DE69021809T2 - Verfahren zur herstellung keramischer kondensatoren mit varistor-kennzeichen. - Google Patents
Verfahren zur herstellung keramischer kondensatoren mit varistor-kennzeichen.Info
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Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit Varistor-Eigenschaften, der in elektronischen Einrichtungen od. dgl. verwendet wird.
- Es ist bekannt, daß ein Kondensatorbauelement mit einer im Vergleich zu einem herkömmlichen keramischen Dielektrikum sehr hohen scheinbaren dielektrischen Konstanten durch Isolation der kristallinen Korngrenzen in einem keramischen Oxid-Halbleiter wie SrTiO&sub3; hergestellt werden kann. Es ist ferner bekannt, daß ein Varistor, in dem der Strom bei einer Schwellenspannung plötzlich ansteigt dadurch gewonnen werden kann, daß Elektroden auf dem Bauelement angeordnet werden. Derartige Bauelemente werden in Schaltungen elektronischer Einrichtungen häufig eingesetzt, um Rauschen zu unterdrücken. Das bedeutet, daß der geringe Rauschpegel des Bauelements bei der Anwendung in einer Schaltung als Kondensator von Vorteil ist, während es gleichzeitig als Varistor zur Unterdrückung hoher Stoßströme verwendet werden kann Vergleichbare keramische Kondensatoren und ihre Herstellungsverfahren sind aus der EP-A-0 255 072 and aus der EP-A-0 157 276 bekannt.
- Stoffe mit hoher scheinbarer dielektrischen Konstante von 2000 bis 100 000 werden z.B. als Stoffe für Kondensatoren vom Korngrenzen-Typ verwendet und durch folgende Schritte erhalten; Diffundieren von Kupferoxid (CuO) und Wismuttrioxid (Bi&sub2;O&sub3;) aus der Oberfläche eines gesinterten Körpers heraus in die Korngrenze eines polykristallinen keramischen Halbleiters, der hauptsächlich aus SrTiO&sub3; besteht und durch Hinzufügen von Nb&sub2;O&sub5; und einer TiO&sub2;- Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Mischung gebildet und in einer reduzierenden Atmosphäre gesintert wird, und Bildung einer Verarmungsrandschicht an den kristallinen Korngrenzen. Die Funktionen von CuO und Bi&sub2;O&sub3;, die im herkömmlichen Herstellungsverfahren oft als Diffusionsstoffe verwendet werden, sind die folgenden: CuO, das genügend Sauerstoff beinhaltet, bildet eine Elektronenfalle in den kristallinen Korngrenzen des gesinterten Körpers und fängt Elektronen ein, die sich in der Nähe der kristallinen Korngrenzen des n-Halbleiters SrTiO&sub3; befinden, wodurch eine Verarmungsrandschicht an der Korngrenze erzeugt wird, in der sich keine Elektronen befinden. Ein Kondensator setzt sich aus den Stoffen eines keramischen Kondensators vom Korngrenzen-Typ zusammen, wobei er elektrische Ladungen auf beiden Seiten der so gebildeten und isolierten Verarmungsrandschicht aufnimmt.
- Andererseits ist es bekannt, daß Varistor-Eigenschaften, bei denen der Strom bei der Schwellenspannung plötzlich ansteigt, dann auftauchen, wenn Natriumoxid od. dgl. zu dem diffundierten Stoff Bi&sub2;O&sub3; hinzugefügt wird. Diese Schwellenspannung wird auch Varistor-Spannung genannt und ist als die Spannung definiert, bei der ein Strom von 1mA durch das Varistorelement fließt, wenn eine Spannung angelegt wird.
- Unter den Stoffen des vorgenannten keramischen Kondensators vom Korngrenzen-Typ, ist die scheinbare dielektrische Konstante des gesinterten Körpers ungefähr gleich dem Wert, der sich ergibt, wenn die dielektrische Konstante von SrTiO&sub3; (ungefähr 200) mit dem Verhältnis des Korndurchmessers von SrTiO&sub3; des gesinterten Körpers zu der Dicke der erwähnten Verarmungsrandschicht an der Korngrenze (Korndurchmesser/Dicke der Verarmungsrandschicht an der Korngrenze) multipliziert wird. Eine typische Dicke der Verarmungsrandschicht an der Korngrenze des gesinterten SrTiO&sub3;-Körpers beträgt ungefähr 0.2 um. Die Standardwerte der scheinbaren dielektrischen Konstante betragen 2000, 20 000 und 200 000 und entsprechen damit Korndurchmessern des gesinterten SrTiO&sub3;-Körpers von 2 um, 20 um bzw. 200 um.
- Bi&sub2;O&sub3;, das zur Schwellenbildung in der Korngrenze hinzugefügt wird, ist als guter Sauerstoffleiter bekannt, wenn Bi&sub2;O&sub3; als β-Bi&sub2;O&sub3; und δ-Bi&sub2;O&sub3;-Phase vorliegt. Wenn die Oberfläche eines gesinterten Körpers mit Bi&sub2;O&sub3; beschichtet und wärmebehandelt wird, wird zuerst Bi&sub2;O&sub3; entlang der Korngrenze des gesinterten Körpers diffundiert, und anschließend wird Sauerstoff durch Diffusion von der Außenseite zur Innenseite des gesinterten Körpers entlang von in der Korngrenze vorhandenem Bi&sub2;O&sub3;. Bi&sub2;O&sub3; bewirkt daß zur Bildung der Verarmungsrandschicht an der Korngrenze genügend Sauerstoff zugeführt wird. Dieser keramische Varistor vom Korngrenzen-Typ mit hoher elektrostatischer Kapazität entfaltet ausgezeichnete elektrostatische Kapazitäts- und Temperatureigenschaften und eröffnet einen weiten Anwendungsbereich auf industriellem Gebiet.
- Der vorgenannte keramische Kondensator mit hoher elektrostatischer Kapazitat vom Korngrenzen Typ wird durch die folgenden Verfahrensschritte hergestellt; Zunächst wird ein Grund- Sintern bei hoher Temperatur durchgeführt, um die kristallinen Körner im gesinterten Körper so groß wie möglich zu machen; der gesinterte Körper wird mit pastösem, Natriumoxid enthaltenden Kupferoxid und Wismuttrioxid etc. ummantelt, woraufhin eine Wärmebehandlung erfolgt, um die Oxide wie Bi&sub2;O&sub3;, CuO, NaO in den inneren Bereich des gesinterten Körpers zu diffundieren und ihn zu oxidieren.
- Wenn ein keramischer Kondensator mit Varistor-Eigenschaften mit hoher Kapazität durch das oben genannte Verfahren hergestellt wird, ist es erforderlich, daß während des Vorgangs Bi&sub2;O&sub3;, Na&sub2;O und CuO od. dgl. gleichmäßig aus der Oberfläche des gesinterten Körpers in den inneren Bereich desselben diffundiert wird, wie in der EP-A-0 255 072 beschrieben ist. Ungleichmäßiges Ummanteln der diffundierten Stoffe od. dgl. neigt dazu, Abweichungen in den Eigenschaften hervorzurufen; weiter ist es schwierig, genug Bi&sub2;O&sub3;, Na&sub2;O und CuO od. dgl. in den inneren Bereich des gesinterten Körpers zu diffundieren, wenn dieser dick ist, was Probleme wie eine Beschränkung hinsichtlich der Gröβe des Bauelements verursacht.
- Zusätzlich ist es bei keramischen Varistoren vom Korngrenzen-Typ mit großer elektrostatischer Kapazität elektrisch notwendig, gleichmäßige und stabile Eigenschaften gegen hohe Spannungsstöße zu haben, was wiederum eine gleichmäßige Stoffzusammensetzung erfordert.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit Varistor-Eigenschaften anzugeben, der diese Probleme löst.
- Ein keramischer Kondensator mit Varistor-Eigenschaften gemäß der vorliegenden Erfindung, der die vorstehenden Probleme löst, wird mit dem Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellt. Mit anderen Worten: Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt die Schritte des Hinzufügens eines Sinterbeschleunigers, eines Halbleitungsbeschleunigers, eines Kontrollagens und eines Bildungsmittels zu einem Oxidpulver vom Pervoskit-Typ, das SrTiO&sub3; als Hauptkomponente aufweist, Mischen und Formen, gefolgt von Sintern zu einem porösen Körper; Halbleitendmachen durch Reduktion und Diffusion von Sauerstoff und Oxidieren des Bildungsmittels zur Ausbildung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in der oxidierenden Atmosphäre, um eine Barriere in der Korngrenze und Elektroden zu bilden, wobei der Sinterbeschleuniger bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, wobei der Halbleitungsbeschleuniger mit Oxiden vom Pervoskit-Typ eine feste Lösung bilden kann, wobei das Kontrollagens das Kornwachstum beim Porensintern steuert, und wobei das Bildungsmittel ebenfalls als Kontrollagens zur Steuerung der Kornwachstums dient.
- Wie oben erwähnt wurde ein Kondensator in einem herkömmlichen Verfahren dadurch hergestellt daß die äußere Fläche des gesinterten Körpers, die mit Bi&sub2;O&sub3; od. dgl. halbleitend gemacht wurde, ummantelt wurde daß der gesinterte Körper in der oxidierenden Atmosphäre wärmebehandelt wurde, um Bi&sub2;O&sub3; und Sauerstoff in den gesamten körper hinein zu diffundieren, und daß die kristallinen Korngrenzen oxidiert wurden, um eine Verarmungsrandschicht an der Korngrenze zu bilden. Demgegenüber ist es das Merkmal der vorliegenden Erfindung, einen Kondensator durch ein spezielles Sinterverfahren herzustellen, bei dem feine Poren entlang des Tripelpunktes des Kristallites in dem gesinterten Körper gebildet werden und bei dem während der Wärmebehandlung in der oxidierenden Atmosphäre Sauerstoff entlang der Poren diffundiert, um die Korngrenzen zu oxidieren und eine Verarmungsrandschicht auszubilden.
- Einer der wichtigen Punkte der vorliegenden Erfindung ist es, feine Poren entlang des Tripelpunktes des Kristallites zu bilden, was durch feines Zusammenwirken des Sinterbeschleunigers und des Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums ermöglicht wird.
- Wie oben erwähnt kann mit dem Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ein gleichmäßiger poröser Körper ohne komplizierte Verfahren des Ummantelns und Diffundierens von Bi&sub2;O&sub3; od. dgl. hergestellt werden und weiter unterliegt der poröse Körper nicht irgendeiner bestimmten Beschränkung hinsichtlich seiner Größe.
- Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungsfiguren erläutert, die folgendes zeigen:
- Figur 1 ist ein schematisches Diagramm, das einen laminierten keramischen Kondensator mit Varistor-Eigenschaften gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt und Figur 2 ist ein schematisches Diagramm eines laminierten keramischen Kondensators mit Varistor-Eigenschaften gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- Die vorliegende Erfindung wird nun in groben Zügen beschrieben.
- Ein Sinterbeschleuniger, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, ein Halbleitungsbeschleuniger, der mit den Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, ein Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums beim Porensintern und ein Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, werden zu einem Oxidpulver vom Pervoskit-Typ, das als Hauptkomponente SrTiO&sub3; aufweist, hinzugefügt und gemischt und anschließend unter Druck geformt. Wenn es zur Reduktion an der Luft kalziniert oder in einer reduzierenden Atmosphäre bei hoher Temperatur gesintert wird, beschleunigt der Sinterbeschleuniger, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, die Reaktion zwischen dem Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, dem Halbleitungsbeschleuniger und dem Oxidpulver vom Pervoskit-Typ, das als Hauptkomponente SrTiO&sub3; aufweist, um eine feste Lösung dazwischen auszubilden. Das Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums steuert das Wachstum der Kristalle und macht den gesinterten Körper porös. Die SrTiO&sub3;-Hauptkomponentenphase verliert etwas Sauerstoff durch die Reduktion und wird zu einem n-halbleitenden Stoff, der mit einem Sinterbeschleuniger reagiert.
- Wenn der so erhaltene gesinterte Körper in der oxidierenden Atmosphäre wärmebehandelt wird, diffundiert der Sauerstoff frei in die feinen Poren, die an den Stellen in der Korngrenze ausgebildet worden sind, an denen drei Körner zusammenstoßen. Kupfer, Mangan, Kobalt od. dgl. enthaltende Oxide, die an den kristallinen Korngrenzen abgelagert worden sind, werden durch dorthin gelangenden Sauerstoff weiter oxidiert. Als Folge davon werden Elektronenfallen, die als Hauptkomponente Kupferoxid, Manganoxid, Kobaltoxid od. dgl. aufweisen, in der Korngrenze ausgebildet. Diese Elektronenfallen fangen Elektronen der Körnern ein, die durch die Reduktion in dem n-halbleitenden SrTiO&sub3; mit niedrigem Widerstand gebildet worden sind, wodurch eine an Ladungsträgern verarmte Schicht entlang der Korngrenzen gebildet wird. Die so erhaltene Verarmungsschicht weist hervorragende Isoliereigenschaften auf und man erhält einen Kondensator mit hoher Kapazität und mit Varistor-Eigenschaften, wenn eine Spannung an den gesinterten Körper angelegt wird und beide Seiten der isolierten Verarmungsschicht mit elektrischen Ladungen geladen wird. Dieses Herstellungsverfahren erfordert nicht den Vorgang des Ummantelns und Diffundierens von CuO, Bi&sub2;O&sub3; od. dgl. nachdem der gesinterte Körper halbleitend gemacht worden ist, so daß ein keramischer Kondensator mit Varistor- Eigenschaften sogleich bereitgestellt wird.
- Figur 1 ist ein schematisches Diagramm, das einen laminierten keramischen Kondensator mit Varistor-Eigenschaften gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt und einen keramischen Kondensator 1 mit Varistor-Eigenschaften, innere Elektroden 2 und eine äußere Elektroden 3 umfaßt. Figur 2 ist ein schematisches Diagramm eines keramischen Kondensators mit Varistor-Eigenschaften gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und umfaßt einen keramischen Kondensator 4 mit Varistor-Eigenschaften mit hoher Kapazität, eine Elektrode 5 und eine Führungsleitung 6.
- Die einzelnen Ausführungen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden näher beschrieben:
- Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;), das durch Pyrolysieren von Strontiumtitanyloxalat (SrTiO(C&sub2;O&sub4;)&sub2; 4H&sub2;O) erhalten wurde, wurde der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.- %-Verhältnis 20:30:45) von 0.05 bis 6.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, der Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; von 0.02 bis 3.0 Gew.-%, der mit den Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, der Festelektrolyt ZrO&sub2; in einer Menge von 0.05 bis 12.0 Gew.-%, der den Sauerstoff gut leitet und der als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (von 0.1 bis 6.0 Gew.-%) zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand zermahlen und getrocknet, granuliert und geformt und bei 1300º C an der Luft gesintert. Anschließend wurde es in nassem Zustand wieder zermahlen und unter Verwendung von Harz und organischen Lösungen zu einer Paste geformt, aus der eine Platte gebildet wurde, auf diese wurde eine Platinpaste als innere Elektroden laminiert, bei 1400º C an der Luft gesintert, gefolgt von Wasserstoffreduktion bei 1300º C und einer Wärmebehandlung bei 950º C an der Luft. Schließlich wurden die Elektroden in der Weise eingerichtet, däß die inneren mit den äußeren verbunden wurden, wodurch ein laminierter keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 1 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 1 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.-%-Verhältnis 20:30:45) wurde aus handelsüblichem TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Pulver durch Abwiegen im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde aus durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO od. dgl., Kalzinieren bei 1000º C und Mählen erhalten. Die Größe des Varistors nach dem Sintern war ungefähr 4 mm im Quadrat, ungefähr 0.6 mm dick und bestand aus 8 Schichten Dielektrikum, wobei jede Schicht ungefähr 80 um dick war. Die scheinbare dielektrische Konstante ε wurde aus dem Wert der Kapazität (Messung bei 1 kHz) des laminierten Varistors errechnet. Der Korndurchmesser im gesinterten Körper wurde nach dem Polieren unter einem optischen Mikroskop durch Untersuchen eines Querschnitts ermittelt, wobei der Oberfläche Bi&sub2;O&sub3; aus der Metallseifenreihe hinzugefügt wurde, und er bei 1000º C wärmebehandelt wurde, um die Korngrenze deutlicher hervortreten zu lassen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 1 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 0.5 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0.2 bis 4.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums und des Sinterns dient, erhalten wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit einem gleichbleibenden Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend und ungefähr 7 um dick, wobei der dielektrische Verlust 2 % oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 7000 oder mehr betrug. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor eingesetzten Stoffe betrug 300 bis 500 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α liegt bei 10 oder mehr in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Sobald die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5 % überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Sinterbeschleuniger in einer Menge von 1.0 Gew.-% aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der TiO&sub2;-MnO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.- %-Verhältnis von 10:50:40) und der TiO&sub2;-A1&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%- Verhältnis von 20:30:45), die bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bilden, der Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.04 Gew.-%, der mit Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, der Festelektrolyt ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, der den Sauerstoff gut leitet und der als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0.4 bis 3.0 Gew.-% zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurden handelsublichem Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, hinterher getrocknet, granuliert und zu einer Art Platte geformt, dann bei 1380º C in reduzierender Atmosphäre, die sich aus 95% Stickstoff und 5% Wasserstoff zusammensetzte, gesintert. Sie wurde an der Luft bei 950º C wärmebehandelt und es wurden Silberelektroden auf beiden Seite der Platte eingesetzt, womit das Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften abgeschlossen war. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt. Die Serie der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde dadurch erhalten, däß handelsübliches TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver in einem vorbestimmten Verhältnis abgewogen, gemischt, bei 1200º C kalziniert und gemahlen wurde. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zum Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Kalzinieren bei 900º C und Mählen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 2 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 0.8 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 0.4 bis 3.0 Gew.-% erhalten wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 1 verwendeten Stoffe.
- Einer Menge von 3.0 Gew.-% eines Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. im Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), die bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bilden, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in eine Menge von 1.5 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und dem Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurden handelsublichem Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, hinterher getrocknet, granuliert, geformt und bei 1380º C in einer reduzierenden Atmosphäre bestehend aus 95% Stickstoff und 5% Wasserstoff gesintert. Bei 1050º C wurde es an der Luft wärmebehandelt und es Elektroden geformt, wodurch ein keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 3 dargestellt. Der aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehende Sinterbeschleuniger (in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde dadurch erhalten, daß handelsübliches TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver in dem vorbestimmten Gewichtsverhältnis gemischt, bei 1200º C kalziniert und gemahlen wurde. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 3 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch das Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 1.5 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 2.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 1 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde gemäß dem in Beispiel 1 dargestellten Verfahren einschließlich der Herstellungsverfahren der anderen Stoffe wie z.B. des Sinterbeschleunigers od. dgl. hergestellt, mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 0.6 Gew.- %) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3;, (0.1 bis 0.6 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze verwendet wurde, dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCo&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 4 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 0.5 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, erhalten wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, und der Korndurchmesser betrug ungefähr 6.0 bis 7.0 um, der dielektrische Verlust betrug 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante betrug 7000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der Stoffe als Varistor betrug 350 bis 500 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des beigefügten Sinterbeschleuniger 5% überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde gemäß dem in Beispiel 2 dargestellten Verfahren einschließlich der Herstellungsverfahren der anderen Stoffe wie z.B. des Sinterbeschleunigers od. dgl. hergestellt, mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.- %) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze verwendet wurde, dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 5 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und elektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 4 verwendeten Stoffe.
- Anstelle von 2.0 Gew.-% des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 3 wurden 2.0 Gew.-% des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 6 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 6 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 2.0 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 2.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 4 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 8.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 7 aufgeführt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 7 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;- Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Co1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0.2 bis 6.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit hoher elektrostatischer Kapazität. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, wobei der mittlere Korndurchmesser ungefähr 8 um, der dielektrische Verlust 3% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 800000 oder mehr betrug. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der Stoffe, die als Varistor verwendet wurden, betrug 300 bis 400 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Sobald die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfähren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 8 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 8 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.- %, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 7 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel Sr0,6Ba0.2Ca0.2(Co1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Co1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von industriellem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3, und ihre dielektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 9 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 9 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 1.5 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.- % erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diese Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 7 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/3Ta2/3O&sub3; (0.1 bis 8.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 10 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CoO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 10 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-AL&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 7.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, der mittlere Korndurchmesser betrug ungefähr 7.0 bis 8.0 um, der elektrische Verlust 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 7000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe lag bei 300 bis 400 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag bei den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA bis V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Sobald die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% übersteigt, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; (0.4 bis 6.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 11 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 11 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 6.0 Gew.- %, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität genutzt werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 10 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Co1/3Ta2/3)O&sub3; oder das Bildungsmittel Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Co1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und CoO, Sintern bei 900º C und Mählen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 12 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 12 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in eine Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2;, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 10 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel Sr (Cu1/3W2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 13 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3W2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3; und CoO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 13 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger-TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher elektrostatischer Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, der mittlere Korndurchmesser betrug ungefähr 5.0 bis 6.0 um, der dielektrische Verlust 2.0% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 5500 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe lag bei 450 bis 650 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA bis V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Sobald die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 14 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2;, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 8.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 13 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/2W1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, WO&sub2; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren gemessen in Beispiel 3. Die Ergebnisse sind in Tabelle 15 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 15 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2;, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht and der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistorund dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 13 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; (0.1 bis 7.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 16 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3;, und CoO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 16 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.- %, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, der mittlere Korndurchmesser betrug ungefähr 4.5 bis 5.5 um, der dielektrische Verlust 2% und die scheinbare dielektrische Konstante 5000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 500 bis 700 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA bis V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Sobald die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so däß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 17 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/3W2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 17 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger-TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.- %, einem Festelektrolyten ZrO&sub2;, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 16 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Co1/2W1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, WO&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3, und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 18 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 18 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2;, der auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistorund dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 16 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Das Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 19 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3;, und CoO, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 19 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger-TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-% zu erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopische Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, der mittlere Korndurchmesser betrug ungefähr 9.0 bis 10 um, der dielektrische Verlust 5% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 10000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe lag bei 250 bis 350 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α betrug in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandskoeffizienten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazitat wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so däß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 20 aufgeführt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/2Mo1/2)0&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 20 hervorgeht besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.- %, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 19 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Co1/2Mo1/2)O&sub3; oder das Bildungsmittel Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Co1/2Mo1/2)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch das Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Mo&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 21 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 21 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 1.5 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-%, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher elektrischer Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 19 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 1 wurde das Bildungsmittel SrO l/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; (0.1 bis 10.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 1 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 22 dargestellt. Das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3; und MnCO&sub3;, Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 22 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 10.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit einem gleichbleibenden Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, der mittlere Korndurchmesser betrug ungefähr 9.0 bis 10.5 um, der dielektrische Verlust 3.0% oder weniger und die dielektrische Konstante 10000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 300 bis 400 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α lag in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA bis V0.1 mA bei 10 oder mehr. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der gesinterte Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze gemäß Beispiel 2 wurde das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; (0.4 bis 6.0 Gew.-%) hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 2 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 2 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 23 dargestellt. Das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3; und MnCO&sub3;, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 23 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 0.2 bis 8.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 6.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 22 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 3 wurde das Bildungsmittel 0.8SrO 0.1BaO.0.1CaO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; oder 0.6SrO 0.2BaO 0.2CaO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, MoO&sub3; und MnCO&sub3;, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 3 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 24 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 24 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, einem Halbleitungsbeschleuniger in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten ZrO&sub2; in einer Menge von 1.5 Gew.-%, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und dem Bildungsmittel 0.8SrO 0.1BaO 0.1CaO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; oder 0.6SrO 0.2BaO 0.2CaO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 22 verwendeten Stoffe.
- Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;), das durch Pyrolysieren von Strontiumtitanyloxalat (SrTiO(C&sub2;O&sub4;)&sub2; 4H&sub2;O) erhalten wurde, wurde einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.-%-Verhältnis von 20:35:45), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 0.05 bis 6.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5;, der mit Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.02 bis 3.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.05 bis 4.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert und geformt und bei 1300º C an der Luft gesintert. Anschließend wurde es in nassem Zustand wieder zermahlen, unter Verwendung von Harz und organischen Lösungen zu einer Platte geformt, auf diese wurde eine Platinpaste als innere Elektroden laminiert, bei 1400º C an der Luft gesintert, gefolgt von einer Wasserstoffreduktion bei 1300º C und einer Wärmebehandlung bei 950º C an der Luft. Zum Schluß wurden die Elektroden in der Weise eingerichtet, daß die inneren mit den äußeren verbunden wurden, wodurch ein laminierter keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 1 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und in Tabelle 25 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.-%-Verhältnis von 20:35:45) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, Al&sub2;O&sub3;- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, MnCO&sub3; od. dgl., Kalzinieren bei 1000º C und Mahlen erhalten. Die Größe des Varistors nach dem Sintern betrug ungefähr 4 mm im Quadrat, war ungefähr 0.6 mm dick und bestand aus 8 dielektrischen Schichten, von der jede ungefähr 70 um dick war. Die scheinbare dielektrische Konstante ε wurde aus dem Wert der Kapazität (Messung bei 1 kHz) des laminierten Kondensators errechnet. Der Korndurchmesser im gesinterten Körper wurde nach dem Polieren unter einem optischen Mikroskop durch Untersuchen eines Querschnitts ermittelt, wobei der Oberfläche Bi&sub2;O&sub3; aus der Metallseifenserie hinzugefügt wurde, und er bei 1000º C wärmebehandelt wurde, um die Korngrenze deutlicher hervortreten zu lassen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 25 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 10.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 3.5 um, der dielektrische Verlust 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 850 bis 1150 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Zu handelsüblichem Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde ein Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;- MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), aus der TiO&sub2;-MnO-SiO&sub2;- Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 10:50:40), oder aus der TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 20:35:45), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.%, der Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3;, der mit den Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.04 Gew.-%, ein den Sauerstoff gut leitender Festelektrolyt CeO&sub2;, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-%, das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 8.0 Gew.-% hinzugefügt gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Danach wurde es in nassem Zustand zermahlen, getrocknet, granuliert und zu einer scheibenförmigen Platte geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Es wurde bei 950º C an der Luft wärmebehandelt und es wurden Silberelektroden an beiden Seiten der Scheibe ausgebildet, wodurch ein keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor- Eigenschaften gemäß Beispiel 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und die Ergebnisse sind in Tabelle 26 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCo&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 26 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 3.0 Gew.-%., erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 25 verwendeten Stoffe.
- Zu handelsüblichem Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde ein Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;- MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleuniger WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, ein den Sauerstoff gut leitender Festelektrolyt CeO&sub2;, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert und geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Anschließend wurde es bei 950º C wärmebehandelt und es wurden Elektroden ausgebildet, wodurch ein keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Beispiel 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und die Ergebnisse sind in Tabelle 27 dargestellt. Der aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehende Sinterbeschleuniger (in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 27 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub3;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 25 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 25 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0. 1 bis 12.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt wurde, wobei dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 25 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 28 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5;, MnCO&sub3; od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 28 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;- SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-%, dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 10.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 3.5 um, der dielektrische Verlust 2% oder weniger, und die scheinbare dielektrische Konstante 3000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Materialien betrug 750 bis 1000 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 26 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.4 bis 8.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; (0.4 bis 8.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt wurde, wobei dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 26 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 29 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5;, MnCO&sub3; od. dgl., durch Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 29 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 8.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 28 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 27 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; in einer Menge von 2.0 Gew.-% hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 27 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 27 gemessen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, Ta&sub2;O&sub5; und MnCO&sub3;, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 30 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 28 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 25 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt wurde, wobei dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 25 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 31 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3;, CuO od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 31 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;- SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistorund dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 3.5 um, der dielektrische Verlust 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Materialien betrug 800 bis 1000 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 26 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.4 bis 8.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt wurde, wobei dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 26 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 32 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 32 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.- %, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 31 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze in einer Menge von 2.0 Gew.-% gemäß Beispiel 27 wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/2W1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/2W1/2)O&sub3; hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 27 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 27 gemessen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Kornverarmungsrandschicht, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, WO&sub3; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen gewonnen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 33 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 33 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, einem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 31 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 25 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei dessen elektrische Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 25 gemessen werden Die Ergebnisse sind in Tabelle 34 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3;, CoO od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 34 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.%, und dem Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 3.5 um, der dielektrische Verlust 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 850 bis 1000 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 26 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.4 bis 0.8 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 26 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 35 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3;, CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 35 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem SinterbeschleunigerTiO&sub2;-MgO- SiO&sub2; der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.- %, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 34 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr06Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, die alle auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dienen, gemäß Beispiel 27 in einer Menge von 2.0 Gew.-%, wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Co1/2W1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Co1/2W1/2)O&sub3; hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 27 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 27 gemessen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, WO&sub3; und CoO, Sintern bei 900º C und Mahlen gewonnen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 36 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 36 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe bestehenden Sinterbeschleuniger in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 34 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 25 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 5.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 25 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 37 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, CuO od. dgl. Sintern bei 1000º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 37 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittels Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 4.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 4.0 um, der dielektrische Verlust 2% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3500 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 700 bis 900 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; rnA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem Verfahren gemäß Beispiel 26 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 3.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 26 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 38 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem Sr&sub2;CO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, CuO od. dgl., Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 38 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitüngsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.- %, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 3.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 37 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, die alle auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dienen, gemäß Beispiel 27 in einer Menge von 2.0 Gew.-% wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 27 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 27 gemessen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen gewonnen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 39 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 39 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoffe der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 37 verwendeten Stoffe.
- Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;), das durch Pyrolysieren von Strontiumtitanyloxalat (SrTiO(C&sub2;O&sub4;)&sub2; 4H&sub2;O) erhalten wurde, wurde einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.- %-Verhältnis von 20:30:45), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flussige Phase bildet, in einer Menge von 0.05 bis 6.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5;, der mit Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.02 bis 3.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.05 bis 5.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und bei 1300º C an der Luft gesintert. Anschließend wurde es in nassem Zustand wieder zermahlen, unter Verwendung von Harz und organischen Lösungen zu einer Platte geformt, auf diese wurde eine Platinpaste als innere Elektroden laminiert, bei 1400º C an der Luft gesintert, gefolgt von einer Wasserstoffreduktion bei 1300º C und einer Wärmebehandlung bei 950º C an der Luft. Zum Schluß wurden die Elektroden in der Weise eingerichtet, daß die inneren mit den äußeren verbunden wurden, wodurch ein laminierter keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 1 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 40 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.-%- Verhältnis von 20:30:45) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;, Al&sub2;O&sub3; und SiO&sub2;- Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, MnCO&sub3; od. dgl., Kalzinieren bei 1000º C und Mahlen gewonnen. Die Größe des Varistors nach dem Sintern betrug ungefähr 4 mm im Quadrat, war ungefähr 0.6 mm dick und bestand aus 8 dielektrischen Schichten, von der jede ungefähr 70 um dick war. Die scheinbare dielektrische Konstante ε wurde aus dem aus dem Wert der Kapazität (Messung bei 1kHz) des laminierten Kondensators errechnet. Der Korndurchmesser im gesinterten Körper wurde nach dem Polieren unter einem optischen Mikroskop durch Untersuchen eines Querschnitts ermittelt, wobei der Oberflache Bi&sub2;O&sub3; aus der Metallseifenserie hinzugefügt wurde, und er bei 1000º C wärmebehandelt wurde, um die Korngrenze deutlicher her vortreten zu lassen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 40 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger NbO&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;in einer Menge von 0.1 bis 4.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 10.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.5 bis 4.0 um, der dielektrische Verlust 3% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 4000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 750 bis 850 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Handelsübliches Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;- MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der TiO&sub2;-MnO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 10:50:40) oder der TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 20:35:45), die bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bilden, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3;, der mit den Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.04 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 3.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 8.0 Gew.-% hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Anschließend wurde es bei 950º C wärmebehandelt und es wurden Elektroden an beiden Seiten der Platte aus gebildet, womit ein keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor- Eigenschaften gemäß Figur 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und die Ergebnisse sind in Tabelle 41dargestellt. Der Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 41 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger wie z.B. TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-%,, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 8.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 40 verwendeten Stoffe.
- Handelsübliches Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde einem Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO- SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb2O5, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.8Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 Gew.-% hinzugefügt gut gemischt und bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Anschließend wurde es wurde bei 950º C an der Luft wärmebehandelt und es wurden Elektroden eingerichtet, wodurch ein keramischen Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 42 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;- Reihe (Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO3, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 42 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;- MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 40 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 40 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.1 bis 12.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 40 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 43 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, CuO od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 43 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1; in einer Menge von 0.1 bis 4.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazitat verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.0 bis 3.5 um, der dielektrische Verlust 3% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3500 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 800 bis 950 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 41hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; (0.4 bis 8.0 Gew.-%) das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 41 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 44 dargestellt. Das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 44 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;- Reihe, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 3.0 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 4.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 43 verwendeten Stoffe.
- Anstelle des Bildungsmittels Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, die alle auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dienen, gemäß Beispiel 42 in einer Menge von 2.0 Gew.-% wurde das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; hinzugefügt. Das Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. war das gleiche wie in Beispiel 42 und ihre elektrischen Eigenschaften wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 42 gemessen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5; und CuO, Sintern bei 900º C und Mahlen gewonnen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 45 dargestellt. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 45 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 43 verwendeten Stoffe.
- Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;), das durch Pyrolysieren von Strontiumtitanyloxalat (SrTiO(C&sub2;O&sub4;)&sub2; 4H&sub2;O) erhalten wurde, wurde einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.- %-Verhältnis von 20:30:45), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 0.05 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5;, der mit Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.02 bis 3.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.05 bis 4.0 Gew.-%, und dem Bildungsmittel Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; (0.1 bis 8.0 Gew.-%) zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt, gut gemischt und anschließend bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und bei 1300º C an der Luft gesintert. Anschließend wurde es in nassem Zustand wieder zermahlen, unter Verwendung von Harz und organischen Lösungen zu einer Platte geformt, auf diese wurde eine Platinpaste als innere Elektroden laminiert, bei 1400º C an der Luft gesintert, gefolgt von einer Wasserstoffreduktion bei 1300º C und einer Wärmebehandlung bei 950º C an der Luft. Zum Schluß wurden die Elektroden in der Weise eingerichtet, daß die inneren mit den äußeren verbunden wurden, wodurch ein laminierter keramischer Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 1 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 46 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; (Gew.-%- Verhältnis von 20:35:45) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, Al&sub2;O&sub3;- und SiO&sub2;- Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;,WO&sub3;, MnCO&sub3; od. dgl., Kalzinieren bei 1000º C und Mahlen gewonnen. Die Größe des Varistors nach dem Sintern betrug ungefähr 4 mm im Quadrat, war ungefähr 0.6 mm dick und bestand aus 8 dielektrischen Schichten, von der jede ungefähr 70 um dick war. Die scheinbare dielektrische Konstante ε wurde aus dem aus dem Wert der Kapazität (Messung bei 1KHZ) des laminierten Kondensators errechnet. Der Korndurchmesser im gesinterten Körper wurde nach dem Polieren unter einem optischen Mikroskop durch Untersuchen eines Querschnitts ermittelt, wobei der Oberfläche Bi&sub2;O&sub3; aus der Metallseifenserie hinzugefügt wurde, und er bei 1000º C wärmebehandelt wurde, um die Korngrenze deutlicher hervortreten zu lassen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 46 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.- %, dem Festelektrolyten CeO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 6.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.5 bis 4.0 um, der dielektrische Verlust 5% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 4000 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 700 bis 900 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizient α wies in den meisten Fallen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Handelsübliches Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde einem Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO- SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der TiO&sub2;-MnO-SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 10:50:40) oder aus der TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 20:35:45), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3;, der mit Oxiden vom Typ der Perovskite eine feste Lösung bilden kann, in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% hinzugefügt, gut gemischt und bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Anschließend wurde es wurde bei 950º C an der Luft wärmebehandelt und es wurden Elektroden eingerichtet, wodurch ein keramischen Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 47 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;- Reihe (Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, WO&sub3;, und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 47 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2; in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 46 verwendeten Stoffe.
- Handelsübliches Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) wurde einem Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO- SiO&sub2;-Reihe (z.B. in einem Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40), der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr0.8Ba0.1Ca0.1(Mn2/3W1/3)O&sub3; oder Sr0.6Ba0.2Ca0.2(Mn2/3W1/3)O&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 Gew.-% hinzugefügt gut gemischt und bei 900º C kalziniert. Dann wurde es in nassem Zustand gemahlen, getrocknet, granuliert, geformt und in einer zu 95% aus Stickstoff und zu 5% aus Wasserstoff bestehenden reduzierenden Atmosphäre bei 1380º C gesintert. Anschließend wurde es wurde bei 950º C an der Luft wärmebehandelt und es wurden Elektroden eingerichtet, wodurch ein keramischen Kondensator fertiggestellt wurde, der die Korngrenzen-Varistor-Eigenschaften gemäß Figur 2 besitzt. Die elektrischen Eigenschaften des laminierten keramischen Kondensators wurden gemessen und sind in Tabelle 48 dargestellt. Der Sinterbeschleuniger aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;- Reihe (Gew.-%-Verhältnis von 30:30:40) wurde durch Abwiegen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Mischen, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen gewonnen. Das Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, BaCO&sub3;, CaCO&sub3;, WO&sub3; und MnCO&sub3;, Kalzinieren bei 900º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 48 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO- SiO&sub2;-Reihe in einer Menge von 3.0 Gew.-%, Halbleitungsbeschleunigern WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.05 bis 0.5 oder 1.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 1.5 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 2.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 46 verwendeten Stoffe.
- Ein Kondensator wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 46 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) die Mischung SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; (0.1 bis 6.0 Gew.-%) als Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 46 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 49 dargestellt. Das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3;, MnCO&sub3; od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen gewonnen. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 49 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5; in einer Menge von 0.05 bis 2.0 Gew.-%, dem Festelektrolyten CeO&sub2; in einer Menge von 0.1 bis 3.0 Gew.-% und dem Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 5.0 Gew.-%, erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften mit gleichbleibendem Korndurchmesser und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Gemäß einer mikroskopischen Untersuchung waren die Korndurchmesser der Teilchen im gesinterten Körper gleichbleibend, betrug der mittlere Korndurchmesser ungefähr 3.5 bis 4.0 um, der dielektrische Verlust 4% oder weniger und die scheinbare dielektrische Konstante 3500 oder mehr. Die Schwellenspannung V&sub1; mA der als Varistor verwendeten Stoffe betrug 700 bis 900 V/mm und der nichtlineare Widerstandskoeffizientα wies in den meisten Fällen zwischen V&sub1; mA und V0.1 mA einen Wert von 10 oder mehr auf. Andere Werte, wie der Haltestoßstrom als Varistor, das Verhältnis der begrenzten Spannung, das den nichtlinearen Widerstandsexponenten in einem Starkstrombereich repräsentiert, der Temperaturkoeffizient der Schwellenspannung V&sub1; mA und die Kapazität wurden gemessen und es wurden zufriedenstellende Werte erhalten. Wenn die Menge des hinzugefügten Sinterbeschleunigers 5% überschreitet, neigt der Körper zur Verformung und zum Kleben, so daß dies nicht praktikabel ist.
- Ein Kondensator wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 47 hergestellt, wobei auch die Herstellungsverfahren für die anderen Stoffe wie z.B. den Sinterbeschleuniger od. dgl. angewendet wurden, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des Bildungsmittels Sr(Mn2/3W1/3)O&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; (0.4 bis 4.0 Gew.-%) als Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens dient, hinzugefügt wurde, wobei die elektrischen Eigenschaften nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 47 gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 50 dargestellt. Das Bildungsmittel SrO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze wurde durch Mischen von handelsüblichem SrCO&sub3;, MoO&sub3;, MnCO&sub3; od. dgl., Sintern bei 1000º C und Mahlen gewonnen. Der Sinterbeschleuniger z.B. aus der TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;-Reihe (Gew.-%-Verhältnis 30:30:40) wurde durch Abwiegen und Mischen von handelsüblichem TiO&sub2;-, MgO- und SiO&sub2;-Pulver im vorbestimmten Gewichtsverhältnis, Kalzinieren bei 1200º C und Mahlen erhalten. Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 50 hervorgeht, besitzt der vorliegende Stoff, der durch Hinzufügen von SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, der bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 1.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Y&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0.4 Gew.-%, dem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten CeO&sub2;, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.2 bis 2.0 Gew.-% und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, in einer Menge von 0.4 bis 4.0 Gew.-% erhalten und gesintert wurde, ausgezeichnete Varistor- und dielektrische Eigenschaften und kann als Varistor mit hoher Kapazität verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften der in diesen Einrichtungen verwendeten Stoffe gleichen denen der in Beispiel 49 verwendeten Stoffe. Wenn, wie in den Beispielen 2, 3 ,5, 6, 8, 9, 11, 12, 14, 15, 17, 18, 20, 21, 23 und 24 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, zur Reduktion bei 800º bis 1500º C kalziniert und anschließend in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C wärmebehandelt wurde, bestätigten sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 1, 4, 7, 10, 13, 16, 19 und 22 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, an der Luft bei 1200º bis 1500º C gesintert und wieder zermahlen wurde, um abwechselnd mit Metallen innere Elektroden zu laminieren, bei 1250º bis 1500º C an der Luft gesintert, anschließend einer Reduktion in einer reduzierenden Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre unterzogen und bei 900º bis 1150º C in oxidierender Atmosphäre wärmebehandelt wurde, bestätigten sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 26, 27, 29, 30, 32, 33, 35, 36, 38 und 39 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, zur Reduktion bei 1100º bis 1500º C kalziniert und dann in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C wärmebehandelt wurde, bestätigen sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 25, 28, 31, 34 und 37 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, an der Luft bei 1200º bis 1500º C gesintert, wieder zermahlen, um abwechselnd mit Edelmetallen innere Elektroden zu laminieren, an der Luft bei 1250º bis 1500º C gesintert wurde, gefolgt von einer Reduktion bei 900º bis 1150º C in einer reduzierenden Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre und einer Wärmebehandlung bei 900º bis 1500º C an der Luft, bestätigen sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 41, 42, 44 und 45 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, zur Reduktion bei 1100º bis 1500º C kalziniert und anschließend in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C wärmebehandelt wurde, bestätigten sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 40 und 43 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, an der Luft bei 1200º bis 1500º C gesintert und wieder zermahlen wurde, um abwechselnd mit Edelmetall innere Elektroden zu bilden, bei 1250º bis 1500º C an der Luft gesintert wurde, gefolgt von einer Reduktion bei 900º bis 1150º C in einer reduzierenden Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre und einer Wärmebehandlung in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C, bestätigen sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 47, 48 und 50 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, zur Reduktion bei 900º bis 1500º C kalziniert und anschließend in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C wärmebehandelt wurde, bestätigten sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse. Wenn, wie in den Beispielen 46 und 49 SrTiO&sub3; zu einem Sinterbeschleuniger, einem Halbleitungsbeschleuniger, einem den Sauerstoff gut leitenden Festelektrolyten, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, hinzugefügt und gemischt, unter Druck geformt, an der Luft bei 1100º bis 1500º C gesintert und wieder zermahlen wurde, um abwechselnd mit Edelmetall innere Elektroden zu bilden, bei 1250º bis 1500º C an der Luft gesintert wurde, gefolgt von einer Reduktion bei 900º bis 1500º C in einer reduzierenden Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre und einer Wärmebehandlung in einer oxidierenden Atmosphäre bei 900º bis 1150º C, bestätigen sich die in allen Beispielen erzielten Ergebnisse.
- Wie oben beschrieben wurde, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein keramischer Kondensator mit Varistor-Eigenschaften durch Verfahrensschritte hergestellt, die umfassen: Hinzufügen von Pulvern vom Typ der Perovskite, die aus Stoffen hergestellt sind, die Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) als Hauptkomponente enthalten, zu einem Sinterbeschleuniger, der im wesentlichen aus der Mischung zusammengesetzt ist und bei hoher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet, in einer Menge von 0. 1 bis 5.0 Gew.-%, dem Halbleitungsbeschleuniger Nb&sub2;O&sub5;, der mit den Oxiden vom Typ der Perovskite ein feste Lösung bilden kann, einem Kontrollagens zum Porensintern und einem Bildungsmittel zur Erzeugung einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, das auch als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums dient, Mischen und Formen unter Druck, Sintern und Reduzieren bei 1250º bis 1500º C und Wärmebehandeln in oxidierender Atmosphäre bei 900º bis 1150º C, um Elektroden zu bilden. So kann ein gleichförmiger poröser Körper ohne komplizierte Vorgänge wie z.B. Beschichten oder Zerstäuben von Bi&sub2;O&sub3; od. dgl. hergestellt werden, und insbesondere unterliegen die Ausmaße des porösen Körpers keiner besonderen Beschränkung. Die Wirkungen der vorliegenden Anmeldung haben sich hinsichtlich der praktischen Anwendung in großem Maße verbessert. Tabelle 1 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 2 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 3 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 4 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 5 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 6 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 7 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 8 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 9 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 10 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 11 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 12 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 13 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 14 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 15 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 16 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 17 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 18 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 19 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 20 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 21 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 22 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 23 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 24 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 25 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 26 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 27 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 28 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 29 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 30 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 31 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 32 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 33 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 34 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 35 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 36 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 37 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 38 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 39 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 40 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 41 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 42 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 43 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 44 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 45 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 46 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 47 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch Tabelle 48 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Tabelle 49 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Schwellen spannung Tabelle 50 Sinterbeschleuniger Gemisch Halbleitungsbeschleuniger Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient Festelektrolyt, welcher als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient mittlerer Korndurchmesser Gemisch
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschaften, bei dem man zusetzt:
einen mindestens aus der aus TiO&sub2;-MgO-SiO&sub2;, TiO&sub2;-MnO-SiO&sub2; oder TiO&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;
bestehenden Serie ausgewahlten Sinterbeschleuniger in einer Menge von 0,1 bis 5,0
Gew.-%, um bei haher Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase
zu bilden, sowie
einen Halbleitungsbeschleuniger in Form eines Oxids in einer Menge von 0,05 bis
2,0 Gew.-%, der mit Oxiden vom Typ der Perovskitoxide eine feste Lösung bilden
kann und mindestens aus WO&sub3;, Nb&sub2;O&sub5;, La&sub2;O&sub3; und Y&sub2;O&sub3; ausgewählt ist,
ein Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums, welches aus ZrO&sub2; in einer
Menge von 0,1 bis 10 Gew.-%, CeO&sub2; in einer Menge von 0,1 bis 3,0 Gew.-% und
Pr&sub6;O&sub1;&sub1; in einer Menge von 0,1 bis 4,0 Gew.-% ausgewählt ist, sowie
ein Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der Korngrenze,
welches gleichzeitig als Kontrollagens zum Steuern des Kornwachstums dient und
aus Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%,
Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 8,0 Gew.-%,
Sr(Cu1/3W2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr(Mn1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr(MN1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn2/3W1/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2W1/2O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
SrO 1/3 Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Co1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCay(Co1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 7,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCay(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Co1/3Mo2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-% oder
(1-x-y)SrO xBaO y CaO 1/3Mn&sub2;O&sub3; 1/3MoO&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0
Gew.-% ausgewählt ist, wobei gilt 0 < x + y ≤ 1,
zu einem Pulver aus Oxiden vom Perovskit-Typ, welches aus Materialien mit
Strontiumtitanat (SrTiO&sub3;) als Hauptkomponente hergestellt wird, mischt und unter
Druck in Form bringt, sintert und reduziert sowie in einer oxidierenden Atmosphäre
wännebehandeit.
2. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators gemäß Anspruch 1, bei
dem das Kontrollagens ZrO&sub2; in einer Menge von 0,1 bis 10 Gew.-% und das
Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-% sind und das
Sintern und Reduzieren bei 800 ºC bis 1500 ºC sowie die Wärmebehandlung bei
900 ºC bis 1150 ºC durchgeführt werden.
3. Verfahren zur Herstellung eines laminierten keramischen Kondensators mit Varistor-
Eigenschaften gemäß Anspruch 1, bei dem das Kontrollagens ein ZrO&sub2;-Festelektrolyt
in einer Menge von 0,1 bis 10,0 Gew.-% ist, der als Kontrollagens zur Steuerung
des Korndurchmessers fungiert,
das Bildungsmittel Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-% darstellt,
das Sintern und Reduzieren bei 800 ºC bis 1500 ºC ein Sintern bei 1200 ºC bis
1500 ºC in Luft, ein erneutes Zermahlen zum alternierenden Larninieren mit
Edelmetall-Innenelektroden und ein Sintern bei 1250 ºC bis 1500 ºC in Luft, gefolgt von
Reduktion bei 800 ºC bis 1500 ºC in einer Wasserstoff enthaltenden, reduzierenden
Atmosphäre umfaßt, und
bei dem die Wärmebehandlung bei 900 ºC bis 1150 ºC in einer oxidierenden
Atmosphäre durchgefikrt wird.
4. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 3, bei dem anstelle von Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; eines von
Sr(Cu1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
S«Co1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-%
Sr(Co1/3Ta2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 7,0 Gew.-%,
Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2Mo1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-% oder
SrO 1/3 Mn&sub2;O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 8,0 Gew.-%
zugesetzt wfrd.
5. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschaften gemäß Anspruch 1, bei dem der Sinterbeschleuniger bei hoher
Temperatur im wesentlichen eine flüssige Phase bildet,
das Kontrollagens CeO&sub2; in einer Menge von 0,1 bis 3,0 Gew.-% ist,
das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-% ist und
das Sintern und Reduzieren bei 1100 ºC bis 1500 ºC sowie die Wärmebehandlung
bei 900 ºC bis 1150 ºC in der oxidierenden Atmosphäre durchgefüiirt werden.
6 Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 5, bei dem das Bildungsmittel zur Erzeugung einer
Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches gleichzeitig als Kontrollagens
zum Steuern des Kornwachstums dient, aus
Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%
Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%
Sr1-x-yBaxCy(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge vgn 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-% oder
Sr1-x-yBaxCy(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%
ausgewahlt ist, wobei gilt 0 < x + y ≤ 1.
7. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 3, bei dem das Bildungsmittel zum Erzeugen einer
Verarmungsrandschicht an der Korngrenze Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2
- 10,0 Gew.-% ist, welches als Kontrollagens zum Steuern des Korndurchmessers
fungiert,
das Kontrollagens ein CeO&sub2;-Festelektrolyt in einer Menge von 0,1 bis 3,0 Gew.-%
ist, und
das Sintern und Reduzieren bei 800 ºC bis 1500 ºC ein Sintern bei 1200 ºC bis
1500 ºC in Luft, ein erneutes Zermahlen zum alternierenden Laminieren mit
Edelmetall-Innenelektroden und ein Sintern bei 1250 ºC bis 1500 ºC in Luft, gefolgt von
Reduktion bei 900 ºC bis 1400 ºC in der Wasserstoff enthaltenden, reduzierenden
Atmosphäre umfaßt.
8. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäb Anspruch 7, bei dem anstelle von Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge
von 0,2 bis 10 Gew.-% eines aus
Sr(Mn1/2Ta1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-%,
Sr(Cu1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%,
Sr(Co1/2W1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-% oder
S«Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%
mindestens als ein Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der
Korngrenze zugesetzt wird, welches auch als Kontrollagens zum Steuern des
Kornwachstums fungiert.
9. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 5, bei dem das Kontrollagens Pr&sub6;O&sub1;&sub1; in einer Menge von
0,1 bis 4,0 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2
- 10,0 Gew.-% ist und das Sintern und Reduzieren bei 1150 ºC bis 1500 ºC und die
Wärmebehandlung bei 900 ºC bis 1250 ºC durchgeführt werden.
10. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 9, bei dem das Bildungsmittel zum Erzeuugen einer
Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches auch als Kontrollagens zur
Steuerung des Kornwachstums fungiert, anstelle von Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; aus
Sr(CU1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%,
Sr1-x-yBaxCy(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 10,0 Gew.-% oder
Sr1-x-yBaxCay(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-%
ausgewählt ist, wobei gilt 0 < x + y ≤ 1.
11. Verfahren zur Herstellung eines laminierten keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 3, bei dem der Festelektrolyt Pr&sub6;O&sub1;&sub1; in einer
Menge von 0,1 bis 4,0 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer
Menge von 0,2 - 10,0 Gew.- % sind und die Reduktion bei 900 ºC bis 1400 ºC und
die Wärmebehandlung bei 900 ºC bis 1250 ºC durchgeführt werden.
12. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 11, bei dem anstelle von Sr(Mn1/2Nb1/2)O&sub3; in einer Menge
von 0,2 - 10,0 Gew.-% Sr(Cu1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 4,0 Gew.-% als
mindestens ein Bildungsmittel zum Erzeugen einer Verarmungsrandschicht an der
Korngrenze zugefügt wird, welches auch als Kontrollagens zum Steuern des
Kornwachstums fungiert.
13. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 5, bei dem das feste Agens ein Sauerstoff gut leitender
Festelektrolyt ist, der als Kontrollagens zur Steuerung des Kornwachstums fungiert,
das Bildungsmittel Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-% ist und
das Sintern und Reduzieren bei 900 ºC bis 1500 ºC durchgeführt werden.
14. Verfahren zur Herstellung eines laminierten keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschalten gemäß Anspruch 3, bei dem der Festelektrolyt CeO&sub2; in einer
Menge von 0,1 bis 3,0 Gew.-% und das Bildungsmittel Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; in einer
Menge von 0,2 - 6,0 Gew.-% sind und das erste Sintern bei 1100 ºC bis 1500 ºC
und die Reduktion bei 900 ºC bis 1500 ºC durchgeführt wird.
15. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Kondensators mit
Varistor-Eigenschaften gemäß Anspruch 13 oder 14, bei dem das Bildungsmittel zum Erzeugen einer
Verarmungsrandschicht an der Korngrenze, welches auch als Kontrollagens zum
Steuern des Kornwachstums fungiert, anstelle von Sr(Mn1/3Nb2/3)O&sub3; aus einem von
Sr1-x-yBaxCay(Mn2/3W1/3)O&sub3; in einer Menge von 0,2 6,0 Gew.-% und
SrO 1/3 Mn&sub2;O&sub3; 1/3 MoO&sub3; in einer Menge von 0,2 - 5,0 Gew.-%
ausgewählt ist, wobei gilt 0 < x + y ≤ 1.
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