DE69203395T2 - Leitende Elektrodenschichten für ferroelektrische Kondensatoren in integrierten Schaltungen und Methode. - Google Patents
Leitende Elektrodenschichten für ferroelektrische Kondensatoren in integrierten Schaltungen und Methode.Info
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 5
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Kondensatoren für integrierte Schaltungen und betrifft insbesondere die Bildung von leitenden Oxidschichten in ferroelektrischen Kondensatoren.
- Ferroelektrische Kondensatoren sind aufgrund ihrer Verwendung in ferroelektrischen Speichern und diskreten Dünnfiliakondensatoren heutzutage von Interesse. Dazu wird verwiesen auf die US- Patente 4,873,664; 4,809,225; 4,853,893; 4,918,654; 4,910,708; 4,914,627; 4,893,272; 4,888,733, welche für die Ramtron Corporation in Colorado Springs, Colorado, USA erteilt worden sind.
- Elektroden aus Platin (Pt) werden bei der Herstellung von ferroelektrischen Kondensatoren häufig verwendet. Bei der Benutzung dieser Pt-Elektroden in ferroelektrischen Kondensatoren gibt es jedoch gegenwärtig eine Anzahl von Problemen. Eine Möglichkeit des Vorgehens bei diesem Problem ist in der EPO Veröffentlichung 404,295 (A1) offenbart, welche auf der USSN 368,668, dem jetzigen US-Patent Nr. 5,005,102 ("Multilayer Electrodes For Integrated Circuit Capacitors") basiert.
- Ferroelektrische Kondensatoren werden unter Verwendung eines als "PZT" bekannten Oxids hergestellt, wobei PZT allgemein eine Oxide von Blei, Zirkon und Titan umfassende und eine Perovskit- Struktur bildende Mischung oder Lösung bezeichnet. Das PZT wird zwischen typischerweise aus Edelmetallen gebildeten Elektroden angeordnet, unteren und oberen Anschlußelektroden. Die untere Elektrode wird direkt auf Siliziumdioxid oder einem anderen geeigneten Dielektrikum abgelagert. Wenn Pt (oder ein anderes Edelmetall) bei der Herstellung eines ferroelektrischen Kondensators verwendet wird, ist die Adhäsion an der Grenzfläche zwischen dem Pt oder anderen Edelmetallen und dem Dielektrikum nur gering. Falls die Adhäsion an dieser Grenzfläche gering ist, kann möglicherweise eine Delaminierung zwischen der Elektrode und dem Dielektrikum auftreten.
- Gegenwärtig besteht ein Ansatz zum Lösen dieses Adhäsionsproblems darin, Titan (Ti) oder Chrom (Cr) unter dem Pt als eine "Leim"-Schicht zu verwenden. Ti und Cr können jedoch ohne weiteres durch das Pt diffundieren. Falls Ti oder Cr durch das Pt diffundieren und die PZT-Grenzfläche erreichen können, werden das Ti oder Cr oxidiert und führen zu einer Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des Kondensators.
- Bei Verwendung herkömmlicher physikalischer Ablagerungstechniken neigt Pt typischerweise dazu, sich mit den Pt-(111)-Kristallebenen parallel zu den meisten Substraten auszurichten. Ungünstigerweise kann die Ausrichtung von Pt bei Verwendung dieser Methoden nicht verändert oder gesteuert werden. Daher besteht eine Beschränkung auf eine parallele Ausrichtung zum Substrat.
- Zusätzlich zu Pt sind andere Materialien zur Verwendung als Elektroden bei der Herstellung von ferroelektrischen Kondensatoren vorgeschlagen worden. Indiumzinnoxid (ITO) wird z.B. in der Literatur gemeinhin als eine mögliche Elektrode angeführt. Die Leitfähigkeit von ITO ist jedoch für eine Verwendung in integrierten Schaltungen zu gering. Ferner wird die Möglichkeit einer Epitaxie mit ITO in der Literatur nicht erwähnt. Aluminium ist ein weiteres Metall, welches als die obere Elektrode in einem ferroelektrischen Kondensator verwendet worden ist. Siehe Ramtron's EPO 404,295 (A1), wie oben. Aluminiumoxid kann sich in nachteilhafter Weise am PZT zu einer Aluminiumgrenzfläche bilden und eine beträchtliche Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften dünner Filme (weniger als ein Mikrometer) bewirken.
- Aus der US-A-4,149,301 ist ein Kondensatoraufbau bekannt, bei welchem eine Schicht eines ferroelektrischen Materials zwischen Elektrodenschichten aus einem Edelmetall oder einem leitenden Metalloxid angeordnet ist.
- Dementsprechend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Aufbau für einen ferroelektrischen Kondensator zu schaffen, welcher die Nachteile der Vorrichtungen des Stands der Technik überwindet.
- Die vorliegende Erfindung ist in den unabhängigen Ansprüchen 1, 12, 24 und 29 festgelegt und basiert auf der Verwendung von Schichten aus leitenden Oxiden mit Schichten eines Edelmetalls, um das Adhäsionsproblem an allen Oxidgrenzflächen in einem ferroelektrischen Kondensator zu lösen.
- Bei einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die erste Schicht des ferroelektrischen Kondensators eine Schicht eines Edelmetalls. Über der Schicht des Edelmetalls befindet sich eine Schicht eines leitenden Oxids. Über der Schicht des leitenden Oxids befindet sich ein ferroelektrisches Material (als Dielektrikum des Kondensators) . Über dem ferroelektrischen Material befinden sich eine weitere Schicht des leitenden Oxids und des Edelmetalls.
- Bei einer zweiten Ausführungsform umfaßt die erste Schicht des ferroelektrischen Kondensators eine Schicht eines leitenden Oxids. Diese erste Schicht kann auf einer Schicht aus gewachsenem SiO&sub2; ausgebildet werden. Über der Schicht des leitenden Oxids ist eine ein Edelmetall umfassende Schicht angeordnet. Zwischen der Grenzfläche des Edelmetalls und des leitenden Oxids findet eine gewisse Vermischung statt. Über dem Edelmetall befindet sich jedoch eine weitere Schicht des leitenden Oxids, um eine "Leim"-Schicht vorzusehen. Die "Leim"-Schicht gestattet es nur einem minimalen Vermischungsbetrag, sich durch die ferroelektrische Schicht zu erstrecken. Eine Vermischung an der Grenzfläche der ferroelektrischen Schicht ist nicht erwünscht, da diese Vermischung eine Verschlechterung des Ferroelektrikums bewirken kann. Die ferroelektrische Schicht befindet sich über der leitenden Oxidschicht. Die Schicht des leitenden Oxids bildet eine gute mechanische und elektrische Grenzfläche zu dem ferroelektrischen Material. Eine Edelmetallschicht zwischen den beiden leitenden Oxidschichten gibt diesem Kondensator die notwendige Leitfähigkeit, da diese Schichten als Durchverbindungen verwendet werden. Auf dem Ferroelektrikum befindet sich ein ähnlicher Aufbau mit einer Schicht eines leitenden Oxids, einer Schicht eines Edelmetalls und einer weiteren Schicht eines leitenden Oxids.
- Die vorliegende Erfindung ist ferner auf Verfahren zum Bilden eines ferroelektrischen Kondensators gerichtet. Die in den Ansprüchen 24 und 29 festgelegten Verfahren umfassen eine Anzahl von Schritten, worin eine Schicht eines der Materialien auf einer weiteren Schicht gebildet wird und die gebildete Schicht warmbehandelt wird.
- Die Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform bezieht sich auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen ähnliche Teile ähnliche Bezugszeichen aufweisen und in welchen:
- Figur 1 ein Querschnitt einer ersten Ausführungsform des ferroelektrischen Kondensators dieser Erfindung ist; und
- Figur 2 ein Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des ferroelektrischen Kondensators dieser Erfindung ist.
- Figur 1 zeigt die Verwendung von leitenden Oxidschichten bei einem Aufbau eines ferroelektrischen Kondensators gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Schicht eines Edelmetalls 10(a) umfaßt die erste Schicht des Aufbaus. Bei dieser Schicht könnten entweder Platin (Pt), Palladium (Pd) oder Gold (Au) als das Edelmetall verwendet werden. Bei der bevorzugten Ausführungsform ist das Edelmetall Pt. Über der Edelmetallschicht 10(a) ist dann eine Schicht 20(a) eines leitenden Oxids gebildet. Diese Schicht kann z.B. durch Ablagern gebildet werden. Das leitende Oxid könnte Indiumzinnoxid (ITO), Rutheniumoxid, Rheniumoxid oder eines der leitenden Perovskite sein, wobei ITO jedoch bevorzugt ist. Eine Schicht 30 von ferroelektrischem Material, z.B. Bleizirkonattitanat (PZT) ist z.B. über der leitenden Oxidschicht 20(a) gebildet und dient als das Dielektrikum des Kondensators. Es könnte ferner jede Variation von PZT als das Dielektrikum verwendet werden, welche mit einem Dotierungsmaterial, z.B. Lanthan (La), Zinn (Sn) oder Niob (Nb) erzeugt wird. Über der ferroelektrischen Schicht 30 werden dann eine weitere Schicht 20(b) eines leitenden Oxids und über der Schicht 20(b) des leitenden Oxids eine Schicht 10(b) eines Edelmetalls gebildet.
- Figur 2 zeigt eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Aufbau ist eine zusätzliche Schicht 20(c) eines leitenden Oxids über (und auf dem oberen Bereich) der zweiten Schicht 10(b) eines Edelmetalls gebildet. Ferner befindet sich eine Schicht 20(d) eines leitenden Oxids unter der ersten Schicht 10(a) des Edelmetalls.
- Aufgrund der Tatsache, daß die Schichten 20(a,b) des leitenden Oxids neben der ferroelektrischen Schicht 30 liegen, wirkt das leitende Oxid als die Leimschicht. Da diese Oxide ferner leid tend sind, verschlechtern sie die elektrischen Eigenschaften des Kondensators nicht, was im Falle von isolierenden Oxiden der Fall sein würde. Darüber hinaus ist es bei diesen Oxiden weniger wahrscheinlich, daß sie durch das Pt oder ein anderes Edelmetall diffundieren. Es ist wichtig, daß die leitenden Oxide mit einer Schicht eines weiteren Leiters zusammengebracht werden, da sie von sich aus keine genügend guten Leiter sind.
- Durch die Verwendung der Schicht 10(a,b) aus Pt, einem guten Leiter, wird das Problem jedoch gelöst.
- Jede Schicht 20(a,b,c,d) des leitenden Oxids weist vorzugsweise eine Dicke in dem Bereich von 20 nm bis 200 nm auf. Die Schicht des leitenden Oxids sollte so dick sein, daß sie ein kontinuierlicher Film ist. Sie kann jedoch nicht zu dick werden oder Intgritätsprobleme tauchen auf. Die Dicke jeder Schicht 10(a,b) des Edelmetalls ist vorzugsweise im Bereich von 50 nm bis 300 nm. Die ferroelektrische Schicht 30 weist vorzugsweise eine Dicke von 50 nm bis 1000 nm auf. Die spezielle Dicke der ferroelektrischen Schicht hängt von der gewünschten Koerzitivspannung ab. Es ist darüber hinaus für alle Schichten wünschenswert, daß die Dicke so dünn als möglich gehalten wird, um die Abmessungen des ferroelektrischen Kondensators zu minimieren.
- Ein weiterer Vorteil der Verwendung eines leitenden Oxids, z.B. ITO, besteht darin, daß bei einer Verwendung von ITO unmittelbar unterhalb von PZT die Gitterstruktur von ITO sehr gut mit den Gitterstrukturen von PZT und Pt zusammenpaßt. Deshalb kann ein epitaktisches Wachstum auftreten. Tabelle 1 zeigt einen Vergleich von Gitterkonstanten d von Pt, ITO und PZT. (hkl) bezeichnet die Miller-Indices der Kristallebenen. (111) bezeichnet z.B.: h = 1, k = 1, l = 1 TABELLE 1
- Wie im vorhergehenden besprochen, neigt Pt typischerweise dazu, sich derart auszurichten, daß die (111)-Kristallebene von Pt parallel zu den meisten Substraten ist. Die (111)-Ebene von Pt neigt z.B. dazu, sich parallel zu der Si-(100)-Ebene des Substrats auszurichten, wenn entweder gewachsene oder abgelagerte Siliziumoxide als das Substrat für Elektrodenschichten verwendet werden. Durch die Verwendung eines geeigneten Ablagerungsvorgangs jedoch, kann die (411)-Ebene der ITO-Schicht zur (111)-Ebene der Pt-Schicht ausgerichtet werden und dann die (111)-Ebene des PZT-Dielektrikums auf der (411)-Ebene der ITO- Schicht ausgerichtet werden. Dies sollte die elektrischen Kurz und Langzeiteigenschaften des Kondensatoraufbaus verbessern.
- Das bevorzugte Verfahren zum erfindungsgemäßen Bilden eines ferroelektrischen Kondensators wird durch eine Reihe von Bildungs- und Warmbehandlungsschritten erreicht. Die Schichten der vorliegenden Erfindung können z.B. durch Ablagerung gebildet werden. Für alle Schichten wird die Ablagerung bevorzugterweise durch einen Ionenclusterstrahl (ICB) durchgeführt. Durch die Verwendung eines Ionenclusterstrahls kann das Filmwachstum gesteuert werden, wodurch die Dichte verbessert wird und ferner die Steuerung der Ausrichtung ermöglicht wird. Dies gibt dem ferroelektrischen Kondensator sehr gute elektrische Eigenschaften, worin sowohl das anfängliche Schalten als auch die Langzeitzuverlässigkeit umfaßt sind. Andere Sputtern, Aufdampfen, Molekularstrahlepitaxie und Ionenplattierung umfassende Ablagerungsverfahren können für einige oder alle Schichten verwendet werden. Die Molekularstrahlepitaxie oder die Ionenplattierung werden gegenüber dem Sputtern und Aufdampfen bevorzugt, da die Epitaxie bei Molekularstrahlpitaxie oder Ionenplattierung nicht jedoch beim Sputtern oder Aufdampfen möglich ist. Es wird bevorzugt, daß die Ablagerung in situ erfolgt. Es ist jedoch auch möglich, die Schichten in gesonderten Auspumpschritten abzulagern, falls die geeigneten Reinigungsvorgänge durchgeführt werden.
- Ein typischer in situ Ablagerungsvorgang für die erste Ausführungsform unter Verwendung von ICB findet bei einer Beschleunigungsspannung (Vm) im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 6,0 kV, einem Ionisierungsstrom (Ic) im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 200 mA und einer Substrattemperatur im Bereich von ungefähr 25 bis ungefähr 900ºC statt. Der bevorzugte Ablagerungsvorgang für den Aufbau der ersten Ausführungsform ist wie folgt
- (1) Ablagern einer Schicht 10(a) eines Edelmetalls unter Verwendung von für das Steuern der Ausrichtung optimierter Beschleunigungsspannung (Vm), Ionisierungsstrom (Ic) und Substrattemperatur;
- (2) Warmbehandeln der Schicht des Edelmetalls, wie erforderlich;
- (3) Ablagern einer Schicht 20(a) von leitendem Oxid unter Verwendung für das Steuern der Ausrichtung optimierter Vm, Ic und Substrattemperatur;
- (4) Warmbehandeln der Schicht des leitenden Oxids, wie erforderlich;
- (5) Ablagern einer ferroelektrischen Schicht 30 mit für eine Ausrichtung optimierter Vm, Ic und Substrattemperatur und umgebenden Ozongas;
- (6) Warmbehandeln der ferroelektrischen Schicht, wie erforderlich;
- (7) Ablagern einer weiteren Schicht 20(b) von leitenden Oxid mit optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur und Warmbehandeln der Schicht, wie erforderlich; und
- (8) Ablagern einer weiteren Schicht des Edelmetalls mit optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur und Warmbehandeln der Schicht, wie erforderlich. Dies alles erfolgt vorzugsweise in einem einzigen Abpumpen.
- Ein typischer in situ Ablagerungsvorgang für die zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von ICB findet bei einer Beschleunigungsspannung (Vm) im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 6,0 kV, einem Ionisierungsstrom (Ic) im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 200 mA und einer Substrattenperatur im Bereich von ungefähr 25 bis ungefähr 900ºC statt. Der bevorzugte Ablagerungsvorgang für den Aufbau der zweiten Ausführungsform ist wie folgt:
- (1) Ablagern einer Schicht 20(d) eines leitenden Oxids unter Verwendung von für das Steuern der Ausrichtung optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur;
- (2) Warmbehandeln der Schicht des leitenden Oxids in situ, wie erforderlich;
- (3) Ablagern einer Schicht 10(a) eines Edelmetalls unter Verwendung für das Steuern der Ausrichtung optimierter Vm, Ic und Substrattemperatur ohne Unterbrechung des Vakuums;
- (4) Warmbehandeln der Schicht des Edelmetalls, wie erforderlich;
- (5) Ablagern einer weiteren Schicht 20(a) von leitenden Oxid unter Verwendung einer Optimierung von Vm, Ic und Substrattemperatur;
- (6) Warmbehandeln der Schicht des leitenden Oxids, wie erforderlich;
- (7) Ablagern einer ferroelektrischen Schicht 30 mit für die Ausrichtung optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur und umgebenden Ozongas;
- (8) Warmbehandeln der ferroelektrischen Schicht, wie erforderlich;
- (9) Ablagern einer weiteren Schicht 20(b) von leitenden Oxid mit optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur und Warmbehandeln der Schicht, wie erforderlich;
- (10) Ablagern einer weiteren Schicht 10(b) des Edelmetalls mit optimierten Vm, Ic und Substrattemperatur und Warmbehandeln der Schicht, wie erforderlich; und
- (11) Ablagern einer weiteren Schicht 20(c) des leitenden Oxids mit optimierten Vm und Ic und Substrattemperatur und Warmbehandeln, wie erforderlich. Dies alles erfolgt vorzugsweise in einen einzigen Abpumpen.
- Es ist zu bevorzugen, daß alle Schichten in situ abgelagert werden. Dies gibt eine bessere Steuerung der Grenzflächen und minimiert die Grenzflächen. Bei einigen Schritten ist es besonders vorteilhaft, die Unterbrechung des Vakuums zu vermeiden. Falls z.B. das leitende Oxid und das ferroelektrische Material in einem einzigen Schritt ohne Unterbrechung des Vakuums abgelagert werden können, wird die Grenzfläche minimiert und Verunreinigungen werden ausgeschlossen. In einigen Fällen jedoch ist es nicht möglich, alle Schichten in situ abzulagern. Die Schichten können dann in mehreren Abpumpschritten abgelagert werden, wenn die geeigneten Reinigungsvorgänge verwendet werden.
- Diese Beschreibung dient ausschließlich erläuternden Zwecken und bezweckt keine Beschränkung der in den folgenden Ansprüchen festgelegten Erfindung.
Claims (33)
1. Ferroelektrischer Kondensator mit einer ersten Schicht
(10a) eines Edelmetalls, einer zweiten Schicht (20a) eines
leitenden Oxids über der ersten Schicht, einer dritten
Schicht (30) eines ferroelektrischen Materials über der
zweiten Schicht, einer vierten Schicht (20b) eines
leitenden Oxids über der dritten Schicht und einer fünften
Schicht (10b) eines Edelmetalls über der vierten Schicht.
2. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die fünfte
Schicht eine Dicke von 50 nm bis 300 nm aufweisen.
3. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite und die vierte
Schicht eine Dicke von 20 nm bis 200 nm aufweisen.
4. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schicht eine Dicke
von 50 nm bis 1000 nm aufweist.
5. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall ein Element aus
der Platin, Palladium und Gold enthaltenden Gruppe umfaßt.
6. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall Platin umfaßt.
7. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das ferroelektrische Material
Bleizirkonattitanat ist.
8. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 7, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Bleizirkonattitanat ein
Dotierungsmaterial aus der Lanthan, Zinn und Niob
enthaltenden Gruppe umfaßt.
9. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Oxid ein Oxid aus
der Indiumzinnoxid, Rutheniumoxid und Rheniumoxid
enthaltenden Gruppe umfaßt.
10. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Oxide
Indiumzinnoxid umfassen.
11. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 1, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß sich die Schichten in Kontakt
miteinander befinden.
12. Ferroelektrischer Kondensator mit einer ersten Schicht
(20d) eines leitenden Oxids, einer zweiten Schicht (10a)
eines Edelmetalls über der ersten Schicht, einer dritten
Schicht (20a) eines leitenden Oxids über der zweiten
Schicht, einer vierten Schicht (30) eines
ferroelektrischen Materials über der dritten Schicht, einer fünften
Schicht (20b) eines leitenden Oxids über der vierten
Schicht, einer sechsten Schicht (10b) eines Edelmetalls
über der fünften Schicht und einer siebenten Schicht (20c)
eines leitenden Oxids über der sechsten Schicht.
13. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht auf einer
SiO&sub2;-Schicht aufgewachsen ist.
14. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die erste, dritte, fünfte und
siebente Schicht eine Dicke von 20 nm bis 200 nm
aufweisen.
15. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite und die sechste
Schicht eine Dicke von 50 nm bis 300 nm aufweisen.
16. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Schicht eine Dicke
von 50 nm bis 1000 nn aufweist.
17. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall ein Element aus
der Platin, Palladium und Gold enthaltenden Gruppe umfaßt.
18. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall Platin umfaßt.
19. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das ferroelektrische Material
Bleizirkonattitanat ist.
20. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 19, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das Bleizirkonattitanat ein
Dotierungsmaterial aus der Lanthan, Zinn und Niob
enthaltenden Gruppe umfaßt.
21. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Oxid ein Oxid aus
der Indiumzinnoxid, Rutheniumoxid und Rheniumoxid
enthaltenden Gruppe umfaßt.
22. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Oxide
Indiumzinnoxid umfaßt.
23. Ferroelektrischer Kondensator nach Anspruch 12, ferner
dadurch gekennzeichnet, daß sich die Schichten in Kontakt
miteinander befinden.
24. Verfahren zum Bilden eines ferroelektrischen Kondensators
mit den Schritten Erzeugen einer ersten Schicht (10a)
eines Edelmetalls, Warmbehandeln des Edelmetalls, Erzeugen
einer zweiten Schicht (20a) eines leitenden Oxids über der
ersten Schicht, Warmbehandeln des leitenden Oxids,
Erzeugen einer dritten Schicht (30) eines ferroelektrischen
Materials über der zweiten Schicht, Warmbehandeln der
dritten Schicht, Erzeugen einer vierten Schicht (20b)
eines leitenden Oxids über der dritten Schicht,
Warmbehandeln des leitenden Oxids, Erzeugen einer fünften
Schicht (10b) eines Edelmetalls über der vierten Schicht
und Warmbehandeln des Edelmetalls.
25. Verfahren nach Anspruch 24, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten durch Ablagern erzeugt werden.
26. Verfahren nach Anspruch 25, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten in situ abgelagert werden.
27. Verfahren nach Anspruch 25, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten durch einen Ionenclusterstrahl
abgelagert werden.
28. Verfahren nach Anspruch 25, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten mit einer Beschleunigungsspannung in
Bereich von 0 bis 6,0 kV, einem Ionisierungsstrom im
Bereich von 0 bis 200 mA und einer Substrattemperatur im
Bereich von 25 bis 900ºC abgelagert werden.
29. Verfahren zum Bilden eines ferroelektrischen Kondensators
mit den Schritten Erzeugen einer ersten Schicht (20d)
eines leitenden Oxids, Warmbehandeln des leitenden Oxids,
Erzeugen einer zweiten Schicht (10a) eines Edelmetalls
über der ersten Schicht, Warnbehandeln des Edelmetalls,
Erzeugen einer dritten Schicht (20a) eines leitenden Oxids
über der zweiten Schicht, Warmbehandeln der dritten
Schicht, Erzeugen einer vierten Schicht (30) eines
ferroelektrischen Materials über der dritten Schicht,
Warmbehandeln des ferroelektrischen Materials, Erzeugen einer
fünften Schicht (20b) eines leitenden Oxids über der
vierten Schicht, Warmbehandeln des leitenden Oxids,
Erzeugen einer sechsten Schicht (10b) eines Edelmetalls über
der fünften Schicht, Warmbehandeln der sechsten Schicht,
Erzeugen einer siebenten Schicht (20c) eines leitenden
Oxids über der sechsten Schicht und Warmbehandeln des
leitenden Oxids.
30. Verfahren nach Anspruch 29, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten durch Ablagern erzeugt werden.
31. Verfahren nach Anspruch 30, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten in situ abgelagert werden.
32. Verfahren nach Anspruch 30, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten durch einen Ionenclusterstrahl
abgelagert werden.
33. Verfahren nach Anspruch 30, ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten mit einer Beschleunigungsspannung im
Bereich von 0 bis 6,0 kV, einem Ionisierungsstrom im
Bereich von 0 bis 200 mA und einer Substrattemperatur im
Bereich von 25 bis 900ºC abgelagert werden.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/714,682 US5142437A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69203395D1 DE69203395D1 (de) | 1995-08-17 |
| DE69203395T2 true DE69203395T2 (de) | 1995-12-21 |
Family
ID=24871042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69203395T Expired - Fee Related DE69203395T2 (de) | 1991-06-13 | 1992-05-26 | Leitende Elektrodenschichten für ferroelektrische Kondensatoren in integrierten Schaltungen und Methode. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5142437A (de) |
| EP (1) | EP0518117B1 (de) |
| JP (1) | JP3275335B2 (de) |
| DE (1) | DE69203395T2 (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
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- 1991-12-11 JP JP32776791A patent/JP3275335B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-05-26 EP EP92108819A patent/EP0518117B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-26 DE DE69203395T patent/DE69203395T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0518117A1 (de) | 1992-12-16 |
| DE69203395D1 (de) | 1995-08-17 |
| JPH04367211A (ja) | 1992-12-18 |
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| JP3275335B2 (ja) | 2002-04-15 |
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