DE69814560T2 - Nickelpulver und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Nickelpulver und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE69814560T2 DE69814560T2 DE69814560T DE69814560T DE69814560T2 DE 69814560 T2 DE69814560 T2 DE 69814560T2 DE 69814560 T DE69814560 T DE 69814560T DE 69814560 T DE69814560 T DE 69814560T DE 69814560 T2 DE69814560 T2 DE 69814560T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- compound
- nickel
- nickel powder
- group
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 32
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 claims description 6
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003438 strontium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 claims 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical group 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DQTJHJVUOOYAMD-UHFFFAOYSA-N oxotitanium(2+) dinitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Ti](=O)O[N+]([O-])=O DQTJHJVUOOYAMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);dinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N nitric acid;oxozirconium Chemical compound [Zr]=O.O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CENHPXAQKISCGD-UHFFFAOYSA-N trioxathietane 4,4-dioxide Chemical compound O=S1(=O)OOO1 CENHPXAQKISCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06553—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of a combination of metals and oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein neuartiges Nickelpulver, das sich zur Verwendung in einer Dickfilmleiterpaste eignet, und ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie außerdem eine Leiterpaste, die unter Verwendung dieses Nickelpulvers hergestellt wurde, und mehrschichtige Elektronikbauteile mit Leiterschichten, die unter Verwendung dieser Paste hergestellt wurden.
- Dickfilmpasten wie eine Leiterpaste und eine Widerstandspaste werden dazu verwendet, Bauteile wie einen elektrischen Schaltkreis, einen Widerstand, einen Kondensator und ein IC-Paket auf dem Gebiet der Elektronik herzustellen. Dabei handelt es sich um Pasten, die durch homogenes Mischen und Dispergieren eines leitfähigen Pulvers aus einem Metall, einer Legierung, einem Metalloxid und dergleichen, ggfs. zusammen mit einem glasartigen Bindemittel und einem oder mehreren anderen Additiven, in einem organischen Träger hergestellt werden. Diese werden zu einem Leiterfilm bzw. einem Widerstandsfilm ausgebildet, indem man diesen auf ein Substrat aufbringt und dann bei hoher Temperatur brennt.
- Mehrschichtige elektronische Keramikkomponenten, wie z. B. ein mehrschichtitiger Kondensator und eine mehrschichtige Drosselspule, und mehrschichtige Keramiksubstrate werden im Allgemeinen durch Laminieren einer Vielzahl ungebrannter Keramikrohlinge aus einem dielektrischen Material, einem magnetischen Material o. ä. abwechselnd mit einer Vielzahl von Schichten aus einer inneren Leiterpaste und dann gemeinsames Brennen bei hoher Temperatur hergestellt. Am häufigsten wurden als innere Leitere bisher Edelmetalle wie Palladium, Silberpalladium und Platin verwendet. Um Ressourcen zu sparen und die geforderten Verbesserungen in Bezug auf Schichtentrennung, Rissbildung usw., die der oxydativen Ausdehnung von Palladium oder Silberpalladium beim Brennen zugeschrieben werden, zu erreichen, sind in jüngerer Zeit auch unedle Metalle wie Nickel in den Mittelpunkt des Interesses gerückt.
- Bei diesen mehrschichtigen Komponenten und mehrschichtigen Substraten besteht die Tendenz, die Anzahl der zu laminierenden Schichten zu erhöhen. Beispielsweise stellt man inzwischen einen mehrschichtigen Kondensator mit Hunderten laminierter Schichten her. Angesichts dessen müssen die Keramikschichten und folglich auch die inneren Leiterschichten in Form eines dünneren Films hergestellt werden. Wenn die Dicke einer Keramikschicht beispielsweise auf etwa 3 um verringert wird, muss die Dicke einer inneren Leiterschicht auf höchstens 1 um, vorzugsweise etwa 0,5 um verringert werden, weil sonst der Mittelteil des resultierenden Laminats so dick wird, dass es zu strukturellen Mängeln und daher verringerter Verlässlichkeit kommt.
- Im Falle einer Leiterpaste, die unter Verwendung eines normalen Nickelpulvers hergestellt wurde, gibt es jedoch eine Grenze für die daraus hergestellten dünneren Filme, weil nicht nur das Problem besteht, dass der resultierende innere Leitet aufgrund eines Übersinterns beim Brennen einen unzusammenhängenden Film ergibt und deshalb entweder der Widerstandswert erhöht wird oder eine Trennung erfolgt, sondern auch das Problem, dass die Dicke des Leiters aufgrund der Anhäufung des Nickelpulvers erhöht wird. Genauer gesagt wird das Nickelpulver beim Brennen in einer inerten oder reduzierenden Atmosphäre vor allem zur Verhinderung seiner Oxidation rasch gesintert und beginnt bei einer Temperatur von nur 400ºC oder darunter zu sintern und zu schrumpfen, selbst wenn es sich um ein Einkristallpulver mit vergleichsweise geringer Aktivität handelt. Andererseits liegt die Temperatur, bei der eine Keramikschicht zu sintern beginnt, im Allgemeinen erheblich über dieser Temperatur. Beispielsweise beträgt sie etwa 1200ºC für Bariumtitanat, das daher selbst beim gemeinsamen Brennen nicht zusammen mit Nickelfilmen schrumpft und das Ziehen der Nickelfilme in Richtung der Vorderseite erlaubt. Daher ist es denkbar, dass kleine Hohlräume, die sich beim Sintern bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur in den Nickelfilmen bilden, sich ausweiten, wenn das Sintern in einem höheren Temperaturbereich fortschreitet, und groß werden, während bei den Filmen das Risiko besteht, dass sie aufgrund der Anhäufung von Nickelpulver in Richtung ihrer Dicke wachsen.
- Um die inneren Leiterschichten aus Nickel dünner zu machen, wird es daher für notwendig erachtet, ein Nickelpulver so stark zu verfeinern und seine Dispergierbarkeit so zu verbessern, dass die Bildung von Hohlräumen beim Brennen verhindert und das Schrumpfverhalten dieser Schichten beim Sintern an das der Keramikschichten anzupassen.
- Ein Beispiel eines in Mehrschichtkondensatoren verwendeten Nickelpulvers ist in EP-A-0 593 167 offenbart, wo die Herstellung von Ni-Pulver durch Pyrolyse beschrieben ist.
- Das unterschiedliche Schrumpfverhalten beim Sintern zwischen den Leiterschichten und den Keramikschichten ist daher so stark verantwortlich für strukturelle Defekte wie Schichtentrennung und Rissbildung, dass Ausbeute und Verlässlichkeit zurückgehen, insbesondere, wenn es sich um dicke Filme handelt.
- Bisher wurden verschiedene Untersuchungen durchgeführt mit dem Zweck, das Sintern eines Leiters so lange zu unterdrücken, bis die Temperatur erreicht ist, bei der die Keramikschichten zu sintern beginnen. Beispielsweise kann die Zugabe einer großen Menge Keramikpulver mit der gleichen Zusammensetzung wie der, die in den Keramikschichten verwendet wird, die sichtbare Schrumpfung von Leiterschichten bis zu etwa 800ºC verzögern. Da das Sintern des Metallpulvers selbst nicht unterdrückt wird, werden jedoch die Kontinuität und die Leitfähigkeit von Leiterschichten beschädigt, wenn das Brennen bei einer Temperatur von bis zu etwa 1300ºC erfolgt.
- Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung von Leiterfilmen mit hoher Leitfähigkeit selbst bei einem Dünnfilm dadurch, dass das Sintern eines Nickelpulvers bei einer niedrigen Temperatur effektiv unterdrückt wird.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Temperatur, bei der ein Nickelpulver zu sintern beginnt, so nahe wie möglich an die Temperatur anzugleichen, bei der die Keramikschicht zu sintern beginnt, ohne die Leitfähigkeit des Leiters und die elektrischen Eigenschaften der Bauteile zu beeinträchtigen, wenn das Pulver in einer Leiterpaste verwendet wird, die zum Zweck der Verwendung in mehrschichtigen Elektronikbauteilen zusammen mit ungebrannten Keramikschichten gebrannt werden soll. Dadurch kann sein Schrumpfverhalten dem eines Keramikmaterials sehr angeglichen und daher die Trennung und strukturelle Defekte von Leiterfilmen verhindert werden, während die Filmdicke minimiert wird.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung eines einfachen und ausgezeichneten Verfahrens zur Herstellung eines solche Nickelpulvers.
- Der Kern der Erfindung besteht aus einem Nickelpulver, das auf mindestens einem Teil seiner Oberfläche eine Schicht aus einem Verbundoxid der Formel (1) aufweist:
- AxByO(x+2y),
- (in der A für mindestens ein aus der aus Ca, Sr und Ba bestehenden Gruppe ausgewähltes Element steht; B für mindestens ein aus der aus Ti und Zr bestehenden Gruppe ausgewähltes Element steht und x und y Zählen sind, die der Formel 0,5 ≤ y/x ≤ 4,5 genügen)
- Das Nickelpulver kann außerdem mindestens eine aus der aus Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid ausgewählte Komponente enthalten.
- Ein weiterer Kernpunkt der Erfindung besteht aus einem Verfahren zur Herstellung des vorstehenden Nickelpulvers, umfassend die Bildung feiner Tröpfchen aus einer Lösung, die (a) mindestens eine thermisch zersetzbare Nickelverbindung, (b) mindestens eine aus der aus thermisch zersetzbaren Calcium-, Strontium- und Bariumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente und (c) mindestens eine aus der aus thermisch zersetzbaren Titan- und Zirconiumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente enthält; das Erhitzen der Tröpfchen bei einer Temperatur übenden Zersetzungstemperaturen der Nickelverbindung, der Calciumverbindung, der Strontiumverbindung, der Bariumverbindung, der Titanverbindung und der Zirconiumverbindung, um ein Nickelpulver zu bilden und gleichzeitig eine Schicht aus einem Verbundoxid der Formel (1) in der Nähe der Oberfläche des Nickelpulvers auszufällen.
- Ein weiterer Kernpunkt der Erfindung besteht aus einem Verfahren zur Herstellung des Nickelpulvers, das zusätzlich mindestens eine aus der aus Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente enthält, umfassend die Bildung feiner Tröpfchen aus einer Lösung, die (a) mindestens eine thermisch zersetzbare Nickelverbindung, (b) mindestens eine aus der aus thermisch zersetzbaren Calcium-, Strontium- und Bariumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente, (c) mindestens eine aus der aus der aus thermisch zersetzbaren Titan- und Zirconiumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente und (d) mindestens eine aus thermisch zersetzbaren Bor-, Aluminium oder Siliciumverbindungen enthält; das Erhitzen der Tröpfchen bei einer Temperatur über den Zersetzungstemperaturen der Nickelverbindung, der Calciumverbindung, der Strontiumverbindung, der Bariumverbindung, der Titanverbindung, der Zirconiumverbindung, der Borverbindung, der Aluminiumverbindung und der Siliciumverbindung, um ein Nickelpulver zu bilden und gleichzeitig eine Schicht aus dem Verbundoxid der Formel (1) und mindestens einer aus der aus Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid bestehenden Gruppe ausgewählten Komponente in der Nähe der Oberfläche des Nickelpulvers auszufällen.
