データバスラインとも重なっており、しかも、複数の前
記画素電極のそれぞれは、対応する前記データバスライ
ンと対応する前記ゲートバスラインから前記液晶層に向
かってそれぞれ放出される不要な電界を遮断する作用を
持つことを特徴とする。
【００４２】（５） 本発明の第２のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置では、前記能動素子基板上におい
て、複数の前記画素電極は、前記ＴＦＴのマトリックス
の同じ行に属する前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれ
ぞれと重なると共に、対応する前記データバスラインと
も重なるように配置されている。
クス型液晶表示装置では、前記能動素子基板上におい
て、複数の前記画素電極は、前記ＴＦＴのマトリックス
の同じ行に属する前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれ
ぞれと重なると共に、対応する前記データバスラインと
も重なるように配置されている。
【００４３】そして、複数の前記画素電極のそれぞれ
は、対応する前記データバスラインと対応する前記ゲー
トバスラインから前記液晶層に向かってそれぞれ放出さ
れる不要な電界を遮断する作用を持っている。
は、対応する前記データバスラインと対応する前記ゲー
トバスラインから前記液晶層に向かってそれぞれ放出さ
れる不要な電界を遮断する作用を持っている。
【００４４】よって、ＴＦＴ基板のような能動素子基板
から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制
できる。例えば、帯電・分極を起こしやすいブラックマ
トリクスに起因するスミアや焼き付きを防止できる。そ
の結果、上述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた
表示品位が得られる。
から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制
できる。例えば、帯電・分極を起こしやすいブラックマ
トリクスに起因するスミアや焼き付きを防止できる。そ
の結果、上述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた
表示品位が得られる。
【００４５】しかも、そのために新たな電界シールド層
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
【００４６】（６） 本発明の第２のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の好ましい例では、前記能動素子基
板が、前記複数のＴＦＴを覆うように形成された層間絶
縁膜を備えており、前記複数の画素電極がその層間絶縁
膜に対して前記液晶層の側に配置され、前記複数の共通
電極と前記複数の共通バスラインと前記複数のデータバ
スラインとがその層間絶縁膜に対して前記液晶層とは反
対側に配置される。
クス型液晶表示装置の好ましい例では、前記能動素子基
板が、前記複数のＴＦＴを覆うように形成された層間絶
縁膜を備えており、前記複数の画素電極がその層間絶縁
膜に対して前記液晶層の側に配置され、前記複数の共通
電極と前記複数の共通バスラインと前記複数のデータバ
スラインとがその層間絶縁膜に対して前記液晶層とは反
対側に配置される。
【００４７】この場合、前記層間絶縁膜が、低誘電率で
分極の少ない有機膜により形成されるのが好ましい。そ
の理由は、本発明の第１のアクティブマトリクス型液晶
表示装置におけるのと同じである。
分極の少ない有機膜により形成されるのが好ましい。そ
の理由は、本発明の第１のアクティブマトリクス型液晶
表示装置におけるのと同じである。
【００４８】また、前記層間絶縁膜は、無機膜と、低誘
電率で分極の少ない有機膜との積層体により形成されて
いてもよい。
電率で分極の少ない有機膜との積層体により形成されて
いてもよい。
【００４９】前記層間絶縁膜の形成する前記有機膜とし
ては、ベンゾシクロブテン膜が好適に用いられる。その
理由は、本発明の第１のアクティブマトリクス型液晶表
示装置におけるのと同じである。ベンゾシクロブテン膜
の他には、ポリシラザンや種々のＳＯＧ（Spin-On-Glas
s）材料が使用可能である点も、本発明の第１のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置におけるのと同じであ
る。
ては、ベンゾシクロブテン膜が好適に用いられる。その
理由は、本発明の第１のアクティブマトリクス型液晶表
示装置におけるのと同じである。ベンゾシクロブテン膜
の他には、ポリシラザンや種々のＳＯＧ（Spin-On-Glas
s）材料が使用可能である点も、本発明の第１のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置におけるのと同じであ
る。
【００５０】本発明の第２のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の他の好ましい例では、前記層間絶縁膜が前
記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれにおいて選
択的に除去される。その理由は、本発明の第１のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置におけるのと同じであ
る。
晶表示装置の他の好ましい例では、前記層間絶縁膜が前
記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれにおいて選
択的に除去される。その理由は、本発明の第１のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置におけるのと同じであ
る。
【００５１】本発明の第２のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが対応する前記ＴＦＴを覆っていて、
外光が前記ＴＦＴに照射されるのを防ぐ遮光膜として作
用する。こうすれば、外光に起因する悪影響を防止でき
ると共に、前記カラーフィルター層からブラックマトリ
ックスを省略できる利点が生じるからである。
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが対応する前記ＴＦＴを覆っていて、
外光が前記ＴＦＴに照射されるのを防ぐ遮光膜として作
用する。こうすれば、外光に起因する悪影響を防止でき
ると共に、前記カラーフィルター層からブラックマトリ
ックスを省略できる利点が生じるからである。
【００５２】よって、この場合には、前記カラーフィル
ター層がブラックマトリックスを含まないように構成し
てもよい。こうすれば、前記カラーフィルター層の構成
および製法が簡単になる利点が得られる。
ター層がブラックマトリックスを含まないように構成し
てもよい。こうすれば、前記カラーフィルター層の構成
および製法が簡単になる利点が得られる。
【００５３】本発明の第２のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが、対応する前記画素領域を挟む二本
のデータバスラインと部分的に重なって形成される。
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれが、対応する前記画素領域を挟む二本
のデータバスラインと部分的に重なって形成される。
【００５４】本発明の第２のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれの形状が、前記画素領域の形状に対応
した略矩形とされる。
晶表示装置のさらに他の好ましい例では、複数の前記共
通電極のそれぞれの形状が、前記画素領域の形状に対応
した略矩形とされる。
【００５５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施の形
態を添付図面を参照しながら具体的に説明する。
態を添付図面を参照しながら具体的に説明する。
【００５６】（第１実施形態）図１〜図４および図１８
は本発明の第１の実施形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を示す。この装置では、液晶分子はＩＰＳモ
ードで動作せしめられる。
は本発明の第１の実施形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を示す。この装置では、液晶分子はＩＰＳモ
ードで動作せしめられる。
【００５７】図３と図４に示されているように、この液
晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数のＴＦ
Ｔ６を有するガラス基板（以下、ＴＦＴ基板という）１
３と、カラーフィルタ層２２を有するガラス基板（以
下、ＣＦ基板という）１５と、それら二枚の基板１３と
１５の間に配置された液晶層１８とを備えて構成されて
いる。液晶層１８の周囲はシール材（図示せず）によっ
て封止されて空間を形成しており、その封止された空間
に液晶（図示せず）とスペーサが充填されている。
晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数のＴＦ
Ｔ６を有するガラス基板（以下、ＴＦＴ基板という）１
３と、カラーフィルタ層２２を有するガラス基板（以
下、ＣＦ基板という）１５と、それら二枚の基板１３と
１５の間に配置された液晶層１８とを備えて構成されて
いる。液晶層１８の周囲はシール材（図示せず）によっ
て封止されて空間を形成しており、その封止された空間
に液晶（図示せず）とスペーサが充填されている。
【００５８】ＴＦＴ基板１３の表面には、ＴＦＴ６のゲ
ート電極７がマトリックス状に配置され、また、複数の
ゲートバスライン１がＴＦＴ６のマトリックスの行方向
（Ｘ方向）に延在するように配置されている。それらの
ゲートバスライン１は、図１および図２に示すように、
互いに平行であっていずれもＸ方向（すなわち、ＴＦＴ
６のマトリックスの行方向）に延在している。各ゲート
バスライン１は、Ｘ方向において隣接する（すなわち、
ＴＦＴ６のマトリックスの同じ行に属する）複数のゲー
ト電極７を互いに電気的に接続している。それらゲート
電極７とゲートバスライン１は、ＴＦＴ基板１３の表面
に形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われている。
ート電極７がマトリックス状に配置され、また、複数の
ゲートバスライン１がＴＦＴ６のマトリックスの行方向
（Ｘ方向）に延在するように配置されている。それらの
ゲートバスライン１は、図１および図２に示すように、
互いに平行であっていずれもＸ方向（すなわち、ＴＦＴ
６のマトリックスの行方向）に延在している。各ゲート
バスライン１は、Ｘ方向において隣接する（すなわち、
ＴＦＴ６のマトリックスの同じ行に属する）複数のゲー
ト電極７を互いに電気的に接続している。それらゲート
電極７とゲートバスライン１は、ＴＦＴ基板１３の表面
に形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われている。
【００５９】ゲート絶縁膜１１の上には、複数のゲート
電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およ
びソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファ
スシリコン層１０とが形成されている。ドレイン電極８
およびソース電極９を電気的に接続する導電性チャネル
は、このアモルファスシリコン層１０の内部に形成され
る。一つのゲート電極７と、それに対応するドレイン電
極８およびソース電極９と、アモルファスシリコン層１
０とが、各ＴＦＴ６を構成する。各ＴＦＴ６は、ゲート
電極７の上方にソース電極９とドレイン電極８が配置さ
れる「逆スタガー構造」である。
電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およ
びソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファ
スシリコン層１０とが形成されている。ドレイン電極８
およびソース電極９を電気的に接続する導電性チャネル
は、このアモルファスシリコン層１０の内部に形成され
る。一つのゲート電極７と、それに対応するドレイン電
極８およびソース電極９と、アモルファスシリコン層１
０とが、各ＴＦＴ６を構成する。各ＴＦＴ６は、ゲート
電極７の上方にソース電極９とドレイン電極８が配置さ
れる「逆スタガー構造」である。
【００６０】ゲート絶縁膜１１の上にはさらに、複数の
画素電極４と、複数のデータバスライン（ドレイン電極
線）２とが形成されている。
画素電極４と、複数のデータバスライン（ドレイン電極
線）２とが形成されている。
【００６１】複数のデータバスライン２は、互いに平行
であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリ
ックスの列方向）に延在している。各データバスライン
２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６の
マトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８
を互いに電気的に接続している。
であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリ
ックスの列方向）に延在している。各データバスライン
２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６の
マトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８
を互いに電気的に接続している。
【００６２】各画素電極４は、隣接する二つのゲートバ
スライン１と隣接する二つのデータバスライン２に挟ま
れた略矩形の画素領域Ｐに配置されており、対応するＴ
ＦＴ６のソース電極９に電気的に接続されている。図２
に示すように、各画素電極４の形状はストリップ状で、
対応する画素領域Ｐ内でデータバスライン２に平行にＹ
方向に延在している。各画素電極４のＴＦＴ６側の端部
は、Ｘ方向に屈曲してからＴＦＴ６のドレイン電極９に
接続されている。
スライン１と隣接する二つのデータバスライン２に挟ま
れた略矩形の画素領域Ｐに配置されており、対応するＴ
ＦＴ６のソース電極９に電気的に接続されている。図２
に示すように、各画素電極４の形状はストリップ状で、
対応する画素領域Ｐ内でデータバスライン２に平行にＹ
方向に延在している。各画素電極４のＴＦＴ６側の端部
は、Ｘ方向に屈曲してからＴＦＴ６のドレイン電極９に
接続されている。
【００６３】ＴＦＴ６と画素電極４とゲート電極線１と
データバスライン２とは、図３および図４に示すよう
に、ゲート絶縁膜１１の上に形成された層間絶縁膜（パ
ッシベーション膜）１２によって覆われている。層間絶
縁膜１２は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜により形
成する。
データバスライン２とは、図３および図４に示すよう
に、ゲート絶縁膜１１の上に形成された層間絶縁膜（パ
ッシベーション膜）１２によって覆われている。層間絶
縁膜１２は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜により形
成する。
【００６４】層間絶縁膜１２の表面には、図１に示すよ
うに、Ｙ方向に延在する複数の共通電極５と、Ｘ方向に
延在する複数の共通バスライン（共通電極線）３とが形
成されている。各共通電極５はストリップ状をしてい
て、画素電極４とデータバスライン２に平行である。共
通バスライン３は、複数の共通電極５を互いに電気的に
接続しており、ゲートバスライン１に平行である。
うに、Ｙ方向に延在する複数の共通電極５と、Ｘ方向に
延在する複数の共通バスライン（共通電極線）３とが形
成されている。各共通電極５はストリップ状をしてい
て、画素電極４とデータバスライン２に平行である。共
通バスライン３は、複数の共通電極５を互いに電気的に
接続しており、ゲートバスライン１に平行である。
【００６５】図１に明瞭に示すように、Ｙ方向に延在す
る各共通電極５は、対応するデータバスライン２と完全
に重なっていてそのデータバスライン２の全体を覆って
いる。また、Ｘ方向に延在する各共通バスライン３は、
対応するゲートバスライン１と完全に重なっていてその
ゲートバスライン１の全体を覆っている。各共通電極５
は、データバスライン２と完全に重なっていてそのデー
タバスライン２の全体を覆っている。こうして、各共通
バスライン３が、ゲートバスライン１からの電界をシー
ルドする電界シールド膜として動作すると共に、ＴＦＴ
６に向かって照射される外光を遮断する遮光膜としても
動作するようにしている。また、各共通電極５が、デー
タバスライン２からの電界をシールドする電界シールド
膜として動作すると共に、ＴＦＴ６に向かって照射され
る外光を遮断する遮光膜としても動作するようにしてい
る。
る各共通電極５は、対応するデータバスライン２と完全
に重なっていてそのデータバスライン２の全体を覆って
いる。また、Ｘ方向に延在する各共通バスライン３は、
対応するゲートバスライン１と完全に重なっていてその
ゲートバスライン１の全体を覆っている。各共通電極５
は、データバスライン２と完全に重なっていてそのデー
タバスライン２の全体を覆っている。こうして、各共通
バスライン３が、ゲートバスライン１からの電界をシー
ルドする電界シールド膜として動作すると共に、ＴＦＴ
６に向かって照射される外光を遮断する遮光膜としても
動作するようにしている。また、各共通電極５が、デー
タバスライン２からの電界をシールドする電界シールド
膜として動作すると共に、ＴＦＴ６に向かって照射され
る外光を遮断する遮光膜としても動作するようにしてい
る。
【００６６】図３および図４に示すように、ＣＦガラス
基板１５の表面には、カラーフィルター層２２が形成さ
れている。このカラーフィルター層２２は、色材層１６
と、その色材層１６を保護し且つカラーフィルター層２
２の表面を平坦化するためのオーバーコート層１７とを
有している。色材層１６は、所定規則に従って配置され
たＲ、Ｇ、Ｂの三原色の色材のドットまたはストライプ
を含んでいる。通常ではそれらＲ、Ｇ、Ｂのドットまた
はストライプの間を埋めるように配置されるブラックマ
トリックスは、この第１実施形態では形成されていな
い。色材としては、通常、ＲＧＢの３原色をもつ顔料や
染料の入った樹脂が使用される。
基板１５の表面には、カラーフィルター層２２が形成さ
れている。このカラーフィルター層２２は、色材層１６
と、その色材層１６を保護し且つカラーフィルター層２
２の表面を平坦化するためのオーバーコート層１７とを
有している。色材層１６は、所定規則に従って配置され
たＲ、Ｇ、Ｂの三原色の色材のドットまたはストライプ
を含んでいる。通常ではそれらＲ、Ｇ、Ｂのドットまた
はストライプの間を埋めるように配置されるブラックマ
トリックスは、この第１実施形態では形成されていな
い。色材としては、通常、ＲＧＢの３原色をもつ顔料や
染料の入った樹脂が使用される。
【００６７】ゲートバスライン１には所定の選択信号が
印加され、それによって対応するＴＦＴ６がＯＮ−ＯＦ
Ｆスイッチングされる。選択信号によって選択されたデ
ータバスライン２には、対応する映像信号がそれぞれ印
