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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung von durch einen Zwischenraum voneinander getrennten
Elementen auf einem Substrat.
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Die Erfindung findet Anwendung bei der Herstellung von
elektrischen Leitern auf einem isolierenden Substrat,
insbesondere für die Mikroelektronik, beispielsweise für die
Herstellung von magnetischen Schreibköpfen in integrierter
Technik, wie in den Dokumenten EP-A-0 152 326 und EP-A-0 152 328
beschrieben.
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Um solche Elemente wie etwa durch einen Zwischenraum
voneinander getrennte elektrische Leiter auf einem Substrat
herzustellen, scheidet man in bekannter Art beispielsweise auf
dem Substrat eine Schicht eines leitenden Materials ab, die
man durch eine Maske mit geeigneten Mustern ätzt, um diese
Leiter zu erhalten, oder man scheidet auf dem Substrat über
einer auf dem Substrat erzeugten Maske mit geeigneten Mustern
die Schicht leitenden Materials ab, wobei die Maske
anschließend entfernt wird, die die auf ihr abgeschiedenen Teile
der Schicht leitenden Materials mit sich nimmt.
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Welches Verfahren zur Erzeugung der Elemente auch immer
durchgeführt wird, es verlangt die Verwendung einer Maske, die
geometrische Muster besitzt, deren Dimensionen von den
Dimensionen der herzustellenden Elemente abhängen. So müssen,
beispielsweise in dem Fall, daß man durch einen geringem
Zwischenraum getrennte Elemente, z.B. für die Mikroelektronik,
herstellen will, die bekannten Prozesse die Herstellung von
Masken mit Mustern kleiner Dimension gestatten. Die
Herstellung dieser Masken ist um so schwieriger, wenn die Dimensionen
klein sind und unter einem Mikrometer liegen.
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Außerdem sind bei den Techniken zur Herstellung von
elektronischen Strukturen im Submikronbereich Ätzverfahren bereits
bekannt, die als Zwischenschritt der Herstellung Rückgriff
nehmen auf Abstandselemente, eine Art von kleinen Mauern sehr
geringer Dicke, die senkrecht zu der Oberfläche eines
Substrats, auf dem man die gewünschte Struktur herstellt,
errichtet werden.
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Das ist beispielsweise der Fall der
Herstellungsverfahren,
die in den Dokumenten EP-A-0 111 086 (insbesondere Abb.
1B, 2B und 6) und JP-A-60 254 733 (Abb. a, b, c, d, e, und f)
beschrieben sind. In diesen Dokumenten werden die
Abstandselemente zur Herstellung von Masken spezieller Form verwendet
(siehe Abb. 1C und ID des europäischen Patents EP-A-0 111 086
und Abb. d und e des Patents JP-A-60 254 733), indem die
Abstandselemente mit Hilfe des Materials, das die Maske bildet,
vollständig bedeckt werden und diese Abstandselemente mit
Hilfe eines zur Planarisation der Struktur komplementären
Schritts, der die Freilegung und dann die Abtragung dieser
Abstandselemente gestattet, entfernt werden.
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Dieser Stand der bisherigen Technik, im Hinblick auf die
Herstellung von Masken insbesondere mit Photoresists, die
einen mit einem leitenden Material schwierig auszuführenden
Schritt der Planarisation erfordert, kann also für die
Abscheidung von Leiterelementen auf einem Substrat, die durch
Zwischenräume in Submikrometerdimension voneinander getrennt
sind, nicht zur Unterrichtung für den Fachmann dienen.
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Eine andere Herstellungstechnik für durch einen
Zwischenraum voneinander getrennte Elemente auf einem Substrat
ist aus dem Dokument: IBM Technical Disclosure Bulletin, vol.
24, Nr. 6, November 1981, S. 2964-2965 bekannt, das ein
Verfahren zur Abscheidung eines Metalls bei niedriger Temperatur
mit guter Haftung auf Strukturen vom "Lift off"-Typ
beschreibt. Zunächst bildet man durch Ätzen auf einem Substrat
eine Photoresist-Maske, die Böschungen von negativer Steigung
enthält, und bedeckt sie mit einer ersten einheitlichen
metallischen Sperre (Abb. 1 und 2). Ein zweites Metall, dazu
bestimmt, in Form von durch einen Zwischenraum getrennten
Blöcken bestehen zu bleiben, wird nun auf dem ersten
abgeschieden (Abb. 3), dann wird abschließend die Photoresist-
Maske sowie die erste Metallschicht dort, wo sie nicht durch
das zweite Metall geschützt ist, aufgelöst, um die getrennten
Blöcke aus dem zweiten Metall zu erhalten (Abb. 4). Diese
Technik, die eine isotrope Zerstäubung der ersten metallischen
Sperre und eine Abscheidung durch Aufdampfung des zweiten
Metalls benutzt, gestattet jedenfalls nicht, die Form der
Abscheidungen
des zweiten Metalls auf der Photoresist-Maske zu
verwenden, um dessen eigene Abscheidung auf den Wänden der
Böschungen zu verhindern.
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Nichtsdestoweniger entdeckte der Anmelder ganz
unerwartet, daß die Technik der Herstellung von Abstandselementen,
wenn man sie auf eine abweichende Art in Verbindung mit der
Technik der anisotropen Abscheidung bringt, die Herstellung
von durch einen Zwischenraum voneinander getrennten Elementen
auf einem Substrat, wobei man von den Nachteilen der
bisherigen Technik frei wird, und insbesondere die Herstellung von
Elementen, die durch einen Abstand von weniger als 1 um
getrennt sind, gestatten kann.
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Genauer gesagt hat die Erfindung zum Gegenstand ein
Verfahren zur Herstellung von durch einen Zwischenraum
voneinander getrennten Elementen auf einem Substrat, das einen ersten
Schritt der Herstellung von Abstandselementen (10) auf dem
Substrat umfaßt, die senkrecht zu dem Substrat in Form kleiner
Mauern mit ebenen und parallelen Seitenwänden sind, deren
Dimensionen und Abstände von den Dimensionen und dem Abstand der
herzustellenden Elemente (11a, 13a) abhängen, dadurch
gekennzeichnet, daß dann auf dem Substrat (1) eine anisotrope
Abscheidung wenigstens eines ersten Materials, das die Elemente
(11a) bildet, in einer zur Oberfläche des Substrats (1)
senkrechten Richtung derart durchgeführt wird, daß die auf den
Köpfen der Abstandselemente (10) erzeugte Abscheidung (11b)
der Abscheidung dieses ersten Materials auf den Wänden der
Abstandselemente derart gegenüberliegt, daß sie einen
Querschnitt ovaler Form mit einer Ausdehnung größer als die Dicke
der Abstandselemente (10) besitzt, wobei die Wände der
Abscheidung (11a) wegen dieser Tatsache eine gegenüber der
Senkrechten geneigte Steigung besitzen, die von der ovalen Form
der Abscheidungen (11b) bestimmt wird, und daß anschließend
die Abstandselemente entfernt werden.
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Unter anisotroper Abscheidung wird eine Abscheidung
verstanden, die vorzugsweise in einer ausgezeichneten
Raumrichtung stattfindet, das heißt in dem speziellen Fall der
Erfindung in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats.
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Die anisotropen Abscheidungen werden vorteilhaft durch
Bedampfung unter Vakuum ausgeführt, beispielsweise bei einem
Vakuum der Größenordnung 10&supmin;&sup4; Pascal (10&supmin;&sup6; Torr).
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Es ist zu sehen, daß das den Gegenstand der Erfindung
bildende Verfahren die Abstandselemente, die als solche
bekannt sind, auf eine besondere und völlig neue Art benutzt,
die darin besteht, indem sie mit einer anisotrop in
Normalenrichtung zur Substratoberfläche erzeugten Abscheidung in
Verbindung gebracht werden, die Abscheidung auf den Köpfen der
Abstandselemente als Schutzschirm zu verwenden, um zu
verhindern, daß diese Abscheidung die Wände der Abstandselemente
erreicht.
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Die Entfernung der Abstandselemente geschieht vorteilhaft
durch chemisches Ätzen dieser Abstandselemente.
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Mit dem Verfahren der Erfindung können Elemente mit
Zwischenraum mit einem Abstand unter 1 um hergestellt werden,
wenn Abstandselemente der Breite kleiner als 1 um hergestellt
werden.
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Um die Abstandselemente zu bilden, werden vorteilhaft die
folgenden Schritte ausgeführt:
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- Herstellung einer Maske, die geometrische Muster
besitzt, die von den Dimensionen und dem Abstand der zu
bildenden Abstandselemente bestimmt werden, auf dem Substrat,
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- isotrope Abscheidung einer Schicht des Materials, das
die Abstandselemente bildet, auf dieser Maske,
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- anisotropes Ätzen dieser Schicht, um von dieser
Abscheidung nur die zur Substratebene senkrechten und an den
Wänden der Maske gelegenen Teile bestehen zu lassen, wobei die
Abstandselemente von diesen Teilen gebildet werden, und
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- Entfernung der Maske.
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Das Verfahren der Erfindung gestattet die Bildung von
Abstandselementen, deren Breite bis zu 0,3 um reichen kann.
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Unter isotroper Abscheidung versteht man eine
Abscheidung, die in allen Raumrichtungen erfolgt. Diese isotrope
Abscheidung weist eine Dicke der gleichen Größenordnung auf wie
die Breite der zu bildenden Abstandselemente.
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Unter anisotropem Ätzen versteht man ein Ätzen, das
vorzugsweise
in einer ausgezeichneten Richtung des Raumes
stattfindet, das heißt im Fall der Erfindung in zur Oberfläche des
Substrats senkrechter Richtung.
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Die Entfernung der Maske kann ebensogut durch chemisches
Ätzen wie durch reaktives Ionenätzen geschehen.
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Im Verlauf der anisotropen Abscheidung des ersten
Materials auf dem Substrat kann dieses, wenn diese Abscheidung nicht
genügend gerichtet ist, sich nichtsdestoweniger am Fuß der
Abstandselemente abscheiden. Nach der Erfindung wird vorteilhaft
zunächst eine anisotrope Abscheidung senkrecht zum Substrat
eines zweiten Materials auf die Abscheidung des ersten
Materials derart ausgeführt, daß es die obere Oberfläche der
Abscheidung des ersten Materials bedeckt und daß das erste
Material geätzt wird, um es wenigstens am Fuß der Abstandselemente
zu entfernen.
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Dieser Schritt des Verfahrens gestattet es, den Fuß der
Abstandselemente von allem Material zu entfernen, um das
abschließende Entfernen der Abstandselemente zu erleichtern.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform sind die Elemente
elektrische Leiter, das erste Material ist Leiter und das
Substrat ist isolierend. Wenn ein zweites Material abgeschieden
wird, kann dieses letztere ebensogut leitend wie isolierend
sein, doch wird vorzugsweise, um leitende Elemente zu
erzeugen, ein zweites leitendes Material benutzt.
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Vorteilhaft werden die Abstandselemente mit
Siliciumdioxid erzeugt, wobei die Entfernung dieser Abstandselemente dann
beispielsweise mit einer Lösung von Flußsäure (HF) geschieht.
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Gemäß einer Ausführungsform wird die Maske durch
Abscheidung einer Schicht polymerisierbaren Lacks gebildet, in einer
Dicke von gleicher Größenordnung wie die Höhe der zu bildenden
Abstandselemente, durch Polymerisation dieser Lackschicht,
dann durch anisotropes Ätzen dieser Schicht derart, daß die
Muster der Maske erhalten werden.
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Natürlich kann diese Maske durch andere Materialien
gebildet werden, falls die Materialien anisotrop und selektiv
gegenüber dem Substrat geätzt werden können.
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Andere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden
besser aus der nun folgenden Beschreibung hervorgehen, die
lediglich zur Erläuterung, nicht zur Begrenzung gegeben wird,
unter Bezug auf die beigefügten Abbildungen 1 bis 13, von
denen
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- die Abbildungen 1 bis 12 schematisch, im Schnitt, die
Hauptschritte der Herstellung von Elementen mit Zwischenraum
auf einem Substrat entsprechend dem Verfahren der Erfindung
zeigen, wobei diese Elemente durch Abscheidung eines ersten
und eines zweiten Materials erzeugt werden, und
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- Abb 13 schematisch, ebenfalls im Schnitt, die auf einem
Substrat erzeugten, aus einem einzigen Material bestehenden
Elemente darstellt.
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Zur größeren Klarheit wurde für diese Abbildungen die
Darstellung des Schnitts durch die Breite der zu erzeugenden
oder erzeugten Elemente gewählt, da es feststeht, daß die Form
dieser Elemente beliebig sein kann und von ihrer Verwendung
abhängt. So können diese Elemente beispielsweise rechteckig
oder, wie in den Dokumenten EP-A-0 152 326 und EP-A-0 152 328
beschrieben, spiralförmig sein.
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Die Abb. 1 bis 5 stellen verschiedene Schritte eines
Beispieles der Erzeugung einer Maske 3b aus Lack auf einem
Substrat 1 dar, die gemäß der Erfindung zur Bildung der
Abstandselemente benutzt wird.
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Wie in Abb. 1 dargestellt, scheidet man, um diese Maske
zu erzeugen, zunächst auf dem Substrat 1 eine Lackschicht 3a
von der Dicke der Größenordnung der Höhe der zu bildenden
Abstandselemente ab, die man durch thermische Behandlung
polymerisiert. Dann scheidet man eine Schicht 5a, beispielsweise
Siliciumdioxid, und schließlich eine Schicht 7a von
lichtempfindlichem Lack ab.
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Diese Lackschicht 7a wird belichtet und dann entwickelt,
um eine Maske 7b mit geometrischen Mustern zu erhalten, die
von den Dimensionen und dem Abstand der herzustellenden
Abstandselemente abhängen (Abb. 2).
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So müssen beispielsweise zur Herstellung von Elementen
von größenordnungmäßig 3 um Breite mit einem Abstand von
0,5 um die Abstandselemente eine Breite der Größenordnung
0,5 um haben und 3 um voneinander entfernt sein. Die Muster
der Maske 7b müssen demnach so sein, daß die Breite der
Lackteile der Maske 7b von der Größenordnung 3 um ist und der
Abstand zwischen diesen Teilen von der Größenordnung 4 um ist,
unter Berücksichtigung der Breite der Abstandselemente.
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Die geometrischen Muster der Maske 7b werden dann auf die
Schicht 5a von Siliciumdioxid (Abb. 3) übertragen,
beispielsweise durch reaktives Ionenätzen durch die Maske 7b, mit einem
Ätzmittel ohne Wirkung auf den Lack wie etwa
Kohlenstofftrifluorid oder Kohlenstofftetrafluorid (CHF&sub3; oder CF&sub4;). Man
erhält so eine zweite Maske 5b aus Siliciumdioxid.
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Diese Maske 5b aus Siliciumdioxid gestattet dann, die
Lackschicht 3a gemäß denselben geometrischen Mustern zu ätzen,
um eine Maske 3b (Abb. 4) zu erhalten. Die Schicht 3a wird
beispielsweise durch die Maske 5b durch reaktives Ionenätzen
mit einem Ätzmittel ohne Wirkung auf das Siliciumdioxid, wie
etwa Sauerstoff, angegriffen, wobei die Maske 7b in
vorteilhafter Weise von einem Lack gebildet wird, der durch den
gleichen Typ des reaktiven Ionenätzens ätzbar ist wie die
Lackschicht 3a. Damit diese Maske 7b im Verlauf dieses Ätzens
vollständig entfernt wird, wird die Dicke der Schicht 7a
vorzugsweise kleiner oder gleich der Dicke der Schicht 3a
gewählt. Nach diesem Schritt bleiben auf dem Substrat nur die
Masken 3b und 5b (Abb. 4).
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Da die Maske 5b nicht mehr durch die Maske 7b geschützt
ist, wird sie ihrerseits eliminiert, beispielsweise durch
reaktives Ionenätzen mit Kohlenstofftrifluorid oder
Kohlenstofftetrafluorid, um auf dem Substrat nur die Maske 3b aus
polymerisiertem Lack zu behalten (Abb. 5). Diese Maske 3b gestattet
es, wie in Abb. 6, 7, und 8 dargestellt, die Abstandselemente
gemäß der Erfindung zu bilden.
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So wird, wie in Abb. 6 dargestellt, zunächst auf die
Maske 3b eine Schicht 9 des die Abstandselemente bildenden
Materials wie etwa Siliciumdioxid abgeschieden. Diese
Abscheidung erfolgt in isotroper Weise, um eine Schicht gleichmäßiger
Dicke zu erhalten, wobei diese Dicke von der gleichen
Größenordnung ist wie die Breite der zu bildenen Abstandselemente.
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Dann wird eine anisotrope Ätzung dieser Schicht 9
durchgeführt, beispielsweise durch reaktives Ionenätzen mit
Kohlenstofftrifluorid oder Kohlenstofftetrafluorid als Ätzmittel für
eine Schicht von Siliciumdioxid, um von dieser Schicht nur die
zu der Oberfläche des Substrats senkrechten Teile 10 an den
Wänden der Maske 3b bestehen zu lassen (Abb. 7). Die Breite
der von der Schicht 9 bleibenden Teile 10 ist praktisch gleich
der Dicke der Schicht 9 vor diesem Ätzen.
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Die Maske 3b wird nun entfernt, beispielsweise durch
chemisches Ätzen oder reaktives Ionenätzen mit Sauerstoff als
Ätzmittel, um auf dem Substrat nur die Abstandselemente 10 zu
lassen (Abb. 8).
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Die folgenden Abb. 9, 10, 10 und 12 stellen die Schluß
schritte dar, die es gestatten, die Elemente gemäß der
Erfindung auszuführen.
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Zunächst wird auf dem Substrat eine anisotrope
Abscheidung eines ersten Materials über den Abstandselementen
durchgeführt (Abb. 9). Wenn die Elemente Leiter sind, ist das erste
Material beispielsweise Kupfer. Dieses Material scheidet sich
also zugleich auf dem Substrat und auf dem oberen Teil der
Abstandselemente ab, wobei es die mit 11a bzw. 11b bezeichneten
Abscheidungen bildet. Die auf dem Kopf der Abstandselemente
erzeugte Abscheidung 11b besitzt einen Querschnitt ovaler
Form. In dem Maß, wie sie gebildet wird, verhindert sie, daß
das Material, das die Abscheidung 11a bildet, sich an den
Wänden der Abstandselemente zusammenballt. Wie in Abb. 9
dargestellt, sind die Wände der Abscheidung 11a deshalb um einige
Grad gegenüber der Senkrechten der Abstandselemente geneigt,
wobei das Ausmaß dieser Neigung von der ovalen Form des
Querschnitts der auf den Abstandselementen erzeugten Abscheidung
11b abhängt.
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Nichtsdestoweniger kann es, wenn die anisotrope
Abscheidung am Beginn des Abscheidungsprozesses ungenügend gerichtet
ist, dazu kommen, daß das erste Material sich an den Wänden
des Abstandselementes abscheidet, und zwar an ihrem Fuß. Daher
muß das so am Fuß der Abstandselemente abgeschiedene Material
beseitigt werden, um die abschließende Entfernung der
Abstandselemente
zu erlauben.
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Dazu führt man eine Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens aus, bei der in anisotroper Weise ein zweites Material
auf dem ersten Material abgeschieden wird. Wenn die Elemente
Leiter sind, ist das zweite Material beispielsweise Chrom.
Dieses zweite Material scheidet sich auf den Abscheidungen 11a
und 11b des ersten Materials ab und bildet dabei eine
Abscheidung 13a auf dem Substrat und eine Abscheidung 13b auf den
Abstandselementen (Abb. 10). Die Abscheidung 11b des ersten
Materials auf den Abstandselementen hindert das zweite Material
daran, sich auf den Abstandselementen und in der Nachbarschaft
des Fußes dieser Elemente abzuscheiden. Das zweite Material
schützt also nicht die Abscheidung 11a des ersten Materials am
Fuß der Abstandselemente. Dann wird selektiv geätzt, das erste
Material durch einen chemischen Angriff beispielsweise von
H&sub2;SO&sub4; + CrO&sub3; für Kupfer oder durch reaktives Ionenätzen mit
chlorhaltigem Gas, um die Teile des ersten Materials, die von
dem zweiten Material nicht geschützt werden, d.h. die im
Fußbereich der Abstandselemente gelegen sind, zu entfernen. Wenn
der Fuß der Abstandselemente so vom ersten Material befreit
ist (Abb. 11), können die Abstandselemente sowie die auf dem
Kopf dieser Elemente gelegenen Abscheidungen 11b und 13b
entfernt werden. Die Entfernung der Abstandselemente kann
beispielsweise durch chemisches Ätzen mit Flußsäure im Falle von
Abstandselementen aus Siliciumdioxid durchgeführt werden,
wobei die auf ihrem Kopf befindlichen Abscheidungen 11b und
13b in das Ätzbad weggeführt werden.
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Nach diesem Schritt bleiben, wie in Abb. 12 dargestellt,
auf dem Substrat nur die durch die Abscheidungen 11a und 13a
gebildeten Abscheidungen des ersten und zweiten Materials.
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Im Fall der Erzeugung von elektrischen Leitern ist das
erste Material ein Leiter, aber das zweite Material kann
ebensogut ein Leiter wie isolierend sein, wobei es, wie oben zu
sehen war, dazu dient, das erste Material bei dessen
Entfernung im Fußbereich dieser Abstandselemente zu schützen.
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Die Abb. 13 stellt eine Variante von Abb. 12 dar. In
dieser Abbildung werden die auf dem Substrat 1 gelegenen Elemente
allein durch eine Abscheidung 11a des ersten Materials
gebildet. Die Bildung dieser Elemente kann erfolgen durch
Entfernung der Abscheidung 13a des zweiten Materials oder durch eine
genügend gerichtete Abscheidung des ersten Materials, sodaß es
nicht nötig ist, ein zweites Material zu verwenden.
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Um beispielsweise Elemente der Breite 3 um zu bilden, die
voneinander durch einen unter 1 um liegenden Abstand getrennt
sind, also etwa von der Größenordnung von 0,5 um und von der
Dicke der Größenordnung 0,9 um, scheidet man auf dem Substrat
eine Lackschicht 3a von 2 um ab, eine Siliciumdioxidschicht 5a
von 0,1 um und eine Lackschicht 7a von 1 um ab. Wie vorher
beschrieben, erzeugt man nacheinander ausgehend von diesen
Schichten Masken 7b, 5b und 3b, die eine Breite der nicht
geätzten Teile von der Größenordnung 3 um und einen Abstand
zwischen diesen Teilen von der Größenordnung 4 um haben.
Allein die Maske 3b bleibt erhalten, und man scheidet auf ihr
eine Schicht 9, beispielsweise aus Siliciumdioxid, von 0,5 um
Dicke ab. Nach dem Ätzen der Schicht 9 und Entfernung der
Maske 3b bleiben auf dem Substrat nur die Teile 10 der Schicht
9, die die Abstandselemente bilden. Diese haben also eine
Breite von 0,5 um, eine Höhe von 2 um, und sie sind
voneinander durch einen Abstand von 3 um getrennt. Dann führt man eine
Abscheidung 11a des ersten Materials auf dem Substrat mit
einer Schichtdicke von 0,9 um durch. In dem Fall, wo man eine
Abscheidung 13a eines zweiten Materials durchführt, geschieht
das mit einer geringen Schichtdicke, von der Größenordnung von
0,03 um.
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Die Abbildungen stellen die Herstellung von Elementen mit
identischer Breite dar, aber dieses Beispiel ist
selbstverständlich nicht erschöpfend. Um Elemente mit unterschiedlicher
Breite zu erhalten, genügt es, Abstandselemente mit
unterschiedlichem Abstand zu bilden, anders gesagt, eine Maske 3b
zu bilden, bei der die Breite der das Substrat bedeckenden
Teile in Abhängigkeit von dem gewünschten Abstand der
Abstandselemente variiert.
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Das Verfahren der Erfindung gestattet, wie oben zu sehen
war, Elemente mit kleinem Abstand herzustellen, was es
erlaubt,
auf einem bestimmten Oberflächensubstrat ein Maximum an
Elementen herzustellen. Dies Eigenschaft ist besonders
vorteilhaft für die Herstellung von Magnetköpfen, wobei die
Qualität eines Magnetkopfes direkt von der Anzahl von
Leiterwicklungen zwischen den Polstücken abhängt. Die Herstellung von
Elementen mit kleinem Abstand erlaubt ferner, wenn man eine
Schicht von Material auf diesen Elementen abscheidet,
insbesondere um diese Elemente zu isolieren oder zu schützen, ein
nahezu ebenes Profil zu erhalten, was bei gewissen Anwendungen
die Durchführung eines Schrittes der Planarisation unnötig
macht.
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Ein anderer Vorteil des den Gegenstand der Erfindung
darstellenden Verfahrens besteht in der Tatsache, daß die Dicke
der anisotropen Abscheidung nicht begrenzt ist. Sie kann
kleiner, gleich oder größer sein als die Höhe der Abstandselemente
und mehrere Mikrometer erreichen, was mit Lift-off-Techniken
schwierig ist. Allein die Steigung der Wände der Abscheidung
hängt von der Höhe der Abstandselemente ab.
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Schließlich erlaubt es dieses Verfahren, sich von
Temperaturproblemen und von den Problemen der Einschränkungen der
Abscheidung zu befreien, die für Verfahren, die Masken aus
Lack benutzen, spezifisch sind.