DE2149988B2 - COMBINATION CIRCUIT FOR USE IN A TELEVISION RECEIVER - Google Patents
COMBINATION CIRCUIT FOR USE IN A TELEVISION RECEIVERInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Fernsehempfänger und ähnliche Sichtgeräte und insbesondere eine Schaltung zum Austasten des Elektronenstrahls der Bildröhre.The invention relates to television receivers and similar display devices and, more particularly, to a circuit for Blanking of the electron beam of the picture tube.
Sowohl bei Schwarz-Weiß- als auch bei Farbfernsehempfänger ist es üblich. Impulse in Schwarzrichtung der Kathodenstrahlröhre zuzuführen, um eine Störmodulation der Elektronenstrahlen während der Zeilenrücklauf- und Bildrücklaufintervalle zuzuführen. Diese Impulse in der Schwarzrichtung können einer der Röhrenelektroden zugeführt werden, werden jedoch gewöhnlich den Kathoden oder Gittern der Röhren zusätzlich zu dem Bildinhalt zugeführt, der diesen Elektroden während der Abtastintervalle zugeführt wird.Both black and white and color television receivers it is usual. To apply pulses in the black direction of the cathode ray tube in order to generate interference modulation of the electron beams during the retrace and retrace intervals. These Pulses in the black direction can, however, be applied to one of the tube electrodes usually fed to the cathodes or grids of the tubes in addition to the image content that these Electrodes is fed during the sampling intervals.
Ein erfindungsgemäßer Fernsehempfänger besitzt eine Kathodenstrahlröhre und einen Schwarz-Weiß-Signalkanal, dessen Ausgang mit der Röhre verbunden ist und eine Additionsschaltung umfaßt, welche den End-Verstärkerstufen im Kanal vorgeschaltet ist, in welcher Austastimpulse in der Schwarzrichtung zu dem Schwarz-Weiß-Signal während der Rücklaufintervalle addiert werden. Auf diese Weise ist die Zufuhr der Austastimpulse zu den Röhrenelektroden unnötig, da die Austastimpulse zu dem Leuchtdichtesignal in einer Schaltung mit niedrigem Signalpegel addiert werden kann.A television receiver according to the invention has a cathode ray tube and a black-and-white signal channel, the output of which is connected to the tube and comprises an addition circuit which the End amplifier stages in the channel is connected upstream, in which blanking pulses in the black direction to the Black-and-white signal can be added during the retrace intervals. In this way the feed is the Blanking pulses to the tube electrodes unnecessary, since the blanking pulses to the luminance signal in a Circuit with low signal level can be added.
Die Erfindung ist ferner auf die Schaffung einer Additionsschaltung gerichtet, die zur Verwendung in dem im vorangehenden Absatz gekennzeichneten Empfänger geeignet ist und einen ersten Transistor umfaßt, der zwischen einem Eingang und einem Ausgang geschaltet und mit einer Last versehen ist, an welcher die Ausgangsspannung entnommen wird und welche ein Element mit einem niedrigen differentiellen Widerstand aufweist, an welchen ein zweiter Transistor angeschaltet ist, welche Additionsschaltung ferner eine Einrichtung für die Aufnahme von Austastimpulsen besitzt, um den zweiten Transistor zwischen seinem leitenden und seinem nichtleitenden Zustand umzuschalten. The invention is further directed to providing an addition circuit which can be used in the receiver identified in the previous paragraph and a first transistor which is connected between an input and an output and is provided with a load which the output voltage is taken and which an element with a low differential Has resistor to which a second transistor is connected, which addition circuit also has a Means for receiving blanking pulses possesses to the second transistor between his to switch conductive and its non-conductive state.
Das Element von niedrigem differentiellen Widerstand kann durch eine oder mehrere in Durchlaßrichtung vorgespannte Dioden gebildet werden und durch eine entsprechende Wahl der Kennwerte der Dioden und des ersten Transistors kann eine gewisse Temperaturkompensation erzielt werden.The element of low differential resistance can be through one or more in the forward direction biased diodes are formed and by an appropriate choice of the characteristic values of the diodes and the first transistor, some temperature compensation can be achieved.
Nachfolgend wird die Erfindung beispielsweise in Verbindung mit den Zeichnungen näher beschrieben, und zwar zeigt:The invention is described in more detail below, for example in connection with the drawings, namely shows:
Fig. 1 eine Schaltung mit Wellenformen einer Additionsschaltung zur Verwendung in einem Fernsehempfänger,
Fig.2 die Kennlinie des Elements von niedrigem1 shows a circuit with waveforms of an addition circuit for use in a television receiver;
Fig.2 the characteristic of the element from low
ίο differentiellem Widerstand der Schaltung nach Fig. 1 undίο differential resistance of the circuit according to Fig. 1 and
Fig.3 eine Schaltung mit Wellenformen einer
Abänderungsform zu F i g. 1.
F i g. 1 zeigt ein Schaltbild einer Additionsschaltung3 shows a circuit with waveforms of a modification to FIG. 1.
F i g. 1 shows a circuit diagram of an addition circuit
zur Verwendung für eir;en Farbfernsehempfänger. Ein Eingang 1 ist mit der Basis eines npn-Transistors Tr X verbunden, der in einer Emittergrundschaltung geschaltet ist. Der Emitier des Transistors ist über einen Widerstand REm\t einer Spannungsquelle Vsverbunden und der Kollektor ist über einen Widerstand Ro und in Reihe geschaltete Dioden W, und IV2 geerdet, d. h. normalerweise mit dem Chassis des Empfängers verbunden. Mit dem Kollektor des Transistors TrX ist ein Ausgang 2 verbunden.for use in a color television receiver. An input 1 is connected to the base of an npn transistor Tr X, which is connected in a basic emitter circuit. The emitter of the transistor is connected to a voltage source Vs via a resistor R E m \ t and the collector is grounded via a resistor Ro and series-connected diodes W, and IV 2 , ie normally connected to the chassis of the receiver. An output 2 is connected to the collector of the transistor TrX.
Zwischen der Spannungsquelle Vs und dem Verbindungspunkt zwischen dem Kollektorwiderstand R0 und der Diode W\ ist ein Widerstand R\ geschaltet. Mit diesem Verbindungspunkt ist ferner der Kollektor eines npn-Transistors Tr 2 verbunden, dessen Emitter geerdet ist und dessen Basis mit einer Klemme 3 verbunden ist.A resistor R \ is connected between the voltage source V s and the connection point between the collector resistor R 0 and the diode W \. The collector of an npn transistor Tr 2 , the emitter of which is grounded and the base of which is connected to a terminal 3, is also connected to this connection point.
Im Betrieb wird das schwarzpegelstabilisierte Leuchtdichtesignal Vi dem Anschluß 1 und von diesem der Basis des Transistors Tr 1 zugeführt. Die Gleichstrom- und Wechselstromverstärkungsfaktoren dieser Verstärkerstufe sind beide annähernd gleich R0ZRt und das verstärkte Signal wird der Ausgangsklemme 2 zugeführt. Während der Bildinformationsperioden sind die Dioden IVi und W2 in ihren Kennlinienbereich konstanter Spannung durch die Summe des Kollektorstroms des Transistors Tr 1 und des von der Quelle Vs über den Widerstand R\ fließenden Gleichstroms vorgespannt. Daher ist der differentielle Widerstand der Dioden W, und IV2 bei Veränderungen im Transistor-Kollektorstrom sehr niedrig. Fig. 2 zeigt die statische Strom-Spannungs-Kennlinie einer geeigneten Diode, deren Arbeitspunkt am Punkt Vx, Ix liegt.In operation, the black level stabilized luminance signal Vi is fed to the connection 1 and from there to the base of the transistor Tr 1. The direct current and alternating current amplification factors of this amplifier stage are both approximately equal to R 0 ZRt and the amplified signal is fed to output terminal 2. During the image information periods, the diodes IVi and W 2 are biased in their characteristic curve region of constant voltage by the sum of the collector current of the transistor Tr 1 and the direct current flowing from the source Vs via the resistor R \. Therefore, the differential resistance of the diodes W 1 and IV 2 is very low with changes in the transistor collector current. Fig. 2 shows the static current-voltage characteristic of a suitable diode, the operating point of which is at the point V x , I x .
Während der Austastintervalle zwischen den Zeilen- und Halbbildabtastungen werden Austastimpulse V1 dem mit der Basis des Transistors Tr 2 verbundenen Anschluß 3 zugeführt. Dieser Transistor wird durch die erwähnten Impulse von einem hochohmigen Zustand während der Bildinformation in einen niederohmigeri Zustand während der Austastintervalle umgeschaltet Der Punkt 4 in Fig. 1, nämlich der Verbindungspunkl der Diode Wi und des Widerstandes Rq wird daher zwischen zwei Potentialen mit Bezug auf die Erde umgeschaltet, wie durch die Wellenform V4 angegeben Während der Rücklaufintervalle ist das Potential de< Punktes 4 im wesentlichen gleich der Kollektor-Emit ter-Spannung des Transistors Tr 2 unter Sättigungsbedingungen, jedoch ist das Potential während dei Zeilenabtastung im wesentlichen gleich den Potentialer für die Durchlaßspannungen der Dioden VV1 und W2 ist Die Differenz zwischen diesen beiden Potentialen is^During the blanking intervals between the line and field scans, blanking pulses V 1 are applied to the terminal 3 connected to the base of the transistor Tr 2. This transistor is determined by the mentioned pulses from a high-impedance state while the image information in a niederohmigeri state during the blanking intervals 4 switched The point in Fig. 1, namely the Verbindungspunkl the diode Wi and resistance Rq is therefore between two potentials with respect to ground switched as indicated by waveform V4. During the retrace intervals, the potential de <point 4 is substantially equal to the collector-emitter voltage of transistor Tr 2 under saturation conditions, but the potential during the line scan is substantially equal to the potential for the forward voltages of the diodes VV 1 and W 2 is The difference between these two potentials is ^
(^ Vw- (^ Vw-
Hieraus ergibt sich, daß der Transistor Tr 1 wie eir Stromerzeuger arbeitet, der durch die Eingangswellen form Vl gesteuert wird. Der Strom über derIt follows that the transistor Tr 1 works like a power generator which is controlled by the input wave form Vl. The current over the
Kollektorwiderstand Ra und damit das Potential an diesem sind von dem Potential am Punkt 4 im wesentlichen unabhängig. Die Wellenform am Kollektor des Transistors TrX ist daher die algebraische Summe aus der Kollektor-Leuchtdichte-Wellenform und der am Punkt 4 durch den Transistor Tr 2 in Verbindung mit den Dioden W\ und VV2 erzeugten Wellenform. Diese Wellenform ist in Fig. 1 als Wellenform Vi dargestelltCollector resistance Ra and thus the potential at this are essentially independent of the potential at point 4. The waveform at the collector of transistor TrX is therefore the algebraic sum of the collector luminance waveform and the waveform generated at point 4 by transistor Tr 2 in conjunction with diodes W 1 and VV 2. This waveform is shown in Figure 1 as waveform Vi
Es ist zweckmäßig, die Amplitude des Austastimpulses in Form der Amplitudendifferenz zwischen Schwarz- und Weißpegel am Punkt der algebraischen Addition der beiden Wellenformen zu definieren und um eine angemessen Austastung sicherzustellen und gleichzeitig Schwierigkeiten infolge einer übermäßigen Amplitude des ausgetasteten Leuchtdichtesignals zu vermeiden, ist es zufriedenstellend, die Austastspitzenamplitude gleich 50% der Amplitudendifferenz zwischen Schwarz- und Weißpegel zu machen. It is useful to define the amplitude of the blanking pulse in the form of the amplitude difference between the black and white level at the point of algebraic addition of the two waveforms and to ensure adequate blanking and at the same time avoid difficulties due to an excessive amplitude of the blanked luminance signal, it is satisfactory make the blanking peak amplitude equal to 50% of the amplitude difference between black and white levels.
Wenn die Schaltung als niederpegelige Verstärker- und Umkehrstufe betrieben wird, kann der Verstärkungsfaktor der Stufe zweckmäßig nahe Eins liegen (d. h. Ro si Re). Die Ausgangsspannung wird dann durch weitere Verstärkerschaltungen verarbeitet und der Kathodenstrahlröhre zugeführt.If the circuit is operated as a low-level amplifier and inverter stage, the gain of the stage can conveniently be close to unity (ie Ro si Re). The output voltage is then processed by further amplifier circuits and fed to the cathode ray tube.
Die Schaltung nach F i g. 1 kann so gestaltet werden, daß eine Temperaturkompensation erhalten wird. Der Transistor TrI kann ein siliciumgesteuerter Bipolartransistor sein, während die Diode IVi und W3 Siliciumdioden sein können. Geeignete Transitoren und Dioden haben vergleichbare Änderungen hinsichtlich ihrer Basis-Emitter-Gleichspannungsdifferenz während des linearen Betriebs des Transistors bei Veränderungen der Potentialdifferenz an den Dioden bei der gleichen Temperaturänderung.The circuit according to FIG. 1 can be designed to provide temperature compensation. The transistor TrI can be a silicon controlled bipolar transistor, while the diode IVi and W 3 can be silicon diodes. Suitable transistors and diodes have comparable changes in terms of their base-emitter DC voltage difference during the linear operation of the transistor with changes in the potential difference across the diodes for the same temperature change.
Die Nettoänderung in dem Kollektorpotential V(-des Transistors TrI infolge einer Temperaturänderung ist:The net change in the collector potential V ( -of the transistor TrI due to a temperature change is:
I V, = T7 ■ ^- ■ I V, = T 7 ■ ^ - ■
T 'T '
(D(D
15 Kathodenstrahlröhre modulieren, so gering wie möglich zu halten. Es wird daher die Verwendung der abgeänderten Schaltung nach Fi g. 3 bevorzugt, die auf der Schaltung nach F i g. 1 mit der Ausnahme beruht, daß der Emitterwiderstand in Form von zwei Widerständen Re\ und Re2 dargestellt ist, deren Verbindungspunkt über einen Kondensator Ce geerdet ist, während der Kollektorwiderstand in Form von zwei Widerständen Ro\ und Rai dargestellt ist, wobei zum Widerstand R02 ein Kondensator C0 parallelgeschaltet ist. Diese Schaltung ermöglicht eine verbesserte Temperaturkompensation zusammen mit einer Steuerung der Amplitude des Klemmimpulses und des Wechselstromverstärkungsfaktors der Stufe. 15 modulate cathode ray tube to keep it as low as possible. It is therefore the use of the modified circuit according to Fi g. 3 preferred, which are based on the circuit according to FIG. 1 is based on the exception that the emitter resistance is shown in the form of two resistors Re \ and Re2, the connection point of which is grounded via a capacitor Ce , while the collector resistance is shown in the form of two resistors Ro \ and Rai , with a resistor R02 Capacitor C 0 is connected in parallel. This circuit allows for improved temperature compensation along with control over the amplitude of the clamp pulse and the AC gain of the stage.
In der Praxis wird nur einer der beiden Kondensato ren Ce und Co vorgesehen. In allen Fällen müssen die Werte dieser Kondensatoren ausreichend groß sein, damit ihre Blendenwiderstände Xc& AOidie Beziehung: In practice, only one of the two capacitors Ce and Co is provided. In all cases, the values of these capacitors must be large enough for their screen resistances Xc & AOid to have the relationship:
und Rf and Rf
R1 R 1
3030th
35 bei der niedrigsten Frequenz befriedigen, bei welcher die Schaltung betrieben werden soll, welche im Falle der Helligkeitsinformation gleich 50 Hz ist.35 at the lowest frequency at which the circuit is to be operated, which in the case of the Brightness information is equal to 50 Hz.
Wenn beide Kondensatoren Ce und Co weggelassen werden, ist die Schaltung grundsätzlich die gleiche wie die in Fig. 1 dargestellte und besteht zwischen dem Wechselstrom-Verstärkungsfaktor /^cund dem Gleichstrom-Verstärkungsfaktor Adcdie Beziehung:If both capacitors Ce and Co are omitted, the circuit is basically the same as that shown in Fig. 1 and the relationship between the AC gain / ^ c and the DC gain Adc is:
Aa1 si A,ic — Ro/Re-Aa 1 si A, ic - Ro / Re-
Wenn der Kondensator Co verwendet, jedoch der Kondensator Oweggelassen wird, erhält man:If the capacitor uses Co, however, the Capacitor O is omitted, one obtains:
T7 = T.:mperaturiinderung des Transistors und TrI , 'T 7 = T.: temperature reduction of the transistor and TrI , '
ι vBE ι v BE
= Temperaturkoeffizient der Basis-Emitter-Potentialdifferenz des Transistors TrI ,= Temperature coefficient of the base-emitter potential difference of the transistor TrI ,
/ta,-/ ta, -
M)2M) 2
Wenn der Kondensator C0 weggelassen und nur der so Kondensator Ce verwendet wird, erhält manIf the capacitor C 0 is omitted and only the capacitor Ce thus used is used, one obtains
TH. = Temperaturänderung der Dioden .T H. = Change in temperature of the diodes.
— ■ = Temperaturkoeffizient dei Diodendurch- uncj schlagsspannungsdifferenz am Arbeitspunkt Vw. - ■ = temperature coefficient of the diode breakdown and breakdown voltage difference at the operating point V w .
R1,R 1 ,
RnMarg
Durch eine geeignete Wahl: der Komponentenwerte kann die Änderung Δ Vr so gering wie möglich gehalten werden.By a suitable choice: of the component values, the change Δ Vr can be kept as small as possible.
Normalerweise wird die Ausgangsspannung der Schaltung nach Fig.) durch Verstärkerschaltungen geleitet, die einen Gleichspannungs-Verstärkungsfaktor zwischen dem Fünfzigfachen und dem Hundertfachen vor dem Erreichen der Kathodenstrahlröhre ergeben, so daß die Temperaturstabilitiit der Schaltung hoch sein muß, um die Wirkungen von Temperaturveränderungen auf die Signale, welche die Elektronenstrahlen der Die Amplitude des Austastimpulses, der zur Helligkeitsinformation addiert werden soll, kann dadurch eingestellt werden, daß die Zahl /1 der Dioden Wi ... Wn zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors Tr 2 verändert wird.Normally the output voltage of the circuit of Fig.) Is passed through amplifier circuits which give a DC voltage gain factor between fifty times and one hundred times before it reaches the cathode ray tube, so that the temperature stability of the circuit must be high in order to avoid the effects of temperature changes on the signals The amplitude of the blanking pulse that is to be added to the brightness information can be adjusted by changing the number / 1 of the diodes Wi ... W n between the collector and the emitter of the transistor Tr 2.
Die Gleichung (1) kann nun für die Schaltung nach F i g. 3 wie folgt umgeschrieben werden:The equation (1) can now be used for the circuit according to FIG. 3 can be rewritten as follows:
W-T-W-T-
- η Tn-- η T n -
I K11. \ T IK 11 . \ T
Wenn einer der Kondensatoren Cc und Q verwendet wird, sind die Wechselstrom- und Gleichstrom-Verstärkungsfaktoren gesondert veränderlich und kann die Schaltung so gestaltet werden, daß gleichzeitig der Wechselstromverstärkungsfaktor erhalten wird, der durch das Leuchtdichtesignal, die optimale Amplitude des Austastimpulses sowie durch die geringstmögliche thermische Gleichstrombewegung des Leuchtdichteausgangssignals erforderlich ist.When one of the capacitors Cc and Q is used the AC and DC gain factors are separately variable and can be the Circuit can be designed so that at the same time the AC gain is obtained, the through the luminance signal, the optimal amplitude of the blanking pulse and the lowest possible DC thermal movement of the luminance output signal is required.
Die vorangehend beschriebenen Schaltungen können sowohl für Schwarz-Weiß- als auch für Farbfernsehempfänger verwendet werden.The circuits described above can be used for both black-and-white and color television receivers be used.
Die npn- und pnp-Transitoren können in der Schaltung ausgewechselt werden oder es könnei andere aktive Vorrichtungen mit entsprechendei Änderungen hinsichtlich Vorspannung, Signal, Impul und Stromversorgung vorgesehen werden. Anstelli einer Anzahl von siliciumgesteuerten Dioden, die eini Temperaturkompensation ergeben, kann ebenso gu eine einfache Zenerdiode mit der für diese geeignetei Spannung verwendet werden, welche nicht unbeding die Temperaturkompensation ergibt. Eine weitenThe npn and pnp transistors can or can be exchanged in the circuit other active devices with corresponding changes in bias, signal, impulse and power supply must be provided. Instead of a number of silicon-controlled diodes that make up some Temperature compensation, a simple Zener diode with the one suitable for this can also be used Voltage can be used, which does not necessarily result in the temperature compensation. A wide one
ίο Alternative besteht in der Verwendung einer Transi storspannungsquelle von niedriger Impedanz, durch dl· ebenfalls nicht unbedingt die richtige Temperaturkom pensation erhalten wird.ίο The alternative is to use a Transi Interference voltage source of low impedance, due to dl · also not necessarily the correct temperature com compensation is received.
Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings
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