DE3852971T2

DE3852971T2 - Supraleitender Werkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung.

Info

Publication number: DE3852971T2
Application number: DE3852971T
Authority: DE
Inventors: Tetsuji C O Itami Works Jodai; Nobuyuki C O Itami Work Sasaki; Kenichiro C O Itami Wor Sibata; Shuji C O Itami Works Of Yazu
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1987-03-28
Filing date: 1988-03-28
Publication date: 1995-10-19
Anticipated expiration: 2008-03-29
Also published as: EP0296893A3; CA1338486C; EP0296893B1; US4952555A; EP0296893A2; DE3852971D1

Description

Hintergrund der Erfindung

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen supraleitenden Stoff und ein Verfahren zu seiner Herstellung und insbesondere auf einen supraleitenden Stoff, der eine höhere kritische Temperatur der Supraleitfähigkeit und eine verringerte, d. h. kleinere Diskrepanz zwischen der kritischen Temperatur und der Einschalttemperatur aufweist, bei der das Phänomen der Supraleitfähigkeit auftritt sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
In dieser Beschreibung steht ''Tcf" für die kritische Temperatur der Supraleitfähigkeit, "Tc" für die Einschalttemperatur, bei der das Phänomen der Supraleitung einsetzt und ΔT für die Diskrepanz zwischen Tc und Tcf.

Beschreibung des Hintergrundes

Im supraleitenden Zustand wird ein perfekter Diamagnetismus beobachtet, wobei keine Potentialdifferenz auftritt beim Fließen eines inneren elektrischen Stromes eines konstanten endlichen Wertes, so daß eine Vielzahl von supraleitenden Anwendungen bereits vorgeschlagen wurde auf dem Gebiet der verlustlosen elektrischen Energieübertragung.
Die Supraleitung kann auf dem Gebiet der elektrischen Energieanwendungen, wie z. B. der MHD-Stromerzeugung, der Stromübertragung, der elektrischen Energiespeicherung oder dgl. eingesetzt werden, sowie auf dem Transportgebiet, beispielsweise mittels Magnetschwebebahnen oder magnetisch angetriebenen Schiffen, auf dem medizinischen Gebiet, wie z. B. bei hochenergetischen Strahlungsanordnungen, auf dem Gebiet der Wissenschaft, beispielsweise bei der NMR- oder der Hochenergiephysik, auf dem Gebiet der hochempfindlichen Sensoren oder Detektoren zur Aufspürung sehr schwacher Magnetfelder, Mikrowellenstrahlungen oder dgl. oder auch auf dem Gebiet der Energieerzeugung.
Zusätzlich zu den oben erwähnten elektrischen Energieanwendungen können supraleitende Materialien auch auf dem Gebiet der Elektronik eingesetzt werden, beispielsweise als Josephson-Anordnung als notwendiges Schaltelement zur Verwirklichung von Hochgeschwindigkeits- Computern mit sehr geringem Energieverbrauch.
Der tatsächliche Einsatz ist jedoch noch beschränkt, da das Phänomen der Supraleitung nur bei sehr niedrigen Temperaturen beobachtet wird. Von den bekannten supraleitenden Stoffen weist eine Stoffgruppe mit der sogenannten A-15-Struktur eine relativ hohe Tc (kritische Temperatur der Supraleitung) auf, wobei jedoch sogar der oberste Tc-Wert im Fall von Nb&sub3;Ge den Wert von 23,2 K nicht überschreiten konnte. Dies bedeutet, daß flüssiges Helium (Siedepunkt 4,2 K) das einzige Kühlmittel ist, mit dem eine derart geringe Temperatur der Tc erreichbar ist. Helium ist jedoch nicht nur ein seltener teurer Rohstoff, sondern erfordert auch eine umfangreiche Verflüssigungsanlage. Es bestand daher der starke Wunsch nach anderen supraleitenden Stoffen mit einer höheren Tc. Trotz aller Anstrengungen konnte in den letzten Jahren kein Stoff gefunden werden mit einer Tc, die den obigen Wert überschritt.
Die Möglichkeit der Existenz neuartiger supraleitender Stoffe mit erheblich höherer Tc wurde durch Bednorz und Müller 1986 beschrieben [Z. Phys. B64 (1986) 189], die neuartige supraleitende Oxide entdeckten.
Diese neuen supraleitenden oxidartigen Stoffe sind [La, Ba]&sub2;CuO&sub4; oder [La, Sr]&sub2;CuO&sub4;, das auch als K&sub2;NiF&sub4;-Oxid bezeichnet wird und dessen Kristallstruktur ähnlich den bekannten perovskitartigen Oxiden ist. Die K&sub2;NiF&sub4;-Oxide weisen eine Tc von 30 bis 50 K auf, welche erheblich höher ist als diejenige der bekannten supraleitenden Stoffe, so daß es möglich wurde, flüssigen Wasserstoff (Siedepunkt = 20,4 K) oder flüssiges Neon (Siedepunkt = 27,3 K) als Kühlmittel zu verwenden und dabei die Supraleitung zu erzeugen.
Eine neue mehrphasige Verbindung mit der Nominalzusammensetzung (Y0,6,Ba0,4)&sub2;CuO&sub4; mit einer Sprungtemperatur der Supraleitung zwischen 80 K und 93 K wurde von M. K. Wu et al in Phys. Rev. Lett., Vol. 58, Nr. 9, Seiten 908-910, beschrieben und damit die Möglichkeit der Existenz von Hochtemperatur-Supraleitern.
Im Falle des oben erwähnten supraleitenden Stoffes aus perovskitartigen Oxiden oder quasi-perovskitartigen Oxiden wurde berichtet, daß sich die ''Tc" dem Wert 70 K annähert. Die Diskrepanz zwischen Tc und Tcf der Oxide, über die bisher berichtet wurde, ist jedoch groß. Der Wert von ΔT erreicht oftmals mehr als 30 K.
Wird die Supraleitfähigkeit bei flüssigem Stickstoff hervorgerufen, so ist es unabdingbar, daß der Wert der Tcf des supraleitenden Stoffes höher als 77 K ist. Aus diesem Grund wurde es erforderlich, nach verbesserten supraleitenden Stoffen mit höherer Tc zu suchen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen neuen supraleitenden Stoff vorzuschlagen, der eine höhere Tc und eine höhere Tcf aufweist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung vorzuschlagen.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein supraleitendes Oxid, das durch die folgende allgemeine Formel dargestellt wird:
{Ba1-x(Y1-2 γw)x}CuOz,
wobei γ wenigstens ein Element darstellt, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafnium (Hf), Silicium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Blei (Pb) und Mangan (Mn), "x", "w" und "z" Zahlen darstellen, die aus den folgenden Bereichen ausgewählt sind:
0,4 ≤ x ≤ 0,6 1 ≤ z ≤ 5 0,1 ≤ w ≤ 0,2
und das eine Perovskit- oder Quasi-Perovskit- Kristall struktur aufweist.
Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung des oben genannten supraleitenden Oxids mit einer Perovskit- oder Quasi-Perovskit-Struktur und mit einer mittleren Kristallkorngröße von weniger als 30 um, wobei das Verfahren durch die folgenden Schritte gekennzeichnet ist:
Mischen eines Pulvers aus einem Oxid oder Carbonat aus Ba, eines Pulvers aus einem Oxid oder Carbonat aus Y, eines Pulvers aus einem Oxid oder Carbonat aus dem Element "γ" und eines Pulvers aus einem Oxid oder Carbonat aus Cu in derartigen Anteilen, daß das Atomverhältnis der Elemente Ba:Y:γ:Cu eingestellt ist auf (1-x) : (1-w)x:wx:1, wobei "x" und "w" Zahlen sind, die aus den folgenden Bereichen ausgewählt sind:
vorläufiges Sintern des so erhaltenen Gemisches,
Pulverisieren der erhaltenen vorläufig gesinterten Masse, Verdichten des erhaltenen pulverisierten Pulvers zu einem Formkörper und
Unterwerfen des Formkörpers einem endgültigen Sintern bei einer Temperatur, die nicht höher ist als der Schmelzpunkt des pulverisierten Pulvers, aber nicht geringer ist als 100ºC unterhalb des Schmelzpunktes.
Der erfindungsgemäße supraleitende Stoff ist ein Verbundoxid mit einer perovskit- oder Quasi-Perovskit- Kristall struktur, wobei derartige Stoffe bereits als supraleitende Materialien mit relativ hohen kritischen Temperaturen beschrieben wurden.
Als Ergebnis einer Reihe von Experimenten haben die Erfinder festgestellt, daß eine andere Art supraleitenden Stoffes mit erheblich höherer Tc erhalten werden kann, wenn ein Teil des Elementes Y ersetzt wird durch vierwertige Ionen wenigstens eines der Elemente aus der IVa-Gruppe oder IVb-Gruppe des Periodensystems, nämlich Ti&sup4;&spplus;, Zr&sup4;&spplus;, Hf&sup4;&spplus;, Si&sup4;&spplus;, Ge&sup4;&spplus;, Sn&sup4;&spplus;, Pb&sup4;&spplus; und Mn&sup4;&spplus;. Es wird angenommen, daß beim Übergang vom dreiwertigen Ion zum vierwertigen Ion in das Kristallgitter abgegebene Elektronen zu der höheren Tc beitragen.
Die Menge der Ersatzelemente aus der IVa-Gruppe oder IVb- Gruppe oder das Atomverhältnis von "w" wird im Bereich 0,1 bis 0,2 gewählt. Ist der Wert geringer als die oben angegebene untere Grenze, so wird keine wesentliche Verbesserung der Tc beobachtet und ist der Wert größer als die oben angegebene obere Grenze, so sinkt Tc ab oder verschlechtert sich.
Die erfindungsgemäße supraleitende Form wird in Form eines Sinterkörpers hergestellt durch Sintern eines Pulvers aus Oxiden oder Carbonaten der Bestandteile des supraleitenden Stoffes.
Der Sauerstoffgehalt im fertigen gesinterten Körper wird eingestellt durch Steuerung der Sinterbedingungen und durch Auswahl der Ausgangsmaterialien, welche wenigstens ein Oxid als Bestandteil aufweisen. Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel erfolgt die Einstellung oder Steuerung des Sauerstoffgehalt s im gesinterten Oxidgegenstand vorteilhafterweise dadurch, daß das vorläufige Sintern und/oder das endgültige Sintern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre stattfindet.
Es ist vorteilhaft, wenn der Formkörper eine relative Dichte von 60 bis 80% aufweist. Überschreitet die relative Dichte die obere Grenze von 80%, so wird der Körper übermäßig verdichtet, und es wird schwierig oder unmöglich, die oben erwähnte Steuerung durch die umgebende Atmosphäre durchzuführen. Beträgt die relative Dichte jedoch weniger als die oben erwähnte 60%, so weist der erhaltene Sinterkörper keine ausreichende mechanische Festigkeit auf und wird zerbrechlich.
Es ist auch vorteilhaft, wenn das endgültige Sintern durchgeführt wird bei einer Temperatur, die ausgewählt ist aus einem Bereich, bei dem die obere Grenze der Schmelzpunkt der vorläufig gesinterten Masse ist. Vorteilhaf terweise liegt die Temperatur um nicht weniger als 100ºC unterhalb des Schmelzpunktes. Ist nämlich die Sintertemperatur nicht höher als die untere Grenze, tritt keine ausreichende Sinterung ein und der erhaltene Sinterkörper zeigt nur eine geringe mechanische Festigkeit. Ist jedoch im Gegensatz dazu die Sintertemperatur größer als die obere Grenze, so wird eine flüssige Phase während des Sinterschrittes erzeugt, wodurch die gesinterte Masse schmilzt oder sich zersetzt und damit eine Verringerung der Tc des Sinterkörpers herbeiführt.
Das vorläufige Sintern wird durchgeführt bei einer Temperatur im Bereich von 700ºC bis 1000ºC. Liegt die Temperatur beim vorläufigen Sintern nicht höher als 700ºC, so tritt keine ausreichende Verfestigung ein, so daß die gewünschte Kristall struktur nicht erhalten wird, während beim Durchführen des vorläufigen Sinterns bei einer Temperatur oberhalb 1000ºC die erhaltene vorläuf ig gesinterte Masse eine feste Lösungsphase oder große Kristallkörner aufweist, wodurch es schwieriger wird, im folgenden Pulverisierungsschritt feine Teilchen zu erhalten.
Es ist wichtig, daß die Kristallkorngröße so klein wie möglich ist, so daß der endgültig gesinterte Körper eine vergrößerte Kristallgrenzfläche aufweist. Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Ausgangspulver vorläufig gesintert und werden danach zu feinerem Pulver gemahlen, bevor das endgültige Sintern durchgeführt wird. Die Reihenfolge von vorläuf igem Sintern, Pulverisieren und Verdichten zu einem Formkörper wird vorteilhafterweise mehrere Male wiederholt.
Erf indungsgemäß weist jedes der Ausgangspulver vorteilhafterweise eine mittlere Teilchengröße von weniger als 20 um auf, so daß das erhaltene Pulver nach dem vorläufigen Sinterschritt vorteilhafterweise eine mittlere Teilchengröße von weniger als 10 um aufweist. Ist die Teilchengröße der vorläufig oder endgültig zu sinternden Masse größer, so weist der erhaltene Sinterkörper größere Kristallkörner auf. Ein Pulverisieren während eines erheblich längeren Zeitraums kann jedoch zu keinem besseren Resultat führen und ist daher Zeitverschwendung. Die oben erwähnten Bereiche für die mittlere Teilchengrößen sind zufriedenstellend für den Erhalt eines Sinterkörpers mit einer mittleren Kristallkorngröße von 30 um. Der unter den oben genannten Bedingungen erhaltene supraleitende Stoff weist eine sehr feine Kristall struktur auf, welche zur höheren kritischen Temperatur beiträgt.
Es wird auch angenommen, daß supraleitende Qxide vom Perovskit- oder Quasi-Perovskit-Typ ihre verbesserte Eigenschaft insbesondere in der Nähe des Oberflächenbereiches entwickeln, da eine Reaktion zwischen dem Supraleiter und der Umgebungsatmosphäre während des Sinterns oder der Wärmebehandlung sich vorteilhaft auf die Nähe des Oberflächenbereiches auswirkt. Daher wird bevorzugt, daß der zu sinternde Formkörper eine dünnere oder kleinere Abmessung aufweist, um das Pulver wirksam in einen Supraleiter umzuwandeln.
Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der so erhaltene Sinterkörper weiterhin wärmebehandelt, um ein im wesentliches gleichförmiges Oxid vom Perovskit- oder Quasi-Perovskit-Typ zu erhalten. Diese Wärmebehandlung ist sehr wirksam hinsichtlich der Verbesserung der kritischen Temperatur, bei der der elektrische Widerstand zu null wird. Die Wärmebehandlung wird vorteilhafterweise bei einer Temperatur im Bereich von 500ºC bis 800ºC durchgeführt.
Ist die Temperatur bei der Wärmebehandlung nicht größer als 500ºC, so wird keine meßbare Verbesserung beobachtet. Wird im Gegensatz dazu die Wärmebehandlung bei einer Temperatur durchgeführt, welche 800ºC überschreitet, so fällt die kritische Temperatur erheblich ab. Mit anderen Worten, bei Durchführung einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur, die außerhalb des Bereiches von 500ºC bis 800ºC liegt, werden nicht ausreichende Sauerstoffehlstellen erreicht, so daß ein gegenteiliger Einfluß auf die Tc des erhaltenen Sinterkörpers erzielt wird. Die von den Erfindern durchgeführten Experimente haben ergeben, daß diese Wärmebehandung sehr wirksam ist zur Verbesserung der Einschalttemperatur Tcf. Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist es auch vorteilhaft, wenn der erhaltene Sinterkörper nach dem endgültigen Sintern schnell abgeschreckt wird, d. h. direkt nach dem endgültigen Sintern oder nachdem der gesinterte Formkörper auf eine Temperatur wieder aufgeheizt worden ist im Bereich von 500 bis 800ºC zur Verbesserung der kritischen Temperatur.
Schließlich ist es auch möglich, den oben erwähnten supraleitenden Stoff gemäß der vorliegenden Erfindung als Target für die physikalische Dampfabscheidung zu verwenden, beispielsweise für die Zerstäubungstechnik, um eine supraleitende dünne Schicht mit einer hohen Tc zu erhalten, welche sich für die Anwendung in Josephson-Anordnungen als SQUID (Superconducting Quantum Interference Device) oder für mehrere Sensoren oder dgl. eignet.
Im folgenden werden Beispiele für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben, ohne daß die vorliegende Erfindung darauf beschränkt ist.

Beispiele

Zuerst werden Pulver aus BaCO&sub3;, Y&sub2;O&sub3;, CuO und Oxiden des Elementes "γ", nämlich Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafnium (Hf), Silicium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Blei (Pb) und Mangan (Mn) hergestellt. Jedes Pulver weist eine Reinheit von mehr als 2 N und eine mittlere Teilchengröße von weniger als 1,5 um auf.
Die Pulver werden in derartigen Anteilen miteinander vermischt, daß die Werte des relativen Atomverhältnisses von "x":"w"die in Tabelle 1 angegebenen Werte annimmt, wohingegen "x" und "w" die Atomverhältnisse gemäß der folgenden Formel annehmen:
{Ba1-x(Y1-wγw)x}CuOz
um so eine Vielzahl von Mustern aus Pulvergemischen zu erhalten, deren jedes das in Tabelle 1 dargestellte Atomverhältnis von Ba:Y:γ:Cu = (1-x) : (1-w)x:wx:1 annimmt.
Die Muster aus dem Pulvergemisch wurden vorläufig bei 920ºC während 12 Stunden in einem Sauerstoffstrom gesintert, um eine kuchenartige feste Masse als vorläufig gesinterten Körper zu erhalten. Diese feste Masse wurde anschließend in einem Mörser pulverisiert. Dasselbe Verfahren wie die oben erwähnte Kombination aus vorläufigem Sintern und Pulverisieren wurde dreimal wiederholt. Das durch die endgültige Pulverisierung erhaltene Pulver wurde einem weiteren Pulverschritt in einer hochreinen Zirkoniumdioxid- Kugelmühle während 8 Stunden unterworfen zur Erhaltung eines noch feineren, vorläufig gesinterten Pulvers mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 6 um.
Das derart erhaltene, vorläufig gesinterte Pulver wurde danach in einer Form mit den Abmessungen 4 x 2 x 20 mm druckverformt bei einem Druck von 0,8 Tonnen/cm² und danach endgültig bei 940ºC während 5 Stunden in einem Hochdruckofen gesintert, der Sauerstoffgas bei 0,3 MPa (3 atm) enthielt.
Zur Bestimmung der kritischen Temperatur Tcf und der Einschalttemperatur Tc der derart erhaltenen gesinterten Körper wurden Elektroden an den gegenüberliegenden Enden mit einer leitenden Silberpaste durch ein gewöhnliches Verfahren befestigt, wonach die Muster in einem Cryostaten in flüssigen Wasserstoff eingetaucht wurden. Nachdem das Phänomen der Supraleitung bei 25 K beobachtet wurde, wurde die Temperaturabhängigkeit des Widerstandes der Testmuster bestimmt mit langsam steigender Temperatur. Der elektrische Widerstand wurde durch die herkömmliche Vier-Proben-Methode in einem Cryostat bestimmt und die Temperatur mit einem geeichten Au-(Fe)-Ag-Thermoelement gemessen. Tabelle 1 zeigt die erhaltenen Werte für "Tcf" als kritische Temperatur und "Tc" als Einschalttemperatur, bei der das Phänomen der Supraleitung auftrat und beobachtet werden konnte. Tabelle 1 Elemente und Atomverhältnis Muster Nr.

Claims

1. Supraleitendes Oxid, das durch die allgemeine Formel

{Ba1-x(Y1-wγw)x}CuOz

dargestellt wird, wobei "γ" wenigstens ein Element ist, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, bestehend aus Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafniurn (Hf), Silizium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Blei (Pb) und Mangan (Mn), "x", "w" und "z" Zahlen sind, welche die folgenden Bereiche erfüllen:

0,4 ≤ x ≤ 0,6 0,1 ≤ w ≤ 0,2 1 ≤ z ≤ 5

und das eine Perovskit- oder quasi-Perovskit- Kristallstruktur aufweist.

2. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Oxids, umfassend die Schritte des Heizens eines Gemisches aus Oxid oder Carbonat aus Y, Ba und Cu, um eine Festkörperreaktion hervorzurufen, des Pulverisierens des erhaltenen Stoffes, des erneuten Heizens des pulverisierten Stoffes, des Pressens und Sinterns des erhaltenen Pulvers, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines supraleitenden Oxids, das durch die allgemeine Formel

{Ba1-x(Y1-wγw)x}CuOz

dargestellt wird, "γ" wenigstens ein Element ist, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, bestehend aus Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hatnium (Hf), Silizium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Blei (Pb) und Mangan (Mn), wobei "x", "w" und "z" Zahlen sind, welche die folgenden Bereiche erfüllen:

0,4 ≤ x ≤ 0,6 0,1 ≤ w ≤ 0,2 1 ≤ z ≤ 5

und das eine Perovskit- oder quasi-Perovskit- Kristallstruktur aufweist, mit einer mittleren Kristallkorngröße von weniger als 30 um, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

das Mischen von Pulvern aus Oxiden oder Carbonaten von Ba, Y, Cu und des Elements "γ" in derartigen Verhältnissen, daß die Atomverhältnisse von Ba:Y:Cu: Element "γ" auf die Werte (1-x):(1-w)x:1:wx eingestellt sind, wobei "x" und "w" Zahlen sind, welche die folgenden Bereiche erfüllen:

0,4 ≤ x ≤ 0,6 0,1 ≤ w ≤ 0,2

das vorläufige Sintern des erhaltenen Gemisches, das Pulverisieren der erhaltenen vorläufig gesinterten Masse,

das Verdichten des erhaltenen pulverisierten Pulvers zu einem Formkörper und

das Unterwerfen des Formkörpers einem endgültigen Sintern bei einer Temperatur, die nicht höher ist als der Schmelzpunkt des pulverisierten Pulvers und nicht geringer ist als 100º unterhalb dieses Schmelzpunktes.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Oxid und Carbonatpulver eine mittlere Teilchengröße von weniger als 20 um aufweisen.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das vorläufige Sintern bei einer Temperatur zwischen 700ºC und 1000ºC durchgeführt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem die Schritte des vorläufigen Sinterns, des Pulverisierens und des Verdichtens des pulverisierten Pulvers wenigstens zweimal wiederholt werden.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem die durch das vorläufige Sintern erhaltene gesinterte Masse zu einem Pulver pulverisiert wird, mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 10 um.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem der Formkörper eine relative Dichte von 60 bis 80 % aufweist.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, bei dem der zu sinternde Formkörper eine von der Oberfläche bis zu seiner Mitte gemessene Dicke von wenigstens 1 mm aufweist.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, bei dem der vorläufige Sinterschritt und/oder der endgültige Sinterschritt durchgeführt wird bei einem Sauerstoffpartialdruck im Bereich von 0,02 bis 1 MPa (0,2 bis 10 atm)

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 9, bei dem der dem endgültigen Sintern unterworfene Formkörper außerdem auf eine Temperatur im Bereich von 500 bis 800ºC aufgeheizt wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der nach dem endgültigen Sintern erhaltene gesinterte Formkörper direkt nach dem endgültigen Sintern oder nachdem der gesinterte Formkörper erneut auf eine Temperatur im Bereich von 500 bis 800ºC aufgeheizt worden ist, schnell abgeschreckt wird.