DE2525632C3 - Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine Halbleiterschaltung, insbesondere für MOS-Transistorschaltung, aus Dioden und Widerständen - Google Patents
Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine Halbleiterschaltung, insbesondere für MOS-Transistorschaltung, aus Dioden und WiderständenInfo
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- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
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- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
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Description
Es ist bereits bekannt, Halbleiterschaltungen gegen Überspannungen durch vorgeschaltete Schutzschaltungen
/u schützen (siehe /. B. DK-OS 18 09 438,22 36 865).
Solche Schutzschaltungen sind mit Hilfe von Dioden aufgebaut. Sie eignen sich auch dafür, integrierte
Schaltungen zu schützen. Auch Sperrschicht-Feldeffekt-Transistorschaltungen können auf diese Weise geschützt
werden, wobei die Schutzschaltung mit Hilfe von Widerständen und Dioden aufgebaut ist (siehe
DE-AS 20 S1 303).
Die Erfindung zeigt nun einen Weg, wie solche Schutzschaltungen in besonders vorteilhafter Weise
ausgestaltet werden können. Durch die erfindungsgemüße Schutzschaltung wird nicht nur ein Schutz gegen
Überspannungen und gegen Spannungsspitzen erzielt, sondern es wird darüber hinaus auch erreicht, daß für
bestimmte Steuerspannungen ein gewisser Schwankungsbereich
zulässig ist.
Bei einer bereits bekannten Überspannungsschutzanordnung für eine Halbleiterschaltung (siehe DE-PS
1 I 27 947) wird der Schutz gegen Überspannungen mit Hilfe eines Stabilisierungsstromkreises und mit Hilfe
von Dioden zustande gebracht, die durch eine Hilfsspannung vorgeflutet sind. Der zugehörige Steuerkontakt
ist an Masse angeschlossen, während an weitere Schaltungspunkte Spannungen unterschiedlicher Polarität
gelegt sind. Die gleichzeitige Ausnutzung von Spannungen, die gegen Masse unterschiedliche Polarität
haben, ist aber schiltungstechnisch unbequem. Die Erfindung löst die Aufgabe, diese Unbequemlichkeit zu
vermeiden und außerdem dabei für bestimmte Steuerspannungen einen gewissen Spannungsbereich zuzulassen,
so daß die Steuerung kaum behindert wird, wenn auf der Steuerleitung Spannungsabfälle auftreten oder
Störspannungen eingekoppelt werden.
Bei der Erfindung wird demgemäß von einer Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine
Halbleiterschaltung ausgegangen, durch welche die der betreffenden Steuerelektrode der Halbleiterschaltung
zugeführte Steuerspannung über einen Stabilisierungsstromkreis begrenzt wird, der von wenigstens einer
Hilfsspannung gespeist ist und die im Kreis der Steuerspannung wenigstens einen Widerstand und im
übrigen von der Hilfsspannung vorgeflutete Dioden in solcher Anordnung enthält, daß ein der Steuerspannung
überlagertes, unzulässig hohes Steuersignal von der Steuerelektrode abgehalten wird, wobei das Steuersignal
über eine Steuerleitung herangeführt ist, über die die Halbleiterschaltung durch Schließen und Unterbrechen
des Steuerstromkreises mittels eines an der Betriebsspannung liegenden Steuerkontaktes gesteuert
wird. Die erfindungsgemäße Überspannungsschutzschaltungsanordnung ist insbesondere für eine Sperrschicht-Feldeffekt-Transistorschaltung
geeignet. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß der Stabilisierungsstromkreis für die Steuerspannung von einer mittleren
Betriebsspannung über eine Z-Diode in Durchlaßrichtung, über eine weitere Z-Diode in Sperrichtung und
über einen Widerstand zur unteren Betriebsspannung führt, die gleiche Polarität wie die mittlere Betriebsspannung
hat, daß die Steuerspannung am Verbindungspunkt zwischen den Dioden abgegriffen wird, von dem
noch ein Widerstand zu einer oberen Betriebsspannung führt, daß die Steuerleitung an dem Verbindungspunkt
zwischen der in Sperrichtung betriebenen Diode und dem zur unteren Betriebsspannung führenden Widerstand
angeschlossen ist, und daß über den Steuerkontakt die obere Betriebsspannung zuführbar ist.
Durch diese Schaltungstechnik wird erreicht, daß auf der Steuerleitung auftretende Überspannungen sich nur
begrenzt auf die Steuerelektrode auswirken können, daß außerdem eine Vefälschung des durch Schließen des
Steuerstromkreises durch den Steuerkontakt erzeugten Steuersignals weitgehend verhindert wird und daß der
Aufwand für die Versorgung mit Betriebsspannungen klein gehalten wird. Die Arbeitsweise dieser Überspannungsschutzanordnung
wird im einzelnen anhand der Beschreibung der verschiedenen Betriebsfälle erläutert.
Zweckmäßigerweise werden zum Schutz gegen Überspannungen noch Strombegrenzungswiderstände
in die Schutzschaltung eingefügt. Ferner wird zweckmäßigerweise vorgesehen, daß die an der mittleren
Betriebsspannung liegende Diode in Sperrichtung einen Spannungsabfall hat, dcv etwa gleich der Differenz
zwischen der oberen Betriebsspannung und der mittleren Betriebsspannung ist.
Ein Beispiel für den Aufbau und den Betrieb der erfindungsgemäßen Schutzschaltung wird im folgenden
anhand der Figur im einzelnen erläutert. Die betreffen de Steuerelektrode der zu schützenden Halbleiterschaltung
ist dort das Gate G eines MOS-FET-Transistors. Zum Stabilisierungsstromkreis gehören dk Z-Diode
D 2, Z-Diode DX und der Widerstand RX sowie der
Widerstand Ri. An die Z-Diodc D2 ist die Spannung -UX und an den Widerstand RX ist die Spannung
— Wl angelegt. Der Widerstand R 3 ist an Masse gelegt. Der Betrag der negativen Spannung — LJ 2 ist größer als
der Betrag der negativen Spannung -UX. Die Steuerspannung für die Steuerelektrode G wird am
Verbindungspunkt Bzwischen den Dioden D 2, D X und
dem Widerstand /?3 abgegriffen. Es ist hier zwischen diesem Verbindungspunkt ßund die Steuerelektrode C
noch der Strombegrenzungswiderstand R 4 eingefügt. Er dient zum Schutz gegen Überspannungen. Der Diode
D X ist noch der Strombegrenzungswiderstand R 2 vorgeschaltet, der ebenfalls zum Schutz gegen Überspannungen
dient. Diese Überspannungen können gegebenenfalls auf der Steuerleilung L auftreten, über
die die Halbleiterschaltung durch Schließen und Unterbrechen des Steuerstromkreises mittels des
einseitig an Masse liegenden Steuerkontaktes e gesteuert wird. Mit Überspannungen ist besonders zu
rechnen, wenn es sich um eine verhältnismäßig lange Steuerleitung handelt, auf die Störspannungen eingekoppelt
werde können. Zweckmäßigerweise hat die Z-Diode D2 in Sperrichtung einen Spannungsabfall, der
etwa gleich der Differenz zwischen der oberen Betriebsspannung Masse und der mittleren Be'riebsspannung
- UX ist. Hat z. B. die mittlere Betriebsspannung
— UX die Größe - 12 V, die untere Betriebsspannung
-U2 die Größe - 60V, so kann z. B. als Diode D 2
eine Z-Ditde mit einem Spannungsabfall von 15V in Sperrichtung verwendet werden. Als Diode D X kann
eine gleiche Z-Diode verwendet werden. Es hat sich gezeigt, daß die Schutzschaltung gut arbeitet, wenn die
zugehörigen Widerstände folgende Widerstandswerte haben: R 1 = 33 kOhm, K2=10kOhm,
R 3 = 56 kOhm, R 4 = 390 kOhm.
