DE69516673T2

DE69516673T2 - Verfahren und gerät zur beschichtung eines substrats

Info

Publication number: DE69516673T2
Application number: DE69516673T
Authority: DE
Inventors: Roderick Boswell; Antoine Durandet; David Mackenzie
Original assignee: Australian National University
Current assignee: Australian National University
Priority date: 1994-02-02
Filing date: 1995-02-02
Publication date: 2000-11-30
Anticipated expiration: 2015-02-03
Also published as: AU1571395A; JPH09511280A; EP0745147A4; KR970701274A; DE69516673D1; EP0745147B1; US5900063A; EP0745147A1; WO1995021276A1; AU692829B2; KR100321676B1; TW276348B; AUPM365594A0

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates und insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung, welche ein Magnetoplasma in der Nähe eines verdampften Ausgangsmaterials schaffen, um den Transport eines Verdampfungsguts und/oder von Ionen eines Hintergrundgases unter dem Einfluß eines angelegten Magnetfeldes zur Anlagerung auf einem Substratmaterial zu fördern.
Das Transportieren von Plasma mittels eines Magnetfeldes ist in der Literatur bestens bekannt und wird gemeinhin zum Ausbilden dünner Folienbeschichtungen im Falle, in dem die Materialquelle ein kathodischer Lichtbogen ist, verwendet (Aksenov et al., Soviet Journal of Plasma Physics 4 (1978), Seite 425).
Der Transport von Plasma durch Magnetfelder wurde ebenfalls im US-Patent Nr. 4,810,935 mit dem Titel "Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas" von R. W. Boswell beschrieben. In diesem Fall wurde keine Verdampfungsquelle besprochen, sondern das Plasma wurde in Gasen erzeugt, welche dem Prozeß zugeführt wurden.
Die Verwendung einer thermischen Verdampfungsquelle mit einem Plasma in ihrer Nähe ist auch bestens als "Ionenplattier"-Verfahren bekannt. Dieses bekannte Verfahren unterscheidet sich von der vorliegenden Erfindung durch seine Verwendung von ausschließlich elektrischen Feldern, um das Plasma zum Substrat zu transportieren, anstelle eines Magnetfeldes und eines elektrischen Feldes wie bei der Erfindung.
Die Verwendung energetischer Ionen, um eine Folie zu verdichten, ist ebenfalls bestens als ionenunterstützte Anlagerung bekannt. Dieses bekannte Verfahren unterscheidet sich von der vorliegenden Erfindung durch seine Verwendung einer Quelle von Bombardierionen (Plasma- oder Ionenquelle), welche nicht durch ein Magnetfeld transportiert werden und von der Quelle des angelagerten Materials getrennt sind.
US-Patent Nr. 5,126,030 beschreibt ein bekanntes Verfahren und eine bekannte Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit einem Material durch Verwendung von Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung. Eine Lichtbogenverdampfungsquelle enthält ein folienbildendes Material. Ein Substrat ist auf der Mittelachsenlinie von und einwärts von der Verdampfungsoberfläche der Lichtbogenverdampfungsquelle angeordnet. Zumindest eine Magnetspule ist um die Mittelachsenlinie und zwischen der Lichtbogenverdampfungsquelle und dem Substrat angeordnet. Bei diesem Vorgang muß das Zielsubstrat im kathodischen Lichtbogen negativ vorgespannt und ein Leiter sein.
Ein Beispiel für ein Plasma, welches durch Hochfrequenzleistung erzeugt wird, wird in den Japanischen Patentzusammenfassungen Bd. 017, Nr. 693 (C- 1144), 17. Dezember 1993, beschrieben. Ein hochfrequenter Strom wird durch eine Spule geführt, um ein Magnetfeld in einer zylindrischen Röhre zu erzeugen. Ein Gas wird durch die Röhre geführt und erregt, um ein Hochfrequenzinduktionsplasma zu erzeugen. Ein Aufdampfmaterial wird im Plasma positioniert und verdampft und auf die Oberfläche eines Substrats angelagert.
Es ist auch bekannt, einen Elektronenstrahl zu verwenden, um ein Ausgangsmaterial zu verdampfen, beispielsweise wie in den Japanischen Patentzusammenfassungen C-1057, Seite 23, beschrieben wird. Diese Vorrichtung ist mit einer Fokussierungsspule versehen, welche das folienbildende Material mit den Elektronen bestrahlt, die von einem Elektronenstrahlgenerator geliefert werden, und das Magnetfeld zum Ionisieren des filmbildenden Materials bildet, welches gemeinsam mit eingeleiteten Gasen verdampft werden soll.
Die vorliegende Erfindung verfolgt die Aufgabe, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ausbilden einer Beschichtung auf einem Substrat vorzusehen, welche sich von jenen im Stand der Technik bekannten, vorstehend besprochenen Verfahren und Vorrichtungen unterscheidet.
Die vorliegende Erfindung verfolgt auch die Aufgabe, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ausbilden einer Beschichtung auf einem Substrat vorzusehen, welche einen breiten Anwendungsbereich dafür aufweisen, beispielsweise das Herstellen "dotierter" Folien oder Legierungen aus verschiedenen Materialien, beispielsweise aus Halbleiterwerkstoffen.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung zum Ausbilden einer Beschichtung auf einem Substrat vorgesehen, umfassend:
einen elektrisch unabhängigen Verdampfer, um ein Verdampfungsgut aus einem festen Ausgangsmaterial zu erzeugen; eine Plasmaerzeugungskammer, welche eine Erregungsantenne aufweist, die in der Lage ist, Hochfrequenzleistung mit einem Plasma mit verbesserter Effizienz über induktive Ankopplung zu koppeln, innerhalb welcher ein hochdichtes Magnetoplasma aus dem Verdampfungsgut und (vorzugsweise) auch aus einem Hintergrundgas erzeugt wird, wobei die Plasmaerzeugungskammer über dem Verdampfer und unter dem Substrat in einer im wesentlichen vertikalen und axial konzentrischen Konfiguration angeordnet ist; und Magnetfeldzufuhrmittel, um ein im wesentlichen vertikal ausgerichtetes Magnetfeld an die Vorrichtung anzulegen, um die Dichte des Magnetoplasmas, welches dem Substrat benachbart ist, zu regeln.
Vorzugsweise wird die Antenne mit Hochfrequenzleistung erregt, welche vorzugsweise im Frequenzbereich von 10 bis 30 MHz liegt.
Ebenso sind der Verdampfer, die Plasmaerzeugungskammer und das Substrat allesamt im wesentlichen axial konzentrisch.
Insbesondere ist die Plasmaerzeugungskammer über dem Verdampfer und unter dem Substrat in einer im wesentlichen vertikalen Konfiguration angeordnet.
Bei der bevorzugten Ausführungsform wirkt das Magnetfeld dahingehend, daß es die Dichte des Magnetoplasmas erhöht und den Ionisierungsanteil des Verdampfungsgutes und jedweder der Kammer zugeführten Hintergrundgase erhöht.
Bei einer -anderen bevorzugten Ausführungsform ist der Ionisierungsanteil gering oder null, und die primäre Wirkung des Magnetfeldes besteht darin, Ionen des Hintergrundgases zur Oberfläche zu transportieren, um den Vorgang ionenunterstützter Anlagerung durchzuführen.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform enthält das Hintergrundgas Vorläuferstoffe, welche die Anlagerung einer dotierten Folie an das Substrat ermöglichen, welche vom Hintergrundgas stammt, während der Dotand vom Verdampfungsgut stammt.
Insbesondere umfaßt der Verdampfer einen Tiegel, welcher eventuell mehr als eine Kammer darin aufweist, wobei jede Kammer ein unterschiedliches Ausgangsmaterial aufnimmt, und wodurch der Verdampfer geregelt wird, um wunschgemäß Verdampfungsgut aus jedem Ausgangsmaterial zu erzeugen. Bei einer bevorzugten Form wird eine Gittervorspannung (DC oder RF) an das Substrat angelegt.
Möglicherweise beträgt die Gittervorspannung insbesondere bis ungefähr 4kv.
Vorzugsweise wird das Substrat erwärmt oder gekühlt.
Bei einer bevorzugtesten Form liegt ein Potentialmaximum im Plasma nahe dem Verdampfer, derart, daß das Verdampfungsgut großteils an einem Ort am oder über dem Potentialmaximum ionisiert wird.
Möglicherweise weist das Magnetoplasma insbesondere eine Tonendichte auf, die größer als 10¹¹/cm³ ist.
Vorzugsweise wird(werden) das(die) Ausgangsmaterial(ien) aus der Gruppe umfassend Bor, Titan, Zirconium, Kohlenstoff, Hafnium, Wolfram, Silicium, Germanium, Chrom, Tantal, Vanadium, Magnesium, Aluminium, Mangan, Nickel, Kupfer, Nioblum, Molybdän, Silber, Indium, Zinn, Yttrium, Gold, jedwedes Seltenerdmetall, Gallium, Calcium, Strontium und Barium ausgewählt.
Ebenfalls wird vorzugsweise das Magnetoplasma aus der Gruppe umfassend die Gase Argon, Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff, Methan, Acetylen, Phosphin, Diboran, Arsin, Germaniumwasserstoff, Silan, Siliciumtetrachlorid, Krypton, Fluorin, Trimethylgallium, Aluminiumtrichlorid, Titantetrachlorid, Teos und Disilan ausgewählt.
Möglicherweise ist das Ausgangsmaterial insbesondere Bor und umfaßt das Magnetoplasma insbesondere ein Gemisch aus Stickstoff und Argon, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, kubisches Bornitrid umfaßt.
Möglicherweise ist das Ausgangsmaterial insbesondere Silicium und enthält das Magnetoplasma insbesondere Sauerstoff und/oder Stickstoff, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid oder ein Gemisch aus diesen umfaßt.
Möglicherweise ist das Ausgangsmaterial insbesondere Germanium und umfaßt das Magnetoplasma insbesondere ein Gemisch aus Silan und eventuell Sauerstoff, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, mit Germanium dotiertes Silicium oder Siliciumdioxid umfaßt.
Die vorliegende Erfindung wird durch die folgende ausführliche Beschreibung ihrer bevorzugten, jedoch nichteinschränkenden Ausführungsform, welche in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen beschrieben wurde, besser zu verstehen sein. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung der Hauptkomponenten einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine genauere Detailansicht einer tatsächlichen Ausführungsform der Vorrichtung;
Fig. 3 eine Detailansicht der Seite der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung; und
Fig. 4 eine Detailansicht der Oberseite der in Fig. 2 und 3 dargestellten Vorrichtung.
In allen Zeichnungen werden gleiche Bezugszeichen verwendet, um gleichartige Merkmale zu kennzeichnen, sofern nichts Gegenteiliges ausdrücklich angegeben wird.
Die in den Zeichnungen dargestellte Vorrichtung, welche möglicherweise am besten in Fig. 1 veranschaulicht und allgemein mit der Bezugszahl 1 bezeichnet wird, umfaßt drei miteinander verbundenene Kernkomponenten, einen Verdampfungsgut erzeugenden Bereich 2, eine Plasmaerzeugungskammer 3 und eine Anlagerungskammer 4. Die Verdampfungsgutkammer 2 umfaßt im Grunde einen Elektronenstrahlverdampfer 5, in welchem ein Elektronenstrahl auf eine Menge aus in einem Tiegel aufbewahrten Ausgangsmaterial gerichtet wird, um ein Verdampfungsgut 6 aus dem Ausgangsmaterial zu erzeugen. Die Plasmäerzeugungskammer 3 umfaßt einen Gaseinlaß 7, um Gas dort hineinzuführen, und eine Antenne 9 zum Aussenden von Helikonwellen. Ein Magnetfeld wird durch Feldspulen 10 aufrechterhalten, welche ein Magnetfeld schaffen, das durch Feldlinien 11 dargestellt wird, welche im wesentlichen vertikal verlaufen und sich zu jedem der beiden Enden der Vorrichtung 1 hinerstrecken. Das Plasma wird durch induktive Hochfrequenzerregung aufrechterhalten. Eine geeignete Konstruktion für die Plasmaquelle besteht aus einer zylindrischen Silikaröhre, an welcher eine externe Antenne von einem Typ angeschlossen ist, welcher für gewöhnlich zum Aussenden von Helikonwellen verwendet wird.
In der Anlagerungskammer 4 ist ein zu beschichtendes Substrat 12 in einem Abstand über der Plasmaquelle nach unten weisend angeordnet. Feldspulen 13 unterstützen die Feldspulen 10 in der Plasmaerzeugungskammer 3, um das Magnetfeld zu erzeugen, welches durch die Feldlinien 11 dargestellt wird. Das Substrat 12 kann mit DC- oder HF- Potentialen vorgespannt und auf eine geeignete Temperatur erwärmt oder gekühlt werden.
Ein wichtiges Merkmal der Erfindung ist, daß das maximale Plasmapotential im Plasma in einem Abstand über der Verdampfungsquelle 5 liegt, welcher ausreichend klein ist, so daß Ionen von Verdampfungsgut 6 und/oder Hintergrundgasen weitgehend am oder über dem Potentialmaximum polarisiert werden. Dies wird durch Regeln/Einstellen des Druckes, der Plasmadichte und der Magnetfeldstärken auf optimale Werte erreicht.
Die Bedingungen des Prozesses, der, wie wir beobachtet haben, zur Bildung der kubischen Phase aus Bornitrid, c- BN, führt, werden in Tabelle 1 angeführt wie folgt:

Tabelle I - zur Bildung von c-BN führende Bedingungen

dem Elektronenstrahlverdampfer zugeführte elektrische Energie 140 mA, 8 kV
der Plasmaquelle zugeführte Leistung 300 W
Abstand der Borquelle vom Boden der Plasmaquelle 70 mm
Länge der Plasmaquelle 300mm
Innendurchmesser der Plasmaquelle 130 mm
Abstand von Borquelle zu Substrat 600 mm
ans Substrat angelegte HF-Spannung, Spitze zu Spitze 1400 V
DC-Vorspannung -360V
Substrattemperatur 260ºC
Durchflußrate Argon 3 sccm
Durchflußrate Stickstoff 5 sccm
Gesamtdruck 0,5 mTorr
Substratmaterial Silicium
Strom in Feldspulen (Oberseite der Helikonquelle) (Feld auf) 0,2A
(Unterseite der Helikonquelle) (Feld ab) 1A
Durchschnittsdurchmesser der Feldspulen 195 mm
Windungsanzahl 250
Spulenmittenabstand 210 mm
Die Bedingungen des Prozesses, der, wie beobachtet wurde, zur Bildung von Siliciumdioxid führt, werden in Tabelle 2 angeführt wie folgt:

Tabelle II - zur Bildung von Siliciumdioxid führende Bedingungen

dem Elektronenstrahlverdampfer zugeführte elektrische Energie 300 mA, 10 kV
der Plasmaquelle zugeführte Leistung 800 W
Abstand der Siliciumquelle vom Boden der Plasmaquelle 70 mm
Länge der Plasmaquelle 150 mm
Innendurchmesser der Plasmaquelle 130 mm
Abstand von Siliciumquelle zu 360mm
Substrat Substrattemperatur < 200ºC
DC-Vorspannung - Substrat 0 bis -200 V
Durchflußrate Sauerstoff 25 sccm
Gesamtdruck 2mTorr
Substratmaterial Silicium
Strom in Feldspulen
(Oberseite der Helikonquelle) 0,2A
(Unterseite der Helikonquelle) 1A
Durchschnittsdurchmesser der 195 mm
Feldspulen
Windungsanzahl 250
Spulenmittenabstand 100mm
Um etwas vom Verdampfungsgut von der Elektronenstrahlquelle zu ionisieren und auch um jedwede anwesenden Hintergrundgase zu ionisieren. Die positiven Ionen und Elektronen, welche durch den Ionisierungsvorgang erzeugt werden, werden daraufhin in die Nähe des Substrats transportiert. Ein Hochfrequenzpotential wird an das Substrat angelegt, um abwechselnd die positiven Ionen und die Elektronen anzuziehen.
Der Aufprall der positiven Ionen wird verwendet, um erstrebenswerte Verbesserungen der Eigenschaften von angelagerten Folien zu erzeugen, und der Aufprall der Elektronen wird verwendet, um jedwede Ladungen, welche in der Folie durch die positiven Ionen erzeugt werden, zu neutralisieren.
Aufprall durch positive Ionen kann Materialformen erzeugen, welche nutzbringende Eigenschaften aufweisen, indem ihre Dichte infolge der Kompaktierungswirkung der Ionen erhöht wird. Dieser Vorgang ist im Stand der Technik als "ionenunterstützte Anlagerung" bekannt. Ein Beispiel für die Verwendung dieser Vorrichtung, um eine derartige Materialform, nämlich die kubische Form von Bornitrid, zu erhalten, wird wie folgt vorgesehen. Reines Bor wird als eine Quelle für Bordampf im Elektronenstrahlverdampfer verwendet. Ein Gemisch aus Argon- und Stickstoffgasen wird in die Vorrichtung eingelassen. Eine Reihe anderer Materialien kann aus der folgenden nichterschöpfenden Liste ausgewählt werden.

Ausgangsmaterial Hintergrundgas

Bor Argon
Titan Stickstoff
Zirconium Sauerstoff
Kohlenstoff Wasserstoff
Hafnium Phosphin
Wolfram Diboran
Chrom Methan, Acetylen
Silicium Arsin
Germanium Germaniumwasserstoff
Chrom Silan
Tantal Siliciumtetrachlorid
Vanadium Krypton
Magnesium Fluorin
Aluminium Trimethylgallium
Mangan Aluminiumtrichlorid
Nickel Titantetrachlorid
Kupfer Teos
Niobium Disilan
Molybdän
Silber
Indium
Zinn
Yttrium
Gold
jedes beliebige
Seltenerdmetall
Gallium
Calcium
Strontium
Barium
Zwar wurden vorhin spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben, es ist erkennbar, daß zahlreiche Variationen und Modifikationen der Vorrichtung und des Verfahrens naheliegen. Es ist ebenfalls erkennbar, daß die Vorrichtung und das Verfahren verwendet werden können, um eine breite Vielfalt von Beschichtungen mit unterschiedlichen Eigenschaften auf Substratmaterialien auszubilden. Alle derartigen Variationen und Modifikationen der Vorrichtung und des Verfahrens und auch der Anwendungsmöglichkeiten der Vorrichtung und des Verfahrens, einschließlich der dadurch geschaffenen unterschiedlichen Beschichtungen, sollten als in den Umfang der Erfindung fallend betrachtet werden, wie er zuvor im weiten Sinne beschrieben und in der Folge beansprucht wird.

Claims

1. Vorrichtung (1) zum Ausbilden einer Beschichtung auf einem Substrat, umfassend:

einen elektrisch unabhängigen Verdampfer (5), um ein Verdampfungsgut (6) aus einem festen Ausgangsmaterial zu erzeugen; eine

Plasmaerzeugungskammer (3), welche eine Erregungsantenne (9) aufweist, die in der Lage ist, Hochfrequenzleistung mit einem Plasma mit verbesserter Effizienz über induktive Ankopplung zu koppeln, innerhalb welcher ein hochdichtes Magnetoplasma aus dem Verdampfungsgut und (vorzugsweise) auch aus einem Hintergrundgas erzeugt wird, wobei die Plasmaerzeugungskammer über dem Verdampfer (5) und unter dem Substrat in einer im wesentlichen vertikalen und axial konzentrischen Konfiguration angeordnet ist; und

Magnetfeldvorsehmittel (10), um ein im wesentlichen vertikal ausgerichtetes Magnetfeld (11) an die Vorrichtung (1) anzulegen, um die Dichte des Magnetoplasmas, welches dem Substrat benachbart ist, zu regeln.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der elektrisch unabhängige Verdampfer ein Elektronenstrahlverdampfer ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Antenne mit Hochfrequenzleistung erregt wird, welche vorzugsweise im Frequenzbereich von 10 bis 30 MHz liegt.

4. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Magnetfeld dahingehend wirkt, daß es die Dichte des Magnetoplasmas erhöht und den Ionisierungsanteil des Verdampfungsgutes und jedweder der Kammer zugeführten Hintergrundgase erhöht.

5. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Ionisierungsanteil des Verdampfungsgutes niedrig oder null ist und die primäre Wirkung des Magnetfeldes darin besteht, Ionen des Hintergrundgases zur Oberfläche zu transportieren, um den Vorgang ionenunterstützter Anlagerung durchzuführen.

6. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Hintergrundgas Vorläuferstoffe enthält, welche die Anlagerung einer dotierten Folie an das Substrat ermöglichen, welche vom Hintergrundgas stammt, während der Dotand vom Verdampfungsgut stammt.

7. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Verdampfer einen Tiegel umfaßt, welcher eventuell mehr als eine Kammer darin aufweist, wobei jede Kammer ein unterschiedliches Ausgangsmaterial aufnimmt, und wodurch der Verdampfer geregelt wird, um wunschgemäß Verdampfungsgut aus jedem Ausgangsmaterial zu erzeugen.

8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Gittervorspannung (DC oder HF) an das Substrat angelegt wird.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Gittervorspannung bis ungefähr 4KV beträgt.

10. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Substrat erwärmt oder gekühlt wird.

11. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 10, wobei ein Potentialmaximum im Plasma nahe dem Verdampfer liegt, derart, daß das Verdampfungsgut großteils an einer Position am oder über dem Potentialmaximum ionisiert wird.

12. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Magnetoplasma eine Ionendichte aufweist, die größer als 10¹¹/cm³ ist.

13. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 12, wobei das(die) Ausgangsmaterial(ien) aus der Gruppe umfassend Bor, Titan, Zirconium, Kohlenstoff, Hafnium, Wolfram, Silicium, Germanium, Chrom, Tantal, Vanadium, Magnesium, Aluminium, Mangan, Nickel, Kupfer, Niobium, Molybdän, Silber, Indium, Zinn, Yttrium, Gold, jedwedes Seltenerdmetall, Gallium, Calcium, Strontium und Barium ausgewählt wird(werden).

14. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Magnetoplasma aus der Gruppe umfassend die Gase Argon, Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff, Methan, Acetylen, Phosphin, Diboran, Arsin, Germaniumwasserstoff, Silan, Siliciumtetrachlorid, Krypton, Fluorin, Trimethylgallium, Aluminiumtrichlorid, Titantetrachlorid, Teos und Disilan ausgewählt wird.

15. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 14, wobei das Ausgangsmaterial Bor ist und das Magnetoplasma ein Gemisch aus Stickstoff und Argon umfaßt, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, kubisches Bornitrid umfaßt.

16. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Ausgangsmaterial Silicium ist und das Magnetoplasma Sauerstoff und/oder Stickstoff ist, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid oder ein Gemisch aus diesen umfaßt.

17. Vorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Ausgangsmaterial Germanium ist und das Magnetoplasma ein Gemisch aus Silan und eventuell Sauerstoff umfaßt, derart, daß die Beschichtung, welche auf dem Substrat ausgebildet wird, mit Germanium dotiertes Silicium oder Siliciumdioxid umfaßt.