DE3206882A1 - Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuumInfo
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Description
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM VERDAMPFEN VON MATERIAL UNTER VAKUUM
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verdampfen von Materialien unter Vakuum durch Beschuss des zu verdampfenden
Materials mit Elektronen gemäss dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Bekannt sind Elektronenstrahlverdampfer rnit hohem Elektronenstrom
(z.B. 100 A) und relativ geringer Beschleunigungsspannung (z.B. 100 V). Als Kathoden werden hierbei entweder Hohl kathoden» die sich durch'
lonenbeschuss erhitzen, oder geheizte Glühkathoden verwendet. Entladungen
mit Hektronenquellen dieser Art werden im folgenden als
Niedervoltbögen bezeichnet. Dabei ist die laufende Zuführung eines inerten Gases (z.B. Argon) an die Kathode zweckmässig und ermöglicht
es, gutijebündelte Strahlen mit hoher Stromstärke bei geringer Beiijunusspannung
zu erzeugen. Das Gas dient zur Raumladungssalion,
wobei ein Plasma entsieht. Niedervoltbögen lassen sich
.durch Magnetfelder bündeln und zu dem zu verdampfenden Material führen
und haben den grossen Vorteil einer starken Aktivierung des Dampfes bzw. ResLyases in aer Beschichtungskammer. Der Nachteil bekannter
Anordnungen zur Verdampfung mittels Niedervoltbogens jedoch liegt darin,
dass damit bisher nur elektrisch leitende Materialien verdampft werden
konnten oder solche, die wenigstens bei der Verdampfungstemperatur elektrisch leitend sind. Aber auch refrakta're Metalle können damit oft
nur schwer verdampft werden, da die erzielbare Leistungsdichte nicht
ausreicht. Ausserdem wird bei wachsender Verdampfungsrate die Dampfdichte über dem zu verdampfenden Material immer grosser, wobei
der niederenergetische Elektronenstrahl des Niedervoltbogens seine
Energie dann zum grössten Teil im Dampf verliert und also nicht mehr genügend Energie an das zu verdampfende Material abgegeben
werden kann. Dies führt zu einer empfindlichen Begrenzung der im praktischen Betrieb erreichbaren Verdampfungsrate.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art zu entwickeln, welches weder in Bezug auf ·
die zu verdampfenden Materialien noch in Bezug auf die Aktivierung
des Dampfes bzw. des Restgases in der Beschichtungskammer den genannten
Beschränkungen unterliegt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass dem zu verdampfenden
Material mittels einer Elektronenkanone mit einer Elektronenenergie
grosser als ikeV zusätzliche Verdampfungsleistung zugeführt
wird. ·
Durch diese Massnahme ist es überraschenderweise möglich, praktisch
alle Materialien, das heisst auch extrem temperaturbeständige Metalle
und dielektrische Materialien nicht nur mit hoher Rate zu verdampfen
sondern gleichzeitig auch eine hohe Aktivierung des Dampfes und der gegebenenfalls in der Verdampfungskammer noch befindlichen bzw.
in diese zum Beispiel zwecks Durchführung einer reaktiven Verdamfpung eingelassenen Gase zu erzielen. Dabei bewirkt der Elektronenstrahl
mit einer kinetischen Energie der Elektronen von mehr als 1keV die
hohe Verdampfungsrate und zwar auch bei der Verdampfung elektrisch
schlecht leitender Materialien, und der Strom der niederenergetischen
Elektronen, dessen Stromstärke viel höher und deren Wirksamkeit für die Aktivierung und Ionisierung gleichzeitig viel grosser ist, vermag
dem Dampfstrom bzw. dem reaktiven Gas die erwünschte Aktivierung zu
erteilen.
Das erfindungsgemässe Verfahren bietet ausserdem den Vorteil, dass die
bei den bekannten Verfahren der Verdampfung mittels Niedervoltbogen
unvermeidliche Koppelung von Prozessparametern wie Verdampfungsrate,
Restgasdruck, Restgaszusammensetzung, Ionisierungsdichte usw. vermieden werden kann, sodass es möglich ist, sich den Erfordernissen des jeweiligen
Anwendungsfalls zum Beispiel im Rahmen eines Beschichtungsverfahrens
in optimaler Weise anzupassen.
Eine weitere Erfindungsaufgabe ist es, eine für die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens besonders geeignete Vorrichtung
anzugeben. Diese weist eine evakuierbare Verdampfungskammer, darin eine Haltevorrichtung für ein zu verdampfendes Material sowie eine
Elektronenquelle zum Beschuss des Materials mit Elektronen aus einer
Niedervoltbogenentladung auf und ist dadurch gekennz
ei chnet, dass in der Verdampfungskammer zusätzlich eine
Elektronenkanone zum Beschuss des Materials mit Elektronen mit einer Elektronenenergie von mehr als ikeV vorgesehen ist. Es wird empfohlen,
den Strahl der höherenergetischen Elektronen durch ein Magnetfeld zu führen und zu bündeln, wobei der dazu dienende Magnet gleichzeitig
auch zur Führung und Bündelung des Strahls der Elektronen aus der Niedervoltbogenentladung dienen kann. Wegen der unterschiedlichen Elektronenenergien
sind dafür nur besondere Feldformen und Elektronenstrahlbahnen
geeignet, wie aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen ersichtlich wird.
Die Figuren 1, 2 und 3 zeigen schematische Ausführungsbeispiele, bei
denen an sich bekannte Elektronenquellen für eine Niedervoltbogenentladung
und für einen Elektronenstrahl mit Elektronen von einigen keV
in eine Verdampfungskammer eingebaut worden sind; die Figuren 1-3 zeigen drei verschiedene AnordnungsmÖglichkeiten solcher Quellen.
• · ♦ · ·« « 4 β
Die Figur 4 zeigt dem gegenüber eine speziellere Anordnung, bei der die beiden Elektronenstrahlen koaxial zueinander sind und der
hochenergetische Elektronenstrahl die Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung
durchläuft. Figur 5 schliesslich betrifft eine ähnliche
Anordnung, bei der die beiden Elektronenstrahlen wiederum koaxial verlaufen, jedoch räumlich voneinander getrennt sind, wobei die
Elektronenquelle der Niedervoltbogenentladung die Elektronenstrahlkanone
für die Elektronen höherer Energie umfasst.
In allen Figuren ist die Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung
mit 1 und die Elektronenstrahl kanone, welche die Elektronen höherer
Energie liefert, mit 2 bezeichnet. Ferner zeigen alle Abbildungen einen Tiegel 3, in dem das zu verdampfende Material liegt, sowie einen
Auffänger 4, auf dem der erzeugte Dampf kondensiert werden kann. Letzterer kann z.B. durch die von einem Träger gehaltenen Substrate gebildet
werden, auf denen dünne Schichten des verdampften Materials niedergeschlagen werden sollen. Alle Figuren zeigen ausserdem einen Pumpstutzen
5 zur Evakuierung der Verdampfungskammer auf einen passenden
-4
Unterdruck, z.B. auf einen Druck von 10 mbar für die Aufdampfung von dünnen Schichten. Im letzteren Anwendungsfall wird der Substrathalter oft isoliert befestigt und während der Kondensation des Dampfes auf ein negatives Potential gelegt, um Ionen aus dem aktivierten Dampf und
Unterdruck, z.B. auf einen Druck von 10 mbar für die Aufdampfung von dünnen Schichten. Im letzteren Anwendungsfall wird der Substrathalter oft isoliert befestigt und während der Kondensation des Dampfes auf ein negatives Potential gelegt, um Ionen aus dem aktivierten Dampf und
dem Restgas (Plasma) auf die Substrate hin zu beschleunigen; man
spricht in diesem Fall von "Ionplating".
Der Stromkreis des Niedervoltbogens mit der Stromquelle 10 wurde
nur in den Figuren 1 und 2 eingezeichnet. Der Niedervoltbogen kann sowohl, auf Schwebepotential gehalten werden,d.h. ohne Verbindung mit
dem Gehäuse der Verdampfungskammer sein,oder auch mit einer Verbindung
des negativen Pols der Stromquelle 10 mit dem Gehäuse betrieben werden. Der positive Pol der Stromquelle 10 kann mit einer besonderen, isoliert
durch die Kammerwand hindurchgeführten Anode, oder mit dem Behälter
des zu verdampfenden Materials, also dem Tiegel, verbunden werden. Da in letzterem Falle der Tiegel gleichzeitig auch Ziel des Strahls
der Elektronen höherer Energie aus der Elektronenkanone 2 ist, müssen dann gegebenenfalls aus Gründen der Sicherheit Strompfade vorgesehen
werden, die verhindern, dass er bei eventuellem Ausfall des Niedervoltbogens zu hohe Spannungen annehmen kann. Dazu genügt z.B. ein Ueberbrückungswiderstand
von 22 Ohm zwischen dem Tiegel und dem Gehäuse, uvr
für den Betrieb des Niedervoltbogens eine kaum spürbare Belastung darstellt.
Weitere für den praktischen Betrieb einer Verdampfungseinrichtung nützliche Einzelheiten wurden der Übersichtlichkeit halber nicht dar-
gestellt, wie z.B. Kühlwasserkanäle, Ventile zum Einlass von Gasen in die Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung bzw. in
die Verdampfungskammer (z.B. um dort eine reaktive Verdampfung durchzuführen). Ferner können verschiedene Hilfsspulen zur Erzeugung
von Magnetfeldern vorgesehen werden, z.B. an der Kathodenkammer des Niedervoltbogens (wie in DT-OS 28 23 876 beschrieben), Hilfsvükuunipuiiipon
für den Betrieb der Elektronenquelle der energiereichen
Uoktrorien und verscniedene weitere Einrichtungen, wie aus der Fachliteratur
ja bekannt ist.
Für die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens werden die zu beschichtenden
Substrate an der der Dampfquelle zugewandten Seite der Haltevorrichtung 4 befestigt, das zu verdampfende Material in den
Tiegel 3 gegeben, sodann die Verdampfungskammer geschlossen und eva-
-4
kuiort. Nachdem ein Druck von etwa 10 mbar erreicht ist, lässt man in die Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung durch ein Ventil soviel Argon ein, dass der Druck im Re/ipienten auf etwa 10 mbar ansteigt. Darauf kann der Niedervo'ltbogen gezündet werden, und es fliessen z.B. 35 Ampere bei einer Spannung von 60 Volt zwischen Anode und Kathode. Der Substrathalter kann z.B. auf ein im Vergleich zum Bogenpiasma negatives Potential gelegt werden um, wie oben erwähnt, positive Ionen aus dem Plasma auf die Substrate hin zu beschleunigen.
kuiort. Nachdem ein Druck von etwa 10 mbar erreicht ist, lässt man in die Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung durch ein Ventil soviel Argon ein, dass der Druck im Re/ipienten auf etwa 10 mbar ansteigt. Darauf kann der Niedervo'ltbogen gezündet werden, und es fliessen z.B. 35 Ampere bei einer Spannung von 60 Volt zwischen Anode und Kathode. Der Substrathalter kann z.B. auf ein im Vergleich zum Bogenpiasma negatives Potential gelegt werden um, wie oben erwähnt, positive Ionen aus dem Plasma auf die Substrate hin zu beschleunigen.
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Der Ionenstroni über dem Substrathalter gehorcht den Gesetzmässigkeiten
einer Langmuir-Sonde und beträgt in dem gewählten Beispiel
2 Ampere. Wird also das Substrat auf ein Potential von -500 Volt gelegt, dann werden die Substrate einem Argonionenbeschuss mit einer
Leistung von 1 kW ausgesetzt.
Bei Führung des Niedervoltbogens durch ein passendes Magnetfeld
könnte man mit der beschriebenen Anordnung schon eine beachtliche Verdampfungsrate erzielen; die dafür benötigten Spulen wurden jedoch
im Ausführungsbeispiel nicht vorgesehen, weil mit dem erfindungsgemässen
zusätzlichen Einsatz eines Elektronenstrahls mit Elektronen
höherer Energie eine viel stärkere Erhöhung der Verdampfungsrate erzielt wird. Der Elektronenstrahl wird z.B. von einer sogenannten
Fernfokus - Elektronenquelle erzeugt und auf das zu verdampfende Material
im Tiegel gerichtet und ergibt z.B. bei einer Beschleunigungsspannung von 20 kV einen Strom von 0,3 A. Infolge der mit einem fokussierten
Elektronenstrahl erziel baren Leistungsdichte beim Aufprall
der Elektronen im Tiegel wird das Verdampfungsgut Örtlich sehr hoch erhitzt, sodass eine hohe Verdampfungsrate resultiert. Wenn man gleichzeitig
mit Beginn der Verdampfung ein Reaktionsgas in den Rezipienten einströmen lässt, werden sowohl die Moleküle dieses Gases als auch
der Dampf aus dem verdampften Material durch die Elektronen des Nieder-
voltbogens und durch die Argonionen aktiviert und teilweise ionisiert. Z.B. kann mit N^ als reaktivem Gas und mit Ti als
Verdampfungsmaterial auf den Substraten eine Titannitridschicht
abgeschieden werden. Diese Schicht entsteht unter dem ständigem Aufprall
von Titan-Stickstoff- und Argonionen und erhält so die gewünschte Haftfestigkeit und Dichte ("Reaktives Ion-Plating").
In einem zweiten AusfUhrungsbeispiel - siehe Figur 2 - wurde der aus den Elektronen mit hoher Energie bestehende Elektronenstrahl
durch ein Magnetfeld, dessen Feldlinien im wesentlichen senkrecht zur Zeichenebene verlaufen, auf das zu verdampfende Material gelenkt.
Dabei werden die Elektronen auf ihrem Weg von der Kathode zum Tiegel um '180° abgelenkt und gleichzeitig fokussiert. Die Elektronen aus
der Quelle 1 des Niedervoltbogens werden durch dieses Magnetfeld ebenfalls
abgelenkt, aber wegen der kleineren Bewegungsenergie dieser Elektronen ist der Krümmungsradius ihrer Bahnen im Magnetfeld erheblich
kleiner. Die Elektronen des Niedervoltbogens durchlaufen deshalb eine Art Zykloidenbahn. Die in Figur 2 eingezeichnete Bahn ist
nicht die eines einzelnen Elektrons sondern zeigt den mittleren Verlauf des Niedervolt-Elektronenstrahls an. Die Verlängerung des effektiven
Weges der Elektronen infolge der Zykloidenbahnen und die daraus sich
ergebende höhere Ionisation des Gases bzw. Dampfes in der Verdampfungs-
kammer ergibt einen um 20-40 Prozent erhöhten Wert des auf den
Substrathalter fliessenden Stromes bei gegebener Stromstärke des Niedervoltbogens. Da das Magnetfeld, welches die Elektronen aus
der Quelle 2 in den Tiegel umlenkt, den Bereich in unmittelbarer Nähe des Tiegels mit umfasst, betrifft diese zusätzliche Ionisierung insbesondere
auch den Dampf über dem Tiegel, und eben diese besonders hohe Aktivierung des Dampfes gestattet die hohe Verdampfungsrate der
Verdampferquelle mit schnellen Elektronen voll auszunutzen und Schichten
nach dem sogenannten Ion-Plating Verfahren herzustellen.
Der in Figur 2 gezeigte Verdampfer 2, kann eine bekannte Type mit 270"
Umlenkung des Elektronenstrahls sein. Die Elektronen werden hiebei mit
6-10 kV beschleunigt und die maximale Leistung beträgt 14 kW. Solche Verdampfer werden oft auch zur Herstellung von Schichten durch Aufdampfen
im Hochvakuum benützt. Mit der beschriebenen Anordnung können z.B. haftfeste Metallschichten auf metallischer Unterlage erzeugt werden.
Hiebei wird die gleiche günstige Morphologie mit einer hohen Packungsdichte der Moleküle erzielt, wie sie von Beschichtungen durch Verdampfung
im Niedervoltbogen ansich bekannt sind, hier jedoch mit einer
mehrfach höheren Verdampfungsrate gewonnen werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel soll anhand der Figur 3 erläutert
werden: In diesem werden beide Elektronenstrahlen durch ein zur Kanimerachse paralleles homogenes Magnetfeld von ihrer Quelle zum
Verdampfertiegel geführt, welches durch die beiden Spulen 6 erzeugt
wird. Die niederenergetischen Elektronen des Niedervoltbogens wandern
dabei im wesentlichen entlang der Feldlinien zum Tiegel, wobei Elektronen, die von dieser Richtung abweichen auf enge Schraubenbahnen
gezwungen werden. Auf diese Weise wird der Niedervoltbogen gebündelt
und trifft das zu verdampfende Material mit höherer Leistungsdichte als bei den anhand der Figuren 1 und 2 beschriebenen Beispielen
der Fall ist. Der Strahl der schnellen Elektronen wird dagegen schräg (aus der Zeichnungsebene heraus) zur Magnetfeldrichtung eingeschossen
und erreicht den Tiegel 3 nach einer halben Schraubendrehung. Man kann
so die Fokussierungseigenschaften eines homogenen Feldes bei 180° Ablenkung ausnützen.
Diese vorstehend beschriebene Anordnung hat, wie gesagt, den Vorteil,
dass durch ein und dasselbe Magnetfeld die beiden Elektronenstrahlen fokussiert werden. Allerdings muss die Stärke dieses Magnetfeldes der
Beschleunigungsspannung des Strahles der schnellen Elektronen sowie dessen Einschusswinkel und dem Abstand der beiden Elektronenquellen angepasst
werden. Z.B. beträgt bei einem Abstand der Elektronenstrahl-
Vi" IV
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kanone 2 von der Kathodenkammer 1 des Niedervoltbogens von 10 cm die
Höhe der Elektronenstrahl kanone über dem Tiegel 40 cm, und für eine
_3 Elektronenenergie von 10 keV muss dann ein Magnetfeld von 2 · 10
Tesla ausgewählt werden. Dieser Nachteil kann aber mit der Anordnung
der Figur 4 vermieden werden, wobei beide Elektronenstrahlen eine gemeinsame Achse aufweisen und ebenfalls den. Feldlinien des gleichen
Magnetfeldes folgen, welches wieder im einfachsten Falle homogen und parallel zur Kesselachse sein kann. Der Strahl der energiereichen
Elektronen wird hiebei durch die nach dem Verdampfungsraum zu offene
Kathodenkammer 1 geführt, welche die Elektronenquelle für den Niedervoltbogen
darstellt und diese kann wie auch in den bisherigen Beispielen sowohl eine Hohlkathode als auch eine Kathode mit Glühemission
sein. Der Niedervoltbogen benutzt bei eingeschaltetem Magnetfeld immer
die der Anode in der Verdampfungskammer zugekehrte Oeffnung der Kathodenkammer, das in diese eingelassene Gas, z.B. Argon, aber strömt auch
durch die obere Oeffnung in Richtung zur Elektronenquelle 2 des Strahls der schnellen Elektronen hin aus, was stört. Man kann diesen Effekt
jedoch durch Erhöhen des Strömungswiderstandes für das Gas, z.B. durch Einfügen von Blenden auf ein erträgliches Mass reduzieren.
Verglichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 kann im Beispiel der
Figur 4 ein für die Niedervoltbogenentladung optimales, stärkeres Magnet-
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feld unabhängig eingestellt werden. Dieses stärkere Magnetfeld ist
auch für den Durchtritt des Strahls der schnellen Elektronen durch die Kathodenkammer 1 von Vorteil. In der Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung
soll sich nämlich ein Gasdruck zwischen 10 bis 10 mbar einstellen. Das erfordert kleine Oeffnungen. Andererseits
darf der Durchtritt durch diese Kammer für den Strahl schneller Elektronen nicht durch zu kleine Oeffnungen begrenzt sein. Die Erfindung
ermöglicht, diese Forderungen zu erfüllen. Ein Verlust ist zwar immer noch messbar, wenn der Querschnitt des Strahles der schnellen
Elektronen von der idealen kreisförmigen Gestalt abweicht, doch wird dadurch die maximale Leistungsdichte auf dem zu verdampfenden Material
kaum mehr beeinträchtigt. Beim Durchtritt durch die.meist mit Edelgas
gefüllte Kammer 1 tritt zwar auch eine Richtungstreuung auf, aber auch
deren Auswirkung auf die Verdampfungsrate kann durch Einschalten des Magnets fast ganz eliminiert werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt die Figur 5, nämlich eine besonders
bevorzugte Anordnung mit zwei in einem Magnetfeld .auf derselben Achse
geführten, d.h. koaxialen Elektronenstrahlen· Der Niedervoltbogen wird
hierbei von der Glühkathode 11 in der Kathodenkammer 1 durch den Ringspalt 9 in den Rezipienten geleitet. Sein weiterer Weg zum Tiegel wird durch
das Magnetfeld bestimmt. So behält er die durch den Ringspalt 9 aufgeprägte rohrförmige Gestalt bis zum Tiegel.
Der Strahl der höherenergetischen Elektronen verläuft zuerst in einem gekühlten oder hochtemperaturfesten Rohr 7, welches durch die
Kathodenkammer 1 hindurchragt und gleichzeitig die Quelle und die
Beschleunigungsstrecke des hochenergetischen Elektronenstrahls gegen den erhöhten Gasdruck in der Kathodenkammer der Niedervoltbogenentladung
abschirmt. Auf diese Weise genügt eine Hochvakuumpumpe mit einem Saugvermögen von 100 Liter pro Sek., die am Pumpstutzen 8 angeschlossen wird, um ein hinreichendes Druckverhältnis zwischen den
beiden Elektronenstrahlquellen zu erzwingen. Der in den Rezipienten"
eintretende Strahl hochenergetischer Elektronen erreicht auf nahezu
geradem Wege, durch das Magnetfeld geführt, das zu verdampfende Material im Tiegel. Seine Bahn verläuft dabei in dem durch den Niedervoltbogen
gebildeten umhüllenden Rohr. Das Magnetfeld, das der Bündelung und Führung des Strahls der hochenergetischen Elektronen dient,
bewirkt gleichzeitig auch eine entsprechende Bündelung der Elektronen der Niedervoltbogenentladung. Da die Raumladung in der Verdampfungskammer durch Ionen kompensiert ist, welche aus Gasmolekülen erzeugt
wurden, die aus dem Verdampfungsgut stammen, ist die auf diesem erzielbare Energiedichte sehr hoch. Damit wird beispielsweise bei der
Verdampfung von Titan eine Erhöhung der Verdampfungsrate um den Faktor
25 gegenüber der bei der reinen Niedervoltbogen-Verdampfungs erzielbaren
Rate erreicht.
PR 8125 ζ
L e e r s e i t e
Claims (8)
1. Verfahren zum Verdampfen von Material unter Vakuum durch Beschuss
J
des zu verdampfenden Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung
zwischen einer Kathode und einer in der Verdampfungskammer befindlichen Anode dadurch gekennzeichnet,
dass dem zu verdampfenden Material mittels einer Elektronenstrahl kanone mit Elektronenenergierr grosser als
1 keV zusätzliche Verdampfungsleistung zugeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch !dadurch gekennzeichnet,
dass während des Betriebes laufend Gas dem Verdampfungsraum zugeführt und dieser durch Pumpen unter einem für den vorgesehenen
Verdampfungsprozess hinreichenden Vakuum gehalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch Idadurch gekennzeichnet,
dass ein Tiegel mit dem zu verdampfenden Material als Anode für den Niedervoltbogen dient.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit
einer evakuierbaren Verdampfungskammer, darin angeordneter Haltevorrichtung für ein zu verdampfendes Material und mit einer
Elektronenkanone zum Beschuss des Materials mit Elektronen mit einen Elektronenenergie von mehr als 1 keV dadurch gekennzeichnet,
dass zusätzlich eine Elektronenquelle zum Beschuss des Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung
vorgesehen ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch Ua d u rc h gekennzeich
net, dass die Elektronenquelle als Glühkathode ausgebildet und in einer von der Verdampfungskammer getrennten, mit dieser über
eine Wandöffnung in Verbindung stehenden Kammer angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4dadurch gekennzeich
net, dass Mittel zur Erzeugung eines Magnetfeldes zur gleichzeitigen
Führung und Bündelung der Niedervoltbogenentladung und
des Strahls der Elektronenkanone vorgesehen sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 4dadurch gekennzeichnet,
dass die Elektronenquelle zum Beschuss des Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung und die Elektronenkanone
eine gemeinsame Achse besitzen.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7dadurch gekennzeichnet,
dass die Elektronenquelle der Niedervoltbogenentladung die Elektronenkanone umgibt.
PR 8215 ζ
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| GB (1) | GB2095029B (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4336680A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4336681A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4421045A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material |
| DE10129507A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur plasmaaktivierten Bedampfung großer Flächen |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH658545A5 (de) * | 1982-09-10 | 1986-11-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum gleichmaessigen erwaermen von heizgut in einem vakuumrezipienten. |
| DE3406953C2 (de) * | 1983-04-19 | 1986-03-13 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum Erwärmen von Heizgut in einem Vakuumrezipienten |
| US5096558A (en) * | 1984-04-12 | 1992-03-17 | Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh | Method and apparatus for evaporating material in vacuum |
| CH664163A5 (de) * | 1985-03-01 | 1988-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum reaktiven aufdampfen von schichten aus oxiden, nitriden, oxynitriden und karbiden. |
| DE3615361C2 (de) * | 1986-05-06 | 1994-09-01 | Santos Pereira Ribeiro Car Dos | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| JPS6318064A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JPS6318058A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着装置 |
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| US4777908A (en) * | 1986-11-26 | 1988-10-18 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
| US4882198A (en) * | 1986-11-26 | 1989-11-21 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
| US5133845A (en) * | 1986-12-12 | 1992-07-28 | Sorin Biomedica, S.P.A. | Method for making prosthesis of polymeric material coated with biocompatible carbon |
| GB8701414D0 (en) * | 1987-01-22 | 1987-02-25 | Matthews A | Heating enhancement in physical vapour deposition |
| US4863581A (en) * | 1987-02-12 | 1989-09-05 | Kawasaki Steel Corp. | Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process |
| US4866239A (en) * | 1988-05-31 | 1989-09-12 | The Boc Group, Inc. | Vapor source assembly with crucible |
| US5234561A (en) * | 1988-08-25 | 1993-08-10 | Hauzer Industries Bv | Physical vapor deposition dual coating process |
| US4951604A (en) * | 1989-02-17 | 1990-08-28 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
| US5075181A (en) * | 1989-05-05 | 1991-12-24 | Kennametal Inc. | High hardness/high compressive stress multilayer coated tool |
| EP0413853B1 (de) * | 1989-08-21 | 1996-01-31 | Balzers Aktiengesellschaft | Beschichtetes Werkstück mit einer Mischkristallbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| ATE146010T1 (de) * | 1990-03-01 | 1996-12-15 | Balzers Hochvakuum | Vorrichtung und verfahren zum verdampfen von material im vakuum sowie anwendung des verfahrens |
| US5238546A (en) * | 1990-03-01 | 1993-08-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for vaporizing materials by plasma arc discharge |
| DE4006457C2 (de) * | 1990-03-01 | 1993-09-30 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Verdampfen von Material in einer Vakuumaufdampfanlage sowie Anlage derselben |
| DE4006456C1 (en) * | 1990-03-01 | 1991-05-29 | Balzers Ag, Balzers, Li | Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface |
| EP0470777A3 (en) * | 1990-08-07 | 1993-06-02 | The Boc Group, Inc. | Thin gas barrier films and rapid deposition method therefor |
| US5325747A (en) * | 1990-09-17 | 1994-07-05 | Kennametal Inc. | Method of machining using coated cutting tools |
| EP0549584B1 (de) * | 1990-09-17 | 1998-07-22 | Kennametal Inc. | Cvd- und pvd-beschichtete schneidwerkzeuge |
| US5250367A (en) * | 1990-09-17 | 1993-10-05 | Kennametal Inc. | Binder enriched CVD and PVD coated cutting tool |
| US5266388A (en) * | 1990-09-17 | 1993-11-30 | Kennametal Inc. | Binder enriched coated cutting tool |
| US5232318A (en) * | 1990-09-17 | 1993-08-03 | Kennametal Inc. | Coated cutting tools |
| US5250779A (en) * | 1990-11-05 | 1993-10-05 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for heating-up a substrate by means of a low voltage arc discharge and variable magnetic field |
| DE4035131C2 (de) * | 1990-11-05 | 1995-09-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Vorrichtung zum gleichmäßigen Erwärmen von Heizgut, insbes. von zu beschichtenden Substraten, in einer Vakuumkammer |
| CH683776A5 (de) * | 1991-12-05 | 1994-05-13 | Alusuisse Lonza Services Ag | Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre. |
| CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
| JPH0822483B2 (ja) * | 1993-08-05 | 1996-03-06 | 工業技術院長 | レーザ放電誘導式放電加工装置 |
| US5418345A (en) * | 1994-02-28 | 1995-05-23 | United Technologies Corporation | Method for forming shaped passages |
| JP2655094B2 (ja) * | 1994-08-30 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 電子銃蒸着装置 |
| US5753319A (en) * | 1995-03-08 | 1998-05-19 | Corion Corporation | Method for ion plating deposition |
| DE29615190U1 (de) * | 1996-03-11 | 1996-11-28 | Balzers Verschleissschutz GmbH, 55411 Bingen | Anlage zur Beschichtung von Werkstücken |
| US5750247A (en) * | 1996-03-15 | 1998-05-12 | Kennametal, Inc. | Coated cutting tool having an outer layer of TiC |
| DE19612344C1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur plasmaaktivierten Hochratebedampfung |
| DE19612345C1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-01-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum plasmaaktivierten Hochgeschwindigkeits-Bedampfen großflächiger Substrate |
| US6223683B1 (en) | 1997-03-14 | 2001-05-01 | The Coca-Cola Company | Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating |
| US5902462A (en) * | 1997-03-27 | 1999-05-11 | Krauss; Alan R. | Filtered cathodic arc deposition apparatus and method |
| BR9714875A (pt) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Balzers Hochvakuum | Ferramenta tendo um sistema de camada protetora |
| US6251233B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
| US7300559B2 (en) * | 2000-04-10 | 2007-11-27 | G & H Technologies Llc | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
| CA2305938C (en) * | 2000-04-10 | 2007-07-03 | Vladimir I. Gorokhovsky | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
| US6348764B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Indirect hot cathode (IHC) ion source |
| US6740378B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same |
| US6720052B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-04-13 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
| ITRM20010060A1 (it) * | 2001-02-06 | 2001-05-07 | Carlo Misiano | Perfezionamento di un metodo e apparato per la deposizione di film sottili, soprattutto in condizioni reattive. |
| US6599584B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-07-29 | The Coca-Cola Company | Barrier coated plastic containers and coating methods therefor |
| JP2005522572A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | エポキシド添加剤を含有する被膜用組成物及びそれを被覆した構造体 |
| US20050181177A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Jamie Knapp | Isotropic glass-like conformal coatings and methods for applying same to non-planar substrate surfaces at microscopic levels |
| DE102009019146B4 (de) * | 2009-04-29 | 2014-07-24 | THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH | Verfahren und Vorrichtung zur Hochratenbeschichtung durch Hochdruckverdampfen |
| EP2448662B1 (de) * | 2009-06-03 | 2016-04-06 | Ixys Corporation | Verfahren und vorrichtung zur umwandlung von kohlendioxid und zur behandlung von abfallmaterial |
| CN201864770U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-15 | 江苏淘镜有限公司 | 电子枪蒸发用坩埚 |
| US9422621B2 (en) * | 2013-10-30 | 2016-08-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Refractory metal barrier in semiconductor devices |
| CN112176293A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-05 | 杨雪 | 一种耐高温多弧离子真空镀膜装置及其镀膜方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL292036A (de) * | 1900-01-01 | |||
| US2998376A (en) * | 1956-10-29 | 1961-08-29 | Temescal Metallurgical Corp | High-vacuum evaporator |
| DE2519537C2 (de) * | 1975-05-02 | 1982-11-04 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Elektronenstrahlgerät für Heiz-, Schmelz- und Verdampfungszwecke mit Ablenksystemen |
| DE2624005C2 (de) * | 1976-05-28 | 1982-04-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf ein Substrat nach dem "Ion-plating"-Verfahren. |
| CH631743A5 (de) * | 1977-06-01 | 1982-08-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage. |
| FR2405111A1 (fr) * | 1977-10-07 | 1979-05-04 | Thomson Csf | Procede d'usinage par bombardement ionique et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
| CH619344B (de) * | 1977-12-23 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege. |
-
1981
- 1981-03-13 CH CH171981A patent/CH645137A5/de not_active IP Right Cessation
-
1982
- 1982-02-26 DE DE3206882A patent/DE3206882C2/de not_active Expired
- 1982-03-12 FR FR8204159A patent/FR2501725B1/fr not_active Expired
- 1982-03-12 US US06/357,719 patent/US4448802A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-03-12 JP JP57039259A patent/JPS57161062A/ja active Granted
- 1982-03-12 GB GB8207351A patent/GB2095029B/en not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NICHTS-ERMITTELT * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4336680A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4336681A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen |
| US5614273A (en) * | 1993-10-27 | 1997-03-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung, E.V. | Process and apparatus for plasma-activated electron beam vaporization |
| DE4336680C2 (de) * | 1993-10-27 | 1998-05-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4421045A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material |
| DE10129507A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur plasmaaktivierten Bedampfung großer Flächen |
| DE10129507C2 (de) * | 2001-06-19 | 2003-07-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur plasmaaktivierten Bedampfung großer Flächen |
| US7803255B2 (en) | 2001-06-19 | 2010-09-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Device for plasma-activated vapor coating of large surfaces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2501725A1 (fr) | 1982-09-17 |
| JPS57161062A (en) | 1982-10-04 |
| CH645137A5 (de) | 1984-09-14 |
| FR2501725B1 (fr) | 1985-06-28 |
| GB2095029A (en) | 1982-09-22 |
| US4448802A (en) | 1984-05-15 |
| JPS629188B2 (de) | 1987-02-26 |
| GB2095029B (en) | 1984-09-26 |
| DE3206882C2 (de) | 1985-04-11 |
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