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DE2200883A1 - Spannungsgesteuerter Oszillator - Google Patents

Spannungsgesteuerter Oszillator

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Publication number
DE2200883A1
DE2200883A1 DE19722200883 DE2200883A DE2200883A1 DE 2200883 A1 DE2200883 A1 DE 2200883A1 DE 19722200883 DE19722200883 DE 19722200883 DE 2200883 A DE2200883 A DE 2200883A DE 2200883 A1 DE2200883 A1 DE 2200883A1
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DE
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voltage
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DE19722200883
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DE2200883C3 (de
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Grebene Alan B
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Original Assignee
Signetics Corp
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Publication date
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C3/00Angle modulation

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  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

  • Spannungsgesteuerter Oszillator.
  • Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden U.S. Anmeldung Ser. No. 105 538 vom 11. Januar 1971 in Anspruch genommen.
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen spannungsgesteuerten Oszillator von insbesondere integrierter Ausführung, der in einer phasenstarren Schleife verwendbar und temperaturstabil ist und einen elektronisch gesteuerten Nachführbereich aufweist.
  • Bei bekannten spannungsgesteuerten Oszillatoren läßt sich Ausgangssignalfrequenz des Oszillators von einem mittleren Frequenzwert aus nach unten auf den Wert null oder auf die diesem Mittelwert gegenüber doppelte Frequenz verändern. Bei Verwendung in einer phasenstarren Schleife ergibt sich daher für die Schleifeneigenschaft ein sehr breiter Nachführbereich. Bei manchen Anwendungen ist es wünschenswert, diesen Bereich zu begrenzen und elektronisch zu steuern.
  • Starke Temperaturschwankungen können jedoch auch bei begrenztem Nachführbereich zu sehr starker Trift führen.
  • Daher ist ein Ausgleich für Temperaturtrift erforderlich, insbesondere wenn die ganze Schaltung integriert ist.
  • Der Erfindung liegt daher ganz allgemein die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten spannungsgesteuerten Oszillator zu schaffen, der sich insbesondere zur Integration und Verwendung in einer phasenstarren Schleife mit einem begrenzten und elektronisch gesteuerten Nachführbereich eignet und temperaturstabil ist.
  • Der zu diesem Zweck vorgeschlagene spannungsgesteuerte Oszillator, der auf die Größe eines Eingangssteuersignals ansprechbar ist und zum Erzeugen eines Ausgangssignals mit einer zu dieser Größe in Beziehung stehenden Frequenz dient, ist erfindungsgemäß gekennzeichnet durch eine Halbleiterunterlage, einen Multivibrator mit einem zeitbestimmenden Kondensator und eine zur Veränderung der Ausgangssignalfrequenz in Abhängigkeit von dem Eingangssteuersignal dienende Vorrichtung mit einer in die Ünterlage integrierten, mit dem Kondensator gekoppelten, auf das Steuersignal ansprechbaren und zur Veränderung der Größe des in den Kondensator eingekoppelten Stroms dienenden veränderlichen Stromquelle, sowie einer in die Unterlage integrierten und mit dem Kondensator gekoppelten Konstantstromquelle.
  • Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung kann ein in die Unterlage integriertes und zur Vorspannung der Konstantstromquelle dienenden temperaturabhängiges Netzwerk vorgesehen sein.
  • Die Erfindung wird im nachfolgenden anhand des in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Fig. 1 ist ein schematisches Blockschaltbild einer phasenstarren Schleife nach der Erfindung.
  • Fig. 2 ist eine vereinfachte schematische Schaltung eines spannungsgesteuerten Oszillators, der einen Teil der Fig. 1 darstellt.
  • Fig. 3 ist eine vereinfachte schematische Schaltung eines Teils der Fig. 1.
  • Fig. 4 zeigt schematisch Einzelheiten der Schaltung von Fig. 1.
  • Fig. 5 ist ein typischer Querschnitt durch die Schaltung der Fig. 4 in integrierter Bauweise.
  • Das in Fig. 1 dargestellte Blockschaltbild zeigt eine phasenstarre oder -verriegelte Schleife. Eine derartige Vorrichtung in integrierter Ausführung ist in einer weiteren Patentanmeldung derselben Anmelderin mit dem Akt.Z.
  • P 19 37 421.1 und dem Titel "Integrierte frequenzselektive Schaltung und Demodulator" in größeren Einzelheiten beschrieben.
  • Die Schleife besteht aus drei Hauptbestandteilen.
  • Ein Phasendetektor oder -vergleicher 10 ist in Reihe mit einem Tiefpaßfilter 11 geschaltet, das ein tonfrequentes Ausgangssignal liefert, welches als FM-Ausgang bezeichnet ist. Dieses Ausgangssignal wird vermittels eines innerhalb der Schleife liegenden Verstärkers 12 und eines zweiten Verstärkers 13 verstärkt. Der tonfrequente Ausgang des Verstärkers 12 wird in einen Begrenzer 14 eingekoppelt, dessen Ausgang wiederum einem spannungsgesteuerten Oszillator 16 zugeführt wird. Die Frequenz des spannungsgesteuerten Oszillators steht in Beziehung zur Größe der Eingangssteuerspannung des Filters 11. der spannungsgesteuerte Oszillator 16 weist eine Ausgangsklemme für seine Schwingfrequenz auf, die als Ausgang V (t) des spannungsgesteuerten Oszillators bezeichnet und mit dem Phasenvergleicher 10 verbunden ist.
  • Der Phasenvergleicher 10 vergleicht die Phase des Eingangssignals am Eingang 10 mit der Phase des Ausgangssignals V (t) des spannungsgesteuerten Oszillators. Die Ausgangsspannung des Phasenvergleichers in der Leitung 17 ist ein Maß für die Phasendifferenz zwischen den beiden an den Vergleicher angelegten Eingangssignalen. Wenn beide Signale gleiche Frequenz aufweisen, ist die Fehlerspannung proportional der Phasendifferenz. Auf diese Weise wird das demodulierte FM-Ausgangssignal erhalten. Der Begrenzer 14 dient in der nachstehend beschriebenen Weise zur Begrenzung des Nachführbereichs des spannungsgesteuerten Oszillators in der phasenstarren Schleife und stellt einen integrierten Bestandteil des phasengesteuerten Oszillators dar.
  • Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung eignet sich auch zur Demodulation von AM-Signalen durch Hinzufügung eines Phasenverschiebungskreises wie in einer weiteren Patentanmeldung derselben Anmelderin mit dem Titel "Amplitude Demodulator Using A Phase Locked Loop" (Amplitudendemodulator mit phasenstarrer Schleife) Akt.Z.
  • Ser. No. 800 998 vom 20. 7. 1969 beschrieben ist.-Der spannungsgeregelte Oszillatorteil der phasenstarren Schleife ist in größeren Einzelheiten in Fig. 2 dargestellt und als nichtsättigender, emittergekoppelter Multivibrator ausgelegt. Diese Schaltungstopologie wird aufgrund ihres guten Frequenzverhaltens und der linearen Spannungs-Frequenz-Umwandlungseigenschaften gewählt. Fig.2 stellt natürlich einen vereinfachten Schaltungsplan dar.
  • Die Rückkopplungsverstärkungsstufe des Oszillators wird von den Transistoren Q11 und Q12 gebildet, die kreuzweise mit den Puffer-Emitterverstärkerstufen Q10 und Q13 gekoppelt sind. Die Schwingfrequenz wird durch die Aufladung und Entladung eines zeitbestimmenden Kondensators Co durch zwei Sätze symmetrischer Stromquellen 12, I5 und I 16 bestimmt. Der Ausgang des spannungsgeregelten Oszillators wird an den Kollektoren der Transistoren Q11 und Q12 in der Form einer symmetrischen Rechteckwelle mit einem Spitzenamplitudenhub Vbe erhalten, welcher der Basis-Emitter-Spannungsabfall der Schaltungstransistoren ist. In Fig. 2 sind diese Ausgangsklemmen mit B und D bezeichnet und liefern die Spannung Vo(t), welche dem Phasenvergleicher 10 der Fig. 1 zugeführt wird.
  • Die diodengeschalteten Transistoren Q8 und Q9 dienen als Kollektorlasten für Q11 und Q12 und machen daher die Ausgangsamplitude -unabhängig von den Absolutwerten der Ströme 12 und 1 Die Fehlerspannung Vd der phasenverriegelten Schleife wird differential an die Steuerklemmen E und F angelegt. Diese Steuerspannung steuert die Schwingfrequenz durch Aufteilung des mit IT bezeichneten Gesamtsteuerstroms auf die spannungsgesteuerten Quellen I1, I2 und 1 Der Gesamtstrom IT stellt daher seinem Wesen nach eine gemeinsame Konstantstromquelle dar, die von einem Stromteilernetzwerk mit den drei Zweigen I1, 12 und 13 gespeist wird. Wie durch die Vorzeichen angezeigt ist, wird Vd an die Stromquelle I1 in entgegengesetzter Richtung zu 12 und 13 angelegt und verändert daher den Strom differential im entgegengesetzten Sinn. Wie durch die in Klammern angegebenen Ströme (I) angedeutet ist, wird der Gesamtstrom IT im wesentlichen stets auf dem Wert (4I) gehalten, wobei 11 gleich (21) und 12 und I3 jeweils gleich (I) entsprechen.
  • Dadurch wird die Temperaturstabilität der Schaltung erhalten. Diese Differentialtechnik ist in einer weiteren Patentanmeldung derselben Anmelderin mit dem Titel ~Phasenverriegelte Schleife mit spannungsgeregeltem Oszillator", Akt Z. P 19 44 138.4 offenbart.
  • Die Stromquellen I4 und 17 liefern Vorspannungsströme für die in Kaskadenschaltung geschalteten Transistoren Q11 und Q12 der Multivibratorschaltung Q10 - Q13.
  • Eine zwischen den Klemmen H und J liegende temperaturabhängige Gleichstrom-Vorspannungsquelle ist mit VX(T) be zeichnet und ist mit den Konstantstromquellen I5 und 16 gekoppelt, die ihrerseits mit dem Kondensator Co gekoppelt sind. Die Vorspannungsquelle V (T) bewirkt, daß die Quellen I-5 und I6 die gleiche Temperaturabhängigkeit wie Vbe haben. In erster Näherung wird daher die Schwingfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators unabhängig von der Temperatur, da Die nachstehende Analyse zeigt insbesondere, daß aufgrund der Tatsache, daß die Fehlerspannung Vd der Schleife nur einen Teil der frequenzbestimmenden Stromquelle (d.h. Ii, 12 und 13) und nicht die Vorspannungsquellen I5 und I6 steuert, die größte auf V zurückzuführen-16 die d de Frequenzabweichung des spannungsgesteuerten Oszillators begrenzt ist auf In dieser Gleichung ist Af die versuchte Abweichung aufgrund einer Veränderung von Vd, fO ist die ungefähre Änderung der Eigenschwingfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators und stellt V (t) dar und 12 und 15 sind natürlich jeweils die veränderliche Stromquelle und die konstante Vorspannungsstromquelle. Aufgrund der symmetrischen Eigenschaften der Schaltung, I I, und 12 und 16 brauchen die anderen Stromquellen in der Gleichung (2) nicht berücksichtigt zu werden. Aus der vorstehenden Gleichung geht außerdem hervor, daß die Naximalabweichung und damit der maximale Nachführbereich der Schaltung durch Steuerung der Maximalgröße von 12 verändert werden kann.
  • Insbesondere läßt sich durch Veränderung des Werts von 12 Af/fo von 1 bis zu 30 % von f verändern. Das erfolgt vermittels eines äußeren Potentiometers, das in Fig. 4 dargestellt und weiter unten beschrieben ist.
  • Zur Verringerung innerer Trift des spannungsgesteuerten Oszillators sind die Stromquellen 15 und I6, welche in der vorstehend beschriebenen Weise den Nachführbereich des spannungsgesteuerten Oszillators begrenzen, durch die temperaturabgeglichene Vorspannungsquelle V (T) vorgespannt. Ein vereinfachter Schaltungsplan der temperaturabhängigen Schaltung ist in Fig. 3 dargestellt. Die Halbleiterdioden weisen ganz allgemein eine festgelegte und genau bekannte Temperaturtrift der Diodenanschaltspannung auf, die dicht bei - 2 mV/°C liegt. Die mit dieser genau bekannten Trift arbeitende Schaltung der Fig. 3 bildet eine abgeglichene Brücke, so daß die Widerstände Rx2> Rx3 und Rx4 gleich sind. Außerdem wird der Abgleich der Brücke durch Einstellung des Zweigstroms IA durch RX2 und die diodengeschalteten Transistoren QA und QB gleich dem Zweigstrom 1B durch die Widerstände Rx3 und Rx4 geteilt, und diese Ströme werden gleich der Funktion der Diodenanschaltspannung 2# gemacht entsprechend der Formel 1A = 1B = 2# = 2# (3) Rx2 Rx4 Mit den beiden diodengeschalteten Transistoren QA und QB ist daher der Strom durch die beiden Spannungsabfälle 2# an den Transistoren bestimmt. Die in Fig. 3 dargestellte abgeglichene Brücke weist außerdem einen mittigen Zweig auf, der aus den in Reihe geschalteten Widerständen Rx5 und RX6 besteht, die an einem mittigen Abgriff die Vorspannung V (T) liefern. Wenngleich in dieser Schaltungsdarstellung nur der Zweig IA der Brücke in Reihe geschaltete Dioden QA und QB aufweist, kann auch der Widerstand Rx3 entsprechend der in gestrichelten Linien dargestellten Schaltung 21 durch zwei gleichartige Dioden ersetzt werden.
  • Dadurch würde im Gegensatz zu dem Temperaturkoeffizienten null, der sich mit den beiden Widerständen RX3 und Rx4 ergibt, ein positiver Temperaturkoeffizient an den Punkt 22 angelegt werden. An dem anderen Verbindungspunkt 23 des #mittleren Zweiges zwischen Rx2 und den diodengeschalteten Transistoren QA und QB beträgt der Temperaturkoeffizient - 4 mV/OC. Das ergibt sich aus der vorstehend erwähnten bekannten Temperaturtrift der beiden Dioden.
  • Da die Ströme 1A und IB gleich sind, sind auch# die Potentiale an den Punkten 22 und 23 einander gleich. Somit fließt im wesentlichen kein Strom durch den mittigen Zweig RXE, RX6. Die Spannung an Punkt 24 hat den gleichen Wert wie die an den Punkten 22 und 23> wobei jedoch durch geeignete Wahl der Widerstände Rx# und RX6 der Temperaturkoeffizient von - 4 mV/°C zu null verändert werden kann.
  • Anders ausgedrückt, wenn RX5 einen Widerstandswert null aufweist, beträgt der Temperaturkoeffizient - 4, und wenn Rx5 vorgegeben ist und RX6 einen Widerstandswert null aufweist, liefert ein Spannungsabgriff an dem Verbindungspunkt 22 einen Temperaturkoeffizienten null. Bei Verwendung der Schaltung 21 hat natürlich der Punkt 22 einen positiven Temperaturkoeffizienten von + 4 mV/0C. Dieses Temperaturnetzwerk gestattet daher einen vollen Ausgleich für jede mit diesem gekoppelte Vorrichtung 16.
  • Die Schaltung der Fig. 3 weist außerdem eine Lawinen- oder Avalanche-Diode ZO und die zwischen Masse und +Vcc in Reihe geschaltete Diode D auf, durch welche 0 eine temperaturabgeglichene Bezugsspannung erhalten wird die den Konstantstrom 10 unabhängig von Schwankungen von +Vcc liefert. Der Schaltplan der in Fig. 1 dargestellten phasenstarren Schleife in Verbindung mit dem spannungsgesteuerten Oszillator und der Temperaturabgleichsschaltung ist in Fig. 4 dargestellt. Die den Blöcken der Fig. 1 entsprechenden grundlegenden Funktionsblöcke sind in diesem Schaltplan durch gestrichelte Linien angedeutet. Die mit Ziffern versehenen rechteckigen Kästchen entsprechen Kontaktanschlüssen auf der integrierten Schaltungsunterlage.
  • Fig. 4 stellt daher die praktische Ausführungsform der integrierten Schaltung dar, die außerdem in Fig. 5 in einem repräsentativen Querschnitt gezeigt ist.
  • Fig. 5 zeigt einen Transistor mit dielektrischer Isolation, der in eine p-Unterlage eindiffundiert ist.
  • Basis, Emitter und Kollektor des Transistors sind angegeben und die dielektrische Isolation ist durch die Siliziumdioxid-Sperrschicht angedeutet. Außerdem zweigt der Querschnitt einen typischen Widerstand aus einer einzigen p-Diffusion in der n-Schicht und ebenfalls in der Nähe einer dielektrischen Sperrschicht.
  • Sämtliche in Fig. 4 dargestellte Schaltungselemente sind mit Ausnahme der an die Kontaktkissen angeschlossenen Elemente integriert. Insbesondere ist ein veränderlicher Kondensator C mit den Kontakten 1 und 2, der Filter 11 0 mit den Kontakten 18 und 19, die Spannungsquelle +Vcc mit dem Kontakt 20 und das Steuerpotentiometer mit dem Kontakt 11 verbunden. Der übrige Teil der Schaltung ist auf einer einzigen Unterlage integriert; welche die Abmessungen 1,701 x 1,905 mm (67 x 75 mils) aufweist. In der Praxis werden dieelektrische Isolationstechniken entsprechend Fig. 5 angewandt. Außerdem kann Diffus ions isolation unter Verwendung einer Epitaxialschicht ebenfalls zur Anwendung kommen.
  • Der Vergleicher 10 und der Verstärker 12 (Fig.1) sind in einem Block zusammengefaßt. Der Transistor Q30 bildet eine Stromquelle, welche die Eingangstransistoren Q25 und Q26 speist. Das Eingangssignal wird netweder differential oder einpolig (single endedly) an die mit den Basen der Transistoren gekoppelten und als Kontakte 16 und 17 bezeichneten Eingangsklemmen angelegt. Dieses Signal steuert die Aufteilung des Stroms von Q30 auf die Transistoren Q25 und Q26. Die Eingänge 16 und 17 des Vergleichers 10 werden intern durch einen geregelten Vorspann-Bezugswerttransistor Q27 über die Widerstände R20 und R21 vorgespannt. Das Ausgangssignal des spannungsgesteuerten Oszillators 16 erscheint an den Leitungen B und D, die jeweils mit den Basen der Transistorpaare Q21> Q24 und Q22, Q23 gekoppelt sind. Der Eingang in den Leitungen B und D weist eine ausreichende Größe auf, um diese Transistorpaare abwechselnd an- und abzuschalten.
  • Das Filter 11 besteht aus Widerständen und Kondensatoren R1 bzw. C1 von gleichen Werten, die jeweils mit dem Kontakt 18 bzw. 19 und über diese mit den Transistorpaaren verbunden sind. Im Betrieb als Phasendetektor erzeugt der Vergleicher 10 eine Differentialfehlerspannung an den Ausgangsklemmen L1 und L2, die proportional ist dem Kosinus der Phasenwinkeldifferenz zwischen dem Eingangssignal an der Klemme 10 und der Ausgangsfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators. Die jeweils aus Kondensator C1 und Widerstand R1 gebildeten Tiefpaßfilter befinden sich außerhalb der integrierten Schaltung und sind mit den Kontakten 18 bzw. 19 verbunden. Da die Schaltung einen Differentialausgang liefert, wird für jeden Ausgang ein derartiges Tiefpaßfilter benötigt.
  • Der spannungsgesteuerte Oszillator 16 umfaßt aus praktischen Gründen das Temperaturabgleichsnetzwerk und die verschiedenen Vorspannungs-Stromquellen des spannungsgesteuerten Oszillators, nämlich 14, I5, I6 und I7, welche jeweils von den Transistoren Q14> QIS, Q38 bzw. Q18 gebildet werden. Die gesteuerten Stromquellen I1, I2 und I welche die Frequenz des spannungsgesteuerten Oszillators als Funktion der an die Klemmen E und F angelegten Steuerspannung steuern, bestehen jeweils aus den Transistoren Q35 und Q36 für I1, dem Transistor Q16 für I2 und dem Transistor Q17 für 13.
  • Die phasenstarre Schleife wird dadurch vervollständigt, daß die Ausgänge L1 und L2 des Vergleichers 10 zu den Eingängen des spannungsgesteuerten Oszillators in den Leitungen E und F durch Kopplungs-Emitterverstärker (level shifting emitter followers) Q31 und Q32 und Lawinendioden Q33 und Q34 und die mit diesen jeweils in Reihe geschalteten Widerstände R27 bzw. R28 rückgekoppelt sind.
  • Bei der Pegelwertverschiebung wird der Fehlersignalausgang des Vergleichers 10 durch die von den Widerständen R27, R29 und R28, R30 des Koppelnetzwerks gebildeten Widerstandsteiler gedämpft.
  • Der demodulierte Ausgang für frequenzmodulierte Signale wird an dem Kontakt 14 durch den Ausgangswiderstand R32 abgegriffen.
  • Der Phasenvergleicher 10 und der spannungsgesteuerte Oszillator 16 sind durch einen internen Spannungsregler vorgespannt, der durch den Transistor QO gebildet ist, welcher durch eine aus den sämtlich als Dioden geschalteten Transistoren Q1 bis Q4 bestehende Spannungsbezugswertstrecke vorgespannt ist. Somit ist die Spannung an den Widerständen R22 und R23 des Vergleichers 10 auf beispielsweise 14 Volt festgelegt und an unabhängig von der Spesespannung. In entsprechender Weise werden die positiven Spannungen des spannungsgesteuerten Oszillators 16 an den Basen der Transistoren Q8 und Q9 durch die vorgenannte Bezugswertstrecke vermittels des als Zenerdiode geschalteten Transistors Q7 erhalten.
  • Das in Fig. 3 in vereinfachter Form dargestellte Temperaturabgleichsnetzwerk weist außer dem mittigen Abgriff, der aus dem Kontakt 9 zwischen RX5 und RX6 besteht, einen mit der linken Seite des Widerstandes Rx5 verbundenen Kontakt 8 und einen mit der rechten Seite des Widerstandes Rx6 verbundenen Kontakt 10 auf. Somit wird der Temperaturkoeffizient der Vorspannung an den Kontakten 8, 9 und 10 mit höheren Kontaktnummern fortschreitend stärker positiv.
  • Bei der hier dargestellten Schaltung ist der mit H1 bezeichnete Kontakt 8 mit dem mit H2 bezeichneten Kontakt 7 im mittigen Teil des spannungsgesteuerten Oszillators verbunden. Somit wird bei dieser Ausführungsform ein stärker negativer Temperaturkoeffizient erhalten. In Abhängigkeit von der jeweiligen Schaltung, dem Integrationstyp und anderen Faktoren kann es jedoch erforderlich sein, die Kontakte 9 oder 10 zu verwenden. Das läßt sich jedoch erst nach Herstellung der Schaltung ermitteln. Entsprechend der Erfindung kann die Umschaltung von einem Temperaturabgleichskoeffizienten zu einem anderen Koeffizienten erfolgen, ohne daß sich dadurch eine Änderung des Spannungswerts ergibt.
  • Die diodengeschalteten Transistoren Q19 und Q20 sind äquivalent der Diode Do der Fig. 3. Der zenerleitende Diodentransistor QO ist äquivalent der Zenerdiode ZO der Fig. 3.
  • Wie im vorstehenden anhand Gleichung (2) ausgeführt, ist der maximale Nachführbereich des spannungsgesteuerten Oszillators selbstverständlich durch das Verhältnis von 12 und 15 begrenzt. Dieser Maximalbereich läßt sich jedoch durch eine mit dem Kontakt 11 verbundene äußere Sperrbereichssteuerung elektronisch steuern. Diese ist hier in der Form eines Potentiometers 31 dargestellt, das ziwshen Masse und +V geschaltet und mit seinem becc weglichen Abgreifer mit dem Emitter des Transistors Q28 verbunden ist, welcher die Stromquelle 1T für d#en spannungsgesteuerten Oszillator 16 bildet. Ein auf diese Stromquelle aufgedrückter Strom verringert den Begrenzerschwellwert und damit auch den Nachführbereich des spannungsgesteuerten Oszillators, während durch eine Stromentnahme der Begrenzerschwellwert gesteigert wird.
  • Durch die Erfindung ist somit ein spannungsgesteuerter Oszillator geschaffen worden, der sich insbesondere für eine phasenstarre Schleife eignet und einen elektronisch gesteuerten Nachführbereich und Temperaturabgleich aufweist.
  • - Patentansprüche: -

Claims (11)

  1. Patentansprüche : 9 Spannungsgesteuerter Oszillator, der auf die Größe eines E#ingangssteuersignals ansprechbar ist und zum Erzeugen eines Ausgangssignals mit einer zu dieser Größe in Beziehung stehenden Frequenz dient, gekennzeichnet durch eine Halbleiterunterlage, einen Multivibrator (16; Q10 - Q13) mit einem zeitbestimmenden Kondensator (CO) und eine zur Veränderung der Ausgangssignalfrequenz in Abhängigkeit von dem Eingangssteuersignal dienende Vorrichtung mit einer in die Unterlage integrierten, mit dem Kondensator gekoppelten, auf das Steuersignal ansprechbaren und zur Veränderung der Größe des in den Kondensator eingekoppelten Stroms dienenden veränderlichen Stromquelle (I2, 13) und einer in die Unterlage integrierten und mit dem Kondensator gekoppelten Konstantstromquelle (I5, 16).
  2. 2. Oszillator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein in die Unterlage integriertes und zur Vorspannung der Konstantstromquelle dienendes temperaturabhängiges Netzwerk (Fig. 3).
  3. 3. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderliche Stromquelle aus einer gemeinsamen Konstantstromquelle, die mit einem drei Zweige aufweisenden Stromteilernetzwerk gekoppelt ist, von denen zwei Zweige mit dem Kondensator gekoppelt sind und ein dritter Zweig den übrigen Strom der gemeinsamen Konstantstromquelle führt, und einer auf das Eingangssteuersignal ansprechbaren, mit den drei Zweigen gekoppelten und zur Veränderung des Stroms in den beiden Zweigen in entgegengesetzter Richtung zu einer Stromänderung in dem dritten Zweig und zur Konstanth#altung der gemeinsamen Stromquelle dienenden Vorrichtung besteht.
  4. 4. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderliche Stromquelle eine zur elektronischen Begrenzung der maximalen Abweichung der Stromquelle dienende Vorrichtung (14, 31) aufweist.
  5. 5. Oszillator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsvorrichtung aus einer zum Aufdrücken auf die bzw. Entziehen eines Stroms von der veränderlichen Stromquelle dienenden Vorrichtung (14, 31) besteht.
  6. 6. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die Unterlage ein zum Vorspannen der Stromquelle dienendes temperaturabhängiges Netzwerk integriert ist, das eine abgeglichene Brückenschaltung mit einem einen vernachlässigbaren Strom führenden und zur Vorgabe einer Vorspannung für die Stromquelle dienenden mittigen Zweig aufweist.
  7. 7. Oszillator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung einen vorbestimmten Temperaturkoeffizienten aufweist, der so bemessen ist, daß er temperaturbedingte Änderungen der Stromquelle im wesentlichen ausgleicht und einen Temperaturkoeffizienten null vorgibt.
  8. 8. Oszillator nach den Ansprüchen 3 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle eine veränderliche Stromquelle umfaßt.
  9. 9. Oszillator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die abgeglichene Brückenschaltung zwei gleiche Ströme führende, parallele Zweige und wenigstens ein Zweig eine Diodenreihenschaltung tQA, QB), deren Spannungsabfall sich in Abhängigkeit von der Temperatur in vorbestimmter Weise verändert, aufweist.
  10. 10. Oszillator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der die Diodenschaltung (QA, QB) aufweisende Zweig einen in Reihe geschalteten Widerstand (Rx2) enthält und die Größe der gleich großen Ströme (IA, IB) gleich ist dem Verhältnis des Spannungsabfalls an der Diode zu dem Wert des Widerstands, und daß der mittlere Zweig mit dem Verbindungspunkt (23) von Widerstand und Dioden verbunden ist.
  11. 11. Oszillator nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der parallelgeschaltete Zweig zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Rx3, Rx4) aufweist, deren Werte jeweils gleich sind dem des Widerstands in dem die Dioden aufweisenden Zweig, und daß der mittlere Zweig mit dem Verbindungspunkt (22) der in Reihe geschalteten Widerstände (RX3, RX4) verbunden ist. Leerseite
DE19722200883 1971-01-11 1972-01-08 Schaltungsanordnung Expired DE2200883C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

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US10553871A 1971-01-11 1971-01-11
US10553871 1971-01-11

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DE2200883A1 true DE2200883A1 (de) 1972-08-03
DE2200883B2 DE2200883B2 (de) 1976-10-28
DE2200883C3 DE2200883C3 (de) 1977-06-23

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2204076A1 (de) * 1972-10-18 1974-05-17 Signetics Corp
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