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DE3043676A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen

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DE3043676A1
DE3043676A1 DE19803043676 DE3043676A DE3043676A1 DE 3043676 A1 DE3043676 A1 DE 3043676A1 DE 19803043676 DE19803043676 DE 19803043676 DE 3043676 A DE3043676 A DE 3043676A DE 3043676 A1 DE3043676 A1 DE 3043676A1
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semiconductor
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Description

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, speziell ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, durch welches bzw. bei der der Höhenunterschied zwischen einer Elementzone und einer Elementisolierzone oder !eldoxid-Filmzone vermindert ist.
Bei einer Halbleitervorrichtung wird zwischen den Halbleiterelementen ein Isolierfilm ausgebildet, um ein Element von dem anderen Element elektrisch zu isolieren. Die an die verschiedenen Elemente angeschlossenen leiter oder Drähte sind auf dem Isolierfilm angeordnet, um eine Elementisolation zu realisieren. Gemäß Fig. 1 ist beispielsweise ein Transistorbauelement gezeigt, mit einer Transistorelementzone A mit einem Sourcebereich 2 und einem Drainbereich 3» die in einem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet sind, weiter mit einem Gateoxidfilm 4 und mit einer darauf angeordneten Steuerelektrode 5» wobei diese Anordnung von einem Isolierfilm 6 umgeben ist, der aus SiO2 bestehen kann, um auf dem Substrat 1 eine Element-Isolation zu erreichen. Der Isolierfilm 6 zur Erzielung einer Element-Isolation bildet somit eine Elementisolierzone B, um dadurch das eine Element von
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dem benachbarten anderen Element elektrisch zu isolieren. Das Vorhandensein des dicken Isolierfilms führt unweigerlich zu einem Höhenunterschied zwischen der Elementzone A und der Elementisolierzone B. Wenn daher auf einem Isolierfilm 7 eine Aluminiumverbindung oder -verdrahtung 8 vorgesehen wird, besteht eine große Gefahr, daß die Verbindung bzw. der Draht 8 an dem abgestuften Abschnitt bricht, der durch den Höhenunterschied erzeugt wird. Dadurch wird jedoch ein einschneidendes Problem hinsichtlich der Zuverlässigkeit und hinsichtlich der Massenproduzierbarkeit der Halbleitervorrichtung verursacht. In Verbindung mit der large scale-Integrationstechnik einer Halbleitervorrichtung wird speziell die Musterbreite der Drahtverbindung als auch die Dicke derselben vermindert, so daß das Auftreten eines Bruches oder Verbindungsunterbrechung der Verdichtung zu einem noch ernsteren Problem wird.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das zuvor angedeutete Problem zu lösen und eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, deren Oberfläche dadurch geglättet ist, indem der Höhenunterschied zwischen einer Elementzone und einer Elementisolierzone vermindert ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe schafft die Erfindung ein Verfahren zur Ausbildung einer Schicht aus Halbleitermaterial, wie beispielsweise aus Silizium nur an einer freiliegenden Fläche des Halbleitersubstrats, die von einem Isolierfilm umgeben ist, wie beispielsweise einem Isolierfilm aus SiOg oder PSG- zur Erzielung einer Element-Isolation, was durch eine Beaufschlagung des Halbleitersubstrats mit einem Energiestrahl erreicht wird. Die Ausbildung der Siliziumschicht lediglich auf der freiliegenden Fläche des Halbleitersubstrate kann dadurch realisiert werden, indem man einen Energiestrahl nach der Ausbildung einer Polysilizium-Schicht auf die gesamte Fläche des Substrats auftreffen läßt, wobei
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der Isolierfilm für die Element-Isolation auf dem Substrat vorhanden ist oder indem man einen Energiestrahl während der Ausbildung der Polysilizium-Schicht auf dem Substrat durch Gasphasen-Wachstum auf das Substrat leitet.
Nach der vorliegenden Erfindung kann somit eine Siliziumschicht einer einkristallinen Struktur oder einer damit verwandten Struktur lediglich auf der freiliegenden Fläche des Substrats ausgebildet werden, die von dem Isolierfilm für eine Element-Isolation umgeben ist. Dadurch kann der Höhenunterschied zwischen der Elementzone und der Elementisolierzone vermindert werden oder im wesentlichen ausgeschaltet werden, wobei die Halbleiterelemente durch Eindiffundierung einer Verunreinigung in die Siliziumschicht hergestellt werden können.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung einer bekannten Halbleitervorrichtung mit einem großen Höhenunterschied zwischen einer Halbleiterelementzone und einer Elementisolierzone;
Fig. 2 bis 4 Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung verschiedener Prozesse entsprechend einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit vermindertem Höhenunterschied gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung einer Ausführungsform eines Gerätes zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung.
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Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel mit Merkmalen nach, der Erfindung unter Hinweis auf die Zeichnungen näher erläutert. Gemäß Fig. 2 wird ein SiO2-PiIm mit einer Dicke von ca. 1 μια auf einem Siliziumsubstrat 21 mit Hilfe eines herkömmlichen Verfahrens ausgebildet ι wobei ein SiO2-FiIm 22 zur Erzielung einer Element-Isolation und einer freiliegenden Fläche 23 des Substrats 21 an einem Öffnungsabschnitt des SiOg-Films 22 durch selektives Ätzen ausgebildet werden. Die dann erhaltene Struktur wird in eine Reaktionskammer eingebracht und es wird dann eine Polysiliziumschicht in einer Dicke von ca. 7 000 A auf dem Substrat 21 dadurch ausgebildet! indem man ein Silangas, wie beispielsweise Monosilan in die Kammer einleitet, wobei die Temperatur gemäß einem herkömmlichen Verfahren auf z.B. 6000C gehalten wird. Gleichzeitig mit der Ausbildung der polykristallinen Siliziumschicht entsprechend einem Gasphasen-Wachstum, wird das Substrat 21 mit einem Laserstrahl beaufschlagt. Dies kann derart erfolgen, daß ein dicker oder breiter Laserstrahl die gesamte Fläche des Substrats beaufschlagt oder es kann gemäß einer weiteren Ausftthrungsform das Substrat von einem schmalen Laserstrahl abgetastet werden. Neben einem Laserstrahl können auch andere Energiestrahlen, wie beispielsweise ein Elektronenstrahl, ein Ionenstrahl usw. verwendet werden. Durch die Bestrahlung mit dem Energiestrahl wird lediglich auf der freiliegenden Fläche 23 des Substrats 21 eine Siliziumschicht 24 ausgebildet, wie dies in Fig. 3 veranschaulicht ist.
Es sei darauf hingewiesen, daß das Silizium lediglich auf der freiliegenden Fläche 23 des Substrats 21 niedergeschlagen wird und nicht auf dem Isolierfilm 22, und zwar aufgrund eines Unterschiedes in der thermischen Leitfähigkeit zwischen dem Substrat 21 und dem Isolierfilm 22 aus SiO2. Die an die freiliegende Fläche 23 durch den Energiestrahl abgegebene Wärmeenergie diffundiert nämlich, in das
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Substrat 21, wobei keine Beeinflussung des Niederschlag-Vorganges von Silizium stattfindet. Bei dem Isolierfilm 22, der aus SiOp-Material besteht, ergibt sich eine schlechte thermische Leitfähigkeit, so daß also die an den Isolierfilm abgegebene Wärmeenergie nicht zerstreut wird oder wegdiffundiert, sondern sich auf der Fläche konzentriert, so daß das niedergeschlagene Silizium verteilt oder zerstreut wird und sich somit keine Siliziumschicht ausbilden kann. Die Bestrahlungsbedingungen mit dem Energiestrahl können in einem solchen Bereich liegen bzw. so ausgewählt werden, daß sich eine Wärmeenergie ergibt, durch die das Silizium zumindest über dem Isolierfilm für die Element-Isolation zerstreut wird. Bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel wurde beispielsweise ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 1,06 μπι, einer Schwingfrequenz von 10 kHz, einer Impulsbreite von 200 nsec, einem Strahldurchmesser von 50 μπι, einer Abtastgeschwindigkeit von 80 mm/sec und einer Energiedichte von 6 bis 10 J/cm verwendet .
Geschmolzen und rekristallisiert durch den Energiestrahl besitzt die in der geschilderten Weise hergestellte Siliziumschicht 24 eine einkristalline Struktur oder eine dieser Struktur ähnliche Struktur. Daher kann auch ein herkömmliches Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung auf der Siliziumschicht 24 zur Anwendung gebracht werden. Beispielsweise wird gemäß Fig. 4 ein Gate-Oxidfilm 25 und eine Steuerelektrode 28 auf der Siliziumschicht 24 ausgebildet und in der Schicht 24 wird ein Sourcebereich 26 und ein Drainbereich 27 ausgebildet. Eine in der geschilderten Weise hergestellte Elementzone liegt im wesentlichen auf der gleichen Höhe wie der Isolierfilm 22 für die Element-Isolation oder der Höhe der Elementisolationszone. Demzufolge kann eine Elektrode oder eine
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Drahtverbindung 30» die über diese Zonen über einem Isolierfilm 29 ausgebildet wird, niemals brechen oder eine Leitungsunterbrechung bilden.
Obwohl der Energiestrahl gleichzeitig mit dem Gasphasen-Wachstum des polykristallinen Siliziums bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel zur Anwendung gebracht wird» kann dies auch nach dem Gasphasen-Wachsturn der polykristallinen Siliziumschicht erfolgen. In diesem Fall wird eine polykristalline Siliziumschicht auf der gesamten Fläche niedergeschlagen» und zwar inklusive der freiliegenden Substratfläche und dem Isolierfilm für die Element-Isolation. Die polykristalline Siliziumschicht auf dem Isolierfilm für die Element-Isolation wird jedoch zerstreut und sie verschwindet durch die Bestrahlung mit dem Energiestrahl, so daß eine Siliziumschicht mit einer einkristallinen Struktur oder einer damit verwandten Struktur nur auf der freiliegenden Substratfläche zurückbleibt.
Im folgenden soll nun ein Gerät zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung erläutert werden. Dieses Gerät umfaßt eine Reaktionskammer für das Gasphasenwachstum und Mittel zum Zuführen eines Energiestrahls auf die Flächen der Halbleitersubstrate» die in der Kammer angeordnet sind. Unter Hinweis auf Fig. 5 soll nun ein Ausführungsbeispiel eines solchen Gerätes erläutert werden. Ein Probenauflageteil 42 ist auf dem Boden eines Reaktionsbehälters 41 angeordnet, der eine Reaktionskammer 40 bildet und es sind verschiedene Substrate 43» auf denen ein Isolierfilm für eine Element-Isolation gemäß Fig. 2 ausgebildet werden soll, auf die Unterlage 42 aufgelegt. Eine Heizeinrichtung 44 ist unterhalb des Probeauflagenteils 42 angeordnet und regelt die Temperatur für das Gasphasen-Wachsturn. Eine Einlaßöffnung 45 für ein Gas, wie beispielsweise Silangas, ist
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am oberen Bereich des Reaktionsbehälters 41 ausgebildet und eine Gasauslaßöffnung 46 befindet sich am Bodenbereich des Behälters 41. Am oberen Bereich des Reaktionsbehälters 41 ist ein EnergieStrahlgenerator 47 befestigt, wie beispielsweise ein Nd:YAG-Lasergenerator von einem Dauer-Q-Schalttyp. Wenn der Strahldurchmesser zu klein ist, um die gesamte Fläche jeder Probe gleichzeitig zu bestrahlen, so wird die gesamte Probenfläche mit dem Energiestrahl abgetastet, und zwar unter Verwendung einer Strahlablenkeinrichtung 48, wie beispielsweise eines Laserreflektors.
Erfindungsgemäß kann nun eine Siliziumschicht mit einer einkristallinen Struktur oder einer damit verwandten Struktur einfach dadurch auf einer freiliegenden Fläche des Substrats ausgebildet werden, die von einem Isolierfilm für eine Element-Isolation umgeben ist. Durch die Ausbildung eines Halbleiterelements auf der Siliziumschicht wird der Höhenunterschied zwischen einer Elementzone und einer Elementisolierzone beseitigt, so daß dadurch nicht mehr die Gefahr eines Bruches der Aluminiumdrahtverbindung oder -drahtverbindungen besteht. Trotz der Verminderung der Dicke der Aluminiumdrahtverbindungen und trotz Verminderung der Breite dieser Verbindungen entsprechend einer large scale-Integrationstechnik kann ein Brechen oder eine Unterbrechung der Leitungsverbindungen nicht mehr so einfach auftreten und es wird im Endeffekt die Zuverlässigkeit der hergestellten Halbleitervorrichtung wesentlich verbessert. Darüber hinaus läßt sich durch geeignete Auswahl der Materialien für den Isolierfilm zur Erzielung einer Element-Isolation und der Siliziumschicht auf der freiliegenden Substratfläche die Wirksamkeit der Element-Isolation der Isolierzone erhöhen, wobei gleichzeitig die Gesamtgröße reduziert werden kann und die large scale-Integrationstechnik einfacher gestaltet wird.
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Zusammenfassend wird also erfindungsgemäß bei einem Gasphasen-Wachstum einer Polysilizium-Schicht auf einem Halbleiter sub st rat eine Siliziumschicht mit einkristalliner Struktur oder einer damit verwandten Struktur in einfacher Weise auf einer freiliegenden Fläche des Substrats ausgebildet» die von einem Isolierfilm für eine Element-Isolation umschlossen ist» was durch Beaufschlagung des Substrats mit einem Energiestrahl erreicht wird. Eine Halbleitervorrichtung, die durch Ausbildung eines Bauelements» wie beispielsweise eines MOS-Transistors auf der Siliziumschicht erhalten wird» zeigt keinerlei Höhenunterschied zwischen einer Elementzone und einer Elementisolierzone» so daß die Gefahr eines Bruches oder einer Verbindungsleitungsunterbrechung ausgeschaltet wird.
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Claims (8)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung» ge mäß welchem auf einem Halbleitersubstrat durch Gasphasen-Wachstum eine polykristalline Siliziumschicht niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte
    Fläche des Halbleitersubstrats, welches einen Isolierfilm zur Erzielung einer Element-Isolation und eine freiliegen de Fläche an einem Öffnungsabschnitt des Isolierfilms auf weist, mit einem Energiestrahl beaufschlagt wird, so daß
    dadurch eine Siliziumschicht lediglich auf der freiliegen den Fläche des Substrats ausgebildet wird und dadurch
    Halbleiterelemente auf der Siliziumschicht ausgebildet
    werden können.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
    die gesamte Fläche des Halbleitersubstrats, nachdem die polykristalline Siliziumschicht auf der gesamten Fläche des Substrats niedergeschlagen wurde, mit dem Energiestrahl beaufschlagt wird.
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  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Fläche des Halbleitersubstrats mit dem Energiestrahl beaufschlagt wird, während die polykristalline Siliziumschicht auf dem Substrat durch Gasphasen-Wachstum niedergeschlagen wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Energiestrahl aus einem laserstrahl, Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl besteht.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus Silizium besteht und daß der Isolierfilm für die Erzielung einer Element-Isolation aus SiGg oder PSG besteht.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumschicht eine einkristalline Struktur oder eine damit verwandte Struktur aufweist und lediglich auf der freiliegenden Fläche des Substrats ausgebildet wird, die von dem Isolierfilm zur Erzielung einer Elementisolation umgeben ist.
  7. 7. Gerät zur Durchführung eines Gasphasen-Wachstums, bestehend aus einem Reaktionsbehälter mit einem Probenauflageteil für die Abstützung von Halbleitersubstraten, einer unter dem Probenauflageteil angeordneten Heizeinrichtung, einer Gaseinlaßöffnung und einer Gasauslaßöffnung für das Gasphasen-Wachstum, zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, um die Oberfläche jedes der Halbleitersubstrate auf dem Probenauflageteil mit einem Energiestrahl zu beaufschlagen.
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  8. 8. Gerät nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet! daß die Einrichtung zur Erzeugung des EnergieStrahls aus einem Lasergenerator und einem Laserreflektor besteht.
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DE3043676A 1979-11-22 1980-11-19 Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Siliziumschicht auf gewünschten Bereichen eines Halbleitersubstrats Expired DE3043676C2 (de)

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