DE2648080C3 - Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung - Google Patents

Description

= i, + 11«

λ,

ist. wobei

/'/ dor gemeinsame Emitterstrom der beiden

Transistoren,
/'/ der Strom der gemeinsamen Eniittersiromquelle(.S'3).

//πω« der maximale Eingangsrauschstrom,
Ai die Stromverstärkung des Verstärkers und
/t/_m,„die minimale Stromverstärkung des Verstärkers sind und

w S* I min

J lntax j

als Kompensationsstrom von der zusätzlichen Gleichstromquelle geliefert wird.

Die Erfindung betrifft einen Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung gemäß dem Oberbegriff des

Anspruchs!.

Derartige Verstärker sind in vielfältigen Ausführungen bekannt (Beispiel: DE-OS 19 02 064) und werden hauptsächlich zur Verstärkungsregelung eingesetzt, d. h. dort wo ein schwankender Eingangssignalpegel in einen im wesentlichen konstanten Ausgangspegel umgewandelt werden soll. Typischerweise ist bei solchen Differenzverstärkern der Kehrwert der Stromverstärkung eins plus eine exponentiell Funktion der Basisvorspannungsdifferenz des verstärkenden Transistorpaars. Die Verstärkung ist also keine lineare Funktion des Verstärkungssteuersignals.

Ein weiterer wesentlicher Nachteil der bekannten Differenzverstärker aus zwei Transistoren besteht darin, daß der Modulationsindex des Ausgangssignals gleich dem Modulationsindex des Eingangssignals ist, wobei unter Modulationsindex in diesem Fall das Verhältnis des Signalwechselstroms zu dem zur Arbeitspunkteinstellung dienenden Gleichstrom zu verstehen ist. Da der Modulationsindex einer relativ starken Schwankung unterworfen ist, entsteht im Ausgangssignal des Differenzverstärkers ein beträchtliches Rauschen.

Hinzu kommt, daß die effektive Rauschleistung am Ausgang eines Differenzverstärkers proportional zur Gleichstromkomponente des Eingangsviromes ist, wenn man davon ausgeht, daß die dominierende Rauschquelle der Basiswiderstand der Transistoren ist. Aus »IEEE Journal of Solid State Circuits«, Band SC-9, Nr. 4. August 1974, Seiten 159 ff. ist zwar eine Schaltung bekannt, bei welcher ein konstanter Strom von dem Gleichstrom abgezogen wird,der zur Vorspannungseinstellung dient, indem ein Widerstand zwischen die Quelle für posiiive Spannung und den verbundenen Emitteranschlüssen dss Transistorpaares gelegt wird, wodurch ein Betrieb des Verstärkers bei einem niedrigen Arbeitspunkt-Gleichstrom erzwungen wird. Bei dieser Schaltung wird jedoch nur bei hinreichend kleinem Modulationsindex des Eingangssignals das Rauschverhalten verbessert.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Breitbandverstärker der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß seine Charakteristik bezüglich der Verstärkungssteuerung linear wird und ein günstiges Rauschverhalten erzielt

so wird. Die Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch 1 gekennzeichnet.

Vorteilhafte Ausführungsform bzw. Weiterbildungen der Erfindung finden sich in den I Inieransprüchen. Anspruch 4 kennzeichnet dabei eine wirkungsvolle

^h' Einrichtung zur zusätzlichen Rauschunterdrückung.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbci-'.piele der Erfindung anhand tier Zeichnungen erläutert; es stellt dar

F i g. 1 schematisch einen typischen Breitband-Verstärker mit variabler Verstärkung gemäß dem Stand der Technik,

F i g. 2 schematisch eine Ausführungsform eines Breitband-Verstärkers gemäß der Erfindung,

Fig.3 schematisch eine andere Ausführungsform eines Breitband-Verstärkers gemäß der Erfindung,

Fig.4a, b schematisch die Rauschstromquellen des Grundbausteines in der Form eines differentiell verbundenen Paares von Transistoren zur Erläuterung des bevorzugten Optimierungsverfahrens gemäß der Erfindung,

F i g. 5 schematisch eine andere Ausführungsform der Erfindung, bei der das Ausgangsrauschen minimal gemacht wird.

