DE4318327C2 - Gassensor - Google Patents
GassensorInfo
- Publication number
- DE4318327C2 DE4318327C2 DE19934318327 DE4318327A DE4318327C2 DE 4318327 C2 DE4318327 C2 DE 4318327C2 DE 19934318327 DE19934318327 DE 19934318327 DE 4318327 A DE4318327 A DE 4318327A DE 4318327 C2 DE4318327 C2 DE 4318327C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- gas sensor
- substrate
- sensitive element
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M (E,E)-sorbate Chemical compound C\C=C\C=C\C([O-])=O WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229940075554 sorbate Drugs 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
- H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
Das aus der DE-OS-20 65 023 bekannte Gasspürgerät enthält
zwei zylindrische Halbleiterkörper, mehrere die Halbleiter
körper kontaktierende Ringelektroden und eine Spannungsquel
le, die über ein Relais bzw. einen Widerstand mit den beiden
end-seitigen Ringelektroden verbunden ist. Der gassensitive
Körper besteht aus einem halbleitenden Metalloxid, das man
mit Hilfe des als Heizelement dienenden zweiten Zylinders auf
eine Temperatur im Bereich von 150 bis 250 °C erwärmt. Um die
Temperatur und damit die Gasempfindlichkeit des Metalloxids
unabhängig von den jeweiligen Umgebungsbedingungen konstant
zu halten, ist der Heizstab aus einem elektrisch leitenden
Material gefertigt, dessen Widerstand mit steigender
Temperatur abnimmt.
Die EP-A-0 464 243 beschreibt einen Sauerstoffdetektor, des
sen sensitive Schicht aus dem katalytisch nicht aktiven Gal
liumoxid besteht. Die Betriebstemperatur des Detektors liegt
vorzugsweise im Bereich von etwa 850 bis 1000 °C, wo der Sau
erstoff im Kristallgitter des Galliumoxids im thermodynami
schen Gleichgewicht steht mit dem Sauerstoff der Umgebungsat
mosphäre. Da die Anzahl der Sauerstoffleerstellen im Kri
stallgitter und damit auch die Anzahl der frei beweglichen
Elektronen vom Sauerstoffpartialdruck abhängt, hat jede Ände
rung der Sauerstoffkonzentration eine entsprechende Änderung
der Leitfähigkeit des Galliumoxids zur Folge. Bei Temperatu
ren unterhalb von etwa 700 °C ist das Gleichgewicht an Sauer
stoffleerstellen eingefroren, so daß der Detektor nicht mehr
auf Änderungen des Sauerstoffpartialdrucks anspricht.
Wasserstoff und andere reduzierende Gase adsorbieren auf der
Oberfläche von Galliumoxid. Erfolgt die Adsorbtion im Wege
einer chemischen Bindung (Chemiesorption), so geben die Ad
sorbatmoleküle Elektronen an das Galliumoxid ab, wodurch sich
dessen Leitfähigkeit erhöht. Auf diesem Mechanismus beruht
die Funktion des aus der EP-A-0 464 244 bekannten Sensors für
reduzierende Gase. Im Temperaturbereich von etwa 400 bis 650°C
reagiert der Sensor sowohl auf Wasserstoff als auch auf
Kohlenmonoxid. Außerdem beobachtet man eine starke Queremp
findlichkeit auf Wasserdampf, da auch Wassermoleküle geladen
adsorbieren.
Um die gewünschte Betriebstemperatur von bis zu 1000 °C ein
zustellen und unabhängig von äußeren Einflüssen beizubehal
ten, werden Gassensoren auf der Basis halbleitender Metall
oxide üblicherweise mit Hilfe eines auf der Rückseite des
Sensorsubstrats angeordneten Widerstandselements aktiv be
heizt. Während des Aufheizens ist der Sensor extremen mecha
nischen Belastungen unterworfen. Insbesondere in Al₂O₃-
Substraten bauen sich auf Grund des bei hohen Temperaturen
schlechten Wärmeleitvermögens mechanische Spannungen auf, die
zu Rissen im Substrat und damit zur Zerstörung des Sensors
führen können.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Gassensors, in dem
sich während des Aufheizens und Betriebes keine die Sensor
funktion beeinträchtigenden mechanischen Spannungen aufbauen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Gassensor nach
Patentanspruch 1 gelöst.
Durch die Verwendung eines aus einem Titanat bestehenden
Heizelements lassen sich lokale Überhitzungen des Sensor
substrats und damit große Temperaturgradienten vermeiden. Au
ßerdem besitzen Titanate ein ähnliches thermisches Ausdeh
nungsverhalten wie beispielsweise Aluminiumoxid, so daß sich
auch bei höheren Temperaturen keine allzu großen mechanischen
Spannungen zwischen dem Substrat und dem Heizmäander
aufbauen.
Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildun
gen und Ausgestaltungen der im folgenden anhand der Zeichnung
erläuterten Erfindung. Hierbei zeigt:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Gassen
sors
Fig. 2 das Heizelement des Gassensors
Fig. 3 das Temperaturverhalten der Wärmeleitfähigkeit von
Al₂O₃.
Der in Fig. 1 schematisch dargestellte Gassensor ähnelt im
Aufbau den aus der EP-A-0 464 243 und 0 464 244 bekannten De
tektoren. Er besitzt ein aus Beryllium-, Magnesium-, Silizi
um- oder Aluminiumoxid bestehendes Substrat 1, auf dessen
Vorderseite zwei eine Interdigitalstruktur bildende Platin
elektroden 2, 2′, eine diese Elektroden bedeckende und etwa
1 bis 2 µm dicke Galliumoxidschicht 3 sowie ein Temperatur
fühler 4 angeordnet sind. Die mit 5 bezeichnete Passivie
rungsschicht aus Glas oder Siliziumoxid schirmt die den Elek
troden 2 und 2′ und dem Temperaturfühler 4 jeweils zugeordne
ten Anschlußleitungen 6, 6′ bzw. 7, 7′ vom Sauerstoff der
Umgebungsatmosphäre ab. Als Heizelement findet eine auf der
Rückseite des Substrats 1 angeordnete Widerstandschicht 8
Verwendung (s. Fig. 2). Sie besteht erfindungsgemäß aus einem
Titanat, insbesondere aus CaTiO₃, BaTiO₃, SrTiO₃, MgTiO₃,
PbTiO₃ oder RaTiO₃ und besitzt in dem dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel eine mäanderförmige Struktur.
Titanate gehören zur Gruppe der Materialien, deren spezifi
scher elektrischer Widerstand einen negativen Temperaturkoef
fizienten aufweist, deren Widerstand also mit steigender Tem
peratur abnimmt. Diese Eigenschaft der Titanate ist insbeson
dere bei Verwendung von Substratmaterialien von Vorteil, de
ren Wärmeleitvermögen sich bei höheren Temperaturen deutlich
verschlechtert. Wie man anhand der Fig. 3 erkennt, zeigt
beispielsweise Al₂O₃ ein solches Verhalten. Dessen Wärmeleit
fähigkeit sinkt während des Aufheizvorgangs von annähernd
40 W/mK bei Zimmertemperatur auf einen Wert von nur noch etwa
7 bis 8 W/mK bei Erreichen der Betriebstemperatur von bei
spielsweise 1000 °C ab. Trotz dieser hinsichtlich der Behei
zung des Sensors sehr problematischen Eigenschaft von Al₂O₃,
kommt es beim erfindungsgemäßen Sensor nicht zu lokalen Über
hitzungen des Substrats 1. Die Temperaturabhängigkeit des
spezifischen elektrischen Widerstandes des Titanats sorgt
nämlich dafür, daß sich die Heizleistung des Mäanders 8 in
heißen Substratbereichen verringert und diesen daher weniger
Wärmeenergie zugeführt wird als kälteren Substratbereichen.
Im Substrat 1 können somit auch keine großen Temperaturgra
dienten auftreten, was die Gefahr der Rißbildung deutlich
vermindert. Da Titanate außer den beschriebenen Widerstands
eigenschaften auch eine dem Substrat 1 ähnliche Wärmeausdeh
nung besitzen, werden thermisch induzierte mechanische Span
nungen zwischen dem Substrat 1 und dem Heizmäander 8 erheb
lich reduziert.
In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Platinelek
troden 2, 2′ unmittelbar auf der Oberfläche des Substrats 1
angeordnet. Es ist selbstverständlich auch möglich, eine zu
sätzliche Isolatorschicht aus Siliziumoxid zwischen dem
Substrat 1 und den Elektroden 2, 2′ vorzusehen oder die Elek
troden in die Metalloxidschicht 3 vollständig einzubetten.
Anstelle von Platin kann man auch Gold oder einen elektrisch
leitenden Keramikwerkstoff, insbesondere Titanoxid oder
Ceroxid als Elektrodenmaterial verwenden. Als gassensitives
Material kommen außer Galliumoxid insbesondere auch SnO₂, ZnO
und andere bekannte Metalloxide in Betracht.
Die Beheizung des Sensors muß nicht notwendigerweise von der
Rückseite des Substrat 1 aus erfolgen. Die aus einem Titanat
bestehende Widerstandsschicht 8 kann auch auf der Substrato
berseite in der Nähe der das gassensitive Metalloxid 3 kon
taktierenden Elektroden 2, 2′ angeordnet sein.
Claims (7)
1. Gassensor mit einem gassensitiven Element (3), einem das
gassensitive Element (3) kontaktierenden Elektrodensystem (2,
2′) und einem Heizelement (8),
dadurch gekennzeichnet,
daß das gassensitive Element (3), das Elektrodensystem (2,
2′) und das Heizelement (8) auf einem isolierenden Grundkör
per (1) angeordnet sind und daß das als Widerstandsschicht
ausgebildete Heizelement (8) aus einem Titanat besteht.
2. Gassensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Widerstandsschicht (8) eine spiralförmige oder mäan
derförmige Struktur aufweist.
3. Gassensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das gassensitive Element (3) aus einem halbleitenden Me
talloxid besteht.
4. Gassensor nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das gassensitive Element (3) aus Galliumoxid besteht.
5. Gassensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch
einen aus einer Keramik, Glas oder Siliziumoxid bestehenden
Grundkörper (1).
6. Gassensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
gekennzeichnet durch
einen Temperaturfühler (4).
7. Verwendung einer aus einem Titanat bestehenden Wider
standsschicht (8) zur Beheizung eines auf einem isolierenden
Grundkörper (1) angeordneten gassensitiven Elementes (3).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934318327 DE4318327C2 (de) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | Gassensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934318327 DE4318327C2 (de) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | Gassensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4318327A1 DE4318327A1 (de) | 1994-12-08 |
DE4318327C2 true DE4318327C2 (de) | 1997-01-30 |
Family
ID=6489459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934318327 Expired - Fee Related DE4318327C2 (de) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | Gassensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4318327C2 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4436013A1 (de) * | 1994-10-08 | 1996-04-18 | Wolfgang Kurz | Durchlauferwärmungsvorrichtung |
EP0720416B1 (de) * | 1994-12-29 | 2004-03-24 | Robert Bosch Gmbh | Keramische Heizeinrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
DE19522347C1 (de) * | 1995-06-20 | 1996-09-19 | Siemens Ag | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung der Temperatur eines Heizelementes für einen Gassensor |
DE10042000A1 (de) * | 2000-08-26 | 2002-05-16 | Bosch Gmbh Robert | Heizeinrichtung, insbesondere für ein Sensorelement zur Analyse von Gasen |
DE202005001163U1 (de) | 2005-01-24 | 2005-03-31 | Juma Leiterplattentechologie M | Leiterplatte oder Platine mit Heizdraht |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2065023A1 (de) * | 1970-04-06 | 1972-03-02 | Taguchi N | Gasspürgerät |
DE59009246D1 (de) * | 1990-07-04 | 1995-07-20 | Siemens Ag | Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid. |
-
1993
- 1993-06-02 DE DE19934318327 patent/DE4318327C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4318327A1 (de) | 1994-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3019387C2 (de) | Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor mit einem in den Sensoraufbau integrierten Heizelement | |
DE3780560T2 (de) | Fuehler und verfahren zu dessen herstellung. | |
EP0527258B1 (de) | Gassensor-Array zur Detektion einzelner Gaskomponenten in einem Gasgemisch | |
US6109094A (en) | Method and device for gas sensing | |
EP2912424B1 (de) | Hochtemperaturchip mit hoher stabilität | |
DE2826515A1 (de) | Festkoerper-sensorelement | |
DE69228180T2 (de) | Zinnoxidgassensoren | |
DE2337973A1 (de) | Hochempfindlicher halbleiterdehnungsmesstreifen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3504401C2 (de) | ||
EP1483571B1 (de) | Mikrostrukturierter gassensor mit steuerung der gassensitiven eigenschaften durch anlegen eines elektrischen feldes | |
EP0464243B1 (de) | Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid | |
DE4318327C2 (de) | Gassensor | |
DE3839414A1 (de) | Sensoranordnung zum nachweis von gasen durch exotherme katalytische reaktionen | |
DE3519576C2 (de) | ||
DE2933971A1 (de) | Selektiver gassensor hoher empfindlichkeit und stabilitaet zum nachweis und zur messung des verunreinigungsgehaltes von luft auf der basis von metalloxidhalbleitern | |
US3748625A (en) | Moisture sensing element and method of making same | |
Ratna Phani et al. | Effect of additives on the response of sensors utilizing semiconducting oxide on carbon monoxide sensitivity | |
DE2029065A1 (de) | Elektrisches Widerstandsthermometer | |
DE3709201A1 (de) | Waermestrahlungssensor | |
EP0527259B1 (de) | Gassensor mit halbleitendem Galliumoxid | |
EP1583957B1 (de) | Ionensensitiver feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines ionensensitiven feldeffekttransistors | |
Morten et al. | Thick-film technology and sensors | |
DE112022003118T5 (de) | Resistiver sauerstoffgassensor und sauerstoffsensorvorrichtung | |
DE4037528A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines metalloxid-gassensors in hybridtechnik | |
DE10019010B4 (de) | Verwendung eines chemisch sensitiven Halbleitermaterials zum Nachweis von gas- und/oder dampfförmigen Analyten in Gasen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |