[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE3852370T2 - Flankenstruktur aus organischem Material. - Google Patents

Flankenstruktur aus organischem Material.

Info

Publication number
DE3852370T2
DE3852370T2 DE19883852370 DE3852370T DE3852370T2 DE 3852370 T2 DE3852370 T2 DE 3852370T2 DE 19883852370 DE19883852370 DE 19883852370 DE 3852370 T DE3852370 T DE 3852370T DE 3852370 T2 DE3852370 T2 DE 3852370T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
spacers
conformal
webs
layer
parylene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19883852370
Other languages
English (en)
Other versions
DE3852370D1 (de
Inventor
William J Cote
Donald M Kenney
Michael L Kerbaugh
Michael A Leach
Jeffrey A Robinson
Robert W Sweetser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE3852370D1 publication Critical patent/DE3852370D1/de
Publication of DE3852370T2 publication Critical patent/DE3852370T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

  • Es wird Bezug genommen auf die US-Patentschrift 4 707 218 mit dem Titel "Lithographic Image Size Reduction", welche an den Abtretungsempfänger der Erfindung abgetreten wurde. Die Anmeldung bezieht sich im allgemeinen auf die Verwendung anorganischer, konforme Schichten zur Definierung der Abstandshalter an vertikal strukturiertem Photoresist. Die Abstandshalter definieren Bilder mit einer Fläche, die geringer ist als die Bilder, die normalerweise mit dem photolithographischen Belichtungssystem gedruckt werden.
  • In den letzten Jahren wurden auf dem Gebiet der Herstellung integrierter Schaltkreise zahlreiche verschiedene Verfahren zur Erzeugung von Bildern unterhalb des Mikrometerbereichs vorgeschlagen. Die meisten dieser Verfahren basieren auf photolithographischen Werkzeugen, die sich auf dem neuesten Stand der Technik befinden. Andere Verfahren basieren auf ausgefalleneren Belichtungssystemen (z.B. Röntgen, E-Strahl usw.). Unabhängig davon, welches der oben genannten Belichtungssysteme zum Einsatz kommt, bestimmen stets die Quellenintensität, die Strahl bündelung und andere Parameter zusammen genommen, welches die kleinste Bildgröße ist, die zuverlässig gedruckt werden kann.
  • In letzter Zeit wurden Anstrengungen unternommen, um die Lebensdauer optischer Werkzeuge, die Bilder erzeugen, die für heutige Anwendungen zu groß sind, zu verlängern. Ein Verfahren zur Bereitstellung dieser Kleinstbilder ist die Nutzung von Flankenstrukturen. Bei dieser Technologie wird eine konforme Schicht auf einen "Steg" aufgetragen, bei dem es sich um einen Block aus Material handelt, welcher typischerweise im wesentlichen vertikale Flankenstrukturen aufweist. Die konforme Schicht wird dann in einem anisotropen Verfahren geätzt, so daß Teile davon, die sich auf horizontalen Flächen (d.h. der Oberfläche des Stegs) befinden, entfernt werden. Teile der auf den vertikalen Flächen (z. B. den Flanken des Stegs) befindlichen konformen Schicht verbleiben in ihrer Position und bilden die Flanken-Abstandshalter. In einigen Anwendungen werden die an den Flanken beschichteten Stege als Maske zur Definierung eines Bildes in den darunterliegenden Schichten verwendet. Dies ist auch aus einem Artikel von Varshney mit dem Titel "Self-Aligned VMOS Structure Using Reactive Ion Etching", IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 22, Nr. 8, Januar 1980, Seiten 3705 - 3706, ersichtlich. In diesem Verfahren wird ein Oxidsteg mit einer konformen Oxidschicht beschichtet, die zur Definierung der Oxidtrennflächen geätzt wird, wobei das Verbundsystem Steg- Abstandshalter ein Bild in den darunterliegenden Siliziumschichten definiert. In anderen Anwendungsfällen wird der Steg entfernt, ohne daß die Abstandshalter entternt werden. Die Abstandshalter definieren dann ein Bild. Dies wird z.B. in der US-Patentschrift 4 502 914 mit dem Titel "Method of Marking Structures with Dimensions in the Submicrometer Range", die an dem Abtretungsempfänger der vorliegenden Erfindung abgetreten wurde, beschrieben. Eine konforme Schicht aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid wird auf einen Polymersteg aufgetragen. Nachdem auf den Flanken des Stegs die Abstandshalter definiert wurden, wird der Steg entfernt, und die Abstandshalter dienen als Masken zur Ätzung tiefer Rinnen in dem darunterliegenden Siliziumsubstrat.
  • Wie aus den oben zitierten Quellen hervorgeht, werden die entsprechenden Zusammensetzungen der konformen Schicht und des Stegs durch die jeweilige Maskenanwendung der resultierenden Struktur bestimmt. In Anwendungsfällen, in denen die Steg-Abstandshalter-Kombiantion als Maske dient, müssen beide Materialien gegenüber dem Ätzmittel, das ein Muster auf den darunterliegenden Schichten erzeugt, beständig sein. In Anwendungsfällen, in denen nur die Abstandshalter als Maske verwendet wird, muß der Steg aus einem Material erzeugt werden, das geätzt werden kann, ohne daß die Abstandshalter merkbar angegriffen werden.
  • Bei den dokumentierten Anwendungsfallen kommen Siliziumoxid und Siliziumnitrid als konforme Schichten, die die Flanken-Abstands halter definieren, zum Einsatz. Diese beiden Materialien werden typischerweise bei Temperaturen von 175ºC und darüber aufgetragen. Organische Stegstrukturen (z. E. Photoresist) können bei diesen hohen Beschichtungstemperaturen zum Zerfließen neigen. Darüber hinaus kann es passieren, daß beim Auftragen dieser Schichten aut Oxid- oder Nitrid-Passivierungsschichten dieselben während der Definition der Abstandshalter geätzt werden. In der oben erwähnten US-Patentschrift 4 707 218 wurde diesem Mangel dadurch begegnet, daß eine Ätzstopschicht in die Passivierungsschicht eingearbeitet wurde.
  • Auf gleiche Weise wäre es günstig, wenn die gleiche Steg-Abstandshalter-Kombination für jeden der oben genannten Anwendungsfälle eingesetzt werden könnte, und gleichzeitig die hohen Beschichtungstemperaturen und Überätzungsprobleme, die bei den herkömmlichen konformen Schichten auftreten, vermieden werden könnten.
  • Aufgabe daher der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Erweiterung der photolithographischen Grenzen der Bildbelichtungswerkzeuge bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Steg- Abstandshalter-Kombination zur Verfügung zu stellen, die in einer Vielzahl von Strukturierungsanwendungen zum Einsatz kommen kann.
  • Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, Abstands halter auf organischen Stegen zur Verfügung zu stellen, ohne die Stege hohen Verarbeitungstemperaturen auszusetzen.
  • Diese und weitere Aufgaben der Erfindung werden durch ein Verfahren zum Definieren einer Maskenstruktur auf einem Substrat realisiert, das folgende Schritte umfaßt:
  • Definieren einer Vielzahl von organischen Stegen mit im wesentlichen vertikalen Flanken auf dem Substrat;
  • Auftragen einer konformen Schicht aus Parylen auf dem Substrat und den erwähnten Stegen bei Raumtemperatur; und
  • anisotropes Ätzen dieser Parylenschicht zum Definieren von Abstandshaltern auf den Flanken der Stege,
  • wobei die Abstandshalter und die Stege trockenen Ätzmitteln, bei denen sie analoge Ätzraten haben, oder nassen Ätzmitteln, bei denen sie unterschiedliche Ätzraten haben, ausgesetzt werden.
  • Das entstehende Steg-Abstandshalter-Paar ist mit einer Vielzahl von Strukturierungsanwendungen kompatibel.
  • Die Steg-Abstandshalter-Kombination kann also als Verbundmaske verwendet werden, oder der Steg kann entfernt werden, ohne daß die organischen Abstandshalter wesentlich beeinträchtigt werden, so daß die Abstandshalter allein als Maske dienen können. Die organische Schicht kann strukturiert werden, ohne daß die darunterliegenden Passivierungsschichten merklich geätzt werden.
  • Die eben ausgeführte Struktur sowie weitere Strukturen und Lehren der vorliegenden Erfindung werden bei einer Beschreibung einer bestmöglichen Verfahrensweise zur Durchführung der Erfindung, die im folgenden gegeben wird, noch deutlicher. In der folgenden Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, in der
  • Fig. 1-2 Querschnittsansichten des Substrats sind, das die Prozeßstufen der Erfindung durchläuft;
  • Fig. 3 eine Querschnittsansicht eines Substrats ist, welches ein Verfahren entsprechend eines ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels durchläuft;
  • Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines Substrats ist, welches ein Verfahren entsprechend eines zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels durchläuft; und
  • Fig. 5 eine Querschnittsansicht eines Substrats ist, welches ein Verfahren entsprechend eines dritten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels durchläuft.
  • Wie in Fig. 1 gezeigt wird, wird eine konforme organische Schicht 20 auf die Stege 10 aufgetragen, die auf einem Substrat 1 gebildet werden. Das Substrat 1 ist zur Vereinfachung der Darstellung als ein einzelner Materialblock dargestellt. Wie in Fig. 3-5 gezeigt wird, kann das erfindungsgemäße Verfahren auf einem Halbleiter- oder Isolatorsubstrat durchgeführt werden, auf dessen Oberfläche eine oder mehrere leitfähige, halb-leitfähige und/oder isolierende Schichten aufgetragen wurden. Die Stege 10 werden aus einem organischen harzartigen Material gebildet. Zum Beispiel kann jedes handelsübliche Polyimid (z. B. "PI 2555" von der DuPont Corp. aus Wilmington, Delaware) zum Einsatz kommen. Gleichermaßen kann jedes handelsübliche lichtempfindliche Polymer (z. E. "AZ 1350J", welches von der AZ Photoresist Product Group der American Hoechst Corp., Summerville, New Jersey, vertrieben wird) verwendet werden. Kommen Polyimide zum Einsatz, dann wird eine Deckschicht aus Polyimid aufgetragen und bildweise durch eine gemusterte Photoresistschicht belichtet. Die belichteten Teile der Polyimidschicht werden dann durch Einwirkung eines anisotropen gasförmigen O&sub2;-Plasmas entfernt. Aber die nachfolgende Beschreibung wird zeigen, daß es vorteilhafter ist, ein lichtempfindliches Polymer zur Erzeugung der Stegstrukturen zu verwenden.
  • Die konforme organische Schicht ist Poly-p-Xylylen oder "Parylen". Bei der Durchführung von Versuchen in Zusammenhang mit der Erfindung wurde Parylen unter Verwendung der folgenden Verfahren aufgetragen. Die Wafer wurden innerhalb eines herkömmlichen Röhrenreaktors vertikal orientiert, so daß die Di-p-Xylylen-Gasströmung senkrecht zu den Wafern und mittig innerhalb des Reaktors verlief. Der Reaktordruck wurde auf 66,5 ubar (50 mTorr) (1 ubar = 10&supmin;¹ Pa) gehalten. Um die Turbulenz innerhalb des Reaktors auf ein Minimum zu reduzieren, wurde das Gasaustrittsventil in der kleinsten "Offen" -Position gehalten. In der Praxis wurden Parylenschichten mit einer Dicke von bis zu 0,7 um nicht planarisierend bei Raumtemperatur auf 1,6 Mikrometer dicke Stege mit Böschungsneigungen von mehr als 80º aufgetragen.
  • Parylen weist mehrere günstige Materialeigenschaften auf. Da Parylen bei Raumtemperatur aufgetragen wird, und da die nachfolgenden Ätzschritte auch bei niedriger Temperatur erfolgen, ist es nicht erforderlich, die Photoresist-Stege 10 durch eine Wärmebehandlung bei 200ºC - 250ºC zu "härten", wie dies in der schon erwähnten US-Patentschrift 4 707 218 der Fall ist.
  • Darüber hinaus erreicht Parylen eine höhere Konformität (in der Größenordnung von 95%) als die bisher verwendeten Siliziumoxid- oder Siliziumnitridschichten. Bei dem Auftragen des Parylens handelt es sich um eine Reaktion, die durch die Oberflächengeschwindigkeit begrenzt wird, was schon dem Wesen nach ein konformer Prozeß ist.
  • Wie aus Fig. 2 ersichtlich wird, wird die organische Parylenschicht danach anisotrop geätzt, so daß die Abstandshalter 20A auf den Flanken der Stege 10 erzeugt werden. Die Stege 20A werden durch das anisotrope Ätzen der Parylenschicht 20 in einem gasförmigen O&sub2; - Plasma definiert. Das Plasma unterliegt den üblichen anisotropen, reaktiven Ionenätzbedingungen (z. B. weniger als 13,3 bis 26,6 ubar (10 - 20 mTorr) Druck und etwa 400 Volt Gleichspannung). Während dieses anisotropen Ätzens können auch die oberen Teile der Stege 10 erodiert werden. Da jedoch typischerweise die Dicke der Stege viel größer ist als die Dicke der konformen Schicht, kann eine gewisse Ätzung der Stege auftreten, ohne daß dadurch die Durchführung der Erfindung negativ beeinflußt wird. Da darüber hinaus weder Oxide noch Nitride in O&sub2; - Plasmen merkbar geätzt werden, ist es nicht notwendig, die darunterliegenden Oxid- und/oder Nitrid-Passivierungsschichten durch Einfügen eines Ätzstops zu schützen.
  • Es hat sich erwiesen, daß die beschriebene Kombination aus organischem Steg - organischem Abstandshalter eine Reihe von Ätzmerkmalen aufweist, die in einer Vielzahl von Strukturierungsanwendungen zum Einsatz kommen können. Mehrere dieser Strukturierungsanwendungen werden im folgenden besprochen.
  • Fig. 3 zeigt ein erstes Strukturierungsverfahren, bei dem die erfindungsgemäße Steg-Abstandshalter-Kombination zum Einsatz kommt. Bei diesem Verfahren wird eine Vielzahl leitfähiger Linien auf einer Schicht aus leitfähigem Material 14, welche sich auf dem Substrat 1 befindet, definiert. Auf der leitfähigen Schicht 14 werden die Ätzstopschichten 12A, 12B aufgetragen. Nach der Bildung des Paars Steg-Abstandshalter wird der Steg durch Einwirkung eines Ätzmittels, welches die Abstandshalter nicht merkbar angreift, entfernt. Genauer gesagt wurde festgestellt, daß mit N-Methyl-Pyrollidon (NMP) die herkömmlichen lichtempfindlichen Polymere vollständig entfernt werden, ohne daß die Parylen-Abstandshalter entfernt werden. Ähnliche Ergebnisse wurden auch mit Schwefel-Salpeter-Säure, verdünnter KOH nach der Einwirkung der Deckschicht auf das Photoresist und mit Azeton erzielt. Es zeigt sich also, daß die Parylen-Abstandshalter gegenüber allen herkömmlichen Photoresist-Lösungsmitteln undurchlässig sind. Wie aus Fig. 3 ersichtlich wird, verbleiben so die Abstandshalter 20A, um die darunterliegenden Ätzstopschichten 12A, 12B zu strukturieren. Die strukturierten Ätzstopschichten dienen anschließend als Maske zur Strukturierung der darunterliegenden Schicht aus leitfähigem Material 14. Eine ausführlichere Beschreibung des Verfahrens zur Strukturierung der Schichten 12A, 12B und 14 nach der Abstandshalter-Definition erfolgt in der US-Patentschrift 4 648 937 mit dem Titel "Method of Preventing Assymetric Etching of Lines in Sub-Micrometer Range Sidewall Image Transfer", die an den Abtretungsempfänger der vorliegenden Erfindung abgetreten wurde, und deren Lehren in die vorliegende Beschreibung durch Verweis eingearbeitet wurden.
  • Fig. 4 stellt ein zweites Strukturierungsverfahren dar, bei der die erfindungsgemäße Kombinaüion organischer Steg - organischer Abstandshalter zum Einsatz kommt. Bei diesem Verfahren werden durch eine dicke Isolationsschicht 16, die über dem Substrat 1 liegt, Löcher gebildet. Bei der Isolationsschicht 16 kann es sich um undotiertes Siliziumoxid, Photosilikatglas (PSG), Borphosphorsilikatglass (BPSG) oder ein organisches Harz wie Polyimid handeln. Wird die Isolationsschicht 16 aus undotiertem Siliziumoxid oder Glas hergestellt, dann kann die Strukturierung in einem Plasma aus 92% CF&sub4; und 8% O&sub2; erfolgen. Besteht die Isolationsschicht 16 aus Polyimid, dann kann sie in dem gleichen O&sub2; - Plasma strukturiert werden, das auch die Flanken-Abstandshalter 20A definiert. In beiden Fällen hat es sich erwiesen, daß Parylen und die herkömmlichen Photoresist-Materialien ähnliche Ätzraten aufweisen. Als Folge dieser ähnlichen Ätzraten in einem O&sub2; - oder CF&sub4;/O&sub2; - Plasma kann bei gleicher Umgebung die Parylen-Photoresist-Komhination vollständig entfernt werden. Bei der Entfernung der gestrichelten Teile der Isolationsschicht 16 werden auch entsprechende Teile des Stegs 10 und der Abstandshalter 20A entfernt.
  • Fig. 5 zeigt ein drittes Strukturierungsverfahren, bei der die Kombination organischer Steg - organischer Abstandshalter zum Einsatz kommt. Ahnlich wie bei dem in Fig. 4 gezeigten Verfahren werden die Löcher in einer Isolationsschicht 16 definiert. In Fig. 5 wird die Isolationsschicht 16 unter solchen Bedingungen geätzt, daß die horizontalen Teile der Maskenstruktur entfernt werden. Die entstehenden Löcher haben geneigte Flanken. Nachdem die Abstandshalter 20A definiert wurden, wird das Substrat einem CF&sub4;/O&sub2; -Plasma ausgesetzt, in dem Sauerstoff 40%-60% des gesamten Gasgemischs ausmacht. Der Druck in der Ätzkammer beträgt 53,2 bis 93,1 ubar (40-70 mTorr). Unter diesen Bedingungen wird die Steg-Abstandshalter-Kombination horizontal erodiert. Während des Ätzens werden die Abstandshalter 20A vollständig entfernt. Da die Maskenstruktur horizontal erodiert wird, werden Teile der darunterliegenden Isolationsschicht 16 dem Ätzmittel unterschiedlich lange ausgesetzt. Demzufolge haben die entstehenden Löcher geneigte Flanken (im Gegensatz zu den vertikalen Flanken bei der unter Bezug auf Fig. 4 beschriebenen Ätzfolge). Das eben beschriebene Verfahren nutzt ebenfalls die Ähnlichkeiten in der Ätzrate zwischen den Parylen- Abstandshaltern 20A und den Stegen aus organischem Harz 10 in dem gasförmigen Plasmen.
  • Wie unter Bezug auf die in Fig. 3-5 dargestellten Verfahren beschrieben wurde, weist die erfindungsgemäße Kombination aus organischem Steg - organischem Abstandshalter eine Vielzahl von Merkmalen auf, die die bisher verwendeten anderen Steg-Abstandshalter-Kombinationen nicht haben. Die Abstandshalter werden in einem gasförmigen Plasma definiert, welches die darunterliegenden Oxid- und/oder Nitridschichten nicht merkbar angreift. Die Stege lassen sich durch Einwirkung nasser Lösungsmittel, die die Abstandshalter nicht angreifen, entfernen. Die Stege und die Abstandshalter haben ähnliche Ätzraten in Sauerstoff- und Halogenkohlenstoffplasmen. Darüber hinaus weisen die Abstandshalter mehrere günstige Materialeigenschaften auf (d. h. niedrige Beschichtungstemperatur und hohe Konformität)

Claims (6)

1. Verfahren zum Definieren einer Maskenstruktur auf einem Substrat, das folgende Schritte umfaßt:
Definieren einer Vielzahl von organischen Stegen, die auf dem Substrat im wesentlichen vertikale Flanken haben;
Auftragen einer konformen organischen Schicht auf das Substrat und die Stege; und
anisotropes Ätzen der erwähnten konformen organischen Schicht, um auf den Flanken der Stege Abstandhalter zu definieren,
dadurch gekennzeichnet, daß die konforme organische Schicht aus Parylen besteht, und daß
die Parylen-Abstandhalter und die Stege Trockenätzmitteln, in denen sie analoge Ätzraten aufweisen, oder Naßätzmitteln, in denen sie unterschiedliche Ätzraten aufweisen, ausgesetzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Trockenätzmittel gasförmige Plasmen darstellen, die aus der Gruppe bestehend aus Sauerstoffplasmen und Plasmen auf Halogenkohlenstoffbasis ausgewählt wurden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Naßätzmittel aus der Gruppe bestehend aus NMP, Schwefel-Salpeter-Säure, KOH und Azeton ausgewählt wurde.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Stege aus einem lichtempfindlichen Polymer oder Polyimid bestehen.
5. Verfahren zur Erzeugung einer Maskenstruktur auf einer Oberfläche eines bearbeiteten Halbleitersubstrats, das folgende Schritte umfaßt:
Formung eines Stegs aus einem lichtempfindlichen Polymer auf der Oberfläche, wobei dieser Steg im wesentlichen horizontale und im wesentlichen vertikale Oberflächen aufweist;
Beschichtung dieses Stegs mit einer konformen organischen Schicht; und
anisotropes Ätzen dieser konformen Schicht und des lichtempfindlichen Polymers in einer solchen Art und Weise, daß Teile der konformen Schicht auf den vertikalen Oberflächen des Stegs verbleiben und dort Abstandhalter bilden,
dadurch gekennzeichnet, daß die konforme Schicht aus Parylen hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, das weiterhin folgenden Schritt umfaßt:
Entfernung der Stege, ohne daß die Abstandhalter merkbar angegriffen werden.
DE19883852370 1987-10-30 1988-09-22 Flankenstruktur aus organischem Material. Expired - Fee Related DE3852370T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11496087A 1987-10-30 1987-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3852370D1 DE3852370D1 (de) 1995-01-19
DE3852370T2 true DE3852370T2 (de) 1995-05-24

Family

ID=22358518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19883852370 Expired - Fee Related DE3852370T2 (de) 1987-10-30 1988-09-22 Flankenstruktur aus organischem Material.

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0313814B1 (de)
JP (1) JPH0626202B2 (de)
DE (1) DE3852370T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5651857A (en) * 1995-09-08 1997-07-29 International Business Machines Corporation Sidewall spacer using an overhang
DE19945140B4 (de) * 1999-09-21 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Maskenschicht mit Öffnungen verkleinerter Breite
DE10142590A1 (de) 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße
US7776744B2 (en) * 2005-09-01 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication spacers and methods of forming the same
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US8168375B2 (en) 2007-06-08 2012-05-01 Tokyo Electron Limited Patterning method
KR100965011B1 (ko) * 2007-09-03 2010-06-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
JP2009088085A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体
TWI493598B (zh) * 2007-10-26 2015-07-21 Applied Materials Inc 利用光阻模板遮罩的倍頻方法
JP6019966B2 (ja) * 2012-09-10 2016-11-02 大日本印刷株式会社 パターン形成方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2003660A (en) * 1977-08-19 1979-03-14 Plessey Co Ltd Deposition of material on a substrate
DE3242113A1 (de) * 1982-11-13 1984-05-24 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur herstellung einer duennen dielektrischen isolation in einem siliciumhalbleiterkoerper
JPS59163829A (ja) * 1983-03-08 1984-09-14 Matsushita Electronics Corp パタ−ン形成方法
JPS6273633A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp パタ−ン形成方法
JPS62106456A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01124219A (ja) 1989-05-17
EP0313814B1 (de) 1994-12-07
JPH0626202B2 (ja) 1994-04-06
DE3852370D1 (de) 1995-01-19
EP0313814A2 (de) 1989-05-03
EP0313814A3 (de) 1991-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2930290C2 (de)
DE10016340C1 (de) Verfahren zur Herstellung von flaschenförmigen Tiefgräben zur Verwendung in Halbleitervorrichtungen
DE68929503T2 (de) Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung
DE2930293A1 (de) Aetzverfahren bei der herstellung eines gegenstandes
DE2953117A1 (en) Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns
DE3706127A1 (de) Diskontinuierliches aetzverfahren
EP0570609A1 (de) Verfahren zum Erzeugen einer mehrstufigen Struktur in einem Substrat
EP0286708A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktöffnungen in einer Doppellagenisolation
DE3140890A1 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung
DE3852370T2 (de) Flankenstruktur aus organischem Material.
DE4130391C2 (de) Verfahren zum selektiven entfernen einer schicht und dessen verwendung
DE68915619T2 (de) Herstellungsverfahren von Halbleiteranordnungen, die mindestens eine reaktive ionische Ätzstufe enthalten.
DE2227344C3 (de)
DE2432719B2 (de) Verfahren zum erzeugen von feinen strukturen aus aufdampfbaren materialien auf einer unterlage und anwendung des verfahrens
DE3102647A1 (de) Strukturierung von metalloxidmasken, insbesondere durch reaktives ionenstrahlaetzen
DE69416808T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Halbleitervorrichtung
EP0013728A1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
EP0218039B1 (de) Verfahren zur Übertragung feinster Fotolackstrukturen
EP0237844A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht für die Halbleitertechnik sowie Verwendung der Abdeckschicht
DE3219284C2 (de)
DE2451486A1 (de) Verfahren zum herstellen kleinster oeffnungen in integrierten schaltungen
DE10137575A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Maske sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE2225366A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Vor Sprüngen an Epitaxie Schichten
DE2224468A1 (de) Verfahren zum aetzen von vorzugsweise glas- bzw. siliciumdioxydschichten
DE69508273T2 (de) Verfahren zum ätzen von siliziumnitrid mit verstärkung der kritischen abmessung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee