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DE4139163A1 - Referenzspannungserzeugungsschaltkreis - Google Patents

Referenzspannungserzeugungsschaltkreis

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Publication number
DE4139163A1
DE4139163A1 DE4139163A DE4139163A DE4139163A1 DE 4139163 A1 DE4139163 A1 DE 4139163A1 DE 4139163 A DE4139163 A DE 4139163A DE 4139163 A DE4139163 A DE 4139163A DE 4139163 A1 DE4139163 A1 DE 4139163A1
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DE
Germany
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reference voltage
node
substrate
conductive layer
circuit according
Prior art date
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Application number
DE4139163A
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English (en)
Inventor
Yeong-Taek Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Publication date
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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    • G—PHYSICS
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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    • H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltung, die in der Lage ist, eine externe Versorgungsspannung auf einen vorgegebenen Wert zu reduzieren und betrifft insbesondere einen Referenzspannungserzeugungsschaltkreis, der eine Bandabstand(band gap)-Referenzschaltung aufweist.
Bei VLSI(very large scale integrated)-Schaltkreisen im Bereich über 16 MBit besteht ein vordringliches Bedürfnis nach Schaltungen, die eine interne verminderte Spannung aus einer außen an den Chip angelegten Spannung, kleiner als 5 V bereitstellen, um die Betriebscharakteristiken von hochintegrierten Speicherbausteinen zu verbessern. Eine derartige Schaltung (internal voltage drop circuit) weist einen Referenzspannungsschaltkreis, einen "Pull-Up"-Spannungsschaltkreis zum Wiederherstellen einer Referenzspannung und einen Ausgangsanschluß auf. Einige dieser Referenzspannungserzeugungsschaltkreise sind Schaltkreise, die von einer Schwellspannung abhängen, indem sie den Schwellwert eines Transistors und einen Bandabstandreferenzschaltkreis (band gap reference - BGR-circuit) vorsehen, um dadurch den energetischen Bandabstand zu verwenden. Ein derartiger Referenzspannungserzeugungsschaltkreis sollte eine konstante Spannung erzeugen, unabhängig von der Varianz äußerer Umstände, wie beispielsweise der von der externen Versorgungsspannung und eines Temperaturgangs. Der schwellwertspannungsabhängige Typ von Schaltkreisen ist jedoch nicht in der Lage, eine konstante Referenzspannung zu erzeugen, da die Schwellspannung in Abhängigkeit der Varianz der Temperatur und des Herstellungsprozesses Veränderungen unterworfen ist. Auf der anderen Seite weist der BGR-Schaltkreis den Vorteil auf, daß die Änderungsrate der Referenzspannung in einfacher Weise durch einen Widerstand am Ausgangsanschluß gesteuert werden kann und daß die Varianz des Herstellungsprozesses kaum die Referenzspannung beeinflußt, da die Ausgangsspannung sowohl durch die Emitter-Basis-Spannung des Transistors und des Widerstands am Ausgangsanschluß bestimmt wird.
Fig. 3 zeigt einen herkömmlichen BGR-Schaltkreis. Der BGR-Schaltkreis weist einen ersten Widerstand 4, welcher zwischen einem Versorgungsanschluß VCC und einem ersten Knoten 1 verbunden ist, einen zweiten Widerstand 5, welcher zwischen dem ersten Knoten 1 und einem zweiten Knoten 3 verbunden ist, einen ersten Transistor 6, dessen Emitter und Kollektor entsprechend mit dem zweiten Knoten 3 und einem ersten Spannungsanschluß VSS verbunden sind, einen dritten Widerstand 7, einen zweiten Transistor 8 und einen vierten Widerstand 9, die alle seriell zwischen dem ersten Knoten 1 und dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden sind, und einen dritten Transistor 10, dessen Kollektor und Emitter entsprechend mit dem ersten Knoten und dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden sind, auf. Die Referenzspannung VREF wird vom ersten Knoten 1 als Ausgangsspannung abgeleitet. Die Basis des ersten Transistors 6 ist mit dem entsprechenden Kollektor verbunden und ist außerdem mit der Basis des zweiten Transistors 8 verbunden. Die Basis des dritten Transistors 10 ist mit dem Kollektor des zweiten Transistors 8 verbunden. Die von Temperaturschwankungen unabhängige Referenzspannung VREF wird erhalten, indem die Emitter-Basis-Spannung mit dem negativen Temperaturkoeffizienten (δVBE/δT= -2.2 mV/°C) mit der thermischen Spannung mit positiven Temperaturkoeffizienten (δV/δT=0.086 mV/°C) kombiniert wird. Wird angenommen, daß der erste und zweite Transistor 6 und 8 in demselben Gebiet liegen, und daß die Basis-Emitter-Spannung des ersten und des dritten Transistors 6, 10 gleich sind, so kann die Referenzspannung VREF folgenderweise geschrieben werden:
wobei R1, R2 und R3 die Widerstandswerte des ersten, zweiten und dritten Widerstands darstellen, k die Boltzmankonstante ist, T die absolute Temperatur, q die elektrische Ladung und VBE3 die Basis-Emitter-Spannung des dritten Transistors 10 bedeutet.
Die Fig. 4 zeigt einen Schnitt durch das Substrat im Falle, daß der Widerstand innerhalb des BGR-Schaltkreises aus einer Polysilikon-Schicht gebildet wird. Auf dem P-Typ-Halbleitersubstrat 11, welches eine negative Substratspannung VBB empfängt, befindet sich eine Feldoxidschicht 12 von 3300 Å, eine Polysilikonschicht 13 dient als Widerstand und eine Oxidschicht 14 von 9000 Å ist darübergelegt. Im allgemeinen wird der Widerstand durch eine N- oder P-Typ-Diffusionsschicht oder eine Polysilikonschicht gebildet. Die Diffusionsschicht und die Polysilikonschicht erzeugen zusammen die parasitäre Kapazität durch die Verbindung und durch eine Isolierschicht, die zwischen der Oberfläche des Substrats und der Oberfläche der Polysilikonschicht gebildet ist. Die Streuung des aus einer Polysilikonschicht gebildeten Widerstands, die aufgrund der Herstellung hervorgerufen wird, ist nicht größer als diejenige, die von einer Diffusionsschicht hervorgerufen wird. Andererseits werden, wenn in dem BGR-Schaltkreis eine Polysilikonschicht verwendet wird, mehrere Kilometer Widerstandsbahnen benötigt, da der Flächenwiderstand der Polysilikonschicht 50 Ω/ beträgt. Daher würde sich die Fläche für das Layout erhöhen. Als Ergebnis ergibt sich, daß die parasitäre Kapazität zwischen dem Substrat 11 und der Polysilikonschicht 13 größer ist als die, welche durch die Diffusionsschicht hervorgerufen wird.
DRAM′s weisen gewöhnlich einen Substratspannungserzeugungsschaltkreis, welcher dem Substrat eine negative Spannung VBB zuführt, auf, um das Substrat zu stabilisieren. Der Betrieb des Substratspannungserzeugungsschaltkreises weist eine Periode auf, die von dem Lochstrom der in das Substrat fließt, bestimmt wird. D. h. der Betrieb des Substratspannungserzeugungsschaltkreises beginnt, wenn die Substratspannung aufgrund eines Lochstroms, der in das Substrat fließt, höher ist als eine vorgegebene Spannung, und wird abgebrochen, wenn die Substratspannung kleiner ist als eine vorgegebene Spannung. Eine derartige periodische Veränderung der Substratspannung wird von der parasitären Kapazität, die zwischen dem Substrat und dem Widerstand des BGR-Schaltkreises gebildet wird, an jeden Knoten des BGR-Schaltkreises weitergegeben. Dadurch wird die Ausgangsspannung des BGR-Schaltkreises verändert. Weiterhin wird, da eine geschlossene Rückkopplungsschleife innerhalb des BGR-Schaltkreises vorliegt, der BGR-Schaltkreis durch Rauschen der Substratspannung VBB zum Schwingen gebracht, daher kann die Schaltung zum Bereitstellen einer internen verminderten Spannung (internal voltage drop circuit) die einen BGR-Schaltkreis verwendet, keine konstante Ausgangsspannung halten. Wird ein großer Widerstand verwendet, um den Stromverbrauch des BGR-Schaltkreises zu reduzieren, so erhöht sich die parasitäre Kapazität zwischen dem BGR-Schaltkreis und dem Substrat. Dies wiederum erhöht die Schwingung des BGR-Schaltkreises. Daher sollte, um die Schwingung des BGR-Schaltkreises aufgrund einer erhöhten parasitären Kapazität zu unterdrücken, der Widerstandswert, der in dem BGR-Schaltkreis eingesetzt wird, kleingehalten werden, um die parasitäre Kapazität zu vermindern. Wird jedoch der Widerstand reduziert, erhöht sich der Stromverbrauch des BGR-Schaltkreises.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen Referenzspannungserzeugungsschaltkreis anzugeben, der eine konstante Ausgangsspannung erzeugt, unabhängig vom Substratrauschen und mit minimalem Stromverbrauch.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird eine leitende Schicht, die eine vorgegebene Spannung empfängt, zwischen einen Widerstand des Bandabstandreferenzschaltkreises und ein Halbleitersubstrat eingesetzt.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung weist der Referenzspannungserzeugungsschaltkreis eine Kapazität, die zwischen einem Ausgangsknoten des herkömmlichen Bandabstand-Referenzschaltkreises und der Basis eines Ausgangstransistors verbunden ist, auf.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung weist der Referenzspannungserzeugungsschaltkreis einen Tiefpaßfilter, bestehend aus einem Widerstand, der zwischen dem ersten Knoten des herkömmlichen Bandabstands-Refe­ renzschaltkreises und dem Referenzspannungsanschluß verschaltet ist, auf und weist außerdem eine Kapazität, die in Serie zwischen den Referenzspannungsanschluß und dem Erdanschluß verschaltet ist, auf.
Im folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen im einzelnen:
Fig. 1 einen Bandabstandreferenzschaltkreis entsprechend der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 einen Schnitt durch den Widerstand, wie er in der Fig. 1 verwendet wird;
Fig. 3 einen herkömmlichen Bandabstandsreferenzschaltkreis;
Fig. 4 einen Schnitt durch den Widerstand, wie er in der Fig. 3 verwendet wird;
Fig. 5A und 5B die charakteristische Kurve eines herkömmlichen und des erfindungsgemäßen Bandabstandsreferenzschaltkreises.
Fig. 1 zeigt einen Bandabstandsreferenzschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung. Dieser weist fünf Widerstände, drei Transistoren und zwei Kapazitäten auf. Ein erster Widerstand 26, der zwischen einem Versorgungsspannungsanschluß VCC und einem ersten Knoten 21 verschaltet ist, dient zum Steuern des Stromes. Ein zweiter Widerstand 27 ist zwischen einem ersten Knoten 21 und einem zweiten Knoten 23 verschaltet. Der Kollektor und die Basis eines ersten Transistors 28 sind gemeinsam mit dem zweiten Knoten verbunden, der entsprechende Emitter ist mit dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden. Ein dritter Widerstand 29, ein zweiter Transistor 30 und ein vierter Widerstand 31 sind seriell zwischen dem ersten Knoten 21 und dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden. Ein dritter Transistor 32 weist einen Kollektor und einen Emitter auf, die mit dem ersten Knoten 21 bzw. dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden sind und weist eine Basis auf, die mit einem dritten Knoten 24, welcher sich zwischen dem dritten Widerstand 29 und einem Kollektor des zweiten Transistors 30 befindet, verbunden ist. Eine erste Kapazität 33 ist zwischen dem ersten Knoten 21 und dem dritten Knoten 24 verbunden. Ein fünfter Widerstand 34 ist zwischen dem ersten Knoten 21 und einem Referenzspannungsanschluß VREF verbunden und eine zweite Kapazität 35 ist zwischen dem Referenzspannungsanschluß VREF und dem Erdspannungsanschluß VSS verbunden. Die erste Kapazität 33 die zur Kompensation von Frequenzen dient, dient der Unterdrückung von Rückkopplungen kleiner als 1 bei einem Frequenzband, welches Schwingung hervorrufen kann. Der Tiefpaßfilter 36 umfaßt einen fünften Widerstand 34 und eine zweite Kapazität 35 zum Filtern der Übergangsveränderung der Referenzspannung VREF, hervorgerufen durch die Substratspannung VBB. Im allgemeinen weist die Substratspannung, die der Referenzspannung VREF Rauschen zufügt, ein Frequenzband, ähnlich dem der Substratspannung VBB auf, da die Substratspannung VBB im Frequenzband zwischen 105-106 Hz betrieben wird. Der Wert des fünften Widerstands 34 und der zweiten Kapazität 35 sind so festgelegt, daß der RC-Tiefpaß-Filter nur Frequenzen kleiner als 105-106 Hz durchlassen kann. Beispielsweise liegt die Abschneidefrequenz bei 105 Hz und der RC-Wert, d. h. die Zeitkontante beträgt 3,2·10-6 s. Da eine Koppelkapazität zwischen dem im Tiefpaßfilter 36 verwendeten Widerstand und dem Substrat besteht, falls der Wert des fünften Widerstands 34 wesentlich größer ist als der Wert der zweiten Kapazität 35, wird das mit der Substratspannung verbundene Rauschen des Tiefpaßfilters 36 zu dem Ausgangsanschluß des Bandabstandsreferenzschaltkreises entsprechend der vorliegenden Erfindung übertragen. Dabei wird das mit der Substratspannung verbundene Rauschen nicht effizient unterdrückt. Daher sollte der Wert des fünften Widerstands 34 und der zweiten Kapazität 35 geeignet eingestellt werden.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch den in Fig. 1 verwendeten aus einer Polysilikonschicht bestehenden Widerstand. Fig. 2 zeigt dabei eine Wanne 39 vom N-Typ, die auf einem P-Typ-Halbleitersubstrat 38, welches eine Substratspannung VBB empfängt, gebildet ist. Über die gesamte Oberfläche der Wanne 39 ist eine Feldoxidschicht 40 von 3300 A, eine Polysilikonschicht 41, die als Widerstand dient und eine Oxidschicht 42 von 9000 A sequentiell aufgebracht. Die N-Typ-Wanne 39 bewirkt, daß die Koppelkapazität aufgrund des Substrats 38 und des Widerstands 41 entfernt wird, indem sie den Widerstand 41 aus Polysilikon und das Substrat 38 abschirmt. Das heißt, indem eine leitende Schicht, z. B. eine N-Wanne 39 zwischen das Substrat 38 und den Bandabstandsreferenzschaltkreis gebracht wird und indem eine stabile Spannung, wie beispielsweise die Erdspannung VBB der leitenden Schicht zugeführt wird, wird das Problem, welches durch die parasitäre Kapazität zwischen dem Substrat 38 und dem Bandabstandsreferenzschaltkreis hervorgerufen wird, grundlegend gelöst.
Die Fig. 5A und 5B zeigen entsprechend den Einfluß von Rauschen aufgrund der Substratspannung VBB auf die Referenzspannung VREF bei einem herkömmlichen und bei einem BGR-Schaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung. Fig. 5A bezieht sich auf einen herkömmlichen BGR-Schaltkreis, bei dem die Referenzspannung VREF durch das Rauschen in der Substratspannung VBB schwingt. Bei der vorliegenden Erfindung wird jedoch, wenn eine N-Wanne 39, die eine konstante Spannung empfängt, zwischen den BGR-Schaltkreis und das Substrat 38 eingesetzt wird, und falls die Kapazität 34 zur Frequenzkompensation und/oder der RC-Tiefpaßfilter 36 vorgesehen sind, eine stabile Referenzspannung VREF erzeugt, wie dies in Fig. 5B gezeigt wird, selbst wenn in der Substratspannung Rauschen erzeugt wird.
In der oben vorgestellten Ausführungsform wird die leitende Schicht 39 zwischen den BGR-Schaltkreis und das Substrat 38 eingefügt, im Falle, daß der Widerstand 41 des BGR-Schaltkreises als Polysilikonschicht ausgeführt ist. Für den Fachmann ist es selbstverständlich, daß das Einsetzen der leitenden Schicht zum Bilden des Widerstands des BGR-Schaltkreises mit Diffusionsschicht verwendet werden kann, wobei der Widerstand der Diffusionsschicht auf der leitenden Schicht, die auf der gesamten Oberfläche des Substrats angelegt ist, gebildet wird, und daß der Leitungstyp der leitenden Schicht gegensätzlich zum Halbleitersubstrat ist.
Es wurde Referenzspannungserzeugungsschaltkreis mit einem BGR-Schaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung vorgestellt, dabei ist, da eine N-Typ-Wanne zwischen dem Substrat und dem BGR-Schaltkreis ausgebildet ist, der Stromverbrauch minimiert und die parasitäre Kapazität, die aufgrund des Substrats und des BGR-Schaltkreises hervorgerufen wird, reduziert. Weiterhin bewirkt die vorliegende Erfindung, daß, indem eine Kapazität zum Kompensieren der Frequenz und/oder ein RC-Tiefpaßfilter für den BGR-Schaltkreis vorgesehen sind, daß die Referenzspannung VREF, unabhängig vom Rauscheinfluß der Substratspannung ist.

Claims (18)

1. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis mit
einer ersten Widerstandseinrichtung, die zwischen einem Versorgungsspannungsanschluß und einem ersten Knoten verbunden ist,
einer zweiten Widerstandseinrichtung, die zwischen dem ersten Knoten und einem zweiten Knoten verbunden ist,
einem ersten Bipolartransistor, dessen Kollektor mit seiner Basis verbunden ist und dessen Emitter mit einem Erdspannungsanschluß verbunden ist,
einer dritten Widerstandseinrichtung, die zwischen dem ersten Knoten und einem dritten Knoten verbunden ist,
einem zweiten Bipolartransistor, dessen Kollektor mit dem dritten Knoten verbunden ist und dessen Basis mit dem zweiten Knoten verbunden ist,
einer vierten Widerstandseinrichtung, die zwischen einem Emitter des zweiten Bipolartransistors und dem Erdspannungsanschluß verbunden ist, und einem dritten Bipolartransistor, dessen Kollektor und Emitter entsprechend mit dem ersten Knoten und dem Erdspannungsanschluß verbunden ist und dessen Basis mit dem dritten Knoten verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kapazität zwischen dem ersten Knoten und dem dritten Knoten verbunden ist.
2. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kapazität zum Kompensieren bestimmter Frequenzen dient.
3. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Widerstandseinrichtung aus einer Polysilikon- oder einer Diffusionsschicht besteht.
4. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Polysilikonschicht über eine leitende Schicht eines bestimmten vorgegebenen Leitungstyps, die eine konstante Spannung empfängt, gelegt ist, und die leitende Schicht auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats und unter einer Isolierschicht angeordnet ist.
5. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschicht auf der leitenden Schicht die von einem Leitungstyp gegensätzlich zu dem des Halbleitersubstrats ist und eine konstante Spannung empfängt, angeordnet ist, wobei die leitende Schicht auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist.
6. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin ein Tiefpaßfilter vorgesehen ist zum Filtern einer Referenzspannung, die durch eine Substratspannung vorübergehend geändert wird.
7. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiefpaßfilter eine fünfte Widerstandseinrichtung aufweist, die zwischen dem ersten Knoten und einem Referenzspannungsausgangsanschluß verbunden ist und eine zweite Kapazität aufweist, die zwischen dem Referenzspannungsausgangsanschluß und dem Erdspannungsanschluß verbunden ist.
8. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Wert der fünften Widerstandseinrichtung und der zweiten Kapazität so bestimmt ist, daß der Tiefpaßfilter eine Frequenz kleiner als die Bandfrequenz der Wechselperiode der Substratspannung durchlassen kann.
9. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Widerstandseinrichtung eine Polysilikonschicht oder eine Diffusionsschicht ist.
10. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Polysilikonschicht über der leitenden Schicht vom vorgegebenen Leitungstyp, die eine konstante Spannung empfängt, angeordnet ist, wobei die leitende Schicht auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats und unter der Isolierschicht angeordnet ist.
11. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschicht auf der leitenden Schicht, die vom gegensätzlichen Leitungstyp zum Halbleitersubstrat ist und die eine konstante Spannung empfängt, angeordnet ist, und daß die leitende Schicht auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist.
12. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis mit
einer ersten Widerstandseinrichtung, die zwischen einem Versorgungsspannungsanschluß und einem ersten Knoten verbunden ist,
einer zweiten Widerstandseinrichtung, die zwischen dem ersten Knoten und einem zweiten Knoten verbunden ist,
einem ersten Bipolartransistor, dessen Kollektor und dessen Basis gemeinsam mit dem zweiten Knoten verbunden ist und dessen Emitter mit dem Erdspannungsanschluß verbunden ist,
einer dritten Widerstandseinrichtung die zwischen dem ersten Knoten und einem dritten Knoten verbunden ist,
einem zweiten Bipolartransistor, dessen Kollektor mit dem dritten Knoten verbunden ist und dessen Basis mit dem zweiten Knoten verbunden ist,
einer vierten Widerstandseinrichtung, die zwischen einem Emitter des zweiten Bipolartransistors und dem Erdspannungsanschluß verbunden ist, und einem vierten Bipolartransistor, dessen Kollektor, Emitter und Basis entsprechend mit einem ersten Knoten, einem Erdspannungsanschluß und dem dritten Knoten verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin ein Tiefpaßfilter vorgesehen wird zum Filtern der Referenzspannung, die übergangsweise von einer Substratspannung verändert wird.
13. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiefpaßfilter eine fünfte Widerstandseinrichtung, die zwischen dem ersten Knoten und einem Referenzspannungsausgangsanschluß verbunden ist und eine Kapazität, die zwischen dem Referenzspannungsausgangsanschluß und dem Erdspannungsanschluß verbunden ist, aufweist.
14. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß jede Widerstandseinrichtung aus einer Polysilikonschicht oder einer Diffusionsschicht gebildet wird.
15. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Polysilikonschicht auf einer leitenden Schicht mit vorgegebenem Leitungstyp, die eine konstante Spannung empfängt, angeordnet ist, wobei die leitende Schicht auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats und unter einer Isolierschicht angeordnet ist.
16. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschicht auf der leitenden Schicht, die einen Leitungstyp entgegensetzt, dem des Halbleitersubstrats aufweist und die eine konstante Spannung empfängt, angeordnet ist, wobei die leitende Schicht auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist.
17. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis mit einer Anzahl von Bipolartransistoren mit negativem Temperaturkoeffizient und einer Anzahl von Widerstandseinrichtungen mit positivem Temperaturkoeffizient, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandseinrichtungen auf dem Substrat eines Halbleiters angeordnet sind, und daß eine leitende Schicht, die einen vorgegebenen Leitungstyp aufweist und eine konstante Spannung empfängt und eine Isolierschicht hintereinander auf dem Substrat des Halbleiters angeordnet sind.
18. Referenzspannungserzeugungsschaltkreis nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Referenzspannungserzeugungsschaltkreis weiterhin eine Kapazität zum Kompensieren bestimmter Frequenzen aufweist und einen Tiefpaßfilter zum Filtern der Referenzspannung, die übergangsweise von einer Substratspannung variiert wird, aufweist.
DE4139163A 1991-06-19 1991-11-28 Referenzspannungserzeugungsschaltkreis Ceased DE4139163A1 (de)

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DE4139163A Ceased DE4139163A1 (de) 1991-06-19 1991-11-28 Referenzspannungserzeugungsschaltkreis

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