DE4318327A1 - Gassensor - Google Patents
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Description
Die EP-A-0 464 243 beschreibt einen Sauerstoffdetektor, des
sen sensitive Schicht aus dem katalytisch nicht aktiven Gal
liumoxid besteht. Die Betriebstemperatur des Detektors liegt
vorzugsweise im Bereich von etwa 850 bis 1000°C, wo der Sau
erstoff im Kristallgitter des Galliumoxids im thermodynami
schen Gleichgewicht steht mit dem Sauerstoff der Umgebungsat
mosphäre. Da die Anzahl der Sauerstoffleerstellen im Kri
stallgitter und damit auch die Anzahl der frei beweglichen
Elektronen vom Sauerstoffpartialdruck abhängt, hat jede Ände
rung der Sauerstoffkonzentration eine entsprechende Änderung
der Leitfähigkeit des Galliumoxids zur Folge. Bei Temperatu
ren unterhalb von etwa 700°C ist das Gleichgewicht an Sauer
stoffleerstellen eingefroren, so daß der Detektor nicht mehr
auf Änderungen des Sauerstoffpartialdrucks anspricht.
Wasserstoff und andere reduzierende Gase adsorbieren auf der
Oberfläche von Galliumoxid. Erfolgt die Adsorption im Wege
einer chemischen Bindung (Chemiesorption), so geben die Ad
sorbatmoleküle Elektronen an das Galliumoxid ab, wodurch sich
dessen Leitfähigkeit erhöht. Auf diesem Mechanismus beruht
die Funktion des aus der EP-A-0 464 244 bekannten Sensors für
reduzierende Gase. Im Temperaturbereich von etwa 400 bis 650°C
reagiert der Sensor sowohl auf Wasserstoff als auch auf
Kohlenmonoxid. Außerdem beobachtet man eine starke Queremp
findlichkeit auf Wasserdampf, da auch Wassermoleküle geladen
adsorbieren.
Um die gewünschte Betriebstemperatur von bis zu 1000°C ein
zustellen und unabhängig von äußeren Einflüssen beizubehal
ten, werden Gassensoren auf der Basis halbleitender Metall
oxide üblicherweise mit Hilfe eines auf der Rückseite des
Sensorsubstrats angeordneten Widerstandselements aktiv be
heizt. Während des Aufheizens ist der Sensor extremen mecha
nischen Belastungen unterworfen. Insbesondere in Al₂O₃-
Substraten bauen sich auf Grund des bei hohen Temperaturen
schlechten Wärmeleitvermögens mechanische Spannungen auf, die
zu Rissen im Substrat und damit zur Zerstörung des Sensors
führen können.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Gassensors, in dem
sich während des Aufheizens und Betriebes keine die Sensor
funktion beeinträchtigenden mechanischen Spannungen aufbauen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Gassensor nach
Patentanspruch 1 gelöst.
Durch die Verwendung eines aus einem Titanat bestehenden
Heizelements lassen sich lokale Überhitzungen des Sensor
substrats und damit große Temperaturgradienten vermeiden. Au
ßerdem besitzen Titanate ein ähnliches thermisches Ausdeh
nungsverhalten wie beispielsweise Aluminiumoxid, so daß sich
auch bei höheren Temperaturen keine allzu großen mechanischen
Spannungen zwischen dem Substrat und dem Heizmäander
aufbauen.
Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildun
gen und Ausgestaltungen der im folgenden anhand der Zeichnung
erläuterten Erfindung. Hierbei zeigt:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Gassen
sors,
Fig. 2 das Heizelement des Gassensors,
Fig. 3 das Temperaturverhalten der Wärmeleitfähigkeit von
Al₂O₃.
Der in Fig. 1 schematisch dargestellte Gassensor ähnelt im
Aufbau den aus der EP-A-0 464 243 und 0 464 244 bekannten De
tektoren. Er besitzt ein aus Beryllium-, Magnesium-, Silizi
um- oder Aluminiumoxid bestehendes Substrat 1, auf dessen
Vorderseite zwei eine Interdigitalstruktur bildende Platin
elektroden 2, 2′, eine diese Elektroden bedeckende und etwa
1 bis 2 µm dicke Galliumoxidschicht 3 sowie ein Temperatur
fühler 4 angeordnet sind. Die mit 5 bezeichnete Passivie
rungsschicht aus Glas oder Siliziumoxid schirmt die den Elek
troden 2 und 2′ und dem Temperaturfühler 4 jeweils zugeordne
ten Anschlußleitungen 6, 6′ bzw. 7, 7′ vom Sauerstoff der
Umgebungsatmosphäre ab. Als Heizelement findet eine auf der
Rückseite des Substrats 1 angeordnete Widerstandschicht 8
Verwendung (s. Fig. 2). Sie besteht erfindungsgemäß aus einem
Titanat, insbesondere aus CaTiO₃, BaTiO₃, SrTiO₃, MgTiO₃,
PbTiO₃ oder RaTiO₃ und besitzt in dem dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel eine mäanderförmige Struktur.
Titanate gehören zur Gruppe der Materialien, deren spezifi
scher elektrischer Widerstand einen negativen Temperaturkoef
fizienten aufweist, deren Widerstand also mit steigender Tem
peratur abnimmt. Diese Eigenschaft der Titanate ist insbeson
dere bei Verwendung von Substratmaterialien von Vorteil, de
ren Wärmeleitvermögen sich bei höheren Temperaturen deutlich
verschlechtert. Wie man anhand der Fig. 3 erkennt, zeigt
beispielsweise Al₂O₃ ein solches Verhalten. Dessen Wärmeleit
fähigkeit sinkt während des Aufheizvorgangs von annähernd
40 W/mK bei Zimmertemperatur auf einen Wert von nur noch etwa
7 bis 8 W/mK bei Erreichen der Betriebstemperatur von bei
spielsweise 1000°C ab. Trotz dieser hinsichtlich der Behei
zung des Sensors sehr problematischen Eigenschaft von Al₂O₃,
kommt es beim erfindungsgemäßen Sensor nicht zu lokalen Über
hitzungen des Substrats 1. Die Temperaturabhängigkeit des
spezifischen elektrischen Widerstandes des Titanats sorgt
nämlich dafür, daß sich die Heizleistung des Mäanders 8 in
heißen Substratbereichen verringert und diesen daher weniger
Wärmeenergie zugeführt wird als kälteren Substratbereichen.
Im Substrat 1 können somit auch keine großen Temperaturgra
dienten auftreten, was die Gefahr der Rißbildung deutlich
vermindert. Da Titanate außer den beschriebenen Widerstands
eigenschaften auch eine dem Substrat 1 ähnliche Wärmeausdeh
nung besitzen, werden thermisch induzierte mechanische Span
nungen zwischen dem Substrat 1 und dem Heizmäander 8 erheb
lich reduziert.
In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Platinelek
troden 2, 2′ unmittelbar auf der Oberfläche des Substrats 1
angeordnet. Es ist selbstverständlich auch möglich, eine zu
sätzliche Isolatorschicht aus Siliziumoxid zwischen dem
Substrat 1 und den Elektroden 2, 2′ vorzusehen oder die Elek
troden in die Metalloxidschicht 3 vollständig einzubetten.
Anstelle von Platin kann man auch Gold oder einen elektrisch
leitenden Keramikwerkstoff, insbesondere Titanoxid oder
Ceroxid als Elektrodenmaterial verwenden. Als gassensitives
Material kommen außer Galliumoxid insbesondere auch SnO₂, ZnO
und andere bekannte Metalloxide in Betracht.
Die Beheizung des Sensors muß nicht notwendigerweise von der
Rückseite des Substrat 1 aus erfolgen. Die aus einem Titanat
bestehende Widerstandsschicht 8 kann auch auf der Substrat
oberseite in der Nähe der das gassensitive Metalloxid 3 kon
taktierenden Elektroden 2, 2′ angeordnet sein.
Claims (9)
1. Gassensor mit einem auf einem isolierenden Grundkörper (1)
angeordneten gassensitiven Element (3), einem das gassensi
tive Element (3) kontaktierenden Elektrodensystem (2, 2′) und
einem Heizelement (8),
dadurch gekennzeichnet,
daß das Heizelement (8) aus einem Material besteht, dessen
spezifischer elektrischer Widerstand einen negativen Tempera
turkoeffizienten aufweist.
2. Gassensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Heizelement (8) aus einem Titanat besteht.
3. Gassensor nach Anspruch 1 oder 2,
gekennzeichnet durch
eine Widerstandsschicht (8) als Heizelement.
4. Gassensor nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet
daß die Widerstandsschicht (8) eine spiralförmige oder mäan
derförmige Struktur aufweist.
5. Gassensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß das gassensitive Element (3) aus einem halbleitenden Me
talloxid besteht.
6. Gassensor nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das gassensitive Element (3) aus Galliumoxid besteht.
7. Gassensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
gekennzeichnet durch
einen aus einer Keramik, Glas oder aus Siliziumoxid bestehen
den Grundkörper (1).
8. Gassensor,
gekennzeichnet durch
einen Temperaturfühler (4).
9. Verwendung einer aus einem Titanat bestehenden Wider
standsschicht (8) zur Beheizung eines auf einem isolierenden
Grundkörper (1) angeordneten gassensitiven Materials (3).
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- 1993-06-02 DE DE19934318327 patent/DE4318327C2/de not_active Expired - Fee Related
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DE4318327C2 (de) | 1997-01-30 |
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