Fig. 1 stellt eine bekannte Schaltung mit Transistoren QX und Q2 in Differenzschaltung dar. Die Basisanschlüsse von Transistoren Q 3 und Q 4 sind jeweils mit Kollektor- bzw. Basisanschlüssen der Transistoren Q1 bzw. QI verbunden. Die Transistoren QZ und Q4 arbeiten als Dioden und ergeben die Basissteuerspannung Vb zwischen den Basisanr/rhlüssen der Transistoren Q1 und Q 2 infolge der Gleichströme I: und h zur Verstärkungssteuerung von Gleichstromquellen S_x bzw. 5b.

Der Kollektorstrom I₀ des Transistors Q 1 bildet das Ausgangssignal der Schaltung und der Emitterstrom I_x des Transistorpaares zur Stromsenke 5j bildet das Eingangssignal der Schaltung. Die bekannte Stromverstärkungsfunktion der Schaltung lautet

I + exp

kT

■, flirO < A₁ < I

dabei bedeutet q die Ladung eines einzelnen Elektrons, k ist die Boltzmann-Konstante und T* die absolute Temperatur. Für die Schaltungsanordnung gemäß Fig. I, bei welcher die als Dioden geschalteten Transistoren ^3 und QA eine Temperaturkompensation ergeben, gilt:

Daher wird der Ausdruck für die Stromverstärkung der Schaltung in Fig. 1 unabhängig von der Temperatur und vereinfacht sich zu

fiirO < A₁ < \ . (3)

I 4- ²

Das Glied A_x umfaßt bei der Schaltung gemäß Fig. 1 den Summanden 1 im Nenner dieses Ausdrucks. Somit kann die Verstärkung dieser Schaltung nicht hyperbolisch als Funktion von einem der Gleichströme /1 oder h zur Verstärkungssteuerung verändert werden.

Die Schaltung gemäß Fig. 2 besteht aus der Schaltung gemäß Fig. 1 sowie einem zusätzlichem Transistor Q5. Der Transistor Q5 ist mit den anderen Schaltungskomponentcn durch die Erdverbindung des Emitters verbunden, sowie durch die Verbindung von dessen BasisanschluD mit dem Basisanschluß des Transistors Q 3 und durch die Verbindung von dessen Kollektoranschluß rr.il dem KollektoranschluS des Transistors Q4. Die Verbindung der Kollektoranschlüsse der Transistoren Q4 und (?5 führt dazu, daß der Kollektorstrom /5 des Transistors Q5 von dem zur Vorspannungseinstellung dienenden Gleichstrom /4 der Gleichstromquelle S2 abgezogen wird. Durcii Abstimmung der Transistoren Q3 und QS wird der Strom /5 im wesentlichen gleich dem Gleichstrom /3 zur Vorspannungseinstellung von der Gleichstromquelle 51, da die Basis/Emitterspannung der beiden abgestimmten Transistoren die gleiche ist.

Für die Schaltung gemäß Fig.2 beträgt die Stromverstärkung

A₁ =

I +

h_ I_x

Dabei bedeuten /1 und /2 die Kollektorgleichströme der Transistoren Q 3 bzw. ζ)4 wie bei der Schaltung gemäß Fig. 1. Wenn /3 = /5, I_x = /3 und h = h — /3 für Λ ^ /3 ist, beträgt die Stromverstärkung

A_x =

Da somit die Stromverstärkung A₁ durch das Verhältnis von zwei Strömen bestimmt wird, kann diese in einfacher Weise hyperbolisch geändert werden, indem der zur Verstärkungssteuerung dienende Gleichstrom h konstant gehalten wird, während der zur Verstärkungssteuerung dienende Gleichstrom /4 verändert wird. Die Stromverstärkung kann auch linear verändert werden, indem der Strom /4 konstant gehalten wird, während der Gleichstrom /3 geändert wird.

Bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 3 sind zu der Anordnung gemäß F i g. 2 Rückkopplungstransistoren Q6 und Q7 hinzugefügt. Bei dieser Schaltung ist die Verbindung zwischen Basis und Kollektor des Transistors Q3 sowie die entsprechende Verbindung des Transistors Q4 des Schaltkreises gemäß Fig. 2 unterbrochen. Die Basisanschlüsse der Transistoren Q 3 und Q4 bleiben mit den Basisanschlüssen der Transistoren Q1 bzw. ζ) 2 verbunden, und die Kollektoranschlüsse der Transistoren Q3 und Q4 bleiben mit den Stromquellen 51 bzw. 52 zur Verstärkungssteuerung verbunden. Rückkopplungstransistoren Q6 und Ql sind über Transistoren Q 4 bzw. Q 3 verbunden. Der Emitteranschluß jedes Rückkopplungstransistors Q6 und Ql ist mit dem entsprechenden Basisanschluß der Transistoren Q 4 bzw. Q 3 verbunden, und der Basisanschluß jedes Rückkopplungstransistors Q6 und Ql ist mit dem Kollektoranschluß des entsprechenden Transistors Q 4 bzw. Q 3 verbunden, und die Kollektoranschlüsse der Rückkopplungstransistoren Q 6 und Ql sind beide mit der Gleichspannungsquelle V«. für die Vorspannungseinstellung verbunden.

Die Rückkopplungstraiisistoren Q6 und Ql verringern den Strom, der von den Stromquellen 52 und 5 1 gezogen wird, um die Basisanschlüsse der Transistoren Q2 und Q4 bzw. Qi, Q3 bzw. Q5 zu speisen. Dadurch wird der Parameter Fife. d. h. die Gleichstromverstärkung jedes Transistors als Verhältnis des Kollektorgleichstroms zum ^Rasisgleichstrom für den entsprechenden RUckkopplungstransistor bestimmt. Indem die von den Strömquellen Si Und S2gezogenen Basissirörne minimal gemacht werden, wird der Kol'ekiorstrom /3' des Transistors Q3 noch mehr dem Gleichstrom /3 zur Verstärkungssteuerung gleichen, so daß sich die Ströme /5 und /3 nc rh mehr gleichen. Auch wird die Stromverstärkung A 1 noch mehr dem einfachen Verhältnis der Gleichströme /3 und /4gleichen.

Die Schaltunesanordnuneen eemäß F i p. 2 und i

können beide voll in ein einziges llalbldlerchip integriert werden. Eine derartige Anordnung dieser Schaltkreise ergibt eine nahe Abstimmung von jeweils zwei Transistoren in dem Schaltkreis, die im wesentlichen die gleiche Emitterfläche haben. F.inc Veränderung des Verhältnisses der von den beiden Transistoren beanspruchten Emitterflächen führt zu einer Änderung der Kollektorströmc dieser beiden Transistoren bei gleichen Vorspannungsbedingungen. Wenn beispielsweise die Emitterflächc des Transistors Q 5 ein echter Bruch π der Emittcrfläehe des Transistors Q 3 ist, ist der Strom /5 gleich n/l, und die Stromverstärkung des Verstärkers ist

A₁

/₄ Kn- Il /.,

Verstärker mit differeritidl verbundenen Transisiorpaaren werden häufig als Verstarker mit automatischer Verstärkungsstcuerung ausgebildet, bei denen das Ausgangssignal bei allen Pegeln des Eingangssignals konstant gehalten werden soll. Der bekannte, in F i g. 4a dargestellte Regelschaltkreis ergibt Fehler im Ausgangssignal wegen der Basiswiderstände der Transistoren Qi und Q2 und des sich wesentlich ändernden Ausgangs-Modulationsindcxes, wobei der Modulationsindex definiert ist als das Verhältnis des Wechselstromes zu dem den Arbeitspunkt bestimmenden Gleichstrom. Die Änderungen des Ausgangsmodulationsindexes sind das Ergebnis der gleichen Änderungen des Eingangsmodulationsindexes und der Gleichheit der beiden Modulationsindizes.

In Fig. 4a ist ein Paar Transistoren Q\ und Q 2 in Differenzschaltung dargestellt, bei dem die Steuerspannung VB zusätzlich eine Fehlerspannung VE zwischen den Basisanschlüssen der beiden Transistoren anlegt. Eine Eingangsstromquelle S'.i ist differentiell mit den Emitteranschlüssen der Transistoren Qi und Q2 verbunden und Eingangs-Rauschspannungsquelle 55 und 56 sind mit den Basisanschlüssen der Transistoren Q 1 bzw. Q 2 verbunden. Die Ausgangsspannungen der

= η e„A,K\ - A₁)

I₁

(8)

Dabei bedeutet e„ den Effektivwert der Eingangs/ Rauschspannungen von den Quellen 55 und 56, und die Eingangs- und Ausgangsmodulationsindexe sind

Aus Gleichung 8 ist ersichtlich, daß der Effektivwert inc des Ausgangsrauschstromes direkt proportional dem Eingangsrauschstrom /; ist. Es ist auch eine Gleichung 8 ersichtlich, daß der Minimalwcrt des Effektivwertes de Aiisgangsrauschstromes i„n auftritt, wenn die Stromver Stärkung A₁ sich dem Wert 1 oder 0 nähert und de Maximalwert von i„nbei einer Stromverstärkung -4. vo 0.5 auftritt. Da der Ausgangs-Signalstrom /0 konstan gehalten wird in Verstärkern mit Verstärkungsregelung beträgt der F.ingangssigiialslrom /Ί ein Maximum fü A, = Aimm. da

■1/

ist. |e größer der Eingangssignalstrom i, ist. desto größe

ist der l.ingangsglcichstrom //, welcher οι forderlich is ti um den Eingangsmodulationsindex ungefähr in den gleichen Bereich zu halten, um den Eingangssignalstrorr konstant zu halten.

Die Schaltungsanordnung gemäß F i g. 4b ist gleicr

derjenigen der F i g. 4a, wobei zusätzlich eine Gleich stromquelle 54 hinzugefügt ist, di-j parallel zu dci Stromsenke 53 geschaltet ist. Der Eingangsstrom /Γ de in Differenzschaltung verbundenen Transistorpaares fü diese Schaltungsanordnung beträgt

Dabei gilt //=/,+ //, wobei der Strom //' durch d Stromquelle 54 zugeführt wird und //„„, der Wert de Eingangsgleichstromes ist für 4/=/l/_m,_n der bekannte Schaltung nach Fig. 4a. Wenn

J5 beträgt, dann gilt

A₁

gleich, da die Transistoren Qi bzw. Q 2 abgestimmt sind. Der Ausgangsstrom k> und der Effektivwert des Rauschstromes /„o erscheinen als Kollektorströme des Transistors Qi.

Jeder der Ströme a> und /Ί stellt die Summe einer Gleichstromkomponente und einer Wechselstromkomponente dar:

dabei bedeutet /, die Gleichstromkomponente und /,die Wechselstromkomponente. Der Effektivwert das Ausgangs/Rauschstromes für diese Schaltung beträgt und der Ausgangsstrom ü\ wird

<fi = A, i,■ + /;_mai A_tmi„ .

Der Effektiv-wert des Ausgangsrauschstromes 1 für diese Schaltung beträgt

i* = l2 ?„,4.(l -

kT '"""

bei einem Ausgangsmodulationsindex von

Almin 11 max ·Ο

Somit wird bei dieser Schaltungsanordnung, bei dei der Eingangsstrom /'/ proportional am Eingangssignal strom variiert, der Eingangsmodulationsindex konstan gehalten, was dazu führt, daß der Ausgangsmodulations index ηΌ konstant bleibt, falls das Produkt dei Stromverstärkung Ai und des Eingangssignalstromes konstant bleibt Dabei gilt weiter, daß die Gleichstrom

^fi5 komponente des Ausgangsstromes k such konstan bleibt, weil der Wert der minimalen Stromverstärkun] Ar_mi„ konstant ist, und der Effektivwert des Ausgangs rauschstromes nicht größer als der entsprechend

F.ffektivwcrt des Aiisgiingsmiischstronies der nichtkompensierten Schaltung bei einer Verstärkung von 4/,,,,,,ISl.

Wenn daher die Hingangsstromsenke .S'3 gemäß I' i g. 2 und J durch die Stromquelle und Stromsenke Λ 3 -, bzw. .V4 in I i g. 4b ersetz:! wird, wird der resultierende Schaltkreis ein Brntbiind-Differerwersiärker mit einer Stumverstärkung, die linear oder hyperbolisch durch Veränderung von einem dor beiden Gleichströme zur Verstärkungssteuerung einstellbar ist, und zwar bei \o minimalem Rauschen des Alisgangssignals.

Aus Fig.i geht der Breitbandverstärker gemäß Fig. 2 hervor, bei dem die Eingangsstromquelle // crscl/l worden ist durch eine zusammengesetzte Hingangsstromquellc gernäß F i g. 4b. um das Ausgangsrauschen minimal zu machen. Die Schaltungsanordnung zur Verbindung der Stromquelle .S'2 mit dem Verstärker wurde ebenfalls modifiziert, um einen Strom /4 abzugeben und zu bewirken, dall du- Schaltung einen Strom /'/ durch die gleiche Stromquelle abgibt. Um dieses Ergebnis zu erreichen, ist anzustreben, daß alle Transistoren der Schaltung gemäß F i g. 5 abgestimmt werden.

Die Verstärkergrundschaltung der Transistoren Q I bis Q 5 entspricht F i g. 2. wobei die Schaltung nicht mit Massepotential, sondern mit einer Vorspannung VC verbunden ist.

Die Gleichstromquelle 52 für die Verstärkungssteuerung ist mit dem Kollektoranschluß eines Transistors QXS in Emitter-Grundschaltung verbunden, wobei der Eiiiitteranschluß mit einer Spannungsquelle - Vu für eine negative Spannung verbunden ist. Die Basis- und Emitteranschlüsse des Transistors Q \b sind mit den Kollektor- bzw. Basisanschlüssen des Transistors Q 15 verbunden. Der Kollektoranschluß des Transistors 6 16 ist mit der gleichen Referenzspannungsquelle VC verbunden, wie die Transistoren Q3. QA und Q5. Der Transistor Q 16 vermindert den von dor Stromquelle 52 durch die Transistoren Q12. QX3. QXA und Q15 gezogenen Strom, so daß der Kollektorstrom des Transistors Q 15 nahezu gleich /4 wird.

— .- .. ... w.. v,- «, _W J UIlVJ V ¹^ V-I6V.LH.II V.IIIV.I!

dem Strom U äquivalenten Strom von der Spannungsquelle V_n- für positive Vorspannung zum Basisverstärker. Die Emitteranschlüsse der PNP-Transistoren ζ)8 und ζ>9 sind mit der Spannungsquelle V_n- für eine positive Vorspannung verbunden, und der Kollektoranschluß des Transistors Q8 ist mit den Kollektoranschlüssen der Transistoren QA und Q 5 verbunden, um diesen einen Gleichstrom zur Arbeitspunkteinstellung zuzuführen. Der Transistor Q9 enthält eine Verbindung zwischen seinen Basis- und Kollcktoranschlüssen und arbeite! als Diode, wobei diese Verbindung wiederum mil dem Basisanschluß des Transistors QS und dem Kollekloranschluß des Transistors Q 14 verbunden isi. Die Basis und Fmittcranschlüssc des Transistors Q 14 sind mil den Basis- bzw. Emitteranschliisscn des Transistors Q 15 verbunden, so daß der Kollektorstrom des Transistors QXA dem Kollektorstrom des Transislors Q 15 entspricht und ungefähr gleich /4 ist. Da der Kollektorstrom des Transistors Q 14 ungefähr gleich /4 ist. gilt dieses auch für die Kollektorströme der Transistoren Q9 und QS. da der Kollektorslrom de. transistors Q9 wiederum dem Kollektorstrom des Transistors QS als Ergebnis der Verbindung und Abstimmung zwischen diesen Transistoren folgt.

Der zusammengesetzte Eingangsstrom wird durch den Anteil der Schaltung mit den Transistoren Q 10 bis Q13 erzeugt. Die Transistoren QM und QM sind parallel geschaltet, ihre Emitteranschlüsse sind mit der .Spannungsquelle - V_Ff für eine negative Vorspannung verbunden, ihre Kollektoranschlüssc sind miteinander verbunden und ihre Basisanschlüsse sind mit dem Basisanschluß des Transistors Q\5 verbunden, so daß die Kollektorströme der Transistoren QX2 und QX3 wie der Strom U des Transistors Q 15 verlaufen und beide Ströme entsprechen etwa diesem Strom U. Die verbundenen Kollektoranschlüsse der Transistoren Q\2 und C? 13 sind mit den Emitteranschlüssen der Transistoren ζ) 10 und CIl über zwei Emitterwiderstände mit gleichem Widerstand RE verbunden. Der Basisanschluß des Transistors Q 11 ist geerdet, und der Kollektoranschluß ist an die Vorspannung VC angeschlossen. Der Transistor QXQ ist ein Spannungs-Strom-Umformer, bei dem die dem Basisanschluß zugeführte Eingangsspannung V/ den Eingangssignalstrom //erzeugt. Als Ergebnis der Verbindung zwischen den Transistoren Q10 bis (?13 entsteht ein Gleichstrom, welcher der Gleichung Il für den Strom /',· entspricht, und der sich ergebende Kollektorstrom des Transistors Q 10 ist /,+ U.

Der Kollektoranschluß des Transistors Q 10 ist mit

vj\.i'i 111 Lyiiici ciiAanttitiuiig VCILfUMUCIiCIi L-niiiici αιι-schlüssen der Transistoren Q 1 und Q 2 verbunden, um das Eingangssignal an den Basisverstärker zu liefern. Zusätzlich kann die Spannungsverstärkung der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 5 beschrieben werden durch die Gleichung

R₁

M?)

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 030 218/234

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung mit zwei in Differenzschaltung mit ihren Emittern miteinander verbundenen Transistoren, wobei das Ausgangssignal des Verstärkers durch den K-ollektorstrom des einen Transistors und das Eingangssignal durch die Summe der beiden Emitterströme gebildet werden und das Verstärkungssteuersignal die Basisspannungsdifferenz der beiden Transistoren ist, welche Spannungsdifferenz durch zwei mit je einer steuerbaren Stromquelle beaufschlagte und mit der Basis je eines Transistors verbundene Einrichtungen zur Erzeugung von sfromabhängigen Spannungsabfällen gebildet wird, gekennzeichnet durch eine Stromsenke (.QS), die mit der einen steuerbaren Stromquelle (S2) verbunden ist und einen Bruchteil (/5) des von dieser erzeugten Stromes (/4) in Abhängigkeit vom Strom (/J) der anderen Stromquelle (51) ableitet

2. Verstärker nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Einrichtungen zur Erzeugung von Spannungsabfällen ein dritter und ein vierter Transistor (Q3, QA) in Emittergrundschaltung und mit Jem Kollektor verbundener Basis sind, wobei die B.isis/Kollektor-Verhindung des dritten Transistors (Q 3) mit der zweiten steuerbaren Stromquelle (51) und der Basis des zweiten Transistors (Q 1) verbunden ist und die Basis/Kollektor-Verbindung des vierten Transistors (Q4) mit der Basis des :/sten Transistors (Q2) verbunden ist und daß die Stromsenk^ einer fünften Transistor (QS) aufweist, dessen Emitter und Basis mit dem Emitter bzw. der Basis des djtten Transistors verbunden sind und dessen Kollektor mit der ersten steuerbaren Stromquelle (S 2) verbunden ist und den Kollektorstrom des fünften Transistors von dem durch die erste Stromquelle zugeführten Strom abzieht.

3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des dritten Transistors (Q3) mit der zweiten steuerbaren Stromquelle (S I) und seine Basis mit der Basis des zweiten Transistors (Q 1) verbunden ist, daß der Kollektor des vierten Transistors (Q 4) mit der ersten steuerbaren Stromquelle (52) und seine Basis mit der Basis des ersten Transistors (Q2) verbunden ist, und daß eine Vorspannungsquelle fV«Jund ein sechster (QJ) und ein siebenter (Q6) Transistor vorgesehen sind, deren Emitter/Basisanschlüsse jeweils mit den Basis- bzw. Kollektoranschlüssen des dritten bzw. vierten Transistors verbunden sind und deren Kollektoren mit der Vorspannungsquelle verbunden sind.

4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der in Differenzschallung verbundenen Transistoren (QI, Q2) mil einer zusätzlichen Gleichstromquelle (54) verbunden sind, derart, daß