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DE69429324T2 - Scheibenartige Behandlung von verformbaren Spiegelvorrichtungen (DMD) nach dem Sägen - Google Patents

Scheibenartige Behandlung von verformbaren Spiegelvorrichtungen (DMD) nach dem Sägen

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DE69429324T2
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Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Verarbeitung integrierter Schaltungen und insbesondere auf die Herstellung mikromechanischer Vorrichtungen einschließlich verformbarer Mikrospiegelbauelemente.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Damit die Verarbeitung integrierter Schaltungen (ICs) kostengünstig ist, sollten die einzelnen Schaltungen oder Chips unter Verwendung einer Halbleiterscheibe in Massenproduktion hergestellt werden, um viele Chips auf einem einzelnen Substrat gleichzeitig herzustellen. Die typische Verarbeitung für mikroelektronische mechanische Systeme (MEMS) umfaßt eine umfangreiche Chipbehandlung wie etwa die Opferschichtbeseitigung und den Vorrichtungstest während des Prozesses. Die Fähigkeit, diese Prozesse in Scheibenform anstatt in Chipform auszuführen, ist sehr attraktiv. Da die Verarbeitungsanlage anstelle vieler Chips lediglich eine Scheibe bewegen und ausrichten muß, verringert das Ausführen der Verarbeitung auf der Scheibenebene die erforderliche Behandlung. Die Ausrichtung oder Registrierung ist sehr entscheidend für den Test. Nachdem die gesamte Verarbeitung auf der Scheibenebene abgeschlossen ist, werden die Chips getrennt und mit Gehäusen verschlossen. Wenn die Vorrichtungen von einer Scheibe getrennt werden, werden Scheibenpartikel und Staub erzeugt, die auch als Trennrückstände bekannt sind. Typischerweise werden diese Trennrückstände daraufhin vor dem Kontaktieren des Chips an dem Gehäuse von der Oberfläche des IC gewaschen.
  • Aus US-A-3.976.288 ist eine Halbleiterscheiben-Trennhalterung bekannt. Dieses Dokument offenbart eine Vorrichtung zum Halten einer Halbleiterscheibe in einer vorgegebenen Stellung oder Ausrichtung, um das Trennen der Scheibe in diskrete Halbleiterchips mit vorgegebener Größe ohne Verschiebung der Chips während der Trennoperation zu ermöglichen, wobei die Chips in Spalten und Zeilen mit einem Kerbbereich zwischen benachbarten Chips angeordnet sind. Die Vorrichtung umfaßt ein Grundteil mit einem Halbleiterscheiben-Positionierbereich mit einer Verbindung zu dem Grundteil zur Ausübung des Unterdrucks auf mehrere räumlich beabstandete Öffnungen in dem Scheibenaufnahmebereich, wobei die Öffnungen dem Ort der Chips entsprechen. Eine Deckplatte zum Übereinanderlegen des Scheibenaufnahmebereichs enthält mehrere gezahnte Rippen und Schlitze, wobei die Schlitze durch die Abdeckung verlaufen und so bemessen sind, daß sie auf den Kerbbereich der Scheibe ausgerichtet sind, während die Rippen Streifen aus zusammendrückbarem Material besitzen, die für eine übereinanderliegende Druckbeziehung auf der Scheibe unter den Rippen liegen, so daß dann, wenn eine Scheibe entlang der Kerbbereiche durch die Schlitze durchgeschnitten wird, der Unterdruck, der erzeugt wird, zusammen mit dem Preßeingriff der Streifen auf der Scheibe die Verschiebung der Chips während der Trennoperation verhindert.
  • Mikromechanische Vorrichtungen besitzen häufig Strukturen, die zu zerbrechlich sind, um es zu überstehen, irgendwelchen Standard-IC-Herstellungsschritten ausgesetzt zu sein. Ein Beispiel ist die digitale Mikrospiegelvorrichtung (DMD). DMDs sind im US-Patent Nr. 5.061.049, "Spatial Light Modulator and Method", das auf Texas Instruments Incorporated übertragen ist, erläutert. Wie in dem obenerwähnten Patent beschrieben ist, besitzen DMDs einen sehr kleinen Spiegel, der über einem Luftzwischenraum über auf der Oberfläche eines Siliciumsubstrats ausgebildeten Elektroden aufgehängt ist. Wenn dieser Spiegel ausgebildet und das Opfermaterial aus dem Luftzwischenraum geätzt ist, ist die DMD sehr zerbrechlich. Die Vorrichtungen können beispielsweise während Scheibenreinigungsschritten keinen Flüssigkeiten ausgesetzt werden, ohne den Spiegel zu zerstören. Somit müssen die Vorrichtungen vor dem Abätzen der Opferschicht von dem Spiegel geschnitten und die Trennrückstände abgewaschen werden. Dies erfordert, daß die Reinigungs- und Ätzschritte und jegliche Folgeschritte einschließlich des Tests anstatt an einer Scheibe an den Einzelchips ausgeführt werden.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine wie in Anspruch 1 definierte schützende Halterung konstruiert, die die effiziente Scheibenverarbeitung mikromechanischer Vorrichtungen ermöglicht. Das Verfahren der Erfindung umfaßt die in Anspruch 7 oder 12 definierten Merkmale. Dadurch, daß in den zwischen der Halterung und der Scheibe eingeschlossenen Lufträumen ein Vakuum gezogen wird, kann die Halterung gegen eine Scheibe gedrückt werden, die mikromechanische Vorrichtungen enthält. Die Halterung ist mit Flächen konstruiert, die ermöglichen, daß die Halterung und die Scheibe eine Abdichtung rund um jede Vorrichtung bilden. Daraufhin werden die Vorrichtungen auf der Scheibe getrennt, wobei irgendwelche während des Trennprozesses erzeugten Rückstände von den Vorrichtungen und von der Halterung abgewaschen werden können. Es ist ein Vorteil dieser Erfindung, daß sie eine Halterung und ein Verfahren schafft, die ermöglichen, daß eine Scheibe, die mikromechanische Vorrichtungen enthält, vollständig unter Verwendung von Industriestandardtechniken hergestellt wird.
    • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Fig. 1A und 1B sind für Erläuterungszwecke wesentlich vergrößerte Drauf- bzw. Seitenansichten einer Scheibe, die teilweise eingesägte Straßen, die Vorrichtungen trennen, zeigen.
  • Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht einer Vakuumhalterung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 2A ist eine Schnittansicht der Halterung aus Fig. 2 längs der Linie 2A-2A.
  • Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer teilweise eingesägten Scheibe, die gegen die Vakuumhalterung aus Fig. 2 gedrückt wird, vor dem Schleifen der Rückseite der Scheibe.
  • Fig. 4 ist eine Schnittansicht einer teilweise eingesägten Scheibe, die gegen die Vakuumhalterung aus Fig. 2 gedrückt wird, nach dem Schleifen der Rückseite der Scheibe.
  • Fig. 5 ist eine schematische Draufsicht einer Vakuumhalterung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 5A ist eine Schnittansicht der Halterung aus Fig. 5 längs der Linie 5A-5A.
  • Fig. 6 ist eine Schnittansicht einer Scheibe, die gegen die Vakuumhalterung der Ausführungsform aus Fig. 5 gedrückt wird, vor dem Sägevorgang.
  • Fig. 7 ist eine Schnittansicht einer Scheibe, die gegen die Vakuumhalterung der Ausführungsform aus Fig. 5 gedrückt wird, nach dem Sägevorgang.
    • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die Fig. 1A und 1B zeigen eine Siliciumscheibe 22, auf der mikromechanische Vorrichtungen wie etwa digitale Mikrospiegel hergestellt werden. Selbstverständlich ist diese Erfindung auf andere Substrate und Vorrichtungen anwendbar.
  • Vor dem Unterschneiden der Spiegel auf den Vorrichtungen werden zwischen den einzelnen Vorrichtungen längs Anrißmarkierungen oder Straßen auf der Scheibe 22 die Sägekerben 24 hergestellt. Obgleich die in Fig. 1A und 1B gezeigten Vorrichtungen für Erläuterungszwecke wesentlich vergrößert sind, so daß jede Figur lediglich vier Vorrichtungszeilen zeigt, besitzt jede Scheibe typischerweise eine wesentlich größere Anzahl von Zeilen. Wenn andere mikromechanische Vorrichtungen wie etwa Beschleunigungsmesser oder Motoren hergestellt werden, sind die Teilsägekerben 24 vor irgendeinem Herstellungsschritt herzustellen, der die Vorrichtungen zu zerbrechlich macht, um das Reinigen der Trennrückstände von der Vorrichtung zu überstehen. Nachdem die Trennrückstände abgewaschen worden sind, werden die Spiegel unterschnitten. Nach Abschluß des Unterschneidens sind die Spiegel zerbrechlich und können vielen Herstellungsschritten nicht ausgesetzt werden. Die Herstellung der Vorrichtungen einschließlich des Beseitigens der Opferschicht und des Tests kann in Scheibenform abgeschlossen werden.
  • Fig. 2 zeigt eine Vakuumhalterung 26 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Halterung 26 kann rostfreier Stahl, Keramik, Quarz oder irgendein anderes Material sein, das auf die erforderlichen Toleranzen maschinell bearbeitet oder geformt werden kann. Die Halterung 26 wird maschinell bearbeitet, so daß sie mehrere Lufträume wie etwa einen Luftraum 28 über den Vorrichtungen auf der Scheibe besitzt. Wenn beispielsweise Mikrospiegelvorrichtungen hergestellt werden, hilft der Luftraum 28 über den Spiegeln, den Kontakt mit den Spiegeln zu verhindern. Die Lufträume 28 über jeder Vorrichtung sind mit mehreren Vakuumanschlüssen 30 verbunden, die das Evakuieren der Lufträume 28 ermöglichen. Die Halterung 26 enthält die Trennteile 29 A, 29B, 29C, 29D und 29E, die geeignet maschinell bearbeitet und angeordnet sind, so daß sie die in die Scheibe geschnittenen Sägekerben bedecken und rund um jede Vorrichtung abdichten.
  • Wenn sämtliche zum Fertigstellen der Vorrichtungen auf der Scheibe erforderlichen Prozeßschritte abgeschlossen worden sind, wird die teilweise eingesägte Scheibe 22, wie in Fig. 3 gezeigt ist, an eine Vakuumhalterung 26 angepaßt. Daraufhin werden die Lufträume 28 durch die Vakuumanschlüsse 30 evakuiert, während die Rückseite der Scheibe 22 bis auf die Teilsägekerben abgeschliffen wird, um die Vorrichtungen zu trennen. Die Operation des Schleifens der Rückseite der Scheibe schafft außerdem ein besseres Wärmemanagement auf der fertigen Vorrichtung. Eine alternative Technik zum Schleifen der Rückseite der Scheibe ist das Einsägen der Scheiben von der Rückseite durch die Sägekerben 24 auf der Vorderseite. Eine weitere Alternative ist die Verwendung eines zum Zerbrechen der Scheiben konstruierten Werkzeugs. Für bestimmte dieser alternativen Techniken muß die Halterung 26 möglicherweise flexibel sein, um zu ermöglichen, daß einige der Scheibenbrechgeräte funktionieren.
  • Fig. 4 zeigt die fertigen Vorrichtungen, nachdem die Vorrichtungen auf der Scheibe getrennt worden sind. Jede Vorrichtung wird durch das Vakuum gegen die Halterung 26 gedrückt, so daß die Kombination der Vorrichtungen und der Halterung 26 zum Beseitigen irgendwelcher Rückstände von der Trennoperation gewaschen werden kann. Nach dem Waschen wird das Vakuum, das die Vorrichtungen an der Halterung 26 hält, beseitigt, um zu ermöglichen, daß die Vorrichtung 32 von der Halterung 26 entfernt wird. Daraufhin sind die fertigen Vorrichtungen zum Verschließen mit dem Gehäuse und für irgendeine weiter erforderliche Verarbeitung bereit.
  • Eine alternative Ausführungsform des Prozesses dieser Erfindung erfordert nicht, daß vor Fertigstellung der Vorrichtungen die Anrißmarkierungen oder Straßen teilweise eingesägt werden. Gemäß der in Fig. 5 gezeigten alternativen Ausführungsform besitzt die Halterung 36 mehrere maschinell hergestellte Durchlässe 38, die so beschaffen sind, daß sie auf die Anrißmarkierungen der Scheibe ausgerichtet sind. Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wird die Scheibe 34 daraufhin, nachdem die Scheibe 34 vollständig hergestellt ist und sämtliche Verarbeitungsschritte auf der Scheibenebene einschließlich des Tests abgeschlossen sind, dadurch, daß durch die Vakuumanschlüsse 40 in dem Luftraum ein Vakuum gezogen wird, an der Halterung 36 angebracht.
  • Die Vorrichtungen auf der Scheibe 34 werden durch einen Rückseiten- Sägevorgang getrennt. Wie in Fig. 7 gezeigt ist, ist jede Sägekerbe 42 auf einen Durchlaß 38 ausgerichtet. Wie in der früheren Ausführungsform können die Scheibe und die Halterung nun gewaschen werden, um irgendwelche durch die Sägeoperation erzeugten Trennrückstände zu beseitigen. Daraufhin wird das Vakuum beseitigt, um zu ermöglichen, daß die mehreren fertigen Vorrichtungen 44 von der Halterung 36 entfernt werden.
  • Obgleich somit bis zu diesem Punkt eine besondere Ausführungsform für ein Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Vorrichtungen beschrieben worden ist, in dem zerbrechliche mikromechanische Strukturen während des Trennens gegenüber Trennrückständen geschützt sind, sollen diese spezifischen Angaben mit Ausnahme des in den folgenden Ansprüchen Dargestellten licht als Beschränkungen an den Umfang dieser Erfindung angesehen werden sollen. Während die Erfindung im Zusammenhang mit bestimmten ihrer spezifischen Ausführungsformen beschrieben wurde, sind nunmehr selbstverständlich außerdem weitere Abwandlungen für den Fachmann auf dem Gebiet naheliegend, wobei all diese Abwandlungen selbstverständlich in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen sollen.

Claims (12)

1. Halterung zum Schützen einer Scheibe (22; 34) mit wenigstens zwei mikromechanischen Vorrichtungen, wobei jede mikromechanische Vorrichtung wenigstens einen zerbrechlichen Abschnitt aufweist, wobei die Halterung (26) umfaßt:
eine Fläche zum Berühren der Scheibe (22; 34), wobei die Fläche mehrere vertiefte Bereiche zum Verhindern des Kontakts zwischen der Fläche und der Scheibe (22; 34) aufweist, so daß dann, wenn die Fläche der Halterung (26; 36) mit der Scheibe (22; 34) in Kontakt steht, jeder vertiefte Bereich der Fläche über dem zerbrechlichen Abschnitt einer der mikromechanischen Vorrichtungen einen Luftraum (28) bildet;
wenigstens einen Vakuumanschluß (30; 40), der mit den Lufträumen (28) in Verbindung steht, damit die Lufträume (28) evakuiert werden können; und
wobei die Fläche der Halterung (26; 36) rund um die mikromechanische Vorrichtung eine Abdichtung bildet, wodurch jeder Luftraum (28) durch den mit dem Luftraum (28) in Verbindung stehenden Vakuumanschluß (30; 40) evakuiert werden kann.
2. Halterung nach Anspruch 1, wobei die Halterung (26; 36) aus einem Material besteht, das aus der aus rostfreiem Stahl, Keramik und Quarz bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
3. Halterung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Halterung (26; 36) starr ist.
4. Halterung nach Anspruch 1, Anspruch 2 oder Anspruch 3, ferner mit Durchlässen (38) in der Fläche der Halterung (36), wobei die Durchlässe (38) einem Sägeblatt ermöglichen, die mikromechanischen Vorrichtungen von der Scheibe (34) zu trennen, ohne mit der Halterung (36) in Kontakt zu kommen.
5. Halterung nach Anspruch 1, bei welcher der Vakuumanschluß aus einem mit jedem Luftraum (28) verbundenen eigenen Vakuumanschluß besteht.
6. Halterung nach Anspruch 1, bei welcher der Vakuumanschluß aus einem mit allen Lufträumen (28) in Verbindung stehenden Vakuumanschluß besteht.
7. Verfahren zum Verarbeiten einer Scheibe (22; 34), die eine oder mehrere mikromechanische Vorrichtungen enthält, wobei das Verfahren umfaßt:
Anbringen einer schützenden Halterung (26; 36) über und in Kontakt mit einer ersten Seite der Scheibe (22; 34), wobei die schützende Halterung (26; 36) einen Luftraum (28) über jeder Vorrichtung bildet;
Evakuieren des Luftraums (28) zur Erzeugung eines Vakuums;
Schleifen der der ersten Seite gegenüberliegenden Seite der Scheibe (22; 34) zum Trennen der Vorrichtungen; und
Beseitigen des Vakuums zum Freigeben der Vorrichtungen von der Halterung (26; 36).
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem ferner vor dem Anbringen der Scheibe (22) in der Halterung zwischen den Vorrichtungen auf der ersten Seite teilweise eingesägt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, bei dem die schützende Halterung (26; 36) aus einem Material gewählt wird, das aus der aus rostfreiem Stahl, Keramik und Quarz bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, bei dem die schützende Halterung (26; 36) eine flexible schützende Halterung ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem ferner eine Reinigung von Rückständen, die durch den Schleifschritt erzeugt werden, von den Vorrichtungen und der schützenden Halterung (26; 36) durchgeführt wird.
12. Verfahren zum Verarbeiten einer Scheibe (22; 34), die eine oder mehrere mikromechanische Vorrichtungen enthält, wobei das Verfahren umfaßt:
Anbringen einer flexiblen schützenden Halterung (26; 36) über und in Kontakt mit der Scheibe (22; 34), wobei die schützende Halterung (26; 36) einen Luftraum (28) über jeder Vorrichtung bildet;
Evakuieren des Luftraums (28) zum Erzeugen eines Vakuums;
Zerbrechen der Scheibe (22; 34) zum Trennen der Vorrichtungen; und
Beseitigen des Vakuums zur Freigabe der Vorrichtungen aus der Halterung (26; 36).
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Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US5597767A (en) * 1995-01-06 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Separation of wafer into die with wafer-level processing
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US5915370A (en) * 1996-03-13 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Saw for segmenting a semiconductor wafer
JP3663728B2 (ja) * 1996-03-28 2005-06-22 信越半導体株式会社 薄板の研磨機
US5872046A (en) * 1996-04-10 1999-02-16 Texas Instruments Incorporated Method of cleaning wafer after partial saw
US6225191B1 (en) * 1996-04-12 2001-05-01 Lucent Technologies Inc. Process for the manufacture of optical integrated circuits
US6686291B1 (en) 1996-05-24 2004-02-03 Texas Instruments Incorporated Undercut process with isotropic plasma etching at package level
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
US5809987A (en) * 1996-11-26 1998-09-22 Micron Technology,Inc. Apparatus for reducing damage to wafer cutting blades during wafer dicing
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US5817569A (en) * 1997-05-08 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated Method of reducing wafer particles after partial saw
US6088102A (en) 1997-10-31 2000-07-11 Silicon Light Machines Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system
US6187654B1 (en) 1998-03-13 2001-02-13 Intercon Tools, Inc. Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
US6319075B1 (en) * 1998-04-17 2001-11-20 Fci Americas Technology, Inc. Power connector
US7314377B2 (en) 1998-04-17 2008-01-01 Fci Americas Technology, Inc. Electrical power connector
US20020098743A1 (en) 1998-04-17 2002-07-25 Schell Mark S. Power connector
US6271808B1 (en) 1998-06-05 2001-08-07 Silicon Light Machines Stereo head mounted display using a single display device
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
US6215579B1 (en) 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
JP3516592B2 (ja) * 1998-08-18 2004-04-05 沖電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3485816B2 (ja) * 1998-12-09 2004-01-13 太陽誘電株式会社 ダイシング装置
JP4388640B2 (ja) * 1999-09-10 2009-12-24 株式会社ディスコ Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル
US6635512B1 (en) * 1999-11-04 2003-10-21 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device by dividing a semiconductor wafer into separate pieces of semiconductor chips
US6521477B1 (en) 2000-02-02 2003-02-18 Raytheon Company Vacuum package fabrication of integrated circuit components
US6479320B1 (en) * 2000-02-02 2002-11-12 Raytheon Company Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
US6387778B1 (en) 2000-02-11 2002-05-14 Seagate Technology Llc Breakable tethers for microelectromechanical system devices utilizing reactive ion etching lag
US6690014B1 (en) 2000-04-25 2004-02-10 Raytheon Company Microbolometer and method for forming
US6346030B1 (en) * 2000-05-09 2002-02-12 Sandia Corporation Microdevice having interior cavity with high aspect ratio surface features and associated methods of manufacture and use
US6425971B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-30 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes
KR100332967B1 (ko) * 2000-05-10 2002-04-19 윤종용 디지털 마이크로-미러 디바이스 패키지의 제조 방법
TWI228780B (en) * 2000-05-11 2005-03-01 Disco Corp Semiconductor wafer dividing method
US6335224B1 (en) 2000-05-16 2002-01-01 Sandia Corporation Protection of microelectronic devices during packaging
AU2000247318B2 (en) * 2000-05-24 2005-05-05 Memjet Technology Limited Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
KR100370398B1 (ko) * 2000-06-22 2003-01-30 삼성전자 주식회사 전자 및 ｍｅｍｓ 소자의 표면실장형 칩 규모 패키징 방법
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6777681B1 (en) 2001-04-25 2004-08-17 Raytheon Company Infrared detector with amorphous silicon detector elements, and a method of making it
US6982184B2 (en) * 2001-05-02 2006-01-03 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
JP4309084B2 (ja) * 2001-11-26 2009-08-05 アピックヤマダ株式会社 ダイシング装置
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
JP2004062938A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Pioneer Electronic Corp 球面収差補正装置及び球面収差補正方法
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US20040036378A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Rodgers Murray Steven Dust cover for MEM components
US6875257B2 (en) * 2002-08-20 2005-04-05 Memx, Inc. Particle filter for microelectromechanical systems
US6700173B1 (en) 2002-08-20 2004-03-02 Memx, Inc. Electrically isolated support for overlying MEM structure
US6703675B1 (en) 2002-08-20 2004-03-09 Memx, Inc. Particle filter for partially enclosed microelectromechanical systems
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
KR100748145B1 (ko) 2002-11-21 2007-08-09 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드 하나이상의 자외선 경화 테이프를 사용한 마이크로일렉트로 메커니컬 시스템을 포함하는 장치의 제조 방법
JP2004221187A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置及びその製造方法
US20040147169A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Allison Jeffrey W. Power connector with safety feature
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
JP4566626B2 (ja) * 2004-06-09 2010-10-20 株式会社石川製作所 半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法
US7521363B2 (en) 2004-08-09 2009-04-21 Analog Devices, Inc. MEMS device with non-standard profile
US7416984B2 (en) 2004-08-09 2008-08-26 Analog Devices, Inc. Method of producing a MEMS device
US6994608B1 (en) * 2004-11-12 2006-02-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Methods of manufacturing sliders
US7109055B2 (en) * 2005-01-20 2006-09-19 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus having wafer level chip scale package for sensing elements
JP2007095780A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置製造用治具と半導体装置製造方法
TW200717519A (en) * 2005-10-28 2007-05-01 Univ Nat Chiao Tung Asynchronous first-in-first-out cell
US7376215B2 (en) * 2005-12-27 2008-05-20 Honeywell International Inc. Measurement of ash composition using scanning high voltage X-ray sensor
US7462831B2 (en) * 2006-01-26 2008-12-09 L-3 Communications Corporation Systems and methods for bonding
US7655909B2 (en) * 2006-01-26 2010-02-02 L-3 Communications Corporation Infrared detector elements and methods of forming same
US7459686B2 (en) * 2006-01-26 2008-12-02 L-3 Communications Corporation Systems and methods for integrating focal plane arrays
GB2434913A (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Support for wafer singulation
WO2007114331A1 (ja) * 2006-04-04 2007-10-11 Miraial Co., Ltd. 薄板収納容器
JP2007281053A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Miraial Kk 薄板収納容器
US7748839B2 (en) * 2006-05-09 2010-07-06 Lexmark International, Inc. Handheld printing with reference indicia
US7632698B2 (en) 2006-05-16 2009-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit encapsulation and method therefor
DE102006026467B4 (de) * 2006-06-07 2018-06-28 Texas Instruments Deutschland Gmbh Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers
US7718965B1 (en) 2006-08-03 2010-05-18 L-3 Communications Corporation Microbolometer infrared detector elements and methods for forming same
US8153980B1 (en) 2006-11-30 2012-04-10 L-3 Communications Corp. Color correction for radiation detectors
US20090061597A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Kavlico Corporation Singulator method and apparatus
US7964106B2 (en) 2008-05-30 2011-06-21 Unimicron Technology Corp. Method for fabricating a packaging substrate
USD619099S1 (en) 2009-01-30 2010-07-06 Fci Americas Technology, Inc. Electrical connector
US8323049B2 (en) * 2009-01-30 2012-12-04 Fci Americas Technology Llc Electrical connector having power contacts
JP5571331B2 (ja) * 2009-07-07 2014-08-13 株式会社ディスコ 切削装置
CN102447017B (zh) * 2010-10-13 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管防水治具以及发光二极管的切割方法
US8765514B1 (en) 2010-11-12 2014-07-01 L-3 Communications Corp. Transitioned film growth for conductive semiconductor materials
KR102342231B1 (ko) * 2014-05-03 2021-12-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 필름상 부재 지지 장치
JP2017054956A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 被加工物の支持治具
JP2017038072A (ja) * 2016-09-29 2017-02-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の搬送ヘッド
JP6970554B2 (ja) * 2017-08-21 2021-11-24 株式会社ディスコ 加工方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3809050A (en) * 1971-01-13 1974-05-07 Cogar Corp Mounting block for semiconductor wafers
US3811182A (en) * 1972-03-31 1974-05-21 Ibm Object handling fixture, system, and process
US3994101A (en) * 1973-01-03 1976-11-30 Coburn Optical Industries, Inc. Vacuum chuck with sealable cavity
US3971170A (en) * 1973-01-03 1976-07-27 Coburn Optical Industries, Inc. Vaccum chuck with sealable cavity
US3976288A (en) * 1975-11-24 1976-08-24 Ibm Corporation Semiconductor wafer dicing fixture
US4138304A (en) * 1977-11-03 1979-02-06 General Electric Company Wafer sawing technique
US4213698A (en) * 1978-12-01 1980-07-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces
US4184292A (en) * 1978-03-24 1980-01-22 Revlon, Inc. Vacuum chuck
DE3463227D1 (en) * 1984-08-03 1987-05-27 Loh Kg Optikmaschf Supporting device for vulnerable objects, in particular optical lenses and other optical elements
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5291692A (en) * 1989-09-14 1994-03-08 Olympus Optical Company Limited Polishing work holder
ES2096118T3 (es) * 1990-01-31 1997-03-01 Bando Kiko Co Maquina para trabajar una placa de cristal.
US5029418A (en) * 1990-03-05 1991-07-09 Eastman Kodak Company Sawing method for substrate cutting operations
JPH04276645A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Toshiba Corp 化合物半導体ウエーハのダイシング方法
US5393706A (en) * 1993-01-07 1995-02-28 Texas Instruments Incorporated Integrated partial sawing process

Also Published As

Publication number Publication date
CN1054210C (zh) 2000-07-05
TW258828B (de) 1995-10-01
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EP0657759A3 (de) 1995-08-09
KR950001989A (ko) 1995-01-04
KR100276996B1 (ko) 2001-02-01
CN1104341A (zh) 1995-06-28
US5605489A (en) 1997-02-25
EP0657759B1 (de) 2001-12-05
DE69429324D1 (de) 2002-01-17
CA2126111A1 (en) 1994-12-25
US5445559A (en) 1995-08-29
JPH07153823A (ja) 1995-06-16

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