DE3686857T2 - Verfahren zur herstellung eines zwischenverbindungstraegers fuer elektronische bauelemente. - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines zwischenverbindungstraegers fuer elektronische bauelemente.Info
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- DE3686857T2 DE3686857T2 DE8686420188T DE3686857T DE3686857T2 DE 3686857 T2 DE3686857 T2 DE 3686857T2 DE 8686420188 T DE8686420188 T DE 8686420188T DE 3686857 T DE3686857 T DE 3686857T DE 3686857 T2 DE3686857 T2 DE 3686857T2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000976 ink Substances 0.000 claims description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 8
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 159000000013 aluminium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000329 aluminium sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 12
- -1 aluminium alkoxide Chemical class 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JLDSOYXADOWAKB-UHFFFAOYSA-N aluminium nitrate Chemical compound [Al+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O JLDSOYXADOWAKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 4
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KILURZWTCGSYRE-LNTINUHCSA-K (z)-4-bis[[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]alumanyloxypent-3-en-2-one Chemical compound CC(=O)\C=C(\C)O[Al](O\C(C)=C/C(C)=O)O\C(C)=C/C(C)=O KILURZWTCGSYRE-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003112 MgO-Al2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDJROVMRGKXECW-UHFFFAOYSA-N [Si+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] Chemical compound [Si+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] IDJROVMRGKXECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- CSJKPFQJIDMSGF-UHFFFAOYSA-K aluminum;tribenzoate Chemical compound [Al+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 CSJKPFQJIDMSGF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N ammonium carbamate Chemical compound [NH4+].NC([O-])=O BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCOATMADISNSBV-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyalumanyl acetate Chemical compound [Al+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O WCOATMADISNSBV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- PJJZFXPJNUVBMR-UHFFFAOYSA-L magnesium benzoate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 PJJZFXPJNUVBMR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CQQJGTPWCKCEOQ-UHFFFAOYSA-L magnesium dipropionate Chemical compound [Mg+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O CQQJGTPWCKCEOQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Inorganic materials [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- AXLHVTKGDPVANO-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-3-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]propanoate Chemical compound COC(=O)C(N)CNC(=O)OC(C)(C)C AXLHVTKGDPVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWQGROTKMBNKN-UHFFFAOYSA-N tributoxyalumane Chemical compound [Al+3].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] MYWQGROTKMBNKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- OBROYCQXICMORW-UHFFFAOYSA-N tripropoxyalumane Chemical compound [Al+3].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] OBROYCQXICMORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente und den so erhaltenen Träger.
- Ein solcher Träger besteht aus einem gesinterten Stapel von Lagen aus einem dielektrischen Material, von denen mindestens einige innere Leitungsmuster tragen, wobei der Träger leitende Vorsprünge aufweist, um die Verbindung mit den Anschlußstellen des Bauelementes/der Bauelemente sicherzustellen, wobei mindestens eine innere Schicht mit Leiterbahnen versehen ist, die die Verbindung von Schicht zu Schicht und mit den Vorsprüngen gemäß einem vorher festgelegten Schema mit Hilfe von metallisierten Bahnen sicherstellen.
- Eine solche Trägerstruktur ist beispielsweise unter dem Titel "Zwischenverbindungsträger aus Aluminium für elektronische Bauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung" in EP-A-0 145 599 beschrieben, das im Namen von EUROFARAD- EFD angemeldet ist.
- Eine der Aufgaben der vorliegenden Erfindung ist es, einen Zwischenverbindungsträger mit einer sehr kleinen relativen Dielektrizitätskonstante herzustellen, der insbesondere seine Verwendung für Hochfrequenzanwendungen erlaubt. Tatsächlich hängt in diesem Bereich die Übertragung direkt von 1/ k ab, wobei K die relative Dielektrizitätskonstante ist. Für eine zufriedenstellende Funktion ist es nötig, daß der Wert von K zwischen 4 und 5,5 liegt.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Herstellung eines Trägers, der neben den hervorragenden dielektrischen Eigenschaften einen geringen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei die hervorragenden mechanischen Eigenschaften erhalten bleiben.
- In dieser Hinsicht ist es wünschenswert, daß die Größenordnung dieses Koeffizienten bei 1 bis 3·10&supmin;&sup6; liegt, ein Wert, der an den Koeffizienten des Siliciums (3·10&supmin;&sup6; angepaßt ist, aus dem die Chips bestehen, die auf diesem Substrat angebracht sind.
- In dieser Hinsicht wurde festgestellt, daß mit den Keramiken des Cordierittyps diese verschiedenen Aufgaben gelöst werden können.
- So ist aus dem Dokument EP 132 740 ein Verfahren zum Erhalt eines dielektrischen Trägers der Art einer vielschichtigen Keramik bekannt, das im wesentlichen das Mischen eines Pulvers von kristallinem Cordierit natürlichen oder synthetischen Ursprungs (erhalten durch Calcinieren eines Gemisches von Talk, Kalk oder anderen Aluminiumsilicaten) mit einem Bindemittel und seinem Lösungsmittel, Gießen dieses Gemisches in Form von Lagen, Trocknen, um Rohlagen zu erhalten, auf denen metallische Schaltkreise gebildet werden können, Stapeln der Lagen und Erwärmen auf zwischen 1300 und 1450ºC in feuchter reduzierender Atmosphäre zum Entfernen des Bindemittels und Sintern der kristallinen Cordieritteilchen, umfaßt.
- Unter Zusammensetzung "des Cordierittyps" wird eine Zusammensetzung verstanden, die sich im Bereich 60 bis 50% SiO&sub2;, 5 bis 20% MgO und 20 bis 40% Al&sub2;O&sub3; im ternären Phasendiagramm SiO&sub2;-MgO-Al&sub2;O&sub3; befindet (hier und im folgenden werden, wenn nicht anders erwähnt, alle Anteile in Gewichtsanteilen ausgedrückt).
- Genauer umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren die folgenden Schritte:
- a) Herstellen einer Aufschlämmung durch Mischen eines keramischen Pulvers des Cordierittyps mit einem organischen Bindemittel in Gegenwart eines Lösungsmittels;
- b) Gießen von Rohkeramiklagen aus dieser Aufschlämmung;
- c) Trocknen der Lagen zur Verdampfung des Lösungsmittels;
- d) Siebdruck der inneren Leitungsmuster mit einer ersten Metallisierungstinte aus einem metallischen Pigment, einem organischen Träger und einem Lösungsmittel;
- e) Trocknen der Tinte;
- f) Rohbohren von Verbindungslöchern in den Lagen;
- g) Füllen der Löcher mit einer zweiten Metallisierungstinte aus einem metallischen Pigment aus einem Keramikfüllstoff, einem organischen Träger und einem Lösungsmittel;
- h) Stapeln der verschiedenen, mit ihren jeweiligen siebgedruckten Mustern versehenen Lagen;
- i) eventuelles Bohren von Löchern zur Befestigung von Verbindungsanschlüssen und ggf. Metallisieren der Wände mit der gleichen Metallisierungstinte, wie der für die Metallisierung der Verbindungslöcher verwendeten (jedoch mit einer geringeren Viskosität);
- j) Kompression des Stapels zu einem homogenen Block;
- k) Evakuieren der restlichen organischen Stoffe; und
- l) Sintern der Keramik.
- Bei einer ersten Ausführungsart ist das keramische Pulver ein bei niedriger Temperatur sinterbares Pulver, wobei das Sintern bei einer maximalen Temperatur unter 1000ºC durchgeführt wird.
- Es wird ersichtlich sein, daß das Sintern in gleicher Weise in oxidierender oder reduzierender Atmosphäre durchgeführt werden kann, wobei die metallischen Pigmente der Metallisierungstinten für die oxidierenden oder reduzierenden Eigenschaften der Sinteratmosphäre geeignet sein müssen.
- Bei einer zweiten Ausführungsform ist das Keramikpulver ein bei hoher Temperatur sinterbares Pulver, wobei das Sintern bei einer Maximaltemperatur von mindestens 1300ºC durchgeführt wird.
- Hier kann das Sintern auch entweder in reduzierender oder in oxidierender Atmosphäre durchgeführt werden, wobei die Metallisierungstinten geeignet ausgewählt sind.
- Andere Eigenschaften und Vorteile werden aus der Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung der beiden vorgenannten Ausführungsarten deutlich.
- (Unter "tiefer Temperatur" wird eine maximale Sintertemperatur unter 1050ºC, im allgemeinen unter 980ºC verstanden.)
- Ein Verfahren, das die Herstellung eines solchen Pulvers erlaubt, umfaßt beispielsweise die folgenden aufeinanderfolgenden Schritte:
- - Herstellen einer gemischten alkoholischen Lösung eines Salzes von Aluminium und Silicium, wobei diese Salze in Alkohol oder in einem mit Alkohol mischbaren Lösungsmittel löslich sein müssen,
- - Herstellen einer Lösung eines in Alkohol oder in einem mit Alkohol mischbaren Lösungsmittel oder in der entsprechenden Säure löslichen Magnesiumsalzes,
- - Herstellen einer Lösung, indem die beiden vorhergehenden Lösungen unter starkem Rühren gemischt werden, um eine homogene Lösung zu erhalten,
- - Zugeben eines Hydrolysierungsmittels in Form einer völlig flüchtigen schwachen Base zur vorhergehenden Lösung, was zur Bildung eines Gels führt,
- - thermisches Behandeln des erhaltenen Gels bei einer Temperatur von höchstens 450ºC während einer Zeitdauer von höchstens 24 h,
- - thermisches Behandeln des erhaltenen Pulvers bei einer Temperatur zwischen 450ºC und 900ºC während einer Zeitdauer von höchstens 6 h.
- Vorzugsweise wird vor dem Schritt der thermischen Behandlung des Pulvers ein Schritt der Behandlung mit Wasserstoffperoxid bei einer Temperatur zwischen 60ºC und 100ºC mit anschließender Filtration der erhaltenen Suspension durchgeführt.
- Das Aluminium wird zugegeben:
- - Entweder in Form eines in Alkohol löslichen Alkoxids der folgenden Formel:
- Al [O(CH&sub2;)nCH&sub3;]&sub3;
- worin n eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 darstellt;
- vorteilhaft wird Aluminiumbutoxid der folgenden Formel verwendet:
- andere Alkoxide führen jedoch ebenso zu guten Ergebnissen, wie Aluminiumethoxid, Aluminiumpropoxid und Aluminiumisopropoxid;
- - oder in Form organischer Salze oder organischer Komplexe, wie Aluminiumacetat, Aluminiumbenzoat, Aluminiumacetylacetonat, Aluminiumstearat;
- allgemein sind alle in Alkohol oder in einem mit Alkohol mischbaren Lösungsmittel löslichen Salze oder Komplexe für die Durchführung der Erfindung geeignet:
- - Oder auch in Form von anorganischen Salzen, wie hydratisiertem oder nicht hydratisiertem Aluminiumnitrat Al(NO&sub3;)&sub3; in alkoholischer oder essigsaurer Lösung, Aluminiumchlorid AlCl&sub3; in alkoholischer Lösung; indem die letztere Lösung über eine ausreichende Zeitdauer am Kochpunkt gehalten wird, wird die Salzsäure entfernt und das entsprechende Aluminiumalkoxid erhalten.
- Allgemein sind alle in Alkohol oder in einem mit Alkohol mischbaren Lösungsmittel löslichen Aluminiumsalze für die Durchführung der Erfindung geeignet.
- Silicium wird zugegeben:
- - Entweder in Form eines in Alkohol löslichen Alkoxids der Formel:
- Si [= (CH&sub2;)nCH&sub3;]&sub4;
- worin n eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 darstellt;
- vorteilhaft wird Siliciumethoxid der Formel verwendet:
- Si [OC&sub2;H&sub5;]&sub4;,
- andere Siliciumalkoxide führen jedoch auch zu guten Ergebnissen, wie Siliciumpropoxid, Siliciumisopropoxid und Siliciumbutoxid;
- - oder in Form von Estern oder Salzen, wie dem Siliciumtetraacetat (CH&sub3;-COO)&sub4;Si, die in Essigsäure löslich sind, oder auch einem quaternären Ammoniumsilicat.
- Allgemein sind alle in Alkohol oder in einem mit Alkohol mischbaren oder in ihrer entsprechenden Säure löslichen Ester oder Salze für die Durchführung der Erfindung geeignet.
- Magnesium wird zugegeben:
- - Entweder in Form eines Esters oder eines Salzes;
- vorteilhaft wird hydratisiertes oder nicht hydratisiertes Magnesiumacetat Mg(CH&sub3;COO)&sub2; in Essigsäureanhydrid verwendet.
- Es können andere Ester, wie Magnesiumbenzoat, Magnesiumpropionat, Magnesiumoleat und Magnesiumstearat auf die gleiche Weise verwendet werden.
- Allgemein ist jeder Magnesiumester oder jedes Magnesiumsalz, die in Alkohol oder einem mit Alkohol mischbaren Losungsmittel oder in der entsprechenden Säure löslich sind, für die Durchführung der Erfindung geeignet;
- - oder in Form von anorganischen Salzen, wie dem hydratisierten oder nicht hydratisierten Magnesiumchlorid oder -nitrat in alkoholischer Lösung.
- Die gemischte Lösung von Aluminium- und Siliciumsalzen wird in Gegenwart eines Alkohols hergestellt, der beispielsweise Isopropanol sein kann.
- Die Hydrolyse, die zur Bildung des Gels führt, wird bei einer Temperatur im allgemeinen von zwischen 20ºC und 80ºC, vorzugsweise zwischen 20ºC und 50ºC mit einer schwachen Base, wie Hydrazinhydrat NH&sub2;-NH&sub2;H&sub2;O durchgeführt.
- Allgemein ist jede schwache Base, die nur flüchtige Ionen enthält, wie verdünntes Ammoniak, Hydroxylamin, Ammoniumsalze schwacher Säuren (Ammoniumcarbonat, Ammoniumcarbamat) für die Durchführung dieses Schrittes des Verfahrens geeignet.
- Es wird jedoch bevorzugt Hydrazinhydrat verwendet, das eine "ausgleichende" Funktion auf die Hydrolysekinetik ausübt. Diese von Hydrazinhydrat ausgeübte Funktion auf die Hydrolysekinetik ist insbesondere von Interesse, wenn man als Ausgangsverbindungen Aluminiumalkoxide, Siliciumalkoxide und Magnesiumacetat verwendet, die unterschiedliche Hydrolysekinetiken aufweisen: Aluminiumalkoxide werden leicht hydrolysiert, Siliciumalkoxide schwerer und Magnesiumacetat ist in Wasser löslich. Das Hydrazinhydrat erlaubt eine partielle oder vollständige Hydrolyse der Alkoxide durchzuführen, um so die Gelbildungsgeschwindigkeiten einzustellen und das Ion Mg²&spplus; im gebildeten Gel zu binden.
- Es ist hier festzustellen, daß es wünschenswert ist, daß die Lösung vollstandig wasserfrei ist, da geringste Wasserspuren eine unkontrollierte Hydrolyse des am wenigsten stabilen Alkoxids, d. h. des Aluminiumalkoxids, hervorrufen. Es ist jedoch anzumerken, daß, wenn das Aluminiumalkoxid durch Aluminiumnitrat ersetzt ist, die Gegenwart von geringen Wassermengen nicht stört.
- Die thermische Behandlung, der das Gel nach der Hydrolyse unterzogen wird, wird bei einer Temperatur von höchstens 450ºC, im allgemeinen zwischen 200ºC und 450ºC während einer Zeitdauer von höchstens 24 h, im allgemeinen zwischen 1 und 2 Stunden, durchgeführt, wobei die Geschwindigkeit der Temperaturerhöhung beispielsweise zwischen 50ºC und 100ºC pro Stunde beträgt. Das Ziel dieser thermischen Behandlung ist es, den größten Teil der Lösungsmittel, des Wassers und des Hydrazins zu entfernen. Am Ende dieser Behandlung ist das erhaltene Pulver von leicht gelblicher Farbe.
- Das Pulver wird eventuell mit vorzugsweise konzentriertem (20-30%) Wasserstoffperoxid bei einer Temperatur zwischen 60ºC und 100ºC gewaschen. Diese Behandlung mit Wasserstoffperoxid hat den Zweck, die letzten organischen Reste zu entfernen, die mit den Metallen Al, Si oder Mg gebunden sein können.
- Die Behandlung mit Wasserstoffperoxid kann eventuell durch eine Luftspülung bei einer Temperatur zwischen 80ºC und 100ºC ersetzt sein.
- Es wird angemerkt, daß dieser Schritt der Behandlung mit Wasserstoffperoxid ausgelassen werden kann, wenn die Anwendung, die für das Pulver angestrebt ist, durch die Gegenwart von Kohlenstoffspuren nicht gestört wird, die sich aus der Pyrolyse von durch die Calcinierung während der thermischen Behandlung nicht vollständig entfernten organischen Stoffen ergeben.
- Das Pulver wird nach dem Waschen mit Wasserstoffperoxid einer erneuten thermischen Behandlung unterzogen, die bei einer Temperatur zwischen 450ºC und 900ºC, im allgemeinen zwischen 550ºC und 700ºC während einer Zeitdauer von höchstens 6 h, im allgemeinen zwischen 30 und 120 Minuten, durchgeführt wird, um Kristallwasser und Hydratwasser zu entfernen.
- Das erhaltene Pulver ist ein relativ großkörniges Pulver, das nach leichter Zerkleinerung ein Pulver ergibt, das aus Körnern besteht, deren Abmessungen zwischen 0,01 u und 10 u liegen, und das von weißer Farbe ist.
- Wenn das Pulver erhalten ist, wird eine Aufschlämmung hergestellt, indem ungefähr 1 Teil Pulver und 1,5 Teile eines organischen Lösungsmittels (Gewichtsteile) gemischt werden.
- Das organische Lösungsmittel ist von herkömmlicher Zusammensetzung; es kann beispielsweise enthalten:
- - Polyvinylalkohol (ungefähr 5%),
- - Weichmacher (ungefähr 15%), wie Polyethylenglykol, Ethylenglykol, "Cellosolve" (Ethylenglykolmonoethylether),
- - geeignete Additive: Netzmittel, Peptisationsmittel, Dispergiermittel, antistatische Mittel,
- - wäßriges Lösungsmittel.
- Als Abwandlung kann die folgende Zusammensetzung verwendet werden:
- - Polyvinylbutyral,
- - Weichmacher, wie Dibutylphtalat oder ein Analoges,
- - Additive,
- - organisches Lösungsmittel, wie Trichlorethylen, Trichlorethan, Methylketon, oder Ethylalkohol.
- Anschließend werden durch Gießen dieser Aufschlämmung, anschließendes Trocknen der Lagen, um das Lösungsmittel zu entfernen, und Schneiden auf die gewünschten Abmessungen, Rohkeramiklagen hergestellt.
- Wenn die Rohkeramiklagen hergestellt sind, werden auf ihren entsprechenden Oberflächen mit Hilfe einer ersten Metallisierungstinte aus einem metallischen Pigment, einem organischen Träger (beispielsweise Ethylcellulose in einem Anteil von 5 bis 10%) und einem Lösungsmittel (beispielsweise Terpineol) die inneren Leitungsmuster gebildet.
- In dem Fall, wo das Sintern in reduzierender oder neutraler Atmosphäre (H&sub2;, feuchtes H&sub2;, N&sub2;, Ar oder He) durchgeführt wird, wird das metallische Pigment der Tinte ausgewählt unter Kupfer und seinen Legierungen mit mindestens 80% Kupfer, Nickel und seinen Legierungen, Silber und seinen Legierungen, mit Silber oder Nickel umhülltem Kupfer, oder eventuell Gold.
- Nach dem Trocknen der Tinte (beispielsweise Infrarottrocknung) werden die verschiedenen Lagen zur Bildung eines Stapels übereinander angeordnet.
- Anschließend wird die Lochung oder das Rohbohren von Verbindungslöchern zur Gewährleistung der Verbindungen durchgeführt. Dieser Schritt wird vorzugsweise durch Bohren mit einem Dornstange-Matrixsystem für die Lagen einer Dicke unter 300 um und durch Bohren mit Hilfe eines mit hoher Geschwindigkeit betätigten Bohrers (mehr als 30 000 Umdrehungen pro Minute), der über eine rechnergesteuerte Maschine gesteuert wird, für die Lagen höherer Dicke durchgeführt.
- Die Löcher werden anschließend metallisiert; hierfür wird eine geringe Menge einer Metallisierungstinte besonderer Zusammensetzung, die darüber hinaus metallisches Pigment zur Gewährleistung der Leitfähigkeit, eine geringe Menge Keramik (weniger als 5 Gew.%) zur Gewährleistung der Erzeugung eines "Gerüsts" und für die Haftung enthält, aufgebracht.
- Das Aufbringen der Tinte kann auf verschiedene Arten geschehen:
- - Entweder indem diese über ein System Dornstange-Matrix in das Loch eingebracht wird (wobei die Tinte vorher in Form einer unabhängigen trockenen Lage einer auf die Dicke der Keramik eingestellten Dicke gebracht wird);
- - oder durch einfachen oder beidseitigen "Siebdruck" (mit einer Siebdruckschablone oder einer Schablone) der Lage;
- - oder einfach durch Aufbringen eines Tropfens, der mit einer über einen Rechner gesteuerten Vorrichtung eingestellt wird.
- Im allgemeinen werden auch Ausgangsbuchsen oder Bünden am Ausgang der Löcher auf den Oberflächen des Trägers durch einen Zusatzschritt der Aufbringung von Metall erzeugt.
- Zu diesem Zweck wird in einer ersten Ausführungsart das Metall des entsprechenden Pigments ausgewählt unter Silber, Palladium, Silber-Palladium-Legierungen, Kupfer und Kupfer- Nickel- oder Kupfer-Aluminium-Legierungen und Gold.
- Dieses Aufbringen wird durch Siebdruck mit einer Tinte durchgeführt, die das Metallpigment und zusätzlich eine Glas- oder Keramikpaste (vorzugsweise ein Cordierit), enthält, die bei tiefer Temperatur sinterbar sind, wobei die so aufgebrachte Tinte in reduzierender Atmosphäre entweder während eines zusätzlichen Brennschrittes, oder durch Kosintern zur gleichen Zeit wie die Keramik in reduzierender Atmosphäre eingebrannt wird.
- Das Metall kann in das Pigment auch in Form eines beim Brennen reduzierbaren Oxids eingeführt sein, beispielsweise in Form des Kupferoxids Cu&sub2;O; in diesem Fall kann das Kupferoxid der überwiegende Bestandteil der Glaspaste sein.
- Die Ausgangsbuchsen oder die Bünden können auch durch Verdampfen im Vakuum oder Kathodenzerstäubung nach dem Maskieren aufgebracht werden, wobei das entsprechende Metall ausgewählt wird unter Nickel, Kupfer-Nickel- und Chrom-Nickel-Legierungen, Gold und Kupfer.
- Im einen oder anderen Fall kann der so gebildete Niederschlag auf elektrolytischem oder chemischem Weg verkleidet werden.
- Es können auch Löcher zur Befestigung von Ausgangsverbindungsstellen gebohrt werden, wodurch Löten auf dem Substrat vermieden wird; das Bohren wird mit einem geeigneten Durchmesser mit Hilfe eines bei hoher Geschwindigkeit betriebenen Bohrers auf die gleiche Art wie für ein Verbindungsloch durchgeführt.
- Die Wände dieser Löcher werden eventuell metallisiert (vor oder nach dem Brennen des Substrats); in diesem Fall wird die gleiche Metallisierungstinte verwendet, wie die zur Metallisierung der Durchgangslöcher, die aber eine geringere Viskosität besitzt.
- In dem Fall, daß das Sintern in oxidierender Atmosphäre durchgeführt wird, ist die Abfolge der verschiedenen Schritte identisch.
- Hinsichtlich der Auswahl des Metallpigments werden gewählt:
- - Für die Herstellung der inneren Leitungsmuster Silber und seine Legierungen mit mindestens 75% Silber, und Gold;
- - für die Verbindungslöcher das gleiche Pigment mit Zugabe eines keramischen Füllstoffs;
- - für die Ausgangsbuchsen das gleiche Pigment mit Zugabe einer Glas- oder Keramikpaste; in diesem Fall ist es möglich, in gleicher Weise in reduzierender oder oxidierender Atmosphäre ein zweites Brennen durchzuführen. Es ist auch möglich, eine Abscheidung durch Verdampfung im Vakuum auf die gleiche Art wie vorher dargelegt, durchzuführen.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines
Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente des Typs, der aus
einem gesinterten Stapel von Lagen aus dielektrischem
Material gebildet wird, von denen wenigstens einige
innere Leitungsmuster tragen, das die Schritte:
a) Herstellen einer Aufschlämmung durch Mischen eines
keramischen Pulvers einer Zusammensetzung des
Cordierittyps mit einem organischen Bindemittel in
Gegenwart eines Lösungsmittels;
b) Gießen von Rohkeramiklagen aus dieser Aufschlämmung;
c) Trocknen der Lagen zur Verdampfung des
Lösungsmittels;
d) Siebdruck der inneren Leitungsmuster mittels einer
ersten Metallisierungstinte;
e) Trocknen der Tinte;
f) Rohbohren von Verbindungslöchern in den Lagen;
g) Füllen der Löcher mit einer zweiten
Metallisierungstinte;
h) Stapeln der verschiedenen, mit ihren jeweiligen
siebgedruckten Mustern versehenen Lagen;
i) eventuelles Bohren von Löchern zur Befestigung von
Verbindungsanschlüssen und gegebenenfalls
Metallisierung dieser Löcher;
j) Kompression des Stapels zu einem homogenen Block;
k) Evakuieren der restlichen organischen Stoffe; und
l) Sintern der Keramik
umfaßt,
dadurch gekennzeichnet
daß das keramische Pulver des Schrittes (a) durch (1)
Mischen einer alkoholischen Lösung eines im Alkohol
oder in einem mit dem Alkohol mischbaren Lösungsmittel
löslichen Aluminiumsalzes und eines im Alkohol oder in
einem mit dem Alkohol mischbaren Lösungsmittel lösbaren
Siliziumsalzes mit einer Lösung eines Magnesiumsalzes
im Alkohol oder in einem mit dem Alkohol mischbaren
Lösungsmittel oder in seiner entsprechenden Säure,
Hydrolyse dieser Mischung mit einer völlig flüchtigen
schwachen Base zum Erhalten eines Gels,
Wärmebehandlung dieses Gels bei einer Temperatur von
höchstens 450ºC während höchstens 24 h und
Wärmebehandlung des erhaltenen Pulvers zwischen 450 und
900ºC während höchstens 6 h hergestellt wird und
daß das Sintern des Schrittes 1) bei höchstens 1050ºC
durchgeführt wird.
2. Verfahren zur Herstellung eines
Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente nach dem Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintern in reduzierender oder neutraler
Atmosphäre durchgeführt wird, wobei die metallischen
Pigmente der Metallisierungstinten in der Gruppe gewählt
werden, die das Kupfer und seine Legierungen mit
wenigstens 80% Kupfer, das Nickel und seine Legierungen,
das mit Silber oder Nickel umhüllte Kupfer, das Silber
und seine Legierungen und das Gold aufweist.
3. Verfahren zur Herstellung eines
Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente nach dem Anspruch l,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintern in oxidierender Atmosphäre durchgeführt
wird, wobei die metallischen Pigmente der
Metallisierungstinten
in der Gruppe gewählt werden, die das
Silber und seine Legierungen mit wenigstens 75% Silber
und das Gold aufweist.
4. Verfahren zur Herstellung eines
Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente nach dem Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein ergänzender Endbearbeitungsschritt durch
Bildung von Bünden am Ausgang der Löcher oder
Ausgangsbuchsen vorgesehen wird, wobei das entsprechende Metall
in der Gruppe gewählt wird, die das Silber, das
Palladium, die Silber-Palladium-Legierungen, das Kupfer und
die Kupfer-Nickel- oder Kupfer-Aluminium-Legierungen
und das Gold aufweist, die Abscheidung durch Siebdruck
mit einer Tinte durchgeführt wird, die das metallische
Pigment mit Zusatz einer Glaspaste oder einer
Keramikpaste, die bei niedriger Temperatur sinterbar ist,
durchgeführt wird, die so abgeschiedene Tinte in
reduzierender Atmosphäre eingebrannt wird, wobei das Metall
eventuell in Form von beim Einbrennen reduzierbarem
Oxid eingeführt werden kann.
5. Verfahren zur Herstellung eines
Zwischenverbindungsträgers für elektronische Bauelemente nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein ergänzender Endbearbeitungsschritt durch
Bildung von Bünden am Ausgang der Löcher oder
Ausgangsbuchsen vorgesehen wird, wobei das entsprechende Metall
in der Gruppe gewählt wird, die das Nickel und die
Kupfer-Nickel- und Chrom-Nickel-Legierungen sowie das
Gold und das Kupfer aufweist, und die Abscheidung durch
Vakuumverdampfung oder Kathodenzerstäubung nach
Maskierung durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8510871A FR2585181B1 (fr) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | Procede de fabrication d'un substrat d'interconnexion pour composants electroniques, et substrat obtenu par sa mise en oeuvre |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3686857D1 DE3686857D1 (de) | 1992-11-05 |
DE3686857T2 true DE3686857T2 (de) | 1993-04-15 |
Family
ID=9321340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8686420188T Expired - Fee Related DE3686857T2 (de) | 1985-07-16 | 1986-07-11 | Verfahren zur herstellung eines zwischenverbindungstraegers fuer elektronische bauelemente. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4775503A (de) |
EP (1) | EP0214916B1 (de) |
JP (1) | JPS6221257A (de) |
AT (1) | ATE81229T1 (de) |
DE (1) | DE3686857T2 (de) |
FR (1) | FR2585181B1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0650792B2 (ja) * | 1987-10-19 | 1994-06-29 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 耐酸化金属導体を含むセラミック構造体及びその製造方法 |
FR2626270B1 (fr) * | 1988-01-22 | 1992-04-30 | Pechiney Recherche | Procede de cofrittage, de conducteurs en cuivre ou en alliages a base de cuivre et de leur substrat ceramique en cordierite |
JPH0461293A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JP2584911B2 (ja) * | 1991-06-18 | 1997-02-26 | 富士通株式会社 | ガラス−セラミック多層回路基板の製造方法 |
FR2688929B1 (fr) * | 1992-03-23 | 1994-05-20 | Xeram | Procede d'obtention d'inserts ceramiques isolants par empilement multicouches. |
US6146743A (en) * | 1997-02-21 | 2000-11-14 | Medtronic, Inc. | Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices |
EP0989570A4 (de) | 1998-01-22 | 2005-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tinte für elekronisches bauteil, verfahren zur herstellung eines elektronischen bauteils unter verwendung der tinte, und tintenstrahlvorrichtung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4413061A (en) * | 1978-02-06 | 1983-11-01 | International Business Machines Corporation | Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper |
US4301324A (en) * | 1978-02-06 | 1981-11-17 | International Business Machines Corporation | Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper |
US4234367A (en) * | 1979-03-23 | 1980-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of making multilayered glass-ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors |
DE3326689A1 (de) * | 1983-07-23 | 1985-01-31 | Boehringer Mannheim Gmbh, 6800 Mannheim | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines teststreifens |
US4540621A (en) * | 1983-07-29 | 1985-09-10 | Eggerding Carl L | Dielectric substrates comprising cordierite and method of forming the same |
FR2556503B1 (fr) * | 1983-12-08 | 1986-12-12 | Eurofarad | Substrat d'interconnexion en alumine pour composant electronique |
-
1985
- 1985-07-16 FR FR8510871A patent/FR2585181B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-07-10 US US06/885,953 patent/US4775503A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-11 DE DE8686420188T patent/DE3686857T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-11 AT AT86420188T patent/ATE81229T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-07-11 EP EP86420188A patent/EP0214916B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-15 JP JP61166553A patent/JPS6221257A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2585181B1 (fr) | 1988-11-18 |
EP0214916B1 (de) | 1992-09-30 |
EP0214916A1 (de) | 1987-03-18 |
US4775503A (en) | 1988-10-04 |
FR2585181A1 (fr) | 1987-01-23 |
JPH0231518B2 (de) | 1990-07-13 |
ATE81229T1 (de) | 1992-10-15 |
DE3686857D1 (de) | 1992-11-05 |
JPS6221257A (ja) | 1987-01-29 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |