DE4017617C2 - Spannungserzeugungsschaltung mit geringer Leistungsaufnahme und stabiler Ausgangsspannung bei kleiner Schaltkreisfläche - Google Patents
Spannungserzeugungsschaltung mit geringer Leistungsaufnahme und stabiler Ausgangsspannung bei kleiner SchaltkreisflächeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Spannungserzeugungs
schaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1, wie aus der US 4,692,689 bekannt.
In einer Halbleitereinrichtung, wie z. B. einem dynamischen RAM, ist
ein Spannungserzeugungsschaltkreis gebildet, um eine Spannung zu
erzeugen, die an Zellenelektroden und Bitleitungen angelegt werden
soll.
Die Fig. 1 stellt ein Schaltbild dar, das einen Spannungserzeu
gungsschaltkreis für eine derartige herkömmliche Halbleiterspei
chereinrichtung zeigt, wie dieser in der US 4,692,689 beschrieben
ist. In der Figur umfaßt der Spannungserzeugungsschaltkreis n-Typ
Feldeffekttransistoren 1-3, p-Typ Feldeffekttransistoren 4-6
und Widerstände 7-10. Zwei aus Reihenschaltungen 31 und 32
gebildete Schaltkreise sind parallel zwischen eine Spannungsver
sorgungsleitung 20 und Masse geschaltet. Die erste Reihenschaltung
31 umfaßt hintereinander geschaltet den Widerstand 7, die n-Typ
Feldeffekttransistoren (im weiteren als n-FET bezeichnet) 1 und 2
und den Widerstand 8. Ein Anschluß des Widerstandes 7 ist mit der
Spannungsversorgungsleitung 20 und der andere mit der Drain- und
Gateelektrode des n-FET 1 verbunden. Die Source-Elektrode des
n-FET 1 ist mit der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des n-FET 2 verbunden.
Die Source-Elektrode des n-FET 2 ist mit einem Anschluß des
Widerstandes 8 und dessen anderer Anschluß mit Masse verbunden.
Andererseits umfaßt die zweite Reihenschaltung 32 hintereinander
geschaltet den Widerstand 9, die p-Typ Feldeffekttransistoren
(im weiteren als p-FET bezeichnet) 4 und 5 und den Widerstand 10.
Ein Anschluß des Widerstandes 9 ist mit der Spannungsversorgungs
leitung 20 und der andere mit der Source-Elektrode des p-FET 4
verbunden. Die Drain-Elektrode des p-FET 4 ist mit dessen Gate-Elektrode und der
Source-Elektrode des p-FET 5 verbunden. Die Drain-Elektrode des p-FET 5 ist
mit dessen Gate-Elektrode und einem Anschluß des Widerstandes 10, und dessen
anderer Anschluß mit Masse verbunden. Der n-FET 3 und der p-FET 6
sind in Reihe zwischen die Spannungsversorgungsleitung 20 und
Masse geschaltet. Genauer gesagt ist die Drain-Elektrode des
n-FET 3 mit der Spannungsversorgungsleitung 20 und seine Source-Elektrode
mit der Source-Elektrode des n-FET 6 verbunden. Die Drain-Elektrode des
p-FET 6 ist mit Masse verbunden, während die Gate-Elektrode des
n-FET 3 mit der Drain-Elektrode des n-FET 1 verbunden ist. Die Gate-Elektrode des
p-FET 6 ist mit der Drain-Elektrode des p-FET 5 verbunden. Von
einem Knoten zwischen der Source-Elektrode des n-FET 3 und der
Source-Elektrode des p-FET 6 wird das Ausgangssignal Vout abgenommen.
Nun wird der Betrieb des in Fig. 1 gezeigten Spannungserzeugungs
schaltkreises beschrieben. Wenn die Spannungsversorgung einge
schaltet wird, wird eine Versorgungsspannung Vcc an die Spannungs
versorgungsleitung 20 angelegt, so daß die n-FETs 1 und 2 und auch
die p-FETs 4 und 5 leitend werden. Nimmt man nun an, daß der
Widerstandswert R7 des Widerstandes 7 und der Widerstandswert R8
des Widerstandes 8 gleich sind (R7 = R8), wird das Potential an
dem Knoten zwischen der Drain-Elektrode des n-FET 1 und dem
Widerstand 7, d. h., das Gate-Potential des n-FET 3, gleich einem
Wert, der durch folgenden Ausdruck gegeben ist:
Vcc/2 + Vthn
während das Potential an einem Knoten zwischen der Drain-Elektrode
des p-FET 5 und dem Widerstand 10, d.h., das Gate-Potential des
p-FET 6 gleich einem Wert wird, der durch den Ausdruck
Vcc/2 - Vthp
gegeben ist. Falls die Ausgangsspannung Vout größer als Vcc/2 wird,
wird entsprechend der p-FET 6 leitend, so daß die Ausgangsspannung
Vout abfällt. Falls andererseits die Ausgangsspannung Vout kleiner
als Vcc/2 wird, wird der n-FET 3 leitend, so daß die Ausgangs
spannung Vout ansteigt. Entsprechend wird die Ausgangsspannung Vout
stets auf Vcc/2 gehalten.
Der Spannungserzeugungsschaltkreis gemäß Fig. 1 ist also
ein Spannungserzeugungsschaltkreis zur stabilen Erzeugung einer
Spannung Vcc/2, die gleich der Hälfte der Versorgungsspannung ist.
Bei diesem herkömmlichen Spannungserzeugungsschaltkreis
fließt jeweils stets ein Strom durch die
erste Reihenschaltung 31 und die zweite Reihenschaltung 32.
Daher sollten die Widerstandswerte der Widerstände 7-10 möglichst groß
gemacht werden, um die Leistungsaufnahme zu vermindern. Da die
Widerstände 7-10 durch Diffusion im Halbleitersubstrat erzeugt
werden, wird dabei die Fläche der Widerstände proportional zu den
Widerstandswerten vergrößert. Damit wird die Schaltkreisfläche
des Spannungserzeugungsschaltkreises größer. Die Widerstände 7,
8 und 9, 10 bilden Spannungsteiler zur Erzeugung des Gate-Poten
tials für den n-FET 3 bzw. den p-FET 6. Falls die Widerstandswerte
größer werden, bewirkt die Schwankung der Versorgungsspannung Vcc
eine Ungenauigkeit bei der Erfassung der Referenzspannung, die in
jedem Spannungsteiler erzeugt wird, so daß die Ausgangsspannung
Vout nicht auf Vcc/2 gehalten werden kann.
Aufgabe der Erfindung ist es,
eine Spannungserzeugungsschaltung zu schaffen, die eine
geringere Leistungsaufnahme und eine kleinere Schaltkreisfläche
aufweist und eine stabilere Ausgangsspannung zur Verfügung stellt.
Die Aufgabe wird durch die
Spannungserzeugungsschaltung nach dem
Patentanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den
Unteransprüchen beschrieben.
Im weiteren erfolgt die
Beschreibung eines Ausführungsbeispieles anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigt:
Fig. 1 ein Schaltbild, das einen herkömmlichen Spannungs
erzeugungsschaltkreis darstellt; und
Fig. 2 ein Schaltbild, das eine Ausführungsform der Erfindung
zeigt.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 sowie beim in Fig. 1 gezeigten
herkömmlichen Schaltkreis sind ein erster Schaltkreis 31 mit einer
Reihenschaltung, ein zweiter Schaltkreis 32 mit einer Reihenschal
tung, ein n-FET 3 und ein p-FET 6 gebildet. Beim Gegenstand der Erfindung sind Widerstände
11 und 12 vorhanden. Die Schaltkreise 31 und 32 mit den Reihen
schaltungen sind zueinander parallel geschaltet und der Widerstand
11 ist zwischen erste Anschlüsse der Widerstände 7 und 9 und eine
Spannungsversorgungsleitung 20 geschaltet, während der Widerstand
12 zwischen erste Anschlüsse der Widerstände 8 und 10 und Masse
gebildet ist.
Der Betrieb einer derartigen Ausführungsform stimmt mit
demjenigen in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen Schaltkreis
nahezu überein. Der Unterschied zum in Fig. 1 gezeigten herkömm
lichen Schaltkreis besteht darin, daß der durch den Widerstand 11
fließende Strom auf den ersten Schaltkreis 31 und den zweiten
Schaltkreis 32 aufgeteilt wird und diese Teilströme dann über
den Widerstand 12 gemeinsam nach Masse abfließen.
Nun werden die Ausführungsform der Fig. 2 und der in Fig. 1 gezeigte
herkömmliche Schaltkreis verglichen. Es wird angenommen, daß die
Werte der Widerstände 7-10 des in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen
Schaltkreises jeweils 400 kΩ betragen und jeder Wert der Widerstände
7-12 der Ausführungsform in Fig. 2 gleich 200 kΩ ist. Beim
Vergleichen der Stromaufnahme wird in diesem Fall der von der
ersten Reihenschaltung 31 des in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen
Schaltkreises aufgenommene Strom durch den folgenden Ausdruck
bestimmt:
(Vcc - 2·Vthn) / (400+400) (1)
während der von der zweiten Reihenschaltung 32 des in Fig. 1
gezeigten herkömmlichen Schaltkreises aufgenommene Strom durch
den Ausdruck
(Vcc - 2·Vthp) / (400+400) (2)
bestimmt wird. Entsprechend ist die Stromaufnahme des in Fig. 1
gezeigten herkömmlichen Schaltkreises die Summe der Werte aus
Gleichung (1) und Gleichung (2), so daß unter der Annahme, daß
Vthp = Vthn = Vth gilt, der Gesamtwert durch den folgenden Ausdruck
bestimmt ist.
(Vcc - 2·Vth) / 400 (3)
Andererseits ist der von der Ausführungsform in Fig. 2 aufgenommene
Strom durch die folgende Gleichung bestimmt:
(Vcc - 2·Vth) / 600 (4)
Vergleicht man nun die Stromaufnahme des in Fig. 1 dargestellten
herkömmlichen Schaltkreises, die durch Gleichung (3) ausgedrückt
wird, mit dem durch die Ausführungsform der Fig. (2) aufgenommenen
Strom, der durch die Gleichung (4) angegeben wird, so erkennt man,
daß die Stromaufnahme der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform
kleiner ist.
Als nächstes erfolgt ein Vergleich der Widerstandsflächen. Beim
herkömmlichen Schaltkreis der Fig. 1 werden vier Widerstände zu
400 kΩ benutzt, während die Ausführung der Fig. 2 sechs Widerstände
zu 200 kΩ verwendet. Daher ist das Verhältnis der Widerstandsfläche
der Ausführung in Fig. 2 zur Widerstandsfläche des in Fig. 1
gezeigten herkömmlichen Schaltkreises durch folgenden Ausdruck
gegeben.
(200·6) / (400·4) = 0,75
Genauer gesagt beträgt die Widerstandsfläche der Ausführung in
Fig. 2 nur etwa 75% von derjenigen des in Fig. 1 gezeigten herkömm
lichen Schaltkreises.
Nun wird beschrieben, daß bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 der
selbe Effekt erzielt werden kann, selbst wenn die Widerstandswerte
der Widerstände 7-10 und 11, 12 geändert werden. Zum Beispiel
wird bei der Ausführungsform der Fig. 2 unter der Annahme, daß die
Werte der Widerstände 7-10 gleich 20 kΩ und die Werte der Wider
stände 11 und 12 gleich 400 kΩ sind, die Stromaufnahme durch
folgenden Ausdruck bestimmt:
(Vcc - 2·Vth) / 820
und ist damit kleiner als der vom herkömmlichen Schaltkreis gemäß
Fig. 1 aufgenommene Strom, der durch Gleichung (3) angegeben wird.
Betrachtet man das Verhältnis der Widerstandsflächen, so erkennt
man ferner, daß die Widerstandsfläche der Ausführung in Fig. 2 nur
55% von derjenigen des herkömmlichen Schaltkreises der Fig. 1
beträgt.
Wie oben beschrieben worden ist, kann die Ausführungsform gemäß
Fig. 2 im Vergleich mit dem herkömmlichen Schaltkreis gemäß Fig. 1
sowohl die Stromaufnahme als auch die Widerstandsfläche vermindern.
Obwohl bei der Ausführung gemäß Fig. 2 die Widerstände 7-12 als
Widerstandseinrichtungen verwendet wurden, können auch Feldeffekt
transistoren benutzt werden. Obwohl gemäß Fig. 2 zwei n-FETs 1 und 2
und zwei p-FETs 4 und 5 gebildet sind, können ferner auch einer
oder mehr als zwei n-FETs bzw. p-FETs geschaffen werden. In diesem
Fall wird der Wert der Ausgangsspannung Vout auf einen anderen
Wert als Vcc/2 stabilisiert. Somit ist die vorliegende
Erfindung nicht auf die Erzeugung einer Ausgangsspannung von Vcc/2
beschränkt, sondern kann auch Spannungen anderer Werte erzeugen.
Claims (6)
1. Spannungserzeugungsschaltkreis zum Erzeugen einer Ausgangs
spannung (Vout) mit
einem ersten Schaltkreis (31), bei welchem eine erste Wider standseinrichtung (7), ein oder mehrere Feldeffekttransistoren (1, 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit dem Kanal oder Kanälen und eine zweite Widerstandseinrichtung (8) in Reihe geschaltet sind,
einem zweiten Schaltkreis (32), bei welchem eine dritte Wider standseinrichtung (9), ein oder mehrere Feldeffekttransistoren (4, 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit dem Kanal oder Kanälen und eine vierte Widerstandseinrichtung (10) in Reihe geschaltet sind,
wobei der erste und der zweite Schaltkreis (31, 32) parallel ge schaltet sind und die Gates aller Feldeffekttransistoren (1, 2, 4, 5) mit den jeweiligen ersten Kanalelektroden der betreffenden Feldeffekttransistoren verbunden sind,
mit einem ersten Anschlußknoten, der mit der Verbindungsstelle zwischen erster Widerstandseinrichtung (7) und der ersten Kanal elektrode des ersten in Reihe liegenden Feldeffekttransistors (1) vom ersten Leitfähigkeitstyp des ersten Schaltkreises (31) ver bunden ist,
einen zweiten Anschlußknoten, der mit der Verbindungsstelle zwischen vierter Widerstandseinrichtung (10) und der ersten Kanal elektrode des letzten in Reihe liegenden Feldeffekttransistors (5) vom zweiten Leitfähigkeitstyp des zweiten Schaltkreises (32) verbunden ist, und
mit einer Reihenschaltung der Kanäle eines ersten (3) und eines zweiten (6) ausgangsseitigen Feldeffekttransistors vom ersten bzw. zweiten Leitungstyp zwischen einem ersten Potentialpunkt (20) und einem zweiten Potentialpunkt, wobei das Gate des ersten ausgangsseitigen Feldeffekttransistors (3) mit dem ersten An schlußknoten verbunden ist, wobei
das Gate des zweiten ausgangsseitigen Feldeffekttransistors (6) mit dem zweiten Anschlußknoten verbunden ist
und die Ausgangsspannung (Vout) am Verbindungspunkt des ersten (3) und des zweiten (6) ausgangsseitigen Feldeffekttransistors erzeugt wird,
gekennzeichnet durch
eine fünfte Widerstandseinrichtung (11), die mit dem ersten Potentialppunkt (20) und den ersten und dritten Widerstandsein richtungen (7, 9) verbunden ist, und
eine sechste Widerstandseinrichtung (12), die mit dem zweiten Potentialpunkt und den zweiten und vierten Widerstandseinrichtungen (8, 10) verbunden ist.
einem ersten Schaltkreis (31), bei welchem eine erste Wider standseinrichtung (7), ein oder mehrere Feldeffekttransistoren (1, 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit dem Kanal oder Kanälen und eine zweite Widerstandseinrichtung (8) in Reihe geschaltet sind,
einem zweiten Schaltkreis (32), bei welchem eine dritte Wider standseinrichtung (9), ein oder mehrere Feldeffekttransistoren (4, 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit dem Kanal oder Kanälen und eine vierte Widerstandseinrichtung (10) in Reihe geschaltet sind,
wobei der erste und der zweite Schaltkreis (31, 32) parallel ge schaltet sind und die Gates aller Feldeffekttransistoren (1, 2, 4, 5) mit den jeweiligen ersten Kanalelektroden der betreffenden Feldeffekttransistoren verbunden sind,
mit einem ersten Anschlußknoten, der mit der Verbindungsstelle zwischen erster Widerstandseinrichtung (7) und der ersten Kanal elektrode des ersten in Reihe liegenden Feldeffekttransistors (1) vom ersten Leitfähigkeitstyp des ersten Schaltkreises (31) ver bunden ist,
einen zweiten Anschlußknoten, der mit der Verbindungsstelle zwischen vierter Widerstandseinrichtung (10) und der ersten Kanal elektrode des letzten in Reihe liegenden Feldeffekttransistors (5) vom zweiten Leitfähigkeitstyp des zweiten Schaltkreises (32) verbunden ist, und
mit einer Reihenschaltung der Kanäle eines ersten (3) und eines zweiten (6) ausgangsseitigen Feldeffekttransistors vom ersten bzw. zweiten Leitungstyp zwischen einem ersten Potentialpunkt (20) und einem zweiten Potentialpunkt, wobei das Gate des ersten ausgangsseitigen Feldeffekttransistors (3) mit dem ersten An schlußknoten verbunden ist, wobei
das Gate des zweiten ausgangsseitigen Feldeffekttransistors (6) mit dem zweiten Anschlußknoten verbunden ist
und die Ausgangsspannung (Vout) am Verbindungspunkt des ersten (3) und des zweiten (6) ausgangsseitigen Feldeffekttransistors erzeugt wird,
gekennzeichnet durch
eine fünfte Widerstandseinrichtung (11), die mit dem ersten Potentialppunkt (20) und den ersten und dritten Widerstandsein richtungen (7, 9) verbunden ist, und
eine sechste Widerstandseinrichtung (12), die mit dem zweiten Potentialpunkt und den zweiten und vierten Widerstandseinrichtungen (8, 10) verbunden ist.
2. Spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitereinrichtung
nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste, zweite, dritte, vierte,
fünfte und sechste Widerstandseinrichtung (7 bis 12) Widerstände
sind.
3. Spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitereinrichtung
nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß einer der ersten und zweiten Potential
punkte das Versorgungsspannungspotential (20) und der andere
Massepotential aufweisen.
Spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitereinrichtung
nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Schaltkreis (31,
32) die gleiche Anzahl von Feldeffekttransistoren aufweisen.
5. Spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitereinrichtung
nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der ersten Wider
standseinrichtung (7), der zweiten Widerstandseinrichtung (8),
der dritten Widerstandseinrichtung (9) und der vierten
Widerstandseinrichtung (10) gleich groß ist.
6. Spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitereinrichtung
nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der ersten Wider
standseinrichtung (7), der zweiten Widerstandseinrichtung (8),
der dritten Widerstandseinrichtung (9), der vierten Widerstands
einrichtung (10), der fünften Widerstandseinrichtung (11) und der
sechsten Widerstandseinrichtung (12) gleich groß ist.
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