- Weitere Kernpunkte der Erfindung bestehen aus einer Leiterpaste, die mindestens eines der vorstehenden Nickelpulver enthält, und einer mehrschichtigen elektronischen Keramikkomponente mit einer Leiterschicht, die unter Verwendung der Leiterpaste hergestellt wurde.
- Die Erfindung wird jetzt im einzelnen beschrieben.
- Das Verbundoxid der Formel (1), das in jeder beliebigen Form vorliegen kann, in der es die Oberfläche des Nickelpulvers bedeckt und in hoher Konzentration auf die Oberfläche oder in der Nähe der Oberfläche des Nickelpulvers abgeschieden werden kann, muss so in der Nähe der Oberfläche des Nickelpulvers vorliegen, dass es das Sintern des Nickelpulvers effektiv behindert. Obwohl ein Pulver, dessen Oberfläche ganz damit bedeckt ist, wahrscheinlich am effektivsten verhindert, dass Nickelmetallteilchen miteinander in Kontakt kommen, wird auch ein Pulver, dessen Oberfläche nicht unbedingt ganz bedeckt ist, ausreichen, sofern eine durch die Verwendung, die Brennatmosphäre, seine notwendigen Eigenschaften usw. bedingte effektive Menge des Verbundoxids in der Nähe der Oberfläche des Pulvers vorliegt.
- Die Hautphase der Verbundoxidschicht ist eine durch die Formel (1) dargestellte Phase. Die Sinterfähigkeit des Nickelpulvers mit diesem Oxid an der Oberfläche wird im Niedrigtemperaturbereich unterdrückt, so dass sein Sintern bis etwa zu der Temperatur, bei der die Keramik zu sintern beginnt, verzögert werden kann, während ein Übersintern vermieden wird, obwohl das von der Oxidmenge abhängt. Dadurch werden eine Erhöhung des Widerstands des Leiters, seine Trennung, eine Erhöhung der Filmdicke, eine Schichtentrennung usw., die der unterschiedlichen Schrumpfung der Leiterschichten und der Keramikschichten beim Brennen zugeschrieben werden, verhindert, und ein dünner Nickelleiter mit guter Leitfähigkeit und Haftung kann hergestellt werden. Dadurch können Leiterschichten in einer mehrschichtigen Komponente und dergleichen in Form eines dünneren Films hergestellt werden.
- Wenn das Nickelpulver gemeinsam mit dielektrischen Keramikrohlingen aus einem Titanat wie Bariumtitanat oder Strontiumtitanat oder einem Zirconat gebrannt werden, ist ihr Sinterverhalten dem der dielektrischen Schicht ähnlicher und beeinträchtigt die elektrischen Eigenschaften der dielektrischen Schicht kaum, da die Zusammensetzung des Verbundoxids der des dielektrischen Materials ähnlich ist.
- Das Atomverhältnis der Elemente A zu B des Verbundoxids muss im Bereich von 2 : 1 bis 1 : 4,5 liegen, weil die Eigenschaften der dielektrischen Komponente manchmal beeinträchtigt werden, wenn das Verhältnis zu weit von 1 : 1 abweicht. Praktischerweise sollte es im Bereich von 2 : 1 bis 1 : 2 liegen. Wir haben festgestellt, dass das Verhältnis von A und B zu Sauerstoff jeweils nicht unbedingt stöchiometrisch sein muss, sondern auch einen Sauerstoffmangel aufweisen kann, wie es bei Titanat oder den üblicherweise verwendeten dielektrischen Keramikmaterialien der Fall ist. Oxide einer Vielzahl von Elementen wie Mangan, Magnesium, Vanadium, Wolfram und Seltenerdelemente, die zum Zweck der Steuerung der Eigenschaften des Titanats und dergleichen üblicherweise dotiert werden, können entsprechend der Zusammensetzung der dielektrischen Keramikschicht entsprechend dotiert werden.
- Obwohl das Verbundoxid bezogen auf Nickel sogar in einer Menge von nur etwa 0,1 Gew.-% effektiv sein, sollte es vorzugsweise mindestens 1 Gew.-% ausmachen. Wenn die Menge zu groß ist, kann keine wesentliche Verbesserung im Sinterunterdrückungseffekt erwartet werden und die Leitfähigkeit des Pulvers sinkt im Verhältnis der Verringerung des Nickelanteils. Daher sollte die Menge praktischerweise etwa 50 Gew.-% betragen.
- Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid können nicht nur die Verzögerungswirkung auf den Beginn des Sinterns verbessern, sondern unterdrücken auch die Oxidation des Nickelpulvers effektiv. Dadurch kann eine organische Komponente in der Paste ohne die Oxidation des Nickels sogar in einer Atmosphäre mit einer verhältnismäßig hohen Sauerstoffkonzentration verbrannt und entfernt werden. Vor allem wenn das erfindungsgemäße Pulver durch das im folgenden beschriebene Sprühpyrolyseverfahren hergestellt wird, ist es denkbar, dass diese Oxide als Flussmittel fungieren und den Schmelzpunkt des bei hoher Temperatur hergestellten Verbundoxids sowie die Viskosität der Schmelze senken, um die Effizienz des die Oberfläche des Nickelpulvers bedeckenden Oxids zu erhöhen und dadurch eine gleichmäßige Bedeckung zu erreichen. Sie können dadurch, dass sie beim Abkühlen in einem amorphen Zustand in den Korngrenzen der Verbundoxidschichten ausgefällt werden, die Rolle eines Bindemittels spielen.
- Die Mengen an Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid (nachstehend als "Bindemittelkomponente" bezeichnet.") üben dann, wenn sie zu groß sind, einen erheblichen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der dielektrischen Komponenten u. ä. aus und sollten daher bezogen auf Nickel insgesamt etwa 20 Gew.-% betragen.
- Die Verbundoxidschichten können durch jedes beliebige Verfahren hergestellt werden. Beispiele dafür umfassen ein Verfahren, bei dem eine Calciumverbindung u. ä. mit einem Nassverfahren wie einem Solgelverfahren mit der Oberfläche eines Nickelpulvers verbunden und dann gebrannt wird, um Verbundoxidschichten herzustellen, ein Verfahren, bei dem sie durch Sprühpyrolyse hergestellt werden, und ein Verfahren, bei dem ein Verbundoxid mechanisch mit einem Nickelpulver gemischt und verbunden wird.
- Das erfindungsgemäße Pulver wird vorzugsweise durch das Sprühpyrolyseverfahren hergestellt. Dieses Verfahren umfasst das Atomisieren einer Lösung, die mindestens eine Metallverbindung enthält, um feine Tröpfchen herzustellen, und das Erwärmen der Tröpfchen bei einer Temperatur über der Zersetzungstemperatur der Metallverbindung, vorzugsweise bei einer Temperatur nahe dem oder nicht unter dem Schmelzpunkt des Metalls, um die thermische Zersetzung der Metallverbindung zu bewirken und dadurch ein Metall- oder Legierungspulver auszufällen (wie in den japanischen Patentschrift Nr. 31,522/1988, der japanischen OS Nr. 279,816/1994 usw. offenbart).
- Nach diesem Verfahren kann man ein Nickelpulver mit guter Kristallinität, hoher Dichte und hoher Dispergierbarkeit erhalten, bei dem sich die Größe der Teilchen gut steuern lässt, und durch Zugabe von Verbindungen der das Verbundoxid bildenden Elemente, wie z. B. einer Calciumverbindung, zu einer Lösung einer Nickelverbindung als Ausgangsmaterial kann in einem Arbeitsschritt das erfindungsgemäße Nickelpulver mit Verbundoxidschichten hergestellt werden, ohne dass ein zusätzlicher Bedeckungsschritt erforderlich ist. Genauer gesagt ist es denkbar, dass durch Pyrolyse ausgefällte Oxide von Calcium und dergleichen aufgrund der guten Kristallinität der resultierenden Nickelteilchen an deren Oberfläche getrieben werden, um das Verbundoxid in der Nähe der Oberfläche auszubilden. In diesem Fall nimmt man an, dass die verbindende Grenzfläche zwischen den Nickelteilchen und dem Verbundoxid eine Metall und Keramik umfassende abgestufte Zusammensetzungsstruktur hat. Daher kann es möglich werden, nicht nur stark verbundene Schichten zur Verfügung zu stellen, sondern auch den Abbau der Teilchenstruktur aufgrund zu unterschiedlicher Wärmeexpansionskoeffizienten beim Brennen zu verhindern. Dadurch können eine stabile Metall- Keramik-Verbundstruktur selbst bei einer Temperatur von bis zu etwa 1000ºC aufrechterhalten und das Sintern effektiv verhindert werden. Da das Verbundoxid vergleichsweise gleichmäßig auf die Oberfläche abgeschieden wird, kann darüber hinaus selbst eine kleine Menge davon die erwünschte Wirkung erzielen. Beim Sprühpyrolyseverfahren stimmt die Zusammensetzung der resultierenden Teilchen außerdem grundsätzlich mit der Zusammensetzung der Ausgangsmetallverbindung in der Lösung überein, so dass sich die Zusammensetzung leicht steuern lässt. Daher ist dieses Verfahren für die Herstellung des erfindungsgemäßen Nickelpulvers geeignet.
- Wenn eine Bindemittelkomponente wie Boroxid enthalten sein soll, reicht die Zugabe mindestens einer aus der aus thermisch zersetzbaren Borverbindungen, Aluminiumverbindungen und Siliciumverbindungen ausgewählten Verbindung zur Lösung des Ausgangsmaterials aus.
- Im erfindungsgemäßen Verfahren verwendet man Ausgangsverbindungen wie eine Nickelverbindung, ein Verbundoxid und eine Bindemittelkomponente, die jeweils mindestens eine thermisch zersetzbare Verbindung sein können. Beispiele dafür schließen ein Nitrat, ein Sulfat, ein Oxynitrat, ein Oxysulfat, ein Chlorid, einen Ammoniumkomplex, ein Phosphat, ein Carboxylat, ein Metallalkoholat, ein Resinat, eine Borsäure und eine Kieselsäure ein. Alternativ kann man ein Doppelsalz, ein Komplexsalz oder eine kolloidale Lösung eines Metalloxids verwenden.
- Eine Lösung dieser Metallverbindungen in Wasser, einem organischen Lösungsmittel wie einem Alkohol, Aceton oder Ether wird durch einen Ultraschallatomisator, einen Doppelfluidatomisator vom Düsentyp oder eine ähnliche Atomisiervorrichtung in feine Tröpfchen überführt und dann auf eine Temperatur über der Zersetzungstemperatur der Metallverbindungen erwärmt, um ihre thermische Zersetzung zu bewirken. Obwohl die Wärmebehandlung bei der gleichen oder einer höheren Temperatur als dem Schmelzpunkt von Nickel durchgeführt werden sollte, kann sie selbst bei einer Temperatur von etwa 200ºC unter dem Schmelzpunkt eine ausreichende Austriebswirkung erreichen. Besonders wenn keine hohe Dichte oder Gleichmäßigkeit erforderlich ist, kann sie sogar bei einer erheblich unter dem Schmelzpunkt liegenden Temperatur durchgeführt werden. Das Erwärmen erfolgt in einer Atmosphäre, die im Wesentlichen unfähig ist, das Nickelpulver zu oxidieren, z. B. einer reduzierenden oder inerten Atmosphäre, vorzugsweise in einer schwach reduzierenden Atmosphäre, die Wasserstoff, Kohlenmonoxid u. ä. enthält.
- Die erfindungsgemäße Leiterpaste, die ein Nickelpulver als leitfähige Komponente enthält, wird durch gleichmäßiges Vermischen und Dispergieren in einem organischen Träger nach einem üblichen Verfahren hergestellt. Bei Bedarf kann sie außerdem noch andere leitfähige Pulver, anorganische Bindemittel wie Glaspulver und andere Additive enthalten.
- Das erfindungsgemäße Nickelpulver eignet sich besonders gut für eine innere Leiterpaste und eine äußere Leiterpaste zur Vorwendung in mehrschichtigen Komponenten wie einem Mehrschichtkondensator und einem mehrschichtigen PTC-Element, in denen ein Titanat-, Zirconat- oder Titanoxidkeramikmaterial zum Einsatz kommt, Verbundkomponenten, in denen sie inkorporiert sind, und Verbundsubstraten, kann jedoch auch in anderen üblichen Dickfilmleiterpasten verwendet werden.
- Die folgenden Beispiele veranschaulichen die Erfindung im Vergleich zu einem Vergleichsbeispiel.
- Nickelnitrathexahydrat wurde in einer Nickelkonzentration von 50 g/l in Wasser gelöst und dann mit Bariumnitrat und Titanylnitrat gemischt, um eine Lösung aus dem Ausgangsmaterial in einer Menge von 0,1 bis 20 Gew.-% BaTiO&sub3;, bezogen auf das Nickelement, wie in Tabelle 1 aufgeführt herzustellen.
- Diese Lösung wurde unter Verwendung eines Ultraschallatomisators in feine Tröpfchen überführt und dann zusammen mit einem so eingestellten schwach reduzierenden Gas als Träger in ein Keramikrohr eingespeist, das in einem Elektroofen bei 1500ºC erwärmt wurde. Die Tröpfchen wurden durch eine Heizzone geleitet, in der sie thermisch zersetzt wurden, um ein BaTiO&sub3; enthaltendes Nickelpulver zu bilden.
- Nur Nickel und BaTiO&sub3; wurden in der Analyse des erhaltenen Pulvers mit einem Röntgenbeugungsmesser nachgewiesen. Die fluoreszierende Röntgenanalyse zeigt, dass der Gehalt an BaTiO&sub3; mit der Mischzusammensetzung der Lösung des Ausgangsmaterials übereinstimmte. Außerdem war unter einem FE-SEM (Raster- elektronenmikroskop) zu erkennen, dass die BaTiO&sub3;-Schichten in der Nähe der Oberfläche des Nickelpulvers vorlagen.
- Als nächstes wurde das erhaltene Pulver einer thermomechanischen Analyse (TMA) und thermogravimetrischen Analyse (TG) unterzogen, um das Sinter- und Oxidationsverhalten des Pulvers, die Temperatur, bei der die Sinterschrumpfung beginnt, und die Temperatur, bei der die Oxidation einsetzt, zu untersuchen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt.
- Ein Nickelpulver, an dessen Oberfläche sich eine Verbundoxidschicht mit der in Tabelle 1 aufgeführten Zusammensetzung befand, wurde im Wesentlichen auf die gleiche Weise erhalten wie in Beispiel 4 mit dem Unterschied, dass das Verhältnis des zugesetzten Bariums zu Titan verändert wurde.
- Die Temperatur, bei der die Sinterschrumpfung begann, und die Temperatur, bei der die Oxidation des Pulvers einsetzte (gemessen durch TMA und TG), sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgeführt.
- Mindestens eines der Materialien Bariumnitrat, Calciumnitrat und Strontiumnitrat und mindestens eines der Materialien Titanylnitrat und Zirconylnitrat wurden einer wässrigen Lösung von Nickelnitrat zugesetzt. Ein Nickelpulver mit Schichten eines Verbundoxids mit der in Tabelle 1 aufgeführten Zusammensetzung wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 4 erhalten.
- Die Temperatur, bei der das Sinterschrumpfen begann, und die Temperatur, bei der die Oxidation des Pulvers einsetzte (gemessen durch TMA und TG) sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgeführt.
- Bariumnitrat, Titanylnitrat und eines oder zwei der Materialien Borsäure, Aluminiumnitrat und kolloidales Siliciumdioxid wurden einer wässrigen Lösung von Nickelnitrat zugesetzt. Ein Nickelpulver, das ein Verbundoxid und eine Bindemittelkomponente mit den jeweiligen in Tabelle 1 aufgeführten Zusammensetzungen enthielt, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt.
- Die Temperatur, bei der das Sinterschrumpfen begann, und die Temperatur, bei der die Oxidation des Pulvers einsetzte (gemessen durch TMA und TG) sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgeführt.
- Die Untersuchung unter einem FE-SEM bestätigte, dass das Vorliegen der Bindemittelkomponente die Effizienz der Oxidschichten verbesserte, die die Oberfläche der Nickelteilchen gleichmäßiger bedeckten.
- Ein reines Nickelpulver wurde im Wesentlichen auf die gleiche Weise hergestellt wie in Beispiel 1 mit dem Unterschied, dass weder Bariumnitrat noch Titanylnitrat zugesetzt wurde. Die Temperatur, bei der das Sinterschrumpfen begann, und die Temperatur, bei der die Oxidation einsetzte, sind in Tabelle 1 aufgeführt. Tabelle 1
- * TSB: Temperatur, bei der das Sintern beginnt
- * TOB: Temperatur, bei der die Oxidation beginnt
- Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, lag bei den Nickelpulvern mit den Verbundoxidschichten die Temperatur, bei der das Schrumpfen begann, um etwa 200 bis 800ºC über der von reinem Nickelpulver, das bei etwa 300ºC allmählich zu schrumpfen begann. Bei den Nickelpulvern, die außerdem noch eine Bindemittelkomponente enthielten, war die Temperatur, bei der die Oxidation begann, höher.
- Das erfindungsgemäße Nickelpulver, bei dem aufgrund der am seiner Oberfläche vorliegenden Verbundoxidschichten die Sinterbarkeit bei niedrigen Temperaturen unterdrückt ist, kann den Beginn des Schrumpfens einer Nickelpaste beim Brennen bis zu etwa der Temperatur verzögern, bei der die Keramiksubstanz zu sintern beginnt. In Elektronikbauteilen wie einem Mehrschichtkondensator können daher die Trennung und strukturelle Defekte von Leiterfilmen verhindert werden, weil die Schrumpfverhalten der Nickelleiterschichten beim Sintern dem der Keramikschichten ähnlich ist. Außerdem haben die Verbundoxidschichten dadurch, dass sie eine dielektrische Zusammensetzung aufweisen, keinen nachteiligen Einfluss auf dielektrische Schichten und beeinträchtigen die Eigenschaften der elektronischen Komponenten nicht. Folglich können Produkte mit hoher Verlässlichkeit und guter Leistung hergestellt werden. Darüber hinaus können mehrschichtige elektronische Komponenten dadurch, dass die Dicke der inneren Leiterschichten verringert werden kann, zusätzlich mit einem höheren Integrationsgrad miniaturisiert werden.
Claims (8)
1. Nickelpulver, dadurch gekennzeichnet, dass es auf mindestens einem Teil
seiner Oberfläche eine Schicht aus einem Verbundoxid der Formel (1)
aufweist:
AxByO(x+2y),
in der A für mindestens ein aus der aus Ca, Sr und Ba bestehenden
Gruppe ausgewähltes Element steht; B für mindestens ein aus der
aus Ti und Zr bestehenden Gruppe ausgewähltes Element steht und
x und y Zahlen sind, die der Formel 0,5 ≤ y/x ≤ 4,5 genügen, wobei
das jeweilige Verhältnis von A und B zu Sauerstoff einen
Sauerstoffmangel aufweisen kann,
und das mit Oxiden von aus Mangan, Magnesium, Vanadium, Wolfram
und Seltenerdelementen ausgewählten Elementen dotiert sein kann.
2. Nickelpulver nach Anspruch 1, in dem das jeweilige Verhältnis von A und
B zu Sauerstoff nicht stöchiometrisch ist und einen Sauerstoffmängel
aufweist.
3. Nickelpulver nach Anspruch 1 oder 2, das außerdem mindestens eine aus
der aus Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid ausgewählte
Komponente enthält.
4. Nickelpulver nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 3, das mit
Oxiden von aus Mangan, Magnesium, Vanadium, Wolfram und
Seltenerdelementen ausgewählten Elementen dotiert ist.
5. Verfahren zur Herstellung eines Nickelpulvers nach Anspruch 1 oder 2,
umfassend die Bildung feiner Tröpfchen aus einer Lösung, die (a)
mindestens eine thermisch zersetzbare Nickelverbindung, (b) mindestens eine
aus der aus thermisch zersetzbaren Calcium-, Strontium- und
Bariumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente und (c)
mindestens eine aus der aus thermisch zersetzbaren Titan- und
Zirconiumverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente enthält; das
Erhitzen der Tröpfchen bei einer Temperatur über den
Zersetzungstemperaturen der Nickelverbindung, der Calciumverbindung, der
Strontiumverbindung, der Bariumverbindung, der Titanverbindung und der
Zirconiumverbindung, um ein Nickelpulver zu bilden und gleichzeitige eine Schicht aus
einem Verbundoxids der Formel (1) in der Nähe der Oberfläche des
Nickelpulvers auszufällen.
6. Verfahren zur Herstellung des Nickelpulvers nach Anspruch 3, umfassend
die Bildung feiner Tröpfchen aus einer Lösung, die (a) mindestens eine
thermisch zersetzbare Nickelverbindung, (b) mindestens eine aus der aus
thermisch zersetzbaren Calcium-, Strontium- und Bariumverbindungen
bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente und (c) mindestens eine aus
der aus der aus thermisch zersetzbaren Titan- und Zirconiumverbindungen
bestehenden Gruppe ausgewählte Komponente und (d) mindestens eine
aus thermisch zersetzbaren Bor-, Aluminium oder Siliciumverbindungen
enthält; das Erhitzen der Tröpfchen bei einer Temperatur über den
Zersetzungstemperaturen der Nickelverbindung, der Calciumverbindung, der
Strontiumverbindung, der Bariumverbindung, der Titanverbindung und der
Zirconiumverbindung, der Borverbindung, der Aluminiumverbindung und
der Siliciumverbindung, um ein Nickelpulver zu bilden und gleichzeitige
eine Schicht aus dem Verbundoxid der Formel (1) und mindestens einer
aus der aus Boroxid, Aluminiumoxid und Siliciumoxid bestehenden
Gruppe ausgewählten Komponente in der Nähe der Oberfläche des
Nickelpulvers auszufällen.
7. Leiterpaste, die mindestens eines der Nickelpulver nach einem der
Ansprüche 1 bis 4 enthält.
8. Mehrschichtige Keramikkomponente mit einer Leiterschicht, die unter
Verwendung der Leiterpaste nach Anspruch 7 hergestellt wurde.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29963897A JP3475749B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | ニッケル粉末及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69814560D1 DE69814560D1 (de) | 2003-06-18 |
DE69814560T2 true DE69814560T2 (de) | 2003-11-20 |
Family
ID=17875187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69814560T Expired - Lifetime DE69814560T2 (de) | 1997-10-17 | 1998-03-06 | Nickelpulver und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6007743A (de) |
EP (1) | EP0916438B1 (de) |
JP (1) | JP3475749B2 (de) |
KR (1) | KR100251872B1 (de) |
CN (1) | CN1087669C (de) |
CA (1) | CA2230506C (de) |
DE (1) | DE69814560T2 (de) |
MY (1) | MY118457A (de) |
SG (1) | SG73501A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19848344B4 (de) * | 1997-10-21 | 2006-11-23 | Yazaki Corporation | Abgeschirmte Steckbuchse |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6679937B1 (en) * | 1997-02-24 | 2004-01-20 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
CA2273563C (en) | 1998-05-29 | 2006-05-16 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Composite nickel fine powder and method for preparing the same |
US6391084B1 (en) * | 1998-07-27 | 2002-05-21 | Toho Titanium Co., Ltd. | Metal nickel powder |
JP3928309B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2007-06-13 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル複合粒子、導体ペースト及びセラミック積層電子部品 |
JP4001438B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2007-10-31 | 三井金属鉱業株式会社 | 複合銅微粉末の製造方法 |
JP3356741B2 (ja) | 1999-11-09 | 2002-12-16 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面修飾ニッケル微粉及びその製造方法 |
SG94805A1 (en) * | 2000-05-02 | 2003-03-18 | Shoei Chemical Ind Co | Method for preparing metal powder |
US6589457B1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-08 | The Regents Of The University Of California | Polymer-assisted aqueous deposition of metal oxide films |
DE20122873U1 (de) * | 2001-03-03 | 2008-10-30 | Robert Bosch Gmbh | Metallpulver-Verbundwerkstoff und Ausgangsmaterial |
JP3772967B2 (ja) | 2001-05-30 | 2006-05-10 | Tdk株式会社 | 磁性金属粉末の製造方法 |
JP4683598B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2011-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 積層セラミックコンデンサ内部電極用の表面処理ニッケル粉及びその製造方法 |
JP2005154904A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 炭素含有ニッケル粒子粉末およびその製造方法 |
JP4780272B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-09-28 | 戸田工業株式会社 | 複合導電性粒子粉末、該複合導電性粒子粉末を含む導電性塗料並びに積層セラミックコンデンサ |
US7158364B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
US7271369B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-09-18 | Aem, Inc. | Multilayer positive temperature coefficient device and method of making the same |
KR100771773B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-10-30 | 삼성전기주식회사 | 복합니켈 입자 및 그 제조방법 |
CN100463749C (zh) * | 2006-11-24 | 2009-02-25 | 金川集团有限公司 | 一种在振动沸腾层中利用羰基镍热分解生产复合粉的方法 |
JP4807581B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-11-02 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末、その製造方法、導体ペーストおよびそれを用いた積層セラミック電子部品 |
KR101414243B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2014-07-14 | 서울반도체 주식회사 | 황화물 형광체 코팅 방법 및 코팅된 황화물 형광체를채택한 발광 소자 |
CN101774028B (zh) * | 2009-11-20 | 2011-07-20 | 中南大学 | 一种Ni-BaTiO3复合粉末的制备方法 |
JP5447642B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-03-19 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換材料および熱電変換材料の製造方法 |
JP5808889B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2015-11-10 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | コアシェル粒子の製造方法 |
WO2014162821A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | 株式会社村田製作所 | 金属粉末、その製造方法、その金属粉末を用いた導電性ペースト、および積層セラミック電子部品 |
DE102013112493B3 (de) * | 2013-11-13 | 2015-04-09 | Sensata Technologies Bermuda Ltd | Temperatursensor |
KR101730307B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2017-04-25 | 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 탄소 피복 금속분말, 탄소 피복 금속분말을 함유하는 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 전자부품 |
JP5978371B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2016-08-24 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | コアシェル粒子及び導体形成用組成物 |
JP6573563B2 (ja) | 2016-03-18 | 2019-09-11 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉末、ニッケル粉末の製造方法、およびニッケル粉末を用いた内部電極ペーストならびに電子部品 |
WO2018092664A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 昭栄化学工業株式会社 | 金属粉末の製造方法 |
KR102361011B1 (ko) | 2017-03-31 | 2022-02-08 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 금속 분말의 제조 방법 |
CN107393669B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-03-08 | 应城和天电子科技有限公司 | 一种陶瓷电阻碳化工艺 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2133623A (en) * | 1982-12-20 | 1984-07-25 | Engelhard Ind Ltd | Ceramic multilayer electrical capacitors |
JPS621807A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 金属粉末の製造方法 |
US4814107A (en) * | 1988-02-12 | 1989-03-21 | Heraeus Incorporated Cermalloy Division | Nitrogen fireable resistor compositions |
EP0487272A3 (en) * | 1990-11-19 | 1992-10-21 | Sulzer Plasma Technik, Inc. | Thermal spray powders, their production and their use |
TW261554B (de) * | 1992-10-05 | 1995-11-01 | Du Pont | |
JP3042224B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2000-05-15 | 昭栄化学工業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP3064713B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2000-07-12 | 昭栄化学工業株式会社 | 耐酸化性パラジウム粉末と耐酸化性パラジウム粉末の製造方法とこれを用いた厚膜導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
JP3246077B2 (ja) * | 1993-05-27 | 2002-01-15 | 株式会社島津製作所 | 材料試験機 |
JP3137035B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2001-02-19 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP29963897A patent/JP3475749B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-17 US US09/024,397 patent/US6007743A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 SG SG1998000372A patent/SG73501A1/en unknown
- 1998-02-25 CA CA002230506A patent/CA2230506C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-06 DE DE69814560T patent/DE69814560T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-06 EP EP98104033A patent/EP0916438B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-09 CN CN98106074A patent/CN1087669C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-10 MY MYPI98001042A patent/MY118457A/en unknown
- 1998-03-10 KR KR1019980007930A patent/KR100251872B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19848344B4 (de) * | 1997-10-21 | 2006-11-23 | Yazaki Corporation | Abgeschirmte Steckbuchse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG73501A1 (en) | 2000-06-20 |
EP0916438B1 (de) | 2003-05-14 |
US6007743A (en) | 1999-12-28 |
JPH11124602A (ja) | 1999-05-11 |
JP3475749B2 (ja) | 2003-12-08 |
EP0916438A1 (de) | 1999-05-19 |
KR100251872B1 (ko) | 2000-04-15 |
CN1087669C (zh) | 2002-07-17 |
CN1214979A (zh) | 1999-04-28 |
MY118457A (en) | 2004-11-30 |
DE69814560D1 (de) | 2003-06-18 |
KR19990036449A (ko) | 1999-05-25 |
CA2230506C (en) | 2000-05-09 |
CA2230506A1 (en) | 1999-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69814560T2 (de) | Nickelpulver und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE60101641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxiden mit Perowskitstruktur | |
DE69118876T2 (de) | Dielektrische keramische zusammensetzungen und verfahren zur erhöhung ihrer dielektrischen eigenschaften | |
DE69211343T2 (de) | Dielektrische zusammensetzungen mit hoher dielektrozitaetskonstante und feinen korngroessen | |
DE60002956T2 (de) | Dielektrische Kerammikzusammensetzung und elektronisches Bauelement | |
DE2737080C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von monolithischen keramischen Kondensatoren | |
DE69736205T2 (de) | Aluminumnitridsinterkörper, Gegenstand mit eingebettetem Metall, elektronisch funktionalem Material und elektrostatische Einspannvorrichtung | |
DE4010827C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69034034T2 (de) | Keramischer Mehrschicht-Chipkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10032850B4 (de) | Elektrokeramisches Vielschichtbauelement | |
DE69516045T2 (de) | Keramischer Mehrschichtkondensator und Herstellungsverfahren | |
DE2701411C3 (de) | Dielektrische Keramikverbindung | |
DE3216219C2 (de) | ||
DE112008002221B4 (de) | Keramikzusammensetzung, Verfahren zum Erzeugen derselben, Keramiksubstrat und Verfahren zum Erzeugen einer keramischen Grünschicht | |
DE10024236A1 (de) | Keramikkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69024340T2 (de) | Halbleiterkeramikkondensator von laminiertem und zwischenkornisolationstyp und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19622690B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Monolithischen Keramikkondensators | |
DE69611892T2 (de) | Dielektrisches porzellan, verfahren zu seiner herstellung und elektronische teile daraus | |
DE69925429T2 (de) | Nickel Verbundpulver und Verfahren seiner Herstellung | |
DE102008033664A1 (de) | Varistor | |
DE602004000821T2 (de) | Oberflächenbehandeltes ultrafeines Metallpulver | |
DE4005505C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69024280T2 (de) | Halbleiterkeramikkondensator von dem laminierten typ mit zwischenkornisolation und verfahren zu seiner herstellung | |
EP1301449B1 (de) | Keramikmasse und kondensator mit der keramikmasse | |
DE60128172T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung, elektronisches Gerät, und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |