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DE2126992A1 - Associative storage system - Google Patents

Associative storage system

Info

Publication number
DE2126992A1
DE2126992A1 DE19712126992 DE2126992A DE2126992A1 DE 2126992 A1 DE2126992 A1 DE 2126992A1 DE 19712126992 DE19712126992 DE 19712126992 DE 2126992 A DE2126992 A DE 2126992A DE 2126992 A1 DE2126992 A1 DE 2126992A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lines
word
group
bit
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712126992
Other languages
German (de)
Inventor
Stanislaw Winchester Hampshire Wrona (Großbritannien)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2126992A1 publication Critical patent/DE2126992A1/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C15/00Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
    • G11C15/04Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements

Landscapes

  • Multi Processors (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket UK 969 006Applicant's file number: Docket UK 969 006

As so ζ iativspe iche rsys temAs so ζ iative storage sys tem

Die Erfindung betrifft ein Assoziativspeichersystem, bei dem mehrere einzelne Assoziativspeicher zur Durchführung logischer und arithmetischer Operationen verbunden sind.The invention relates to an associative memory system in which several individual associative memories for performing logical and arithmetic operations are connected.

Durch die deutsche Offenlegungsschrift 1 931 966 ist z. B. eine Datenverarbeitungsanlage bekanntgeworden, die aus mehreren Assoziativspeichern zur Durchführung sowohl logischer als auch arithmetischer Grundoperationen besteht.By the German Offenlegungsschrift 1 931 966 z. Legs Data processing system has become known, which consists of several associative memories for performing both logical and arithmetic Basic operations exist.

Diese Datenverarbeitungsanlage ist dadurch gekennzeichnet, daß ein aus mehreren, wie ein Arbeitsspeicher-Kennzeichnungsfeld und ein Steuerspeicher identifizierendes Kennzeichnungsfeld enthaltenden Wortspeicherstellen bestehender assoziativer Steuerspeicher mit dem Arbeitsspeicher-Kennzeichen über eine SammelleitungThis data processing system is characterized in that one of several, such as a working memory identification field and word storage locations of existing associative control stores containing a control store identifying label with the working memory identifier via a collecting line

einen aus mehreren, je ein Arbeitsspeicher identifizierendes Kennzeichnungsfeld und ein erstes Arbeitsspeicher-Datenfeld enthaltenden Wortspeicherstellen bestehenden assoziativen Arbeitsspeicher adressiert und daß umgekehrt der Arbeitsspeicher mit dem ersten Arbeitsspeicher-Datenfeld über eine Sammelleitung den Steuerspeicher adressiert. .containing one of several identification fields each identifying a working memory and a first working memory data field Word memory locations addressing existing associative working memory and that vice versa the working memory with the first main memory data field is addressed to the control store via a bus. .

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Diese Anordnung hat jedoch den Nachteil, daß sie nur für einen speziellen Zweck ausgelegt ist, nämlich zur flexibleren Gestaltung des Steuerspeichers einer Datenverarbeitungsanalge.However, this arrangement has the disadvantage that it is designed only for one special purpose, namely for more flexible design the control memory of a data processing system.

Eine universelle Verwendung dieser Speicheranordnung innerhalb einer Datenverarbeitungsanlage ist deshalb wirtschaftlich nicht möglich. Insbesondere ist es mit der bekannten Anordnung nur sehr begrenzt möglich, logische bzw. arithmetische Grundoperationen auszuführen.A universal use of this memory arrangement within a data processing system is therefore not economical possible. In particular, it is only possible to a very limited extent with the known arrangement to perform logical or arithmetic basic operations to execute.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Speichersystem aus Assoziativspeichern zu schaffen, das mit einem Minimum an Treiber- und Verknüpfungsschaltungsaufwand logische und arithmetische Grundoperationen ausführen kann und in einer Datenverarbeitungsanlage darüber hinaus universell eingesetzt werden kann.The invention is therefore based on the object of a storage system to create from associative memories that with a minimum of driver and logic circuitry overhead and logical Can perform basic arithmetic operations and can also be used universally in a data processing system can.

Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht darin, daß mehrere Assoziativspeichergruppen bzw. -ebenen so miteinander verbunden sind, daß jede Gruppe bzw. Ebene als Speicherregister bzw. deren Inhalt als Suchwort für die anderen dient und daß mehrere gleichzeitig selektierten Worte von einer Speichergruppe ein gemeinsames Ausgabe^Wort bilden, von dem nur ein Teil durch Maskierung als Suchargument für eine andere Speichergruppe bzw. für andere Speichergruppen wirksam wird.The inventive solution to the problem is that several Associative storage groups or levels are connected to one another in such a way that each group or level is used as a storage register or level. whose content serves as a search word for the others and that several simultaneously selected words from a memory group have a common Output ^ form a word, of which only a part is masked as a search argument for another storage group or for other storage groups takes effect.

Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, daß durch die Verbindung der Speicherebenen untereinander mit einem Minimum an Treiberaufwand und an logischen Schaltelementen eine hohe Flexibilität erreicht wird, die die gegenseitige Adressierung von Assoziativspeichern ermöglicht. Durch Einfügung der bekannten Maskierung in dieses System ist es außerdem möglich, nur bestimmte Teile als Suchargument bzw. Schlüsselwort für die anderen Speichergruppen zu verwenden und damit gezielte logische oder auch arithmetische Grundoperationen durchzuführen. Das vorliegende System kann sowohl als Zentraleinheit oder auch als Steuerein-The advantage of the solution according to the invention is that by connecting the storage levels to one another with a minimum a high degree of flexibility in terms of driver effort and logic switching elements is achieved, which enables the mutual addressing of associative memories. By inserting the familiar masking In this system it is also possible to only use certain Share as a search argument or keyword for the other storage groups to use and thus to carry out specific logical or arithmetic basic operations. The present The system can be used either as a central unit or as a control unit.

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heit in einer Datenverarbeitungsanlage angewendet werden.unit can be used in a data processing system.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend näher beschrieben. Es zeigen:Embodiments of the invention are shown in the drawings and are described in more detail below. Show it:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines in zwei Gruppen aufgeteilten Assoziativspeichers;Fig. 1 is a block diagram of a split into two groups Associative memory;

Fig. 2 ein Blockdiagramm einer Verknüpfungs-/Treiber-Fig. 2 is a block diagram of a link / driver

schaltung, die zur Verbindung der in den Fig. gezeigten Gruppen benutzt wird;circuit that is used to connect the in Figs. shown groups is used;

Fig. 3a ein Biockdiagramm einer in der Schaltung derFIG. 3a is a block diagram of one in the circuit of FIG

Fig. 2 verwendeten Verknüpfungsschaltung;Fig. 2 logic circuit used;

Fig. 3b ein Schema der in Fig. 3a gezeigten Schaltung;Figure 3b is a schematic of the circuit shown in Figure 3a;

Fig. 4 ein Biockdiagramm einer Matrix von Gruppen derFIG. 4 is a block diagram of a matrix of groups in FIG

in Fig. 1 gezeigten allgemeinen Art;general type shown in Figure 1;

Fig. 5 ein Blockdiagramm einer der in Fig. 4 verwendeten Gruppen mit besonderer Darstellung der Torschaltungen in der Gruppe;FIG. 5 is a block diagram of one of the groups used in FIG. 4 with a particular illustration of the gate circuits in the group;

Fig. 6 ein Blockdiagramm einer Art der in der GruppeFigure 6 is a block diagram of one type of in the group

der Fig. 5 verwendeten Torschaltung;the gate circuit used in FIG. 5;

Fig. 7 ein Blockdiagramm einer anderen in der GruppeFigure 7 is a block diagram of another in the group

der Fig. 5 verwendeten Torschaltung;the gate circuit used in FIG. 5;

Fig. 8 ein Biockdiagramm eines Steuersystems zum SteuernFig. 8 is a block diagram of a control system for controlling

der Gruppenmatrix der Fig. 4;the group matrix of FIG. 4;

Fig. 9 zwei im Steuersystem der Fig. 8 verwendeteFIG. 9 shows two used in the control system of FIG

Steuereinheiten;Control units;

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Fig. 10 ein Schaltbild einer in einer der Steuereinheiten der Fig. 9 verwendeten Verriegelungsschaltung;' Fig. 10 is a circuit diagram of one of the control units the latch circuit used in Fig. 9;

Fig. 11 ein Blockdiagrainm einer Takteinheit im Steuersystem der Fig. 8;11 is a block diagram of a clock unit in the control system of Fig. 8;

Fig. 12 ein Zeitdiagramm mit den Eingangs- und Ausgangssignalen von und zu dem Taktgeber der Fig. 11 undFIG. 12 shows a timing diagram with the input and output signals from and to the clock generator of FIG. 11 and

Fig. 13 ein Blockdiagramm mit den in einer der in Fig.Fig. 13 is a block diagram showing the in one of the Fig.

gezeigten Steuereinheiten gespeicherten Datenmustern. shown control units stored data patterns.

In Fig. 1 ist ein Assoziativspeicher dargestellt, der eine obere Gruppe A und eine untere Gruppe B umfaßt. Jede Gruppe besteht aus einer Anzahl von multistabilen Speicherzellen 1, die jede mit einer Wortleitung 3 und je zwei Bitleitungen 4a und 4b verbunden sind. Jede Zelle besteht aus einer Transistorschaltung, die sich in die Zustände 1, 0 und X oder Y schalten läßt. Eine Zelle wird in die entsprechenden Zustände gestaltet, indem man gleichzeitig ihre Versorgungsspannung senkt und die Spannung auf der Wortleitung und einer oder beiden Bitleitungen anhebt. Die Bitleitungen stellen die 1 und 0 entsprechend von links nach rechts in Fig. 1 dar und daher wird die Zelle in ihren Einerzustand.geschaltet, wenn die Wortleitung und die 1-Bitleitung erregt sind. In ähnlicher Weise wird die Wortleitung und die O-Bitleitung erregt, um die Zelle in ihren 0-Zustand zu schalten. Um die Zelle auf den X- oder Y-Zustand zu schalten, werden die Wortleitung und beide oder keine der beiden Bitleitungen entsprechend erregt in Verbindung mit der oben erwähnten Absenkung der Versorgungsspannung der Zelle. Um eine Zelle ohne Änderung ihres Zustandes zu lesen, wird die entsprechende Wortleitung erregt und die Zelle überträgt Strom auf eine oder beide (Y-Zustand) oder keine von beiden Bitleitungen (X-Zustand) entsprechend ihrem Zustand.In Fig. 1, an associative memory is shown, the upper one Group A and a lower group B includes. Each group consists of a number of multistable memory cells 1, each with a Word line 3 and two bit lines 4a and 4b each are connected. Each cell consists of a transistor circuit that turns can be switched to the states 1, 0 and X or Y. A cell is designed into the appropriate states by simultaneously their supply voltage lowers and the voltage on the word line and raises one or both bit lines. The bit lines represent 1 and 0, respectively, from left to right in FIG. 1 and therefore the cell is switched to its ones state when the word line and the 1-bit line are energized. In a similar way Way, the word line and the O bit line are energized to to switch the cell to its 0 state. To switch the cell to the X or Y state, the word line and both or neither of the two bit lines is correspondingly excited in connection with the above-mentioned lowering of the supply voltage the cell. In order to read a cell without changing its state, the corresponding word line is energized and the cell transmits Current on one or both (Y-state) or neither of both bit lines (X-state) according to their state.

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Da es sich um einen Assoziativspeicher handelt, kann jede Zelle durch Erregung einer oder beider Bitleitungen in Abhängigkeit vom Einerbit oder vom O-Bit abgefragt werden. Eine Übereinstimmung wird durch das Fehlen- eines Stromes auf der Wortleitung angezeigt. Wenn also ein Abfragesignal für ein Einerbit angelegt wird, fließt kein Strom auf der Wortleitung, wenn die Zelle auf 1 oder im X-Zustand steht, wenn die Zelle jedoch im O-Zustand oder im Y-Zustand steht, wird eine Diskrepanz durch Erregung der Wortleitung angezeigt. In ähnlicher Weise fließt kein Strom, wenn ein O-Bit-Abfragesignal angelegt wird und die Zelle im 0-Zustand oder im X-Zustand steht und ein Unterschied wird durch Erregung der Wortleitung angezeigt, wenn die Zelle im 1-Zustand oder im Y-Zustand steht. Diese Abfrageoperationen ändern den Zustand der Zelle nicht.Since it is an associative memory, each cell can be retrieved one or both of bit lines in response to the Einerbit or the O-bit by energization. A match is indicated by the lack of a current on the word line. So when an interrogation signal for a one-bit is applied, no current flows on the word line when the cell is 1 or X, but when the cell is O or Y, a discrepancy is created by energizing the Word line displayed. Similarly, if an O-bit interrogation signal is applied and the cell is in the 0 state or the X state, no current flows and a difference is indicated by energizing the word line when the cell is in the 1 state or in the Y state. State stands. These query operations do not change the state of the cell.

Wie aus Fig. 1 zu ersehen istf sind die Bitleitungen der oberen und unteren Gruppe durch die Treiberschaltungen 2 miteinander verbunden. Eine solche Treiberschaltung ist in Fig. 2 genauer dargestellt und.umfaßt eine Anzahl von Verknüpfungsschaltungen f die in Fig. 3a in Blockform und in Fig. 3b schematisch dargestellt sind. Diese Schaltungen sprechen auf negative Signale an, die eine binäre Eins darstellen und liefern ein 1-Ausgangssignal an den Punkt E und ein O~Ausgangssignal an den Punkt D nur, wenn ein 1~ Eingangssignal an die Punkte A, B und C angelegt wird.As seen from Fig. 1 is f, the bit lines of the upper and lower group are connected to each other by the driving circuits 2. Such a driver circuit is shown in more detail in FIG. 2 and comprises a number of logic circuits f which are shown in block form in FIG. 3a and schematically in FIG. 3b. These circuits respond to negative signals representing a binary one and provide a 1 output signal at point E and an 0 output signal at point D only when a 1 input signal is applied to points A, B and C.

In Fig. 2 werden die Leitungen SCHpEIBEM oder SUCEEK erregt, um den Dateneingang in die entsprechenden Gruppen zu steuern. Die Leitungen mit den Beschriftungen VON DER LEITUNG und, ZUR LEITUNG werden dazu benutzt, Eingangs- und Ausgangsdaten zum Speicher bzw. vom Speicher zu übertragen und die Leitung AUSGANGSSTEUERUNG kann erregt werden,, um Ausgangsinformtioneh zu liefern.In Fig. 2, the SCHpEIBEM or SUCEEK lines are energized to to control the data input in the corresponding groups. The lines with the inscriptions FROM THE LINE and, TO THE LINE are used to send input and output data to memory or to be transferred from the memory and the line OUTPUT CONTROL can be energized to provide output information.

y'Jie bereits gesagt, handelt es sich um einen Assoziativspeicher, *in welchen bekanntlich eine ausgewählte Anzahl von Bits in einem gespüicherLon V/ort abgefragt v/erden kann, um dieses Wort zxxm Lesen oder Lehre tuen :;u wHulcn. Im vorliegenden Speicher wird dieAs already mentioned, it is an associative memory * in which, as is well known, a selected number of bits can be queried in a stored word in order to read or teach this word:; u wHulcn. In the present memory, the

„^t fiK ~ ;π 'v.r '■ Ü98B2/168B"^ T fiK ~; π 'vr ' ■ Ü98B2 / 168B

Anzahl von Bits durch Verwendung eines Maskierungssystems ausgewählt. Indem ein Wort in eine Speichergruppe zusammen mit einer Maske gelesen wird, welche die Bits steuert,- die als Suchargument zu verwenden sind. Danach wird mit den maskierten Bits die andere Speichergruppe abgefragt. Andererseits können bei gleichzeitiger Erregung einer Wortleitung der Speichergruppe, in welche Daten aus der anderen Gruppe zu setzen sind, maskierte Daten in diese Gruppe geschrieben werden. Jede Gruppe kann daher als Register zur assoziativen Adressierung oder Schreiben in die ande- re Gruppe benutzt werden. Die folgenden Tabellen zeigen den Effekt der Ausgangssignalen von zwei entsprechenden Zellen in zwei Wörtern in einer Gruppe (z. B. Gruppe A) auf die entsprechende Zelle in der anderen Gruppe (z. B. Gruppe B) nach Durchlaufen der Verknüpfungsschaltung gemäß Fig. 2.Number of bits selected by using a masking system. By putting a word in a storage group together with a Mask is read, which controls the bits - which are used as search arguments are to be used. Then the other memory group is queried with the masked bits. On the other hand, at the same time Excitation of a word line of the memory group into which data from the other group is to be put, masked data in this group will be written. Each group can therefore be used as a register for associative addressing or writing to the other Group can be used. The following tables show the effect of the output signals from two corresponding cells in two words in one group (e.g. group A) to the corresponding cell in the other group (e.g. group B) after going through the logic circuit according to FIG. 2.

AUSGÄNGEOUTPUTS SCHREIBENTO WRITE (Gruppe A)(Group A) (Gruppe B)(Group B) 1 + 11 + 1 11 0 + 00 + 0 00 1 + X1 + X 11 Q + XQ + X OO 1 + 01 + 0 unverändertunchanged X + XX + X unverändertunchanged

ABFRAGE
(Gruppe B)
QUERY
(Group B)

1 oder X Übereinstimmung1 or X match

0 oder X Übereinstimmung0 or X match

1 oder X Übereinstimmung 0 oder X Übereinstimmung1 or X match 0 or X match

0 oder 1 oder X Übereinstimmung 0 oder 1 oder X Übereinstimmung0 or 1 or X match 0 or 1 or X match

Aus dieser Tabelle lassen sich für die Ausgänge einer Kombination von zwei oder mehr gleichzeitig gelesenen Wörtern folgende Verallgemeinerungen ableiten: This table can be used for the outputs of a combination derive the following generalizations from two or more words read at the same time:

a) Alle Einsen oder Nullen in einem Paar Bitleitungen ergeben ein Einer bzw. O-Ausgangssignal.a) Results in all ones or zeros in a pair of bitlines a one or O output signal.

·,■ ,. =.\ 10 9852/1686·, ■,. =. \ 10 9852/1686

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b) Gemischte Einsen und Nullen oder alle X ergeben einen maskierten Ausgang (kein Ausgang auf einer Bitleitung)b) Mixed ones and zeros or all Xs result in a masked output (no output on a bit line)

. c) Eine Y-Kombination mit einem anderen Ausgangssignal ergibt ein maskiertes Ausgangssignal.. c) A Y combination with another output signal results in a masked output signal.

Im Ausführungsbeispiel wird eine maskierte Information z. B. in der Gruppe A wie folgt vorbereitet:In the embodiment, a masked information z. B. prepared in group A as follows:

a) Lesen eines Datenwortes in die Gruppe.a) Reading a data word into the group.

b) Lesen eines Wortes mit Einsen an den Stellen, an denen eine Maske erforderlich ist, und Xen an allen anderen Stellen in eine weitere Wortstelle.b) Read a word with ones in places where a mask is required and Xen in all others Place in another word passage.

c) Lesen eines Wortes mit Nullen an den Stellen, an welchen eine Maske erforderlich ist und Xen in allen anderen Stellen in einer weitere Wortstelle.c) Reading a word with zeros in the places where a mask is required and Xen in all others Place in another word passage.

Wenn die Daten in allen drei oben erwähnten Wortstellen in die andere Gruppe (in diesem Fall Gruppe B) gelesen werden, erscheinen sie als maskierte Version der im Schritt (a) angelegten Daten. Die Maske kann natürlich durch Wiederholungsschritte (b und c) verändert werden. Die maskierten Daten können zum Abfragen der Gruppe B und Lieferung von Übereinstimmungs- oder Unterschiedsinformationen benutzt werden. Andererseits können bei gleichzeitiger Erregung einer oder mehrerer gewählter Wortleitungen in der Gruppe B die maskierten Daten in die gewählten Wortstellen geschrieben werden. In diesem Fall werden natürlich auch die nicht gewählten Wortstellen abgefragt und die gewählten Stellen beschrieben.When the data is read into the other group (in this case group B) in all three of the above-mentioned word positions, appear it as a masked version of the data created in step (a). The mask can of course be changed by repeating steps (b and c) be changed. The masked data can be used to query group B and provide match or difference information to be used. On the other hand, with simultaneous excitation of one or more selected word lines in group B the masked data are written in the selected word positions. In this case, of course The unselected word passages are also queried and the selected passages are described.

Das oben beschriebene Assoziativspeichersystem umfaßt also zwei Gruppen von über Bittreiber miteinander verbundenen Speichern. Jede Gruppe kann als Eingangsregister für die andere benutzt werden und ohne Veränderung maskierte Daten zum Schreiben oder Ab-The associative memory system described above thus comprises two groups of memories connected to one another via bit drivers. Each group can be used as an input register for the other and masked data for writing or writing

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fragen der anderen Gruppe liefern.deliver questions from the other group.

Das oben beschriebene System kann zur Bildung einer Matrix·von Gruppen erweitert werden. Eine solche Matrix ist in Fig. 5 gezeigt. In dieser Matrix läuft jede Wortleitung 3.durch fünf Gruppen 5 und jedes Bitleitungspaar f z. B. die Bitleitungen 4a und 4b durch vier Gruppen Nummer 5. Bei dieser in Fig. 4 mit einem Minimum an Einzelheiten gezeigten Anordnung muß zuerst für die Ausführung von Treiberfunktionen zwischen Gruppen in einer Spalte oder mit anderen Worten der Funktionen des Treibers 2 der Fig. 1 und dann zur Wahl der Gruppen in einer Spalte oder Zeile getroffen, werden f die für eine bestimmte Operation benutzt werden sollen. Das erreicht man in der in Fig. 5 gezeigten Anordnung durch die Worttore 6, die die Wortleitungen 8 innerhalb einer Gruppe mit den externen Wortleitungen 3 verbinden und durch Bittore 7, die die internen Bitleitungspaare 4c und 4d mit den externen Bitleitungspaaren 4a und 4b verbinden. Die Tore 6 sind außerdem an zwei Steuerlei-tungen Wl und WO angeschlossen, die zum Wahlen einer Wortinformation in die Gruppe hinein bzw. aus dieser heraus erregt werden können. Die Tore 7 sind mit zwei Steuerleitungen Dl und DO verbunden, die zum Wählen des Bitdatenflusses in die Gruppe bzw. aus dieser heraus erregbar sind. Fig. 6 ist ein Blockdiagramm eines Bitleitungstores 7 der Fig. 5. Das Tor arbeitet mit Verknüpfungsschaltungen der in den Fign. 3a und 3b gezeigten Art und leitet den Signalfluß in den oder aus dem Speicher. Außerdem übernimmt das Tor die im Zusammenhang mit Fig. 2 beschriebene Funktion der Decodierung von Daten aus der Gruppe.The system described above can be expanded to form a matrix of groups. Such a matrix is shown in FIG. In this matrix, each word line 3 runs through five groups 5 and each bit line pair f z. B. the bit lines 4a and 4b by four groups number 5. In this arrangement shown in Fig. 4 with a minimum of detail, the driver 2 of Fig. 1 and then used to select the groups in a column or row, f are used for a specific operation. This is achieved in the arrangement shown in FIG. 5 by the word gates 6, which connect the word lines 8 within a group to the external word lines 3, and by bit gates 7, which connect the internal bit line pairs 4c and 4d to the external bit line pairs 4a and 4b. The gates 6 are also connected to two control lines W1 and WO, which can be excited to select word information in the group or out of it. The gates 7 are connected to two control lines Dl and DO, which can be excited to select the bit data flow in the group or out of it. FIG. 6 is a block diagram of a bit line gate 7 of FIG. 5. The gate operates with logic circuits of the type shown in FIGS. 3a and 3b and directs the flow of signals into or out of the memory. In addition, the gate takes on the function of decoding data from the group described in connection with FIG. 2.

Fig. 7 ist ein Blockdiagramm eines Wortleitungstores 6 (Fig. 5). Dieses Tor verwendet zwei Verknüpfungsschaltungen der in den Fign. 3a und 3b gezeigten Art. Es leitet den Signalfluß zwischen einer internen Wortleitung 8 auf der Gruppe und einer externen Wortleitung 3 entsprechend der Erregung entweder der Steuerleitung WO oder der Steuerleitung Wl.Fig. 7 is a block diagram of a word line gate 6 (Fig. 5). This gate uses two logic circuits in FIGS. 3a and 3b. It directs the flow of signals between one internal word line 8 on the group and an external word line 3 according to the excitation of either the control line WO or the control line Wl.

Fig. 8 zeigt den Anschluß der Steuerleitungen DO, Dl, WO und-WlFig. 8 shows the connection of the control lines DO, Dl, WO and -Wl

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von den Gruppen der in Fig. 4 gezeigten Matrix an eine gemeinsame Taktgeber-· und Steuereinheit. Jede Steuerleitung von einer Gruppe 5 in einer Zeile der Matrix (im einzelnen in Fig. 8 gezeigt) ist an eine gemeinsame Leitung für diese Zeile angeschlossen. Somit sind alle DO-Leitungen an eine gemeinsamen DO-Zahlenleitung angeschlossen f die Wl- Leitungen an eine gemeinsame Wl Zeilenleitung usw. Diese ^gemeinsamen Leitungen und die Matrixwortleitungen sind an Zeitsteuerblocks (TCB) 10 angeschlossen, von denen einer für jede Matrixreihe vorgesehen ist. Jeder TCB 10 ist über Leitungen 15, die zahlenmäßig den Wortleitungen 3 entsprechen, an einen entsprechenden Taktsteuerblock (CCB) 12 angeschlossen. Die TCB's 10 und die CCB's 12 sind spaltenweise mitteinander und über die Leitungen Cl,- C2 und C3 sowie LPl, LP2 und LP3 an die Taktschaltung 13 angeschlossen.from the groups of the matrix shown in Fig. 4 to a common clock and control unit. Each control line from a group 5 in a row of the matrix (shown in detail in Figure 8) is connected to a common line for that row. Thus, all DO lines are connected to a common DO number line f the W1 lines to a common W1 row line, etc. These common lines and the matrix word lines are connected to timing blocks (TCB) 10, one of which is provided for each matrix row. Each TCB 10 is connected to a corresponding clock control block (CCB) 12 via lines 15 which correspond in number to the word lines 3. The TCBs 10 and the CCBs 12 are connected to one another in columns and via the lines C1, C2 and C3 as well as LP1, LP2 and LP3 to the clock circuit 13.

Die TCB's 10, CCB's 12 und die Taktschaltung 13 bestimmen gemeinsam die Richtung des Datenflusses zwischen den Gruppen 5 in der Matrix. Diese Datenübertragung kann bekanntlich zum Lesen, Schreiben oder Suchen ausgewählter Gruppen unter Verwendung anderer Gruppen als Register gemäß den Darstellungen in den Fign. 1 bis 3 benutzt werden.The TCB's 10, CCB's 12 and the clock circuit 13 jointly determine the direction of the data flow between the groups 5 in the matrix. As is well known, this data transfer can be used for reading or writing or searching for selected groups using other groups as registers as shown in FIGS. 1 to 3 to be used.

Anschließend werden die TCB's 10, die CCB1s 12 und die Taktschaltung 13 im einzelnen und hinterher ihre Arbeitsweise in Verbindung mit der Matrix beschrieben,Subsequently, the TCB's 10, the CCB 1 s 12 and the clock circuit 13 are described in detail and, afterwards, their mode of operation in connection with the matrix,

Fig. 9 zeigt einen an einen TCB 12 über Leitungen 15 angeschlossenen TCB 10. Beide umfassen Gruppen, die mit multistabilen Zellen 1 der im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen Art arbeiten* Der TCB 9 ist so angeordnet, daß seine Wortleitungen durch die Gruppe nach unten laufen und seine beiden Bitleitungen die Gruppe quer passieren. Die Wortleitungen des CCB 12 laufen quer durch die Gruppe und seine beiden Bitleitungen verbinden die Zellen einer jeden Spalte miteinander.9 shows one connected to a TCB 12 via lines 15 TCB 10. Both include groups with multistable cells 1 of the type described in connection with FIG. 1 work * The TCB 9 is arranged so that its word lines through the Group run down and its two bit lines the group pass across. The word lines of the CCB 12 run across the group and its two bit lines connect the cells of one each column with each other.

Die Schaltung 14 verbindet die Wortleitungen von der Matrix undCircuit 14 connects the word lines from the matrix and

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- ίο -■- ίο - ■

die Leitungen DO, Dl, WO und Wl mit dem TCB 10. Eine dieser Schaltungen ist in Fig. 10 gezeigt. Die Schaltung umfaßt Verknüpfungsschaltungen der oben im Zusammenhang mit den Fign. 3a und 3b beschriebenen Art und fungiert als Verriegelung. Die Verriegelung wird durch Signale auf den Leitungen BO und Bl mit positiven Eingängen gesetzt und dadurch die Leitung 15 erregt. Diese Bedingung -stellt eine fehlende Übe reins timraung auf der Wortleitung von den Gruppen dar, zusammen mit einer TCB-Einstellung KXs:. Die Verriegelung wird durch die TCB-Stellung Y unabhängig von der Bedingung auf der Wortleitung zurückgestellt.the lines DO, Dl, WO and Wl to the TCB 10. One of these circuits is shown in FIG. The circuit comprises logic circuits of the above in connection with FIGS. 3a and 3b and acts as a lock. The lock is set by signals on the lines BO and B1 with positive inputs and the line 15 is thereby energized. This condition represents a lack of timing on the word line from the groups, together with a TCB setting K X s:. The interlock is reset by the TCB position Y regardless of the condition on the word line.

Die Wortleitungen der TCB 10 sind an die Eingangsleitungen Cl, C2 und C3 angeschlossen? die Signale von der Taktschaltung 13 (Fig. 8) empfangen.The word lines of the TCB 10 are connected to the input lines C1, C2 and C3 ? receive the signals from the clock circuit 13 (Fig. 8).

Die Ausgangsleitungen 15 von den Verriegelungen 14 (Fig. 9) sind nicht an die Speicherzellen der TCB's angeschlossen sondern laufen stattdessen von den Verriegelungen zu den Wortleitungen der CCb1S 12. Jedes CCB hat keine weitere Schaltung, mit Ausnahmen der Zellen 1 und der entsprechenden Wort- und Bitleitungen. In der Praxis wird nur die Einerbitleitung eines jeden Bitleitungspaares benutzt. Jede dieser Einerbitleitungen ist so angeschlossen·, daß über die entsprechenden Leitungen LPl. LP2 und LP3 Signale an die Taktschaltung 13 angelegt werden*The output lines 15 from the latches 14 (FIG. 9) are not connected to the memory cells of the TCBs but instead run from the latches to the word lines of the CCb 1 S 12. Each CCB has no further circuit, with the exception of cells 1 and the corresponding one Word and bit lines. In practice, only the one bit line of each bit line pair is used. Each of these one-bit lines is connected in such a way that the corresponding lines LP1. LP2 and LP3 signals are applied to the clock circuit 13 *

Fig. 11 ist ein Blockdiagramm der Takteinheit 13. Die Einheit umfaßt 18 Verknüpfungsschaltungen der in den Fign. 3a und 3b gezeigten Art, alle benutzen jedoch nur den D-Ausgangsanschluß und einige enthalten nur zwei der drei Eingangsanschlüsse. Der Taktgeber ist ein Ringzähler und arbeitet mit regulären sequentiellen Impulsen Sl; S2,- S3 und S4 von einem Haupttaktgeber (nicht dargestellt) Ein besonderes Merkmal des Taktgebers besteht darin, daß jede Stufe aus dem Ring ""genommen werden kann, indeir, man ein positives Eingangssignal an die dieser Stufe entsprechende Eingangsklemme ablegt. Die Ei-ngangsklemnen sind in Fig. 11 als Leitungen LPl. LP2 und LP3 dargestellt, die bekanntlich Signale von den Einerbitiei-Figure 11 is a block diagram of the clock unit 13. The unit comprises 18 logic circuits of the in FIGS. 3a and 3b Kind of, but all of them only use the D-out connector and some contain only two of the three input ports. The clock is a ring counter and works with regular sequential pulses S1; S2, - S3 and S4 from a master clock (not shown) A special feature of the clock is that each stage can be removed from the ring "", indeir, one has a positive input signal to the input terminal corresponding to this level. The input terminals are shown in FIG. 11 as lines LP1. LP2 and LP3, which are known to contain signals from the one-bit

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tungen des CCB 12 (Fig. 9) empfangen. Ausgangssignale werden an die mit Cl, C2 und C3 bezeichneten Leitungen angelegt und stellen Eingänge zu den Wortleitungen TCB 10 dar.services of the CCB 12 (Fig. 9) received. Output signals are on the lines labeled Cl, C2 and C3 are applied and represent inputs to the word lines TCB 10.

Fig. 12 zeigt Impulsformen der Eingangs- und Ausgangssignale der Takteinheit 13. Wie aus den oberen vier Wellenformen zu ersehen ist, folgen die Signale Sl bis S4. aufeinander. Die Impulsfolgen Sl und S3 liefern negativ verlaufende Impulse mit regelmäßigem
Abstand und die Kurven S2 und S4 positiv verlaufende Impulse mit regelmäßigem Abstand, die zwischen die Impulse Sl und S3 geschoben werden.
12 shows pulse shapes of the input and output signals of the clock unit 13. As can be seen from the upper four waveforms, the signals S1 to S4 follow. on each other. The pulse trains Sl and S3 deliver negative running pulses with regular
Distance and the curves S2 and S4 positive running pulses with regular spacing, which are pushed between the pulses S1 and S3.

Die Impulsformen ClA, C2A und C3A zeigen die entsprechend erzeugten Ausgangssignale aus den Ausgangsleitungen Cl, C2 und C3 (Fig. 11), wenn alle drei Eingangsklemmen LPl, LP2 und LP3 (Fig. 11)
negative Signale empfangen. Wie aus diesen Impulsformen zu ersehen ist, erzeugt jede Ausgangsleitung eine Reihe von Ausgangsimpulsen, die leitungsweise der Reihe nach auftreten.
The pulse shapes ClA, C2A and C3A show the correspondingly generated output signals from the output lines Cl, C2 and C3 (Fig. 11) when all three input terminals LP1, LP2 and LP3 (Fig. 11)
receive negative signals. As can be seen from these pulse shapes, each output line produces a series of output pulses which occur in sequence on a line-by-line basis.

Die Impulsfolgen ClB, C2B und C3B stellen die abgeleiteten Takt-Ausgangs signale dar, wenn eine der Eingangsklemmen ein positives und die anderen ein negatives Signal empfangen. In dem in Fig. ■gezeigten Fall ist die Eingangsklemme LP3 positiv und somit liefert die Ausgangsleitung C3B keine Ausgangsimpulse aufgrund der Eingangssignale Sl bis S4. In ähnlicher Weise erscheinen keine
Ausgangsimpulse von Cl, wenn die Eingangsklemme LPl positiv ist und keine Ausgangsimpulse von C2, wenn die Eingangsklemme LP2
positiv ist.
The pulse trains ClB, C2B and C3B represent the derived clock output signals when one of the input terminals receives a positive and the other a negative signal. In the case shown in Fig. ■ the input terminal LP3 is positive and thus the output line C3B does not provide any output pulses due to the input signals S1 to S4. Similarly, none appear
Output pulses from Cl when the input terminal LP1 is positive and no output pulses from C2 when the input terminal LP2
is positive.

Fig. 13 zeigt zwei TCB's 10, die so programmiert wurden, daß die den Bitleitungspaaren entsprechenden Zellen in den darstellenden Zustand versetzt wurden, die die Ausgangssignale DO, Dl, Wl und WO liefern. In dieser Figur wurden anstelle von nur drei Wortleitungen in den Fign. 9 und 10 sechs Wortleitungen dargestellt sowie die entsprechenden Ausgangssignale von der Taktschaltung der Fig. 11. Die zuletztgenannten Figuren wurden auf die drei Leitun-Fig. 13 shows two TCB's 10 which have been programmed so that the the bit line pairs corresponding cells were placed in the illustrative state, which the output signals DO, Dl, Wl and WHERE deliver. In this figure, instead of only three word lines in FIGS. 9 and 10 six word lines are shown as well the corresponding output signals from the clock circuit of the Fig. 11. The last-mentioned figures were drawn on the three lines

'■-■> Λ^- -** 109852/1686 '■ - ■> Λ ^ - - ** 109852/1686

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gen Cl, C2 und C3 beschränkt,- um die Beschreibung zu vereinfachen, die Taktanordnung kann jedoch leicht so modifiziert werden, daß aufeinanderfolgende Impulse auf sechs Ausgangsleitungen anstatt auf dreien erscheinen,- wobei die CCB's entsprechens modifiziert werden, um sechs Eingangs-Steuersignale zu liefern.limited to Cl, C2 and C3, - to simplify the description, however, the timing arrangement can easily be modified so that successive pulses are sent to six output lines instead of appear on three, - with the CCB's modified accordingly to provide six input control signals.

Wenn bei der Darstellung der Fig. 13 angenommen wird, daP die CCB's nicht gesetzt sind und keinen Ausgangsimpuls der Takteinheit sperren, so werden die Leitungen Cl bis C6 der Reihe nach erregt.If in the illustration of FIG. 13 it is assumed that the CCB's are not set and do not block an output pulse of the clock unit, so the lines C1 to C6 are energized in sequence.

Wenn Cl erregt ist. erzeugt das O-Bit in der oberen TCB-Gruppe ein Ausgangssignal auf der Leitung CO. Dieses Datenausgangssignal wird auf alle Gruppen in der entsprechenden Zeile der Matrix (Fig. 8) geleitet. Das Einerbit in der oberen TCB-Gruppe erzeugt ein Ausgangssignal auf der Leitung Wl. Dieses Worteingangssignal wird auf alle Gruppen in der entsprechenden Zeile der Matrix gegeben. Diese Kombination von Signalen auf den Leitungen CO und Wl schaltet die Zeile der Gruppen für eine Leseoperation .When Cl is excited. generates the O bit in the upper TCB group an output on line CO. This data output signal is routed to all groups in the corresponding row of the matrix (Fig. 8). The one bit in the upper TCB group generates an output signal on line Wl. This word input signal is applied to all groups in the corresponding line given the matrix. This combination of signals on lines CO and Wl switches the row of groups for a read operation .

In ähnlicher Weise werden die entsprechenden Leitungen Dl und TtfO durch die untere TCB-Gruppe erregt. Diese bereitet die Grup- w pen in der entsprechenden Zeile für eine Suchoperation vor. Somit kann das in diesem Teil der TCB-Wortleitung Cl enthaltene Programm folgendermaßen ausgedrückt werden:Similarly, the respective lines Dl and TtfO are energized by the lower TCB group. This prepares the group-w pen before in the corresponding line for a search operation. Thus, the program contained in this part of the TCB word line Cl can be expressed as follows:

"Lies die Gruppen in der oberen Zeile und benutze diese Information zum Suchen der Gruppen der unteren Zeile.""Read the groups on the top line and use this information to find the groups on the bottom line Row."

Die Erregung der TCB-Wortleitung wechselt dann zur Leitung C2. Das Bitmuster aus dieser Leitung führt zur Erregung der Leitungen Dl und WO des oberen TCB und der Leitxmgen CO und Wl des unteren TCB. Dieses ist die Umkehrung der Situation auf der Leitung Cl und das Programm kann daher folgendermaßen ausgedrückt werden:The excitation of the TCB word line then changes to line C2. The bit pattern from this line leads to the excitation of the lines Dl and WO of the upper TCB and the Leitxmgen CO and Wl of the lower TCB. This is the reverse of the situation on line C1 and the program can therefore be expressed as follows will:

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Lies die Gruppen in der unteren Zeile und benutze diese Information zum Suchen der Gruppen der oberen Zeile.B Read the groups on the bottom line and use this information to find the groups on the top line. B.

Die Leitung C3 erhält jetzt Impulse und die Leitungen DO und Wl der oberen Gruppe sowie,die Leitungen Cl und Wl der unteren Gruppe werden erregt. Wie oben gezeigt, wird die obere Zeile der Gruppe dadurch auf eine Lesebedingung gesetzt und in der unteren Zeile wird auf den Leitungen Dl und Wl eine Schreibbedingung eingestellt. Diese Bedingungen können folgendermaßen ausgedrückt werden: The line C3 now receives pulses and the lines DO and Wl the upper group and the lines Cl and Wl of the lower group get excited. As shown above, the top line will be the Group thereby set to a read condition and a write condition is set on the lines Dl and Wl in the lower line. These conditions can be expressed as follows:

"Lies die Gruppen in der oberen Zeile und schreibe die resultierende Information in die untere Zeile.""Read the groups on the top line and write the resulting information in the bottom line. "

Als nächste wird die Leitung C4 geprüft. In diesem Fall enthalten sowohl der obere als auch der untere TCB das Bitmuster 1 f 0 zur Erregung der Leitungen Dl und WO. Daher sind beide Zeilen der Gruppe für eine Suchoperation geschaltet. Das kann folgendermaßen ausgedrückt werden.Next, line C4 is tested. In this case, both the upper and the lower TCB contain the bit pattern 1 f 0 for energizing the lines Dl and WO. Therefore, both lines of the group are switched for a search operation. This can be expressed as follows.

"'Suche die Gruppen in der oberen und unteren Zeilen unter Verwendung eines außerhalb dieser Zeilen erzeugten Suchargumentes.""'Find the groups in the top and bottom lines using a search argument generated outside of these lines. "

Das Suchargument kann natürlich durch eine Leseoperation in einer oder mehreren anderen Zeilen in der Gruppe erzeugt werden.The search argument can of course be generated by a read operation on one or more other lines in the group.

Wenn die Leitung C5 erregt wird, sind beide Ausgangsleitungen DO und Wl beider TCB's erregt, was einer Leseoperation in beiden entsprechenden Gruppenzeilen entspricht und folgendermaßen ausgedrückt v/erden kann:When the line C5 is energized, both output lines DO and Wl of both TCBs are energized , which corresponds to a read operation in both corresponding group lines and can be expressed as follows:

"Lies die Gruppen in der oberen und unteren Zeile und gib die Information auf andere Zeilen und/oder als Ausgang von der Matrix ab.""Read the groups in the top and bottom lines and put the information on other lines and / or as an output from the matrix. "

«AD OfUQlNAL 109852/1686«AD OfUQlNAL 109852/1686

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Zum Schluß wird die Leitung C6 erregt. Die obere Grunpe errecrt die Leitungen Dl und El, da sie ein Eitmuster 1, 1 enthält. Die untere Gruppe enthält das Eitmuster X, X und erregt daher keine Ausgangsleitung. Diese Bedingung kann wie folgt ausgedrückt werden: Finally, line C6 is energized. The upper group aroused the lines Dl and El, since it contains an egg pattern 1, 1. the lower group contains the egg pattern X, X and therefore does not excite any Output line. This condition can be expressed as follows:

'■Schreibe in die obere Zeile der Gruppe von einer Quelle, auf der unteren Zeile keine Operation ausführen." '■ Write on the top line of the group of one Source, do not perform any operation on the bottom line. "

Die Operationen der TCB's 10 können wie folgt zusammengefaßt-werden: Sie können zur Steuerung des Datenflusses innerhalb der Matrix der Gruppen 5 (Fign. 4 und 8) programmiert werden. Durch diese Programmierung kann das Lesen, Schreiben und Suchen gewählt und außerdem die Richtung des Datenflusses innerhalb der Matrix festgelegt werden. Informationen können durch Verwendung von zwei oder mehr Wörtern maskiert werden. Diese Operation kann durch das TCB-Programm gesteuert werden, da dieses die Anzahl der Gruppen und daher der Wörter bestimmt, die gleichzeitig gelesen werden können.The operations of the TCB's 10 can be summarized as follows: They can be programmed to control the data flow within the matrix of groups 5 (Figs. 4 and 8). By this programming can select reading, writing and searching and also the direction of the data flow within the matrix be determined. Information can be masked using two or more words. This operation can be performed by the TCB program as this determines the number of groups and therefore the number of words that are read at the same time can.

In der obigen Beschreibung wurden die TCB-Wortleitungen Gl bis C6 durch die Takteinheit 13 der Reihe nach jeweils einmal in einem Zyklus mit einem Impuls beliefert. Diese Reihenfolge zeigt die durch die verschiedenen in den Zellen entsprechend der verschiedenen Leitungen gespeicherten Daten ausgeübte Steuerung. In der Praxis wird eine solche Reihenfolge normalerweise nicht benutzt und es werden nur bestimmte Leitungen der Gruppe Cl bis CS während jedes Zyklus entsprechend der mit den Daten in der Matrix auszuführenden Funktionen gewählt.In the above description, the TCB word lines Gl to C6 were supplied with a pulse by the clock unit 13 in turn, each once in a cycle. This sequence shows the control exercised by the various data stored in the cells corresponding to the various lines. In practice, such an order is not normally used and only certain lines of the group C1 to CS are selected during each cycle according to the functions to be carried out with the data in the matrix.

Bei der Arbeitsweise der Takteinheit 13 können gemäß obiger Erklärung bestimmte Ausgangsleitungen in einem Zyklus ausgelassen werden. Die auszulassenden Leitungen werden durch Signale an den Eingangsklemmen LP (Fign. 9 und 13) ausgewählt. Diese Signale werden von den Einerbitleitungen der CCB-Gruppen 12 (Fign. 8 undIn the operation of the clock unit 13, as explained above certain output lines are skipped in one cycle. The lines to be dropped are indicated by signals to the Input terminals LP (Figs. 9 and 13) selected. These signals are transmitted from the one-bit lines of the CCB groups 12 (FIGS

/**'" "" ■■ 109852/1686/ ** '"" "■■ 109852/1686

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9) abgeleitet.9) derived.

Aus Fig. 9 ist zu ersehen, daß die Eingänge zu den Wortleitungen der CCB's durch die Verriegelungen 14 in den TCE's IO geliefert werden. Diese Verriegelungsschaltungen (siehe auch Fig. 10} werden entsprechend den Signalen von den Gruppen in der Matrix über die Wortleitungen 3 und die Bitleitungen der Zellen der TCB's 10 gesetzt oder zurückgestellt. Obwohl nur drei Zellenspalten in dem CCB der Fig. 9 dargestellt sind, können natürlich mehrere vorhanden sein. In der im Zusammenhang mit Fig. 13 beschriebenen Anordnung, wo die Takteinheit sechs Ausgangssignale lieferte, sind z. B. sechs LP-Anschlüsse vorgesehen, die sechs Spalten in den CCB's erfordern würden.From Fig. 9 it can be seen that the inputs to the word lines of the CCB's are provided by the latches 14 in the TCE's IO will. These interlock circuits (see also Fig. 10} are corresponding to the signals from the groups in the matrix via the word lines 3 and the bit lines of the cells of the TCB's 10 set or postponed. Although only three columns of cells are shown in the CCB of Figure 9, there may of course be more than one be. In the arrangement described in connection with FIG. 13, where the clock unit provided six output signals, e.g. B. six LP ports are provided which would require six columns in the CCB's.

Die Zellen in den CCB's können so programmiert werden, daß sie festlegen, welche LP-Leitung erregt ist, wenn eine der Leitungen 15 (Fig. 9) erregt ist. Diese Programmierung erfolgt durch Versetzen der Zellen in den X-Zustand oder den Einerzustand. Ein X-Zustand bedeutet, daß die entsprechende LP-Leitung in den positiven Zustand versetzt wird und keine Ausgangssignale vom entsprechenden Taktgeberausgang liefert. Wenn ein CCB im Einerzustand steht,- schaltet die entsprechende LP-Leitung die zugehöri-.ge Taktstufe so. daß diese Ausgangssignale liefert, dieser Fall tritt natürlich nur ein. wenn die Wortleitung zur CCB-Zelle über die Leitung 15 erregt wird. Fig. 9 zeigt, daß die Leitungen 15 durch die Verriegelungsschaltungen 14 erregt werden, abgesehen von den Leitungen, welche an die Leitungen Dl,. DO, Wl und VJO angeschlossen sind. Jede Verriegelung wird zur Lieferung eines Ausgangssignales auf die Leitung 15 durch ein positives Signal auf der entsprechenden Wortleitung 3 und den beiden entsprechenden TCB-Bitleitungen gesetzt. Das entspricht einem Unterschiedssignal auf der Wortleitung und einem X-Signal von den Bitleitungen. Jede Verriegelung wird bei Empfang eines Y-Signales von ihren zugehörigen TCB-Leitungen zurückgestellt ungeachtet der Bedingung der zugehörigen Wortleitung. Din Lesesignal· wird von jeder Verriegelung solange über die zugehörige Leitung 15 an den CCB gege-The cells in the CCB's can be programmed to determine which LP line is energized when one of lines 15 (Fig. 9) is energized. This programming is done by offsetting of the cells in the X state or the ones state. An X state means that the corresponding LP line is set to the positive state and no output signals from the corresponding Clock output supplies. If a CCB is in one's state stands, - the corresponding LP line switches the associated Cycle level like this. that this provides output signals, this case only occurs, of course. when the word line to the CCB cell is over line 15 is energized. Fig. 9 shows that lines 15 are energized by latch circuits 14, apart from of the lines which are connected to the lines Dl ,. DO, Wl and VJO connected are. Each interlock is activated to provide an output signal on line 15 by a positive signal the corresponding word line 3 and the two corresponding TCB bit lines are set. This corresponds to a difference signal on the word line and an X signal from the bit lines. Each interlock is activated by its associated upon receipt of a Y signal TCB lines reset regardless of the condition of the associated word line. Din read signal · is from each lock as long as via the associated line 15 to the CCB

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ben, wie die Verriegelung auf "Übereinstimmung" steht oder mit anderen Worten zurückgestellt ist.Practicing how the lock is on "match" or with others Words is deferred.

Somit lassen sich durch Programmierung des CCB und Verwendung dieses Programmes unter Steuerung der Unterschiedssignale von der Matrix zusammen mit dem Programm in den oberen ,5 Zeilen der TCB's die mit den Daten .in der Gruppe nacheinander auszuführenden Operationen steuern. Für die meisten Routinen, in denen die Operationen Lesen/Suchen gefolgt von Suchen/Lesen sind und dieser Vorgang danach wiederholt wird, würde.ein CCB-Programm z. B. wie folgt aussehen:Thus, by programming the CCB and using it Program under control of the difference signals from the Matrix together with the program in the top 5 lines of the TCB's the operations to be performed sequentially on the data in the group steer. For most routines where the operations are read / find followed by find / read and this operation is then repeated, would.ein CCB program z. B. how look like this:

1 1 X X X X (angenommen, daß ein sechs Bit großes Wort benutzt wird).1 1 X X X X (assuming a six bit word is used).

Das bedeutet, in diesem Zyklus werden nur die PCB-Eingänge Cl und C2 erregt.This means that only the PCB inputs C1 and C2 are energized in this cycle.

Wenn eine Schreiboperation auszuführen ist, kann ein zweites CCB-Wort und das nicht übereinstimmende wiederum für einen Zyklus gewählt werden. Dieses Wort würde folgendermaßen aussehen:When a write operation is to be performed, a second CCB word and the mismatched in turn can be chosen for a cycle. That word would look like this:

XXlXXXXXlXXX

Dieses Wort bedeutet natürlichr daß nur der C3-Eingang des TCB für diesen Zyklus erregt wird, was gemäß Darstellung in Fig. 13 einer Schreiboperation entspricht.This means, of course r word that only the input C3 is energized the TCB for this cycle, which corresponds, as shown in Fig. 13 a write operation.

4^" " 10-985-2/1686 4 ^ "" 10-985-2 / 1686

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Claims (1)

P A T ENTANSP R ti C H EP A T ENTANSP R ti C H E Assoziativspeichersystem, bei dem mehrere einzelne Assoziativspeicher zur Durchführung logischer und arithmetischer Operationen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Assoziativspeichergruppen bzw. -ebenen (A und B) so miteinander verbunden sind, daß jede Gruppe bzw. Ebene als Speicherregister bzw. deren Inhalt als Suchwort für die anderen dient und daß mehrere gleichzeitig selektierten Wörter von einer Speichergruppe ein gemeinsames Ausgabewort bilden, von dem nur ein Teil durch Maskierung als Argument für eine andere Speichergruppe bzw. andere Speichergruppen wirksam wird.Associative memory system in which several individual associative memories are connected for performing logical and arithmetic operations, characterized in that that several associative memory groups or levels (A and B) are linked so that each group or level serves as a storage register or its content as a search word for the others and that several at the same time selected words from a memory group form a common output word, of which only a part takes effect by masking it as an argument for another storage group or storage groups. Assoziativspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Speichergruppe (A und B) aus multistabilen Speicherzellen (1) besteht, die jede mit einer Wortleitung (3) und je zwei Bitleitungen (4a und 4b) verbunden sind.Associative memory system according to Claim 1, characterized in that each memory group (A and B) consists of multistable memory cells (1), each with a word line (3) and two bit lines (4a and 4b) are connected. 3. Assoziativspeicher nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bitleitungen (4a und 4b) sowohl der einen Speichergruppe (A) als. auch der anderen Speichergruppe (B) miteinander durch Treiberschaltungen (2) verbunden sind.3. Associative memory according to claims 1 and 2, characterized in that the bit lines (4a and 4b) both the one storage group (A) as. also the other memory group (B) with each other through driver circuits (2) are connected. 4. Assoziativspeichersystem nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einer Speichergruppe (z. B. A) ausgelesenes Wort gleichzeitig mit einer Maske gelesen wird, welche die Bits innerhalb des Wortes maskiert, die als Suchwort für eine andere Speichergruppe (z. B. B) zugeleitet werden.4. Associative memory system according to claims 1 to 3, characterized in that one of a memory group (e.g. A) read out word is read simultaneously with a mask that masks the bits within the word, which are forwarded as a search term for another storage group (e.g. B). 5. Assoziativspeiehersystem nach den Ansprüchen 1 bis A1. dadurch gekennzeichnet, daß Wortleitungen (8) innerhalb5. Associative storage system according to Claims 1 to A 1 . characterized in that word lines (8) within 10 9852/168 610 9852/168 6 Docket UK 969 006Docket UK 969 006 einer Speichergruppe (ζ. B. 5) mit den externen Wortleitungen (3) über Worttorschaltungen (6) verbunden sind und die internen Bitleitungspaare (z. B. 4c und 4d) mit den externen Bitleitungspaaren (4a und 4b) über Bittorschaltungen (7) verbunden sind, wobei die Worttorschaltungen (6) mit Steuerleitungen (Wl und WO) verbunden sind, die zum Selektieren von Worten dienen und daß die Bittorschaltungen (7) mit zwei Steuerleitungen (Dl und DO) verbunden sind, die zum Selektieren der Bits innerhalb eines Wortes in der Speichergruppe dienen.a memory group (ζ. B. 5) are connected to the external word lines (3) via word gate circuits (6) and the internal bit line pairs (e.g. 4c and 4d) with the external bit line pairs (4a and 4b) via bit gates (7) are connected, the word gate circuits (6) being connected to control lines (Wl and WO) are, which are used to select words and that the bit gate circuits (7) with two control lines (Dl and DO), which are used to select the bits within a word in the memory group. 6» Speichersystem nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerleitungen (Dl, DO und Wl bzw. WO) an einer gemeinsamen Taktgeber- und Steuereinheit (CCB 10) und (CCB 12) angeschlossen sind.6 »Storage system according to claims 1 to 5, characterized in that that the control lines (Dl, DO and Wl or WO) on a common clock and control unit (CCB 10) and (CCB 12) are connected. 7. Assoziativspeichersystem nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangssignale zu den Wortleitungen der Taktsteuerschaltung (CCB) durch Verriegelungsschaltungen (14) der Zeitsteuerschaltung (TCB) geliefert werden, die ihrerseits von Signalen der Gruppen in der Matrix über die Wortleitungen (3) und die Bit- W leitungen der Speicherzellen gesteuert werden.7. Associative memory system according to claims 1 to 6, characterized in that the input signals to the word lines of the clock control circuit (CCB) are supplied by locking circuits (14) of the timing control circuit (TCB), which in turn are supplied by signals from the groups in the matrix via the word lines ( 3) and the bit W lines of the memory cells are controlled. 10 9852/1686
Docket UK 969, 006
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Docket UK 969, 006
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751579A (en) * 1986-03-31 1988-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Special image effect producing apparatus with memory selection

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239818A (en) * 1961-12-28 1966-03-08 Ibm Memory system
US3349375A (en) * 1963-11-07 1967-10-24 Ibm Associative logic for highly parallel computer and data processing systems
US3320594A (en) * 1964-03-10 1967-05-16 Trw Inc Associative computer
GB1127270A (en) * 1967-09-05 1968-09-18 Ibm Data storage cell
GB1218406A (en) * 1968-07-04 1971-01-06 Ibm An electronic data processing system
GB1233484A (en) * 1969-07-26 1971-05-26

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751579A (en) * 1986-03-31 1988-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Special image effect producing apparatus with memory selection

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