加される。複数の共通バスライン３には共通の基準電位
が印加される。ゲートバスライン１に印加された選択信
号によって選択された画素では、対応するＴＦＴ６がＯ
Ｎとなり、その結果、データバスライン２に印加された
映像信号に応じて対応する共通電極５と画素電極４の間
に電圧が印加される。その電圧により、液晶層１８に閉
じ込められた液晶の分子に対してＴＦＴ基板１３および
ＣＦ基板１５にほぼ平行な電界が印加される。この電界
によって各液晶の分子が映像信号に対応する回転運動を
行い、その結果、印加された映像信号に対応する映像が
当該液晶表示装置のスクリーンに表示される。
印加され、それによって対応するＴＦＴ６がＯＮ−ＯＦ
Ｆスイッチングされる。選択信号によって選択されたデ
ータバスライン２には、対応する映像信号がそれぞれ印
加される。複数の共通バスライン３には共通の基準電位
が印加される。ゲートバスライン１に印加された選択信
号によって選択された画素では、対応するＴＦＴ６がＯ
Ｎとなり、その結果、データバスライン２に印加された
映像信号に応じて対応する共通電極５と画素電極４の間
に電圧が印加される。その電圧により、液晶層１８に閉
じ込められた液晶の分子に対してＴＦＴ基板１３および
ＣＦ基板１５にほぼ平行な電界が印加される。この電界
によって各液晶の分子が映像信号に対応する回転運動を
行い、その結果、印加された映像信号に対応する映像が
当該液晶表示装置のスクリーンに表示される。
【００６８】この液晶表示装置の全体構造は図１８に示
すようになる。複数の画素領域Ｐと複数のＴＦＴ６がマ
トリックス状に配置されている。複数のゲートバスライ
ン（ゲート電極線）１は、当該マトリックスの行方向
（Ｘ方向）に沿って延在し、且つその列方向（Ｙ方向）
に等間隔で配置されている。複数のデータバスライン
（ドレイン電極線）２は、当該マトリックスの列方向
（Ｙ方向）に沿って延在し、且つその行方向（Ｘ方向）
に等間隔で配置されている。複数のＴＦＴ６は、ゲート
バスライン１とデータバスライン２の各交点の近傍に配
置されている。なお、５１は、各ゲートバスライン１に
所定の電圧を印加するためのゲート端子であり、５２
は、各データバスライン２に所定の電圧を印加するため
のドレイン端子である。
すようになる。複数の画素領域Ｐと複数のＴＦＴ６がマ
トリックス状に配置されている。複数のゲートバスライ
ン（ゲート電極線）１は、当該マトリックスの行方向
（Ｘ方向）に沿って延在し、且つその列方向（Ｙ方向）
に等間隔で配置されている。複数のデータバスライン
（ドレイン電極線）２は、当該マトリックスの列方向
（Ｙ方向）に沿って延在し、且つその行方向（Ｘ方向）
に等間隔で配置されている。複数のＴＦＴ６は、ゲート
バスライン１とデータバスライン２の各交点の近傍に配
置されている。なお、５１は、各ゲートバスライン１に
所定の電圧を印加するためのゲート端子であり、５２
は、各データバスライン２に所定の電圧を印加するため
のドレイン端子である。
【００６９】以上の構成を持つ第１実施形態の液晶表示
装置は、次のようにして製造される。
装置は、次のようにして製造される。
【００７０】まず、ＴＦＴガラス基板１３の表面に、Ｍ
ｏ，Ｃｒなどからなる第１導電層を形成し、その第１導
電層をパターン化してＸ方向に延在する複数のゲートバ
スライン１を形成する。ゲートバスライン１は、ＴＦＴ
６の内部ではそれらのゲート電極７となる。
ｏ，Ｃｒなどからなる第１導電層を形成し、その第１導
電層をパターン化してＸ方向に延在する複数のゲートバ
スライン１を形成する。ゲートバスライン１は、ＴＦＴ
６の内部ではそれらのゲート電極７となる。
【００７１】次に、ゲート絶縁膜１１として、ＳｉＮな
どの絶縁膜をゲートバスライン１とゲート電極７を覆う
ように形成し、その上にアモルファスシリコン層を形成
する。そのアモルファスシリコン層の上にＭｏ，Ｃｒな
どの第２導電層を形成した後、その第２導電層をパター
ン化して各ＴＦＴ６のドレイン電極８とソース電極９、
さらにデータバスライン２および画素電極４を形成す
る。各ドレイン電極８は対応するデータ線２に接続さ
れ、各ソース電極９は対応する画素電極４に接続され
る。
どの絶縁膜をゲートバスライン１とゲート電極７を覆う
ように形成し、その上にアモルファスシリコン層を形成
する。そのアモルファスシリコン層の上にＭｏ，Ｃｒな
どの第２導電層を形成した後、その第２導電層をパター
ン化して各ＴＦＴ６のドレイン電極８とソース電極９、
さらにデータバスライン２および画素電極４を形成す
る。各ドレイン電極８は対応するデータ線２に接続さ
れ、各ソース電極９は対応する画素電極４に接続され
る。
【００７２】次に、パッシベーション膜（層間絶縁膜）
１２として、ドレイン８とソース電極９を覆うようにベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜が設けられる。パッシベ
ーション膜１２の膜厚は０．５〜１μｍとする。
１２として、ドレイン８とソース電極９を覆うようにベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜が設けられる。パッシベ
ーション膜１２の膜厚は０．５〜１μｍとする。
【００７３】続いて、パッシベーション膜１２の上に、
Ｍｏ，Ｃｒなどからなる第３導電層を形成した後、それ
をパターン化して共通バスライン３に電気的に接続され
る共通電極５と共通バスライン３を形成する。各共通バ
スライン３は、対応するゲートバスライン１とゲート電
極７とに完全に重なるように形成される。各共通電極５
は、対応するデータバスライン２と完全に重なるように
形成される。
Ｍｏ，Ｃｒなどからなる第３導電層を形成した後、それ
をパターン化して共通バスライン３に電気的に接続され
る共通電極５と共通バスライン３を形成する。各共通バ
スライン３は、対応するゲートバスライン１とゲート電
極７とに完全に重なるように形成される。各共通電極５
は、対応するデータバスライン２と完全に重なるように
形成される。
【００７４】以上説明したように、本発明の第１実施形
態の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１３上において、マ
トリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライ
ン２のそれぞれと重なるように複数の共通電極５が配置
され、且つ、そのマトリックスの同じ行に属するＴＦＴ
６のゲート電極７とそれに対応するゲートバスライン１
のそれぞれと重なるように複数の共通バスライン３が配
置されている。そして、複数の共通電極５のそれぞれ
は、対応するデータバスライン２から液晶層１８に向か
って放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、ま
た、複数の共通バスライン３のそれぞれは、対応するゲ
ートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される
不要な電界を遮断する作用を持っている。すなわち、従
来例３で述べたのと同様のデータバスライン２から液晶
層１８に向かって放出される不要な電界だけでなく、ゲ
ートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される
不要な電界も遮断される。その結果、ＣＦ基板１５側の
オーバーコート層１８、色材層１７、ブラックマトリク
ス層１６などのチャージアップ（CHARGE UP）が生じな
くなる。
態の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１３上において、マ
トリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライ
ン２のそれぞれと重なるように複数の共通電極５が配置
され、且つ、そのマトリックスの同じ行に属するＴＦＴ
６のゲート電極７とそれに対応するゲートバスライン１
のそれぞれと重なるように複数の共通バスライン３が配
置されている。そして、複数の共通電極５のそれぞれ
は、対応するデータバスライン２から液晶層１８に向か
って放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、ま
た、複数の共通バスライン３のそれぞれは、対応するゲ
ートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される
不要な電界を遮断する作用を持っている。すなわち、従
来例３で述べたのと同様のデータバスライン２から液晶
層１８に向かって放出される不要な電界だけでなく、ゲ
ートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される
不要な電界も遮断される。その結果、ＣＦ基板１５側の
オーバーコート層１８、色材層１７、ブラックマトリク
ス層１６などのチャージアップ（CHARGE UP）が生じな
くなる。
【００７５】よって、ＴＦＴ基板１３から放射される不
要な電界による悪影響をいっそう抑制できる。例えば、
帯電・分極を起こしやすいブラックマトリクスに起因す
るスミアや映像の焼き付きを防止できる。その結果、上
述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた表示品位が
得られる。
要な電界による悪影響をいっそう抑制できる。例えば、
帯電・分極を起こしやすいブラックマトリクスに起因す
るスミアや映像の焼き付きを防止できる。その結果、上
述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた表示品位が
得られる。
【００７６】しかも、そのために新たな電界シールド層
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
【００７７】さらに、この第１実施形態の型液晶表示装
置では、複数の共通バスライン３のそれぞれが対応する
ＴＦＴ６を覆っていて、外光がそれらＴＦＴ６に照射さ
れるのを防ぐ遮光膜として作用する。このため、外光に
起因する悪影響を防止できるだけでなく、カラーフィル
ター層２２からブラックマトリックスを省略することが
可能である。この場合、カラーフィルター層２２がブラ
ックマトリックスを含まないので、カラーフィルター層
２２の構成および製法が簡単になる利点も得られる。
置では、複数の共通バスライン３のそれぞれが対応する
ＴＦＴ６を覆っていて、外光がそれらＴＦＴ６に照射さ
れるのを防ぐ遮光膜として作用する。このため、外光に
起因する悪影響を防止できるだけでなく、カラーフィル
ター層２２からブラックマトリックスを省略することが
可能である。この場合、カラーフィルター層２２がブラ
ックマトリックスを含まないので、カラーフィルター層
２２の構成および製法が簡単になる利点も得られる。
【００７８】この第１実施形態の型液晶表示装置でより
優れた表示品位が得られる理由をより詳細に説明する
と、次のようになる。
優れた表示品位が得られる理由をより詳細に説明する
と、次のようになる。
【００７９】図２０〜図２２に示した従来例３の液晶表
示装置では、動作中にゲートバスライン１０１には所定
の選択信号が印加される。例えば、図２３（ａ）に示す
ような選択信号２３が典型例であり、その場合にデータ
バスライン１０２には例えば図２３（ｂ）に示すような
映像信号２４が印加される。
示装置では、動作中にゲートバスライン１０１には所定
の選択信号が印加される。例えば、図２３（ａ）に示す
ような選択信号２３が典型例であり、その場合にデータ
バスライン１０２には例えば図２３（ｂ）に示すような
映像信号２４が印加される。
【００８０】図２３（ａ）の選択信号２３は、走査時間
Ｔscanが１６．６ｍｓで、その走査時間Ｔframe内にお
いて選択時間Ｔon（＝２６μｓ）の間に２０Ｖ程度のオ
ン電圧Ｖonが印加される。それ以外の時間（非選択時
間）には、−５Ｖ程度のオフ電圧Ｖoffが印加される。
この波形図から明らかなように、ゲート電極線１０１に
は、極めて短い選択時間Ｔonを除くすべての時間におい
て負電圧が印加されていることを意味する。
Ｔscanが１６．６ｍｓで、その走査時間Ｔframe内にお
いて選択時間Ｔon（＝２６μｓ）の間に２０Ｖ程度のオ
ン電圧Ｖonが印加される。それ以外の時間（非選択時
間）には、−５Ｖ程度のオフ電圧Ｖoffが印加される。
この波形図から明らかなように、ゲート電極線１０１に
は、極めて短い選択時間Ｔonを除くすべての時間におい
て負電圧が印加されていることを意味する。
【００８１】この負電圧によってゲートバスライン１０
１から放射される不要な電界１２２は、図２４に示すよ
うに、常にＣＦ基板１１５の色材層１１６、オーバーコ
ート層１１７、ブラックマトリクス１２１にそれぞれ印
加されていることになる。この電界１２２は、色材層１
１６、オーバーコート層１１７、ブラックマトリクス１
２１に直接入り込み、それらの帯電や分極を引き起こ
す。
１から放射される不要な電界１２２は、図２４に示すよ
うに、常にＣＦ基板１１５の色材層１１６、オーバーコ
ート層１１７、ブラックマトリクス１２１にそれぞれ印
加されていることになる。この電界１２２は、色材層１
１６、オーバーコート層１１７、ブラックマトリクス１
２１に直接入り込み、それらの帯電や分極を引き起こ
す。
【００８２】特に、ブラックマトリクス１２１は分極を
起こしやすく、しかもカーボンなどを含んでいるため、
ブラックマトリクス１２１内を電荷が移動しやすい。そ
の結果、当該液晶表示装置のスクリーンにスミアや焼き
付きなどの表示品位の劣化が生じるのである。
起こしやすく、しかもカーボンなどを含んでいるため、
ブラックマトリクス１２１内を電荷が移動しやすい。そ
の結果、当該液晶表示装置のスクリーンにスミアや焼き
付きなどの表示品位の劣化が生じるのである。
【００８３】これに対し、本発明の第１実施形態の液晶
表示装置では、図１３に示すように、ゲートバスライン
１とゲート電極７から放射される不要な電界２２は共通
バスライン３によって遮断され、液晶層１８にはほとん
ど到達しない。このため、その電界２２に起因する色材
層１１６やオーバーコート層１１７の帯電や分極は抑制
され、その結果、表示品位の劣化が抑制されるのであ
る。
表示装置では、図１３に示すように、ゲートバスライン
１とゲート電極７から放射される不要な電界２２は共通
バスライン３によって遮断され、液晶層１８にはほとん
ど到達しない。このため、その電界２２に起因する色材
層１１６やオーバーコート層１１７の帯電や分極は抑制
され、その結果、表示品位の劣化が抑制されるのであ
る。
【００８４】（第２実施形態）図５〜図８は本発明の第
２の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す。この装置でも、液晶分子はＩＰＳモードで動作せ
しめられる。
２の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す。この装置でも、液晶分子はＩＰＳモードで動作せ
しめられる。
【００８５】図７と図８に示されているように、この液
晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数のＴＦ
Ｔ６を有するＴＦＴ基板１３と、カラーフィルタ層２２
を有するＣＦ基板１５と、それら二枚の基板１３と１５
の間に配置された液晶層１１８とを備えて構成されてい
る。液晶層１８の周囲はシール材（図示せず）によって
封止されて空間を形成しており、その封止された空間に
液晶（図示せず）とスペーサが充填されている。
晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数のＴＦ
Ｔ６を有するＴＦＴ基板１３と、カラーフィルタ層２２
を有するＣＦ基板１５と、それら二枚の基板１３と１５
の間に配置された液晶層１１８とを備えて構成されてい
る。液晶層１８の周囲はシール材（図示せず）によって
封止されて空間を形成しており、その封止された空間に
液晶（図示せず）とスペーサが充填されている。
【００８６】以上の基本構成は第１実施形態のそれと同
じである。
じである。
【００８７】ＴＦＴ基板１３の表面には、第１実施形態
と同様に、ＴＦＴ６のゲート電極７がマトリックス状に
配置され、ゲートバスライン１がそのマトリックスの行
方向（Ｘ方向）に延在するように配置されている。複数
のゲートバスライン１のそれぞれは、同じ行に属するＴ
ＦＴ６のゲート電極７を電気的に接続している。この点
は第１実施形態のそれと同じであるが、第２実施形態で
は、それらに加えて、複数の共通電極５と共通バスライ
ン３もＴＦＴ基板１３の表面に配置されている。
と同様に、ＴＦＴ６のゲート電極７がマトリックス状に
配置され、ゲートバスライン１がそのマトリックスの行
方向（Ｘ方向）に延在するように配置されている。複数
のゲートバスライン１のそれぞれは、同じ行に属するＴ
ＦＴ６のゲート電極７を電気的に接続している。この点
は第１実施形態のそれと同じであるが、第２実施形態で
は、それらに加えて、複数の共通電極５と共通バスライ
ン３もＴＦＴ基板１３の表面に配置されている。
【００８８】各共通電極５は、対応する画素領域Ｐ内に
おいて第１実施形態の画素電極４と同じ位置に配置さ
れ、その画素電極４とほぼ同じストリップ状の形状とほ
ぼ同じ大きさを持つ。各共通バスライン３は、ＴＦＴ６
のマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在しており、同
じ行に属する共通電極５を電気的に接続している。
おいて第１実施形態の画素電極４と同じ位置に配置さ
れ、その画素電極４とほぼ同じストリップ状の形状とほ
ぼ同じ大きさを持つ。各共通バスライン３は、ＴＦＴ６
のマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在しており、同
じ行に属する共通電極５を電気的に接続している。
【００８９】ゲート電極７とゲートバスライン１と共通
電極５と共通バスライン３は、ＴＦＴ基板１３の表面に
形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われている。
電極５と共通バスライン３は、ＴＦＴ基板１３の表面に
形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われている。
【００９０】ゲート絶縁膜１１の上には、複数のゲート
電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およ
びソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファ
スシリコン層１０とが形成されている。一つのゲート電
極７と、それに対応するドレイン電極８およびソース電
極９と、アモルファスシリコン層１０とが、各ＴＦＴ６
を構成する。各ＴＦＴ６は、ゲート電極７の上方にソー
ス電極９とドレイン電極８が配置される「逆スタガー構
造」である。この点は、第１実施形態と同じである。
電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およ
びソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファ
スシリコン層１０とが形成されている。一つのゲート電
極７と、それに対応するドレイン電極８およびソース電
極９と、アモルファスシリコン層１０とが、各ＴＦＴ６
を構成する。各ＴＦＴ６は、ゲート電極７の上方にソー
ス電極９とドレイン電極８が配置される「逆スタガー構
造」である。この点は、第１実施形態と同じである。
【００９１】ゲート絶縁膜１１の上にはさらに、複数の
データバスライン２が形成されている。第１実施形態と
は異なり、複数の画素電極４と複数のゲートバスライン
１は、上述したように、ゲート絶縁膜１１の上ではな
く、ゲート絶縁膜１１の下、換言すれば、ＴＦＴ基板１
３の表面に形成されている。
データバスライン２が形成されている。第１実施形態と
は異なり、複数の画素電極４と複数のゲートバスライン
１は、上述したように、ゲート絶縁膜１１の上ではな
く、ゲート絶縁膜１１の下、換言すれば、ＴＦＴ基板１
３の表面に形成されている。
【００９２】複数のデータバスライン２は、互いに平行
であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリ
ックスの列方向）に延在している。各データバスライン
２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６の
マトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８
を互いに電気的に接続している。
であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリ
ックスの列方向）に延在している。各データバスライン
２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６の
マトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８
を互いに電気的に接続している。
【００９３】ＴＦＴ６とデータバスライン２とは、図７
および図８に示すように、ゲート絶縁膜１１の上に形成
された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２によって
覆われている。層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２
は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜により形成され
る。
および図８に示すように、ゲート絶縁膜１１の上に形成
された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２によって
覆われている。層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２
は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜により形成され
る。
【００９４】層間絶縁膜１２の表面には、図５に示すよ
うに、複数の画素電極４が形成されている。各画素電極
４は、隣接する二つのゲートバスライン１と隣接する二
つのデータバスライン２に挟まれた略矩形の画素領域Ｐ
の周縁に沿って配置されている。各画素電極４は、図７
に示すように、層間絶縁膜１２を貫通して形成されたコ
ンタクトホール１４を介して、対応するＴＦＴ６のソー
ス電極９に電気的に接続されている。各画素電極４の形
状は、略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って延在する四辺
を持つ矩形であり、その二辺はゲートバスライン１に平
行であり、他の二辺はデータバスライン２に平行であ
る。
うに、複数の画素電極４が形成されている。各画素電極
４は、隣接する二つのゲートバスライン１と隣接する二
つのデータバスライン２に挟まれた略矩形の画素領域Ｐ
の周縁に沿って配置されている。各画素電極４は、図７
に示すように、層間絶縁膜１２を貫通して形成されたコ
ンタクトホール１４を介して、対応するＴＦＴ６のソー
ス電極９に電気的に接続されている。各画素電極４の形
状は、略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って延在する四辺
を持つ矩形であり、その二辺はゲートバスライン１に平
行であり、他の二辺はデータバスライン２に平行であ
る。
【００９５】図５に明瞭に示すように、各画素電極４の
Ｘ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側に
ある二本のゲートバスライン１と部分的に重なってい
て、それらの略半分を覆っている。各画素電極４のＹ方
向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある
二本のデータバスライン２と部分的に重なっていて、そ
れらの略半分を覆っている。こうして、複数の画素電極
４は、ゲートバスライン１とデータバスライン２のほぼ
全体を覆っている。
Ｘ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側に
ある二本のゲートバスライン１と部分的に重なってい
て、それらの略半分を覆っている。各画素電極４のＹ方
向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある
二本のデータバスライン２と部分的に重なっていて、そ
れらの略半分を覆っている。こうして、複数の画素電極
４は、ゲートバスライン１とデータバスライン２のほぼ
全体を覆っている。
【００９６】隣接する二つの画素電極４の間には、Ｘ方
向およびＹ方向にそれぞれ延在する隙間が形成されてい
る。
向およびＹ方向にそれぞれ延在する隙間が形成されてい
る。
【００９７】ＣＦガラス基板１５の構造は、第１実施形
態のそれと同じであるから、その説明は省略する。
態のそれと同じであるから、その説明は省略する。
【００９８】ゲートバスライン１に対する選択信号の印
加方法と、選択信号によって選択されたデータバスライ
ン２に対する映像信号の印加方法も、第１実施形態のそ
れと同じであるから、その説明は省略する。
加方法と、選択信号によって選択されたデータバスライ
ン２に対する映像信号の印加方法も、第１実施形態のそ
れと同じであるから、その説明は省略する。
【００９９】以上の構成を持つ第２実施形態の液晶表示
装置は、次のようにして製造される。
装置は、次のようにして製造される。
【０１００】まず、ＴＦＴガラス基板１３の表面に、Ｍ
ｏ，Ｃｒなどからなる第１導電層を形成し、その第１導
電層をパターン化して、Ｘ方向に延在する複数のゲート
バスライン１と、各画素領域Ｐ内に配置された複数の共
通電極５と、それら共通電極５を電気的に接続するＸ方
向に延在する複数の共通バスライン３とを形成する。ゲ
ートバスライン１は、ＴＦＴ６の内部ではそれらのゲー
ト電極７として動作する。
ｏ，Ｃｒなどからなる第１導電層を形成し、その第１導
電層をパターン化して、Ｘ方向に延在する複数のゲート
バスライン１と、各画素領域Ｐ内に配置された複数の共
通電極５と、それら共通電極５を電気的に接続するＸ方
向に延在する複数の共通バスライン３とを形成する。ゲ
ートバスライン１は、ＴＦＴ６の内部ではそれらのゲー
ト電極７として動作する。
【０１０１】次に、ゲート絶縁膜１１として、ＳｉＮな
どの絶縁膜をゲートバスライン１、ゲート電極７、共通
電極５および共通バスライン３を覆うように形成し、そ
の上にアモルファスシリコン層を形成する。そのアモル
ファスシリコン層の上にＭｏ，Ｃｒなどの第２導電層を
形成した後、その第２導電層をパターン化して各ＴＦＴ
６のドレイン電極８とソース電極９、さらにデータバス
ライン２を形成する。各ドレイン電極８は対応するデー
タ線２に電気的に接続され、各ソース電極９は対応する
画素電極４に電気的に接続される。
どの絶縁膜をゲートバスライン１、ゲート電極７、共通
電極５および共通バスライン３を覆うように形成し、そ
の上にアモルファスシリコン層を形成する。そのアモル
ファスシリコン層の上にＭｏ，Ｃｒなどの第２導電層を
形成した後、その第２導電層をパターン化して各ＴＦＴ
６のドレイン電極８とソース電極９、さらにデータバス
ライン２を形成する。各ドレイン電極８は対応するデー
タ線２に電気的に接続され、各ソース電極９は対応する
画素電極４に電気的に接続される。
【０１０２】次に、ドレイン電極８とソース電極９とデ
ータバスライン２を覆うようにパッシベーション膜（層
間絶縁膜）１２が設けられる。このパッシベーション膜
１２は、第１実施形態のそれと同じである。パッシベー
ション膜１２は、各ＴＦＴ６のドレイン電極９の真上の
位置にコンタクトホール１４が形成される。
ータバスライン２を覆うようにパッシベーション膜（層
間絶縁膜）１２が設けられる。このパッシベーション膜
１２は、第１実施形態のそれと同じである。パッシベー
ション膜１２は、各ＴＦＴ６のドレイン電極９の真上の
位置にコンタクトホール１４が形成される。
【０１０３】続いて、パッシベーション膜１２の上に、
Ｍｏ，Ｃｒなどからなる第３導電層を形成した後、それ
をパターン化して複数の画素電極４を形成する。各画素
電極４は、パッシベーション膜１２のコンタクトホール
１４を介して、対応するドレイン電極９に電気的に接続
される。また、画素電極４は、ゲートバスライン１とデ
ータバスライン２のほぼ全体を覆っており、しかも、Ｔ
ＦＴ６のほぼ全体をも覆っているので、ゲートバスライ
ン１からの電界をシールドすると共に、ＴＦＴ６に照射
される外光を遮断することができる。
Ｍｏ，Ｃｒなどからなる第３導電層を形成した後、それ
をパターン化して複数の画素電極４を形成する。各画素
電極４は、パッシベーション膜１２のコンタクトホール
１４を介して、対応するドレイン電極９に電気的に接続
される。また、画素電極４は、ゲートバスライン１とデ
ータバスライン２のほぼ全体を覆っており、しかも、Ｔ
ＦＴ６のほぼ全体をも覆っているので、ゲートバスライ
ン１からの電界をシールドすると共に、ＴＦＴ６に照射
される外光を遮断することができる。
【０１０４】以上説明したように、本発明の第２実施形
態の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１３上において、マ
トリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライ
ン２のそれぞれと重なるように、且つそのマトリックス
の同じ行に属するＴＦＴ６のゲートバスライン１のそれ
ぞれと重なるように複数の画素電極４が配置されてい
る。
態の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１３上において、マ
トリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライ
ン２のそれぞれと重なるように、且つそのマトリックス
の同じ行に属するＴＦＴ６のゲートバスライン１のそれ
ぞれと重なるように複数の画素電極４が配置されてい
る。
【０１０５】そして、複数の画素電極４のそれぞれは、
対応するデータバスライン２から液晶層１８に向かって
放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、また、対
応するゲートバスライン１から液晶層１８に向かって放
出される不要な電界をも遮断する作用を持っている。
対応するデータバスライン２から液晶層１８に向かって
放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、また、対
応するゲートバスライン１から液晶層１８に向かって放
出される不要な電界をも遮断する作用を持っている。
【０１０６】よって、ＴＦＴ基板１３から放射される不
要な電界による悪影響をいっそう抑制できる。例えば、
帯電・分極を起こしやすいブラックマトリクスに起因す
るスミアや映像の焼き付きを防止できる。その結果、上
述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた表示品位が
得られる。
要な電界による悪影響をいっそう抑制できる。例えば、
帯電・分極を起こしやすいブラックマトリクスに起因す
るスミアや映像の焼き付きを防止できる。その結果、上
述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた表示品位が
得られる。
【０１０７】しかも、そのために新たな電界シールド層
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
を設けるなど、大幅な構造の変更や製造工程数の増加も
不要である。
【０１０８】さらに、この第２実施形態の型液晶表示装
置では、画素電極５がＴＦＴ６を覆っていて、外光がそ
れらＴＦＴ６に照射されるのを防ぐ遮光膜として作用す
る。このため、外光に起因する悪影響を防止できると共
に、カラーフィルター層２２からブラックマトリックス
を省略できる。この場合、カラーフィルター層２２がブ
ラックマトリックスを含まないので、カラーフィルター
層２２の構成および製法が簡単になる利点も得られる。
置では、画素電極５がＴＦＴ６を覆っていて、外光がそ
れらＴＦＴ６に照射されるのを防ぐ遮光膜として作用す
る。このため、外光に起因する悪影響を防止できると共
に、カラーフィルター層２２からブラックマトリックス
を省略できる。この場合、カラーフィルター層２２がブ
ラックマトリックスを含まないので、カラーフィルター
層２２の構成および製法が簡単になる利点も得られる。
【０１０９】（第３実施形態）図９〜図１２は本発明の
第３の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す。この装置は、図１１と図１２に明瞭に示すよう
に、第１実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、層間絶縁膜１２をＢＣＢ膜１９とＳｉＮ膜
２０の二層構造とし、そのＢＣＢ膜１９ＴＦＴ基板１３
の複数の画素領域Ｐのそれぞれにおいて選択的に除去し
たものであり、その他の構成は第１実施形態のそれと同
じである。
第３の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す。この装置は、図１１と図１２に明瞭に示すよう
に、第１実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、層間絶縁膜１２をＢＣＢ膜１９とＳｉＮ膜
２０の二層構造とし、そのＢＣＢ膜１９ＴＦＴ基板１３
の複数の画素領域Ｐのそれぞれにおいて選択的に除去し
たものであり、その他の構成は第１実施形態のそれと同
じである。
【０１１０】図１１と図１２に示すように、データバス
ライン２から放射される不要な電界の遮蔽が必要な箇所
にのみ層間絶縁膜１２を厚く残存させてその上に共通電
極５を形成する一方、それ以外の箇所では層間絶縁膜１
２を薄く形成して、層間絶縁膜１２が表示電位に与える
悪影響を防止している。このため、層間絶縁膜１２の分
極に起因する表示品位の劣化が防止でき、第１実施形態
に比べて表示品位をいっそう高めることができる利点が
ある。
ライン２から放射される不要な電界の遮蔽が必要な箇所
にのみ層間絶縁膜１２を厚く残存させてその上に共通電
極５を形成する一方、それ以外の箇所では層間絶縁膜１
２を薄く形成して、層間絶縁膜１２が表示電位に与える
悪影響を防止している。このため、層間絶縁膜１２の分
極に起因する表示品位の劣化が防止でき、第１実施形態
に比べて表示品位をいっそう高めることができる利点が
ある。
【０１１１】この第３実施形態の液晶表示装置の製法
は、ＢＣＢ膜１９とＳｉＮ膜２０の二層構造とした層間
絶縁膜１２を形成した後であって共通電極５を形成する
前に層間絶縁膜１２を選択的に除去する工程、またはＢ
ＣＢ膜１９とＳｉＮ膜２０の二層構造とした層間絶縁膜
１２上に共通電極５を形成した後に層間絶縁膜１２を選
択的に除去する工程が加わる以外は、第１実施形態のそ
れと同じである。
は、ＢＣＢ膜１９とＳｉＮ膜２０の二層構造とした層間
絶縁膜１２を形成した後であって共通電極５を形成する
前に層間絶縁膜１２を選択的に除去する工程、またはＢ
ＣＢ膜１９とＳｉＮ膜２０の二層構造とした層間絶縁膜
１２上に共通電極５を形成した後に層間絶縁膜１２を選
択的に除去する工程が加わる以外は、第１実施形態のそ
れと同じである。
【０１１２】上述した第１〜第３の実施形態では、共通
電極５または画素電極４をゲートバスライン１やデータ
バスライン２と重ねて形成するので、ゲート線バスライ
ン１の負荷容量が増加する。しかし、低誘電率の有機膜
すなわちＢＣＢ膜を層間絶縁膜１２に用いているので、
その負荷容量を問題にならない程度に低減することが可
能である。
電極５または画素電極４をゲートバスライン１やデータ
バスライン２と重ねて形成するので、ゲート線バスライ
ン１の負荷容量が増加する。しかし、低誘電率の有機膜
すなわちＢＣＢ膜を層間絶縁膜１２に用いているので、
その負荷容量を問題にならない程度に低減することが可
能である。
【０１１３】（第４実施形態）図１４〜図１７は本発明
の第４の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示す。この装置は、図１６に明瞭に示すように、第
１実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、各ＴＦＴ６をいわゆるトップゲート構造としたも
のである。換言すれば、ソース電極９とドレイン電極８
の上方にゲート電極７が配置される「正スタガー構造」
のアモルファスシリコンＴＦＴを用いたものである。そ
の他の構成は第１実施形態のそれと同じである。
の第４の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示す。この装置は、図１６に明瞭に示すように、第
１実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、各ＴＦＴ６をいわゆるトップゲート構造としたも
のである。換言すれば、ソース電極９とドレイン電極８
の上方にゲート電極７が配置される「正スタガー構造」
のアモルファスシリコンＴＦＴを用いたものである。そ
の他の構成は第１実施形態のそれと同じである。
【０１１４】図１６において、ＴＦＴ基板１３の表面に
は酸化シリコン層３１が形成され、その上にＴＦＴ６の
ドレイン電極８およびソース電極９と、データバスライ
ン２と、画素電極４が形成されている。各ＴＦＴ６のア
モルファスシリコン層１０は、対応するドレイン電極８
とソース電極９を跨ぐように酸化シリコン層３１上に形
成されている。ドレイン電極８およびソース電極９、デ
ータバスライン２、画素電極４、そしてアモルファスシ
リコン層１０は、ゲート絶縁膜１１によって覆われてい
る。各ＴＦＴ６のゲート電極７は、対応するアモルファ
スシリコン層１０と重なるようにゲート絶縁膜１１上に
形成されている。
は酸化シリコン層３１が形成され、その上にＴＦＴ６の
ドレイン電極８およびソース電極９と、データバスライ
ン２と、画素電極４が形成されている。各ＴＦＴ６のア
モルファスシリコン層１０は、対応するドレイン電極８
とソース電極９を跨ぐように酸化シリコン層３１上に形
成されている。ドレイン電極８およびソース電極９、デ
ータバスライン２、画素電極４、そしてアモルファスシ
リコン層１０は、ゲート絶縁膜１１によって覆われてい
る。各ＴＦＴ６のゲート電極７は、対応するアモルファ
スシリコン層１０と重なるようにゲート絶縁膜１１上に
形成されている。
【０１１５】この第４実施形態のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においても、第１実施形態の場合と同じ
効果が得られることは言うまでもない。
型液晶表示装置においても、第１実施形態の場合と同じ
効果が得られることは言うまでもない。
【０１１６】（第５実施形態）図１９は本発明の第５の
実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示
す。この装置は、図１９に明瞭に示すように、第１実施
形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
各ＴＦＴ６をいわゆるトップゲート構造としたものであ
る。換言すれば、ソース電極９とドレイン電極８の上方
にゲート電極７が配置される「正スタガー構造」のポリ
シリコンＴＦＴを用いたものである。その他の構成は第
１実施形態のそれと同じである。
実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示
す。この装置は、図１９に明瞭に示すように、第１実施
形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
各ＴＦＴ６をいわゆるトップゲート構造としたものであ
る。換言すれば、ソース電極９とドレイン電極８の上方
にゲート電極７が配置される「正スタガー構造」のポリ
シリコンＴＦＴを用いたものである。その他の構成は第
１実施形態のそれと同じである。
【０１１７】図１９において、ＴＦＴ基板１３の表面に
は酸化シリコン層３１が形成され、その上にＴＦＴ６の
ドレイン電極８およびソース電極９が形成されている。
各ＴＦＴ６のポリシリコン層１０Ａは、対応するドレイ
ン電極８とソース電極９を跨ぐように酸化シリコン層３
１上に形成されている。ポリシリコン層１０Ａの上に
は、ゲート絶縁膜１１を介してゲート電極７が形成され
ている。ドレイン電極８およびソース電極９、そして各
ＴＦＴ６のポリシリコン層１０Ａとゲート電極７は、層
間絶縁膜１２によって覆われている。
は酸化シリコン層３１が形成され、その上にＴＦＴ６の
ドレイン電極８およびソース電極９が形成されている。
各ＴＦＴ６のポリシリコン層１０Ａは、対応するドレイ
ン電極８とソース電極９を跨ぐように酸化シリコン層３
１上に形成されている。ポリシリコン層１０Ａの上に
は、ゲート絶縁膜１１を介してゲート電極７が形成され
ている。ドレイン電極８およびソース電極９、そして各
ＴＦＴ６のポリシリコン層１０Ａとゲート電極７は、層
間絶縁膜１２によって覆われている。
【０１１８】層間絶縁膜１２上には、画素電極４とデー
タバスライン２が形成されている。ドレイン電極８は、
配線層４８を介してデータバスライン２に接続されてい
る。ソース電極９は、配線層４９を介して画素電極４に
接続されている。
タバスライン２が形成されている。ドレイン電極８は、
配線層４８を介してデータバスライン２に接続されてい
る。ソース電極９は、配線層４９を介して画素電極４に
接続されている。
【０１１９】画素電極４とデータバスライン２と配線層
４８，４９は、層間絶縁膜１２上に形成された層間絶縁
膜４２によって覆われている。層間絶縁膜４２の上に
は、共通バスライン３と共通電極５が形成されている。
４８，４９は、層間絶縁膜１２上に形成された層間絶縁
膜４２によって覆われている。層間絶縁膜４２の上に
は、共通バスライン３と共通電極５が形成されている。
【０１２０】この第４実施形態のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においても、第１実施形態の場合と同じ
効果が得られることは言うまでもない。
型液晶表示装置においても、第１実施形態の場合と同じ
効果が得られることは言うまでもない。
【０１２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＰＳモ
ードのアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、
新たな電界シールド層を設けることなしに、ＴＦＴ基板
のような能動素子基板から放射される不要な電界による
悪影響をいっそう抑制できる。また、帯電・分極を起こ
しやすいブラックマトリクスに起因するスミアや映像の
焼き付きを生じない。よって、従来より優れた表示品位
が得られる。
ードのアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、
新たな電界シールド層を設けることなしに、ＴＦＴ基板
のような能動素子基板から放射される不要な電界による
悪影響をいっそう抑制できる。また、帯電・分極を起こ
しやすいブラックマトリクスに起因するスミアや映像の
焼き付きを生じない。よって、従来より優れた表示品位
が得られる。
【０１２２】また、共通電極や共通バスラインを用いて
ＴＦＴなどの能動素子に対する外光を遮光するようにす
れば、帯電・分極を引き起こしやすいブラックマトリク
スを表示領域（画素）内に形成する必要がなくなる。
ＴＦＴなどの能動素子に対する外光を遮光するようにす
れば、帯電・分極を引き起こしやすいブラックマトリク
スを表示領域（画素）内に形成する必要がなくなる。
【図１】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスラインのレイアウトを示
す部分平面図である。
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスラインのレイアウトを示
す部分平面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った部分断面図で
ある。
ある。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿った部分断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスラインのレイアウトを示
す部分平面図である。
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスラインのレイアウトを示
す部分平面図である。
【図７】図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った部分断面図で
ある。
ある。
【図８】図５のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った部分断面
図である。
図である。
【図９】本発明の第３の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
ス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、
ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、共通
バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスラインのレイアウト
を示す部分平面図である。
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスラインのレイアウト
を示す部分平面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線に沿った部分断面図であ
る。
る。
【図１２】図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った部分断面図
である。
である。
【図１３】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における不要な電界の生成状況を概
略的に示す部分断面図である。
クス型液晶表示装置における不要な電界の生成状況を概
略的に示す部分断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、
共通バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスライン、共通電極、
共通バスラインのレイアウトを示す部分平面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスラインのレイアウト
を示す部分平面図である。
クス型液晶表示装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電
極、ゲートバスライン、データバスラインのレイアウト
を示す部分平面図である。
【図１６】図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿った部分断面
図である。
図である。
【図１７】図１４のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った部分
断面図である。
断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の全体構造を示す概略図である。
クス型液晶表示装置の全体構造を示す概略図である。
【図１９】本発明の第５の実施形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の各画素における図１６と同様の部
分断面図である。
クス型液晶表示装置の各画素における図１６と同様の部
分断面図である。
【図２０】従来例３のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、ゲートバスラ
イン、データバスライン、共通電極、共通バスラインの
レイアウトを示す部分平面図である。
装置の各画素におけるＴＦＴ、画素電極、ゲートバスラ
イン、データバスライン、共通電極、共通バスラインの
レイアウトを示す部分平面図である。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った部分断面
図である。
図である。
【図２２】図２０のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿った部分
断面図である。
断面図である。
【図２３】従来例３のアクティブマトリクス型液晶表示
装置に供給される選択信号と映像信号の一例を示す波形
図である。
装置に供給される選択信号と映像信号の一例を示す波形
図である。
【図２４】従来例３のアクティブマトリクス型液晶表示
装置における不要な電界の生成状況を概略的に示す部分
断面図である。
装置における不要な電界の生成状況を概略的に示す部分
断面図である。
１ ゲートバスライン（ゲート電極線） ２ データバスライン（ドレイン電極線） ３ 共通バスライン（共通電極線） ４ 画素電極 ５ 共通電極 ６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ７ ゲート電極 ８ ドレイン電極 ９ ソース電極 １０ アモルファスシリコン層 １０Ａ ポリシリコン層 １１ ゲート絶縁膜 １２ パッシベーション膜（層間絶縁膜） １３ ＴＦＴ基板 １４ コンタクトホール １５ ＣＦ基板 １６ 色材層 １７ オーバーコート層 １８ 液晶層 １９ ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜 ２０ 窒化珪素（ＳｉＮ）膜 ２１ ブラックマトリクス ２２ カラーフィルター層 ２３ 選択信号 ２４ 映像信号 ３１ 酸化シリコン層 ４２ パッシベーション膜（層間絶縁膜） ４８ 配線層 ４９ 配線層 ５１ ゲート端子 ５２ ドレイン端子
Claims (18)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数のＴＦＴ
を有する能動素子基板と、 カラーフィルター層を有するカラーフィルター基板と、 前記能動素子基板と前記カラーフィルター基板の間に設
けられると共に、複数の前記ＴＦＴによりＩＰＳモード
で動作せしめられる液晶層と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの行方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に属する前
記ＴＦＴのゲート電極を電気的に接続する複数のゲート
バスラインと、 前記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれに配置さ
れ、且つ複数の前記ＴＦＴのソース電極のそれぞれに電
気的に接続された複数の画素電極と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ列に属する前
記ＴＦＴのドレイン電極を電気的に接続する複数のデー
タバスラインと、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ列に属する前
記ＴＦＴのドレイン電極のそれぞれと重なるように配置
された複数の共通電極と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの行方
向に延在すると共に、そのマトリックスの同じ行に属す
る前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞれと重なるよ
うに配置され、しかもそのマトリックスの同じ行に属す
る前記共通電極を電気的に接続する複数の共通バスライ
ンとを備えて構成され、 複数の前記共通電極のそれぞれは、対応する前記データ
バスラインから前記液晶層に向かって放出される不要な
電界を遮断する作用を持ち、しかも、複数の前記共通バ
スラインのそれぞれは、対応する前記ゲートバスライン
から前記液晶層に向かって放出される不要な電界を遮断
する作用を持つことを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記能動素子基板が、前記複数のＴＦＴ
を覆うように形成された層間絶縁膜を備えており、前記
複数の共通電極と前記複数の共通バスラインがその層間
絶縁膜に対して前記液晶層の側に配置され、前記複数の
画素電極と前記複数のデータバスラインがその層間絶縁
膜に対して前記液晶層とは反対側に配置されている請求
項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記層間絶縁膜が、低誘電率で分極の少
ない有機膜により形成されている請求項２に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記層間絶縁膜が、無機膜と低誘電率で
分極の少ない有機膜との積層体により形成されている請
求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記有機膜がベンゾシクロブテン膜であ
る請求項３または４に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項６】 前記層間絶縁膜が、前記能動素子基板の
複数の画素領域のそれぞれにおいて選択的に除去されて
いる請求項２〜５のいずれかに記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 複数の前記共通電極のそれぞれが、対応
する前記ＴＦＴを覆っていて、外光が前記ＴＦＴに照射
されるのを防ぐ遮光膜として作用する請求項１〜６のい
ずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記カラーフィルター層が、ブラックマ
トリックスを含んでいない請求項７に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項９】 マトリクス状に配置された複数のＴＦＴ
を有する能動素子基板と、 カラーフィルターを有するカラーフィルター基板と、 前記能動素子基板と前記カラーフィルター基板の間に設
けられると共に、複数の前記ＴＦＴによりＩＰＳモード
で動作せしめられる液晶層と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの行方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に属する前
記ＴＦＴのゲート電極を電気的に接続する複数のゲート
バスラインと、 前記能動素子基板の複数の画素領域のそれぞれに配置さ
れ、且つ複数の前記ＴＦＴのソース電極のそれぞれに電
気的に接続された複数の画素電極と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ列に属する前
記ＴＦＴのドレイン電極を電気的に接続する複数のデー
タバスラインと、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの列方
向に延在する複数の共通電極と、 前記能動素子基板上で前記ＴＦＴのマトリックスの行方
向に延在し、且つそのマトリックスの同じ行に属する前
記共通電極を電気的に接続する複数の共通バスラインと
を備えて構成され、 複数の前記画素電極は、前記ＴＦＴのマトリックスの同
じ行に属する前記ＴＦＴのゲートバスラインのそれぞれ
と重なると共に、対応する前記データバスラインとも重
なっており、 しかも、複数の前記画素電極のそれぞれは、対応する前
記データバスラインと対応する前記ゲートバスラインか
ら前記液晶層に向かってそれぞれ放出される不要な電界
を遮断する作用を持つことを特徴とするアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記能動素子基板が、前記複数のＴＦ
Ｔを覆うように形成された層間絶縁膜を備えており、前
記複数の画素電極がその層間絶縁膜に対して前記液晶層
の側に配置され、前記複数の共通電極と前記複数の共通
バスラインと前記複数のデータバスラインとがその層間
絶縁膜に対して前記液晶層とは反対側に配置されている
請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１１】 前記層間絶縁膜が、低誘電率で分極の
少ない有機膜により形成されている請求項１０に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記層間絶縁膜が、無機膜と低誘電率
で分極の少ない有機膜との積層体により形成されている
請求項１０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１３】 前記有機膜がベンゾシクロブテン膜で
ある請求項１１または１２に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記層間絶縁膜が、前記能動素子基板
の複数の画素領域のそれぞれにおいて選択的に除去され
ている請求項１０〜１３のいずれかに記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１５】 複数の前記共通電極のそれぞれが、対
応する前記ＴＦＴを覆っていて、外光が前記ＴＦＴに照
射されるのを防ぐ遮光膜として作用する請求項９〜１４
のいずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１６】 前記カラーフィルター層が、ブラック
マトリックスを含んでいない請求項１５に記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１７】 複数の前記共通電極のそれぞれが、対
応する前記画素領域を挟む二本のデータバスラインと部
分的に重なっている請求項９〜１５のいずれかに記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１８】 複数の前記共通電極のそれぞれの形状
が、前記画素領域の形状に対応した略矩形である請求項
９〜１５のいずれかに記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
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