[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE2904171A1 - Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung - Google Patents

Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung

Info

Publication number
DE2904171A1
DE2904171A1 DE19792904171 DE2904171A DE2904171A1 DE 2904171 A1 DE2904171 A1 DE 2904171A1 DE 19792904171 DE19792904171 DE 19792904171 DE 2904171 A DE2904171 A DE 2904171A DE 2904171 A1 DE2904171 A1 DE 2904171A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reactor
substrate
amorphous silicon
silicon
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792904171
Other languages
English (en)
Other versions
DE2904171C2 (de
Inventor
Josef Dr Rer Nat Grabmaier
Wolfgang Dr Rer Nat Kruehler
Rolf Dr Phil Plaettner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792904171 priority Critical patent/DE2904171A1/de
Priority to FR8001751A priority patent/FR2454182A1/fr
Priority to US06/116,982 priority patent/US4292343A/en
Priority to JP1140280A priority patent/JPS55107228A/ja
Priority to GB8003675A priority patent/GB2043042B/en
Publication of DE2904171A1 publication Critical patent/DE2904171A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2904171C2 publication Critical patent/DE2904171C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 70 ρ 7 η ι 4 non
Verfahren zum Herstellen von aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterkörpern durch Glimmentladung.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterkörpern, insbesondere zur Weiterverarbeitung zu Solarzellen, bei dem das amorphe Silizium durch Glimmentladung in einer/ eine gasförmige Siliziumverbindung enthaltenden Atmosphäre bei niedrigem Druck und niedriger Substrattemperatur auf einem aus hitzebeständigen, sowie gegen die Reaktionsgase inerten Substrat niedergeschlagen wird.
Zur Herstellung von aus Silizium bestehenden elektrischen Bauelementen wie Solarzellen läßt sich ein Siliziummaterial verwenden, an welches in Bezug auf seine Kristallqualität und Reinheit keine so großen Anforderungen gestellt werden müssen, wie bei der Verwendung für integrierte Halbleiterschaltungen. Da die Solarzellen im Vergleich zu den integrierten Halbleiterschaltungen sehr billig sein müssen, um eine breite Anwendung zu
Sdt 1 Plr/2.2.1979
030033/0187
VPA 79P 70 14 BRO
finden (ζ. B. für netzunabhängige Kleingeräte im Watt-Bereich oder netzunabhängige Generatoren im KW-Bereich), muß auch die Herstellung der Siliziumkörper, welche als Ausgangsmaterial verwendet werden, möglichst einfach und billig sein.
Ein in dieser Hinsicht interessantes und aussichtsreiches Material für Solarzellen stellt amorphes Silizium (sogenanntes a-Si) dar. Solarzellen aus diesem Material sind aus der US-PS 4.064.521 und aus der DT-OS 27 43 141 bekannt.
Aus der US-PS 4.064.521 ist ein Verfahren zur entnehmen, bei dem eine ca. 1 /um dicke amorphe Siliziumschicht durch Zersetzen von Silan (SiH^) in einer Niederdruck-Plasmaanlage auf einem Stahlblech niedergeschlagen wird. Der Schottky-Kontakt wird durch anschließendes Aufdampfen einer sehr dünnen Platinschicht hergestellt. Eine wichtige Voraussetzung für den Wirkungsgrad dieser Solarzelle (5,5 %) ist der Einbau von atomarem Wasserstoff, der die freien Valenzen im amorphen Silizium absättigt, so daß diese nicht als Rekombinationszentren für die im Licht freigesetzten Ladungsträger wirken können. Der Einbau von Wasserstoff erfolgt bei Verwendung von Silan gleichzeitig mit dem Zersetzungsprozeß im Plasmareaktor.
Bei dem in der DT-OS 27 43 141 beschriebenen Herstellverfahren wird zur Abscheidung des amorphen Silizium anstelle des teueren Silanwasserstoffes (SiH^) ein chloriertes oder bromiertes Silan verwendet und die Abscheidung so gesteuert, daß die amorphe Siliziumschicht bis zu 7 Atom-96 eines Halogens der Chlor, Brom und Jod umfassenden Gruppe sowie Wasserstoff zur Kompensation der freien Valenzen im amorphen Silizium enthält. Ein Nachteil dieses Verfahrens kann darin bestehen, daß, wenn der Halogengehalt zu hoch wird, die elektrischen
030033/018?
2304171
79P 70HbRD
Eigenschaften des amorphen Silizium nachteilig beeinflußt werden und damit der Wirkungsgrad vermindert wird.
Die Erfindung löst das Problem, den Wirkungsgrad von amorphem Silizium für Solarzellen zu erhöhen und gleichzeitig den Preis für die Herstellung dieser Bauelemente möglichst niedrig zu halten, auf eine andere und einfachere Weise, Sie ist durch ein Verfahren der eingangs genannten Art gegenüber den bekannten Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß als Siliziumverbindung ein Siliziumhalogenid verwendet wird und daß die Abscheidung schichtenweise erfolgt, wobei zwischen den einzelnen Schichten eine Hydrogenisierung der abgeschiedenen Schicht mit atomarem Wasserstoff in gleichem Reaktor bei der gleichen Temperatur und dem gleichen Druck wie bei der Abscheidung durchgeführt wird.
Dabei werden beispielsweise als Siliziumhalogenide Silikochloroform (SiHCl*) und Siliziumtetrachlorid (SiCl^) verwendet, die um den'Faktor 10 billiger sind als z. B. Silan. Bei großtechnischer Herstellung von Dichlorsilan (SiH2Cl2) und Monochlorsilan (SiH3Cl) ist auch für diese Materialien ein günstiger Preis und damit ein kostengünstiger Abscheidungsprozeß möglich. In gleicher Weise können aber auch die Brom- und Fluorverbindungen des Siliziums eingesetzt werden.
Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, die Abscheidung bei einer Gesamtschichtdicke des amorphen Silizium von ca. 1 /um in mindestens 3 Schichten durchzuführen und dabei billige Substratscheiben, vorzugsweise aus Edelstahl, Glas oder einer Polyimidfolie (Kaptonfolie) zu verwenden. Es ist aber ebenso möglich, als Substrat den später für den KontaktanschluÖ (Rückkontakt) dienenden Metallstreifen (z. B. aus Nickel oder Molybdän) zu verwenden.
030033/0187
2304171
--ir-. VPA 79P 7 0 H BRO
Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird das Mischungsverhältnis Siliziumverbindung : Wasserstoff auf einen Wert größer 1 : 1 (stöchiometrisches Verhältnis) eingestellt. 5
Bei dem Verfahren nach der Lehre der Erfindung erfolgt durch die Hydrogenisierung nach jeder abgeschiedenen amorphen Siliziumschicht eine Absättigung der freien Valenzen (sogenannte dangling bonds) durch den atomaren Wasserstoff. Dies geschieht besonders intensiv an der Oberfläche einer jeden Schicht, so daß bei einer Schichtenfolge ein höherer Wasserstoffgehalt im Innern der gesamten Schicht erreicht wird. Dies hat zur Folge, daß eine homogenere Verteilung des Wasserstoffs über die Schichtdicke erzielt wird. Beides bewirkt eine Verbesserung des Wirkungsgrades der Solarzelle.
Weitere Einzelheiten sind den in der Zeichnung befindlichen Figuren 1 und 2 zu entnehmen. Dabei zeigt in schematischer Darstellung die
Figur 1 eine kapazitive und die
Figur 2 eine induktive HF-Glimmentladungs-Reaktoran-Ordnung.
Figur 1;
Die für die Herstellung der amorphen Siliziumschicht in der Glimmentladung vorgesehene gasförmige, z. B. aus Silikochloroform bestehende Siliziumverbindung (SiHCl,) wird an der mit dem Pfeil 1 bezeichneten Stelle in den aus Quarz bestehenden Reaktor 2 eingeleitet, nachdem dieser vorher auf. einen Druck von 10~ Torr evakuiert worden war (siehe Pfeil 3). Dies wird erreicht durch Abpumpen bei eingeschalteter Heizung. Bei einer Strömungsge-
0300 33/0187
--S-. VPA 79 P 7 0 H BRD
schwindigkeit des aus Silikochloroform und Wasserstoff bestehenden Reaktionsgases im Mischungsverhältnis SiHCl, : H2 = 1 : 2 von 5 l/h wird das auf der Elektrode 7 befindliche Substrat 5 aus verzinntem Edelstahlblech auf eine Temperatur von 200 bis 3000C mittels der Elektrodenheizung 6 aufgeheizt. Durch Einspeisen von HF-Energie (8) wird die Glimmentladung zwischen der Elektrode 4 und dem Substrat 5 mit der Elektrode 7 in Gang gesetzt und die Abscheidung der amorphen Siliziumschicht 9 auf dem Substrat 5 beginnt. Dabei stellt man z. B. eine HF-Leistung von 10 Watt und einen Plasma-Gasdruck von 0,5 mbar ein. An der mit 10 bezeichneten Stelle ist die Anlage geerdet. Die Abscheidung wird nach etwa 10 Minuten durch Abschalten der Zufuhr der gasförmigen Siliziumverbindung unterbrochen und der Reaktor nur mit Wasserstoff gespült, so daß jetzt eine Hydrogenisierung der soeben abgeschiedenen amorphen Siliziumschicht 9 durch den gebildeten atomaren Wasserstoff einsetzt. Nach weiteren 10 Minuten wird das Ventil für die Siliziumhalogenidverbindung wieder geöffnet und auf dem Substrat 5 eine weitere amorphe Siliziumschicht (zweite Teilschicht zu 9) abgeschieden. Dieser Vorgang wird dann noch dreimal wiederholt, wobei nach jeder Abscheidung in einem zweiten Teilprozeß eine Absättigung der freien Valenzen mit atomarem Wasserstoff durchgeführt wird» Nach einem fünfmaligen Rhythmus von Abscheidung und Hydrogenisierung hat die auf dem Substrat 5 befindliche amorphe Siliziumschi clit 9 eine Schichtdicke von ca. 1 yum erreicht und kann zusammen mit dem Substratkörper 5 durch weitere bekannte Herstellungsprozesse (Erzeugung von pn-Übergängens, Schottky-Kontakten oder Inversionsschichten, Herstellung von AntirefXexschl daten, Aufdampf- und Maskiertechniken) zu einer Solarzelle weiterverarbeitet werden.
Figur 2:
030033/01St
--Θ-- VPA 73P 7 O f 4 BRO
Bei der induktiven Reaktoranordnung wird das in einem mit einer Gaszu- 11 und Gasableitung 13 (dient zugleich als Anschluß für die Vakuumpumpe) versehene, aus einem Quarzrohr 12 bestehenden Reaktor eingeleitete Reaktionsgas (SiHCl* + H2) durch eine außerhalb des Quarzrohres angeordnete, mehrwindige Induktionsspule 18 durch Glimmentladung zersetzt und auf dem, auf den geheizten Substrathalter 14 befindlichen Substrat 15, welches aus einem Kontaktmetall oder auch aus einer mit einer leitfähigen Schicht überzogenen Kaptonfolie bestehen kann, niedergeschlagen. Für die bei der Abscheidung dieser Schicht 19 einzuhaltenden Bedingungen gelten die gleichen Aussagen wie beim Ausführungsbeispiel nach Figur 1. Auch hier wird ein schichtenweise.s Abscheiden und Hydrogenisieren der im amorphen Silizium vorhandenen freien Valenzen im mindestens dreimaligen Rhythmus durchgeführt.
9 Patentansprüche
2 Figuren
030033/01$?

Claims (9)

VPA 79 P 7 0 H BRQ Patentansprüche.
1. Verfahren zum Herstellen von aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterkörpern, insbesondere zur Weiterverarbeitung zu Solarzellen, bei dem das amorphe Silizium durch Glimmentladung in einer, eine gasförmige Siliziumverbindung enthaltenden Atmosphäre bei niedrigem Druck und niedriger Substrattemperatur auf einem hitzebeständigen, sowie gegen die Reaktionsgase inerten Substrat niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet , daß als Siliziumverbindung ein Siliziumhalogenid verwendet wird und die Abscheidung schichtenweise erfolgt, wobei zwischen den einzelnen Schichten eine Hydrogenisierung der abgeschiedenen Schicht mit atomarem Wasserstoff im gleichen Reaktor bei der gleichen Temperatur und dem gleichen Druck wie bei der Abscheidung durchgeführt v/ird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet , daß als Siliziumverbindung eine durch Chlor substituierte Silanverbindung verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Abscheidung in mindestens drei Schichten erfolgt, wobei eine Gesamtschichtdicke im Bereich von 0,5 bis 2 /um, insbesondere von 1 /um, angestrebt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß als Substrat ein Edelstahlblech oder eine mit einer leitenden Schicht versehene Glasplatte oder Polyimidfolie verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß als Substrat der
030033/0187
2304171
79 P 7 0 H BRQ
- 2 - VPA
später als Kontaktanschluß (Rückkontakt) dienende Metallstreifen verwendet -wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch 5gekennzeichnet , daß das Mischungsverhältnis Siliziumverbindung : Wasserstoff bei der Glimmentladung auf einen Wert größer 1 : 1 (stöchiometrisches Verhältnis) eingestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Gasdruck auf einen Wert im Bereich von 0,06 bis 5 mbar eingestellt wird.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen aus Quarz bestehenden Reaktor (2) mit einer Gaszu- (1) und Gasableitung (3), die zugleich als Vakuumpumpenanschluß (3) dient, mit in den Reaktor über vakuumdichte Durchführungen eingebrachte, sich im Abstand von mindestens 1 cm gegenüberstehende Elektroden (4, 7), die an einen HF-Generator (8) angeschlossen sind, "wobei mindestens eine der beiden Elektroden (4, 7) beheizbar ausgebildet ist (Figur 1).
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen, aus Quarz bestehenden Reaktor (12) mit einer Gaszu- (11) und Gasableitung (13), die zugleich als Vakuumpumpenanschluß (13) dient, mit einer außerhalb des Reaktors (12) angebrachten mehrwindigen, diesem ringförmig umgebenden, mit Hochfrequenz beaufschlagbaren Spule (18) und einem im Bereich dieser Spule (18) im Reaktor (12) angeordneten beheizbaren Substrathalter (14) (Figur 2).
030033/0187
DE19792904171 1979-02-05 1979-02-05 Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung Granted DE2904171A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792904171 DE2904171A1 (de) 1979-02-05 1979-02-05 Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung
FR8001751A FR2454182A1 (fr) 1979-02-05 1980-01-28 Procede pour fabriquer des corps semi-conducteurs constitues par du silicium amorphe, au moyen d'une decharge par effluves
US06/116,982 US4292343A (en) 1979-02-05 1980-01-30 Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon
JP1140280A JPS55107228A (en) 1979-02-05 1980-02-01 Method of and device for fabricating amorphous silicon semiconductor
GB8003675A GB2043042B (en) 1979-02-05 1980-02-04 Production of semiconductor bodies made of amorphous silicon

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792904171 DE2904171A1 (de) 1979-02-05 1979-02-05 Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2904171A1 true DE2904171A1 (de) 1980-08-14
DE2904171C2 DE2904171C2 (de) 1989-04-06

Family

ID=6062128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792904171 Granted DE2904171A1 (de) 1979-02-05 1979-02-05 Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4292343A (de)
JP (1) JPS55107228A (de)
DE (1) DE2904171A1 (de)
FR (1) FR2454182A1 (de)
GB (1) GB2043042B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0069580A2 (de) * 1981-07-08 1983-01-12 THE STATE OF JAPAN, as Represented by the DIRECTOR GENERAL of the AGENCY of INDUSTRIAL SCIENCE and TECHNOLOGY Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Silizium
DE3206421A1 (de) * 1982-02-23 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bzw. metallverbindungen durch abscheidung aus der dampfphase
EP0393985A2 (de) * 1989-04-18 1990-10-24 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Methode zur Bildung einer dünnen Halbleiterschicht

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730325A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Nec Corp Manufacture of amorphous silicon thin film
DE3208494C2 (de) * 1981-03-09 1993-09-30 Canon Kk Verfahren zur Herstellung eines fotoleitfähigen Elements
US4401687A (en) * 1981-11-12 1983-08-30 Advanced Semiconductor Materials America Plasma deposition of silicon
US4379943A (en) * 1981-12-14 1983-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Current enhanced photovoltaic device
JPS60200523A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Agency Of Ind Science & Technol シリコン薄膜の製造法
GB2193976B (en) * 1986-03-19 1990-05-30 Gen Electric Plc Process for depositing a polysilicon film on a substrate
ES2040914T3 (es) * 1988-03-24 1993-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Procedimiento y dispositivo para la elaboracion de capas semiconductoras que consisten de aleaciones amorfas de silicio-germanio segun la tecnica de descarga de efluvios, sobre todo para celulas solares.
WO1997015071A1 (en) * 1995-10-20 1997-04-24 Philips Electronics N.V. Manufacture of a semiconductor device with selectively deposited semiconductor zone
US6724003B1 (en) 1999-01-11 2004-04-20 Ebara Corporation Electron beam-irradiating reaction apparatus
US6613695B2 (en) * 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
US6960537B2 (en) * 2001-10-02 2005-11-01 Asm America, Inc. Incorporation of nitrogen into high k dielectric film
TWI233204B (en) * 2002-07-26 2005-05-21 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements
US8557702B2 (en) 2009-02-02 2013-10-15 Asm America, Inc. Plasma-enhanced atomic layers deposition of conductive material over dielectric layers
US20100294367A1 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 Honeywell International Inc. Solar cell with enhanced efficiency
US20110108102A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Honeywell International Inc. Solar cell with enhanced efficiency
CN111850471B (zh) * 2019-04-25 2023-05-12 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置以及成膜方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707999A1 (de) * 1976-02-25 1977-09-08 Rca Corp Verfahren zum zuechten von mikrokristallinem silicium
DE2743141A1 (de) * 1976-09-29 1978-03-30 Rca Corp Amorphes silizium aufweisende bauelemente

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1104935A (en) * 1964-05-08 1968-03-06 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound
US4064521A (en) * 1975-07-28 1977-12-20 Rca Corporation Semiconductor device having a body of amorphous silicon
DE2547692C3 (de) * 1975-10-24 1979-10-31 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CA1078078A (en) * 1976-03-22 1980-05-20 David E. Carlson Schottky barrier semiconductor device and method of making same
FR2394173A1 (fr) * 1977-06-06 1979-01-05 Thomson Csf Procede de fabrication de dispositifs electroniques qui comportent une couche mince de silicium amorphe et dispositif electronique obtenu par un tel procede
US4202928A (en) * 1978-07-24 1980-05-13 Rca Corporation Updateable optical storage medium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707999A1 (de) * 1976-02-25 1977-09-08 Rca Corp Verfahren zum zuechten von mikrokristallinem silicium
DE2743141A1 (de) * 1976-09-29 1978-03-30 Rca Corp Amorphes silizium aufweisende bauelemente

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0069580A2 (de) * 1981-07-08 1983-01-12 THE STATE OF JAPAN, as Represented by the DIRECTOR GENERAL of the AGENCY of INDUSTRIAL SCIENCE and TECHNOLOGY Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Silizium
EP0069580A3 (en) * 1981-07-08 1984-03-28 Japan Agency Ind Science Techn Method of producing thin films of silicon
DE3206421A1 (de) * 1982-02-23 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bzw. metallverbindungen durch abscheidung aus der dampfphase
EP0393985A2 (de) * 1989-04-18 1990-10-24 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Methode zur Bildung einer dünnen Halbleiterschicht
EP0393985A3 (de) * 1989-04-18 1991-02-06 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Methode zur Bildung einer dünnen Halbleiterschicht

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55107228A (en) 1980-08-16
JPH0127570B2 (de) 1989-05-30
FR2454182A1 (fr) 1980-11-07
GB2043042A (en) 1980-10-01
FR2454182B1 (de) 1983-08-05
GB2043042B (en) 1983-01-12
US4292343A (en) 1981-09-29
DE2904171C2 (de) 1989-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2904171A1 (de) Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung
DE3124447C2 (de)
DE2743141C2 (de) Halbleiterbauelement mit einer Schicht aus amorphem Silizium
DE3322680C2 (de)
DE3411702C2 (de)
DE69331522T2 (de) Mikrowellengespeistes abscheideverfahren mit regelung der substrattemperatur.
DE3417192C2 (de) Vorrichtung zur Bildung eines amorphen Siliziumfilms
DE2940994C2 (de)
DE3689735T2 (de) Verfahren und Gerät zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
DE3644652C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur
DE1521553B2 (de) Verfahren zum abscheiden von schichten
DE69327559T2 (de) Dünnfilm aus polysilizium und verfahren zu seiner herstellung
DE2826752A1 (de) Photoelement
DE3916983C2 (de)
DE3686576T2 (de) Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit mehrschichtstruktur.
DE2711365C2 (de)
DE2824564A1 (de) Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen
DE1621390B2 (de) Verfahren zum abscheiden isolierender duennschichten
DE1913039A1 (de) Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkoerper
DE3220683A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer amorphen siliciumschicht
DE3686549T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung duenner schichten durch plasma.
DE3525211A1 (de) Vorrichtung zur bildung eines aufgedampften bzw. abgeschiedenen films
DE69409480T2 (de) Einrichtung zur PCVD-Beschichtung geeignet zur Unterdrückung von Polysilanpulver
DE69633754T2 (de) Herstellungsverfahren für einen dünnen Halbleiterfilm
DE3021876C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OAM Search report available
OC Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 21/205

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee