DE2430432A1 - Rohrofen mit einem gasdurchstroemten reaktionsrohr - Google Patents
Rohrofen mit einem gasdurchstroemten reaktionsrohrInfo
- Publication number
- DE2430432A1 DE2430432A1 DE2430432A DE2430432A DE2430432A1 DE 2430432 A1 DE2430432 A1 DE 2430432A1 DE 2430432 A DE2430432 A DE 2430432A DE 2430432 A DE2430432 A DE 2430432A DE 2430432 A1 DE2430432 A1 DE 2430432A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- furnace according
- tube furnace
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 88
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 3
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
- C30B31/103—Mechanisms for moving either the charge or heater
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
- F27D11/02—Ohmic resistance heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
Description
2430Λ32
Böblingen, den 20. Juni 1974
oe-fe
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 9 72 125
■Rohrofen mit einem gasdurchströmten Reaktionsrohr
Die Erfindung betrifft einen Rohrofen mit einem gasdurchströmten
Reaktionsrohr zum Behandeln von flachen Plättchen bei festgelegten Temperaturen.
Rohröfen, im folgenden auch einfach öfen genannt, werden in vielen
Zweigen der Technik verwendet. Besonders hohe Anforderungen in bezug auf Temperaturkonstanz bzw. -Stabilität und auf die Gewährleistung
eines vollkommen flachen Temperaturprofils im Reaktionsraum werden an Rohröfen gestellt, die in der Halbleitertechnik verwendet
werden. Rohröfen, die in anderen Zweigen der Technik verwendet werden, sind - wegen der geringeren Anforderungen, die an sie gestellt
werden — im allgemeinen weniger aufwendig ausgestattet, im Prinzip unterscheiden sie sich aber nicht von den öfen, die in der Halbleitertechnik
Anwendung finden. Im folgenden wird deshalb nur auf solche öfen abgestellt, die auch in der Halbleitertechnik verwendet
werden können, es sei aber klargestellt, daß die Anwendung dieser öfen nicht auf dieses Gebiet der Technik beschränkt 1st.
Als man zuerst daran ging. HalbleiterbauteiIe herzustellen, wurden
die dafür 'benötigten Rohröfen aus den damals bereits bekannten
Of entypen entsprechend den Forderungen der neuen Technologie
entwickelt. Als mit dem zunehmenden Trend zu immer kleineren Abmessungen in der Halbleitertechnik die Forderungen an die Fertigungseinrichtungen
immer höher wurden, wurde dem nicht dadurch
409883/1278
-* O mm
begegnet, daß neue Rohröfen entwickelt sondern indem die alten
verbessert wurden. Solche in der Halbleitertechnik verwendeten Rohröfen sind z.B. in den US-Patentsehriften 2 661 385, 2 825 222,
3 264 148, 3 299 196, 3 296 354 und 3 343 518 beschrieben. Die Hauptforderungen, die an diese Rohröfen, die hauptsächlich zum Oxydieren,
Diffundieren und Tempern verwendet werden, gestellt werden, sind eine extreme Temperaturkonstanz über lange Zeiten und ein
völlig flaches Temperaturprofil in dem Bereich des Reaktionsrohrs, in dem die Halbleiterplättchen prozessiert werden, auch dann, wenn
Gas durch das Reaktionsrohr strömt. Beide Forderungen müssen innerhalb
eines sehr kleinen Toleranzbereichs eingehalten werden. Die bekannten Rohröfen erfüllen diese Forderungen mit Hilfe einer
schweren, stabilen Konstruktion und einer sehr hohen termisehen
Masse, was jedoch zur Folge hat, daß diese öfen beim Abkühlen und Erhitzen termisch sehr träge sind. Die bekannten Rohröfen, die in
der Halbleitertechnik verwendet werden, werden deshalb ininer auf derselben Temperatur gehalten und für jede Prozeßtemperatur wird
mindestens ein Rohrofen benötigt.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Rohrofen zum Behandeln
von flachen Plättchen in einem Gasstrom anzugeben, der in der Lage ist, die eingebrachten Plättchen von Raumtemperatur rasch auf
die eingestellte Temperatur zu erhitzen, der bei Temperaturänderungen schnell reagiert und die zu behandelnden Plättchen rasch auf
die neue, gewünschte Temperatur bringt, in dem die zu behandelnden Plättchen auch über lange Zeiten stabil auf einer eingestellten,
einheitlichen Temperatur gehalten und über ihre gesamte Oberfläche gleichmäßig mit den Prozeßgasen versorgt werden können,der einen
geringen verschleiß hat und leicht gewartet und bedient werden kann.
Diese Aufgabe wird mit einem Rohrofen der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß das Reaktionsrohr mindestens im Bereich, in
dem die Behandlung stattfindet, einen rechteckigen Querschnitt hat, aus einem für die Wärmestrahlung durchlässigen Material besteht,
und Leitplatten zur Erzeugung eines über den lichten Quer-
Fi 972 125 409883/1278
■■-■'■- - 3 -
schnitt gleichmäßigen Gasstroms enthält, daß im Reaktionsrohr
ein Plättchenboot mit einer zur Decke des Reaktionsrohrs parallelen
oberen Oberfläche vorhanden ist, daß das Verhältnis (B/A)
von Breite (B) des Reaktionsrohrs zum Abstand zwischen den auf
der oberen Plättchenbootsoberflache liegenden Plättchen und der
Deckenunterseite des Reaktionsrohrs mindestens 1:1 beträgt, daß
unterhalb und oberhalb von Decke und Boden des Reaktionsrohrs und
parallel zu diesen Heizplatten angeordnet sind, daß die Heizenergie
steuernde Temperaturregler vorhanden sind und daß das Heizplattenr-und
Reaktionsrohr enthaltende Volumen mit einem Isoliermantel
kleiner Wärmemasse und einer Wärmeleitfähigkeit von mindestens 0,33 mal 10 (cal/sec . cm«°C) umgeben ist.
Durch den mit Hilfe der Leitplatten und des richtig gewählten Verhältnisses
B/A erzeugten gleichmäßigen Gasstrom über den lichten Rohrquerschnitt werden die zu behandelnden Plättchen über ihre gesamte
Oberfläche gleichmäßig mit den Prozeßgasen versorgt. Die Ausbildung des Rohrquerschnitts, die Lage der zu behandelnden
Plättchen im Reaktionsrohr und die Anordnung der Heizplatten zum Reaktionsrohr bewirkt, daß die zu behandelnden Plättchen zu den
gleichmäßig erwärmten Heizplatten überall den gleichen Abstand haben, was, unterstützt durch die Eigenwärmeleitfähigkeit der
zu behandelnden Plättchen zu einer vollständig gleichmäßigen Erwärmung der zu behandelnden Plättchen führt. Die gleichmäßige Versorgung
mit den Prozeßgasen und die gleichmäßige Erwärmung stellen sicher, daß die im Reaktionsraum vorhandenen, zu behandelnden
Plättchen genau identischen Bedingungen ausgesetzt sind und infolgedessen die Behandlung vollständig gleichmäßig erfolgt.
Dadurch, daß das Verhältnis (B/A) mindestens den Wert eins hat, wird eine starke Wärmeabstrahlung nach der Seite verhindert. Dadurch
reagieren die Plättchen und das Plättchenboot empfindlich
auf Änderungen der Heizleistung, was sich bei der Konstanthaltung
der Temperatur und auch bei Temperaturänderungen (s. u.) günstig auswirkt. Die eingebaute Temperaturregelung stellt sicher, daß die
zu behandelnden Plättchen reproduzierbar den gewünschten Temperaturen
ausgesetzt werden können. Die Genauigkeit, mit der das mög-
Fi 972 125 409883/1278
lieh ist, hängt dann nur noch von der Empfindlichkeit der Temperaturregelung
ab. Sehr empfindliche Geräte für die Temperaturregelung sind im Handel erhältlich. Die günstige Gestaltung des erfindungsgemäßen
Ofens macht es - anders wie bei den bekannten Rohröfen - nicht notwendig, zur Sicherstellung der gleichmäßigen
und reproduzierbaren Erwärmung der zu behandelnden Plättchen eine große Wärmemasse des Rohrofens vorzusehen. Die Wärmemasse des
Ofens wird wesentlich durch die Wärmemasse des Isoliermantels bestimmt. Bei dem erfindungsgemäßen Rohrofen ist die Wärmemasse
des Isoliermantels bewußt klein gehalten. Infolgedessen ist der erfindungsgemäße Rohrofen in hervorragender Weise dazu geeignet,
die eingestellte Temperatur nach oben oder unten rasch zu ändern. Da - wiederum anders wie bei den meisten der bekannten
Rohröfen - bei dem erfindungsgemäßen Rohrofen sich kein Wärme
absorbierendes Material zwischen den Heizplatten und dem Reaktionsrohr befindet, d.h., eine direkte Wärmeübertragung durch
Strahlung stattfindet, kann die Heizung sehr empfindlich auf die Temperatur der zu behandelnden Plättchen reagieren, was einerseits
sicherstellt, daß bei einer gezielten Temperaturänderung sich die zu behandelnden Plättchen praktisch genau so schnell auf
die neue Temperatur einstellen wie die Heizplatten und andererseits das Aufheizen in den Rohrofen eingebrachter, zu behandelnder
Plättchen auf die gewünschte Temperatur beschleunigt wird. Außerdem läßt sich bei dieser Art der Wärmeübertragung die Temperatur
der Plättchen und des Plättchenboots besonders empfindlich regeln. Der erfindungsgemäße Rohrofen ist sehr einfach konstruiert,
was seine Wartung sehr erleichtert. Das Plättchenboot, auf dem
die zu behandelnden Plättchen flach liegen, ist leicht zu beladen und läßt sich leicht in den Ofen schieben. Hinzu kommt die
erwähnte schnelle Reaktion des Ofens auf Reaktionsänderung. Aus diesen Gründen ist die Bedienung des Ofens sehr einfach und er
eignet sich ausgezeichnet für eine fabrikmäßige verwendung.
Es ist-vorteilhaft, wenn das Reaktionsrohr aus klarem, durchsichtigen
Quarzglas besteht, weil dieses Material für die Wärmestrahlung sehr gut durchlässig ist.
Fi 972 125 409883/1278
.'-■■ ■"■- - 5 -
In vorteilhafter Weise wird eine gleichmäßige Versorgung der zu behandelnden Plättchen mit den Reaktionsgasen erreicht, wenn im
Reaktionsraum zwischen dem Einlaß der Reaktionsgase und dem Raum, wo die Behandlung stattfindet, mindest je eine über die Breite
des Reaktionsrohrs sich erstreckende und auf dem Boden stehende bzw. von der Decke hängende und in einem festgelegten Abstand
von der Decke bzw. vom Boden endende Leitplatte vorhanden sind.
Die Wärmeübertragung von den Heizplatten zu den zu behandelnden
Plättchen kann noch verbessert und intensiviert werden und die erzeugte Wärme kann noch besser auf die zu behandelnden Plättchen
konzentriert werden, wenn das Plättchenboot aus einem die Wärmestrahlung
absorbierenden Material besteht. Das Absorbieren der Wärmestrahlung durch das Plättchenboot wird in vorteilhafter Weise
erreicht, wenn das Plattchenboot aus oberflächlich aufgerauhtem
Quarzglas besteht.
Die Wärmeübertragung von den Heizplatten auf die zu behandelnden
Plättchen, bzw/ das Verhältnis zwischen der auf die zu behandelnden Plättchen bzw. dem Plättchenboot eingestrahlten und von der von
diesen abgestrahlten Wärmeenergie ist besonders günstig und die Erwärmung
der zu behandelnden Plättchen und ihre Versorgung mit den Prozeßgasen ist besonders gleichmäßig, wenn das Verhältnis B/A, wobei
B gleich der Breite des Reaktionsrohrs und A gleich'dem Abstand
der oberen Oberfläche der zu behandelnden Plättchen von der Unterseite
der Decke des Reaktionsrohrs sind, zwischen 7:1 und 30:1 liegt,
wobei ein Verhältnis von 18:1 sich als besonders vorteilhaft erwiesen
hat. *
Die Temperaturcharakteristik des Rohrofens wird auch vorteilhaft beeinflußt, wenn das Plättchenboot so hoch ist, daß die obere
Oberfläche der zu behandelnden Plättchen von der Decke und dem Boden
des Reaktionsrohr etwa denselben Abstand haben.
Es ist vorteilhaft, wenn die Heizplatten aus einem*elektrisch isolierenden
Material bestehen, dessen Wärmeleitfähigkeit zwischen 1,24 .1O~ und 16,5 . 10 (cal/sec.cm. 0C) liegt. Dieser Bereich
Fi 972 125 4 0 9 8 8 3/1278
der Wärmeleitfähigkeit gewährleistet, daß sich die Heizplatten auf einer gleichmäßigen Temperatur befinden und infolgedessen über
ihre Oberfläche gleichmäßig Temperatur abstrahlen. Es ist vorteilhaft,
wenn die heißen Lötstellen der zur Temperaturregelung gehörenden Thermoelemente zwischen den Heizplatten und dem Reaktionsrohr
positioniert sind. Eine Temperaturmessung an dieser Stelle erlaubt im Fall des Betriebs bei einer stabilen Temperatur eine
schnelle und empfindliche Reaktion auf geringe Abweichungen von der Solltemperatur der zu behandelnden Plättchen und bewirkt im
Fall von gewünschten Temperaturänderungen bzw. beim Beschicken des Rohrofens mit kalten zu behandelnden Plättchen, daß die Heizleistung
auf den Unterschied zwischen der Soll- und Isttemperatur der zu behandelnden Plättchen optimal abgestimmt ist.
Es ist vorteilhaft, wenn das Material, aus dem der Isoliermantel
— 3 —3
besteht, eine zwischen etwa 0,33 . IO und etwa 0,45 . IO
(cal/sec . cm . 0C) liegende Wärmeleitfähigkeit und eine zwischen
etwa 6,8 und etwa 15,5 s. liegende Masse hat. Bei kleineren Wärmeleitfähigkeiten
und größeren Massen reagiert der Ofen zu langsam auf Temperaturänderungen. Bei größeren Wärmeleitfähigkeiten
und kleineren Massen ist eineunnötig hohe Heizleistung zur Aufrechterhaltung der Temperatur im Ofen erforderlich und der Ofen
reagiert zu empfindlich auf Temperatureinflüsse von außen.
Es ist vorteilhaft, wenn der vom Isoliermantel umschlossene Baum eine Gaseinlaß- und eine Gasauslaßöffnung hat. Diese Ausgestaltung
erlaubt in Fällen, in denen eine besonders schnelle Abkühlung des Rohrofens erwünscht ist, den Kühlvorgang
durch Einleiten von kaltem Gas zu beschleunigen.
Der erfindungsgemäße Rohrofen ist besonders vorteilhaft, wenn
mehrere aufeinanderfolgende Hochtemperaturverfahrensschritte, die bei unterschiedlichen Temperaturen ablaufen, durchzuführen
sind. Während bei Verwendung der bekannten öfen, bei denen die
Einstellung auf eine neue Temperatur sehr lange dauert und die
Fi 972 125 409883/1278
deshalb normalerweise auf eine feste Temperatur eingestellt sind
und infolgedessen nur für einen Verfahrensschritt zur Verfügung stehen, die Auslastung häufig schlecht ist, kann bei dem erfindungsgemäßen
Rohrofen eine Änderung der Temperatur und die Gleichgewichtseinstellung auf die neue Temperatur sehr schnell
vorgenommen werden, und es ist deshalb möglich, den erfindungsgemäßen Rohrofen bei mehreren Verfahrensschritten zu verwenden.
Er kann deshalb besser ausgelastet und vielseitiger verwendet werden,
wodurch sich Rohröfen einsparen lassen.
Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen
beschrieben. Es zeigen:
Fig. l eine perspektivische, teilweise aufgeschnittene
Ansicht einer Ausbildung des erfindungsgemäßen
Rohrofens,
Fig.IA eine Zeichnung, um Details des in Fig. 1 dargestellten
Rohrofens zu zeigen,
Fig. 2 eine teilweise aufgeschnittene Seitenansicht
einer Ausgestaltung des zu dem erfindungsgemäßen
Rohrofen gehörenden Reaktionsrohres,
Fig, 3 eine Profilkante einer statischen Temperaturverteilung
im Reaktionsrohr, wie sie mit dem erfindungsgemäßen Rohrofen erzielt werden kann und
Fig. 4 in einem Diagramm aufgetragen über die Zeit ein
dynamisches Temperaturprofil einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Rohrofens.
Wie die Zeichnungen zeigen, besteht der hier beschriebene Ofen
in seiner Grundausstattung aus einem Gehäuse 1/ durch welches
sich ein für Strahlungswärme transparentes Reaktionsrohr 2 erstreckt,
das z.B. aus Quarzglas mit einer Wandstärke von etwa
Fi 972 125 409883/1278 -
3,2 ram besteht und in dem sich ein Bereich 3 zinn Durchführen von
Hochtemperaturprozessen befindet. Wie gezeigt/ hat das Reaktionsrohr einen rechteckigen Querschnitt mit einer inneren Breite, die
zwischen 33 mm und 50,8 cm liegt und einer inneren Höhe, die im
Bereich zwischen 4,8 und 25,4 mm liegt. In einer typischen Ausbildung
hat das Reaktionsrohr eine innere Breite von 18,1cm, eine Höhe Iran 12,7 mm und eine Gesamtlänge von 58,5cm. Das eine Ende
4 des Reaktionsrohrs 2 ist offen, während sich das andere Ende 5
verjüngt und in einen Gaseinlaß 6 übergeht, der mittels geeigneter Röhren mit den Quellen der erforderlichen Reaktionsgase verbunden
ist. Innerhalb des Reaktionsrohrs 2 und seinem verjüngten Ende 5 benachbart befindet sich eine nach unten gerichtete Leitplatte 7,
deren unteres Ende von der inneren Oberfläche 8 des Bodens 9 des Reaktionsrohrs einen Abstand hat, der zwischen etwa 0,76 und etwa
6,35 mm liegt. Eine zweite Leitplatte 10 steht auf dem Boden 9 und sein oberes Ende hat von der inneren Oberfläche der Decke
11 des Reaktionsrohrs einen Abstand, der zwischen etwa 0,76 und etwa 6,35 mm liegt. Im allgemeinen verlaufen die Decke 11 und der
Boden 9 des Reaktionsrohrs 2 parallel in einem bestimmten Abstand zueinander, wobei die Leitplatten 10 und 7 sich über die ganze
Breite des Reaktionsrohrs 2 erstrecken. Bei einer weiter unten beschriebenen speziellen Anwendung haben die auf die gegenüberliegende
Rohrwand gerichteten Enden der Leitplatten 7 und 10 je einen definierten Abstand von der ihnen gegenüberliegenden Rohrwand
von etwa 1,4 mm.
Die nach oben gerichtete Leitplatte 10 kann, wenn dies gewünscht wird,- als Anschlag für eine Plättchenunterlage oder ein Plättchenboot
12 dienen, welche bzw. welches in das Innere des Reaktionsrohrs 2 eingeschoben worden ist. Es ist auf diese Weise möglich,
Plättchen 13, die zwischen etwa 0,4 und 0,45 mm dick sind, in dem Reaktionsrohr bei der Durchführung der gewünschten Reaktion
in eine festgelegte Position zu bringen. Bei der Anwendung
des hier beschriebenen Ofens ist es im allgemeinen günstig, wenn die Plättchenunterlage 12 für Strahlungswärme undurchlässig ist
und diese absorbiert. Die Strahlungswärme geht von mehreren
FI 972 125 409883/1278
Hitze ausstrahlenden Heizplatten 14 aus, wobei normalerweise vier
Hitze ausstrahlende Heizplatten auf dem Reaktionsrohr 2 und vier Hitze ausstrahlende Heizplatten 14 unter dem Reaktionsrohr
2/nebeneinander angeordnet sind. .Die Lage von jeweils vier Heizplatten
zueinander ist aus der Fig. 3 ersichtlich. Im allgemeinen sind die Plättchenunterlagen bzw. Plättchenboote 12 so ausgestaltet,
daß die Plättchen 13 parallel zum Boden 9 des Reaktionsrohrs
9 liegen und dabei von der Decke und von dem Boden etwa denselben
Abstand haben. Ein typisches Plättchenboot 12 kann aus Quarz bestehen, welches durch eine Aufrauhung der Oberfläche für Strahlungswärme
unddurchlässig gemacht worden ist, und das eine Dicke
hat, die zwischen etwa 1,6 und etwa 6,4 mm liegt. Bei einer speziellen
Auslegung des Ofens hatte das Plättchenboot 12 eine Dicke von etwa 3,2 mm.
Das Plättchenboot 12 hat an seinem einen Ende eine Kerbe 40, in
die eine Kralle 41 des vorderen Teils 42 eines Bootschiebers 43,
der dazu dient, das Plättchenboot in das Reaktionsrohr 2 hineinzuschieben
und aus ihm herauszuziehen, eingreift. Der vordere Teil 42 ist mittels einer Stange 45 mit dem hinteren, als Stöpsel
ausgebildeten Teil 44 verbunden, der in dem offenen Rohrende
steckt und den Zweck hat, den Austritt von Prozeßgasen aus dem
Reaktionsrohr einzuschränken. Die Handhabung des Bootschiebers 63 wird durch einen handgriff 46, der sich auf der nach außen gekehrten
Seite des hinteren Teils 44 befindet, erleichtert. Im
allgemeinen ist der hintere Teil 44 so dimensioniert, daß zwischen
ihm und der inneren Oberfläche des Reaktionsrohrs 2 ein
Durchlaß mit einer lichten Höhe zwischen etwa Of75 und 1,5 mm
übrig bleibt. Alle Teile des Bootschiebers 43 können aus Quarz
bestehen. .
Wesentlich für die Anwendung der hier beschriebenen Vorrichtung
ist der Abstand (A) zwischen der inneren Oberfläche der Decke 11 und der oberen Oberfläche der Plättchen 13. Dieser Abstand
ist bestimmt durch die Gestalt des Plättchenboots 12, auf dem die Plättchen 13 liegen. Das Verhältnis dieses Abstands zu der
Fi 972 125 409883/1278
inneren Breite (B) des Reaktionsrohrs definiert ein kritisches Verhältnis Ä/B, welches zusammen mit den Leitplatten 7 und 10
einen gleichmäßig verteilten Gasstrom in dem Prozeßraum des Reaktionsrohrs 2 und über die Oberfläche des Plättchens 13 hinweg gewährleistet,
ohne daß es Gebiete gibt, in denen das Gas nicht strömt. Im allgemeinen wird der Abstand zwischen der inneren Oberfläche
der Decke 11 und der oberen Oberfläche der Plättchen zwischen etwa 3,2 und etwa 19 mm liegen. Es ist notwendig, daß dieser Abstand
(A) zu der inneren Breite (B) des Reaktionsrohrs 2 paßt, damit ein günstiges Verhältnis B/A zustandekommt. Im allgemeinen wird das
Verhältnis B/A im Bereich zwischen etwa 7 und eta 30 liegen und ist optimal bei etwa 18. Innerhalb des Reaktionsrohrs 2 befindet
sich auch eine Drosselleitplatte 16, die von der Decke 11 nach unten gerichtet ist xmd dazu dient, die Gasströme in Richtung der
Auslaßrohre 17 zu stauen. Durch diese Auslaßrohre 17 werden die
Gase entfernt, was durch einen Rückdruck unterstützt wird, der durch die Injektion eines inerten Gases erzeugt wird, das aus dem
Einlaßrohr 2O über die Verzweigung 19 und die Einlasse 18 in das
Reaktionsrohr 2 einströmt.
Die Hitze ausstrahlenden Heizplatten 14 bestehen aus einem elektrisch
isolierenden Material, dad durch eine relativ hohe termische Leitfähigkeit, die sich im Bereich von etwa 1,24 . 1O~ und
etwa 16,5 · IQ (cal/sec . cm . 0C) bewegt, ausgezeichnet ist.
Typische Materialien dieser Art sind z.B. Aluminiumoxid (Al3O3)
von relativ hoher Reinheit und MuIlit, dessen Al2O- -Gehalt zwischen
etwa 25 und 96 Gewichtsprozent liegt. Die Rückseiten der Hitze ausstrahlenden Heizplatten tragen Furchen 25, zwischen denen
ein spiralförmiges Widerstandselement 26 eingefädelt ist, welches die auszustrahlende Hitze erzeugt. Die Steuerung der Hitzeerzeugung
erfolgt mit Hilfe von konventionellen Thermoelementen, welche in den Ofen hineingeschoben sind und deren heiße Lötstellen
an den Stellen, die die Fig. 3 zeigen, zwischen den Hitze ausstrahlenden
Heizplatten und der Decke 11 des Reaktionsrohrs 2 gegenüber den Plättchen 13 angeordnet sind.
Fi 972 125 409883/1278
Die Heizelemente und das Reaktionsrohr 2 sind mit irgendeinem geeigneten
Isoliermantel 28 umgeben, welcher eine Masse zwischen etwa 6,8 und 15,5 kg hat und dessen termische Leitfähigkeit im
— 3 —3
Bereich zwischen etwa 0,33 . 10 und etwa 0,45 . 10 (cal/sec .
cm . 0G) liegt. Der Isoliermantel ist in dem Gehäuse 29, das
zum Einpacken des Ofens dient, eingeschlossen. Ein besonders vorteilhaftes Isoliermaterial ist fasriges Aluminiumsilikat, das z.
B. von der Eagle-Picker Company aus Cincinnati, Ohio bezogen werden
kann und welches leicht, dimensionsstabil, sehr wirkungsvoll ist und das etwa die Hälfte der thermischen Leitfähigkeit von
Schamottestein bei 1000 0C hat. Ein anderer Vorteil dieses keramischen
fas ri gen Materials besteht darin, daß es in Blöcken erhältlich ist, die in bequemer Weise entsprechend der einzuschließenden
Ofenteile geformt werden können.
Die Fig. 2 illustriert eine andere Ausbildung des hier beschriebenen
Ofens, bei dem ein abgewandeltes Reaktionsrohr 2A benutzt wird, welches für Prozeßgase verwendet werden kann, welche sich
mit Luft, d.h. mit Sauerstoff, vertragen. In dem abgewandelten
Reaktionsrohr sind die Auslaßrohre 17 ebenso wie das Einlaßrohr 20 und die Einlasse 18 weggelassen. Im Gebrauch strömt das Gas
aus dem Reaktionsrohr 2A durch das offene Ende, d.h. durch das
Ende, durch das das Reaktionsrohr beladen wird, in die Atmosphäre,
In jeder anderen Hinsicht ist das Reaktionsrohr 2A wie das Reaktionsrohr
2 gestaltet.
In der Fig. 3 ist eine^statische Pfofilkarte der termischen Charakteristik
* des hier beschriebenen und in der Fig. 1 dargestellten Rohröfens. Bei der Aufnahme der statischen Profilkarte strömte Gas in den Mengen durch das Reaktionsrohr 2, wie sie weiter
unten in einem Anwendungsbeispiel, bei dem Siliciumhalbleiterplättchen
behandelt wurden, des Ofens angegeben sind. Die heißen Lötstellen der benutzten Thermoe leinen te waren direkt über dem
Plättehenböot 12 in eine» Abstand von etwa 1,6 mm angeordnet.
Zwischen den Ablesungen wurde jeweils mindestens zwei Minuten
Fi 972 125 409883/1278
gewartet, damit sich die Temperatur stabilisieren konnte. Die in
der-Fig. 3 angegebenen Temperaturen beziehen sich nur auf die unmittelbare
Umgebung der Meßpunkte und nicht auf große Gebiete, deren Temperatur üblicherweise mittels Thermoelementen gemessen werden,
die sich in einer StickstoffUmgebung befinden. Den in der Fig. 3 angegebenen Werten ist jeweils eine Neun voranzustellen,
d.h. mit anderen Worten, daß der Meßwert 55 in Wirklichkeit für 9,55 steht, die Meßwerte bedeuten Thermospannungen, gemessen in
Millivolt, wobei die den Millivolts entsprechenden Temperaturwerte der Tabelle zu entnehmen sind.
TABELLE
mV 0C
mV 0C
9.30 = 976
9.40 = 984
9.50 β 993
9.56 = 998
9.57 = 999
9.585 = 1000 9.596 = 1001
9.585 = 1000 9.596 = 1001
Die Fig. 4 zeigt in einem Diagramm ein dynamisches Temperaturprofil,
in dem eine Temperaturerhöhung des hier beschriebenen Ofens von 840 auf 1050 °c und das anschließende Wiederabkühlen auf
840 °c in Abhängigkeit von der Zeit dargestellt ist. Dieser Temperaturzyklus läßt sich in weniger als 66 Minuten durchführen.
Die Kurven 1 und 2 illustrieren den Temperaturverlauf, der von zwei Thermoelementen gemessen wurde, die in den Heizelementen in
je einer in der Zeichnung angegebenen Zonen eingebettet waren. Es wäre auch möglich gewesen, die beiden Thermoelemente zwischen den
Hitze ausstrahlenden Heizplatten und dem Reaktionsrohr zu positionieren. Die Kurven 3 und 4 zeigen die Temperaturen, die von je
einem der Thermoelemente, die wie bei der Aufnahme des oben beschriebenen statischen Profils direkt über den Mittelpunkten von
Fi 972 125 409883/1278
-". "" ■■-■■:.-.■. ■ - 13 -
zwei Plattchenpositionen auf dem Plättchenboot positioniert waren,
angezeigt wurden. Die Kurve 3 wurde in der Zone 1 und die Kurve in der Zone 2 aufgenommen. Wie aus der Fig. 4 ersichtlich ist,
folgen die Temperaturen einerseits im Bereich der Heizelemente und andererseits direkt oberhalb der Plättchenposition in beiden
Zonen im wesentlichen einem identischen Kurvenverlauf.
Im folgenden wird die Anwendung der hier beschriebenen öfen bei
der Bildung des Gate-Oxids von Feldeffekt-Transistoren, in denen
Source- und Draingebiete in vorangegangenen Operationen gebildet worden sind, beschrieben. Für diese Oxydation werden zwei öfen,
wie sie hier beschrieben werden, benutzt. Der erste Ofen enthält ein Reaktionsrohr 2A, das die Ficr. 2 zeigt und der zweite Ofen
enthält ein Reaktionsrohr 2, wie es d-«e Fig. 1 zeigt.
Die für die Oxydation verwendeten Siliciumsubstrate 13 haben Gate-Öffnungen
in einer Oxidschicht, wobei diese öffnungen mittels eines photolithographischen Verfahrens in die Oxidschicht geätzt
worden sind. Die Siliciumsubstrate 13 werden auf das Plättchenboot
12 gelegt und dieses anschließend in den ersten Ofen, der auf 1000 0C erhitzt ist und durch dessen Reaktionsrohr 2A
Sauerstoff mit einer Rate von 1300 cc/min strömt, geschoben und dort 72 Minuten lang gelassen. In diesem Verfahrensschritt wird
ein trockenes Gate-Oxid aus Siliciumdioxid auf dem Plättchen 13 aufgewachsen. Anschließend wird das Plättchenboot 12 sofort in
den zweiten Ofen überführt, der sich auf einer Temperatur von 840 °c befindet und durch dessen Reaktionsrohr 2 1182 cc Stickstoff
und 118 cc Sauerstoff pro Minute strömen. Die Gase gelangen durch das Einlaßrohr 6 in das Reaktionsrohr 2. Gleichzeitig
strömen 945 cc Stickstoff/min durch die Einlasse 18 in das Reaktionsrohr
2 hinein. Unter diesen Bedingungen, werden die Plättchen 13 2 bis 5 Minuten lang stabilisiert.
Nach der Stabilisierung wird durch das Einlaßrohr 6 zusätzlich
5 bis 7 Minuten lang ein Dotierungsgas in das Reaktionsrohr 2
injiziert. Der Dotierungsgasstrom bestand aus 15 cc Stick-Fi
972 125 409883/127 8
stoff/min, der 440 ppm POCl- enthielt. Das Dotierungsgas bewirkt
das Niederschlagen eines Phophorsilikatglases (PSG) auf dem Substrat. Auch dieser Verfahrensschritt fand bei 840 0C statt. Nach
dem Ende des PSG-Niederschlags wurden der Sauerstoff und der POCl3-dotierte Stickstoffstrom abgeschaltet und die Ofentemperatur
wurde während eines 15 Minuten dauernden Temperns auf 1050 0C
erhöht. Das Tempern hat den Zweck, die Oberflächenladungen zu stabilisieren und die Phosphorverunreinigungen in der Siliciumoxidbedeckung
des Substrats zu verteilen. Nach dem Ende des Temperns wurde der Ofen auf 840 °c abgekühlt. In der Zwischenzeit wurde
das Plättchenboot herausgezogen, um die Plättchen bei Raumtemperatur
abkühlen zu lassen. Die Gesamtdicke der gebildeten SiO- und PSG-Schichten betrug 675 8, wobei die PSG-Schichtdicke 110 S.
betrug.
Es sei angemerkt, daß, obwohl die Abkühlung des Ofens allein
durch die Steuerung der Heizenergie und der Wärmeabstrahlung des Ofens erzielt wurde, es auch durchaus möglich ist, die Abkühlung
zu unterstuzten, indem ein kühlender Gasstrom durch den Ofen geschickt
wird, wobei dieser Gasstrom zwischen dem Reaktionsrohr und den Hitze ausstrahlenden Heizplatten hindurchgeblasen wird.
Fi 972 125 409883/1278
Claims (15)
- - 15 -ANSP kücheRohrofen mit einem gasdurchströmten Reaktionsrohr zum Behandeln von flachen Plättchen bei festgelegten Temperaturen, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsrohr (2) mindestens im Bereich, in dem die Behandlung stattfindet, einen rechteckigen Querschnitt hat, aus einem für die Wärmestrahlung durchlässigen Material besteht und Leitplatten (7, 10) zur Erzeugung eines über den lichten Querschnitt gleichmäßigen Gasstroms enthält, daß in dem Reaktionsrohr (2) ein Plättchenboot (12) mit einer zur Decke (11) des Reaktionsrohrs (2) parallelen oberen Oberfläche vorhanden ist, daß das Verhältnis (B/A) von Breite (B) des Reaktionsrohrs (2) zum Abstand zwischen den auf der oberen Plättchen-bootsöberfläche liegenden Platten (13) und der Decke (11) des Reaktionsrohrs (2) mindestens eins beträgt, daß unterhalb und oberhalb von Decke (11) und Boden (9) des Reaktionsrohrs und parallel zu diesen Heizplatten (14) angeordnet sind, daß die Heizenergie steuernde Temperaturregler vorhanden sind und daß das Heizplätten (14) und Reaktionsrohr (2) enthaltende Volumen mit einem Isoliermantel (28) kleiner Wärmemasse und einer Wärmeleitfähigkeit von mindestens 0,33 . 10~3 (cal/sec . cm . 0C) umgeben ist.
- 2. Rohrofen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsrohr (2) aus klarem durchsichtigen Quarglas besteht.
- 3. Rohrofen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Reaktiönsraum zwischen dem Einlaß (6) der Reaktionsgase und dem Raum, wo die Behandlung stattfindet, mindestens je eine über die Breite des Rohrs sich erstreckende und auf dem Boden (9) stehende bzw. von der Decke (11) hängende und in einem festgelegten Abstand von der Decke (11) bzw. vom Boden (9) endende Leitplatte (7, 10) vorhanden sind.Fi 972 125 409883/1278
- 4. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchenboot (12) dem Reaktionsrohr (2) in seiner Breite angepaßt und in ihm verschiebbar ist.
- 5. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchenboot (12) aus einem die Wärmestrahlung absorbierenden Material besteht.
- 6. Rohrofen nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchenboot (12) aus oberflächlich aufgerauhtem Quarzglas besteht.
- 7. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis (B/A) im Bereich zwischen 7:1 und 30:1 liegt.
- 8. Rohrofen nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis (B/A) 18:1 beträgt.
- 9. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchenboot (12) so hoch ist, daß die obere Oberfläche der zu behandelnden Platte (13) von der Decke (11) und dem Boden (9) des Reaktionsrohrs (2) etwa denselben Abstand haben.
- 10. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizplatten (14) aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen, dessen Wärmeleitfähigkeit zwischen 1,24 . 10~3 und 16,5 . io""3 (cal/seccm . °c) liegt und auf ihrer dem Reaktionsrohr abgewandten Seite mit einer aus einem Widerstandsdraht bestehenden elektrisch beheizten Heizspirale (26) bestückt sind.
- 11. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die heißen Lötstellen der zurFI 972 125 409883/1278Temperaturregelung gehörenden Thermoelemente zwischen den Heizplatten (14) und dem Reaktionsrohr (2) positioniert sind.
- 12.. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11/ dadurch gekennzeichnet, daß das Material, aus dem der Isoliermantel besteht, eine zwischen etwa 0,33 . 10 und etwa 0,45 . 10 (cal/sec. cm . 0C) liegende Wärmeleitfähigkeit und eine zwischen etwa 6,8 und etwa 15,5 kg liegende Masse hat.
- 13. Rohrofen nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Isoliermantel (28) aus fasrigem Aluminiumsilikat besteht.
- 14. Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der vom Isoliermantel (28) vom Reaktionsrohr (2) und von zwei Stirnflächen begrenzte Raum eine Gaseinlaß- und eine Gasauslaßöffnung hat.
