JP2000063627A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2000063627A JP2000063627A JP24051998A JP24051998A JP2000063627A JP 2000063627 A JP2000063627 A JP 2000063627A JP 24051998 A JP24051998 A JP 24051998A JP 24051998 A JP24051998 A JP 24051998A JP 2000063627 A JP2000063627 A JP 2000063627A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温保管特性、及び耐半田クラック性に優
れ、且つ高温保管特性と難燃性とのバランスに優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、全エポ
キシ樹脂組成物中に有効細孔径が６オングストローム以
上である式（１）の化合物０．１〜１０重量％、無機充
填材、硬化促進剤、全エポキシ樹脂組成物中に四酸化二
アンチモン及び／又は五酸化二アンチモン０．１〜５重
量％、及び臭素化エポキシ樹脂を必須成分とすることを
特徴とするエポキシ樹脂組成物。 ＸＭ2/nＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＹＳｉＯ2・ＺＨ2Ｏ （１） （ここで、Ｘ＝０．１〜２．０、Ｙ＝１．０〜２００、
Ｚ＝０〜１００、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金
属で、ｎはその原子価である。）
れ、且つ高温保管特性と難燃性とのバランスに優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、全エポ
キシ樹脂組成物中に有効細孔径が６オングストローム以
上である式（１）の化合物０．１〜１０重量％、無機充
填材、硬化促進剤、全エポキシ樹脂組成物中に四酸化二
アンチモン及び／又は五酸化二アンチモン０．１〜５重
量％、及び臭素化エポキシ樹脂を必須成分とすることを
特徴とするエポキシ樹脂組成物。 ＸＭ2/nＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＹＳｉＯ2・ＺＨ2Ｏ （１） （ここで、Ｘ＝０．１〜２．０、Ｙ＝１．０〜２００、
Ｚ＝０〜１００、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金
属で、ｎはその原子価である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温保管特性に優
れ、且つ高温保管特性と難燃性とのバランスに優れたエ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた樹脂封止型半導体
装置に関するものである。
れ、且つ高温保管特性と難燃性とのバランスに優れたエ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた樹脂封止型半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封
止には、エポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物とい
う）を用いた低圧封入法が一般に用いられている。この
樹脂組成物には難燃性が要求されており、難燃性の付与
のため、通常、臭素化合物と酸化アンチモンとが配合さ
れている。しかしながら、この樹脂組成物で封止された
半導体装置を高温下に保管した場合、これらの難燃剤成
分から熱分解した臭素化物が遊離し、半導体素子の接合
部の信頼性を損なうことが知られている。ここで言う信
頼性とは、この樹脂組成物で封止された半導体装置を高
温下（例えば１８５℃等）に放置した後の半導体素子の
接合部（ボンディングパッド部）の信頼性のことである
（以下、高温保管特性という）。この高温保管特性を改
善する手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方
法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチ
モンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６
１−５３３２１号公報）等が検討されているが、最近の
半導体装置に対する高温保管特性の要求レベルには到達
していないのが現状である。
止には、エポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物とい
う）を用いた低圧封入法が一般に用いられている。この
樹脂組成物には難燃性が要求されており、難燃性の付与
のため、通常、臭素化合物と酸化アンチモンとが配合さ
れている。しかしながら、この樹脂組成物で封止された
半導体装置を高温下に保管した場合、これらの難燃剤成
分から熱分解した臭素化物が遊離し、半導体素子の接合
部の信頼性を損なうことが知られている。ここで言う信
頼性とは、この樹脂組成物で封止された半導体装置を高
温下（例えば１８５℃等）に放置した後の半導体素子の
接合部（ボンディングパッド部）の信頼性のことである
（以下、高温保管特性という）。この高温保管特性を改
善する手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方
法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチ
モンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６
１−５３３２１号公報）等が検討されているが、最近の
半導体装置に対する高温保管特性の要求レベルには到達
していないのが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高温保管特
性、及び耐半田クラック性に優れ、且つ高温保管特性と
難燃性とのバランスに優れたエポキシ樹脂組成物、及び
これを用いた半導体装置を提供するものである。
性、及び耐半田クラック性に優れ、且つ高温保管特性と
難燃性とのバランスに優れたエポキシ樹脂組成物、及び
これを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂
組成物中に有効細孔径が６オングストローム以上である
式（１）の化合物０．１〜１０重量％、（Ｄ）無機充填
材、（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）全エポキシ樹脂組成物中
に四酸化二アンチモン及び／又は五酸化二アンチモン
０．１〜５重量％、及び（Ｇ）臭素化エポキシ樹脂を必
須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、及
びこれを用いた半導体装置である。 ＸＭ2/nＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＹＳｉＯ2・ＺＨ2Ｏ （１） （ここで、Ｘ＝０．１〜２．０、Ｙ＝１．０〜２００、
Ｚ＝０〜１００、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金
属で、ｎはその原子価である。）
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂
組成物中に有効細孔径が６オングストローム以上である
式（１）の化合物０．１〜１０重量％、（Ｄ）無機充填
材、（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）全エポキシ樹脂組成物中
に四酸化二アンチモン及び／又は五酸化二アンチモン
０．１〜５重量％、及び（Ｇ）臭素化エポキシ樹脂を必
須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、及
びこれを用いた半導体装置である。 ＸＭ2/nＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＹＳｉＯ2・ＺＨ2Ｏ （１） （ここで、Ｘ＝０．１〜２．０、Ｙ＝１．０〜２００、
Ｚ＝０〜１００、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金
属で、ｎはその原子価である。）
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂は、
分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しな
いが、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。樹脂組成物の硬
化性のためには、エポキシ当量は１５０〜３００が望ま
しい。
分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しな
いが、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。樹脂組成物の硬
化性のためには、エポキシ当量は１５０〜３００が望ま
しい。
【０００６】本発明に用いるフェノール樹脂は、分子中
にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定し
ないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、及び
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。樹脂組成物の硬化性のためには、水
酸基当量は８０〜２５０が望ましい。
にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定し
ないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、及び
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。樹脂組成物の硬化性のためには、水
酸基当量は８０〜２５０が望ましい。
【０００７】本発明に用いる式（１）の化合物は、一般
にゼオライトと呼称されているものであり、これを配合
することによって高温保管特性を向上できる。有効細孔
径としては６オングストローム以上が好ましく、特に、
６〜１５オングストロームが好ましい。６オングストロ
ーム未満だと、水分が吸着しやすくなり、耐半田クラッ
ク性が低下するので好ましくない。又、最大粒径として
は２００μｍ以下が好ましく、特に１５０μｍ以下が好
ましい。２００μｍを越えると成形時に未充填の原因と
なるので好ましくない。平均粒径としては、特に限定し
ないが、０．１〜３０μｍの範囲が好ましい。配合量と
しては、全樹脂組成物中に０．１〜１０重量％が好まし
い。０．１重量％未満だと高温保管特性に対する効果が
少なく、１０重量％を越えると難燃性が低下するので好
ましくない。又、粒子の形状としては破砕状、球状等が
あるが、特に限定しない。
にゼオライトと呼称されているものであり、これを配合
することによって高温保管特性を向上できる。有効細孔
径としては６オングストローム以上が好ましく、特に、
６〜１５オングストロームが好ましい。６オングストロ
ーム未満だと、水分が吸着しやすくなり、耐半田クラッ
ク性が低下するので好ましくない。又、最大粒径として
は２００μｍ以下が好ましく、特に１５０μｍ以下が好
ましい。２００μｍを越えると成形時に未充填の原因と
なるので好ましくない。平均粒径としては、特に限定し
ないが、０．１〜３０μｍの範囲が好ましい。配合量と
しては、全樹脂組成物中に０．１〜１０重量％が好まし
い。０．１重量％未満だと高温保管特性に対する効果が
少なく、１０重量％を越えると難燃性が低下するので好
ましくない。又、粒子の形状としては破砕状、球状等が
あるが、特に限定しない。
【０００８】本発明に用いる無機充填材の種類には特に
制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使
用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶
融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、チタン
ホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラ
ス繊維等が挙げられる。
制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使
用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶
融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、チタン
ホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラ
ス繊維等が挙げられる。
【０００９】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ樹
脂とフェノール樹脂の反応を促進できるものであれば特
に限定しないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリブチルアミン等の
アミン化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機
リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾー
ル化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。
脂とフェノール樹脂の反応を促進できるものであれば特
に限定しないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリブチルアミン等の
アミン化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機
リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾー
ル化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。
【００１０】本発明に用いる難燃助剤は、四酸化二アン
チモン及び／又は五酸化二アンチモンである。これらを
臭素化エポキシ樹脂と併用することにより、臭素量を減
量することができるので、高温保管特性と難燃性とのバ
ランスが取りやすくなり、高温保管特性も向上する。四
酸化二アンチモン及び／又は五酸化二アンチモンの配合
量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．１〜５重量
％が好ましい。０．１重量％未満だと難燃助剤としての
効果が発揮できずに難燃性が満足されず、５重量％を越
えると高温保管特性が低下するので好ましくない。
チモン及び／又は五酸化二アンチモンである。これらを
臭素化エポキシ樹脂と併用することにより、臭素量を減
量することができるので、高温保管特性と難燃性とのバ
ランスが取りやすくなり、高温保管特性も向上する。四
酸化二アンチモン及び／又は五酸化二アンチモンの配合
量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．１〜５重量
％が好ましい。０．１重量％未満だと難燃助剤としての
効果が発揮できずに難燃性が満足されず、５重量％を越
えると高温保管特性が低下するので好ましくない。
【００１１】本発明に用いる臭素化エポキシ樹脂は、例
えば、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭
素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。臭素化エポキシ
樹脂の配合量としては、全樹脂組成物中に臭素量として
０．１〜３重量％が望ましい。エポキシ当量は、２００
〜４５０が望ましい。
えば、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭
素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。臭素化エポキシ
樹脂の配合量としては、全樹脂組成物中に臭素量として
０．１〜３重量％が望ましい。エポキシ当量は、２００
〜４５０が望ましい。
【００１２】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成
分の他、必要に応じて臭素化合物以外の難燃剤、シラン
カップリング剤、着色剤、天然ワックスや合成ワックス
等の離型剤、シリコーンオイル等の低応力成分等の種々
の添加剤を適宜添加して使用しても差し支えない。本発
明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分、及びその他の
添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出
機等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。本発
明の樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封
止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモー
ルド、コンプレッションモールド、インジェクションモ
ールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
分の他、必要に応じて臭素化合物以外の難燃剤、シラン
カップリング剤、着色剤、天然ワックスや合成ワックス
等の離型剤、シリコーンオイル等の低応力成分等の種々
の添加剤を適宜添加して使用しても差し支えない。本発
明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分、及びその他の
添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出
機等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。本発
明の樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封
止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモー
ルド、コンプレッションモールド、インジェクションモ
ールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
【００１３】
【実施例】以下に、実施例を挙げて説明するが、本発明
はこれらの実施例によりなんら限定されるものではな
い。配合割合は重量部とする。先ず、実施例及び比較例
で用いた原料を示す。 エポキシ樹脂 （住友化学工業（株）・製ＥＳＣＮ−１
９５ＬＡ、軟化点６５℃、エポキシ当量２００） エポキシ樹脂 （油化シェル（株）・製ＹＸ−４００
０、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） フェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９
０℃、水酸基当量１０４） ゼオライト （有効細孔径９オングストローム、平均粒
径１０μｍ、最大粒径７５μｍ） 無機充填材（溶融球状シリカ、平均粒径３０μｍ、比表
面積１．４ｍ2／ｇ） 硬化促進剤（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、以下ＤＢＵという） 四酸化二アンチモン 五酸化二アンチモン 臭素化エポキシ樹脂（大日本インキ（株）・製エピクロ
ン１５３、軟化点７０℃、エポキシ当量４００、臭素含
有率４８重量％） シランカップリング剤 カーボンブラック カルナバワックス
はこれらの実施例によりなんら限定されるものではな
い。配合割合は重量部とする。先ず、実施例及び比較例
で用いた原料を示す。 エポキシ樹脂 （住友化学工業（株）・製ＥＳＣＮ−１
９５ＬＡ、軟化点６５℃、エポキシ当量２００） エポキシ樹脂 （油化シェル（株）・製ＹＸ−４００
０、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） フェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９
０℃、水酸基当量１０４） ゼオライト （有効細孔径９オングストローム、平均粒
径１０μｍ、最大粒径７５μｍ） 無機充填材（溶融球状シリカ、平均粒径３０μｍ、比表
面積１．４ｍ2／ｇ） 硬化促進剤（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、以下ＤＢＵという） 四酸化二アンチモン 五酸化二アンチモン 臭素化エポキシ樹脂（大日本インキ（株）・製エピクロ
ン１５３、軟化点７０℃、エポキシ当量４００、臭素含
有率４８重量％） シランカップリング剤 カーボンブラック カルナバワックス
【００１４】
実施例１
エポキシ樹脂 １００重量部
フェノールノボラック樹脂 ６０重量部
ゼオライト ３０重量部
溶融球状シリカ ７００重量部
ＤＢＵ ２重量部
四酸化二アンチモン ３０重量部
臭素化エポキシ樹脂 ２０重量部
シランカップリング剤 ５重量部
カーボンブラック ３重量部
カルナバワックス ５重量部
をミキサーで混合後、１００℃で二軸ロールを用いて混
練し、冷却混合後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた
樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示
す。
練し、冷却混合後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた
樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示
す。
【００１５】評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注
入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。単
位はｃｍ。 難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８ｉ
ｎｃｈで測定した。高温保管特性：低圧トランスファー
成形機を用いて、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃ
ｍ2、硬化時間２分で１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３０
０ｍｉｌｓ）を成形し、１７５℃、８時間のポストキュ
アを行い、１０個のパッケージを得た。得られたパッケ
ージを１８５℃に保管し、常温でパッケージの配線の電
気抵抗値を調べた。５００時間まで試験し、初期抵抗値
の１．２倍以上の抵抗値を示したものを不良と判定し
た。不良の生じたパッケージがｎ個であるとき、ｎ／１
０と表示した。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で８０ｐＱＦＰ（パッケージサイズ１６ｍｍ×２
０ｍｍ×２．７ｍｍ厚）を成形し、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行い、１０個のパッケージを得た。得ら
れたパッケージを８５℃、相対湿度６０％で１６８時間
吸湿処理した後、ＩＲリフロー（２４０℃、１０秒）処
理を繰り返し３回行った。終了後、外観検査により、外
部クラックが生じたものを不良と判定した。不良の生じ
たパッケージがｎ個であるとき、ｎ／１０と表示した。
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注
入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。単
位はｃｍ。 難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８ｉ
ｎｃｈで測定した。高温保管特性：低圧トランスファー
成形機を用いて、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃ
ｍ2、硬化時間２分で１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３０
０ｍｉｌｓ）を成形し、１７５℃、８時間のポストキュ
アを行い、１０個のパッケージを得た。得られたパッケ
ージを１８５℃に保管し、常温でパッケージの配線の電
気抵抗値を調べた。５００時間まで試験し、初期抵抗値
の１．２倍以上の抵抗値を示したものを不良と判定し
た。不良の生じたパッケージがｎ個であるとき、ｎ／１
０と表示した。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で８０ｐＱＦＰ（パッケージサイズ１６ｍｍ×２
０ｍｍ×２．７ｍｍ厚）を成形し、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行い、１０個のパッケージを得た。得ら
れたパッケージを８５℃、相対湿度６０％で１６８時間
吸湿処理した後、ＩＲリフロー（２４０℃、１０秒）処
理を繰り返し３回行った。終了後、外観検査により、外
部クラックが生じたものを不良と判定した。不良の生じ
たパッケージがｎ個であるとき、ｎ／１０と表示した。
【００１６】実施例２〜６
表１に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を得、実
施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。 比較例１〜６ 表２に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を得、実
施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。な
お、比較例６で使用したゼオライト は、有効細孔径３
オングストローム、平均粒径１０μｍ、最大粒径７５μ
ｍである。
施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。 比較例１〜６ 表２に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を得、実
施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。な
お、比較例６で使用したゼオライト は、有効細孔径３
オングストローム、平均粒径１０μｍ、最大粒径７５μ
ｍである。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明に従うと、高温保管特性、及び耐
半田クラック性に優れ、且つ高温保管特性と難燃性との
バランスに極めて優れた半導体装置を得ることができ
る。
半田クラック性に優れ、且つ高温保管特性と難燃性との
バランスに極めて優れた半導体装置を得ることができ
る。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０８Ｋ 3/34 Ｃ０８Ｋ 3/34
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC052 CC062 CC072
CD031 CD041 CD051 CD061
CD071 CD123 CD201 CD203
DE129 DE137 DE147 DJ006
DJ017 DJ037 DJ047 DL007
EU098 EW018 EW178 EY008
FA047 FD017 FD158 GQ05
4J036 AC02 AD07 AD08 AF06 AF08
AF15 AJ08 DB05 DC05 DC41
DC46 DD07 FA01 FA05 FB07
FB08 GA04 JA07
4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03
EB04 EB07 EB12 EC03 EC05
EC20
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂組成物中に有効細孔径が６オ
ングストローム以上である式（１）の化合物０．１〜１
０重量％、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）硬化促進剤、
（Ｆ）全エポキシ樹脂組成物中に四酸化二アンチモン及
び／又は五酸化二アンチモン０．１〜５重量％、及び
（Ｇ）臭素化エポキシ樹脂を必須成分とすることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。 ＸＭ2/nＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＹＳｉＯ2・ＺＨ2Ｏ （１） （ここで、Ｘ＝０．１〜２．０、Ｙ＝１．０〜２００、
Ｚ＝０〜１００、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金
属で、ｎはその原子価である。） - 【請求項２】 請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用
いて封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24051998A JP2000063627A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24051998A JP2000063627A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000063627A true JP2000063627A (ja) | 2000-02-29 |
Family
ID=17060742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24051998A Pending JP2000063627A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000063627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP24051998A patent/JP2000063627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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