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DE2845890C3 - Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe - Google Patents

Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe

Info

Publication number
DE2845890C3
DE2845890C3 DE2845890A DE2845890A DE2845890C3 DE 2845890 C3 DE2845890 C3 DE 2845890C3 DE 2845890 A DE2845890 A DE 2845890A DE 2845890 A DE2845890 A DE 2845890A DE 2845890 C3 DE2845890 C3 DE 2845890C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
discharge lamp
mercury
noble gas
gas discharge
printing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2845890A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2845890B2 (de
DE2845890A1 (de
Inventor
Takehiro Dipl.-Ing. Akashi Hyogo Kira
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of DE2845890A1 publication Critical patent/DE2845890A1/de
Publication of DE2845890B2 publication Critical patent/DE2845890B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2845890C3 publication Critical patent/DE2845890C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70016Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/12Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
    • H01J61/18Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent
    • H01J61/20Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent mercury vapour

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

10
wobei X die Quecksilbermenge in mg pro cm3 des Lampenkolbenvolumens ist und wobei Y der Wert des Fülldrucks in Bar des Edelgases oder der Gasmischung aus Xenon und anderen Edelgasen ist.
Die Erfindung betrifft eine Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs, die insbesondere beim Drucken oder Kopieren von Mustern für integrierte Schaltkreise und für Schaltkreise mit hohem Integrationsgrad verwendet wird. .
Bekannt ist eine Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe mit einem Lampenkolben, der zwei Elektroden, Quecksilber und ein Edelgas einschließt, wobei das Edelgas Xenon oder eine Mischung aus Xenon und anderen Edelgasen ist (US-PS 29 24 733). Mit dieser bekannten Entladungslampe kann eine ausreichende kurzwellige Ultraviolettstrahlung nicht erhalten werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Quecksilber-Edelgas-Entladungslam}, s zu schaffen, die eine starke ultraviolette Strahlung mit Wellenlängen von 0,2 μη bis 0,25 μπι emittiert. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Patentanspruchs.
Die Erfindung beruht darauf, daß herausgefunden wurde, daß die beim Drucken oder Kopieren besonders wichtigen Wellenlängen der Ultraviolettstrahlen unter 0,25 μπι liegen, und daß ein besonders quantitatives Verhältnis zwischen dem im Lampenkolben eingeschlossenen Quecksilber und Edelgas einen bemerkenswerten Anstieg in der Menge der Strahlung mit Wellenlängen zwischen 0,2 μπι und 0,25 μπι bewirkt.
Die Zeichnung zeigt eine teilweise aufgeschnittene Seitenansicht des Hauptteils einer Ausführungsform der Erfindung.
Die Zeichnung zeigt ein Beispiel einer Kurzbogen-Entladungslampe für Gleichstrombeleuchtung. In der Lampe sind Quecksilber und Xenon eingeschlossui. Der aus Quarz bestehende Lampenkolben 1 besitzt im wesentlichen eine Form, die einem Rotationsellipsoiden ähnelt. Hermetisch dichte Einschmelzungen sind mit 2 und 3 bezeichnet. In diesen hermetischen Einschmelzungen 2 und 3 sind Molybdänfolien 4 und 5 eingebettet Mit 6 und 7 sind innere Leitungen bezeichnet, die sich von den Molybdänfolien 4 und 5 in den Quarzkolben 1 hinein erstrecken. Die innere Leitung 6 trägt an ihrer Spitze eine Anode 8. Die Spitze 9 der inneren Leitung 7 dient als Kathode. Das Bezugszeichen L bezeichnet den Abstand zwischen dem inneren Ende P\ des Quarzkolbens 1 auf der Seite der Kathode und dem inneren Ende P2 auf der Seite der Anode. Pi bezeichnet das Zentrum des Quarzkolbens 1. Ein Reflexionsfilm 10 erleichtert die Verdampfung des Quecksilbers und vermindert die Lichtstreuung.
Ein Beispiel einer Entladungslampe, die mit der oben dargestellten Struktur ausgebildet wurde, weist folgende Werte auf:
Abstrahlleistung der Entladungslampe: 500 W
Betriebsspannung: 24,2 V
Betriebsstrom: 20,6 A
Menge (X) des Quecksilbers, welches pro cm3 des Kolbenvolumens eingeschlossen ist:
6,8 mg/cm3 (25° C)
Gasdruck des Xenons (Y): 3 Bar (25° C)
L=39 mm
Die folgende Tafel zeigt die Ergebnisse eines Vergleiches der obigen erfindungsgemäßen Entladungslampe mit einer Gleichstrombeleuchtungs-Kurzbogen-Quecksilberhochdrucklampe (SH) und einer handelsüblichen Xenonlampe (XL), alle Lampen haben eine Nennleistung von 500 W:
XL
SH
Erfindungsgemäße
Entladungslampe
Menge der Ultraviolettstrahlung
mit 0,2 um bis 0,25 μτη
Druckzeit
0,1
100 see Schwierigkeiten 15 see
beim Druck
Die obigen Vergleichsdaten beziehen sich auf die Menge der Strahlung mit 0,2 μπι bis 0,25 μηι die von der Xenonlampe XL emittiert wird.
Die obigen Meßdaten zeigen an, daß die erfindungsgemäße Entladungslampe eine starke Ultraviolettstrahlung mit Wellenlängen im Bereich von 0,2 bis 0,25 μπι emittiert, damit wird beim Drucken im Vergleich zu den anderen Entladungslampen, die den gleichen Leistungsbedarf wie die erfindungsgemäße Entladungslampe haben, wesentlich weniger Zeit benötigt.
Ist der Wert X kleiner als I, so bewirkt dies einen Anstieg der Menge der Ultraviolettstrahlung mit Wellenlängen unter 0.2 μπι und eine Verringerung in der Menge der Ultraviolettstrahlen mit Wellenlängen im Bereich von 0,2 μπι bis 0,25 μπι, dieser Bereich ist besonders zum Drucken geeignet. Wenn der Wert X größer als 13 wird, so wächst die Strahlung der Ultraviolettstrahlen mit einer Wellenlänge oberhalb 0,3 μπι. und die Strahlung der Ultraviölettstrahlen im Wellenlängenbereich zwischen 0,2 μπι bis 0,25 μπι nimmt ab. dies führt zu verlängerten Druckzeiten. Ist der Wert Vkleiner als 2, so wird ebenfalls die Emission
hi von Ultraviolettstrahlen im Wellenlängenbereich zwischen 0,2 μπι und 0,25 μπι unterdrückt, wenn andererseits der Wert Y größer wird als 10, so wächst die Emission der Infrarotstrahlung, dadurch wird das
Druckteil aufgeheizt, so daß die Genauigkeit der Maskierung abnimmt, so daß eine verminderte Auflösungerreicht wird.
Wenn die oben beschriebene Entladungslampe bei der Durchführung des Druckverfahrens benutzt wird, so ΐ wird sie in eine Belichtungsvorrichtung eingebaut.
Die oben beschriebene erfindungsgemäße Entladungslampe emittiert eine siarke Ultraviolettstrahlung mit Wellenlängen im Bereich von 0,2 μπι bis 0,25 μίτι und ermöglicht es sicher, beim Drucken oder Kopieren von Mustern für integrierte Schaltungen und Schaltungen mit hohem bzw. ultrahohem Integrationsgrad Toleranzen zu erreichen, die kleiner als 1 nm sind, außerdem wird für den Druck- oder Kopiervorgang eine sehr kurze Zeit benötigt. ι >
Eine Kurzbogen-Entladungslampe entsprechend der obigen Ausführungsform für Gleichstrombeleuchtung hat außerdem Eigenschaften, die zwischen einer Hochdruck-Gasentladungslampe und einer Hochdruck-Quecksilberdampflampe liegen, dies erfordert beispielsweise einige Abänderungen in der Ausbildung der Anode. In verschiedenen Experimenten wurde herausgefunden, daß im Falle der Kurzbogen-Entladungslampe für Gleichstrombeleuchtung das Volumen der Anode 8 vorzugsweise im Bereich zwischen 0,5 χ 10 'cmVW bis 1,5 χ 10 3CmVW liegt, abhängig von der Leistungsabstrahlung der Entladungslampe.
Außerdem kann das Xenongas durch einige andere Edelgase ersetzt werden, auch wenn diese bezüglich des Strahlungswirkungsgrades etwas schlechter sind Auch im Falle einer Langbogen-Entladungslampe für Wechselstrombeleuchtung ist es möglich, eine quecksilber-Edeigas-Entladungslampe zu erhalten, welche ultraviolette Strahlen im Wellenlängenbereich zwischen 0,2 m und 0,25 m in großen Mengen emittiert
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Quecksilber-Edelii.is-Entladungslampe mit einem Lampenkolben, der zwei Elektroden, Quecksilber und ein Edelgas, beispielsweise Xenon, gegebenenfalls in Mischung mil: anderen Edelgasen, einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß gilt
DE2845890A 1977-12-23 1978-10-21 Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe Expired DE2845890C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15351577A JPS5486979A (en) 1977-12-23 1977-12-23 Discharge lamp

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2845890A1 DE2845890A1 (de) 1979-06-28
DE2845890B2 DE2845890B2 (de) 1981-07-16
DE2845890C3 true DE2845890C3 (de) 1982-03-11

Family

ID=15564213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2845890A Expired DE2845890C3 (de) 1977-12-23 1978-10-21 Quecksilber-Edelgas-Entladungslampe

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4190786A (de)
JP (1) JPS5486979A (de)
DE (1) DE2845890C3 (de)
GB (1) GB1603699A (de)

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