DE2938122A1

DE2938122A1 - Transistorschaltkreis und verfahren zu dessen betrieb

Info

Publication number: DE2938122A1
Application number: DE19792938122
Authority: DE
Inventors: Richard H Baker
Original assignee: Exxon Research and Engineering Co
Current assignee: ExxonMobil Technology and Engineering Co
Priority date: 1978-09-21
Filing date: 1979-09-20
Publication date: 1980-04-10
Also published as: FR2437115B1; GB2032212A; US4246501A; FR2437115A1; GB2032212B; CA1125871A; JPS5542500A

Description

PATENTANWÄLTE 2938122 DR. KARL TH. HEGEL · DIPL.-ING. KLAUS DICKEL

GROSSE BERGSTRASSE 223 2000 HAMBURG 50 JULIUS-KREIS-STRASSE 33 8000 MÜNCHEN 60

POSTFACH 500662 TELEFON (040) 3962 95 TELEFON (089) 885210

Telegramm-Adresse: Deollnerpatent München

L J

IhrZekhen: Unser Zeichen: H 3003 8000 München, den 22. August 1979

EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY

P. O. BOX 55

Linden, N. J. 07036, V. St. A. Transistorschaltkreis und Verfahren zu dessen

Betrieb

Beschreibung ;

Die Erfindung bezieht sich auf Transistorschaltkreise und im besonderen auf eine Leistungstransistorschaltung mit schnellen Einschalt- und Ausschaltzeiten bei einem minimalen Leistungsverlust.

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Postscheckkonto: Hamburg 291220-205 ■ Bank: Dresdner Bank AG. Hamburg, Kto.-Nr. 3813897

Der Betrieb von Transistoren unmittelbar von einem ausgeschalteten Zustand in ihren gesättigten Zustand erzeugt schnelle Einschaltzeiten, jedoch langsame Ausschaltzeiten als Folge von Speicherverzögerung. Der erhöhte Basisstrom, der erforderlich ist, um den Transistor zur Sättigung zu treiben, bewirkt eine Ansammlung gespeicherter Ladung in dem Basisbereich, die entfernt werden muß, bevor der Transistor abgeschaltet werden kann. Die Zeit, die zur Entfernung dieser angesammelten Ladung erforderlich ist, kennt man als Speicherzeit t_. Während der letzten 20 Jahre sind verschiedene Schemata ausgelegt worden, um die Speicherzeit-verzögerung zu überwinden zur Verringerung der Abschaltzeit der Transistoren, indem man den Transistor nicht in gesättigtem Zustand arbeiten ließ. Wenn eine Transistor in seinem ungesättigten Bereich betrieben wird, ist der Spannungsabfall über seine Kollektor-Emitterelektroden (V__) größer als wenn der Transistor in seinem gesättigten Zustand betrieben wird. Außerdem besitzt ein Transistor, der in seinem ungesättigten Stadium betrieben wird, einen viel höheren Durchlaßbereich sowie eine schnellere Abschaltzeit in bezug auf den Betrieb in seinem gesättigten Zustand. In Niederleistungsschaltkreisen ist der Betrieb im ungesättigten Zustand erstrebenswert, um eine schnelle Abschaltzeit zu erzielen, wobei die erhöhte V__-Spannung nur eine geringe Konsequenz besitzt, da sie nur einen vernachlässigbaren Anstieg der Leistungsverluste des Transistors bewirkt. Im Gegensatz dazu ist bei Hochleistungstransistorschaltkreisen die schnelle Ab-

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schaltzeit ebenfalls sehr erstrebenswert, aber der beobachtete Anstieg bei der V_c„-Spannung während des Betriebes in einem ungesättigten Zustand ist in bezug auf seinen gesättigten Zustand unerwünscht, da hierdurch der Leistungsverlust des Transistors erheblich ansteigt.

Der Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, einen Transistorschaltkreis so auszulegen, daß bei kurzen Einschalt- und Ausschaltzeiten der Leistungsverlust möglichst gering ist.

Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung durch die in den Ansprüchen angegebenen Merkmale. Hiernach wird ein hinreichend hoher Stromfluß in der Basiselektrode eines Ausgangstransistors erzeugt, um ihn schnell in Sättigung zu treiben und hierdurch die schnellste Einschaltzeit zu erzielen. Der Transistor wird in Sättigung während eines wesentlichen Teiles seiner Betriebsdauer gehalten, um den Transistor mit dem niedrigsten Leistungsverlust zu betreiben. Eine kurze Zeit, bevor man den Ausgangstransistor ausschalten will, wird eine Diode zwischen die Basis- und Kollektorelektroden des Transistors gelegt, um einen Teil des Basisatromes von der Basiselektrode zur Kollektorelektrode abzuleiten, wobei man den Transistor außer Sättigung bringt und hierauf ein schnelleres Ausschalten des Transistors ermöglicht.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung

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werden anhand der nachfolgenden Beschreibung verschiedener Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlich. Dabei zeigt im einzelnen:

Figur 1 ein Schematisches Diagramm eines in Sperrichtung begrenzten Transistorschaltkreises zum Betrieb eines Ausgangstransistors nur in einem ungesättigten Zustand,

Figur 2 ein schematisches Schaltdiagramm einer weiteren

Ausführungsform der in Figur 1 dargestellten herkömmlichen Schaltung,

Figur 3 ein schematisches Schaltdiagramm einer Ausführungsform der Erfindung und

Figur 4 ein schematisches Schaltdiagramm einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.

Anhand der Figur 1 wird ein Verfahren und eine Einrichtung herkömmlicher Art beschrieben zur Verhinderung der Sättigung eines Transistors durch Begrenzung in Sperrichtung, wie dies in der US-PS 3 010 031 beschrieben ist. Um sicherzustellen, daß die Kollektor/Basisverbindung des Transistors 1 nie in Leitrichtung (zur Verhinderung der Sättigung) geschaltet ist, ist es erforderlich, daß die Spannung über die Diode 3 größer ist als die Spannung über die Diode 5. Um maximale Geschwindigkeiten zu erhalten, muß die Erholzeit der Diode von dem in Vorwärtsrichtung betriebenen Zustand in den in

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Sperrichtung betriebenen Zustand kurz sein in bezug auf diejenige des Transistors 1, wenn er von einem ungesättigten Zustand in den ausgeschalteten Zustand übergeht. Der Schaltbetrieb beruht auf der nicht linearen Rückkopplung, die durch die beiden Dioden 3 und 5 zwischen den Kollektor- und Basiselektroden gegeben ist. Wenn der KoIlektrstrom I ansteigt als Folge der Stromverstärkung (h_f ), steigt der Strom durch die Diode 5 an. Dies führt dazu, daß ein Teil des Basisstroms I. von der Basiselektrode zur Kollektorelektrode über den Stromleitungsweg abgeleitet wird, der durch die Diode 5 gebildet wird, wodurch verhindert wird, daß der Transistor in Sättigung übergeht. Die Punktion der Diode 3 liegt darin, daß man es ermöglicht, daß der Basisstrom des Transistors durch die Diode 5 zur KoIIetorelektrode kanalisiert wird, auch wenn die Kollektor- und Basiselektroden das gleiche Potential besitzen. Obwohl die Begrenzung in Sperrichtung die Spannung V"_CE des Transistors 1 beim Einschalten erhöht, besitzt dieser Transistor einen viel höheren Durchlaßbereich während seines "Ein*'-Zustandes und dementsprechend eine schnelle Abschaltzeit, wie dies eingangs erwähnt wurde. Es ist noch anzuführen, daß eine Last 7 zwischen die Anschlußklemme 9, an welcher eine Betriebsspannung +V anliegt, und die Ausgangsklemme 11 geschaltet ist. Wie in der Zeichnung ebenfalls dargestellt ist, liegt zwischen den Anschlüssen der Dioden 3 und 5 und der Eingangsklemme 15 ein Strombegrenzungswiderstand 13. Eine zweite Eingangs- oder Bezugsspannungsquelle 17 ist dargestellt zur Aufnahme eines Bezugspotentials oder zum Anschluß an einen Punkt des Bezugs-

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potentials. Steuerimpulse werden an die Klemmen 15 und 17 angelegt, um den Transistor 1 einzuschalten, wenn die Steuerimpulse ein relativ "hohes" Spannungsniveau besitzen (in diesem Beispiel ein positives Niveau) und um den Transistor abzuschalten beim Niveau des Bezugspotentials-Erdung in diesem Fall - oder einem negativen Spannungsniveau. Wenn es sich bei der Steuerimpulsquelle um eine Stromquelle handelt, kann der Widerstand 13 wegfallen, während dann, wenn die Steuerimpulsquelle eine Spannungsquelle ist, der Widerstand 13 bevorzugt vorgesehen sein sollte.

In Figur 2 ist eine modifizierte Abwandlung der Schaltung gemäß Figur 1 dargestellt. Die Modifizierung besteht darin, daß die Diode 3 durch eine Beschleunigerschaltung ersetzt ist mit einem Widerstand 19, der parallel zu einem Beschleunigerkondensator 21 geschaltet ist, wie gezeigt. Die Impedanz dieser Beschleunigerschaltung 19, 21 muß größer sein als die Impedanz der Diode 5, wenn diese in Leitrichtung betrieben wird, um sicherzustellen, daß der Transistor 1 nur in seinem ungesättigten Zustand betrieben werden kann. Der Kondensator 21 wirkt, wie dem Fathmann bekannt ist, als Kurzschluß im Augenblick des Anlegens eines positiv gehenden Steuerimpulses, um den Transistor 1 einzuschalten und dadurch das Einschalten dieses Transistors zu beschleunigen. Nach einer kurzen Zeitdauer wird der Kondensator 21 aufgeladen und der Basisstrom, der den Transistor 1 eingeschaltet hält, fließt in erster Linie durch den Widerstand 19 der

Beschleunigerschaltung, wobei ein Teil des Basisstromes über

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die Diode 5 zur Kollektorelektrode des Transistors 1 abgeleitet wird, wie dies weiter oben beschrieben worden ist.

In Figur 3 ist eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung dargestellt. Die in Sperrichtung begrenzte Diode 5 kann selektiv an den Schaltkreis angeschlossen oder herausgenommen werden über ein Einschalten und ein Ausschalten des Schalttransistors 23, wie noch beschrieben werden wird. Wenn der Transistor 23 eingeschaltet ist über das Anlegen eines Impulses mit negativer Polarität oder eines "niedrigen" Steuerimpulses über die Eingangsklemmen 29 und 31, nimmt die relative Impedanz zwischen den Kollektor- und EmitteeLektroden des Transistors 23 wesentlich ab, womit effektiv die in Sperrichtung begrenzte Diode 5 zwischen die Kollektorelektrode des Ausganges des Transistors 1 und den gemeinsamen Anschluß des Widerstandes 13 und der Diode 25 gelegt wird. Dementsprechend arbeitet jeweils dann, wenn der Transistor 23 in dieser Weise eingeschaltet ist, die Schaltung in der gleichen Weise wie diejenige gemäß Figur 1. Bei eingeschaltetem Transistor 23 ist der Ausgangstransistor 1 nicht leitend, wenn der Steuerimpuls, der an die Klemmen und 17 gelegt ist, "niedrig" ist (bei einem negativen Potential in bezug auf die Erdung) oder der Transistor 1 ist eingeschaltet in einem ungesättigten Zustand, wenn das Steuersignal, das an die Klemmen 15 und 17 angelegt ist, "hoch" ist (bei einem positiven Potential in bezug auf die Erdung in diesem Beispiel). Wie bereits vorher erwähnt, sorgt der Betrieb des Ausgangstransistors 1 in einem ungesättigten

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Stadium für eine schnelle Ausschaltzeit, die jedoch auf Kosten eines hohen Leistungsverlustes geht infolge der relativ hohen "Ein"-Spannung über die Kollektor-Emitterelektroden dieses Transistors zu dieser Zeit.

Wenn der Transistor 23 abgeschaltet ist über die Anlage eines "Hoch"-Niveau-Steuersignals an der Eingangsklemme 29, kann der Ausgangstransistor 1 entweder eingeschaltet sein über die Anlage eines "Niedrig"-Niveau-Steuerimpulses an der Eingangsklemme 15, oder er kann eingeschaltet und im Sättigungszustand sein über die Anlage eines "Hoch"-Niveau-Steuerimpulses an der Eingangsklemme 15. Wie bereits vorher erwähnt worden ist, sorgt der Betrieb des Transistors 1 in einem gesättigten Zustand für eine langsame Abschaltzeit bei jedoch geringem Leistungsverlust relativ zum ungesättigten Stadium. Es kann dementsprechend die vorteilhafte Kombination einer schnellen Abschaltzeit und eines niedrigen Leistungsverlustes erzielt werden, indem man den Transistor 23 zu gewissen vorbestimmten Zeiten ein- und ausschaltet, wie noch zu erläutern sein wird.

Geht man davon aus, daß die Steuerimpulse, die an die Bingangsklemme 29 und 15 gelegt sind, beide "hoch" sind. Eine derartige Impulsgabe bewirkt, daß der Transistor 23 ausgeschaltet wird und der Ausgangstransistor 1 in einem gesättigten Zustand bei niedrigem Leistungsverlust arbeitet- Wie oben erwähnt wurde, würde der Betrieb des Ausgangstransi;tors I in einem gesättigten Zustand bewirken, daß dieser Tsansistor langsamer ausschaltet-, als ve- #»1ογτ· a'igesät+.iq'^n :stand.

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ORIGINAL INSPECTED

Wenn jedoch der Steuerimpuls, der an die Eingangklemme 29 gelegt wird, erniedrigt wird, beispielsweise ungefähr 10 MikroSekunden, bevor das Ausschalten des Ausgangstransistors 1 eingeleitet wird, indem man den angelegten Steuerimpuls erniedrigt, wird ein verbesserter Betrieb der Transistorschaltung erzielt. Bevor der Transistor 23 eingeschaltet wird, arbeitet der Ausgangstransistor in einem gesättigten Stadium und ist mit einem niedrigen Leistungsverlust verbunden für einen wesentlichen Teil der gesamten Betriebszeit. Wenn der Transistor 23 eingeschaltet ist, wird der Ausgangstransistor 1 aus der Sättigung heraus in einen ungesättigten Zustand getrieben, wie dies bereits beschrieben worden ist. Hierauf kann der Ausgangstransistor 1 schnell ausgeschaltet werden, ohne die Abschaltzeitverzögerung, die mit der Ladungsansammlung in dem Basisbereich verbunden ist, wegen des Betriebes in einem gesättigten Zustand. Darüber hinaus ist, da der Ausgangstransistor 1 nur während einer relativ kurzen Zeitdauer in einem ungesättigten Zustand betrieben wird - 10 Mikrosekunden minus der Speicherverzögerung t in diesem Beispiel -, der besondere Leistungsverlust, der mit einem Ausgangstransistor 1 verbunden ist, welcher in einem ungesättigten Zustand arbeitet, vernachlässigbar. Dies liegt daran, daß die vorliegende Anordnung die Speicherverzögerung

t umgeht und der Ausgangstransistor dementsprechend in StMrs

kerem Maße in Sättigung getrieben werden kann als dies sonst möglich wäre, wodurch eine tatsächliche Abnahme des gesamten Leistungsverlustes dieses Transistors 1 in bezug auf einen weniger gesättigten Betrieb erzielt werden kann.

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Die Diode 5 muß, wie bereits vorher erwähnt wurde, eine kurze Erholzeit besitzen. Die Diode 5 dient außerdem einem doppeltem Zweck, indem sie einen Stromrückkopplungsweg darstellt, wenn der Transistor 23 und der Ausgangstransistor 1 zur gleichen Zeit eingeschaltet sind, während die hohe Spannung von der Kollektorelektrode des Transistors 23 blockiert wird, wenn der Ausgangstransistor 1 abgeschaltet ist. Dementsprechend kann der Lasttransistor 23 ein Bauelement von geringer Impulsstärke, geringer Geschwindigkeit, niedriger Spannung und niedriger Leistung sein. Da außerdem der Transistor 23 ein PNP-Transistor ist, können die Steuerimpulse, die an die Eingangsklemme 19 und 29 gelegt werden, die gleiche Polarität besitzen und von gleicher Impulsgröße sein, vorausgesetzt, daß der Impuls, der an die Eingangsklemme 15 gelegt ist, eine hinreichende Verzögerung von dem Eingangsimpuls besitzt, der an die Klemme 29 gelegt ist. Außerdem können, wie die Figur 4 zeigt, die Dioden 3 und 25 ersetzt werden durch eine Beschleunigerschaltung des Widerstandes und hierzu parallel geschalteten Kondensators 21, wie bereits erwähnt wurde. Es ist erforderlich, daß die Impedanz der Beschleunigerschaltung 19, 21 größer ist als die Summe der Impedanzen zwischen den Kollektor-Emitterelektroden des Transistors 23 in eingeschaltetem Zustand und der Impedanz der Diode 5, wenn diese in Leitrichtung betrieben wird. Hierdurch ist sichergestellt, daß der Spannungsabfall über die Beschleunigerschaltung 19, 21 immer größer ist als der Spannungsabfall über die Kollektor-Emitterelektroden des Transistors 23 in eingeschaltetem Zustand zusammen mit dem Spannungsabfall über die Diode 5 in Leitrichtung betrieben.

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Außerdem ist noch anzuführen, daß die vorliegende torgesteuerte Begrenzungseinrichtung gemäß den Figuren 3 und 4 sich für jede Leistungsschaltung eignet, die NPN oder PNP Transistoren oder Darlington oder auch Hochleistungsblöcke statt des Ausgangstransistors 1 verwendet. Die Strombegrenzungswiderstände 27 und 13 sind allgemein erforderlich, wie dies bereits zum Ausdruck gebracht worden ist, wenn die Steuerimpulsquelle oder -quellen Spannungsquellen sind, während sie im allgemeinen nicht erforderlich sind, wenn es sich bei den Steuerimpulsquellen um Stromquellen handelt. Bei dem Transistor 23 handelt es sich bevorzugt um einen PNP-Transistor, der, wie dargestellt angeschlossen ist, aber dem Fachmann ist bekannt, daß ein Silicon-gesteuerter Gleichrichter, ein NPN-Transistor oder auch andere Schalteinrichtungen den PNP-Transistor 23 ersetzen können.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE ;

Transistorschaltkreis mit einem Ausgangstransistor, der eine Basis-, eine Emitter- und eine Kollektorelektrode aufweist sowie eine Last, die zwischen eine Betriebsspannung und die Kollektorelektrode geschaltet ist, während ein Bezugspotential an die Emitterelektrode angeschlossen ist sowie eine Impedanzeinrichtung zwischen einer Eingangsklemme zur Aufnahme eines ersten Steuerimpulses und der Basiselektrode sowie eine Diode, die zwischen der Kollektorelektrode und der Eingangsklemme angeschlossen ist, wobei die Impedanzeinrichtung eine größere Impedanz besitzt, als die in Leitrichtung betriebene Diode, wobei die Diode polarisiert ist, um den Strom von der Basiselektrode jeweils dann abzuleiten, wenn der Transistor über die Anlage eines ersten Niveaus des Steuerimpulses an die Eingangsklemme eingeschaltet ist, um zu verhindern, daß der Transistor von dem Einschalten in den Sättigungszustand getrieben wird, wodurch

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ORIGINAL INSPECTED

der Betrieb des Transistors in einem ungesättigten Stadium das Ansammlungsniveau der gespeicherten Ladung in dem Basisbereich relativ zurugesättigten Stadium vermindert und ein schnelleres Abschalten des Transistors über die Anlage eines zweiten Niveaus des Steuerimpulses ermöglicht bei jedoch einem höheren Leistungsverlust des Transistors, während dieser in dem nicht gesättigten Zustand bertrieben wird, relativ zum gesättigten Zustand, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schalteinrichtung (23) vorgesehen ist, deren Hauptstromleitungsweg in Reihe mit der Diode (5) zwischen der Eingangsklemme (29) und der Kollektorelektrode liegt, wobei die Schalteinrichtung (23) in einem ersten Zustand betreibbar ist, um die relative Impedanz des Hauptstromweges beträchtlich zu erhöhen und hierbei die Diode (5) aus dem Kreis auszuschalten und den Betrieb des Ausgangstransistors (1) in einem gesättigten Stadium zu ermöglichen, zur Erzielung einer schnelleren Einschaltzeit und einem niedrigeren Leistungsverlust relativ zu dem Betrieb in einem ungesättigten Zustand, wobei die Schalteinrichtung (23) in einen zweiten Zustand versetzbar ist, eine kurze Zeit bevor der Ausschaltung des Ausgangstransistors (1) um die relative Impedanz des Hauptstromleitungsweges wesentlich zu vermindern und hierbei im wesentlichen die Diode (5) in den Stromkreis zu schalten und damit zu ermöglichen, daß der Ausgangstransistor (1) nur in einem ungesättigten Stadium betrieben wird zur Erzielung einer schnellen Abschaltung.

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2. Transistorschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung einen Transistor umfaßt, dessen Kollektor- und Emitterelektroden im Hauptströmungsweg liegen, während die Basiselektrode einen zweiten Steuerimpuls aufnimmt, wodurch ein erstes Niveau diese zweiten Steuerimpulses den Transistor abschaltet, womit ein erster Zustand erreicht ist und ein zweites Niveau des zweiten Steuerimpulses den Transistor einschaltet, womit ein zweiter Zustand erreicht ist.
3. Transistorschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzeinrichtung zumindest ein ifear Dioden (25, 3) umfaßt, die in Reihe zwischen der ersten Eingangsklemme (15) und der Basiselektrode des Ausgangstransistors (1) geschaltet sind, wobei das Diodenpaar in der gleichen Reichtung polarisiert ist wie die Basis-Emitterverbindung des Ausgangstransistors (1).
4. Transistorschaltkreis nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzeinrichtung einen Widerstand (19) sowie einen Beschleunigerkondensator (21) umfaßt, der parallel zu dem Widerstand (19) geschaltet ist.
5. Transistorschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strombegrenzungswiderstand (13) zwischen die erste Klemme (15) und die Impedanzeinrichtung (25, 3); 19, 21) geschaltet ist, wobei der Widerstand und die Impedanzeinrichtung in Reihe zwischen die Basis des Ausgangstransistors (1) und die erste Eingangsklemme (15) geschaltet sind,

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6. Transistorschaltkreis nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Basiastromes von der Basiselektrode zur Kollektorelektrode des Ausgangstransistors (1) eine kurze Zeit vor der beabsichtigten Ausschaltung des Transistors (1) ableitbar ist, wodurch der Transistor außer Sättigung treibbar ist zur Ermöglichung einer schnelleren Abschätung relativ zu seinem gesättigten Zustand über die nachfolgende Ableitung von Basisstrom oder Rückwärtsregelung der Basis-Emitterverbindung des Ausgangstransistors (1).
7. Transistorschaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzeinrichtung eine Klemme besitzt, die an die Basiselektrode angeschlossen ist, während eine andere Klemme einen Steuerimpuls aufzunehmen vermag, wodurch der Basisstrom während der Zeit zugeführt ist, während welcher der Steuerimpuls einen ersten Zustand einnimmt, während die Basis-Emitterverbindung des Transistors (1) rückwärts geregelt ist^~ während der Zeiten, in welcher der Steuerimpuls den zweiten Zustand einnimmt.
8. Transistorschaltung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, die einen Stromfluß nur in einer Richtung zuläßt und an die Kollektorelektrode des Ausgangstransistors (1) angeschlossen ist sowie eine Schalteinrichtung, deren Hauptstromleitung zwischen der anderen Klemme der Impedanzeinrichtung und dem anderen Ende der Einrichtung, die einen Stromfluß nur in einer Richtung zuläßt, angeschlossen ist, wobei die Schalteinrichtung wahlweise in einem ersten Zustand

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betreibbar ist zur Öffnung deren Hauptstromleitung, wodurch eine Ableitung des Basisstromes verhindert wird und es ermöglicht wird, daß der Transistor in einem gesättigten Zustand betrieben wird und einem zweiten Zustand unter Schließung der Hauptstromleitung, wobei im wesentlichen die Einrichtung, die einen Stromfluß nur in eine Richtung zuläßt, an die andere Klemme der Impedanzeinrichtung angeschlossen ist, wobei die Einrichtung, die einen Stromfluß nur in einer Richtung zuläßt, polarisiert ist, um den Strom von der Basiselektrode abzuleiten und der Spannungsabfall über die Impedanzeinrichtung größer ist als über die Einrichtung, die einen Stromfluß nur in einer Richtung zu diesem Zeitpunkt zuläßt, wodurch der Transistor außer Sättigung getrieben wird.
9. Verfahren zum Betrieb des lansistorschaltkreises nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man einen hinreichenden Stromfluß in der Basiselektrode des Ausgangstransistors erzeugt, um diesen schnell zur Sättigung zu treiben und den niedrigsten Leistungsverlust sowie die schnellste Einschaltung zu erhalten, während man einen Teil des Basisstromflusses von der Basiselektrode zur Kollektorelektrode kurz bevor der beabsichtigten Abschaltung des Ausgangstransistors leitet, um damit den Ausgangstransistor aus der Sättigung herauszutreiben und eine schnellere Abschaltung relativ zu dessen Sättigungszustand durchzuführen über die nachfolgende Ableitung des Basisstromes oder die Rückwärtsregelung der Basis-Enitterverbindung des Ausgangstransistors.

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