DE19735041A1 - Verfahren zum Trennen von Mikrobauelementen integrierter Schaltkreise - Google Patents
Verfahren zum Trennen von Mikrobauelementen integrierter SchaltkreiseInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trennen von Mikrobau
elementen integrierter Schaltkreise nach dem Oberbegriff des Anspruchs
1.
Die Verwendung von Mikrobauelementen ist auf dem Gebiet inte
grierter Schaltkreise weit verbreitet. Die Bedeutung der Mikrobauelemen
te beruht im Vergleich mit herkömmlichen Methoden zumindest teilweise
auf der relativ geringen erforderlichen Fläche, die diese Bauteile in
nerhalb einer elektronischen Bausteinanordnung einnehmen, verbunden mit
einer hohen Funktionalität. Folglich bedeutet die Verwendung von Mikro
bauelementen einen wesentlichen Fortschritt bei der Miniaturisierung
elektronischer Bausteinanordnungen.
Während der Vielzahl erreichbarer Mikrobauelemente keine Gren
zen gesetzt sind, ist eine gegenwärtig verbreitete Form von Mikrobauele
menten der Übertrager. Bekannte Formen von gegenwärtig als Mikrobauele
mente erhältlichen Übertragern sind z. B. Mikrophone und Drucksensoren.
Bei diesen Bauteilen muß im allgemeinen eine drucksensitive Membran der
Umgebung des Übertragers ausgesetzt werden. Da die drucksensitive Mem
bran relativ zerbrechlich ist, wird sie üblicherweise so innerhalb des
Übertragers angeordnet, daß sie gegen Beschädigungen z. B. durch Stöße
geschützt wird. Um jedoch ein Ausgangssignal zu erzeugen, muß die Mem
bran auch in Wechselwirkung mit Schallwellen und/oder Druckänderungen
der Umgebung stehen. Diese Doppelfunktion des Schutzes der Membran bei
gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Wechselwirkung der Membran mit der
Umgebung wird typischerweise durch eine Brückenstruktur oder eine andere
Schutzvorrichtung erfüllt. Die Brückenstruktur wird normalerweise von
einer der Membran benachbarten Peripheriefläche getragen und erstreckt
sich über die Breite der Membran, durch die sie begrenzt wird. Ein per
forierter Bereich der Brückenstruktur gegenüber der Membran umgrenzt ei
ne Anzahl von Öffnungen, die es erlauben, die Membran den umgebenden
Schallwellen oder Druckänderungen auszusetzen, wobei das erwünschte Aus
gangssignal erzeugt wird. Solche Öffnungen sind bei herkömmlichen Trenn
techniken integrierter Schaltkreise problematisch.
Wie bei der Herstellung integrierter Schaltkreise üblich, kön
nen Mikrobauelemente in einem Feld eines Siliciumsubstrats oder Wafers
ausgebildet werden. Nach Bildung der Mikrobauelemente müssen diese von
einander getrennt werden. Die Trennung der Bauelemente wird normalerwei
se mittels bekannter diamantbeschichteter Sägeblätter durchgeführt. Der
Sägeprozeß erzeugt im allgemeinen ein beträchtliches Maß an Staub und
Rückständen. Früher wurden integrierte Schaltkreischips durch diese
Rückstände nicht beschädigt, und die Rückstände wurden nach Beendigung
des Sägeprozesses einfach abgewaschen. Beim Fortschritt der Mikrobauele
mente führt dieses Trennverfahren jedoch zu einem Problem: Die durch ein
oder mehrere Sägeblätter erzeugten Stäube und Rückstände neigen dazu, in
den durch das Mikrobauelement definierten Öffnungen abgelagert zu werden
oder diese zu verstopfen, so daß eine ordnungsgemäße Funktionsweise des
Mikrobauelements verhindert wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Trennen von
Mikrobauelementen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, bei
dem die Mikrobauelemente gegen Rückstände geschützt werden.
Diese Aufgabe wird entsprechend dem kennzeichnenden Teil des
Anspruchs 1 gelöst.
Bei einem solchen Verfahren werden die Mikrobauelemente mit
einer Maskierungsschicht beschichtet, welche den zu schützenden Bereich
während des Trennens bedeckt.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden
Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines in den beigefügten
Abbildungen dargestellten Ausführungsbespiels näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ausschnittsweise in Draufsicht ein Substrat mit
einer Vielzahl darauf gebildeter Mikrobauelemente, die zu trennen ist.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht des Substrats aus Fig.
mit Details des Verfahrens.
Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht der auf dem Substrat von
Fig. 2 getrennten Mikrobauelemente, die abschließend gewaschen werden.
Gemäß Fig. sind auf einem Substrat 10 eine Vielzahl von Mi
krobauelementen 12 ausgebildet, von denen jedes ein kondensorartiges Mi
krophon darstellt. Statt der Mikrophone 12 kann eine breite Vielfalt von
Mikrobauelementen verwendet werden, die während des gesamten Trennungs
verfahrens einen schutzbedürftigen Bereich aufweisen.
Gemäß Fig. 2 in Verbindung mit Fig. 1 ist das Substrat 10 auf
einer Unterlage 13 befestigt, die dazu dient, eine Unterseite 14 des
Substrats 10 abzudichten. Die Unterlage 13 kann aus geeigneten Materia
lien wie z. B. Mylar gebildet werden. Jedes Mikrophon 12 enthält eine An
ordnung von Bondinseln 16 mit jeweils einem auf der jeweiligen Bondinsel
16 gebildeten leitenden Bondhügel 17. Eine Anordnung elektrischer Lei
terbahnen 18 verbindet die Bondinseln 16 mit anderen, aus Gründen der
Vereinfachung nicht gezeigten internen Komponenten der Mikrophone 12.
Ferner enthält jedes Mikrophon 12 eine Brückenstruktur 20, die eine dün
ne Siliciummembran 22 überdeckt. Auf der Unterseite 14 des Substrats 10
wird eine mikrobearbeitete Öffnung 21 zum Bilden der jeweiligen Membran
22 verwendet. Beim Abdichten der Unterseite 14 dichtet die Unterlage 13
auch die Öffnung 21 ab. Die Membran 22 ist von Natur aus ziemlich zer
brechlich und wird durch die Brückenstruktur 20 gegen Beschädigungen
durch Stöße geschützt. Die Membran 22 ist jedoch auch für andere Arten
von Beschädigungen anfällig. Beispielsweise kann auch eine Änderung der
Umgebungsbedingungen wie etwa der Temperatur die Membran 22 beschädigen.
Solche Beschädigungen sind z. B. Verformungen oder Verspannungen der Mem
bran 22. Die Brückenstruktur 20 enthält einen peripheren Teil 24, der
auf dem Substrat 10 in bekannter Weise (z. B. geklebt oder gelötet) befe
stigt ist. Die Membran 22 umgrenzt zusammen mit der Brückenstruktur 20
eine Kavität 23. Ein Teil 25 der Brückenstruktur 20, welcher der Membran
22 direkt gegenüberliegt, umgrenzt ein Feld von Öffnungen 26. Im Betrieb
ermöglichen es die Öffnungen 26, Schallwellen und/oder Druckänderungen
aus der Umgebung des Mikrophons 12, auf die Membran 22 zu treffen und so
ein entsprechendes Ausgangssignal zu erzeugen. Die Öffnungen 26 können
verschiedene Formen und Größen haben, sind jedoch typischerweise ziem
lich klein: Bei kreisförmigen Öffnungen liegt der Durchmesser z. B. in
der Größenordnung von 10 µm. Folglich können die Öffnungen 26 leicht
durch kleine Teilchen oder Rückstände verstopft werden. Ein Verstopfen
sollte verhindert werden, da die Funktionalität des Mikrophons 12 in di
rektem Verhältnis zur Zahl der verstopften Öffnungen 26 beeinträchtigt
werden kann.
Das die Mikrophone 12 enthaltende Substrat 10 wird mit einer
Maskierungsschicht 27 (vgl. insbesondere Fig. 2) von wasserlöslichem
Maskierungsmaterial überzogen, so daß die Mikrophone 12 in der Maskie
rungsschicht 27 eingebettet sind und die Öffnungen 26 gegen die Umgebung
durch einen abdichtenden Teil 28 der Maskierungsschicht 27 abgedichtet
werden. Ein zur Bildung der Maskierungsschicht 27 verwendbares Material
ist bei Tech Spray, Amarillo, Texas, unter der Handelsnummer "WS-2210"
erhältlich und umfaßt ein relativ transparentes, auf Acrylharz basieren
des Beschichtungsmaterial, welches wasserlöslich ist und mit UV-Licht
ausgehärtet wird. Die Transparenz der Maskierungsschicht 27 dient der
leichteren Indizierung des Substrats 10 während der aufeinanderfolgenden
Schritte des Trennungsprozesses, da die Mikrophone 12 durch die Maskie
rungsschicht 27 hindurch sichtbar sind. In Abhängigkeit von der Viskosi
tät des Materials und der Größe der Öffnungen 26 kann gemäß Fig. 2 ein
Teil 29 des abdichtenden Teils 28 durch die Öffnungen 26 der Brücken
strukturen 20 hindurchtreten. Der Teil 29 beschädigt jedoch in keiner
Weise die Mikrophone 12 einschließlich der Membranen 22. Die Kavität 23
kann mit dem Maskierungsmaterial ohne Beschädigung der Mikrophone 12
vollständig gefüllt werden (nicht gezeigt). Die Maskierungsschicht 27
kann auch andere Bereiche des Substrats 10 durchdringen. Dieses Material
wird jedoch in einem nachfolgenden Schritt leicht entfernt oder kann in
einigen Fällen die Bereiche, auf denen es abgelagert wird, gegen Konta
mination schützen. Wenn die Kavität 23 vollständig gefüllt worden ist,
sollte sichergestellt werden, daß der gesamte Teil 29 nach dem Schneide
prozeß entfernt wird.
Nach dem Aufbringen der Maskierungsschicht 27 wird diese in
bekannter Weise mit UV-Licht bei einer tiefen Temperatur ausgehärtet.
Die Membran 22 kann durch Verspannungen, welche durch hohe Temperaturen
hervorgerufen werden, beschädigt werden. Daher wird das Material der
Maskierungsschicht 27 vorzugsweise bei einer tiefen Temperatur mit UV-Licht
ausgehärtet. Bei dem anschließenden Schneideprozeß wird ein typi
scherweise diamantbeschichtetes Sägeblatt 30 verwendet, um an geeigneten
Stellen zwischen den Mikrophonen 12 in das Substrat 10 zu schneiden.
Hierzu ist eine beliebige Anzahl bekannter Sägen zum Schneiden von Wa
fern geeignet. Aus Gründen der Vereinfachung ist nur ein Sägeblatt 30
gezeigt. Das Sägeblatt 30 erscheint in der Draufsicht von Fig. 1 als
Kreis, da es in diesem Beispiel einen diamantbeschichteten Draht umfaßt.
Beim Schneiden werden das Substrat 10 und das Sägeblatt 20 re
lativ zueinander bewegt, so daß das Substrat 10 das Sägeblatt 30 in die
durch einen Pfeil 32 bezeichnete Richtung treibt, wobei das Sägeblatt 30
fortschreitend durch das Substrat 10 schneidet. Typischerweise wird das
Substrat 10 bei ruhendem Sägeblatt 30 bewegt, es ist jedoch auch eine
Bewegung des Sägeblatts 30 bei ruhendem Substrat 10 oder eine gleichzei
tige Bewegung von Sägeblatt 30 und Substrat 10 möglich. Während dieser
Bewegung stoßen Hochgeschwindigkeitsdüsen 34 Wasser 36 aus, welches in
einen Bereich 38 direkt oberhalb des Sägeblatts 30 gelenkt wird, so daß
die wasserlösliche Maskierungsschicht 27 im wesentlichen im Bereich 38
von der Oberfläche des Substrats 10 vor dem Schneiden des Substrats 10
abgewaschen wird. Auf diese Weise wird vermieden, daß die Maskierungs
schicht 27 das Sägeblatt 30 während des Schneidens nicht zusetzt oder
darauf haften bleibt. Kleine Mengen von im Bereich 38 zurückbleibendem
Material der Maskierungsschicht 27 beeinträchtigen nicht den Schneide
prozeß hinsichtlich des Kühleffekts des Wassers 36. Zusätzlich zur Kühl
funktion wirkt das Wasser 36 auch als Gleitmittel zwischen dem Säge
blatt 30 und dem Substrat 10. Bei fortschreitendem Schneiden wird ein
Schlitz 40 im Substrat 10 zwischen den Mikrobauelementen 12a und 12b in
nerhalb eines Kanals 42 gebildet, in welchem die Maskierungsschicht 27
fortlaufend durch die Wirkung des Wassers 36 entfernt wurde. Die Menge
an wasserlöslichem Material der Maskierungsschicht 27, die in anderen
Bereichen als dem Kanal 46 entfernt wurde, ist insofern wesentlich, als
Teile 28 der Maskierungsschicht 27, welche die Öffnungen 26 des jeweili
gen Mikrophons 12 abdichten, nicht so weit entfernt werden sollten, daß
die Abdichtung der Öffnungen 26 beeinträchtigt wird. Außerdem kann ein
teilweises Entfernen des abdichtenden Teils 28 unvermeidbar sein, da
diese Bereiche Wasser ausgesetzt werden können, welches nicht vom Kanal
42 aufgenommen wird. Das Schneiden des Substrats 10 wird solange fortge
setzt, bis alle Mikrophone 12 voneinander getrennt sind.
Gemäß Fig. 3 werden alle Mikrophone 12 abschließend mit Wasser
abgewaschen, wobei die eventuell übriggebliebenen Teile der Maskierungs
schicht 27, welche den abdichtenden Teil 28 und den Teil 29 umfassen,
entfernt werden. Hierbei können beispielsweise zusätzliche Wasserdüsen
44 verwendet werden, die Wasser 36 auf das Substrat 10 sprühen. Folglich
werden die Öffnungen 26 wieder frei, und die Bereiche, in denen die Öff
nungen 26 umgrenzt sind, werden ebenso wie die Öffnungen 26 selbst wäh
rend des Trennprozesses gegen Rückstände geschützt. Das abschließende
Abwaschen kann Einfach eine Erweiterung des abschließenden Abwaschens
umfassen. Das abschließende Abwaschen kann auch in einer beliebigen Zahl
von Schritten durchgeführt werden, vorausgesetzt, daß eine vollständige
Auflösung der wasserlöslichen Maskierungsschicht 27 erreicht wird, so
daß die Öffnungen 26 sowie andere kritische Bereiche Ges Substrats 10
vom Material der Maskierungsschicht 27 befreit werden, wobei auch warmes
oder heißes Wasser verwendet werden kann. Das Material der Maskierungs
schicht 27 kann alternativ auch nur auf die schutzbedürftigen Bereiche
aufgebracht werden.
Als Material der Maskierungsschicht 27 kann auch wasserunlös
liches Material verwendet werden. Solche (nicht bevorzugten) Materia
lien können verwendet werden, falls die bei ihrer Entfernung verwende
ten Lösungsmittel mit den bei der Bildung der Bauelemente auf dem Sub
strat 10 verwendeten Materialien verträglich sind. Eine Material/Lö
sungsmittel-Kombination kann z. B. auch gehärtete Saccharose-Fruktose-Schich
ten und Wasser sein. Saccharose- oder Fruktoseschichten können
durch Verteilung von gesättigten azeotropischen Mischungen aus Saccharo
se, Wasser und geeigneten verdampfbaren Trägern, wie z. B. Isopropylalko
hol auf einer Hochgeschwindigkeitsdrehbahn gebildet werden.
Vorteilhafte Begleiterscheinungen bei der Verwendung von was
serlöslichen Materialien der Maskierungsschicht 27 bestehen darin, daß
keine besondere Abfallbeseitigungsprozesse oder Vorrichtungen erforder
lich sind, sowie in der allgemeinen Verträglichkeit mit anderen Pro
zeßschritten zusätzlich zum abschließenden Abwaschen. Beispielsweise
wird nach dem abschließenden Abwaschen normalerweise ein Trocknungs
schritt durchgeführt. Da das Material der Maskierungsschicht 27 wasser
löslich ist, kann der Trocknungsschritt mit geringer oder gar keiner Mo
difikation bekannter Verfahren und Vorrichtungen durchgeführt werden,
weil das Wasser beim Trocknen der getrennten Mikrobauelemente im allge
meinen keinen problematischen Dämpfe abgibt. Im Gegensatz dazu erfordern
einige Lösungsmittel wie z. B. Aceton, welches bei einer Maskierungs
schicht aus auf PGMEA (Propyl-Glykol-Monomethyl-Äther-Acetat) basieren
dem Abdecklack verwendet werden kann, eine strenge Kontrolle der Dampf
emission während des Trocknungsschrittes.
Claims (13)
1. Verfahren zum Trennen von Mikrobauelementen integrierter
Schaltkreise, die auf einem Substrat (10) in einer vorbestimmten Struk
tur gebildet sind, wobei jedes Mikrobauelement (12) mindestens einen vor
Trennrückständen zu schützenden Bereich aufweist, dadurch gekennzeich
net, daß die Mikrobauelemente (12) mit einer Maskierungsschicht (27) so
beschichtet werden, daß mindestens der zu schützende Bereich bedeckt
ist, daß die Mikrobauelemente (12) anschließend so voneinander getrennt
werden, daß das Material der Maskierungsschicht (27) den Bereich während
des Trennens weiterhin bedeckt, und das die Mikrobauelemente (12) und
die darauf befindliche Maskierungsschicht (27) einem geeigneten Mittel
(36) ausgesetzt werden, welches die Maskierungschicht (27) ohne eine Be
schädigung der Mikrobauelemente (12) im wesentlichen aus dem zu schüt
zenden Bereich entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Maskierungsschicht (27) aus einem wasserlöslichen Material gebildet und
als Mittel (36) Wasser verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Maskierungsschicht (27) so tief gebildet wird, daß sie die Mi
krobauelemente (12) im wesentlichen einbettet.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Maskierungsschicht (27), nachdem sie aufgebracht wor
den ist, vor dem Trennen der Mikrobauelemente (12) ausgehärtet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum
Aushärten UV-Licht verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aushärten bei einer Temperatur durchgeführt wird, die eine Be
schädigung der Mikrobauelemente (12) vermeidet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Maskierungsschicht (27) so transparent ist, daß die
darunterliegenden Mikrobauelemente (12) nach dem Aufbringen der Maskie
rungsschicht (27) sichtbar bleiben.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß beim Trennen der Mikrobauelemente (12) das Substrat (10)
mit einer Säge mit mindestens einem Sägeblatt (30) geschnitten wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß vor
und während des Schneidens des Substrats (10) das Sägeblatt (30) und ein
Bereich (38) der Maskierungsschicht (27), der sich unmittelbar vor dem
Sägeblatt (30) befindet, dem Mittel (36) ausgesetzt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das
Mittel (36) das im Bereich (38) befindliche Material der Maskierungs
schicht (27) im wesentlichen entfernt wird, bevor das Sägeblatt (30)
durch den Bereich (38) hindurchtritt.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet,
daß der Bereich (38) mindestens einer Hochgeschwindigkeitsdüse (34) aus
gesetzt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Mikrobauelemente (12) jeweils mindestens eine Öff
nung (26) in dem zu schützenden Bereich umgrenzen, die von der Maskie
rungsschicht (27) während des Trennens der Mikrobauelemente (12) abge
dichtet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Maskierungsschicht (27) nach dem Trennen der Mikrobauelemente (12)
durch das Mittel (36) ohne Beschädigung der Mikrobauelemente (12) aus
den Öffnungen (26) entfernt wird.
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