Wenn der Steuerstromkreis mit Hilfe des Steuerkontaktes
e unterbrochen ist, so fließt ein Stabilisierungsstrom
von -Ui über die Diode D2 in Durchlaßrichtung,
über die Diode D X in Sperrichtung, den Strombegrenzungswiderstand R 2 und den Widerstand
R I zu - U2. Am Verbindungspunkt B liegt dann eine
Spannung, die etwa der mittleren Betriebsspannung - UX entspricht. Diese Spannung bleibt auch erhalten,
wenn auf die Sieuerl-itung L Spannungen eingekoppelt
werden, die unterhalb der Betriebsspannung -UX liegen. Werden dort Spannungen eingekoppelt, die
darüberliegen, so kann am Verbindungspunkt B maximal nur eine Spannung auftreten, die etwa gleich
+ 3V ist, also gleich der Differenz zwischen der mittleren Betriebsspannung -UX = -12 V und dem
Spannungsabfall an der Diode D2 in Sperrichtung, der
15 V beträgt. Die angestrebte Spannungsbegrenzung ist
also in diesem Betriebsfall erreicht.
Wenn der Steuerstromkreis mit Hilfe des Steuerkontaktes e geschlossen ist, so liegt normalerweise am
Verbindungspunkt B Massepotential. Über den Widerstand R X fließt der Frittstrom für diesen Steuerkontakl.
Auch am Verbindungspunkt B stellt sich unter Mitwirkung des Widerstandes R 3 Massepotential ein.
Die Diode D 2 ist diesmal in Sperrichtung betrieben. Das Massepotential bleibt am PunKr B auch erhalten,
wenn auf die Steuerleitung L negative Störspannungen bis zu etwa — 15 V eingekoppelt werden. Haben diese
negativen. Störspannungen einen größeren Beirag, so hat dies zur Folge, daß die Diode D 2 in Durchlaßrichtung
beansprucht wird. Dabei wird die am Verbindungspunkt B auftretende Spannung auf die Spannung
-UX = - 12 V begrenzt. Wird auf die Steuerleitung L eine positive Störspannung eingekoppplt, so ergibt sich,
daß ein Strom über den Widerstand R 2 fließt, wobei die Diode D X in Durchlaßrichtung betrieben wird und die
Diode D 2 in Sperrichtung betrieben wird. Am Verbindungspunkt B kann dabei maximal nur eine
Spannung von +3 V auftreten, wie es bereits erläutert wurde. Der Widerstand R 4 dient zur Begrenzung des
Stromes, der bei Störspannungen gegebenenfalls von der Halbleiterschaltung aufgenommen wird. Der Widerstand
R 2 dient auch zur Begrenzung des Stromes, wenn Störspannungen auftreten.
Vorstehend wurde gezeigt, daß der Verbindungspu"kt B bei geschlossenem Steuerstromkreis normalerweise
Massepotential annimmt und dies auch beibehält, wenn negative Störspannungen bis zu -!5V auf die
Steuerleitung eingekoppelt werden. Das durch die Schließung der Steuerkontakte e zugeTührte Steuersignal
wird also durch solche eingekoppelte Störspannungen und durch dementsprechende Spannungsabfälle an
der Steuerleitung L nicht verfälscht. Die erfindungsgemäße Schutzschaltung bewirkt also nicht nur eine
Begrenzung der Spannungen, die der gesteuerten Halbleiterschaltung zugeführt werden, sondern verhindert
auch vorteilhafterweise eine Verfälschung des Steuersignals durch betreffende eingekoppelte Störspannungen.
Zweckmäßigerweise wird der der Steue-elektrode G
vorgeschaltete Strombegrenzungswiderstand R 4 durch den Kondensator C ergänzt, an dessen freien Anschluß
die Spannung - UX gelegt ist. Es wird dann durch den
Strombegrenzungswiderstand R 4 und durch den Kondensator C ein Verzögerungsglied gebildet, das
entsprechend seiner Zeitkonstante auch Störimpulse abfängt, die durch Kontaktprellungen oder durch
kurzzeitige Störspannungen hervorgerufen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Überspannungsschutzschaltungsanordnung für
eine Halbleiterschaltung, insbesondere Sperrschicht-Feldeffeki-Transistorschaltung,
durch welche die der betreffenden Steuerelektrode der Halbleiterschaltung zugeführte Steuerspannung
über einen Stabilisierungsstromkreis begrenzt wird, der von wenigstens einer Hilfsspannung gespeist ist
und die im Kreis der Steuerspannung wenigstens einen Widerstand und im übrigen von der Hilfsspannung
vorgeflutete Dioden in solcher Anordnung enthält, daß ein der Steuerspannung überlagertes,
unzulässig hohes Störsignal von der Steuerelektrode abgehalten wird, wobei das Steuersignal über eine
Steuerleitung herangeführt ist, über die die Halbleiterschaltung durch Schließen und Unterbrechen
des Steuerstromkreises mittels eines an der 3e· triebsspannüt.g liegenden Steuerkontaktes gesteuert
wird, dadurch gekennzeichnet, daß der
Stabilisierungsstromkreis für die Steuerspannung von einer mittleren Betriebsspannung (— UX) über
eine Z-Diode (D2) in Durchlaßrichtung, über eine Z-Diode (D 1) in Sperrichtung und über einen
Widerstand (R 1) zur unteren Betriebsspannung (— U2) führt, die dieselbe Polarität wie die mittlere
Betriebsspannung hat, daß die Steuerspannung am Verbindungspunkt (B) zwischen den Dioden (D 2,
D 1) abgegriffen wird, von dem noch ein Widerstand (R 3) zu einer oberen Betriebsspannung (Masse)
führt, daß die Steuerleitung (L)an dem Verbindungspunkt fZy zwischen der in Spemchtung betriebenen
Diode (D 1) und dem zur unieren Betriebsspannung
(— U2) führenden Widerstand f««l) angeschlossen
ist, und daß über den Steuerkoritakt (e) die obere Betriebsspannung (Masse) zuführbar ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch den Stabilisicrungsstrom in
Sperrichtung beanspruchten Diode (D X) ein Strombegrenzungswiderstand
(R 2) zum Schutz gegen Überspannungen auf der Steuerleitung (L) vorgeschaltet
ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Verbindungspunkt (B) der Dioden (D 1, D 2) und der Steuerelektrode
(G) der Halbleiterschaltung ein Strombegrenzungswiderstand (R 4) zum Schutz gegen Überspannungen
auf der Steuerleitung ^eingefügt ist.
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der der Steuerelektrode (G) vorgeschaltete
Strombegrenzungswiderstand (R 4) durch einen Kondensator (C) ergänzt ist, so daß ein
Verzögerungsglied gebildet ist, das Störimpulse abfängt.
5. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die an der
mittleren Betriebsspannung (— U1) liegende Diode
(D 2) in Sperrichtung einen Spannungsabfall hat, der etwa gleich der Differenz zwischen der oberen
Betriebsspannung (Masse) und der mittleren Betriebsspannung (- U I) ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752525632 DE2525632C3 (de) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine Halbleiterschaltung, insbesondere für MOS-Transistorschaltung, aus Dioden und Widerständen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19752525632 DE2525632C3 (de) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine Halbleiterschaltung, insbesondere für MOS-Transistorschaltung, aus Dioden und Widerständen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2525632A1 DE2525632A1 (de) | 1976-12-16 |
DE2525632B2 DE2525632B2 (de) | 1977-08-04 |
DE2525632C3 true DE2525632C3 (de) | 1978-04-06 |
Family
ID=5948640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19752525632 Expired DE2525632C3 (de) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | Überspannungsschutzschaltungsanordnung für eine Halbleiterschaltung, insbesondere für MOS-Transistorschaltung, aus Dioden und Widerständen |
Country Status (1)
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DE (1) | DE2525632C3 (de) |
Families Citing this family (3)
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FR2509563A1 (fr) * | 1981-07-10 | 1983-01-14 | Thomson Csf | Dispositif support de circuits integres utilise dans un systeme de selection de circuits integres a haute fiabilite |
EP0347189B1 (de) * | 1988-06-13 | 1994-08-24 | Nissan Motor Co., Ltd. | Eingangsschutzschaltung für eine Halbleitervorrichtung |
US6392364B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-05-21 | Denso Corporation | High voltage discharge lamp apparatus for vehicles |
-
1975
- 1975-06-09 DE DE19752525632 patent/DE2525632C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
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