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FR2725277A1 - Detection of faults on public lighting network - Google Patents

Detection of faults on public lighting network Download PDF

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FR2725277A1
FR2725277A1 FR9411923A FR9411923A FR2725277A1 FR 2725277 A1 FR2725277 A1 FR 2725277A1 FR 9411923 A FR9411923 A FR 9411923A FR 9411923 A FR9411923 A FR 9411923A FR 2725277 A1 FR2725277 A1 FR 2725277A1
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FR9411923A
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Antoine Chastel
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Abstract

The process is for detecting faults in the public lighting network which has lamps (N) fed from sections (S) and supply points (D). Multiplexers and a microprocessor are used to measure values of voltage and current (U,I) in a section of the network (S), also to determine the corresponding values of real and reactive power (P,Q) and their ratio Q/P. The values of reactive power (Q) and the ratio of reactive to real power (Q/P) are compared to reference values (VINF) and (VSUP) to determine whether a fault exists. If a fault does exist, a signal is sent and/or recorded and the reference values are modified to allow for the faulty equipment in later measurements.

Description

L'invention concerne un procédé de détection de défauts dans un réseau d'éclairage public ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. The invention relates to a method for detecting faults in a public lighting network and to a device for implementing this method.

ETAT DE LA TECllNlOUE
De nos jours, les rues et espaces des agglomérations sont généralement éclairés par des lampadaires munis de lampes à vapeur de mercure ou de sodium. La distribution de l'énergie nécessaire au fonctionnement des lampes s'effectue au moyen de coffrets de répartition alimentés par le réseau de distribution publique et comportant essentiellement un disjoncteur, un contacteur général, des disjoncteurs secondaires, et un relais de télécommande apte à être actionné par un signal envoyé sur le réseau par le gestionnaire de ce réseau.
STATE OF THE TECHNOLOGY
Nowadays, the streets and spaces of agglomerations are generally lit by lampposts equipped with mercury or sodium vapor lamps. The distribution of the energy required for the operation of the lamps is effected by means of distribution boxes supplied by the public distribution network and essentially comprising a circuit breaker, a general contactor, secondary circuit breakers, and a remote control relay capable of being actuated. by a signal sent over the network by the manager of this network.

Le contrôle du bon fonctionnement des lampes s'effectue habituellement dans les petites et moyennes villes par constatation visuelle et, dans les grandes villes, par examen visuel au cours de rotations périodiques, en pratique, au moins une fois par semaine. Lamps are normally checked in small and medium-sized towns by visual observation and, in large cities, by visual inspection during periodic rotations, in practice, at least once a week.

En général, l'examen visuel se rapporte à la présence d'éclairement, suivi, si nécessaire, d'un contrôle des constituants (fusible, ballast, amorceur). In general, visual examination refers to the presence of illumination, followed, if necessary, by a control of the constituents (fuse, ballast, initiator).

n n'y avait donc pratiquement pas jusqu'à présent de maintenance structurée ou globalisée des installations d'éclairage. Until now, there has been little formal or global maintenance of lighting installations.

EXPOSE SOMMAIRE DE L'INVENTION
Le demandeur a maintenant mis au point un procédé de détection des défauts dans un réseau d'éclairage public constitué d'un réseau de distribution électrique, sur lequel est relié au moins un départ D comprenant au moins une section S alimentant au moins une source de rayonnement N(S).Ce procédé se caractérise en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes
a) on mesure les valeurs de la tension U et de l'intensité I dans la section S
b) on détermine à partir des valeurs de la tension U et de l'intensité I:
- la puissance réactive Q,
- et éventuellement la puissance active P et le rapport Q/P,
c) on compare ladite puissance réactive Q ou ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP,
d) si ladite puissance réactive Q ou ledit rapport Q/P est, à la fois, inférieur(e) ou égal(e) à VSUP et supérieur(e) ou égal(e) à VINF, on retourne à l'étape a)
e) dans le cas contraire, on envoye et/ou on enregistre un signal indiquant l'existence d'un défaut, puis on modifie lesdites valeurs de référence VSUP et
VINF, de façon à ce que ledit défaut ne soit pas à nouveau détecté lors d'un examen ultérieur de la section S, et on retourne à l'étape a).
SUMMARY SUMMARY OF THE INVENTION
The applicant has now developed a fault detection method in a public lighting network consisting of an electrical distribution network, on which is connected at least one start D comprising at least one section S feeding at least one source of radiation N (S) .This process is characterized in that it comprises at least the following steps
a) the values of the voltage U and the intensity I are measured in the section S
b) the values of the voltage U and the intensity I are determined from:
the reactive power Q,
- and possibly the active power P and the ratio Q / P,
c) comparing said reactive power Q or said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP,
d) if said reactive power Q or said Q / P ratio is, at the same time, less than or equal to VSUP and greater than or equal to VINF, return to step a )
e) in the opposite case, a signal indicating the existence of a defect is sent and / or recorded, then said reference values VSUP and
VINF, so that said defect is not detected again during a subsequent examination of the section S, and return to step a).

La demandeur a également conçu un dispositif pouvant au moins mettre en oeuvre son procédé et comprenant au moins les éléments suivants:
- des moyens de mesure de la tension U et de l'intensité I dans au moins une
section S,
- des moyens de détermination, pour déterminer, à partir des valeurs de U et de I, la puissance réactive Q et éventuellement la puissance active P et le rapport
Q/P,
- des moyens de traitement aptes au moins à comparer ladite puissance Q ou ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP, et à modifier ces valeurs,
- des moyens formant mémoire contenant au moins un programme régissant le fonctionnement desdits moyens de traitement,
- et des moyens permettant de transmettre un signal.
The applicant has also designed a device that can at least implement its method and comprising at least the following elements:
means for measuring the voltage U and the intensity I in at least one
section S,
determining means for determining, from the values of U and I, the reactive power Q and possibly the active power P and the ratio
Q / P,
processing means able at least to compare said power Q or said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP, and to modify these values,
memory means containing at least one program governing the operation of said processing means,
and means for transmitting a signal.

Ce dispositif présente l'avantage de pouvoir contrôler à lui seul un nombre très élevé de sources de rayonnement réparties par section et départs. I1 peut en outre tenir compte des variations de tension du réseau de distribution électrique. Un tel dispositif impose en outre très peu de modifications au réseau d'éclairage existant. I1 est de plus adaptable, peu coûteux et fiable car il est très peu sensible aux perturbations ou fluctuations de la tension du réseau. This device has the advantage of being able to control alone a very large number of radiation sources distributed by section and departures. It can also take into account the voltage variations of the electrical distribution network. Such a device also imposes very few modifications to the existing lighting network. It is more adaptable, inexpensive and reliable because it is very insensitive to disturbances or fluctuations in the network voltage.

DESCRIPITON SOMMAIRE DES FIGURES
La figure 1 est une représentation schématique d'une source de rayonnement et des composants qui lui sont généralement associés.
DESCRIPITON SUMMARY OF FIGURES
Figure 1 is a schematic representation of a radiation source and components that are generally associated with it.

La figure 2 est un représentation schématique d'une portion du réseau d'éclairage public, les pointillés délimitant un coffret C de répartition classique
La figure 3 illustre les variations des puissances active et réactive, de l'intensité et de tangente a en fonction de la tension du réseau.
FIG. 2 is a schematic representation of a portion of the public lighting network, the dotted lines delimiting a conventional distribution box C.
Figure 3 illustrates the variations of the active and reactive powers, intensity and tangent a as a function of the voltage of the network.

La figure 4 illustre les variations des puissances active et réactive, de l'intensité et de tan a en fonction du temps. Figure 4 illustrates the variations of the active and reactive powers, the intensity and tan a as a function of time.

La figure 5 est une représentation schématique d'un coffret du réseau d'éclairage public dans lequel a été branché un dispositif selon l'invention. FIG. 5 is a schematic representation of a box of the public lighting network in which a device according to the invention has been connected.

La figure 6 est un schéma synoptique montrant la constitution interne du dispositif selon l'invention. Figure 6 is a block diagram showing the internal constitution of the device according to the invention.

La figure 7 représente un exemple d'organigramme pouvant régir le fonctionnement du microprocesseur du dispositif selon l'invention. FIG. 7 represents an exemplary flow chart that can govern the operation of the microprocessor of the device according to the invention.

La figure 8 représente un organigramme régissant le fonctionnement du microprocesseur selon une version avantageuse du dispositif selon l'invention. FIG. 8 represents a flowchart governing the operation of the microprocessor according to an advantageous version of the device according to the invention.

La figure 9 représente un autre organigramme régissant le fonctionnement du microprocesseur selon une autre version avantageuse du dispositif selon l'invention. FIG. 9 represents another flowchart governing the operation of the microprocessor according to another advantageous version of the device according to the invention.

EXPOSE DETAILLE DE L'INVENTION
La figure 1 illustre une source de rayonnement utilisée généralement dans les réseaux d'éclairage public. Par source de rayonnement, on entend dans la présente description l'ensemble composé d'une lampe à décharge R telle qu'une lampe à vapeur de mercure, d'une inductance L appelée ballast en série avec la lampe à décharge R, d'un condensateur C en parallèle avec l'ensemble lampe à décharge
R/ballast L, et d'un dispositif F de protection contre les surintensités qui peut être un fusible ou un disjoncteur. La lampe à décharge peut également être une lampe à vapeur de sodium. Mais dans ce cas, la source de rayonnement doit être munie en outre d'un amorceur.
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Figure 1 illustrates a source of radiation generally used in public lighting networks. By radiation source is meant in the present description the assembly consisting of a discharge lamp R such as a mercury vapor lamp, an inductance L called ballast in series with the discharge lamp R, of a capacitor C in parallel with the discharge lamp assembly
R / L ballast, and an overcurrent protection device F which may be a fuse or a circuit breaker. The discharge lamp may also be a sodium vapor lamp. But in this case, the radiation source must be provided with an initiator.

Par défaut, on entend dans la présente description le non-fonctionnement d'un composant de la source de rayonnement, c'est-à-dire l'absence de circulation de courant à travers ce composant. By default, in the present description is meant the non-functioning of a component of the radiation source, that is to say the absence of current flow through this component.

En règle générale les défauts de ballast sont rares. Et comme le ballast est en série avec la lampe, un défaut de ballast sera, dans la présente description, assimilé à un défaut de lampe. In general, ballast defects are rare. And since the ballast is in series with the lamp, a ballast fault will be, in the present description, likened to a lamp fault.

n importe également de noter que tout court-circuit à l'intérieur du ballast, du condensateur ou de la lampe se traduit par une fusion du fusible et peut donc être assimilé à un défaut de fusible. It should also be noted that any short circuit inside the ballast, capacitor or lamp results in a fuse blowing and can therefore be likened to a fuse fault.

Les valeurs moyennes des différentes grandeurs physiques lors du fonctionnement d'une source de rayonnement comprenant une lampe à vapeur de mercure de 125W sont données dans le tableau A suivant
TABLEAU A

Figure img00040001
The average values of the various physical quantities during the operation of a radiation source comprising a 125W mercury vapor lamp are given in table A below.
TABLE A
Figure img00040001

<tb> <SEP> P <SEP> (Watt) <SEP> Q <SEP> (VAR) <SEP> I <SEP> (Ampère) <SEP>
<tb> Sans <SEP> défaut <SEP> 129 <SEP> 32 <SEP> 0,62
<tb> Défaut <SEP> du <SEP> condensateur <SEP> 123 <SEP> 194 <SEP> 1,02
<tb> Défautdel'am <SEP> ule <SEP> 7 <SEP> -167 <SEP> 0,71
<tb>
Sur la figure 2 est représenté un réseau d'éclairage public constitué d'un réseau de distribution électrique sur lequel sont reliés une pluralité de départs Dl,D2,D3....Chacun de ces départs comprend 3 sections S1, S2 et S3, qui sont composées du neutre N et des phases L1, L2 et L3. Des sources de rayonnement Nil, N12, ...., Nln, N21, N22 ....N2n, N31, N32,...,N3n sont connectées sur les sections S1, S2, S3.
<tb><SEP> P <SEP> (Watt) <SEP> Q <SEP> (VAR) <SEP> I <SEP> (Amp) <SEP>
<tb> Without <SEP> default <SEP> 129 <SEP> 32 <SEP> 0.62
<tb><SEP><SEP> capacitor fault <SEP> 123 <SEP> 194 <SEP> 1.02
<tb> Am defect <SEP><SEP> 7 <SEP> -167 <SEP> 0.71
<Tb>
FIG. 2 shows a public lighting network consisting of an electrical distribution network to which a plurality of feeders D1, D2, D3 are connected. Each of these feeders comprises 3 sections S1, S2 and S3. which are composed of the neutral N and the phases L1, L2 and L3. Radiation sources Nil, N12, ...., Nln, N21, N22 .... N2n, N31, N32,..., N3n are connected to sections S1, S2, S3.

PROCEDE SELON L'INVENTION
Le demandeur a constaté qu'un défaut dans un réseau pouvait aisément être décelé si l'on surveillait au moins l'une des grandeurs physiques que sont la puissance réactive Q consommée dans la section S considérée ou le rapport Q/P de la puissance réactive Q sur la puissance active P, c'est-à-dire la tangente de l'angle a correspondant au déphasage de la tension par rapport au courant dans la section S considérée.
PROCESS ACCORDING TO THE INVENTION
The Applicant has found that a fault in a network could easily be detected by monitoring at least one of the physical quantities that are the reactive power Q consumed in the section S considered or the ratio Q / P of the reactive power Q on the active power P, that is to say the tangent of the angle a corresponding to the phase shift of the voltage relative to the current in the section S considered.

En effet, comme l'illustre le tableau B suivant, en cas de défaillance de l'un des constituants de la source de rayonnement, il apparaît immédiatement une variation importante des valeurs des grandeurs Q et Q/P précitées par rapport à un fonctionnement normal. Indeed, as shown in the following Table B, in case of failure of one of the constituents of the radiation source, it immediately appears a significant variation of the values of the quantities Q and Q / P above compared to normal operation .

Ce tableau B a été réalisé avec 10 sources de rayonnement comprenant des lampes à vapeur de mercure de même puissance nominale. Les colonnes F, A, C désignent respectivement l'état du fusible, de l'ampoule et du condensateur. La valeur 0 correspond à un fonctionnement normal et la valeur 1 à un défaut, c'est-àdire à un non-fonctionnement.  This table B was made with 10 radiation sources including mercury vapor lamps of the same nominal power. The columns F, A, C respectively indicate the state of the fuse, the bulb and the capacitor. The value 0 corresponds to a normal operation and the value 1 to a fault, that is to say a non-functioning.

TABLEAU B

Figure img00050001
TABLE B
Figure img00050001

<tb> <SEP> F <SEP> A <SEP> C <SEP> I <SEP> P <SEP> Q <SEP> Ecart <SEP> Q <SEP> tana <SEP> Ecart
<tb> <SEP> (Ampères) <SEP> (Watts) <SEP> (VARs) <SEP> en <SEP> % <SEP> =Q/P <SEP> tan <SEP> a
<tb> <SEP> en <SEP> %
<tb> <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 7,0 <SEP> 1392 <SEP> 518 <SEP> 0 <SEP> 0,37 <SEP> 0
<tb> <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 7,3 <SEP> 1380 <SEP> 652 <SEP> +26 <SEP> 0,47 <SEP> +27
<tb> <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 6,0 <SEP> 1256 <SEP> 304 <SEP> -41 <SEP> ~ <SEP> <SEP> 0,24 <SEP> -35
<tb> <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 6,3 <SEP> 1247 <SEP> 440 <SEP> -15 <SEP> 0,35 <SEP> -5,4(1) <SEP>
<tb> <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1(2) <SEP> 6,3 <SEP> 1254 <SEP> 457 <SEP> -12 <SEP> 0,36 <SEP> -2
<tb> <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 6,6 <SEP> 1258 <SEP> 611 <SEP> +18 <SEP> 0,48 <SEP> +30
<tb> <SEP> 1 <SEP> 1(2) <SEP> 0 <SEP> 54 <SEP> 1140 <SEP> 258 <SEP> -50 <SEP> 022 <SEP> -41
<tb> i <SEP> 1(2) <SEP> 1(2) <SEP> 5,6 <SEP> 1120 <SEP> ~ <SEP> <SEP> 401 <SEP> -23 <SEP> 036 <SEP> -2
<tb> (1): la valeur devrait être 0 en théorie car Q/P est constant. L'écart est dû à des incertitudes de mesure.
<tb><SEP> F <SEP> A <SEP> C <SEP> I <SEP> P <SEP> Q <SEP> Difference <SEP> Q <SEP> tana <SEP> Difference
<tb><SEP> (Amps) <SEP> (Watts) <SEP> (VARs) <SEP> in <SEP>% <SEP> = Q / P <SEP> tan <SEP> a
<tb><SEP> in <SEP>%
<tb><SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 7.0 <SEP> 1392 <SEP> 518 <SEP> 0 <SEP> 0.37 <SEP> 0
<tb><SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 7.3 <SE> 1380 <SE> 652 <SEP> +26 <SEP> 0.47 <SEP> +27
<tb><SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 6.0 <SEP> 1256 <SEP> 304 <SEP> -41 <SEP> ~ <SEP><SEP> 0.24 <SEP> -35
<tb><SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 6.3 <SEQ> 1247 <SEP> 440 <SEP> -15 <SEP> 0.35 <SEP> -5.4 (1) <September>
<tb><SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1 (2) <SEP> 6.3 <SEP> 1254 <SEP> 457 <SEP> -12 <SEP> 0.36 <SEP> -2
<tb><SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 6.6 <SEQ> 1258 <SEP> 611 <SEP> +18 <SEP> 0.48 <SEP> +30
<tb><SEP> 1 <SEP> 1 (2) <SEP> 0 <SEP> 54 <SEQ> 1140 <SEP> 258 <SEP> -50 <SEW> 022 <SEP> -41
<tb> i <SEP> 1 (2) <SEP> 1 (2) <SEP> 5.6 <SEP> 1120 <SEP> ~ <SEP><SEP> 401 <SEP> -23 <SEP> 036 <SEP > -2
<tb> (1): the value should be 0 in theory because Q / P is constant. The difference is due to measurement uncertainties.

(2): les défauts sont localisés sur des sources de rayonnement différentes.(2): defects are located on different radiation sources.

I1 apparaît donc que dès la survenue d'un défaut, un écart important par rapport au fonctionnement sans défaut se manifeste au niveau de la puissance active
Q ou de la tangente de l'angle de déphasage a.
It thus appears that as soon as a fault occurs, a large difference with respect to the fault-free operation is manifested in the active power level.
Q or the tangent of the phase shift angle a.

La surveillance des variations de Q ou de tan a permet donc de déceler tout défaut se produisant dans le réseau puis de transmettre et/ou d'enregistrer un signal informant de l'existence de ce défaut et de préférence indiquant également la section dans laquelle ce défaut se manifeste. I1 n'est pas nécessaire que le procédé permette de connaître de manière plus précise l'emplacement de ce défaut car chaque section comprend un nombre peu élevé de sources de rayonnement et ne s'étend que sur quelques centaines de mètres. L'équipe d'agents chargés de la surveillance du réseau d'éclairage, peut alors, en se rendant dans la section en cause, rapidement déterminer quelle est la source de rayonnement défectueuse. The monitoring of the variations of Q or tan a thus makes it possible to detect any fault occurring in the network then to transmit and / or record a signal informing of the existence of this defect and preferably also indicating the section in which this defect manifests itself. It is not necessary for the process to know more precisely the location of this defect because each section comprises a small number of radiation sources and extends only a few hundred meters. The team of agents in charge of the surveillance of the lighting network, can then, while going in the section in question, quickly determine which is the source of defective radiation.

En effet, s'il s'agit d'un défaut de fusible, de lampe ou éventuellement de ballast, sa localisation se fait facilement car visuellement, la lampe de la source de rayonnement concernée s'étant éteinte. Indeed, if it is a defect fuse, lamp or possibly ballast, its location is easily because visually, the lamp of the radiation source concerned having extinguished.

Si par contre toutes les lampes fonctionnent, cela signifie qu'un condensateur est défectueux car seul un défaut de condensateur ne se traduit pas par l'extinction d'une lampe. L'équipe de surveillance doit alors contrôler individuellement les condensateurs jusqu'à trouver celui qui est défectueux.  If against all lamps work, it means that a capacitor is defective because only a capacitor fault does not result in the extinction of a lamp. The monitoring team must then individually control the capacitors until they find the one that is defective.

L'apparition d'un autre défaut ultérieurement dans la même section peut également être détectée, si l'on modifie les valeurs de référence de façon à ce qu'elles tiennent compte du défaut précédent. The appearance of another fault later in the same section can also be detected, if the reference values are modified so that they take into account the previous fault.

Ainsi, le tableau C suivant montre, de manière générale, les écarts intervenant après apparition d'un défaut du condensateur consécutif à un défaut de l'ampoule ou l'inverse:
TABLEAU C

Figure img00060001
Thus, the following Table C shows, in general, the differences occurring after appearance of a capacitor fault following a fault of the bulb or vice versa:
TABLE C
Figure img00060001

<tb> nème <SEP> Défaut <SEP> n+ <SEP> lème <SEP> Défaut <SEP> Ecart <SEP> I <SEP> Ecart <SEP> P <SEP> Ecart <SEP> Q <SEP> Ecart <SEP> tan <SEP> a <SEP>
<tb> <SEP> en <SEP> % <SEP> en <SEP> % <SEP> en <SEP> % <SEP> en <SEP> % <SEP>
<tb> Condensateur <SEP> Ampoule <SEP> - <SEP> 15 <SEP> - <SEP> 10 <SEP> -30 <SEP> -30
<tb> Ampoule <SEP> Condensateur <SEP> + <SEP> 5 <SEP> 0 <SEP> ~ <SEP> <SEP> +20 <SEP> ~ <SEP> <SEP> +20
<tb>
Les écarts les plus importants se manifestent au niveau de la puissance réactive Q et de tan a.
<tb> nth <SEP> Default <SEP> n + <SEP> l <SEP> Default <SEP> Difference <SEP> I <SEP> Difference <SEP> P <SEP> Difference <SEP> Q <SEP> Difference <SEP > tan <SEP> a <SEP>
<tb><SEP> in <SEP>% <SEP> in <SEP>% <SEP> in <SEP>% <SEP> in <SEP>% <SEP>
<tb> Capacitor <SEP> Bulb <SEP> - <SEP> 15 <SEP> - <SEP> 10 <SEP> -30 <SEP> -30
<tb> Bulb <SEP> Capacitor <SEP> + <SEP> 5 <SEP> 0 <SEP> ~ <SEP><SEP> +20 <SEP> ~ <SEP><SEP> +20
<Tb>
The largest differences are in reactive power Q and tan a.

Ainsi, après qu'un nème défaut a été décelé, un signal est enregistré et/ou transmis, puis on modifie les valeurs de référence de la section défaillante afin de tenir compte de défaut. Lors de l'examen suivant de la section, on procède alors comme si cette section ne présentait plus de défaut. Thus, after a nth fault has been detected, a signal is recorded and / or transmitted, and then the reference values of the faulty section are modified to take account of a fault. During the next examination of the section, we then proceed as if this section no longer has any defect.

L'examen d'une section est réalisé au travers de la comparaison de Q ou de tan a avec une valeur de référence supérieure VSUP et une valeur de référence inférieure VINF. The examination of a section is carried out through the comparison of Q or tan with a higher reference value VSUP and a lower reference value VINF.

La valeur VSUP peut être déterminée à partir d'une valeur de référence
VNORM à laquelle on ajoute un écart ESUP
VSUP = VNORM + ESUP
La valeur VINF peut être déterminée à partir de ladite valeur de référence
VNORM à laquelle on retranche un écart EINF
VINF = VNORM - EINF
VNORM est une valeur de référence déduite par exemple du tableau B.
The VSUP value can be determined from a reference value
VNORM to which is added a gap ESUP
VSUP = VNORM + ESUP
The value VINF can be determined from said reference value
VNORM to which we deduct an EINF gap
VINF = VNORM - EINF
VNORM is a reference value derived for example from Table B.

Avantageusement, VNORM est la valeur qui a été déterminée lors de l'examen précédent de la section.Advantageously, VNORM is the value that was determined during the previous review of the section.

Après détection d'un défaut, les valeurs VSUP et VINF sont modifiées pour que lors de l'examen suivant, on tienne compte de l'existence de ce défaut. Les modifications peuvent être faites en donnant à VNORM la valeur actuelle de Q ou de tan a, puis en recalculant VSUP et VINF à partir cette nouvelle valeur de VNORM selon les équations indiquées ci-dessus. After detection of a defect, the VSUP and VINF values are modified so that the following examination takes into account the existence of this defect. The modifications can be made by giving VNORM the current value of Q or tan a, then recalculating VSUP and VINF from this new value of VNORM according to the equations given above.

Ainsi, la détection d'un défaut provoque l'envoi et/ou l'enregistrement d'un signal, puis le dispositif se retrouve, grâce à la modification de VSUP et VINF, dans un état analogue à un fonctionnement normal. Bien que le défaut déjà détecté soit encore existant, il n'est plus détecté une seconde fois lors des examens ultérieurs de la section. Thus, the detection of a fault causes the sending and / or recording of a signal, then the device is found, through the modification of VSUP and VINF, in a state analogous to normal operation. Although the defect already detected is still existing, it is no longer detected a second time during subsequent examinations of the section.

Le procédé peut ensuite être appliqué successivement à plusieurs sections. The process can then be applied successively to several sections.

Pour chaque section on a alors une valeur VNORM à partir de laquelle pourront être calculées les valeurs VINF et VSUP de cette section.For each section, we then have a VNORM value from which the VINF and VSUP values of this section can be calculated.

I1 est avantageux d'appliquer le procédé selon l'invention de telle sorte que toutes les sections de tous les départs soient examinées successivement, puis que tous ces examens recommencent de manière cyclique. It is advantageous to apply the method according to the invention so that all the sections of all the departures are examined successively, and that all these examinations begin again cyclically.

Les écarts ESUP et EINF peuvent être obtenus à partir du tableau C et avantageusement, après multiplication par un coefficient de sureté. The differences ESUP and EINF can be obtained from Table C and advantageously, after multiplication by a safety coefficient.

De préférence, ESUP et EINF sont dépendants du nombre N(S) de sources de rayonnement présentes dans la section S examinée. Preferably, ESUP and EINF are dependent on the number N (S) of radiation sources present in the section S examined.

Le nombre N(S) de sources de rayonnement présentes dans la section S examinée peut être déterminé à l'aide de la valeur de la puissance active P consommée dans ladite section S examinée ou par lecture dans une mémoire. The number N (S) of radiation sources present in the section S examined can be determined using the value of the active power P consumed in said section S examined or by reading in a memory.

Les écarts ESUP et EINF peuvent également être fonction des caractéristiques nominales des lampes dans la section considérée. The differences ESUP and EINF can also be a function of the nominal characteristics of the lamps in the considered section.

I1 est également souhaitable de corréler les écarts ESUP et EINF à la tension du réseau de distribution électrique, car les grandeurs physiques peuvent beaucoup varier en fonction de cette tension comme illustré par le tableau D suivant qui montre l'évolution des valeurs des grandeurs I, P, Q, tan a en fonction de la tension
U du réseau. La figure 3 représente la courbe correspondante.
It is also desirable to correlate the differences ESUP and EINF with the voltage of the electrical distribution network, because the physical quantities can vary a lot according to this voltage as illustrated by the following table D which shows the evolution of the values of the quantities I, P, Q, tan a depending on the voltage
U of the network. Figure 3 shows the corresponding curve.

Pour l'établissement du tableau D, 10 lampes ont été testées. For the establishment of Table D, 10 lamps were tested.

Lors des mesures, ils s'est avéré qu'une tension minimale d'environ 190 volts étaient nécessaire pour que toutes les lampes restent allumées. During the measurements, it was found that a minimum voltage of about 190 volts was required for all lamps to remain on.

TABLEAU D

Figure img00070001
TABLE D
Figure img00070001

<tb> U <SEP> (Volt) <SEP> | <SEP> I <SEP> (Ampère) <SEP> P <SEP> (Watt) <SEP> Q <SEP> (VAR) <SEP> TAN <SEP> a
<tb> <SEP> 190 <SEP> 5,02 <SEP> 916 <SEP> - <SEP> 41 <SEP> -41 <SEP> - <SEP> 0,04 <SEP>
<tb> <SEP> 200 <SEP> 5,66 <SEP> 1092 <SEP> 148 <SEP> 0,13
<tb> <SEP> 210 <SEP> 6,36 <SEP> C <SEP> <SEP> 1242 <SEP> 315 <SEP> 0,25
<tb> <SEP> 220 <SEP> 7,00 <SEP> 1392 <SEP> 515 <SEP> 0,37
<tb> <SEP> 230 <SEP> 7,60 <SEP> 1530 <SEP> 687 <SEP> 0,44
<tb> <SEP> 240 <SEP> 8,19 <SEP> 1670 <SEP> 861 <SEP> 0,51
<tb> <SEP> 250 <SEP> 8,76 <SEP> 1816 <SEP> 1070 <SEP> 0,58
<tb>
L'évolution de 1, P, Q et tan a ces valeurs en fonction de U est à peu près linéaire, comme cela apparaît sur la figure 3.
<tb> U <SEP> (Volt) <SEP> | <SEP> I <SEP> (Ampere) <SEP> P <SEP> (Watt) <SEP> Q <SEP> (VAR) <SEP> TAN <SEP> a
<tb><SEP> 190 <SEP> 5.02 <SEP> 916 <SEP> - <SEP> 41 <SEP> -41 <SEP> - <SEP> 0.04 <SEP>
<tb><SEP> 200 <SEP> 5.66 <SEP> 1092 <SEQ> 148 <SEP> 0.13
<tb><SEP> 210 <SEP> 6.36 <SEP> C <SEP><SEP> 1242 <SEP> 315 <SEP> 0.25
<tb><SEP> 220 <SEP> 7.00 <SE> 1392 <SE> 515 <SEP> 0.37
<tb><SEP> 230 <SEP> 7.60 <SEP> 1530 <SEP> 687 <SEP> 0.44
<tb><SEP> 240 <SEP> 8.19 <SEP> 1670 <SEP> 861 <SEP> 0.51
<tb><SEP> 250 <SEP> 8.76 <SEP> 1816 <SEP> 1070 <SEP> 0.58
<Tb>
The evolution of 1, P, Q and tan at these values as a function of U is approximately linear, as shown in Figure 3.

Les mesures de tension U ou d'intensité I doivent en outre n'être effectuées qu'un certain temps après l'allumage des sources de rayonnement car il est nécessaire d'attendre la stabilisation des différentes grandeurs physiques pour éviter de déceler de faux défauts et de transmettre ou d'enregistrer des signaux erronés. In addition, measurements of voltage U or intensity I must be carried out only a certain time after ignition of the radiation sources because it is necessary to wait for the stabilization of the different physical quantities to avoid detecting faults. and transmit or record erroneous signals.

Les tableaux E et F suivants montrent l'évolution de ces grandeurs en fonction du temps s'écoulant à partir du moment où l'allumage est commandé. La figure 4 représente la courbe correspondante. The following tables E and F show the evolution of these quantities as a function of the time flowing from the moment when the ignition is controlled. Figure 4 shows the corresponding curve.

TABLEAU E

Figure img00080001
TABLE E
Figure img00080001

<tb> <SEP> t <SEP> 1,5 <SEP> 2 <SEP> 2,5 <SEP> 3 <SEP> 3,5 <SEP> 4 <SEP> 4,5
<tb> <SEP> (mn)
<tb> <SEP> I <SEP> 9,87 <SEP> 9,00 <SEP> 7,7 <SEP> 7,05 <SEP> 7,03 <SEP> 7,00 <SEP> 7,04
<tb> (Ampere)
<tb> <SEP> P <SEP> 651 <SEP> 905 <SEP> 1260 <SEP> 1365 <SEP> 1379 <SEP> 1380 <SEP> 1391
<tb> <SEP> (Watt)
<tb> <SEP> Q <SEP> 2170 <SEP> 1789 <SEP> 1039 <SEP> 577 <SEP> 531 <SEP> 518 <SEP> 519
<tb> <SEP> (VAR)
<tb> <SEP> Tana <SEP> 333 <SEP> 1,98 <SEP> ~ <SEP> <SEP> 0,82 <SEP> 0,42 <SEP> 0,38 <SEP> 0,37 <SEP> 0,37
<tb>
TABLEAU F

Figure img00080002
<tb><SEP> t <SEP> 1.5 <SEP> 2 <SEP> 2.5 <SEP> 3 <SEP> 3.5 <SEP> 4 <SEP> 4.5
<tb><SEP> (mn)
<tb><SEP> I <SEP> 9.87 <SEP> 9.00 <SEP> 7.7 <SEP> 7.05 <SEP> 7.03 <SEP> 7.00 <SEP> 7.04
<tb> (Ampere)
<tb><SEP> P <SEP> 651 <SEP> 905 <SE> 1260 <SE> 1365 <SE> 1379 <SE> 1380 <SE> 1391
<tb><SEP> (Watt)
<tb><SEP> Q <SEP> 2170 <SEQ> 1789 <SEQ> 1039 <SEQ> 577 <SEQ> 531 <SEQ> 518 <SEP> 519
<tb><SEP> (VAR)
<tb><SEP> Tana <SEP> 333 <SEP> 1.98 <SEP> ~ <SEP><SEP> 0.82 <SEP> 0.42 <SEP> 0.38 <SEP> 0.37 <SEP > 0.37
<Tb>
TABLE F
Figure img00080002

<tb> <SEP> t <SEP> 5 <SEP> 5,5 <SEP> 6 <SEP> 6,5 <SEP> 7 <SEP> 7,5
<tb> <SEP> (mn)
<tb> <SEP> 7,01 <SEP> 7,05 <SEP> 7,05
<tb> <SEP> I <SEP> 7,02 <SEP> 7,07 <SEP> 6,99
<tb> (Ampere)
<tb> <SEP> P <SEP> 1391 <SEP> 1392 <SEP> 1382 <SEP> 1382 <SEP> 1390 <SEP> 1396
<tb> <SEP> (Watt)
<tb> <SEP> Q <SEP> 519 <SEP> 534 <SEP> 534 <SEP> 512 <SEP> 513 <SEP> 528
<tb> <SEP> Tan <SEP> a <SEP> 0,37 <SEP> 0,38 <SEP> 0,38 <SEP> 0,37 <SEP> 0,37 <SEP> 0,37
<tb>
Il apparaît donc qu'au terme d'environ 3 minutes et demie, on peut estimer que la stabilité est atteinte.
<tb><SEP> t <SEP> 5 <SEP> 5.5 <SEP> 6 <SEP> 6.5 <SEP> 7 <SEP> 7.5
<tb><SEP> (mn)
<tb><SEP> 7.01 <SEP> 7.05 <SEP> 7.05
<tb><SEP> I <SEP> 7.02 <SEP> 7.07 <SEP> 6.99
<tb> (Ampere)
<tb><SEP> P <SEP> 1391 <SE> 1392 <SE> 1382 <SE> 1382 <SE> 1390 <SE> 1396
<tb><SEP> (Watt)
<tb><SEP> Q <SEP> 519 <SEQ> 534 <SEQ> 534 <SEQ> 512 <SEQ> 513 <SEQ> 528
<tb><SEP> Tan <SEP> a <SEP> 0.37 <SEP> 0.38 <SEP> 0.38 <SEP> 0.37 <SEP> 0.37 <SEP> 0.37
<Tb>
It appears that after about 3 minutes and a half, we can estimate that the stability is reached.

De même, lors de l'examen d'une section, il se révèle avantageux d'effectuer plusieurs fois de suite les mesures de U et de I jusqu'à ce que les valeurs mesurées soient au moins à peu près constantes, de façon à éviter l'enregistrement et/ou la transmission de messages erronés. Similarly, when examining a section, it is advantageous to repeatedly carry out measurements of U and I until the measured values are at least approximately constant, so as to avoid the recording and / or transmission of erroneous messages.

Les expérimentations effectuées par le demandeur ont montré qu'il était préférable de baser la détection des défauts sur la surveillance de tan a, car c'est ette grandeurs qui présente les fluctuations les moins importantes. The experiments carried out by the applicant have shown that it is preferable to base the detection of defects on the surveillance of tan, because it is the quantities which present the least important fluctuations.

Selon une version avantageuse du procédé selon l'invention, le signal enregistré et/ou envoyé comporte en outre des indications quant à la nature du défaut détecté. Le procédé fait donc une distinction entre les défauts d'ampoule, de condensateur ou de fusible. According to an advantageous version of the method according to the invention, the signal recorded and / or sent further includes indications as to the nature of the detected defect. The process therefore makes a distinction between bulb, capacitor or fuse faults.

Pour cela, le procédé peut se baser
- sur la surveillance de la variation de la puissance réactive Q
- ou sur celle de la variation de la tangente de a complétée par la surveillance soit de la puissance active P, soit de la puissance réactive Q.
For this, the process can be based
- on the monitoring of the variation of the reactive power Q
- or on that of the variation of the tangent of a completed by the monitoring of either the active power P or the reactive power Q.

Si le procédé se base sur la surveillance des variations de la puissance réactive Q dans la section S considérée, il est nécessaire de définir deux écarts inférieurs EINF1 et EINF2 et, respectivement, deux valeurs de référence inférieures
VINF1 et VINF2.
If the process is based on the monitoring of the variations of the reactive power Q in the section S considered, it is necessary to define two lower deviations EINF1 and EINF2 and, respectively, two lower reference values.
VINF1 and VINF2.

En effet, comme cela apparaît au travers des troisième et quatrième lignes du tableau B, la diminution de Q peut être plus ou moins importante selon qu'il s'agit d'un défaut d'ampoule ou de fusible. La diminution la plus importante (environ supérieure à 40%) correspondant à un défaut d'ampoule et la diminution la plus faible (environ inférieure à 20%) à un défaut de fusible. Indeed, as it appears through the third and fourth rows of Table B, the decrease of Q may be more or less important depending on whether it is a defect bulb or fuse. The largest decrease (approximately greater than 40%) corresponding to a bulb defect and the smallest decrease (approximately less than 20%) to a fuse fault.

En définissant: VINF1 = VNORM - EINF1,
VINF2 = VNORM - EINF2,
et VSUP = VNORM + ESUP,
- si dans la section considérée, Q est inférieure à VINFI, mais supérieure à
VINF2, on se trouvera en présence d'un défaut de fusible et
- si Q est inférieure à VINF2, on sera en présence d'un défaut d'ampoule.
By defining: VINF1 = VNORM - EINF1,
VINF2 = VNORM - EINF2,
and VSUP = VNORM + ESUP,
- if in the section under consideration, Q is lower than VINFI, but greater than
VINF2, we will be in the presence of a fuse fault and
- if Q is lower than VINF2, we will be in the presence of a bulb defect.

En revanche, si Q augmente et devient supérieure à VSUP il ne pourra s'agir que d'un défaut de condensateur. On the other hand, if Q increases and becomes greater than VSUP, it can only be a capacitor fault.

Si le procédé se base sur la surveillance des variations de tan a complété par celle soit de P, soit de Q, en définissant
VSUP = VNORM + ESUP
VINF = VNORM - EINF,
- si tan a devient supérieure à VSUP on est en présence d'un défaut de condensateur,
- si tan a devient inférieure à VINF, on est en présence d'un défaut d'ampoule
Par contre, si tan a varie peu et reste à la fois supérieure à VINF et inférieure à VSUP, il convient d'examiner P ou Q pour savoir si on n'est pas en présence d'un défaut de fusible. D'après la quatrième ligne du tableau B, s'il se produit un défaut au niveau du fusible, P chute d'environ 10% et Q d'environ 15%.
If the process is based on the monitoring of tan variations completed by that of either P or Q, defining
VSUP = VNORM + ESUP
VINF = VNORM - EINF,
if tan a becomes greater than VSUP, there is a capacitor fault,
- if tan a becomes lower than VINF, we are in the presence of a bulb defect
On the other hand, if tan a varies little and remains both greater than VINF and lower than VSUP, P or Q should be examined to see if there is not a fuse fault. According to the fourth row of Table B, if there is a fault in the fuse, P drops by about 10% and Q by about 15%.

Ainsi, en cas d'absence de variation ou de variation faible de tan a, un défaut de fusible est détecté si P diminue de plus de 8% environ et Q de plus de 10% environ. En définissant une valeur PINF, on comparera P (ou Q) à PINF pour savoir s'il y a un défaut de fusible. De préférence, on utilise en complément de la surveillance de tan a, la surveillance de la puissance active P. Thus, in the absence of variation or low variation of tan, a fuse fault is detected if P decreases by more than 8% and Q by more than about 10%. By setting a PINF value, compare P (or Q) to PINF to see if there is a fuse fault. Preferably, the monitoring of the active power P. is used in addition to the monitoring of tan a.

DISPOSITIF SELON L'INVENTION
Afin de pouvoir mettre en oeuvre son procédé, le demandeur a également conçu un dispositif qui est destiné à être au moins partiellement disposé dans le coffret d'un réseau d'éclairage public. Ce dispositif comprend au moins:
- des moyens de mesure de la tension U et de l'intensité I dans au moins une
section S,
- des moyens de détermination, pour déterminer, à partir des valeurs de U et de I, la puissance réactive Q et éventuellement la puissance active P et le rapport
Q/P,
- des moyens permettant de comparer ladite puissance Q ou ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP,
- des moyens de traitement aptes au moins à comparer ladite puissance Q ou ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP, et à modifier ces valeurs,
- des moyens formant mémoire contenant au moins un programme régissant le fonctionnement desdits moyens de traitement,
- et des moyens permettant de transmettre un signal.
DEVICE ACCORDING TO THE INVENTION
In order to be able to implement its method, the applicant has also designed a device that is intended to be at least partially disposed in the box of a public lighting network. This device comprises at least:
means for measuring the voltage U and the intensity I in at least one
section S,
determining means for determining, from the values of U and I, the reactive power Q and possibly the active power P and the ratio
Q / P,
means for comparing said Q power or said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP,
processing means able at least to compare said power Q or said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP, and to modify these values,
memory means containing at least one program governing the operation of said processing means,
and means for transmitting a signal.

Bien entendu, par comparaison de Q, Q/P (tan a) P ou Q avec des valeurs de référence, l'homme du métier entendra qu'il s'agit dans la pratique d'une comparaison des tensions images de ces grandeurs aves lesdites valeurs de référence.  Of course, by comparing Q, Q / P (tan a) P or Q with reference values, those skilled in the art will hear that it is in practice a comparison of the image voltages of these magnitudes with said reference values.

Le connexion du dispositif selon l'invention sur le réseau est visible sur la figure 5 qui représente un coffret de réseau d'éclairage public dans lequel a été branché une partie du dispositif selon l'invention. The connection of the device according to the invention to the network is visible in Figure 5 which shows a public lighting network box in which was connected a portion of the device according to the invention.

En parallèle sur le réseau est connecté un bloc 1 de captage des tensions. Ce bloc 1 est composé de trois résistances 2 et d'un capteur de courant de préférence du type à effet Hall. La sortie du bloc 1 fournit donc les courants images des tensions
V1, V2 et V3 des phases L1, L2 et L3 respectivement. Ces courants V1, V2, et V3 sont appliquées au bloc 3 qui contient au moins un adapteur courant/tension.
In parallel on the network is connected a block 1 of sensing voltages. This block 1 is composed of three resistors 2 and a current sensor preferably of the Hall effect type. The output of block 1 thus supplies the voltage currents of the voltages
V1, V2 and V3 phases L1, L2 and L3 respectively. These currents V1, V2, and V3 are applied to block 3 which contains at least one current / voltage adapter.

Le bloc 4 est connecté aux parafoudres 5, au relais du pulsadis KA1, au disjoncteur général QG, et au contacteur général KMG. Son rôle est de fournir une information logique au bloc 6 sur l'état de ces composants. Block 4 is connected to surge arresters 5, pulsadis relay KA1, general circuit breaker QG, and general contactor KMG. Its role is to provide logical information to block 6 on the state of these components.

Le bloc 6 comprend au moins une interface tension/tension. Block 6 comprises at least one voltage / voltage interface.

Le bloc 7 est destiné au captage des courants. Comme cela apparaît sur la figure 5, il comprend des capteurs de courant de préférence du type à effet Hall disposés en série avec chacune des sections des départs D1, D2, D3, ...Dn gérés par le dispositif selon l'invention. Les sorties desdits capteurs de courant sont reliées au bloc 3 afin de lui fournir les valeurs des intensités I11, I12, I13,...Ikl et les résultantes lAi, IA2 et IA3, ... IAn.  Block 7 is intended for capturing currents. As shown in FIG. 5, it comprises Hall effect type current sensors arranged in series with each of the sections of the feeders D1, D2, D3,... Dn managed by the device according to the invention. The outputs of said current sensors are connected to the block 3 in order to supply it with the values of the intensities I11, I12, I13,... Ik1 and the resultants Ia1, IA2 and IA3, ... IAn.

I11 désigne l'intensité du courant parcourant la section 1 du départ 1, I12 celle du courant parcourant la section 2 du départ 1, I13 l'intensité pourcourant la section 3 du départ 1,...Ikl désigne l'image de l'intensité du courant parcourant la section 1 du départ k. I11 denotes the intensity of the current flowing through the section 1 of the start 1, I12 that of the current flowing through the section 2 of the start 1, I13 the intensity for the section 3 of the departure 1, ... Ikl denotes the image of the intensity of current flowing through section 1 of departure k.

sont IA2, 1A3, ... IAn sont les résultantes des courants parcourant respectivement les départs 1 ,2, 3....n. are IA2, 1A3, ... IAn are the resultants of the currents respectively traversing the departures 1, 2, 3 .... n.

Le bloc 3 comprend au moins un adaptateur courant/tension. Block 3 comprises at least one current / voltage adapter.

Les courants en provenance des blocs 1 et 7 sont transformés en tensions images par le bloc 3 puis dirigés vers le bloc 8 qui est un module de calcul comprenant de préférence au moins un multiplexeur. De préférence les tensions images relatives au bloc 1 sont appliquées à un premier multiplexeur et les tensions images relatives au bloc 7 à un second multiplexeur. Ainsi, ledit premier multiplexeur permet la distribution sélective d'une tension image de la tension de l'une ou l'autre des phases du réseau. Ledit second microprocesseur permet la distribution sélective d'une tension image du courant parcourant l'une ou l'autre des sections de l'un ou l'autre des départs gérés par le dispositif selon l'invention. The currents coming from blocks 1 and 7 are transformed into image voltages by block 3 and then directed to block 8 which is a calculation module preferably comprising at least one multiplexer. Preferably, the image voltages relating to the block 1 are applied to a first multiplexer and the image voltages relating to the block 7 to a second multiplexer. Thus, said first multiplexer allows the selective distribution of an image voltage of the voltage of one or other of the phases of the network. Said second microprocessor allows the selective distribution of an image voltage of the current flowing through one or other of the sections of one or other of the feeders managed by the device according to the invention.

Les sorties du bloc 8 sont reliées au bloc 9 qui est un module de traitement microprocessé coordonnant les commandes entre les différents blocs et gérant la circulation des données.  The outputs of block 8 are connected to block 9 which is a microprocessor processing module coordinating the commands between the different blocks and managing the flow of data.

L'ensemble du dispositif selon l'invention est représenté de manière plus détaillée par son schéma synoptique représenté par la figure 6. The entire device according to the invention is represented in more detail by its block diagram represented by FIG.

A l'intérieur du bloc 1, une platine de capture de tensions alimentée en 15 volts fournit les images des tensions V1, V2 et V3 à une entrée 11 du bloc 3, lequel comprend une carte de conversions courants-tensions également alimentée en 15 volts. Inside the block 1, a voltage capture circuit board powered by 15 volts supplies the images of the voltages V1, V2 and V3 to an input 11 of the block 3, which includes a current-voltage conversion card also supplied with 15 volts. .

Dans le bloc 7, les courants Ikl des sections 1 des départs k sont captées par une platine de capture des courants munie, comme déjà indiqué, de capteurs de courant du type à effet Hall et alimentée en 15 volts. La sortie "courants en ligne" 14 de cette platine est reliée à l'entrée 15 de ladite carte des conversions courantstensions du bloc 3. Les deux sorties 16 et 17 de ce bloc 3 sont connectées au bloc 8 alimenté à la fois en 15 volts et en 5 volts. In block 7, currents Ik1 of sections 1 of the feeders k are picked up by a current capture board equipped, as already indicated, with current sensors of the Hall effect type and supplied with 15 volts. The output "line currents" 14 of this plate is connected to the input 15 of said current conversion card voltages of the block 3. The two outputs 16 and 17 of this block 3 are connected to the block 8 powered at a time in 15 volts and in 5 volts.

La sortie "courants différentiels" 19 de la platine de capture des courants du bloc 7 est reliée à une entrée 20 du bloc 8. The output "differential currents" 19 of the current capture board of the block 7 is connected to an input 20 of the block 8.

Le bloc 8 a pour fonction de déterminer ou calculer la valeur des puissances active P et réactive Q et le rapport Q/P, c'est-à-dire la tangente a du déphasage entre la tension et le courant dans la section en cours d'examen. Les valeurs analogiques déterminées sont appliquées via la sortie 21 du bloc 8, au bloc 9 qui comprend une carte de conversion analogique/numérique 22 alimentée à la fois en 5 volts et en 15 volts, et une carte microprocesseur 23 alimentée en 12 volts et en 5 volts. The function of block 8 is to determine or calculate the value of the active P and reactive powers Q and the Q / P ratio, that is to say the tangent a of the phase shift between the voltage and the current in the current section. 'examination. The determined analog values are applied via the output 21 of the block 8, to the block 9 which comprises an analog / digital conversion card 22 powered at both 5 volts and 15 volts, and a microprocessor card 23 supplied with 12 volts 5 volts.

Les valeurs numériques fournies par la carte 22 sont transmises à la carte microprocesseur 23 par le biais de l'entrée 24. Ladite carte microprocesseur 23 comprend des moyens de traitement tels qu'au moins un microprocesseur et des moyens formant mémoire tels qu'une mémoire effaçable (par exemple une RAM,
EPROM ou EEPROM) contenant au moins un logiciel gérant le fonctionnement du microprocesseur.
The digital values provided by the card 22 are transmitted to the microprocessor card 23 via the input 24. Said microprocessor card 23 comprises processing means such as at least one microprocessor and memory means such as a memory erasable (for example a RAM,
EPROM or EEPROM) containing at least one software managing the operation of the microprocessor.

De préférence, les tensions provenant de la sortie desdits premiers et deuxième multiplexeurs du bloc 8 sont traitées, adaptées de façon connue de l'homme du métier, puis appliquées à un troisième multiplexeur situé avantageusement également dans le bloc 8 et relié à la carte 22, et destiné à lui fournir, alternativement, les grandeurs U, P, Q et Q/P. Preferably, the voltages coming from the output of said first and second multiplexers of the block 8 are processed, adapted in a manner known to those skilled in the art, then applied to a third multiplexer advantageously also located in the block 8 and connected to the card 22 , and intended to provide, alternatively, the quantities U, P, Q and Q / P.

Lesdits multiplexeurs sont de préférence commandés par adressage par le microprocesseur de la carte 23. Said multiplexers are preferably controlled by addressing by the microprocessor of the card 23.

Ainsi, pour chaque section examinée, le multiplexeur relatif au bloc 1 fournit une tension image de la tension du réseau, pendant que le multiplexeur relatif au bloc 7 fournit une tension image de l'intensité parcourant la section. Ces tensions images sont traitées, adaptées, transformées de façon connue, de manière à fournir à l'entrée du troisième multiplexeur du bloc 8 les grandeurs U, P, Q et Q/P. Les multiplexeurs relatifs aux blocs 1 et 7 restent donc fixés sur la même section pendant un temps suffisamment long pour que le troisième multiplexeur du bloc 8 puisse fournir au microprocesseur de la carte 23, alternativement les valeurs de U,P,Q et Q/P.  Thus, for each section examined, the multiplexer relating to block 1 provides an image voltage of the network voltage, while the multiplexer relating to block 7 provides an image voltage of the intensity traversing the section. These image voltages are processed, adapted, transformed in known manner, so as to provide the input of the third multiplexer of the block 8 the quantities U, P, Q and Q / P. The multiplexers relating to the blocks 1 and 7 therefore remain fixed on the same section for a time long enough for the third multiplexer of the block 8 to supply the microprocessor of the card 23, alternatively the values of U, P, Q and Q / P .

Une seconde entrée 25 de ladite carte microprocesseur 23 est connectée à la sortie de l'interface tension/tension du bloc 6 de façon à permettre l'introduction d'informations logiques relatives à l'état du pulsadis KA1, du disjoncteur général
QG, du contacteur général KMG dans la carte microprocesseur 23.
A second input 25 of said microprocessor card 23 is connected to the output of the voltage / voltage interface of the block 6 so as to allow the introduction of logic information relating to the state of the pulsadis KA1, the general circuit breaker
HQ, of the KMG main contactor in the microprocessor board 23.

Une carte d'alimentation en tension alternative 26 reliée à l'une des phases du réseau de distribution électrique transforme et redresse les 240 volts alternatifs en 18 volts continus pour alimenter les trois entrées 27, 28 et 29 d'une carte d'alimentation en tension continue 30. En alternative, lesdites entrées 28 et 29 peuvent également être alimentées en 12 volts à partir d'une carte batteries 31. Les sorties 5 volts, 12 volts et 15 volts de la carte d'alimentation en tension continue 30 alimentent les composants du dispositif et sont connectées aux entrées 32, 33 et 34 d'une carte de détection des seuils d'alimentation en tension continue 35 dont le rôle est de fournir, à la carte microprocesseur 23 par le biais de l'entrée 36, une information logique relative aux dépassement de seuils des différentes tensions. An AC voltage supply card 26 connected to one of the phases of the electrical distribution network transforms and rectifies the 240 volts AC into 18 DC volts to supply the three inputs 27, 28 and 29 of a power supply card. As an alternative, said inputs 28 and 29 can also be supplied with 12 volts from a battery card 31. The 5 volts, 12 volts and 15 volts outputs of the DC voltage supply board 30 supply the power supplies. components of the device and are connected to the inputs 32, 33 and 34 of a DC voltage threshold detection card 35 whose role is to provide the microprocessor card 23 through the input 36, a logical information relating to the exceeding of the thresholds of the different voltages.

La carte microprocesseur présente de préférence un port d'entrées/sorties série 37 destiné à une éventuelle communication avec un ordinateur externe 38 en vue d'une modification du logiciel et/ou des données contenues dans la ou les mémoires. The microprocessor card preferably has a serial input / output port 37 for possible communication with an external computer 38 for a modification of the software and / or data contained in the memory or memories.

Une sortie 39 de la carte microprocesseur 23 est connectée à des moyens permettant de transmettre un signal tel qu'un modem 40 alimenté en 12 volts en vue d'une transmission d'informations diverses telles qu'un signal en cas de défaut, des valeurs des tensions ou intensités, etc..., à un poste de contrôle 41 par le biais d'un modem 42. Le poste de contrôle 41 comprend au moins un ordinateur 43. An output 39 of the microprocessor card 23 is connected to means for transmitting a signal such as a modem 40 powered by 12 volts for transmission of various information such as a signal in the event of a fault, values voltages or currents, etc., at a control station 41 via a modem 42. The control station 41 comprises at least one computer 43.

Une sortie 44 de la carte microprocesseur 23 est connectée à une carte de sorties 45 alimentée en 12 volts et comprenant des interfaces en vue d'une commande du contacteur général ou des disjoncteurs.  An output 44 of the microprocessor board 23 is connected to an output board 45 powered by 12 volts and including interfaces for control of the main contactor or circuit breakers.

ORGANIGRAMMES
La figure 7 est un exemple d'organigramme d'un logiciel pouvant correspondre à un logiciel se trouvant dans une mémoire de la carte microprocesseur 23 et gérant le fonctionnement du microprocesseur.
ORGANIZATIONAL
FIG. 7 is an example of a flowchart of software that can correspond to software stored in a memory of the microprocessor card 23 and manages the operation of the microprocessor.

La détection d'un défaut peut se faire en examinant Q ou tan a. Bien entendu, le choix de l'une ou l'autre de ces grandeurs se fait pour l'ensemble de l'organigramme (et concerne toutes ses étapes). The detection of a defect can be done by examining Q or tan a. Of course, the choice of one or the other of these magnitudes is done for the whole of the organization chart (and concerns all its stages).

Le début 1 peut être déterminé par une heure prédéfinie, par le signal du pulsadis, c'est-à-dire du signal envoyé par EDF, par une capteur de luminosité extérieure, etc... The beginning 1 can be determined by a predefined time, by the pulsadis signal, that is to say the signal sent by EDF, by an external brightness sensor, etc ...

A l'étape 2, le microprocesseur ordonne la mesure de la tension du réseau et de l'intensité parcourant la section examinée. A l'étape 3, il détermine la puissance réactive, et éventuellement P et Q/P (tan a), si la détection des défauts est basée sur la surveillance de Q/P. Ensuite à l'étape 4, il compare Q ou tan a à VSUP. Si Q ou tan a est inférieur ou égal à VSUP, il se rend à l'étape 5 et compare Q ou a à
VINF. Si Q ou tan a est supérieure ou égale à VINF, cela veut dire qu'aucun défaut n'a été décelé. Le microprocesseur retourne alors à l'étape 2 et recommence son examen.
In step 2, the microprocessor orders the measurement of the network voltage and the intensity traversing the examined section. In step 3, it determines the reactive power, and possibly P and Q / P (tan a), if the fault detection is based on Q / P monitoring. Then in step 4, he compares Q or tan a to VSUP. If Q or tan a is less than or equal to VSUP, he goes to step 5 and compares Q or a to
VINF. If Q or tan a is greater than or equal to VINF, this means that no defect has been detected. The microprocessor then returns to step 2 and resumes its examination.

Si la comparaison de l'étape 4 montre que Q ou tan a est supérieure à VSUP, cela signifie que la section en cours d'examen présente un défaut. Alors le microprocesseur se dirige vers l'étape 6 où il ordonne l'envoi et/ou l'enregistrement d'un signal, puis il modifie VSUP et VINF afin de tenir compte de l'existence d'un défaut dans la section. Cette modification peut se faire en recalculant de nouvelles valeurs pour VSUP et VINF suivant les équations déjà évoquées, et en prenant pour
VNORM la valeur de Q ou tan a déterminée à l'étape 3
- VNORM = Q ou tan a
- VSUP = VNORM + ESUP
- et VINF = VNORM - EINF.
If the comparison of step 4 shows that Q or tan a is greater than VSUP, this means that the section under examination has a defect. Then the microprocessor goes to step 6 where it orders the sending and / or recording of a signal, then it modifies VSUP and VINF to take into account the existence of a defect in the section. This modification can be done by recalculating new values for VSUP and VINF according to the equations already mentioned, and taking for
VNORM the value of Q or tan determined in step 3
- VNORM = Q or tan a
- VSUP = VNORM + ESUP
- and VINF = VNORM - EINF.

Ensuite, le microprocesseur retourne à l'étape 2. Then, the microprocessor returns to step 2.

Si la comparaison de l'étape 4 a montré que Q ou tan a est inférieur ou égal à VSUP et si l'étape 5 révèle que Q ou tan a est aussi inférieure à VINF, cela signifie également que la section en cours d'examen présente un défaut. Le microprocesseur se dirige alors, comme précédemment vers les étapes 6 et 7, puis vers l'étape 2, c'est-à-dire en début de cycle. Le microprocesseur effectue continuellement ces cycles, jusqu'à la mise hors tension du réseau, jusqu'à une heure prédéfinie, ou jusqu'à réception d'un ordre ou signal d'arrêt envoyé, par exemple, par un capteur de luminosité..  If the comparison of step 4 showed that Q or tan a is less than or equal to VSUP and if step 5 reveals that Q or tan a is also lower than VINF, it also means that the section being examined has a defect. The microprocessor then moves, as previously to steps 6 and 7, then to step 2, that is to say at the beginning of the cycle. The microprocessor continuously carries out these cycles, until the power off of the network, to a predefined time, or until receipt of an order or stop signal sent, for example, by a brightness sensor.

La figure 8 représente un exemple d'organigramme d'un logiciel pouvant régir le fonctionnement du microprocesseur selon une version améliorée du dispositif. Le microprocesseur est, selon cette version, apte à déterminer la nature du défaut détecté et à envoyer un message particulier pour chaque type de défaut. La détermination de la nature du défaut est basée selon cet organigramme sur la surveillance des variations de la puissance réactive Q. n n'est donc pas nécessaire de déterminer la puissance active P, ni le déphasage (ni tan a). FIG. 8 represents an exemplary flowchart of software that can govern the operation of the microprocessor according to an improved version of the device. The microprocessor is, according to this version, able to determine the nature of the detected fault and to send a particular message for each type of fault. The determination of the nature of the fault is based on this flowchart on the monitoring of the variations of the reactive power Q. It is therefore not necessary to determine the active power P or the phase shift (or tan a).

Le début 1 correspond par exemple à la mise sous tension du réseau (donc des départs, donc des sections et des sources de rayonnement). Le microprocesseur attend alors, à l'étape 2, par exemple en effectuant de façon connue un certain nombre de fois une boucle, que l'une au moins des valeurs P, I, Q ou tan a se soit stabilisée, puis passe à l'étape 3. Cette étape 3 marque le début de boucles du type appelé boucle FOR/NEXT en langage de programmation FORTRAN. Ceci signifie que les étapes suivantes vont être répétées pour chacun des départs D sur lesquels le dispositif selon l'invention est branché, à l'intérieur du coffret, et qu'il gère. The beginning 1 corresponds for example to the powering up of the network (therefore departures, therefore sections and sources of radiation). The microprocessor then waits, in step 2, for example by making known a number of times a loop, that at least one of the values P, I, Q or tan has stabilized, then passes to the Step 3. This step 3 marks the beginning of loops of the type called FOR / NEXT loop in the FORTRAN programming language. This means that the following steps will be repeated for each of the departures D on which the device according to the invention is connected, inside the box, and that it manages.

L'étape 4 est analogue à l'étape 3, mais cette fois, les boucles sont au nombre de 3, ou au nombre de sections S appartenant au départ D examiné. Les étapes suivantes sont donc effectuées en général pour chaque section S de chaque départ D (à moins que l'on ne prévoie que certaines section ou départs ne soient pas examinés). Step 4 is similar to step 3, but this time the loops are 3 in number or the number of S sections belonging to the departure D examined. The following steps are therefore generally performed for each section S of each departure D (unless it is expected that certain sections or departures are not examined).

A l'étape 5, le microprocesseur examine les valeurs de U et de I dans la section considérée, puis à l'étape 6, il lit dans une mémoire la valeur de référence
VNORM(S) de la section S. Cette valeur VNORM(S) est la valeur de la puissance réactive Q correspondant au fonctionnement précédent. Le microprocesseur lit de préférence également le nombre N(S) de sources de rayonnement présentes dans la section S considérée et une ou plusieurs caractéristiques nominales, telles que leur puissance nominale PNOM(S).
In step 5, the microprocessor examines the values of U and I in the considered section, then in step 6, it reads in a memory the reference value
VNORM (S) of section S. This value VNORM (S) is the value of the reactive power Q corresponding to the previous operation. The microprocessor also preferably reads the number N (S) of radiation sources present in the section S considered and one or more nominal characteristics, such as their nominal power PNOM (S).

Au lieu de lire dans une mémoire le nombre N(S), il est possible d'envisager que le microprocesseur calcule N(S) à partir d'une mesure de la puissance active P, par division par la puissance nominale PNOM(S) des sources de rayonnement. Instead of reading in a memory the number N (S), it is possible to envisage that the microprocessor calculates N (S) from a measurement of the active power P, by division by the nominal power PNOM (S) radiation sources.

Puis le microprocesseur calcule l'écart supérieur ESUP(S) de la section S. De préférence, ESUP(S) est fonction de N(S), de U et de PNOM(S). n calcule également les écarts inférieurs EINF1(S) et EINF2(S) qui sont également de préférence fonction de N(S), de U et de PNOM(S). Then the microprocessor calculates the upper deviation ESUP (S) of the section S. Preferably, ESUP (S) is a function of N (S), U and PNOM (S). n also calculates the lower deviations EINF1 (S) and EINF2 (S) which are also preferably a function of N (S), U and PNOM (S).

Ensuite, il calcule la valeur de référence supérieure VSUP(S) et les valeurs de référence inférieures VINF1(S) et VINF2(S) de la section S. Then, it calculates the upper reference value VSUP (S) and the lower reference values VINF1 (S) and VINF2 (S) of section S.

A l'étape 7, le microprocesseur détermine Q.  In step 7, the microprocessor determines Q.

A l'étape 8, il compare Q à VSUP(S). Si Q est supérieure à VSUP(S) cela signifie que depuis l'examen précédent de la section S, un condensateur est devenu défectueux. Le microprocesseur ordonne alors, selon l'étape 9, l'enregistrement dans une mémoire d'un message et/ou la transmission de ce message à un poste central (PC) par l'intermédiaire, soit d'un modem connecté sur une ligne téléphonique ou une ligne spéciale, soit d'un émetteur/récepteur par exemple de type radio. In step 8, he compares Q to VSUP (S). If Q is greater than VSUP (S) it means that since the previous examination of section S, a capacitor has become defective. The microprocessor then orders, according to step 9, the recording in a memory of a message and / or the transmission of this message to a central station (PC) via, or a modem connected to a line telephone or a special line, either of a transmitter / receiver for example of the radio type.

De préférence le message comporte, outre le type de défaut, les numéros du départ D et de la section S concernés et/ou des informations permettant de localiser la section S. Preferably the message comprises, in addition to the type of defect, the numbers of the departure D and of the section S concerned and / or information making it possible to locate the section S.

Puis à l'étape 10 le microprocesseur modifie la valeur VNORM(S) de référence de la section S, et enregistre sa nouvelle valeur, afin que le défaut du condensateur ne soit pas à nouveau détecté lors du prochain examen. Ensuite, il retourne à l'étape 4 pour procéder à l'examen de la section S suivante du même départ D ou passer à l'examen des sections S du départ suivant s'il a terminé l'examen de toutes les sections du départ D. Une fois toutes les sections de tous les départs examinées, le microprocesseur refait ses examens et ainsi de suite, jusqu'à l'envoi d'un signal pulsadis coupant l'alimentation du réseau ou la réception d'un ordre ou signal d'arrêt. Then in step 10 the microprocessor modifies the reference value VNORM (S) of the section S, and records its new value, so that the capacitor fault is not detected again at the next examination. Then he returns to Step 4 to proceed to the next S section of the same D start or to proceed to the S sections of the following start if he has completed the examination of all sections of the start. D. Once all sections of all departures are examined, the microprocessor resumes its exams and so on, until a pulsadis signal is sent, cutting off the power supply to the network or receiving an order or signal. 'stop.

Si la comparaison de l'étape 8 a montré que Q est inférieure ou égale à
VSUP(S), le microprocesseur compare, suivant l'étape 11, Q à VINF1(S). Si Q n'est pas inférieure à VINF1(S), cela veut dire qu'aucun nouveau défaut n'est apparu dans la section S depuis l'examen précédent. Le microprocesseur retourne alors à l'étape 4 afin d'examiner la section suivante.
If the comparison of step 8 showed that Q is less than or equal to
VSUP (S), the microprocessor compares, according to step 11, Q to VINF1 (S). If Q is not less than VINF1 (S), it means that no new defects have appeared in section S since the previous examination. The microprocessor then returns to step 4 to examine the next section.

Si la comparaison de l'étape 11 révèle que Q est supérieure ou égale à
VINF1(S), le microprocesseur passe à l'étape 12 ou il compare Q à VINF2(S). Si Q est inférieur à VINF2(S), cela signifie depuis l'examen précédent de la section S, une ampoule s'est éteinte. Le microprocesseur ordonne alors, selon l'étape 13, l'envoi et/ou l'enregistrement du message correspondant, puis à l'étape 14 modifie la valeur VNORM(S) de référence de la section S, et enregistre sa nouvelle valeur, afin que le défaut de l'ampoule ne soit pas à nouveau détecté lors du prochain examen. I1 peut également décrémenter le nombre N(S) de sources de rayonnement en état de mache dans la section S et enregistrer la nouvelle valeur de N(S). Ensuite, il retourne à l'étape 4.
If the comparison of step 11 reveals that Q is greater than or equal to
VINF1 (S), the microprocessor proceeds to step 12 where it compares Q to VINF2 (S). If Q is less than VINF2 (S), this means since the previous examination of section S, a bulb has gone out. The microprocessor then orders, according to step 13, the sending and / or recording of the corresponding message, then in step 14 modifies the reference value VNORM (S) of section S, and records its new value, so that the defect of the bulb is not detected again at the next examination. It can also decrement the number N (S) of radiation sources in the state of Mache in section S and record the new value of N (S). Then he goes back to step 4.

Si la comparaison de l'étape 12 montre que Q est supérieure ou égale à
VINF2(S), cela veut dire qu'un fusible a grillé. Le microprocesseur ordonne alors, selon l'étape 15, l'envoi et/ou l'enregistrement du message correspondant, puis passe par l'étape 14 et retourne à l'étape 4.
If the comparison of step 12 shows that Q is greater than or equal to
VINF2 (S), this means that a fuse has blown. The microprocessor then orders, according to step 15, the sending and / or recording of the corresponding message, then goes through step 14 and returns to step 4.

La figure 9 représente un exemple d'organigramme d'un logiciel pouvant régir le fonctionnement du microprocesseur selon une autre version améliorée du dispositif. Le microprocesseur est, selon cette version, également apte à déterminer la nature du défaut détecté et à envoyer et/ou enregistrer un message particulier pour chaque type de défaut mais dans ce cas, la détermination de la nature du défaut est basée sur la surveillance des variations de tan a complétée par celle de P. Fig. 9 shows an exemplary flow chart of software that can govern the operation of the microprocessor according to another improved version of the device. According to this version, the microprocessor is also able to determine the nature of the detected fault and to send and / or record a particular message for each type of defect, but in this case, the determination of the nature of the defect is based on the monitoring of the defects. variations of tan completed by that of P.

Les étapes 1 à 5 sont analogues à celles de l'organigramme représenté sur la figure 8. Steps 1 to 5 are similar to those of the flowchart shown in Figure 8.

A l'étape 6, le microprocesseur lit dans une mémoire la valeur de référence
VNORM(S) de la section S et la valeur de référence P(S) de la puissance active dans la section S. VNORM(S) et P(S) sont les valeurs de référence, respectivement, de tan a et de la puissance active P correspondant au fonctionnement précédent.
In step 6, the microprocessor reads from a memory the reference value
VNORM (S) of section S and the reference value P (S) of the active power in section S. VNORM (S) and P (S) are the reference values, respectively, of tan a and the power active P corresponding to the previous operation.

Le microprocesseur lit de préférence également le nombre N(S) de sources de rayonnement présentes dans la section S considérée et une ou plusieurs caractéristiques nominales, telles que leur puissance nominale PNOM(S). The microprocessor also preferably reads the number N (S) of radiation sources present in the section S considered and one or more nominal characteristics, such as their nominal power PNOM (S).

Puis le microprocesseur calcule l'écart supérieur ESUP(S) de la section S. De préférence, ESUP(S) est fonction de N(S), de U et de PNOM(S). ll calcule également l'écart inférieur EINF(S) et l'écart de puissance EP(S) qui sont également de préférence fonction de N(S), de U et de PNOM(S). Then the microprocessor calculates the upper deviation ESUP (S) of the section S. Preferably, ESUP (S) is a function of N (S), U and PNOM (S). It also calculates the lower deviation EINF (S) and the power deviation EP (S) which are also preferably a function of N (S), U and PNOM (S).

Ensuite, il calcule la valeur de référence supérieure VSUP(S), la valeur de référence inférieure VINF(S) de la section S, et la valeur inférieure de la puissance
PINF(S).
Then, it calculates the upper reference value VSUP (S), the lower reference value VINF (S) of the section S, and the lower value of the power
PINF (S).

A l'étape 7, le microprocesseur détermine tan a et P. In step 7, the microprocessor determines tan a and P.

A l'étape 8, il compare tan a à VSUP(S). Si tan a est supérieure à VSUP(S) cela signifie que depuis l'examen précédent de la section S, un condensateur est devenu défectueux. 11 ordonne alors, selon l'étape 9, l'enregistrement dans une mémoire d'un message et/ou la transmission de ce message. In step 8, he compares tan a to VSUP (S). If tan a is greater than VSUP (S) it means that since the previous examination of section S, a capacitor has become defective. 11 then orders, according to step 9, the recording in a memory of a message and / or the transmission of this message.

Puis à l'étape 10 le microprocesseur modifie la valeur VNORM(S) de référence de la section S, et enregistre sa nouvelle valeur, afin que le défaut du condensateur ne soit pas à nouveau détecté lors du prochain examen. Ensuite, il retourne à l'étape 4 pour procéder à l'examen de la section S suivante. Then in step 10 the microprocessor modifies the reference value VNORM (S) of the section S, and records its new value, so that the capacitor fault is not detected again at the next examination. Then he returns to Step 4 to proceed to the next section S review.

Si la comparaison de l'étape 8 a montré que tan a est inférieur ou égal à
VSUP(S), le microprocesseur compare, suivant l'étape 11, tan a à VINF(S). Si tan a n'est pas inférieur à VINF(S), le microprocesseur passe à l'étape 14 où il compare
P à PINF(S). Si P n'est pas inférieur à PINF(S) cela veut dire qu'aucun nouveau défaut n'est apparu dans la section S depuis l'examen précédent. Le microprocesseur retoutne alors à l'étape 4 afin d'examiner la section suivante.
If the comparison of step 8 showed that tan a is less than or equal to
VSUP (S), the microprocessor compares, according to step 11, tan a to VINF (S). If tan a is not less than VINF (S), the microprocessor proceeds to step 14 where it compares
P to PINF (S). If P is not less than PINF (S) this means that no new defects have appeared in section S since the previous examination. The microprocessor then retires at step 4 to examine the next section.

Si la comparaison de l'étape 11 révèle que tan a est supérieure ou égale à
VINF(S), cela signifie depuis l'examen précédent de la section S, une ampoule s'est éteinte. Le microprocesseur ordonne alors, selon l'étape 12, l'envoi et/ou l'enregistrement du message correspondant, puis à l'étape 13 modifie les valeurs de référence VNORM(S) et P(S) de la section S, et enregistre leurs nouvelles valeurs, afin que le défaut de l'ampoule ne soit pas à nouveau détecté lors du prochain examen. ll peut également décrémenter le nombre N(S) de sources de rayonnement en état de mache dans la section S et enregistrer la nouvelle valeur de N(S). Ensuite, il retourne à l'étape 4.
If the comparison of step 11 reveals that tan a is greater than or equal to
VINF (S), this means since the previous examination of section S, a bulb has gone out. The microprocessor then orders, according to step 12, the sending and / or recording of the corresponding message, then in step 13 modifies the reference values VNORM (S) and P (S) of section S, and saves their new values so that the bulb's defect is not detected again at the next test. It can also decrement the number N (S) of radiation sources in the state of Mache in section S and record the new value of N (S). Then he goes back to step 4.

Si la comparaison de l'étape 14 a montré que tan a est supérieure ou égale à
PINF(S), cela veut dire qu'un fusible a grillé. Le microprocesseur ordonne alors, selon l'étape 15, l'envoi et/ou l'enregistrement du message correspondant, puis passe par l'étape 13 et retourne à l'étape 4.
If the comparison of step 14 showed that tan a is greater than or equal to
PINF (S), this means that a fuse has blown. The microprocessor then orders, according to step 15, the sending and / or recording of the corresponding message, then goes through step 13 and returns to step 4.

n importe de noter que la probabilité que deux défauts se manifestent simultanément dans la même section est négligeable et n'est donc pas prise en compte dans les organigrammes des figures 7,8 et 9. It should be noted that the probability of two defects occurring simultaneously in the same section is negligible and is therefore not taken into account in the flowcharts of Figures 7, 8 and 9.

Les mesures d'intensité I et de tension U sont de préférence réalisées plusieurs fois de suite, par exemple trois fois de suite, de façon à éviter l'envoi et/ou l'enregistrement de messages erronés. The intensity I and voltage U measurements are preferably performed several times in succession, for example three times in succession, so as to avoid the sending and / or recording of erroneous messages.

L'ensemble du dispositif selon l'invention peut avantageusement être regroupé dans une enceinte formée ou un boîtier, de préférence portable, et d'où sortent préférentiellement uniquement les éléments (fils ...) nécessaires à son branchement et, le cas échéant, à son alimentation électrique. The entire device according to the invention may advantageously be grouped together in a shaped enclosure or a housing, preferably portable, and from which preferentially only the elements (wires ...) necessary for its connection and, where appropriate, to his power supply.

Lors de la mise en oeuvre du dispositif selon l'invention pour la première fois, les valeurs de référence peuvent être déterminées expérimentalement, ou à partir des tableaux B et C précédents. When implementing the device according to the invention for the first time, the reference values can be determined experimentally, or from tables B and C above.

Lorsque les sources de rayonnement n'ont pas toutes les mêmes caractéristiques nominales, il est préférable de prévoir que les écarts EINF et/ou et/ou ESUP et/ou EINF1 et/ou EINF2 en tiennent compte. Where the radiation sources do not all have the same nominal characteristics, it is preferable to provide for the differences between EINF and / or and / or ESUP and / or EINF1 and / or EINF2 to take this into account.

n est possible de prévoir que le microprocesseur effectue l'enregistrement provisoire des messages et envoie périodiquement, par exemple toutes les deux heures, de manière groupée, les résultats des examens qu'il a pratiqués sur toutes les sections de tous les départs qu'il gère.  It is possible to provide that the microprocessor performs the provisional recording of the messages and periodically sends, for example every two hours, in a grouped manner, the results of the examinations it has carried out on all the sections of all the departures it manages.

Selon une autre version avantageuse du dispositif selon l'invention, le logiciel est conçu pour détecter et signaler également l'existence dans la section considérée de défauts de type logique, c'est-à-dire de défauts non quantifiés mais dont seule l'absence ou l'existence est déterminante. L'existence d'un défaut logique se traduit alors, par exemple, par la valeur 1 et son absence par la valeur 0. Ces défauts de type logique peuvent être par exemple la fermeture (0) ou l'ouverture (1) de la porte du coffret, le fonctionnement (0) ou le non-fonctionnement (1) du disjoncteur, etc... According to another advantageous version of the device according to the invention, the software is designed to detect and also signal the existence in the section considered of defects of logic type, that is to say of unquantified defects but of which only the absence or existence is decisive. The existence of a logical defect then results, for example, in the value 1 and its absence by the value 0. These logical type defects can be for example the closure (0) or the opening (1) of the door of the cabinet, operation (0) or non-operation (1) of the circuit breaker, etc ...

On peut également envisager l'attribution à chaque défaut d'un degré de priorité et de prévoir que le microprocesseur n'enregistre que les défauts de faible priorité et n'envoye de signal qu'en cas de défaut de haute priorité. It is also possible to consider assigning a priority degree to each defect and to provide that the microprocessor records only the low priority faults and sends a signal only in the event of a high priority fault.

Le dispositif selon l'invention peut prévoir que des informations telles que la tension du réseau, les courants parcourant les sections, les puissances relatives à chacune des sections, etc... soient périodiquement ou constamment transmises au poste central ou enregistrées dans une mémoire en vue de l'établissement de statistiques. The device according to the invention can provide that information such as the voltage of the network, the currents flowing through the sections, the powers relating to each of the sections, etc. are periodically or constantly transmitted to the central station or stored in a memory. view of the compilation of statistics.

Le dispositif selon l'invention peut comprendre des moyens de visualisation tels qu'un écran ou afficheur, un clavier tel qu'un clavier alpha-numérique, des mémoires supplémentaires, des logiciels supplémentaires permettant à un agent de rechercher et de visualiser les informations relatives à tout ou partie des départs et sections gérés par le dispositif selon l'invention. The device according to the invention may comprise display means such as a screen or display, a keyboard such as an alpha-numeric keypad, additional memories, additional software enabling an agent to search and display information relating to all or part of the departures and sections managed by the device according to the invention.

Le dispositif selon l'invention peut également être pourvu de moyens permettant la connexion d'un ordinateur externe pour la recherche et la visualisation des informations contenues dans la mémoire. The device according to the invention can also be provided with means enabling the connection of an external computer for searching and displaying the information contained in the memory.

Le procédé et le dispositif selon l'invention peuvent aussi être mis en oeuvre pour gérer individuellement les défauts d'une seule source de rayonnement. Le dispositif est alors préférentiellement installé dans le coffret de la source de rayonnement concernée, les paramètres sont modifiés en conséquence (nombre de départs = 1, nombre de sections dans le départ = 1, nombre de sources de rayonnement dans la section N(S) = 1, etc...). The method and the device according to the invention can also be used to individually manage the defects of a single radiation source. The device is then preferably installed in the cabinet of the radiation source concerned, the parameters are modified accordingly (number of starts = 1, number of sections in the start = 1, number of radiation sources in section N (S) = 1, etc ...).

Les logiciels dont les organigrammes sont représentés par les figure 7, 8 ou 9 peuvent ensuite être adaptés, par exemple, pour que l'envoi d'un signal se fasse par superposition (comme décrit notamment dans le brevet français n" 2 695 286) sur la porteuse que constitue la phase de la section examinée, avec en outre, des informations ou un code correspondant au numéro et/ou à la localisation de la source de rayonnement concernée. The software whose flow charts are represented by FIGS. 7, 8 or 9 can then be adapted, for example, so that the sending of a signal is done by superimposition (as described in particular in French Patent No. 2,695,286). on the carrier that constitutes the phase of the examined section, with, in addition, information or a code corresponding to the number and / or location of the radiation source concerned.

Bien évidemment, l'invention n'est en aucune façon limitée par les particularités qui ont été précisées dans ce qui précède ou par les détails des modes de réalisation ou des exemples choisis pour l'illustrer. Nombre de modifications peuvent être apportées à ce qui vient d'être décrit à titre d'illustration sans sortir pour autant du cadre de l'invention. Cette dernière englobe par conséquent tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leur combinaison.  Obviously, the invention is in no way limited by the features that have been specified in the foregoing or by the details of the embodiments or examples chosen to illustrate it. Many modifications can be made to what has just been described by way of illustration without departing from the scope of the invention. The latter therefore encompasses all the means constituting technical equivalents of the means described as well as their combination.

Claims (14)

REVENDICATIONS 1. Procédé de détection de défauts dans un réseau d'éclairage public constitué d'un1. Method for detecting faults in a public lighting network consisting of a réseau de distribution électrique, sur lequel est relié au moins un départ D electrical distribution network, on which is connected at least one departure D comprenant au moins une section S alimentant au moins une source de comprising at least one section S feeding at least one source of rayonnement N, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes: N radiation, characterized in that it comprises at least the following steps: a) on mesure les valeurs de la tension U et de l'intensité I dans la section S, a) the values of the voltage U and the intensity I are measured in the section S, b) on détermine à partir des valeurs de la tension U et de l'intensité I:: b) we determine from the values of the voltage U and the intensity I :: - la puissance réactive Q, the reactive power Q, - et éventuellement la puissance active P et le rapport Q/P, - and possibly the active power P and the ratio Q / P, c) on compare ladite puissance réactive Q ou ledit rapport Q/P avec des valeurs c) comparing said reactive power Q or said Q / P ratio with values de référence VINF et VSUP, VINF and VSUP, d) si ladite puissance réactive Q ou ledit rapport Q/P est, à la fois, inférieur(e)  d) if said reactive power Q or said Q / P ratio is, at the same time, lower than ou égal(e) à VSUP et supérieur(e) ou égal(e) à VINF, on retourne à l'étape a) or equal to VSUP and greater than or equal to VINF, we return to step a) e) dans le cas contraire, on envoye et/ou on enregistre un signal indiquant e) if not, send and / or record a signal indicating l'existence d'un défaut, puis on modifie lesdites valeurs de référence VSUP the existence of a defect, then modifying said VSUP reference values et VINF, de façon à ce que ledit défaut ne soit pas à nouveau détecté lors and VINF, so that said fault is not detected again when d'un examen ultérieur de la section S, et on retourne à l'étape a). a subsequent review of section S, and return to step a). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que VINF et/ou VSUP2. Method according to claim 1, characterized in that VINF and / or VSUP est/sont fonction du nombre de sources de rayonnement présentes dans la section is / are a function of the number of radiation sources present in the section examinée. examined. 3. Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que3. Method according to claim 1 or claim 2, characterized in that VINF et/ou VSUP et/sont fonction de la tension du réseau. VINF and / or VSUP and / are a function of the mains voltage. 4. Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que4. Method according to claim 1 or claim 2, characterized in that VINF et/ou VSUP et/sont fonction de la puissance nominale des lampes de la VINF and / or VSUP and / are function of the nominal power of the lamps of the section examinée. section examined. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il5. Method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that comprend au moins les étapes suivantes: includes at least the following steps: a) on mesure les valeurs de la tension U et de l'intensité I dans la section S a) the values of the voltage U and the intensity I are measured in the section S b) on détermine à partir des valeurs de la tension U et de l'intensité I, la b) from the values of the voltage U and the intensity I, the puissance réactive Q,  reactive power Q, c) on compare ladite puissance réactive Q avec des valeurs de référence VINF c) comparing said reactive power Q with VINF reference values et VSUP, and VSUP, d) si ladite puissance réactive Q est, à la fois, inférieure ou égale à VSUP et d) if said reactive power Q is both less than or equal to VSUP and supérieure ou égal à VINF, on retourne à l'étape a) greater than or equal to VINF, we return to step a) e) dans le cas contraire, on envoie et/ou enregistre un signal indiquant e) if not, send and / or record a signal indicating l'existence d'un défaut, puis on modifie lesdites valeurs de référence VSUP the existence of a defect, then modifying said VSUP reference values et VINF, de façon à ce que ledit défaut ne soit pas à nouveau détecté lors and VINF, so that said fault is not detected again when d'un examen ultérieur de la section S, et on retourne à l'étape a). a subsequent review of section S, and return to step a). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il6. Method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that comprend au moins les étapes suivantes  includes at least the following steps a) on mesure les valeurs de la tension U et de l'intensité I dans la section S, a) the values of the voltage U and the intensity I are measured in the section S, b) on détermine à partir des valeurs de la tension U et de l'intensité I: b) the values of the voltage U and the intensity I are determined from: - la puissance réactive Q, la puissance active P et le rapport Q/P, the reactive power Q, the active power P and the Q / P ratio, c) on compare ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP, c) comparing said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP, d) si ledit rapport Q/P est, à la fois, inférieur ou égal à VSUP et supérieur ou d) if said Q / P ratio is both less than or equal to VSUP and greater than or equal to égal à VINF, on retourne à l'étape a) equal to VINF, we go back to step a) e) dans le cas contraire, on envoye et/ou enregistre un signal indiquant e) if not, send and / or record a signal indicating l'existence d'un défaut, puis on modifie lesdites valeurs de référence VSUP the existence of a defect, then modifying said VSUP reference values et VINF, de façon à ce que ledit défaut ne soit pas à nouveau détecté lors and VINF, so that said fault is not detected again when d'un examen ultérieur de la section S, et on retourne à l'étape a). a subsequent review of section S, and return to step a). 7. Dispositif pour la détection de défauts dans un réseau d'éclairage public7. Device for detecting faults in a public lighting network constitué d'un réseau de distribution électrique, sur lequel est relié au moins un consisting of an electrical distribution network, to which at least one départ D comprenant au moins une section S alimentant au moins une source de starting point D comprising at least one section S feeding at least one source of rayonnement N, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les éléments N radiation, characterized in that it comprises at least the elements suivants:: following :: - des moyens de mesure de la tension U et de l'intensité I dans au moins ladite means for measuring the voltage U and the intensity I in at least said section S, section S, - des moyens de détermination, pour déterminer, à partir des valeurs de U et determination means, for determining, from the values of U and de I, la puissance réactive Q et éventuellement la puissance active P et le of I, the reactive power Q and possibly the active power P and the rapport Q/P, Q / P ratio, - des moyens de traitement aptes au moins à comparer ladite puissance Q ou processing means capable of at least comparing said power Q or ledit rapport Q/P avec des valeurs de référence VINF et VSUP, et à modifier said Q / P ratio with reference values VINF and VSUP, and to be modified ces valeurs, these values, - des moyens formant mémoire contenant au moins un programme régissant le memory means containing at least one program governing the fonctionnement desdits moyens de traitement, operation of said processing means, - et des moyens permettant de transmettre un signal.  and means for transmitting a signal. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits moyens de8. Device according to claim 7, characterized in that said means of traitement sont aptes à donner à VINF et/ou à VSUP des valeurs qui sont are able to give VINF and / or VSUP values which are fonction du nombre N(S) de sources de rayonnement présentes dans la section S function of the number N (S) of radiation sources present in section S examinée. examined. 9. Dispositif selon la revendication 7 ou la revendication 8, caractérisé en ce que9. Device according to claim 7 or claim 8, characterized in that lesdits moyens de traitement sont aptes à donner à VINF et/ou à VSUP des said processing means are adapted to give VINF and / or VSUP valeurs qui sont fonction de la tension du réseau. values that are a function of the network voltage. 10. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce lesdits moyens10. Device according to one of claims 7 to 9, characterized in that said means de traitement sont aptes à donner à VINF et/ou à VSUP des valeurs qui sont are able to give VINF and / or VSUP values which are fonction de la puissance nominale des lampes de la section examinée. function of the nominal power of the lamps of the examined section. 11. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce qu'il11. Device according to one of claims 7 to 10, characterized in that comprend au moins un multiplexeur. comprises at least one multiplexer. 12. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que lesdits12. Device according to one of claims 7 to 11, characterized in that said moyens de détermination comprennent au moins trois multiplexeurs, les sorties means of determination comprise at least three multiplexers, the outputs du premier et du deuxième multiplexeurs étant reliées à l'entrée du troisième first and second multiplexers being connected to the input of the third multiplexeur. multiplexer. 13. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 12, caractérisé en ce qu'il est13. Device according to one of claims 7 to 12, characterized in that it is programmé de façon à pouvoir appliquer le procédé selon les revendications 1 à programmed so as to be able to apply the method according to claims 1 to 6, successivement à plusieurs sections. 6, successively to several sections. 14. Mise en oeuvre du procédé selon les revendications 1 à 6, caractérisé en ce14. Implementation of the process according to claims 1 to 6, characterized in that qu'on applique ledit procédé successivement à plusieurs sections.  that said method is successively applied to several sections.
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