DE2819400C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2819400C2 DE2819400C2 DE2819400A DE2819400A DE2819400C2 DE 2819400 C2 DE2819400 C2 DE 2819400C2 DE 2819400 A DE2819400 A DE 2819400A DE 2819400 A DE2819400 A DE 2819400A DE 2819400 C2 DE2819400 C2 DE 2819400C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alignment
- grating
- beams
- diffraction
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Feinausrichten
zweier Körper aufeinander.
In vielen mikrolithographischen Techniken wie Photolithographie
und Röntgenlithographie (vgl. die Vorrichtung und das
Verfahren zur Röntgenlithographie von Smith u. a. in US-PS 37 43 842
vom 3. Juli 1973) ist es häufig erwünscht, verschiedene
getrennte Masken in genauer Überlagerung auf dem nämlichen
Substrat zu bilden. Ein Verfahren, um dies zu erreichen,
besteht darin, daß auf den verschiedenen Masken eines Satzes
Ausrichtungsmarken mit räumlicher Zuordnung zu den Masken verwendet
werden. Danach wird die genaue Überlagerung durch Ausrichtung
der Markierungen auf den verschiedenen Masken als
primäre Muster auf eine zugehörige Markierung auf dem Substrat
herbeigeführt. In vielen Fällen ist es aber erforderlich, das
Substrat einer intensiven Behandlung, z. B. durch Einbringen
eines Zusatzmittels, durch Erhitzung oder andere Verfahrensstufen
zu unterwerfen. Dabei besteht die Gefahr, daß die Ausrichtungsmarkierungen
zerstört oder verändert werden. Das ist
besonders kritisch, wenn die Muster auf dem Substrat in der Größenordnung
von 2,5 Mikrometer (µm) liegen und eine Genauigkeit
der Überlagerung in der Größenordnung von 0,5 µm angemessen
ist. Man kann in solchen Fällen mit normalen optischen Abbildungstechniken
arbeiten. Dabei wird die Ausrichtung vollzogen,
indem man zwei oder mehr Ausrichtungsmarkierungen, vorzugsweise
in L- oder T-Form, mit ähnlichen Markierungen auf dem Substrat
zur Deckung bringt. Dabei erfolgt die Ausrichtung durch
Rotation und Translation während der Beobachtung der beiden
Ausrichtungsmarkierungen durch ein Mikroskop. Eine derartige
Ausrichtung läßt sich aber sehr schwer mit hoher Genauigkeit
durchführen, wenn zwischen den aufeinander auszurichtenden Markierungen
ein Abstand besteht. Dies ist darauf zurückzuführen,
daß die Abbildungstiefe von Linsen hoher Genauigkeit und Auflösung
stark begrenzt ist. Auch ist diese Technik ungeeignet
für Überlagerungsgenauigkeiten von 100 Nanometer (nm) und darunter,
wie sie bei neueren mikrolithographischen Techniken der
Röntgenlithographie, konformer Photomaskenlithographie und
fortgeschrittener UV-Lithographie gefordert wird (vgl. B. J.
Lin, Deep UV Conformable-Contact Photolithography for Bubble
Circuits, IBM Journal, page 213, May 1976). Diese Techniken erlauben
die Exposition von Mustern minimaler Abmessungen unter
1 µm und erfordern infolgedessen eine höhere Übertragungsgenauigkeit
als sie mit konventionalen optischen Abbildungstechniken
der oben angegebenen Art erreichbar sind.
In US-PS 37 42 229 von Smith u. a. "Soft X-Ray Mark Alignment
System" ist ein Röntgenmaskenausrichtungssystem beschrieben,
das mit Beobachtung der durch zueinander passende Ausrichtungsmarkierungen
gehenden Röntgenstrahlen arbeitet. Ein Nachteil
dieses bekannten Systems besteht darin, daß es die Durchlässigkeit
des Substrats für die Röntgenstrahlen im Gebiet hinter
den Ausrichtungsmarkierungen auf dem Substrat erfordert,
um die Röntgenstrahlen mit einem Zensor hinter dem Substrat
beobachten zu können. Dies macht es erforderlich, das Substrat
in diesem Gebiet entsprechend dünn auszubilden oder aber Bohrungen
durch das Substrat anzubringen. Es ist ferner bekannt
(vgl. H. I. Smith US-PS 39 84 680 "Soft X-Ray Mark Alignment
System"), Röntgenstrahlen oder andere Strahlen zu beobachten,
die von Fluoreszenzmaterial auf dem Substrat ausgehen. Diese
Strahlen werden durch Detektoren beobachtet, die in Richtung
der Maske entfernt vom Substrat angeordnet sind. Dabei ergibt
sich ein sehr ungünstiges Nutz-Stör-Verhältnis und die Wahrscheinlichkeit
von Verunreinigungen des Substrats durch die
Ausrichtungsmarkierung.
M. C. King und D. H. Berry haben ein Ausrichtungssystem vorgeschlagen,
das den konventionellen optischen Ausrichtungstechniken
überlegen ist (vgl. US-PS 36 90 881). Die Ausrichtungsmarkierungen
auf der Maske und dem Substrat bestehen aus konzentrischen
Kreisen leicht unterschiedlichen Maßes. Die Ausrichtung
wird dabei vollzogen, indem das Moir´muster beobachtet
wird, das bei der Überlagerung entsteht. Bei Fehleinstellung
entsteht ein zipfelförmiges Moir´muster, bei genauer Ausrichtung
dagegen ein Moir´muster, das aus einer Gruppe konzentrischer
Ringe über der Mitte der Ausrichtungsmarkierungen besteht.
Von Kong und Berry wird eine Überlagerungsgenauigkeit
von 200 nm angegeben (vgl. M. C. King und D. H. Berry in Applied
Optics, Vol. 11, page 2455 ff, 1972). Dabei entsteht die Schwierigkeit,
daß ein maximaler Moir´kontrast nur erreicht wird,
wenn die Abbildung in einem optischen System von kleiner numerischer
Apertur durchgeführt wird, ein Erfordernis, das sich
mit der Notwendigkeit einer Abbildung der Gitter selbst nicht
verträgt. Außerdem ist dieses Verfahren bei größeren Abständen
zwischen Maske und Substrat nicht anwendbar. Ein zusätzliches
Problem besteht darin, daß die bei diesem Verfahren erforderlichen
konzentrischen Kreismarkierungen nur schwer und mit großem
Aufwand herzustellen sind. Wegen der Komplexität des Moir´musters
ist es ferner schwierig, die Ausrichtung mit einem solchen
System zu automatisieren.
Weiter ist aus der DE-OS 21 00 507 ein Verfahren bzw. eine
Vorrichtung zum optischen Nachweis bzw. zur Messung der Bewegung
eines Beugungsgitters bekannt. Bei dieser bekannten Vorrichtung
wird vorzugsweise die unebene Oberfläche eines Körpers
abgetastet, indem ein Beugungsgitter normal zu dieser
Oberfläche, den jeweiligen Tiefen und Höhen der Oberfläche folgend,
bewegt wird. Dabei wird das Beugungsgitter mit einem parallelen
Strahlenbündel mit vorzugsweise monochromatischer Wellenenergie
bestrahlt, und es werden ausgewählte Beugungsstrahlen
des Gitters mittels einer Optik ausgeblendet und einander
danach überlagert. Diese Überlagerung führt zu einem Intensitäts-
bzw. Inteferenzmuster, welches beobachtbar ist. Durch
diese Beobachtung ist die Bewegung des Beugungsgitters auf der
Oberfläche qualitativ und gewünschtenfalls auch quantitativ registrierbar. Für die Überlagerung der ausgeblendeten Strahlenbündel
des Beugungsgitters wird bei einigen Ausführungsbeispielen
der bekannten Vorrichtung ein zweites Beugungsgitter verwendet.
Bei der bekannten
Vorrichtung bzw. dem bekannten Verfahren besteht
das Problem, daß zwar eine relative Ausrichtung der beiden
Beugungsgitter zueinander theoretisch möglich wäre, indem,
von einer vorgegebenen Ausgangslage ausgehend, die Beugungsgitter
zueinander bewegt und dabei diese Bewegung quantitativ registriert
wird, aber mit der bekannten Vorrichtung ist es
nicht möglich, allein durch die Beobachtung des Interferenzmusters,
eine ganz bestimmte, ausgezeichnete, absolute Ausrichtung
der beiden Beugungsgitter zueinander einzustellen.
Aus der CH-PS 5 42 430 ist ebenfalls eine Vorrichtung bekannt,
mit der die Verschiebung zweier Körper zueinander mit
Hilfe von zwei Beugungsgittern registrierbar ist. Dazu wird
mittels des ersten Beugungsgitters ein Beugungsstreifenmuster
erzeugt, dessen Beugungsstreifen mittels des zweiten Beugungsmusters
vervielfacht werden, so daß sich eine Beugungsstreifenskala
feiner Teilung ergibt. Wird eines der Beugungsgitter
verschoben, so wandert diese Beugungsstreifenskala, so daß
durch einfaches Abzählen der einen vorgegebenen Ort passierenden
Streifen die Verschiebungsbewegung des Beugungsgitters
quantitativ erfaßt werden kann. Die Ausrichtung der beiden Beugungsgitter
in eine vorbestimmte, ausgezeichnete Lage zueinander
allein durch die Beobachtung des Beugungsmusters ist aber
auch mit der bekannten Vorrichtung gemäß dieser Druckschrift
nicht möglich.
Ebenso wie auch die vorerörterte CH-PS 5 42 430 hat auch
auch die US-PS 39 84 680 eine Interferenzstreifen-Zählung bzw.
Beugungsmessung von Gitterreflexen verschiedener Ordnung zum
Gegenstand, so daß auch bei dieser Druckschrift die zur CH-PS
5 42 430 genannte Problematik besteht.
Aus der US-PS 33 30 964 ist eine Vorrichtung bekannt, um
zwei Körper präzise aufeinander auszurichten. Dort erfolgt der
Einsatz unterschiedlich geteilter Gitter und eine Signalauswertung
über Detektorpaare sowie eine Intensitätsstreifen-Zählung
und -Auswertung zur Erkennung einer Vorwärts- und Rückwärtsbewegung
der betrachteten Trägerplatten. Eine Feinausrichtung
der beiden Körper in der Größenordnung einer Gitterkonstanten
ist mit dieser Vorrichtung nicht möglich.
Auch die DE-OS 24 51 994 und DE-OS 23 16 248 offenbaren
nicht eigentlich Vorrichtungen zum Feinausrichten zweier
Körper aufeinander, sondern sie zeigen in erster Linie Vorrichtungen,
mit denen Positionsänderungen gemessen werden können.
Mit derartigen bekannten Vorrichtungen können also Positionsänderungen
kontrolliert und gemessen werden, ohne daß die Position
der Körper zueinander vor oder nach der Positionsänderung
bekannt sein müßte. Erfaßt wird nur die Positionsänderung
selbst, also der Abstand zwischen zwei geänderten Positionen,
die selbst, außer relativ zueinander, nicht weiter bestimmbar
sind. Ein Ausrichten der Körper gegeneinander ist mit den bekannten
Vorrichtungen daher nur insoweit möglich, als eine
erfaßte Positionsänderung vergrößert oder verkleinert bzw.
rückgängig gemacht werden kann, ohne daß die eigentliche Lage
der Körper zueinander definiert werden könnte.
Ausgehend von dem vorgeschilderten Stand der Technik liegt
der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs
genannten Art anzugeben, mit der ein besonders präzises
Ausrichten zweier Körper auf eine gewünschte (ausgezeichnete)
Position möglich ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird die stellungsabhängige
Differenz bzw. das stellungsabhängige Intensitätsverhältnis
aus den Intensitäten zweier Lichtbündel gleicher Ordnung,
jedoch entgegengesetzten Vorzeichens genutzt.
Insbesondere wird erfindungsgemäß der Umstand zur Ausrichtung
genutzt, daß die Beugungsgitter elektromagnetische Strahlungen
in positiven und negativen Richtungen beugen und zwar
mit gleicher Intensität, d. h. bilateraler Symmetrie, wenn seitensymmetrische
Gitter verwendet werden, derart, daß die Überlagerung
solcher Beugungsgitter in zwei oder mehr Platten auch
bilateral symmetrische Beugungsstrahlen erzeugt. Die positive
und negative Richtung werden hierbei durch im Uhrzeigersinn
oder gegen den Uhrzeigersinn von der Richtung der einfallenden
Strahlen verdrehte Richtungen bestimmt. Infolgedessen kann die
Überlagerung bzw. Ausrichtung durch Aufsuchen der Intensitätsbalance
der symmetrisch durch zwei oder mehr einander gegenüberliegende
Beugungsgitter angezeigt und automatisiert
werden.
Die Erfindung unterscheidet sich somit sehr wesentlich von
dem Verfahren mit Ausnutzung des Moir´effektes. Zunächst beinhaltet
sie keine Bildtechnik, da Linsen und Abbildungsoptiken
keine wesentlichen Bestandteile der Vorrichtung nach der Erfindung
sind, durch welche die Überlagerung bestimmt wird.
Zweitens interferieren die verschiedenen Strahlen, welche die
Strahlengruppe ausmachen und bei der bevorzugten Ausführungsform
Anwendung finden, miteinander, so daß in
der Tat eine neue Art von Interferometer vorliegt. Drittens
besteht ein wichtiges Merkmal der Erfindung darin, daß Gruppen
von Beugungsstrahlen erster Ordnung (+1, -1), zweiter Ordnung
(+2, -2) und so fort, benutzt werden können, wie es notwendig erscheint.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand
der Unteransprüche.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand
der Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 veranschaulicht die Beugung durch ein periodisches
Gitter,
Fig. 2 veranschaulicht die Doppelbeugung an zwei im Abstand
voneinander angeordneten Gitterplatten,
Fig. 3A und 3B geben eine Darstellung der Einstellung
zweier Platten mit Fluchtfehler und genauer Ausrichtung,
Fig. 4 veranschaulicht die
Ausrichtung einer Platte relativ zu einem undurchsichtigen
Substrat,
Fig. 5 zeigt eine Logikschaltung zur
Gitterausrichtung der Vorrichtung,
Fig. 6 veranschaulicht eine Ausführungsform einer
Vorrichtung nach der Erfindung, bei welcher Spiegel
und andere optische Reflexionsmittel in Verbindung
mit einem einzigen Detektor verwendet werden,
Fig. 7 und 8 zeigen schematische Draufsichten auf Platten
mit Beugungsgittern mit zueinander senkrechten
Teilungen,
Fig. 9 und 10 zeigen eine andere Ausführungsform, bei welcher
jede Platte mit zwei zueinander senkrechten
Sätzen von Beugungsgittern versehen ist, um die automatische
Ausrichtung zu erleichtern und
Fig. 11 und 12 zeigen Beugungsgitter und Substratplatten
mit anderen Anordnungen der Beugungsgitter.
Fällt ein Bündel elektromagnetischer Strahlen 1 auf eine
Gitterplatte 2 mit einem Gitter 3, dessen Linien senkrecht zur
Zeichenebene verlaufen, so passieren einige der einfallenden
Strahlen ohne Ablenkungen geradeaus und bilden zusammen das sogenannte
Strahlenbündel 1′ nullter Ordnung. Ein anderer Anteil
der Strahlung wird durch das Gitter gebeugt und bildet Paare
von Strahlenbündeln 4, 4′, 5, 5′ usw. Gebeugte Strahlen treten
auf in Richtung rückwärts, jedoch sind diese in Fig. 1 nicht
dargestellt. Die Winkel der gebeugten Strahlen sind durch folgende
Gleichung bestimmt
a.) nλ/d = sin Rn - sin Ri.
Darin ist Ri der Winkel, den der einfallende Strahl 1 mit
der Normalen zur Oberfläche der Platte 2 bildet, d die Gitterkonstante
oder Teilung des Gitters, λ die Wellenlänge der
elektromagnetischen Strahlung und n = 0, ±1, ±2 usw. Das erste
Paar gebeugter Bündel 4 und 4′ entspricht n = +1 und n = -1.
Diese Bündel nennt man die Plus- und Minusbeugungsstrahlen
erster Ordnung. Das zweite Paar 5 und 5′ entspricht n = +2 und
n = -2; es sind dies die Plus- und Minusbeugungsstrahlen zweiter
Ordnung. Entsprechende Bezeichnungen gelten für |n| < 2.
Für Ri = 0 gilt |R+n| = |R-n|. Paare gebeugter Strahlen bilden
somit zueinander symmetrische Winkel, bezogen auf die Flächennormale.
Es ist wohlbekannt, daß, wenn das Gitter 3 "non-blazed"
ist, d. h. wenn die Struktur des Querschnitts zu Fig. 1
identisch mit dem Querschnitt in Fig. 1 ist, sofern man das
Gitter in seiner Ebene um 180° dreht, die Intensitäten
jedes Paares symmetrisch gebeugter Strahlen der Ordnung
+n und -n einander gleich sind und daß dann die ganze Beugungserscheinung
Symmetrie zu einer Mittelebene BP in Fig. 1 aufweist.
In Fig. 2 ist eine zweite Platte 6 dargestellt mit einem
Gitter 7, das dem Gitter der Platte 2 gegenüberliebt. Dieses
zweite Gitter führt zu einer sogenannten Doppelbeugung. Ein
Beispiel hierfür ist in Fig. 2 veranschaulicht. Der Strahl
nullter Ordnung 1′, der von der Platte 2 ausgeht, kann durch
das Gitter 7 zum Teil in einen Strahl erster Ordnung 8 gebeugt
werden. Ein Teil des +1-Beugungsstrahles des Gitters 3 kann
das Gitter 7 ungebeugt als Strahl 9 durchqueren. Der -1-Strahl
vom Gitter 3 kann teilweise durch Gitter 7 zu einem Beugungsstrahl
10 der Ordnung +2 gebeugt werden. Gleicherweise können
eine Anzahl ähnlicher Beugungsstrahlen gebildet werden. Wenn
die Gitter 3 und 7 gleiche Gitterweite bzw. Gitterteilung aufweisen
und ihre Gitterlinien zueinander parallel verlaufen, so
breiten sich die Strahlen 8, 9 und 10 in derselben Richtung aus
und interferieren miteinander, wo sie sich überlappen. Zusätzlich
zu diesen drei zusammengehörigen Strahlen 8, 9, 10 gemäß
Fig. 2 ergeben sich auch mehrere andere doppelt gebeugte Strahlen
in der gleichen Richtung, welche auf die oben angegebene
Weise identifiziert werden können. Die Intensitäten der verschiedenen
zusammengehörigen Strahlen, welche zu einer Gruppe
gehören, nehmen im allgemeinen mit der Höhe ihrer Ordnungszahlen
innerhalb der Strahlenformation ab. Die allgemeine Richtung
der Strahlen 8, 9 und 10 ist durch die obige Gleichung 1
gegeben. Aus diesem Grunde bezeichnet man die Strahlengruppe
mit gleicher oder annähernd gleicher Richtung, wie sie durch
die Gleichung 1 für n = +1 vorausgesagt wird, als +1-Gruppe.
Ebenso wird eine -1-Gruppe in ähnlicher Weise wie die +1-Gruppe
gebildet. Aufgrund der Übersichtlichkeit ist diese -1-Gruppe
in Fig. 1 weggelassen. Ebenso sind aus dem gleichen Grunde
auch die Gruppen +2/-2, +3/-3 und die Folgegruppen sowie alle
zurückgebeugten Gruppen weggelassen.
Die Intensität der +1-Gruppe oder irgendeiner anderen Gruppe
im Gebiet, in welchem mehrere zusammengehörige Strahlen
sich überlappen, hängen von der gegenseitigen Interferenz dieser
verschiedenen Strahlen ab. Dies anderereseits ist von der
ralativen Lateralstellung der Gitter 3 und 7 als auch der Parallelität
der Gitter 3 und 7 und der Platten 2 und 6 abhängig.
(Der Ausdruck Lateralstellung beinhaltet eine Richtung
senkrecht zu den Gitterlinien und innerhalb der Gitterebene).
Bei praktischen Anwendungen der Erfindungs wird
man zunächst die Platten 2 und 6 parallel zueinander einstellen
und dann während der folgenden Ausrichtung aufeinander parallel
zueinander halten. Wenn die Platten 2 und 6 zueinander
parallel liegen, aber die Gitterstreifen 3 und 7 leicht von
der Parallelität abweichen, breiten sich die Strahlen 8, 9 und
10 und andere Strahlengruppen in leicht zueinander verschiedenen
Richtungen aus und ihre gegenseitigen Interferenzen bilden
Zonen mit abwechselnd hellen und dunklen Streifen über den
Durchmesser der Gruppe. Dieses Phänomen ist von J. Guild in
dem Buch "Diffraction Gratings as Measuring Scales, Oxford University
London, 1960" beschrieben. In der Praxis können die
Gitter 3 und 7 bis auf einen Winkel kleiner als d/n l Radiant,
parallel ausgerichtet werden, wobei d die Gitterkonstante, n die Ordnung
(der Gruppen) und l die Länge der Gitterstreifen sind,
welche vom Strahl 1 beleuchtet werden, und zwar unter Beobachtung der
Hell-Dunkel-Streifen für den n-ten Gruppendurchmesser und unter
Drehung der Gitter 3 und/oder 7 bis zum Verschwinden der
Hell-Dunkel-Streifen, d. h. bis deren Abstand größer wird als
der Gruppendurchmesser. Diese Möglichkeit, den Winkel zwischen
den Gittern 3 und 7 justieren zu können, ist ein wichtiger Vorteil
der vorliegenden Erfindung.
Liegt keine Parallelität der Platten 2 und 6 vor, kann
Asymmetrie von Richtung und Intensität der Plus- und Minus-
Gruppen verursacht werden. Nicht-Parallelität wird in der Praxis
sogleich beobachtet, da in solchem Fall der Strahlendurchgang
1 durch die Platte 2 und 6 und alle mehrfachen Reflexionen
zwischen diesen Platten zu Interferenzmustern führen, die
entweder in der Vorwärtsrichtung oder in der Rückwärtsrichtung
sogleich beobachtbar sind. Man braucht nur die Winkel zwischen
den Platten zu justieren, bis sich die Interferenzmuster genügend
lösen.
Fig. 3A veranschaulicht die Plattenanordnung bei einem
Fluchtfehler der Gitter 3 und 7 mit einer Nullabweichung von
ΔX, Fig. 3B die beiden Platten bei genauer Ausrichtung mit
ΔX = 0. Ein Gesichtspunkt der Erfindung ist, daß die relativen
Phasen der verschiedenen Strahlen einer bestimmten Plusgruppe
(z. B. +1, +2 usw.) und folglich auch die Intensität dieser
Gruppe nur dann mit den relativen Phasen der zur entsprechenden
Minusgruppe gehörigen Strahlen identisch sind, wenn
das Gitter 7 exakt auf das Gitter 3, mit ΔX = 0, ausgerichtet
ist. Einfacher ausgedrückt, die Intensitäten der
Beugungsgruppen werden nur dann symmetrisch zur Mittellinie nach Fig. 2
sein, wenn das Gitter 7 genau auf das Gitter 3 ausgerichtet
ist und wenn die Gitter "non-blazed"
sind. Die Intensitäten der Beugungsgruppe ändern sich bei gegenseitiger
Verschiebung der Gitter in Seitenrichtung, und dieser
Intensitätswechsel wiederholt sich zyklisch mit Verschiebung
gleich einem Vielfachen der Gitterkonstanten entsprechend
|ΔX| = nd, worin n eine ganze Zahl ist. In Fällen, in denen
es erwünscht ist, einen bestimmten Teil einer Ausrichtungsmarke
über einen bestimmten Teil einer anderen Ausrichtungsmarke
zu bringen, macht man von einer vorausgehenden
Ausrichtung auf weniger als d/2 Gebrauch. Beispielsweise
können herkömmliche optische Bildtechniken zur einleitenden
oder vorbereiteten Ausrichtung benutzt werden. Nach einer solchen
einleitenden Ausrichtung wird die Vorrichtung
nach der Erfindung angewandt, um die Symmetrie der Intensitäten
der Beugungsgruppen durch exakte Überlagerung zu
vollenden.
Auch eine Erweiterung des oben diskutierten Ausrichtungsprinzips,
wie es in Fig. 2 dargestellt ist, auf den Fall von mehr
als zwei Platten oder den Fall, in welchem die Beugungsstrahlen
nach rückwärts benutzt werden, ist
möglich. Der Gebrauch für rückwärts gebeugte Strahlenrichtung
ist in Fig. 4 veranschaulicht.
Der Trennungsspalt zwischen den auszurichtenden Platten
kann vielfach größer sein als die Gitterkonstante d. Beispielsweise
wurde bei einem He : Ne-Laser mit einer Arbeitswellenlänge
von 6328Å und einem Deckungsmuster mit Gittern von 25 µm Raumperiode
eine Überlagerung durch die Genauigkeit von weniger
als 200 nm demonstriert für Abstände der zur Deckung zu bringenden
Muster von etwa 100 µm. Für eine bestimmte Strahlungswellenlänge
und Deckungsstruktur jedoch, kann es gewisse Gitterabstände
geben, bei denen die Intensität symmetrisch gebeugter
Gruppen unempfindlich oder nahezu unempfindlich ist für
Seitenverschiebungen der Gitter zueinander. Diese Tatsache
kann ausgenutzt werden, den Abstand oder Spalt
zwischen den Platten zu justieren oder als Mittel zur Steuerung
bzw. Konstanthaltung dieses Abstandes oder zur Veränderung.
In der Praxis wird man eine geeignete Kombination von
Strahlungswellenlänge, Deckungsstruktur und Spalt wählen, derart,
daß die Empfindlichkeit der gebeugten Gruppenintensitäten
auf Seitenverschiebungen (Deckungsfehler) entweder ein Optimum
oder für den betreffenden Anwendungsfall annehmbar ist.
Fig. 4 veranschaulicht im einzelnen
die Ausrichtung einer Platte relativ zu einem undurchsichtigen
Substrat, und zwar zur Überdeckung des Musters
14 von Platte 15 und Muster 16 des Substrats 17, das wie angegeben
undurchlässig ist. Von einer Quelle 18 wird Licht der
Wellenlänge 6328Å mit einem He : Ne-Laser ausgestrahlt in
Form eines Strahlenbündels 19, welches senkrecht auf die Platte
15 fällt. Abweichend hiervon kann irgendeine ausreichend gebündelte
Strahlung Verwendung finden; insbesondere sind infrarote,
sichtbare und ultraviolette Laser-Strahler, Synchrotron-
Strahler im UV und Röntgenstrahlenbereich anwendbar. Das Strahlenbündel
19 geht durch das Ausrichtungsmuster (Ausrichtungsmarke)
14 der Platte 15. Das Ausrichtungsmuster 14 enthält ein
periodisches Gitter (non-blazed). Die Platte 15 ist eine lithographische
Röntgenmaske und besteht aus einer dünnen Membran
20, die von einem dicken ringförmigen Träger 21 getragen wird.
Die Platte könnte auch aus einer Photomaske, einem Fadenkreuz
oder irgendeiner anderen gemusterten Platte bestehen. Die
Strahlen nullter Ordnung und andere Strahlen, die in Vorwärtsrichtung
durch das Gitter 14 gebeugt werden, fallen auf das
Gitter oder die Ausrichtungsmarkierung 16, wo sie nach rückwärts
gebeugt werden. Wenn diese Strahlen zurück auf das Gitter
14 fallen, werden sie teilweise zum dritten Mal gebeugt
und erzeugen de angezeigten Plus- und Minusgruppen. Die
+1-Gruppe und -1-Gruppe sind durch 22 und 22′ gekennzeichnet,
die +2- und -2-Gruppe durch 23 und 23′. Die +1-Gruppe und
-1-Gruppe fallen auf Detektoren 24 und 24′, die +2- und
-2-Gruppe auf Detektoren 25 und 25′. Diese Detektoren messen
die Intensität der auf sie kommende Strahlung.
Eine Möglichkeit zur Überlagerung
besteht darin, die Outputs der Detektoren 24 und
24′ auf einen Differenzverstärker 27 zu geben, wie er
in Fig. 5 dargestellt ist, während die Outputs der Detektoren
25 und 25′ einem Differenzverstärker 28 zugeführt werden.
Die Differenzverstärker erzeugen elektrische Signale als
Eingänge 29 und 29′ für eine Steuereinheit 30. Durch diese
Steuereinheit wird bestimmt, ob alle Eingänge den Nullwert erreichen.
Wenn nicht alle Eingänge Null sind, liefert die
Steuereinheit 30 ein elektrisches Signal für einen mechanischen
Stelltrieb 31, beispielsweise einen piezoelektrischen
Trieb zur Bewegung bzw. Justierung der Trägerplatte 26 nach
Fig. 4. Diese Bewegung wird fortgesetzt, bis alle Eingänge der
Steuereinheit den Nullwert erreicht haben, was der Bedingung
ΔX = 0 für die Extrakte Überlagerung entspricht. Auf diese Stellung wird
der mechanische Antrieb 31 gehalten. Die Mittel zur Durchführung
dieser Funktionen sind aus der Steuertechnik wohlbekannt
und werden im einzelnen nicht beschrieben.
Insbesondere könnte anstell einer
Steuereinheit auch eine Einrichtung zur manuellen Justierung
vorgesehen sein, indem die Ausgänge der Differenzverstärker
27 und 28 solange durch Verschiebung der Platte 26 verändert
werden, bis sie ihren Nullwert erreicht haben, wodurch
dann die richtige Überlagerung der Ausrichtungsmarkierung
angezeigt ist.
Statt für jede Plus- und Minusgruppe einen besonderen Detektor
zu verwenden, könnte man auch für jedes Gruppenpaar einen
solchen Detektor vorsehen. Anstelle der Detektoren 24, 24′,
25, 25′ könnten auch Spiegel oder andere optischen Elemente, wie
Prismen, verwendet werden (vgl. Fig. 6). Die Plusgruppe 32
wird nach Fig. 6 durch einen Spiegel 33 reflektiert, geht
durch ein veränderliches Dämpfungsglied 34 und durch einen Zerhacker
35
zu einem Photodetektor
36.
Gleicherweise geht der Anteil 32′ der Minusgruppe nach
Reflexion durch einen Spiegel 33′ durch ein veränderbares
Dämpfungsglied 34′ und den Zerhacker 35 zum Photodetektor 36.
Der Output des Photodetektors kann, wie dargestellt, durch ein
Oszilloskop 37 angezeigt werden. Bei Verwendung eines einzigen
Detektors können Probleme aus nicht identischer Ansprechweise
vermieden werden. Die gleichen Dämpfungsglieder 34 und 34′
lassen sich ausnutzen, um Unausgeglichenheiten der Apparatur,
beispielsweise Differenzen der Reflexionseigenschaften der
Spiegel, zu kompensieren.
Bei manchen Anwendungen der Erfindung wird es erwünscht
sein, das Muster einer Platte relativ zum Muster einer anderen
Platte in zwei zueinander orthogonale Richtungen X und Y auszurichten,
was sich nach den Prinzipien gemäß
Fig. 2 bis 6 durch zweidimensionale Anwendung durchführen
läßt. Zur Ausrichtung in der X-Richtung wird wenigstens
ein Gitter mit Linien vorgesehen, welche im wesentlichen senkrecht
zur X-Richtung verlaufen. Zur Ausrichtung in der X-Richtung
wird wenigstens ein Gitter mit Linien vorgesehen, die im
wesentlichen senkrecht zur Y-Richtung auf jeder der zugehörigen
Platten verlaufen. Zur gleichen Ausrichtung in der
X- und Y-Richtung sind wenigstens zwei Gitter mit Linien erforderlich,
die senkrecht zueinander verlaufen. Diese zwei Gitter
können eine einzige Ausrichtungsmarkierung bilden. Dabei wäre
eine Winkelausrichtung nur für Winkel kleiner als d/n l
vorzusehen, worin l die durch das auffallende Strahlenbündel
ausgeleuchtete Länge der Gitterstreifen darstellt und n die
Gruppennummer sowie d die Gitterperiode bedeuten.
Um sowohl eine verbesserte Winkelausrichtung als auch eine Ausrichtung
in der X- und Y-Richtung zu bewirken, können die folgenden
Angaben beachtet werden. Fig. 7 und 8 zeigen eine graphische
Darstellung einer ersten Platte 38 und einer zweiten
Platte 39 mit Ausrichtungsmarkierungen 40 und 41, deren Gitterlinien
im wesentlichen senkrecht zu zwei weiteren Ausrichtungsmarkierungen
42 und 43 verlaufen (die T-Zeichen in den Markierungen
zeigen an, daß die Ausrichtungsmarkierungen nicht unveränderlich
sind für Translationen von d). Durch Strichlinien
sind bei 44 und 45 Gebiete für weitere Muster angegeben, welche
zusätzliche Ausrichtungsmarkierungen einschließen können.
Diese Gebiete
44 und 45 können als primäre Ausrichtungsmarkierungen
dienen. Durch gleichzeitige Überlagerung der Markierung 40 mit
der Markierung 41 und der Markierung 42 mit der Markierung 43
läßt sich eine Ausrichtung nach der X-Richtung, der Y-Richtung
und eine Winkelausrichtung erzielen.
In Fig. 9 und 10 ist eine andere Ausführung dargestellt,
die sich leichter zur Automatisierung eignet. Dabei sind Platten
46 und 47 mit Ausrichtungsmarkierungen 48 und 52 versehen.
Die Markierung 48 läuft parallel zur Markierung 50 und senkrecht
zur Markierung 52. Ebenso läuft auf der Platte 47 die
Markierung 49 parallel zur Markierung 51 und senkrecht zur Markierung
53. Der Vorgang zweidimensionaler Ausrichtung vollzieht
sich derart, daß zunächst die Markierung 48 mit der Markierung
49 und die Markierung 50 mit der Markierung 51 ausgerichtet
werden. Dadurch wird die X-Ausrichtung und die Winkelausrichtung
auf einen Fehlerwinkel von weniger als δ/L herbeigeführt,
worin δ den Fehler der X-Ausrichtung und L den Abstand
zwischen den Markierungen 48 und 50 (identisch zum Abstand zwischen
den Markierungen 49 und 51) darstellen. Als nächstes wird
die Markierung 52 zur Markierung 53 ausgerichtet und dadurch
die Y-Ausrichtung vollzogen.
In einigen Fällen treten seitliche Verformungen in einer
oder beiden zu überlagernden Platten auf. die Ausrichtung von
nur zwei oder drei Ausrichtungsmarkierungen nahe dem Umfang
der Platten gewährleistet alsdann keine exakte Überlagerung
primärer Gitter oder Muster im inneren Bereich der Platten.
Solche Probleme treten insbesondere in Verbindung mit Siliziumplatten
auf. Um diese Schwierigkeiten zu beheben, können zusätzliche
Ausrichtungsmarkierungen an verschiedenen Stellen
über den Bereich der Platten angebracht werden. Fig. 11 zeigt
eine Markierungsplatte 56 mit Ausrichtungsmarkierungen 57, 58
und 59 und einem primären Muster 60 bzw. primärer Ausrichtungsmarkierung.
Die Markierung 59 enthält ein Gittermuster zur Ausrichtung
sowohl in der X- als auch in der Y-Richtung. Fig. 12
schließlich zeigt eine Substratplatte 61 mit Ausrichtungsmarkierungen
62 und 63 am Umfang, einer Gruppe von Ausrichtungsmarkierungen
64, die über den inneren Bereich des Substrats
verteilt sind und einen Bereich 65, der für primäre Muster
bzw. Ausrichtungsmarkierungen vorgesehen ist. Bei der Ausrichtung
dieser Muster wird zunächst die Markierung 57 auf die Markierung
62 zur Deckung gebracht, alsdann die Markierung 56 in
der Y-Richtung verschoben und die Fehleinstellung der Ausrichtungsmarkierung
58 zur Markierung 63 oder stattdessen die Fehleinstellung
der Ausrichtungsmarkierung 57 zur Ausrichtungsmarkierung
63 bestimmt. Die Platte 61 oder Markierungsplatte 56
oder beide können alsdann in ihrer Ebene verdreht werden, um
den Winkelfehler auszugleichen. Diese Prozedur würde wiederholt
werden, bis die Winkelorientierung in Verbindung mit gegenseitiger
Parallelität der Gittermarken 57, 58, 62 und 63 vollzogen
ist. Alsdann wird die Markierung 56 in X- und Y-Richtung
verschoben, derart, daß die Markierung 59 zur Ausrichtung mit
einer der Markierungen 64 kommt. Ein einziger, die übereinanderliegenden
Gitter beleuchtender Strahl wird in zwei Gruppensätze
gebeugt. Einer dieser Gruppeneinsätze ist eingeschlossen
durch die von der X- und Y-Achse gebildete Ebene, der andere
Gruppensatz durch die YZ-Ebene. Nach Belichtung des Primärmusters
wird die Maske wiederum bewegt, um die Markierung 59
über eine andere Markierung 64 zu bringen, und so fort, bis
alle Bereiche 65 belichtet worden sind. In der obigen Diskussion
wurde angenommen, daß nur eine einzige Winkeljustierung
erforderlich sei. Trifft dies nicht zu, so ist die obige Prozedur
wiederholter Ausrichtung leicht entsprechend zu modifizieren,
um die Winkeljustierung vor jeder Belichtung zu vollziehen.
Die Ausrichtungsmarkierungen der Strahlenbeugung erfordert
nur eine periodische Änderung von Phase oder Amplitude. Deshalb
können die Ausrichtungsmarkierungen
verschiedene Formen haben. Sie können z. B. aus
einfachen Reliefstrukturen in der Substratoberfläche bestehen oder
aus Streifen transparenten Materials oder aus
Streifen reflektierenden oder absorbierenden Materials. Bei
der wirtschaftlich bedeutungsvollen Verwendung von Siliziumplättchen
können die Ausrichtungsmarkierungen aus einfachen
Reliefstrukturen oder Riffelgittern im Silizium oder in einem
Belag von Siliziumdioxyd oder anderem Material (auf dem Plättchen
gewachsenen Materials) bestehen. Die Freizügigkeit in der
Wahl der Art und Form der Ausrichtungsmarkierungen stellt
einen wichtigen Vorzug der vorliegenden Erfindung dar. Für den
Fall von Siliziumplättchen beispielsweise bedeutet dies, daß
sich mit der Anbringung von Ausrichtungsmarkierungen keine Verunreinigungen
der Plättchen oder der darauf angebrachten Einrichtungen
ergibt. Auch macht die Anbringung der Ausrichtungsmarkierungen
keine Abweichungen von normalen Herstellungsverfahren
solcher Plättchen notwendig.
Claims (8)
1. Vorrichtung zum Feinausrichten zweier Körper aufeinander
umfassend:
eine mit dem ersten Körper verbundene erste und eine mit dem zweiten Körper verbundene zweite Platte (2, 6; 17, 20), die parallel zueinander beweglich und mit Beugungsgittern (3, 7; 14, 16) versehen sind,
eine Strahlenquelle (18), die im wesentlichen monochromatische Wellenenergie abgibt,
eine Anordnung zur Bestrahlung des zweiten Beugungsgitters (7; 16) der zweiten Platte (6; 17) durch das erste Beugungsgitter (3; 14) der ersten Platte (2; 20) hindurch
eine dem zweiten Beugungsgitter (7; 16) optisch nachgeordnete Detektoranordnung (24, 24′, 25, 25′; 36′) zur Erfassung der Intensität der gebeugten Strahlenbündel
und eine Stelleinrichtung zur relativen Bewegung der Körper zueinander,
wobei die Beugungsgitter gleiche Gitterkonstanten aufweisen und zur Erzeugung wenigstens eines Paares von gebeugten Strahlenbündeln mit einer Ordnung ungleich Null angeordnet sind
und die Detektoranordnung (24, 24′, 25′; 36) für einen Ausrichtweg (Δx) in der Größenordnung der Gitterkonstanten (d) quer zur Gitterstellung und zur Einstellung einer vorbestimmten Ausrichtungsposition zur getrennten Erfassung der Intensitäten der das Paar bildenden zwei Strahlenbündel gleicher Ordnung, aber umgekehrten Vorzeichens und zur Bildung der Intensitätsdifferenz oder des Intensitätsverhältnisses aus den beiden getrennt erfaßten Intensitäten ausgelegt ist.
eine mit dem ersten Körper verbundene erste und eine mit dem zweiten Körper verbundene zweite Platte (2, 6; 17, 20), die parallel zueinander beweglich und mit Beugungsgittern (3, 7; 14, 16) versehen sind,
eine Strahlenquelle (18), die im wesentlichen monochromatische Wellenenergie abgibt,
eine Anordnung zur Bestrahlung des zweiten Beugungsgitters (7; 16) der zweiten Platte (6; 17) durch das erste Beugungsgitter (3; 14) der ersten Platte (2; 20) hindurch
eine dem zweiten Beugungsgitter (7; 16) optisch nachgeordnete Detektoranordnung (24, 24′, 25, 25′; 36′) zur Erfassung der Intensität der gebeugten Strahlenbündel
und eine Stelleinrichtung zur relativen Bewegung der Körper zueinander,
wobei die Beugungsgitter gleiche Gitterkonstanten aufweisen und zur Erzeugung wenigstens eines Paares von gebeugten Strahlenbündeln mit einer Ordnung ungleich Null angeordnet sind
und die Detektoranordnung (24, 24′, 25′; 36) für einen Ausrichtweg (Δx) in der Größenordnung der Gitterkonstanten (d) quer zur Gitterstellung und zur Einstellung einer vorbestimmten Ausrichtungsposition zur getrennten Erfassung der Intensitäten der das Paar bildenden zwei Strahlenbündel gleicher Ordnung, aber umgekehrten Vorzeichens und zur Bildung der Intensitätsdifferenz oder des Intensitätsverhältnisses aus den beiden getrennt erfaßten Intensitäten ausgelegt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch getrennte
Detektoren (24, 24′, 25, 25′) für die beiden Strahlenbündel
des Paares.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen gemeinsamen Detektor (36) für die beiden Strahlenbündel
des Paares und einen optischen Umschalter zur
zeitlich getrennten Zuführung der beiden Strahlenbündel.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß als optischer Umschalter ein die beiden Strahlenbündel
wechselweise blockierender Zerhacker vorgesehen ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß Eichelemente vorgesehen sind, durch die die
Intensitätsgleichheit der beiden Strahlenbündel bei Erreichen
der vorbestimmten Ausrichtung der Beugungsgitter (3, 7; 14, 16)
einstellbar ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß als Eichelemente einstellbare Dämpfungsglieder (34) vorgesehen
sind.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Steuerung der Stelleinrichtung
Differenzverstärker vorgesehen sind.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß jeweils beide Körper mit jeweils
zueinander um 90° gedrehten Beugungsgittern
versehen sind, so daß die Gitterlinien
dieser jeweils zwei Beugungsgitter senkrecht zueinander
verlaufen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/793,259 US4200395A (en) | 1977-05-03 | 1977-05-03 | Alignment of diffraction gratings |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2819400A1 DE2819400A1 (de) | 1978-11-09 |
DE2819400C2 true DE2819400C2 (de) | 1993-07-29 |
Family
ID=25159493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782819400 Granted DE2819400A1 (de) | 1977-05-03 | 1978-05-03 | Vorrichtung und verfahren zum ausrichten zweier koerper aufeinander |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4200395A (de) |
JP (1) | JPS53137673A (de) |
CA (1) | CA1093297A (de) |
DE (1) | DE2819400A1 (de) |
FR (1) | FR2389928B1 (de) |
GB (1) | GB1601409A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10142316A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-04-17 | Advanced Micro Devices Inc | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Bestimmung kritischer Dimensionen und Überlagerungsfehler |
US7099010B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Two-dimensional structure for determining an overlay accuracy by means of scatterometry |
DE10142317B4 (de) * | 2001-08-30 | 2010-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers und kritischer Dimensionen in einer Halbleiterstruktur mittels Streuungsmessung |
DE102005016231B4 (de) * | 2005-04-06 | 2010-09-16 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Optisches System und Verfahren zur Herstellung eines Verbundelementes aus transparenten, mit mikrooptischen Strukturen versehenen plattenförmigen Substraten |
Families Citing this family (125)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340305A (en) * | 1977-05-03 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Plate aligning |
JPS5952537B2 (ja) * | 1977-11-25 | 1984-12-20 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | 自動マスク合せ法 |
US4422763A (en) * | 1978-12-08 | 1983-12-27 | Rca Corporation | Automatic photomask alignment system for projection printing |
IT1125000B (it) * | 1978-12-08 | 1986-05-14 | Rca Corp | Sistema automatico per l'allineamento di fotomaschere in processi di stampa a proiezione |
US4332473A (en) * | 1979-01-31 | 1982-06-01 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members |
FR2450468A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme |
SE440204B (sv) * | 1979-04-23 | 1985-07-22 | Svecia Silkscreen Maskiner Ab | Sett och anordning att injustera ett tryck pa ett material |
US4232969A (en) * | 1979-05-30 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Projection optical system for aligning an image on a surface |
JPS5612729A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ?alignmening device for ic projection exposure equipment |
JPS5612728A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Alignmening device for ic projection exposure equipment |
US4345836A (en) * | 1979-10-22 | 1982-08-24 | Optimetrix Corporation | Two-stage wafer prealignment system for an optical alignment and exposure machine |
FR2472209A1 (fr) * | 1979-12-18 | 1981-06-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement automatique de deux motifs comportant des reperes s'alignement du type reseaux, notamment en photo-repetition directe sur silicium |
US4360273A (en) * | 1980-02-14 | 1982-11-23 | Sperry Corporation | Optical alignment of masks for X-ray lithography |
JPS56122128A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Telmec Co Ltd | Positioning system for printing device of semiconductor or the like |
US4431923A (en) * | 1980-05-13 | 1984-02-14 | Hughes Aircraft Company | Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks |
US4327292A (en) * | 1980-05-13 | 1982-04-27 | Hughes Aircraft Company | Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks |
JPS57139774U (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-01 | ||
JPS58102939A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-18 | Canon Inc | マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− |
JPS5975628A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 2重回折格子による位置合せ法 |
US4620785A (en) * | 1982-12-01 | 1986-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet-like member having alignment marks and an alignment apparatus for the same |
JPS59104128A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 2重回折格子による位置合せ法および位置合せ装置 |
FR2538923A1 (fr) * | 1982-12-30 | 1984-07-06 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches dans un appareil d'exposition comprenant une source de rayonnement divergent |
SE454439B (sv) * | 1983-07-06 | 1988-05-02 | Tetra Pak Ab | Sett och anordning att med fotoelektriska medel detektera och behorighetskontrollera gjorda styrmarkeringar pa en med tryck dekorerad lopande materialbana |
JPS6047420A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 2重回折格子による位置合わせ装置 |
JPS6052021A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Canon Inc | 位置検出方法 |
DE3372673D1 (en) * | 1983-09-23 | 1987-08-27 | Ibm Deutschland | Process and device for mutually aligning objects |
JPH0619280B2 (ja) * | 1983-09-24 | 1994-03-16 | 名古屋大学長 | 光学式自動位置決め装置 |
FR2553532A1 (fr) * | 1983-10-12 | 1985-04-19 | Varian Associates | Dispositif capacitif d'alignement de masque |
US4631416A (en) * | 1983-12-19 | 1986-12-23 | Hewlett-Packard Company | Wafer/mask alignment system using diffraction gratings |
GB2272759B (en) * | 1983-12-23 | 1994-11-23 | Gec Ferranti Defence Syst | Detector apparatus for detecting coherent point-source radiation |
US4656347A (en) * | 1984-01-30 | 1987-04-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Diffraction grating position adjuster using a grating and a reflector |
US4663534A (en) * | 1984-03-08 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting device utilizing selective outputs of the photodetector for accurate alignment |
US4596467A (en) * | 1984-03-16 | 1986-06-24 | Hughes Aircraft Company | Dissimilar superimposed grating precision alignment and gap measurement systems |
JP2578742B2 (ja) * | 1984-04-10 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | 位置合わせ方法 |
US4623403A (en) * | 1984-06-15 | 1986-11-18 | Texas Instruments Incorporated | Indexing of laser beam for programming VLSI devices |
FR2566930B1 (fr) * | 1984-06-29 | 1987-01-02 | Zaitsev Valentin | Dispositif xy pour photorepeteur |
JPH0629964B2 (ja) * | 1984-09-11 | 1994-04-20 | 株式会社ニコン | マーク検出方法 |
US4632557A (en) * | 1985-01-23 | 1986-12-30 | Harris Corporation | Alignment target image enhancement for microlithography process |
US4736108A (en) * | 1986-07-29 | 1988-04-05 | Santana Engineering Systems | Apparatus and method for testing coplanarity of semiconductor components |
GB2195784B (en) * | 1986-10-07 | 1990-01-10 | Le I Yadernoi Fiz Im B P Konst | Apparatus for synthesis of elongated holographic diffraction gratings |
US4728193A (en) * | 1986-12-11 | 1988-03-01 | Hughes Aircraft Company | Precision automatic mask-wafer alignment system |
US4742233A (en) * | 1986-12-22 | 1988-05-03 | American Telephone And Telgraph Company | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns |
US4815854A (en) * | 1987-01-19 | 1989-03-28 | Nec Corporation | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
JPS62216231A (ja) * | 1987-01-24 | 1987-09-22 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | アライメント装置 |
US4757207A (en) * | 1987-03-03 | 1988-07-12 | International Business Machines Corporation | Measurement of registration of overlaid test patterns by the use of reflected light |
US4943733A (en) * | 1987-05-15 | 1990-07-24 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment |
JPH03386Y2 (de) * | 1987-09-10 | 1991-01-09 | ||
JPH0528065Y2 (de) * | 1988-03-18 | 1993-07-19 | ||
JPH01153976U (de) * | 1988-04-04 | 1989-10-24 | ||
JPH0265584U (de) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | ||
US5322747A (en) * | 1989-03-22 | 1994-06-21 | Hugle William B | Method of manufacturing an optical disc |
GB8908871D0 (en) * | 1989-04-19 | 1989-06-07 | Hugle William B | Manufacture of flat panel displays |
KR0177148B1 (ko) * | 1989-05-16 | 1999-04-15 | 고스기 노부미쓰 | 웨이퍼 얼라인먼트 마크 및 그 제조방법 |
US5459340A (en) * | 1989-10-03 | 1995-10-17 | Trw Inc. | Adaptive configurable gate array |
US5217916A (en) * | 1989-10-03 | 1993-06-08 | Trw Inc. | Method of making an adaptive configurable gate array |
US5216257A (en) * | 1990-07-09 | 1993-06-01 | Brueck Steven R J | Method and apparatus for alignment and overlay of submicron lithographic features |
JPH04215417A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
US6329104B1 (en) * | 1992-03-16 | 2001-12-11 | Holtronic Technologies, Ltd. | Position alignment system for holographic lithography process |
JPH0676207U (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-28 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | 板状体の収納装置 |
US5652426A (en) * | 1993-04-19 | 1997-07-29 | Ricoh Company, Ltd. | Optical encoder having high resolution |
EP0745211B1 (de) * | 1994-01-24 | 2003-05-14 | Svg Lithography Systems, Inc. | Gitter-gitter interferometrisches ausrichtsystem |
JP3158878B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2001-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 光学式エンコーダ |
US5808742A (en) * | 1995-05-31 | 1998-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks |
US5609718A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5655951A (en) * | 1995-09-29 | 1997-08-12 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US7758794B2 (en) * | 2001-10-29 | 2010-07-20 | Princeton University | Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness |
US20040137734A1 (en) * | 1995-11-15 | 2004-07-15 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
US5777739A (en) * | 1996-02-16 | 1998-07-07 | Micron Technology, Inc. | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
US6075606A (en) | 1996-02-16 | 2000-06-13 | Doan; Trung T. | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates |
US6007408A (en) * | 1997-08-21 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates |
US6498644B1 (en) * | 1997-09-17 | 2002-12-24 | Promos Technologies Inc. | Alignment system of wafer stage |
US6046111A (en) * | 1998-09-02 | 2000-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
AU2411800A (en) * | 1999-01-13 | 2000-08-01 | Lasersight Technologies, Inc. | Profiling calibration plate |
US6290572B1 (en) | 2000-03-23 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Devices and methods for in-situ control of mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6612901B1 (en) * | 2000-06-07 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6428386B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Planarizing pads, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6447369B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-09-10 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and alignment systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US6609947B1 (en) * | 2000-08-30 | 2003-08-26 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates |
US6819426B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-11-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US20030002043A1 (en) | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
US7341502B2 (en) * | 2002-07-18 | 2008-03-11 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces |
US20040066517A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-08 | Hsu-Ting Huang | Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology |
CN100476599C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-04-08 | Asml荷兰有限公司 | 光刻标记结构、包含该光刻标记结构的光刻投射装置和利用该光刻标记结构进行基片对准的方法 |
US7193715B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-03-20 | Tokyo Electron Limited | Measurement of overlay using diffraction gratings when overlay exceeds the grating period |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US7565219B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7289214B1 (en) | 2004-11-23 | 2007-10-30 | N&K Technology, Inc. | System and method for measuring overlay alignment using diffraction gratings |
WO2006075400A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | セグメントグレーティングアライメント装置 |
US7433018B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pattern alignment method and lithographic apparatus |
US7532305B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using overlay measurement |
US7391513B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using overlay measurement quality indication |
US7898662B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20080036984A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7772710B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-08-10 | Sematech, Inc. | Zero-order overlay targets |
WO2008072502A1 (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-19 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI347428B (en) * | 2007-11-02 | 2011-08-21 | Ind Tech Res Inst | Overlay alignment structure and method for overlay metrology using the same |
NL1036857A1 (nl) * | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
JP5324309B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2013-10-23 | ボンドテック株式会社 | アライメント装置、アライメント方法および半導体装置 |
JP6039222B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、インプリント装置及びデバイス製造方法 |
US9080899B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-07-14 | Mitutoyo Corporation | Optical displacement encoder having plural scale grating portions with spatial phase offset of scale pitch |
US8941052B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-01-27 | Mitutoyo Corporation | Illumination portion for an adaptable resolution optical encoder |
US9029757B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-05-12 | Mitutoyo Corporation | Illumination portion for an adaptable resolution optical encoder |
US9018578B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-04-28 | Mitutoyo Corporation | Adaptable resolution optical encoder having structured illumination and spatial filtering |
KR102125450B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-06-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 광변환부재 및 이를 포함하는 조명장치 |
US10678412B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic joint dividers for application windows |
US10592080B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-03-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Assisted presentation of application windows |
US10254942B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Adaptive sizing and positioning of application windows |
US9827209B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-11-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9423360B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US10317677B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-06-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US11086216B2 (en) | 2015-02-09 | 2021-08-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Generating electronic components |
US9535253B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-01-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9429692B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-30 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US10018844B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wearable image display system |
US9513480B2 (en) | 2015-02-09 | 2016-12-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide |
US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
JP6716779B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2020-07-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置 |
WO2019141479A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a target, and metrology apparatus |
EP3514628A1 (de) * | 2018-01-18 | 2019-07-24 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren zur messung eines ziels und metrologievorrichtung |
JP7227988B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2023-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の1つ又は複数の構造の特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
EP3531191A1 (de) * | 2018-02-27 | 2019-08-28 | Stichting VU | Metrologievorrichtung und verfahren zum bestimmen einer eigenschaft einer oder mehrerer strukturen auf einem substrat |
WO2020159560A1 (en) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Moiré target and method for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3330964A (en) * | 1963-09-09 | 1967-07-11 | Itck Corp | Photoelectric coordinate measuring system |
US3726595A (en) * | 1970-01-07 | 1973-04-10 | Canon Kk | Method for optical detection and/or measurement of movement of a diffraction grating |
US3738753A (en) * | 1970-09-21 | 1973-06-12 | Holograf Corp | Interferometer utilizing gratings to measure motion |
US3690881A (en) * | 1970-09-28 | 1972-09-12 | Bell Telephone Labor Inc | Moire pattern aligning of photolithographic mask |
GB1353470A (en) * | 1970-10-19 | 1974-05-15 | Post D | Position measuring apparatus utilizing moire fringe multiplication |
GB1362871A (en) * | 1971-10-07 | 1974-08-07 | Creed Co Ltd | Printing telegraph machine |
US3743842A (en) * | 1972-01-14 | 1973-07-03 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray lithographic apparatus and process |
US3742229A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask alignment system |
US3867038A (en) * | 1972-11-27 | 1975-02-18 | Baird Atomic Inc | Optical alignment system |
DE2316248A1 (de) * | 1973-03-31 | 1974-10-10 | Leitz Ernst Gmbh | Fotoelektrischer schrittgeber |
DE2451994A1 (de) * | 1974-11-02 | 1976-11-04 | Fromund Prof Dipl Phys Hock | Verfahren und anordnung zur erzeugung photoelektrischer signale |
DE2521618B1 (de) * | 1975-05-15 | 1976-03-11 | Zeiss Carl Fa | Vorrichtung zum Messen oder Einstellen von zweidimensionalen Lagekoordinaten |
GB1516536A (en) * | 1975-08-22 | 1978-07-05 | Ferranti Ltd | Measuring apparatus |
US3984680A (en) * | 1975-10-14 | 1976-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Soft X-ray mask alignment system |
JPS52105775A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-05 | Toshiba Corp | Fine position matching method |
-
1977
- 1977-05-03 US US05/793,259 patent/US4200395A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-04-28 GB GB16948/78A patent/GB1601409A/en not_active Expired
- 1978-05-02 CA CA302,436A patent/CA1093297A/en not_active Expired
- 1978-05-02 JP JP5328778A patent/JPS53137673A/ja active Granted
- 1978-05-03 FR FR7813229A patent/FR2389928B1/fr not_active Expired
- 1978-05-03 DE DE19782819400 patent/DE2819400A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10142316A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-04-17 | Advanced Micro Devices Inc | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Bestimmung kritischer Dimensionen und Überlagerungsfehler |
DE10142317B4 (de) * | 2001-08-30 | 2010-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers und kritischer Dimensionen in einer Halbleiterstruktur mittels Streuungsmessung |
US7099010B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Two-dimensional structure for determining an overlay accuracy by means of scatterometry |
DE102005016231B4 (de) * | 2005-04-06 | 2010-09-16 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Optisches System und Verfahren zur Herstellung eines Verbundelementes aus transparenten, mit mikrooptischen Strukturen versehenen plattenförmigen Substraten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2389928B1 (de) | 1984-09-14 |
DE2819400A1 (de) | 1978-11-09 |
GB1601409A (en) | 1981-10-28 |
JPS53137673A (en) | 1978-12-01 |
FR2389928A1 (de) | 1978-12-01 |
JPS6228576B2 (de) | 1987-06-22 |
US4200395A (en) | 1980-04-29 |
CA1093297A (en) | 1981-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2819400C2 (de) | ||
DE3512064C2 (de) | Gerät zur Messung von Überdeckungsfehlern | |
DE69827608T2 (de) | Ausrichtungsvorrichtung und lithographischer apparat mit einer solchen vorrichtung | |
DE69521270T2 (de) | Optischer Kodierer | |
DE4031637A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum messen einer verschiebung zwischen zwei objekten sowie eines spaltabstands zwischen den beiden objekten | |
DE3788158T2 (de) | Vorrichtung für die Erkennung von Vergrösserungsfehlern in einem optischen Abbildungssystem. | |
DE3785891T2 (de) | Umgekehrtes dunkelfeld-ausrichtsystem fuer einen lithographischen ausrichtscanner. | |
EP0137099B1 (de) | Messeinrichtung | |
EP0002668B1 (de) | Einrichtung zur optischen Abstandsmessung | |
DE69225858T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Lageabweichungen von mehreren auf einem Objekt aufgebrachten Beugungsgittern | |
DE2651430B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Maskenmusters in bezug auf ein Substrat | |
EP0043863A1 (de) | Verfahren zur Kompensation des Proximity Effekts bei Elektronenstrahl-Projektionsanlagen | |
DE102016212477A1 (de) | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems | |
DE69608419T2 (de) | Herstellung und verwendung eines eichsystems in submikronbereich | |
DE69428327T2 (de) | Verfahren und System zur Detektion einer Winkelabweichung unter Verwendung eines periodischen Musters | |
DE3138161A1 (de) | Verfahren zur bestimmung von geometrischen parametern der oberflaeche eines objektes und einrichtung zu dessen durchfuehrung | |
DE3782441T2 (de) | Vorrichtung fuer die ausrichtung einer maske gegenueber einem substrat. | |
EP0040704B1 (de) | Verfahren zur Moiré-metrischen Prüfung | |
DE2758149C2 (de) | Interferometrisches Verfahren mit λ /4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder Ebenheitsmessung | |
DE102008005355B4 (de) | Autofokusvorrichtung und Autofokussierverfahren für eine Abbildungsvorrichtung | |
EP0135673B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Festlegung einer Koordinate auf einer Oberfläche eines Festkörpers | |
DE102019212520A1 (de) | Diffraktives optisches Element für ein Prüfinterferometer | |
EP0040700B1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Prüfung optischer Abbildungssysteme | |
DE102004010363A1 (de) | Verfahren und Meßgerät zur Bestimmung einer örtlichen Variation des Reflektions- oder Transmissionsverhaltens über die Oberfläche einer Maske | |
WO2004051206A1 (de) | Vorrichtung zur optischen vermessung eines abbildungssystems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: JABBUSCH, W., DIPL.-ING. DR.JUR., PAT.-ANW., 2900 |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: JABBUSCH, W., DIPL.-ING. DR.JUR. LAUERWALD, J., DI |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |