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EP1393387A1 - Organischer feldeffekt-transistor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung zum aufbau integrierter schaltungen - Google Patents

Organischer feldeffekt-transistor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung zum aufbau integrierter schaltungen

Info

Publication number
EP1393387A1
EP1393387A1 EP02737855A EP02737855A EP1393387A1 EP 1393387 A1 EP1393387 A1 EP 1393387A1 EP 02737855 A EP02737855 A EP 02737855A EP 02737855 A EP02737855 A EP 02737855A EP 1393387 A1 EP1393387 A1 EP 1393387A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
insulator layer
field effect
effect transistor
insulator
organic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02737855A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Adolf Bernds
Walter Fix
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PolyIC GmbH and Co KG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of EP1393387A1 publication Critical patent/EP1393387A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K10/82—Electrodes
    • H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer

Definitions

  • the invention relates to an organic field effect transistor (OFET), a method for its production and the use of this OFET for the construction of integrated circuits.
  • OFET organic field effect transistor
  • OFETs Field effect transistors
  • An essential factor for the quality of an OFET and thus an integrated circuit built from it is the integrity and stability of the individual functional layers and a high resolution or fineness of the source and drain electrodes is particularly important for the performance.
  • An embossing technique has already been proposed for the formation of the finest structured functional layers on a substrate, in which depressions are embossed and preserved in a layer with a correspondingly surface-structured stamp. These depressions are then filled with the material of the subsequent functional layer.
  • Such a method and OFETs generated with it are described in the applicant's German patent application DE 10061297.0. Here, however, the depressions are created in an additional layer.
  • the object of the invention is to provide a simplified, compact structure for an OFET, which allows its production on a mass production scale at low cost. At the same time, the performance and stability of the OFET should be guaranteed.
  • the present invention relates to an organic compound
  • a gate electrode an insulator layer a semiconductor layer
  • the source and drain electrodes and the gate electrode being embedded in the insulator layer.
  • the advantage of the OFET designed according to the invention is that the transistor structure is considerably simplified, the quality of the
  • Isolators improved and the semiconductor as the top layer is made possible.
  • the latter is particularly advantageous since the semiconductor materials or layers are the most sensitive components in such a system.
  • the semiconductor layer is no longer exposed to any further process steps.
  • an entire layer is also omitted, which ultimately makes the OFET thinner in comparison to the prior art. Above all, one process step for generating the additional layer is saved.
  • the insulator layer is preferably formed from a self-curing or a UV-curable or thermosetting polymer material and structured by means of an embossing technique for receiving the source and drain electrode (s).
  • an embossing technique for receiving the source and drain electrode (s).
  • the desired structuring for the application of the source and drain electrode (s) is designed as a positive on an embossing stamp and is thus transferred into the uncured insulator layer.
  • the structure is preserved by curing.
  • the embossing technique used according to the invention in connection with the hardening of the insulator ateriales allows the creation of the finest, discrete and permanent traces or depressions for the conductor tracks or electrodes.
  • the distance 1 between the source and drain electrodes is less than 20 ⁇ m, in particular less than 10 ⁇ m and preferably between 2 and 5 ⁇ m, which corresponds to a maximum resolution and thus the highest power capacity of an OFET.
  • the present invention also relates to a method for producing an OFET with, in particular, a bottom-gate structure, in which a gate electrode is applied to a substrate, and an insulator layer made of a hardening material is formed over it, in the unhardened insulator layer by means of an embossing die, the structure for the source and drain electrode (s) are produced and preserved by curing the insulator material, the conserved structure is filled with a conductive material and the semiconductor layer is formed above it.
  • Transistor structure Only a single insulator layer is used, which is the carrier of the source and drain electrodes and insulator at the same time. In contrast, the normal manufacturing process provides for a separate layer for each of the two functions. Saving an entire shift means not only material, but also cost savings.
  • the quality of the isolator is improved.
  • One reason for this is that the insulator surface is smoothed by the embossing process, specifically where it is most important for the transistor function, namely at the interface between the semiconductor and the insulator.
  • the insulator is also optimally preconditioned for the reception of the semiconductor, since due to the hardening it can no longer be attacked by the solvent of the semiconductor during its application. This also means great freedom in the choice of the solvent in which the semiconductor can be dissolved to apply and form the layer.
  • the (self) curing material for the insulation layer is preferably selected from epoxides and acrylates. These materials can be conditioned in such a way that, for example, they already harden under the action of atmospheric oxygen and / or through the action of UV light and / or heat. These polymers can be applied either from solution or in the form of liquid UV varnishes, either by spin coating or printing, which ensures a high level of homogeneity of the layer.
  • the conductive material for forming the electrodes can be selected from organic conductive materials and particle-filled polymers.
  • Conductive organic materials are, for example, doped polyethylene or doped polyaniline.
  • Particle-filled polymers are those that contain conductive, mostly inorganic particles in a dense packing. The polymer itself can then be conductive or non-conductive.
  • the conductive inorganic particles are, for example, silver or other metallic particles as well as graphite or carbon black.
  • the conductive material will preferably be doctored into the predetermined structuring of the insulator.
  • the doctor blade method offers the advantage that the selection of the conductive material is almost unlimited, whereby a uniform filling of the structuring is ensured.
  • the method according to the invention can also be designed such that it is carried out continuously, which ensures a higher production output.
  • the OFETs designed according to the invention are of such high quality and performance, they are particularly suitable for the construction of integrated circuits, which can also be all-organic.
  • a gate electrode 2 is structured on a substrate 1, which can be, for example, a thin glass film or a polyethylene, polyimide or polyterephthalate film.
  • the gate electrode 2 can consist of metallic or non-metallic organic material.
  • metallic conductors one can think of copper, aluminum, gold or indium tin oxide.
  • Organic conductive materials are doped polyaniline or polyethylene or particle-filled polymers.
  • the gate electrode is structured either by printing or by lithographic structuring.
  • the insulator layer 3 is now applied over the gate electrode 2 and on the substrate 1. This can be done by spin coating or printing.
  • the insulator layer 3 is preferably produced from a UV-curing or thermosetting material, such as epoxy or acrylate.
  • this desired structure ' is embossed in the uncured insulating layer 3 by means of a die 4, which carries the structure of the source and drain electrode (s) in positive form.
  • the insulator layer 3 is then left to harden or hardened by the action of UV light or heat and the stamp 4 is then removed.
  • the structure provided for the source and drain electrodes in the insulator layer 3 ' is preserved permanently and with sharp contours.
  • the conductive material 5 is now filled into the depressions or traces produced. Because of the advantages stated above, this is preferably done with the aid of a doctor blade. Suitable materials are also mentioned above.
  • the semiconductor layer which can be processed from conjugated polymers, such as polythiophenes, polythienylenes or polyfluorene derivatives, from a solution is now applied.
  • conjugated polymers such as polythiophenes, polythienylenes or polyfluorene derivatives
  • the application can be done here by spin coating, knife coating or printing.
  • So-called "small molecules" are also suitable for the structure of the semiconductor layer, i.e. Oligomers such as sexithiophene or pentacene, which are vacuum-deposited onto the substrate.
  • the proposed manufacturing process is suitable for large-scale use. Many different OFETs can be generated at the same time in a continuous process with a continuous belt.

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein OFET, bei dem Gate-(2) sowie Source- und Drain-Elektroden (5) in der Isolatorschicht (3) eingebettet sind. Die Strukturierung der Isolatorschicht erfolgt durch eine Prägetechnik, wodurch hochaufgelöste leitfähige Strukturen ausgebildet werden können und der OFET eine hohe Leistungsfähigkeit aufweist.

Description

Beschreibung
Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
Die Erfindung betrifft einen organischen Feldeffekt-Transistor (OFET) , ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie die Verwendung dieses OFETs zum Aufbau integrierter Schaltungen.
Feldeffekt-Transistoren (OFETs) spielen auf allen Gebieten der Elektronik eine zentrale Rolle. Bei ihrer Herstellung müssen mehrere organischen Schichten übereinander strukturiert werden. Das ist mit herkömmlicher Photolithographie, welche eigentlich zur Strukturierung von anorganischen Mate- rialien dient, nur sehr eingeschränkt möglich. Die bei der
Photolithographie üblichen Arbeitsschritte greifen bzw. lösen die organischen Schichten an und machen diese somit unbrauchbar. Das geschieht beispielsweise beim Aufschleudern, beim Entwickeln und beim Ablösen eines Photolackes.
Ein wesentlicher Faktor für die Güte eines OFETs und damit einer daraus aufgebauten integrierten Schaltung ist jedoch die Unversehrtheit und Stabilität der einzelnen Funktionsschichten und für die Leistungsfähigkeit ist insbesondere ei- ne hohe Auflösung bzw. Feinheit der Source- und Drain-Elektroden wesentlich.
Zur Ausbildung feinster strukturierter Funktionsschichten auf einem Substrat wurde bereits eine Prägetechnik vorgeschlagen, bei der in einer Schicht mit einem entsprechend oberflächenstrukturierten Stempel Vertiefungen eingeprägt und konserviert werden. Diese Vertiefungen werden dann mit dem Material der nachfolgenden FunktionsSchicht aufgefüllt. Ein solches Verfahren und damit erzeugte OFETs sind in der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10061297.0 der Anmelderin beschrieben. Hier werden die Vertiefungen jedoch in einer zusätzlichen Schicht erzeugt. Aufgabe der Erfindung ist es, einen vereinfachten, kompakten Aufbau für ein OFET anzugeben, der dessen Herstellung im Massenherstellungsmaßstab kostengünstig erlaubt. Dabei soll gleichzeitig die Leistungsfähigkeit und Stabilität des OFETs gewährleistet bleiben.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein organischer
Feldeffekt-Transistor, welcher
eine Gate-Elektrode eine Isolatorschicht eine Halbleiterschicht
in dieser Reihenfolge auf einem Substrat umfasst, wobei in der Isolatorschicht die Source- und Drain-Elektroden sowie die Gate-Elektrode eingebettet sind.
Vorteil des erfindungsgemäß gestalteten OFETs ist, dass der Transistoraufbau wesentlich vereinfacht, die Qualität des
Isolators verbessert und der Halbleiter als oberste Schicht ermöglicht wird. Letzteres ist insbesondere von Vorteil, da die Halbleitermaterialien bzw. -schichten die empfindlichsten Komponenten in einem solchen System sind. Mit anderen Worten, die Halbleiterschicht wird keinen weiteren Prozessschritten mehr ausgesetzt. Im Vergleich zu herkömmlichen OFETs entfällt desweiteren eine ganze Schicht, was letztendlich den OFET im Vergleich zum Stand der Technik dünner macht. Vor allem wird ein Prozessschritt zur Erzeugung der zusätzlichen Schicht eingespart.
Die Isolatorschicht wird vorzugsweise aus einem selbsthärtenden oder einem UV- oder wärmehärtbaren Polymermaterial gebildet und mittels einer Prägetechnik für die Aufnahme der Sour- ce- und Drain-Elektrode (n) strukturiert. Dazu ist die gewünschte Strukturierung für die Anlage der Source- und Drain- Elektrode (n) als Positiv auf einem Prägestempel ausgebildet und wird damit in die ungehärtete Isolatorschicht übertragen. Die Struktur wird durch Aushärten konserviert. Durch die erfindungsgemäß angewendete Prägetechnik in Verbindung mit der Aushärtung des Isolator ateriales lassen sich feinste, dis- krete und permanente Spuren bzw. Vertiefungen für die Leiterbahnen bzw. Elektroden erzeugen.
Damit ist erfindungsgemäß auch gewährleistet, dass der Abstand 1 zwischen Source- und Drain-Elektrode kleiner als 20 μ , insbesondere kleiner 10 μm und vorzugsweise zwischen 2 bis 5 μm beträgt, was einer Höchstauflösung und damit höchster Leistungskapazität eines OFETs entspricht.
Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines OFETs mit insbesondere Bottom-Gate-Struktur, bei dem man auf einem Substrat eine Gate-Elektrode aufbringt, darüber eine Isolatorschicht aus einem härtenden Material ausbildet, in der ungehärteten Isolatorschicht mittels eines Prägestempels die Struktur für die Source- und Drain- Elektrode (n) erzeugt und durch Aushärten des Isolatormateriales konserviert, die konservierte Struktur mit einem leitfähigen Material auffüllt und darüber die Halbleiterschicht ausbildet.
Wie gesagt, bestehen die Vorteile in einem vereinfachten
Transistoraufbau. Es wird nur eine einzige Isolatorschicht verwendet, welche gleichzeitig Träger der Source- und Drain- Elektroden und Isolator ist. Demgegenüber sieht der normale Herstellungsprozess für jede der beiden Funktionen eine ge- sonderte Schicht vor. Die Einsparung einer ganzen Schicht bedeutet nicht nur Material-, sondern auch Kosteneinsparung.
Die Qualität des Isolators ist verbessert. Ein Grund dafür ist, dass die Isolatoroberfläche durch das Prägeverfahren ge- glättet wird und zwar dort, wo es für die Transistorfunktion am wichtigsten ist, nämlich an der Grenzfläche von Halbleiter und Isolator. Auch ist der Isolator optimal für die Aufnahme des Halbleiters vorkonditioniert, da er aufgrund der Aushärtung nicht mehr vom Lösungsmittel des Halbleiters während dessen Auftrag angreifbar ist. Das bedeutet auch eine große Freiheit bei der Auswahl des Lösungsmittels, in dem der Halbleiter zum Auftragen und Ausbilden der Schicht gelöst werden kann.
Das (selbst) härtende Material für die Isolationsschicht wird vorzugsweise aus Epoxiden und Acrylaten ausgewählt. Diese Materialien können so konditioniert werden bzw. sein, dass sie beispielsweise bereits unter der Einwirkung von Luftsauerstoff aushärten und/oder durch Einwirkung von UV-Licht und/oder Wärme. Diese Polymere lassen sich entweder aus der Lösung oder in Form flüssiger UV-Lacke auftragen, entweder durch Spin-Coaten oder Drucken, wodurch eine große Homogenität der Schicht gewährleistet werden kann.
Das leitfähige Material zur Ausbildung der Elektroden kann aus organischen leitfähigen Materialien und partikelgefüllten Polymeren ausgewählt werden. Leitfähige organische Materialien sind beispielsweise dotiertes Polyethylen oder dotiertes Polyanilin. Partikelgefüllte Polymere sind solche, welche leitfähige, meist anorganische Partikel in dichter Packung enthalten. Das Polymer selbst kann dann leitfähig oder nicht- leitfähig sein. Die leitfähigen anorganischen Partikel sind bespielsweise Silber oder andere metallische Teilchen sowie Graphit oder Carbon Black.
Vorzugsweise wird man das leitfähige Material in die vorgegebene Strukturierung des Isolators einrakeln. Die Rakelmethode liefert den Vorteil, dass die Auswahl des leitfähigen Materi- ales nahezu unbegrenzt ist, wobei eine gleichförmige Ausfüllung der Strukturierung gewährleistet wird. Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch so ausgestaltet werden, dass es kontinuierlich geführt wird, was einen höheren Produktionsauswurf gewährleistet .
Da es sich bei den erfindungsgemäß ausgestalteten OFETs um solche hoher Qualität und Leistungsfähigkeit handelt, eignen sie sich insbesondere zum Aufbau integrierter Schaltungen, welche auch all-organisch sein können.
Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren und der Aufbau des erfindungsgemäßen OFETs anhand von schematischen Figuren 1 bis 6 näher erläutert.
Zunächst wird gemäß Fig. 1 auf einem Substrat 1, das bei- spielsweise eine dünne Glasfolie oder eine Polyethylen-, Po- lyimid- oder Polyterephthalatfolie sein kann, eine Gate- Elektrode 2 strukturiert. Die Gate-Elektrode 2 kann aus metallischem oder nicht-metallischem organischem Material bestehen. Unter den metallischen Leitern kann man an Kupfer, Aluminium, Gold oder Indium-Zinn-Oxid denken. Organische leitende Materialien sind dotiertes Polyanilin oder Polyethylen oder partikelgefüllte Polymere. Je nach Auswahl des leitenden Materiales erfolgt die Strukturierung der Gate-Elektrode entweder durch Aufdrucken oder lithographische Strukturierung.
Über der Gate-Elektrode 2 und auf dem Substrat 1 wird nun gemäß Fig. 2 die Isolatorschicht 3 aufgetragen. Dies kann durch Spin-Coaten oder Bedrucken erfolgen. Die Isolatorschicht 3 wird vorzugsweise aus einem UV-härtenden oder wärmehärtenden Material, wie Epoxid oder Acrylat, erzeugt.
Gemäß Fig. 3 wird in der nicht ausgehärteten Isolatorschicht 3 mittels eines Prägestempels 4, der die Struktur der Source- und Drain-Elektrode (n) in Positivform trägt, diese gewünschte Struktur' eingeprägt. Die Isolatorschicht 3 wird dann aushärten gelassen oder mittels Einwirkung von UV-Licht oder Wärme ausgehärtet und der Stempel 4 -dann entfernt. Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, ist die für die Source- und Drain-Elektroden vorgesehene Struktur in der Isolatorschicht 3' permanent und konturenscharf konserviert.
In die erzeugten Vertiefungen bzw. Spuren wird gemäß Fig. 5 nun das leitfähige Material 5 eingefüllt. Das geschieht aufgrund der oben angegebenen Vorteile vorzugsweise mit Hilfe einer Rakel. Dazu geeignete Materialien sind ebenfalls oben erwähnt.
Gemäß Fig. 6 wird nun noch die Halbleiterschicht, welche aus konjugierten Polymeren, wie Polythiophenen, Polythienylenen oder Polyfluorenderivaten aus einer Lösung verarbeitbar sind, aufgetragen. Das Auftragen kann hier durch Spin-Coaten, Rakeln oder Bedrucken erfolgen. Für den Aufbau der Halbleiterschicht eignen sich auch sogenannte "small molecules" d.h. Oligomere wie Sexithiophen oder Pentacen, die durch eine Vakuumtechnik auf das Substrat aufgedampft werden.
Aufgrund der Unempfindlichkeit der ausgehärten Isolatorschicht können für das Auftragen der Halbleiterschicht die verschiedensten Lösungsmittel und damit die für das gesamte Herstellungsverfahren jeweils geeigneste Auftragstechnik aus- gewählt werden.
Das vorgeschlagene Herstellungsverfahren ist für die großtechnische Anwendung geeignet. Es können gleichzeitig viele verschiedene OFETs in einem kontinuierlichen Verfahren bei durchlaufendem Band erzeugt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Organischer Feldeffekt-Transistor, welcher
- eine Gate-Elektrode (2)
- eine Isolatorschicht (3')
- eine Halbleiterschicht (6)
in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (1) umfasst, wo- bei in der Isolatorschicht (3') die Source- und Drain- Elektrode (n) eingebettet sind.
2. Organischer Feldeffekt-Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolatorschicht (3') aus einem UV- oder wärmehärtbaren Material gebildet ist.
3. Organischer Feldeffekt-Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolatorschicht (3') mittels einer Prägetechnik für die Aufnahme der Source- und Drain-Elektrode (n) strukturiert ist.
4. Organischer Feldeffekt-Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand 1 zwischen Source- und Drain-Elektrode kleiner 20 μm, ins- besondere kleiner 10 μm und vorzugsweise zwischen 2 bis 5 μm beträgt.
5. Verfahren zur Herstellung eines OFETs mit Bottom-Gate- Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem man auf einem Substrat (1) eine Gate-Elektrode (2) aufbringt, darüber eine Isolatorschicht (3) aus einem härtenden Material ausbildet, in der ungehärteten Isolatorschicht (3) mittels eines Prägestempels (4) die Struktur für die Source- und Drain-Elektrode (n) erzeugt und durch Aushär- ten des Isolatormaterials konserviert, die konservierte
Struktur mit einem leitfähigen Material auffüllt und darüber die Halbleiterschicht
(6) ausbildet. S. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass man das härtende Material für die Isolatorschicht (3') aus Epoxiden und/oder Acrylaten auswählt.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass man das leitfähige Material zur Ausbildung der E- lektroden aus organischen leitfähigen Materialien und partikelgefüllten Polymeren auswählt.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass man das leitfähige Material in die vorgegebene Strukturierung für den Isolator (3') einra- kelt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, das als kontinuierliches Verfahren mit einem durchlaufenden Band durchgeführt wird.
10. Verwendung eines OFETs nach einem der Ansprüche 1 bis 4 oder 5 bis 9 beim Aufbau integrierter Schaltungen.
EP02737855A 2001-06-01 2002-05-27 Organischer feldeffekt-transistor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung zum aufbau integrierter schaltungen Withdrawn EP1393387A1 (de)

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DE (1) DE10126860C2 (de)
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US7317047B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
CA2499377A1 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
CA2500304A1 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
CN1681869B (zh) 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
GB0229191D0 (en) * 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
DE10302149A1 (de) * 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
KR101001471B1 (ko) 2003-10-10 2010-12-14 삼성전자주식회사 표면요철구조에 의해 향상된 전하 이동도를 갖는 유기박막트랜지스터
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
CN101208369B (zh) 2005-06-28 2013-03-27 E.I.内穆尔杜邦公司 高功函数透明导体
WO2007002740A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR101157983B1 (ko) * 2005-12-26 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자의제조방법
GB0601008D0 (en) * 2006-01-18 2006-03-01 Qinetiq Ltd Method of fabricating a semicondutor device
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US7935566B2 (en) * 2007-05-14 2011-05-03 Nanyang Technological University Embossing printing for fabrication of organic field effect transistors and its integrated devices
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
JP4936069B2 (ja) * 2007-10-31 2012-05-23 株式会社デンソー モータ制御装置
KR101561402B1 (ko) 2009-03-12 2015-10-16 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 코팅 도포를 위한 전기 전도성 중합체 조성물
KR101581990B1 (ko) 2009-04-21 2015-12-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도성 중합체 조성물 및 그로부터 제조된 필름
CN102395627B (zh) 2009-04-24 2015-04-01 E.I.内穆尔杜邦公司 导电聚合物组合物和由其制得的膜

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US53320A (en) * 1866-03-20 Improvement in lamp-shades
US84670A (en) * 1868-12-08 Peterj
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) * 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
DE3768112D1 (de) * 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
WO1993009469A1 (de) * 1991-10-30 1993-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
JP3035352B2 (ja) * 1993-08-24 2000-04-24 メトリカ・インコーポレーテッド 新規な使い捨て電子検定ディバイス
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
BR9811636A (pt) * 1997-09-11 2000-08-08 Precision Dynamics Corp Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
EP0958663A1 (de) * 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zwischenverstärker zur identifikation
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP4689825B2 (ja) * 1998-08-26 2011-05-25 センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド 光学式検知装置
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
AU5646800A (en) * 1999-03-02 2000-09-21 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) * 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
WO2001017029A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-08 E Ink Corporation Transistor for an electronically driven display
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
JP2004538618A (ja) * 1999-10-11 2004-12-24 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 集積回路
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
TW497120B (en) * 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US7875975B2 (en) * 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO02099907A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10126860C2 (de) 2003-05-28
US20040262599A1 (en) 2004-12-30
WO2002099907A1 (de) 2002-12-12
DE10126860A1 (de) 2002-12-12

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