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EP1559148A2 - ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU - Google Patents

ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU

Info

Publication number
EP1559148A2
EP1559148A2 EP03785493A EP03785493A EP1559148A2 EP 1559148 A2 EP1559148 A2 EP 1559148A2 EP 03785493 A EP03785493 A EP 03785493A EP 03785493 A EP03785493 A EP 03785493A EP 1559148 A2 EP1559148 A2 EP 1559148A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electronic component
electrode
depression
organic electronic
conductor track
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP03785493A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Wolfgang Clemens
Walter Fix
Alessandro Manuelli
Andreas Ullmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PolyIC GmbH and Co KG
Original Assignee
Siemens AG
PolyIC GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, PolyIC GmbH and Co KG filed Critical Siemens AG
Publication of EP1559148A2 publication Critical patent/EP1559148A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof

Definitions

  • the invention relates to an organic electronic component with high-resolution structuring, in particular an organic field-effect transistor (OFET) with a small source-drain spacing, and a production method therefor.
  • OFET organic field-effect transistor
  • Organic electronic components are known, in particular OFETs with high-resolution structuring and a small source-drain distance “1 *, but these are produced in complex process steps which are associated with high costs. These process steps are uneconomical and regularly include photolithography, with depressions being produced photolithographically in a lower layer or in the substrate so that a conductor track with the required capacitance can be formed. These depressions are trough-shaped and have no sharp contours. The bottom of these depressions remains unchanged.
  • a conductor track and / or an electrode needs a certain mass to have a low resistance, which in one
  • the known mass-production-capable and fast processes for producing organic electronic components use the technique of applying the conductor track on the lower layer, generally on the substrate, whereby the problem arises that these “overlying” conductor tracks are either so thick that they cause defects in the subsequent insulator layer (s) or as wide, that much of the total area of the integrated circuit is used for this.
  • DE 10061297.0 discloses a high-resolution printing method which can be used on an industrial scale and in which the conductor tracks are sunk, but this has the disadvantage that the depressions which are produced by pressing on an embossing stamp do not have steep wall surfaces and sharply drawn edges, but are more trough-shaped and are designed without sharp contours. As a result of these soft transitions, the material introduced into the depression does not only fill the depression accurately, but blurs around the depression and thus leads to leakage currents. As a result, the smeared material cannot be wiped off without wiping most of the material out of the recess.
  • the object of the invention is to provide an organic electronic component that is inexpensive to produce on an industrial scale, in particular an OFET with a high-resolution structure and a small source-drain distance.
  • the object and object of the invention is to achieve an organic electronic component with a distance 1 between two conductor tracks, electrodes and / or between a conductor track and an electrode of less than 10 ⁇ m, which has a substantially flat surface, i.e. the conductor track (s) and / or electrode (s) are raised less than 300 nm above the surface of a lower layer or the substrate.
  • the invention also relates to an organic electronic component with a distance 1 between two conductor tracks, electrodes and / or between a conductor track and an electrode of less than 10 ⁇ m, in which at least one conductor track and / or one electrode is arranged in a depression in a lower layer , wherein the recess by means of a
  • the invention relates to a method for producing an organic electronic component in which at least one depression is burned into a lower layer or the substrate by means of a laser and mask in order to produce a conductor track and / or an electrode, this depression comprising steep walls, sharp contours and has a rough surface on the floor and is filled with conductive, predominantly organic material in a subsequent process step.
  • excess conductive organic material is wiped off in a process step following the filling of the depressions with this material, without any appreciable amount of conductive material being removed from the recess.
  • the recesses can be filled using various techniques: it can be sprayed, knife-coated, injected, coated, printed or filled in in another manner according to the invention.
  • the depressions are burned into the lower layer and / or the substrate with a pulsed laser, for example with pulse lengths of a few 10 ns. A few pulses can be sufficient to produce depressions in the range of 0.5 to 3 ⁇ m.
  • the depressions created by laser structuring are characterized by the fact that the walls are very steep, in extreme cases directly vertical.
  • the evaporation causes a very rough surface at the bottom of the depressions, which has the consequence that the filled organic conductor adheres very well there and, by removing the superfluous conductive material, is not drawn out to any appreciable extent between the depressions and / or is removed.
  • FIG. 1 shows an example of a schematic representation of a process sequence for producing a conductor track and / or an electrode.
  • the substrate 1 is drawn between several rollers, for example in a roll-to-roll process.
  • the pressure and / or guide rollers 2, which support the smooth running of the belt, can be seen from left to right.
  • a laser 3 for example an excimer laser, is used to produce 4 depressions 5 in the substrate through a mask.
  • the excimer laser 3 is optionally equipped with optical lens systems 3a, 3b, so that the depressions 5 are not necessarily imaged in the same size as the mask 4 specifies. Since the laser pulse e.g. lasts only a few 10ns, the tape 1 has moved only insignificantly in time.
  • the depressions 5 formed in this way, as described above, have sharp edges, steep walls and a rough bottom surface on which the organic conductors adhere particularly well.
  • organic material or “functional material” or ⁇ X (functional) polymer "includes all types of organic African, organometallic and / or organic-inorganic plastics (hybrids), especially those that are referred to in English as "plastics". These are all types of substances with the exception of the semiconductors that form the classic diodes (germanium, silicon) and the typical metallic conductors. A limitation in the dogmatic sense to organic material as carbon-containing material is therefore not provided, rather the broad use of, for example, silicones is also contemplated. Furthermore, the term should not be subject to any restriction with regard to the molecular size, in particular to polymeric and / or oligomeric materials, but it is also entirely possible to use "small molecules”. The word component "polymer” in the functional polymer is historically determined and therefore contains no information about the presence of an actually polymeric compound.
  • the invention presents for the first time a method with which an organic electronic component such as an OFET can be produced economically with high switching speed and high reliability. It has been shown that depressions that are burned in with a laser hold the filling with conductive organic material differently than the conventional depressions and that organic conductors can therefore be produced faster and better with this method than with other methods.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung, insbesondere einen orga-nischen Feld-Effekt-Transistor (OFET) mit kleinem Source-Drain-Abstand und ein Herstellungsverfahren dazu. Das organi-sche elektronische Bauteil hat Vertiefungen, in denen die Leiterbahnen/Elektroden angeordnet sind und die bei der Her-stellung mittels Laser eingebrannt wurden.

Description

Beschreibung
Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
Die Erfindung betrifft ein organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung, insbesondere einen organischen Feld-Effekt-Transistor (OFET) mit kleinem Source- Drain-Äbstand und ein Herstellungsverfahren dazu.
Bekannt sind organische elektronische Bauteile, insbesondere OFETs mit hochaufgelöster Strukturierung und kleinem Source- Drain-Abstand „1*, jedoch werden diese in aufwendigen Pro- zessschritten, die mit hohen Kosten verbunden sind, hergestellt. Diese Prozessschritte sind unwirtschaftlich und umfassen regelmäßig Fotolithographie, wobei Vertiefungen in einer unteren Schicht oder im Substrat fotolithographisch erzeugt werden, damit eine Leiterbahn mit der erforderlichen Kapazität gebildet werden kann. Diese Vertiefungen sind muldenförmig und haben keine scharfen Konturen. Der Boden dieser Vertiefungen bleibt unverändert .
Eine Leiterbahn und/oder eine Elektrode braucht eine gewisse Masse um einen geringen Widerstand zu haben, die in einer
1-2 μm Vertiefung am besten untergebracht ist. Jedoch gibt es bislang kein Verfahren, das in einem schnellen und billigen Herstellungsprozess die Leiterbahnen/Elektroden eines OFETs so herstellt.
Die bekannten massenfertigungstauglichen und schnellen Prozesse zur Herstellung organischer elektronischer Bauteile bedienen sich der Technik, die Leiterbahn auf der unteren Schicht, in der Regel also auf dem Substrat, aufzubringen wo- bei das Problem auftritt, dass diese „aufliegenden* Leiterbahnen entweder so dick sind, dass sie in den nachfolgenden Isolatorschicht (en) Defektstellen verursachen oder so breit, dass ein Großteil der Gesamtfläche der integrierten Schaltung dafür verwendet wird.
Aus der DE 10061297.0 ist zwar ein großtechnisch anwendbares hochauflösendes Druckverfahren bekannt, bei dem die Leiterbahnen versenkt werden, jedoch hat das den Nachteil, dass die Vertiefungen, die durch Aufdrücken eines Prägestempels entstehen, keine steilen Wandflächen und scharf gezogene Kanten haben, sondern mehr muldenförmig und ohne scharfe Konturen ausgebildet sind. Als Folge dieser weichen Übergänge füllt das in die Vertiefung eingebrachte Material nicht akkurat nur die Vertiefung, sondern es verwischt um die Vertiefung herum und führt damit zu Leckströmen. Das verschmierte Material lässt sich in der Folge auch nicht abwischen, ohne einen Großteil des Materials wieder aus der Vertiefung herauszuwischen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein großtechnisch und günstig herstellbares organisches elektronisches Bauteil, insbesonde- re einen OFET mit einer hochaufgelösten Struktur und einem kleinen Source-Drain-Abstand, zu schaffen.
Lösung der Aufgabe und Gegenstand der Erfindung ist ein organisches elektronisches Bauelement mit einem Abstand 1 zwi- sehen zwei Leiterbahnen, Elektroden und/oder zwischen einer Leiterbahn und einer Elektrode kleiner lOμm, das eine im wesentlichen ebene Oberfläche hat, d.h. die Leiterbahn (en) und/oder Elektrode (n) sind weniger als 300nm über der Oberfläche einer unteren Schicht oder des Substrats erhoben. Au- ßerdem ist Gegenstand der Erfindung ein organisches elektronisches Bauteil mit einem Abstand 1 zwischen zwei Leiterbahnen, Elektroden und/oder zwischen einer Leiterbahn und einer Elektrode kleiner 10um, bei dem zumindest eine Leiterbahn und/oder eine Elektrode in einer Vertiefung einer unteren Schicht angeordnet ist, wobei die Vertiefung mittels eines
Lasers erzeugt wurde das heißt, dass sie steile Wände, scharfe Konturen und eine relativ raue Bodenoberfläche hat. Schließlich ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauteils bei dem zur Herstellung einer Leiterbahn und/oder einer Elektrode zumindest eine Vertiefung in eine untere Schicht oder das Substrat mittels Laser und Maske eingebrannt wird, wobei diese Vertiefung steile Wände, scharfe Konturen und eine raue Oberfläche am Boden hat und in einem nachfolgenden Prozessschritt mit leitfähigem überwiegend organischem Material gefüllt wird.
Nach einer Ausführungsform des Verfahrens wird überschüssiges leitfähiges organisches Material in einem auf die Befüllung der Vertiefungen mit diesem Material folgenden Prozessschritt abgewischt, ohne dass dabei leitfähiges Material aus der Ver- tiefung in merklichem Umfang wieder entfernt würde.
Die Befüllung der Vertiefungen kann nach verschiedenen Techniken erfolgen: Es kann besprüht, eingerakelt, eingespritzt, beschichtet, bedruckt oder sonst wie erfindungsgemäß einge- füllt werden.
Nach einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Vertiefungen in die untere Schicht und/oder das Substrat mit einem gepulsten Laser, beispielsweise mit Pulslängen von einigen 10 ns, eingebrannt. Dabei können bereits wenige Pulse ausreichen, um Vertiefungen im Bereich von 0,5 bis 3 μm zu erzeugen.
Die durch Laserstrukturierung erzeugten Vertiefungen zeichnen sich dadurch aus, dass die Wände sehr steil, im Extremfall direkt senkrecht sind. Zudem bewirkt das Verdampfen eine sehr raue Oberfläche am Boden der Vertiefungen, was zur Folge hat, dass der eingefüllte organische Leiter dort sehr gut haftet und durch das Entfernen des überflüssigen leitfähigen Materi- als zwischen den Vertiefungen in keinem nennenswerten Umfang aus der Vertiefung herausgesogen und/oder entfernt wird. Dadurch unterscheiden sich die Vertiefungen, die mit Laser ein- gebrannt werden auch deutlich von den Vertiefungen, die beispielsweise durch Einprägen entstehen, wo sich das überflüssige organische Material, das um die Vertiefung herum verteilt ist, nicht ohne große Verluste abwischen lässt.
Im folgenden wird die Erfindung noch anhand einer Figur näher erläutert, die beispielhaft eine schematische Widergabe einer Prozessabfolge zur Herstellung einer Leiterbahn und/oder einer Elektrode zeigt.
Das Substrat 1 wird beispielsweise im Rolle-zu-Rolle-Ver- fahren zwischen mehreren Walzen hindurchgezogen. Von links nach rechts sind zunächst die Anpress- und/oder Führungsrollen 2 zu erkennen, die den gleichmäßigen Lauf des Bandes un- terstützen. Im ersten gezeigten Arbeitsgang werden dann mit einem Laser 3, beispielsweise einem Excimer-Laser, durch eine Maske 4 Vertiefungen 5 im Substrat erzeugt. Der Excimer-Laser 3 ist gegebenenfalls mit optischen Linsensystemen 3a, 3b ausgestattet, so dass die Vertiefungen 5 nicht unbedingt in der- selben Größe abgebildet werden wie die Maske 4 sie vorgibt. Da der Laserpuls z.B. nur wenige 10ns dauert, hat sich das Band 1 in der Zeit nur unwesentlich weiterbewegt. Die so gebildeten Vertiefungen 5 haben, wie oben beschrieben, scharfe Kanten, steile Wände und eine raue Bodenfläche, auf der die organischen Leiter besonders gut haften. Mit einem Rakel 7 wird dann organisches elektrisch leitfähiges Material 6, wie z.B. PANI (Polyanilin) oder PEDOT in Lösung oder als Paste in die Vertiefungen eingerakelt. Eventuell vorhandenes leitfähiges Material 6 zwischen den Vertiefungen wird dann mit einer saugfähigen Rolle 8 entfernt. Die Rolle 8 dreht sich beispielsweise langsamer als die anderen Rollen, so dass effektiv gewischt wird. Der Abstand zwischen zwei Vertiefungen 5 ist durch den Doppelpfeil gekennzeichnet und wird mit 1 bezeichnet .
Der Begriff "organisches Material" oder "Funktionsmaterial" oder λX (Funktions-) Polymer" umfasst hier alle Arten von orga- nischen, metallorganischen und/oder organisch-anorganischen Kunststoffen (Hybride) , insbesondere die, die im Englischen z.B. mit "plastics" bezeichnet werden. Es handelt sich um alle Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium) , und der typischen metallischen Leiter. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoff enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z.B. Siliconen gedacht. Wei- terhin soll der Term keiner Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf poly ere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von "small molecules" möglich. Der Wortbestandteil "polymer" im Funktionspolymer ist historisch bedingt und ent- hält insofern keine Aussage über das Vorliegen einer tatsächlich polymeren Verbindung.
Durch die Erfindung wird erstmals ein Verfahren vorgestellt, mit dem ein organisches elektronisches Bauelement wie ein OFET mit hoher Schaltgeschwindigkeit und hoher Zuverlässigkeit wirtschaftlich hergestellt werden kann. Es hat sich gezeigt, dass Vertiefungen, die mit einem Laser eingebrannt werden, die Befüllung mit leitfähigem organischen Material anders halten als die herkömmlichen Vertiefungen und, dass deshalb mit dieser Methode organische Leiterbahnen schneller und besser herstellbar sind als nach anderen Methoden.

Claims

Patentansprüche
1. Organisches elektronisches Bauelement mit einem Abstand 1 zwischen zwei Leiterbahnen, Elektroden und/oder zwischen einer Leiterbahn und einer Elektrode kleiner lOμm, das eine im wesentlichen ebene Oberfläche hat, d.h. die Leiterbahn (en) und/oder Elektrode (n) sind weniger als 300nm über der Oberfläche einer unteren Schicht oder des Substrats erhoben.
2. Organisches elektronisches Bauteil mit einem Abstand 1 zwischen zwei Leiterbahnen, Elektroden und/oder zwischen einer Leiterbahn und einer Elektrode kleiner lOμm, bei dem zumindest eine Leiterbahn und/oder eine Elektrode in einer Vertiefung einer unteren Schicht angeordnet ist, wobei die Vertiefung mittels eines Lasers erzeugt wurde das heißt, dass sie steile Wände, scharfe Konturen und eine relativ raue Bodenoberfläche hat.
3. Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauteils bei dem zur Herstellung einer Leiterbahn und/oder einer Elektrode zumindest eine Vertiefung in eine untere Schicht oder das Substrat mittels Laser und Maske eingebrannt wird, wobei diese Vertiefung steile Wände, scharfe Konturen und eine raue Oberfläche am Boden hat, und in einem nachfol- genden Prozessschritt mit leitfähigem überwiegend organischem Material gefüllt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das leitfähige Material in die Vertiefung eingerakelt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, bei dem überflüssiges leitfähiges organisches Material in einem auf die Befüllung der Vertiefung mit diesem Material folgenden Prozessschritt abgewischt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei dem ein gepulster Laser, beispielsweise ein Excimer-Laser eingesetzt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, das in einem kontinuierlichen roll-to-roll Prozess durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Rolle, die das überflüssige organische Material abwischt, langsamer dreht als die anderen Rollen.
EP03785493A 2002-11-05 2003-11-05 ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU Withdrawn EP1559148A2 (de)

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EP (1) EP1559148A2 (de)
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004506985A (ja) 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
WO2004017439A2 (de) 2002-07-29 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
DE10339036A1 (de) * 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340643B4 (de) 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004059464A1 (de) 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
FR2911720B1 (fr) * 2007-01-23 2009-03-27 Commissariat Energie Atomique Procede de depot d'une couche polymere sur une face d'un support, comportant au moins une zone en creux.
US8134233B2 (en) 2007-07-30 2012-03-13 Motorola Solutions, Inc. Method and apparatus for providing electrically isolated closely spaced features on a printed circuit board

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) * 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
DE3768112D1 (de) * 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) * 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
AU7563294A (en) * 1993-08-24 1995-03-21 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3153682B2 (ja) * 1993-08-26 2001-04-09 松下電工株式会社 回路板の製造方法
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
CN1106696C (zh) * 1994-05-16 2003-04-23 皇家菲利浦电子有限公司 带有有机半导体材料的半导体器件
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
WO1999010939A2 (en) * 1997-08-22 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
US5973598A (en) * 1997-09-11 1999-10-26 Precision Dynamics Corporation Radio frequency identification tag on flexible substrate
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
AU733522B2 (en) * 1998-01-28 2001-05-17 Thin Film Electronics Asa A method for generating electrical conducting and/or semiconducting structures in three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) * 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
CN102226766B (zh) * 1998-08-26 2017-03-01 医药及科学传感器公司 基于光学的感测装置
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
CA2336373C (en) * 1999-02-22 2007-02-27 Nippon Steel Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
WO2000052457A1 (en) * 1999-03-02 2000-09-08 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) * 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (de) * 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrierter schaltkreis
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
EP1243032B1 (de) * 1999-12-21 2019-11-20 Flexenable Limited Mit tintenstrahldruck erzeugte integrierte schaltungen
US6706159B2 (en) * 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
JP2004506985A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
GB2371910A (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
US6767807B2 (en) * 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
DE10219905B4 (de) * 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2004042837A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004042837A2 (de) 2004-05-21
WO2004042837A3 (de) 2004-10-07
US20060118778A1 (en) 2006-06-08
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JP2006505927A (ja) 2006-02-16

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