DE2355434A1 - Verstaerker - Google Patents

Description

Priorität: 6. November 1972, Japan, Nr. 110303 Verstärker

Die Erfindung bezieht sich auf Verstärker und betrifft insbesondere eine Verstärkerschaltung, die mindestens eine Steuerstufe und eine Gegentakt-Ausgangsstufe aufweist, wobei die Ausgangsstufe einen ersten Verstärkerteil enthält, der einschaltet, wenn der aussteuernde Strom der Steuerstufe aufnimmt, sowie einen zweiten Verstärkerteil, der einschaltet, wenn der aussteuernde Strom zunimmt.

Auf dem Gebiet derartiger Verstärker sind bei vielen neuerdings entwickelten Leistungsverstärkern die Verstärkerstufen direkt gekoppelt und arbeiten mit dem OTL-System, so daß sie sich in Form integrierter Schaltungen herstellen lassen. Bei einem derartigen· Aufbau fließt jedoch ein hoher Strom durch die Gegentakt-Ausgangsstufe, wodurch beispielsweise ein Last-Kurzschluß verursacht wird. Die die Ausgangsstufe bildenden Endverstärkerteile geraten dabei außerhalb der zulässigen Betriebsbereiche, und ihre Bestandteile werden zerstört.

Als Beispiel für eine Maßnahme zur Lösung dieses Problems werden, wenn die ersten und zweiten Endverstärkerteile außerhalb ihrer zulässigen Betriebsbereiche geraten» Spannung

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und Strom auf der jeweiligen Ausgangsseite gemessen, Entsprechend der Messung werden die jeweiligen Eingangssignale der ersten und zweiten Verstärkerteile aufgeteilt, so daß die Arbeitsweise dieser 7erstärkerteile gesteuert wird. Die so weit beschriebene Schaltung ist in der japanischen technischen Zeitschrift "Denshi-G-ijutsu (Electronics)", Nr. 2, Bd. 1972 in Figur 6 eines Aufsatzes mit dem Titel "Circuit Design Viewed from Protecting System", Seiten 34-39, veröffentlicht.

Mit einem derartigen Aufbau läßt sich die Zerstörung der Transistoren in den ersten und zweiten Verstärkerteilen infolge von Überlastungen dieser Teile oder infolge eines anomalen Anstiegs der Versorgungsspannung verhindern. Im Falle von beispielsweise Überlastungen wird jedoch der Steuerstrom, der das Ausgangssignal der Steuerstufe bildet, groß. Daher besteht die Gefahr, daß ein die Steuerstufe bildender Transistor in einen Überlastungszustand gerät und zerstört wird.

Um dieses Problem zu lösen, ist ferner eine Schaltung vorgeschlagen worden, die in der veröffentlichten japanischen Gebrauchsmusteranmeldung Ur. 8162/1972 offenbart ist und bei der das Eingangssignal der Steuerstufe bei Überlastung aufgeteilt wird.

Bei allen diesen Ausführungsformen sind jedoch Schutzschaltungen so eingerichtet, daß sie die Eingangsseiten der jeweiligen Komponenten getrennt steuern. Infolgedessen ist die Anzahl der erforderlichen Bauteile groß und der Aufbau kompliziert.

Ferner sind bei bekannten Verstärkerschaltungen die Transistoren in den an der Eingangsseite der ersjen und zweiten Verstärkerteile angeordneten Schutzkreisen in ihrem Typ verschieden. Wird beispielsweise an der Eingangsseite des ersten Verstärkerteils ein PNP-Transistor verwendet_r so wird

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an der Eingangsseite des zweiten Verstärkerteils mit einem PNP-Transistor gearbeitet. Soll ein Leistungsverstärker dieser Bauart in Form einer integrierten Schaltung hergestellt werden, so ist es aus diesem Grund erforderlich, einen Transistor in Lateralstruktur und den anderen in Vertikalstruktur auszuführen. Dies ist jedoch von Nachteil, weil sich der Integrationsgrad erhöht.

Der Erfindung liegt generell die Aufgabe zugrunde, Nachteile bekannter Verstärker zu beseitigen oder wenigstens zu reduzieren. In Anbetracht des oben dargelegten Standes der Technik kann die der Erfindung zugrundeliegende allgemeinere- Aufgabe dahingehend formuliert werden, daß ein Verstärker einfachen Aufbaus geschaffen werden soll, bei dem selbst dann, wenn der Steuerstrom einer Steuerstufe zur Aussteuerung einer Gegentakt-Ausgangsstufe groß wird, ein zuverlässiger Schutz der Ausgangstransistoren der Gegentakt-Ausgangsstufe erreichbar ist.

Zur Aufgabe der Erfindung gehört es ferner, einen Verstärker mit einer Schutzfunktion zu schaffen, die bei der Integration einer" Gegentakt-Ausgangsstufe geeignet ist. Ferner soll ein zuverlässiger Schutz der Transistoren einer Gegentakt-Ausgangsstufe bei kleinem Strom möglich sein. Schließlich gehört es zur Aufgabe der Erfindung, einen Verstärker zu schaffen,.der in der Lage ist, mit einer Steuerstufe hoher Spannungsverstärkung zu arbeiten.

Zur Lösung der genannten Aufgabe ist erfindungsgemäß ein Schutzkreis an der Eingangsseite einer Steuerstufe vorgesehen, so daß dann, wenn der zweite Verstärkerteil außerhalb seines Arbeitsbereichs gelangt, dessen Ausgangssignal steuerbar ist. Im einzelnen umfaßt ein erfindungsgemäßer Verstärker eine Steuerstufe und eine Gegentakt-Ausgangsstufe; die Ausgangsstufe besteht aus einem ersten Verstärkerteil, der einschaltet, wenn der Steuerstrom aus der Steuerstufe abnimmt,

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sowie einem zweiten Verstärkerteil, der einschaltet, wenn der Steuerstrom zunimmt. An der Eingangsseite des ersten Verstärkerteils ist ein Schutzkreis vorgesehen, der den Eingangsstrom aufteilt, wenn der erste Verstärkerteil aus seinem zulässigen Arbeitsbereich gelangt; ferner ist an der Eingangsseite der Steuerstufe ein zweiter Schutzkreis angeordnet, um den Eingangsstrom aufzuteilen, wenn der zweite Verstärkerteil außerhalb' seines zulässigen Arbeitsbereichs gerät, so daß selbst dann, wenn der Steuerstrom der Verstärkerstufe groß wird, ein zuverlässiger Schutz der Bestandteile der Gegentakt-Ausgangsstufe gegen Zerstörung erreicht wird.

Die Erfindung wird in der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen näher erläutert, wobei in jeder der Figuren 1 bis 4 jeweils ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verstärkers gezeigt ist.

In dem Verstärker nach Fig. 1 bedeuten Q1 bis Q11 Transistoren, von denen die Transistoren Q1, Q2 und Q8 vom PNP-Typ und die übrigen vom NPIf-Typ sind. Mit R1 bis R17 sind Widerstände bezeichnet, mit C1 bis C7 Kondensatoren, mit D1 bis D3 Dioden, mit IN eine Eingangsklemme, mit Vcc eine Energieversorgungsklemme und mit SP ein Lautsprecher.

Die Transistoren Q1 und Q2 sind mit ihren Emitterelektroden zusammengeschaltet. Die Transistoren Q3 und Q4 sind derart angeschlossen, daß sie für die Transistoren Q1 und Q2 Lasten mit konstantem Strom bilden. Diese Komponenten bilden in Verbindung mit dem Widerstand R4 einen Differentialverstärker mit Vorverstärkungs-Funktion. Die Transistoren Q6 und Q7 sowie die Transistoren Q8 und Q9 liegen jeweils in Darlington-Schaltung. Die Transistoren Q6 bis Q9 bilden eine komplementäre Gegentakt-Ausgangsstufe. Die Basis des Transistors Q6

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ist über die Widerstände R8 und R9 an die Versorgungsklemme Vcc angeschlossen, während die Basis des Transistors Q8 direkt mit dem Kollektor des die Steuerfunktion ausführenden Transistors Q5 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q7 liegt über den Widerstand R10 am Kollektor des Transistors Q9, während der Emitter des Transistors Q9 über den Widerstand R11 geerdet ist. Der Kollektor des Transistors Q5 ist über die Dioden D1 bis D3 mit der Basis des' Transistors Q6 zur Zuführung eines Leerlaufstroms verbunden, der Emitter des Transistors Q5 ist geerdet, und seine Basis ist an den Kollektor des einen Teil des genannten Differentialverstärkers bildenden Transistor Q1 angeschlossen. Zwischen dem Verbindungspunkt P der Widerstände R8 und R9 und dem Verbindungspunkt Q des Widerstands R10 mit dem Transistor Q9 liegt der Kondensator C5, der in Verbindung mit den Widerständen R8 und R9 eine Bootstrap-Schaltung bildet.

Bei den Transistoren Q10 und Q11 handelt es sich um solche Transistoren, die Schutzschaltungen des ASO-Detektortyps bilden, wie sie die vorliegende Erfindung kennzeichnen. Der Transistor Q10 ist mit seinem. Kollektor an die Basis des Transistors Q6 angeschlossen, mit seinem Emitter an den Verbindungspunkt Q und-mit seiner Basis, über den Widerstand RH an den Emitter des Transistors Q7. Die Basis des Transistors Q10 liegt an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R12 und R13, wobei diese beiden Widerstände zwischen der Versorgungsklemme Vcc und dem Verbindungspunkt Q in Serie liegen, so daß die Basis des Transistors Q10 eine bestimmte Vorspannung erhält. Der Transistor Q11 ist mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q5 angeschlossen, mit seinem Emitter geerdet und mit seiner Basis über den Widerstand R17 an den'Emitter des Transistors Q9 angeschlossen. Die Basis des Transistors Q11 liegt ferner an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R15 und R16, die zwischen dem Verbindungspunkt Q und Erde in Serie liegen, und erhält somit wiederum eine bestimmte Vor-

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spannung. Der zwischen Kollektor und Basis des Transistors Q5 liegende Kondensator 07 dient zur Phasenkompensation. Die Widerstände R6 und R7 sowie der Kondensator C7 bilden einen negativen Rückkopplungskreis.

Wird nun beispielsweise der Lautsprecher SP, der die Last dieser Schaltung darstellt, bei einem solchen Aufbau kurzgeschlossen, so übernehmen die Transistoren Q1O und Q1T die im folgenden beschriebene Schutζfunktion.

Nehmen das Eingangssignal des Transistors Q5 sowie der Kollektorstrom (Aussteuerstrom) Id dieses Transistors ab, so steigt das Potential an der Basis des Transistors Q6. Infolgedessen gelangen die Transistoren Q6 und Q7 in einen stärker gesättigten Zustand. Der Emitterstrom des Transistors Q7 steigt, so daß auch das Basispotential des Transistors Q1O zunimmt. Daher kann der Basisstrom des Transistors Q6 als Kollektorstrom für den Transistor Q10 abgezweigt werden.

Nehmen andererseits das Eingangssignal des Transistors Q5 und der Steuerstrom Id dieses Transistors zu, so sinkt das Potential an der Basis des Transistors Q8. Daher geraten die Transistoren Q8 und Q9 in einer stärker gesättigten Zustand, und der Emitterstrom des Transistors Q9 nimmt zu. Ebenso steigt das Potential an der Basis des Transistors Q11. Infolgedessen wird der Transistor Q11 leitend, und der Basisstrom des Transistors Q5 kann als Kollektorstrom für den Transistor Q11 abgezweigt werden. In diesem Fall braucht der Transistor Q11 nur einen geringen Strom von 1/h.^ von dem Strom Id abzuzweigen, wobei h-^-p der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Q5 ist. Das Potential am Kollektor des Transistors Q5 läßt sich ausreichend steuern, so daß die Schutzwirkung zuverlässig erzielt wird. Infolgedessen wird es bei dem genannten Aufbau unnötig, Schutzkreise an den Eingangsseiten der jeweiligen Bauelemente getrennt einzubauen, wie dies bei den Schaltungen nach dem Stand der Technik erforderlich ist.

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Bei dem oben beschriebenen Aufbau können die Transistoren Q10 und Q11 vom gleichen Typ sein; in dem beschriebenen Ausführungsbeispiel sind sie vom NPN-Typ. Im Gegensatz zum Stand der Technik ist es daher nicht nötige Transistoren mit Lateralstruktur zu verwenden. Da sich für die Schutzkreise Transistoren mit Vertikalstruktur einsetzen lassen, ist.es möglich, mit einem vergleichsweise hohen Stromverstärkungsfaktor zu arbeiten. Dementsprechend können die Steuersignale, die die Eingangs signale der Schutzkreise darstellen, klein se.in. Dies bedeutet, daß die Schutzwirkung auch dann mit Sicherheit eintritt, wenn zur Erhöhung der Spannungsverstärkung des Verstärkers der Emitterwiderstand des Transistors Q5 klein (er braucht nicht vorgesehen zu sein) und der Steuerstrom für die Stromaussteuerung sehr groß gemacht werden.

Der Verstärker in der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dadurch, daß es sich bei der Gegentakt-Ausgangsstufe um eine rein komplementäre Schaltung handelt. In Pig. 2 sind mit Q12 und Q13 PNP-Transistoren bezeichnet, die mit den Transistoren Q6 und Q7 die reine Komplementärschaltung bilden. D4 bezeichnet eine Diode.

Bei diesem Aufbau erfüllen die Transistoren Q10 und Q11 die Schutzwirkung ähnlich dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1.

In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 sind mit Q31 bis Q4-1 Transistoren bezeichnet, von denen die Transistoren Q35, Q38, Q40 und Q4-1 vom PNP-Typ und die Transistoren Q31 bis Q34, Q36, Q37 und Q39 vom NPN-Typ sind. Mit R31 bis R52 sind Widerstände bezeichnet, mit C31 bis C37 Kondensatoren und mit ■ D31 bis D35 Dioden. - . -

Die Emitterelektroden der Transistoren Q31 und Q32 sind zusammengeschaltet. Der Transistor Q33 ist mit seinem Kollektor

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an die genannten zusammengeschalteten Emitterelektroden angeschlossen und mit seinem Emitter über den Widerstand R34 geerdet. Der Kollektor des Transistors Q31 liegt über den Widerstand R35 an der Versorgungsklemme Vcc, während der Kollektor des Transistors Q32 direkt an die Versorgungsklemme "Vcc angeschlossen ist. Die Widerstände R31 "bis R33 dienen zur Bestimmung einer Basisvorspannung für den Transistor Q31. Der Widerstand R38 und die Dioden D34, D35 liegen zwischen der Versorgungsklemme Vcc und Erde in Serie und steuern als Konstantstrom-Quelle den Transistor Q33, dessen Basis an den Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R38 und der Diode D34 angeschlossen ist. Diese Komponenten "bilden einen Differentialverstärker und haben Vorvers tärkungs-Punk ti on.

Die Transistoren Q36 und Q37 sowie die Transistoren Q38 und Q39 sind so geschaltet, daß sie eine komplementäre Gegentakt-Stufe bilden. Der Kollektor des Transistors Q37 ist über den Widerstand R40 an die Versorgungsklemme Vcc angeschlossen, während der Emitter des Transistors Q38 und der Kollektor des Transistors Q39 über die Widerstände R51 bzw. R41 mit dem Emitter des Transistors Q37 verbunden sind. Der Emitter des Transistors Q36 ist über den Widerstand R49 an den Emitter des Transistors Q37 angeschlossen, während der' Kollektor des Transistors Q38 über den Widerstand R50 und der Emitter des Transistors Q39 direkt geerdet sind.»

Der Transistor Q35 erfüllt die Aussteuerfunktion für die genannte Gegentakt-Ausgangsstufe. Er ist mit seinem Emitter an die Versorgungsklemme Vcc angeschlossen, mit seinem Kollektor über die Dioden D31 bis D33 an den Kollektor des Transistors Q34 zur Zuführung eines Leerlaufstroms und mit seiner Basis an den Kollektor des Transistors Q31. Der Emitter des Transistors Q34 ist über den Widerstand R52 geerdet, während seine Basis über den Widerstand R39 an den Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R38 und der Diode D34

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angeschlossen ist. Somit arbeitet der Transistor Q34 als Konstantstrom-Quelle.

Die Transistoren Q40 und Q41 bilden Schutzkreise des ASO-Detektortyps, wie sie die Erfindung kennzeichnen. Der Transistor Q40 ist dabei mit seinem Emitter an die Versorgungsklemme Vec angeschlossen, mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q35 und ^:mit seiner Basis über den Widerstand R44 an. den Kollektor des Transistors Q37. Andererseits ist der Transistor Q41 mit seinem Emitter an den Emitter des Transistors Q37 angeschlossen, mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q38 und mit seiner Basis über den Widerstand R47 an den Kollektor des Transistors Q39. Die Basis des Transistors Q40 liegt ferner an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R43 und R 42, die zwischen der Versorgungsklemme Vcc und"dem Emitter des Transistors Q37 in Serie liegen, während die Basis des Transistors Q41 ferner an dem Verbindungspunk't zwischen den Widerständen R46 und R45 liegt, die zwischen dem Emitter des Transistors Q37 und Erde in Serie liegen. Somit erhalten die Basiselektroden der Transistoren Q40 und Q41 bestimmte Vorspannungen. Der zwischen Baöis und Kollektor des Transistors Q35 eingeschaltete Kondensator C37 dient zur Phasenkompensation. Die Widerstände R37 und R36 .sowie der Kondensator C34 bilden einen negativen Rückkopplungskreis. .

Bei einem derartigen Aufbau werden die Transistoren Q36 und Q37 leitend, wenn der Steuerstrom des Transistors Q35 groß wird. Daher kann der Transistor Q40 den Basisstrom des Transistors Q35 in Abhängigkeit von der Änderung des Steuerstroms abzweigen. Die Arbeitsweise der Transistoren Q40 und Q41 und die dadurch erreichte Wirkung sind also ähnlich wie bei der Ausführungsform nach Fig. 1, so daß sich eine detaillierte Erläuterung erübrigt»

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In Fig. 4 ist ein Leistungsverstärker gezeigt, der ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Fig. 4 zeigt dabei einen anderen ASO-Detektortyp als Schutzkreis.

In Fig. 4 sind mit Q51 bis Q66 Transistoren bezeichnet, wobei es sich bei den Transistoren Q53, Q54, Q56 und Q62 um den PNP-Typ und bei den Transistoren Q51, Q52, Q55, Q57 bis Q61 und Q63 bis Q66 um den NPN-Typ'handelt. R61 bis R77 sind Widerstände, C51 bis C59 Kondensatoren und D51 bis D57 Dioden.

Die Transistoren Q51 und Q52 sind emitter-gekoppelt. Kollektorseitig sind die Transistoren Q53 und Q54 zur Bildung einer Konstantstrom-Last miteinander verbunden. An die genannten gekoppelten Emitterelektroden ist ein Serienkreis angeschlossen, der den Transis-tor Q55 und den Widerstand R64 umfaßt, wobei die Basisvorspannung des Transistors Q55 durch die Dioden D54 bis D57 sowie die Widerstände R61 und R62 bestimmt wird. Diese Komponenten bilden einen Differentialverstärker mit der Vorverstärkungs-Funktion.

Der Transistor Q56 dient zur Pegelverschiebung. Seine Basis ist mit dem Kollektor des Transistors Q52 verbunden, sein Emitter mit der Versorgungsklemme Vcc und sein Kollektor mit einem Serienkreis, der den Widerstand R65 und den Transistor Q57 umfaßt, wobei die Basisvorspannung für den Transistor Q57 durch die gleichen Mittel wie für den oben genannten Transistor Q55 bestimmt wird.

Dia Transistoren Q6O und Q61 sowie die Transistoren Q62, Q63 und Q64 bilden eine Gegentakt-Ausgangsstufe. Die Transistoren Q58 und Q59 liegen in Darlington-Schaltung und bilden eine Steuerstufe. - -

Von den Schutzkreise bildenden Transistoren Q65 und Q66 ist der erstere mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q60 angeschlossen, mit seinem Emitter an den Verbindungspunkt R

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zwischen dem Emitter des Transistors Q61 und dem Kollektor des Transistors Q64 und mit seiner Basis über den Widerstand R72 an den Emitter des Transistors Q60 und die Basis des Transistors Q61. Die Basis des Transistors Q65 ist dabei ferner an den Verbindungspunkt der Widerstände R76 und R73 angeschlossen, die zwischen der Versorgungsklemme Vcc und dem Verbindungspunkt R in Serie liegen, so daß der Transistor Q65 eine bestimmte Basisvorspannung erhält. Andererseits ist der Transistor Q66 mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q58,"der die Aussteuerfunktion erfüllt, angeschlossen, mit seinem Emitter geerdet und mit seiner Basis über den Widerstand R74 an den Emitter des Transistors Q63 sowie die Basis des Transistors Q64 angeschlossen. Die Basis des Transistors Q66 ist mit dem'Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R77 und R75 verbunden, die zwischen dem Verbindungspunkt R und Erde in Serie liegen, wodurch auch dem Transistor Q66 eine bestimmte Basisvorspannung zugeführt wird.

Auch bei diesem Aufbau werden die Transistoren Q62 bis Q64 leitend, wenn der Steuerstrom der Transistoren Q58 und Q59 groß wird. Daher kann der Transistor Q66 den Basisstrom des Transistors Q58 in Abhängigkeit von der Änderung des Steuerstroms abzweigen. Im übrigen sind die Arbeitsweise und die dadurch erreichte Wirkung die gleichen wie in den vorhergehenden Fällen. In Fig. 4 ist der, in dem strichpunktiert gezeichneten Kasten enthaltene Teil als integrierte Schaltung ausgeführt. Die in Kreisen eingezeichneten Ziffern geben die Bezifferung der Anschlußklemmen der integrierten Schaltung an.

Gemäß den obigen Ausführungsbeispielen ist die Erfindung auf Gegentakt-Ausgangsstufen des komplementären Darlington-Schaltungstyps angewandt; sie läßt, sich jedoch auch bei Schaltungendes rein komplementären Typs verwenden. Perner handelt es sich in den obigen Ausführungsbeispielen bei den Steuer-

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stufen um Schaltungen zur Stromaussteuerung; die Erfindung ist auch bei Schaltungen mit Spannungsaussteuerung verwendbar. Wie oben erwähnt, sind die Schutzkreise ferner vom ASO-Detektortyp, während die Erfindung jedoch auch auf Schaltungen des Strombegrenzertyps anwendbar ist. Schließlich sind Leistungsverstärkerschaltungen beschrieben worden, während die Erfindung jedoch ganz generell im Zusammenhang mit Verstärkerschaltungen, beispielsweise industriellen Funktionsverstärker-Einrichtungen·, nutzbar ist.

Wie oben dargelegt, ist es in dem erfindungsgemäßen Verstärker möglich, die Transistoren der Gegentakt-Ausgangsstufe bei einfachem Aufbau zuverlässig zu schützen, selbst wenn der aussteuernde Strom der Steuerstufe groß ist. Da sämtliche Transistoren, die zum Schutz der Transistoren der Gegentakt-Ausgangsstufe verwendet werden, vom gleichen Typ sein können, vereinfacht sich die Integration der Schaltung. Erfindungsgemäß lassen sich die Transistoren der Ausgangsstufe zuverlässig mit kleinen Strömen schützen, so daß sich die Integration der Schaltung weiter vereinfacht. Schließlich ist es erfindungsgemäß möglich, die Spannungsverstärkung der Steuerstufe groß zu machen.

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Claims (1)

1. Patentanspruch

   Verstärker mit mindestens einer Steuerstufe und einer Gegentakt-Ausgangsstufe, die _;einen ersten Verstärkerteil umfaßt, der leitend wird, wenn der aussteuernde Strom des Steuerverstärkers abnimmt, sowie einen zweiten Verstärkerteil, der leitend wird, wenn der aussteuernde Strom zunimmt, geke nnz e i ohne t, durch einen ersten Schutzkreis (Q10; Q41; Q65), der an der Eingangsseite des ersten Verstärkerte'ils (Q6, Q7; Q38, Q39; Q60, Q61) derart angeordnet ist, daß er das Eingangssignal dieses'ersten Verstärkerteils steuert, wenn der erste Verstärkerteil aus seinem zulässigen Arbeitsbereich gerät, sowie einen zweiten Schutzkreis (Q11; Q40; Q66), der an der Eingangsseite der Steuerstufe (Q5; Q35; Q58) derart angeordnet ist, daß er das Eingangssignal des zweiten Verstärkerteils (QS, Q9 bzw. Q12, Q13; Q36, Q37; Q62, Q63, Q64) steuert, wenn der zweite Verstärkerteil aus seinem zulässigen Arbeitsbereich gerät.

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