- 15. · Rohrofen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14,gekennzeichnet durch seine Verwendung bei mehreren aufeinanderfolgenden Hochtemperaturverfahrensschritten, die bei unterschiedlichen Temperaturen ablaufen.Fi. 9 72 125 . .409883/1278Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00375190A US3842794A (en) | 1973-06-29 | 1973-06-29 | Apparatus for high temperature semiconductor processing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2430432A1 true DE2430432A1 (de) | 1975-01-16 |
Family
ID=23479866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2430432A Pending DE2430432A1 (de) | 1973-06-29 | 1974-06-25 | Rohrofen mit einem gasdurchstroemten reaktionsrohr |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3842794A (de) |
JP (1) | JPS5024074A (de) |
DE (1) | DE2430432A1 (de) |
FR (1) | FR2235487B1 (de) |
GB (1) | GB1420550A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19547601A1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-06-26 | Sel Alcatel Ag | Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4239560A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-16 | General Electric Company | Open tube aluminum oxide disc diffusion |
FR2492960A1 (fr) * | 1980-10-23 | 1982-04-30 | Efcis | Canne refractaire pour l'introduction et le retrait d'une nacelle dans un four de traitement chimique sous flux gazeux, et four utilisant une telle canne |
JPS57176717A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing device |
FR2522534A1 (fr) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Atelier Electro Thermie Const | Procede de refroidissement et dispositif de traitement d'une charge telle que des substrats mettant en oeuvre ce procede de refroidissement |
US4436985A (en) * | 1982-05-03 | 1984-03-13 | Gca Corporation | Apparatus for heat treating semiconductor wafers |
JPS58130520A (ja) * | 1982-12-24 | 1983-08-04 | Hitachi Ltd | 熱処理炉用操作部 |
US4492852A (en) * | 1983-02-11 | 1985-01-08 | At&T Bell Laboratories | Growth substrate heating arrangement for UHV silicon MBE |
US4503087A (en) * | 1983-08-29 | 1985-03-05 | Varian Associates, Inc. | Process for high temperature drive-in diffusion of dopants into semiconductor wafers |
US4554437A (en) * | 1984-05-17 | 1985-11-19 | Pet Incorporated | Tunnel oven |
US5059770A (en) * | 1989-09-19 | 1991-10-22 | Watkins-Johnson Company | Multi-zone planar heater assembly and method of operation |
US5892203A (en) * | 1996-05-29 | 1999-04-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus for making laminated integrated circuit devices |
US6902622B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-06-07 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate |
JP5772100B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2015-09-02 | 株式会社リコー | 圧電素子の製造装置、圧電素子の製造方法、圧電素子、液滴吐出装置、及び印刷装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE760041A (fr) * | 1970-01-02 | 1971-05-17 | Ibm | Procede et appareil de transfert de masse gazeuse |
FR2114105A5 (en) * | 1970-11-16 | 1972-06-30 | Applied Materials Techno | Epitaxial radiation heated reactor - including a quartz reaction chamber |
US3737282A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-05 | Ibm | Method for reducing crystallographic defects in semiconductor structures |
-
1973
- 1973-06-29 US US00375190A patent/US3842794A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-04-29 FR FR7415812A patent/FR2235487B1/fr not_active Expired
- 1974-06-05 JP JP49063003A patent/JPS5024074A/ja active Pending
- 1974-06-14 GB GB2640574A patent/GB1420550A/en not_active Expired
- 1974-06-25 DE DE2430432A patent/DE2430432A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19547601A1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-06-26 | Sel Alcatel Ag | Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3842794A (en) | 1974-10-22 |
GB1420550A (en) | 1976-01-07 |
FR2235487B1 (de) | 1976-06-25 |
JPS5024074A (de) | 1975-03-14 |
FR2235487A1 (de) | 1975-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2430432A1 (de) | Rohrofen mit einem gasdurchstroemten reaktionsrohr | |
DE69731199T2 (de) | Verfahren und einrichtung zur berührungslose behandlung eines scheiben förmiges halbleitersubstrats | |
DE3850195T2 (de) | Aufschmelzofen. | |
DE1667326A1 (de) | Verfahren zum isostatischen Heisspressen von Materialien und Vorrichtung zu dessen Ausfuehrung | |
DE2104629A1 (de) | Warmeabschirmeinrichtung | |
DE69100056T2 (de) | Druckbehaelter fuer isostatisches pressen mit einer vorrichtung zur schnellkuehlung. | |
DE2722065A1 (de) | Ofen zum isostatischen warmpressen | |
DE102006044626A1 (de) | Aufkohlungsbehandlungsvorrichtung und -verfahren | |
DE2363332C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Konzentrieren von verdünnten Lösungen korrosiver Stoffe | |
DE2337282C3 (de) | Strahlwand-gasbeheizte Fließbettwärmebehandlungsvorrichtung | |
DE1471831C3 (de) | Verfahren zum Erhitzen von Glasgegenständen für eine thermische Behandlung | |
DE2026802B1 (de) | Muffel fuer durchlaufoefen | |
DE2425479C3 (de) | Warmebehandlungsvorrichtung für synthetische Filamentgarne | |
DE2428893A1 (de) | Heizvorrichtung zum behandeln von synthetischen fasern oder dergleichen mit heizdampf | |
DE102010011156B4 (de) | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Halbleitersubstraten | |
DE2540053C2 (de) | Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern | |
DE3017374C1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Glasfasern | |
DE2923160A1 (de) | Anlage zum kuehlen von warmen gegenstaenden | |
DE3824323A1 (de) | Verfahren zum grafitieren von rohlingen aus kohlenstoff zu graphitelektroden | |
DE69002880T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer gleichmässigen Temperatur im Vorherd der Glaserzeugung. | |
DE2310853B2 (de) | Vorwaermer fuer einen drehrohrofen | |
DE574279C (de) | Verfahren zur Rektifikation der im Kocher von Absorptionskaelteapparaten aufsteigenden Daempfe | |
DE2924667A1 (de) | Verfahren zum brennen von keramischen koerpern, insbesondere fliesen und nach diesem verfahren hergestellte fliesen | |
DE488450C (de) | Verfahren zur gleichmaessigen Erwaermung von Metallen oder aehnlichen Stoffen und zum Einhalten einer gleichmaessigen Temperatur durch einen umlaufenden Heizgasstrom | |
CH440096A (de) | Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Blähton |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |