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DE1614444C2 - Gleichrichterbauteil mit Halbleitergleichrichtern - Google Patents

Gleichrichterbauteil mit Halbleitergleichrichtern

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Publication number
DE1614444C2
DE1614444C2 DE1614444A DE1614444A DE1614444C2 DE 1614444 C2 DE1614444 C2 DE 1614444C2 DE 1614444 A DE1614444 A DE 1614444A DE 1614444 A DE1614444 A DE 1614444A DE 1614444 C2 DE1614444 C2 DE 1614444C2
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DE
Germany
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rectifier
semiconductor
component according
housing
rectifier component
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DE1614444A
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Hans Rudolf Dipl.-Ing. Genf Wallertshauser (Schweiz)
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BBC Brown Boveri AG Switzerland
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Brown Boveri und Cie AG Switzerland
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Description

Die Erfindung betrifft ein Gleichrichterbauteil mit mindestens zwei Halbleitergleichrichtern, die mit jeweils einer ihrer Hauptelektroden in Druckkontaktverbindung mit zwei massiven, elektrisch und thermisch gut leitenden Metallkörpern stehen.
Dabei steht »Halbleitergleichrichter« sowohl für steuerbare als auch für nicht steuerbare Halbleiterbauelemente mit Gleichrichterwirkung, also sowohl für Thyristoren als auch Dioden.
Ein Gleichrichterbauteil der vorstehend genannten Art mit vier Halbleiterdioden als Gleichrichtern ist bekannt aus der französischen Patentschrift 1 399 802.
Das bekannte Bauteil dient zum Aufbau einer mechanisch und elektrisch stabilen Gleichrichterbrükkenschaltung. Dabei befindet sich eine Halbleiterdiode stets nur mit einer ihrer Hauptelektroden in Kontakt mit einem massiven Metallkörper, welcher einen thermischen Ausgleich zwischen zwei gleichzeitig leitenden Dioden aber nicht bewirken kann, da auf Grund der besonderen Schaltung (Graetzschaltung) gleichzeitig immer nur zwei an verschiedenen Metallkörpern anliegende Dioden in Vorwärtsrichlung belastet sind. Ein thermischer Ausgleich zwischen den Halbleiterdioden ist aber auch gar nicht von Interesse.
Aus der belgischen Patentschrift 635 452 ist ein Gleichrichterbauteil bekannt, bei welchem parallelgeschaltete Halbleitergleichrichter sich in Hohlräumen eines Isolierringes befinden, der auf beiden Seiten von massiven Metullstücken, die gleichzeitig als elektrische Zuleitungen dienen, abgedeckt ist. Der thermische Kontakt der Halbleitergleichrichter zu den Metallstücken wird mindestens auf einer Seite durch schlecht wärmeleitende Elemente, wie Spiralfedern u. dgl., bewirkt, so daß auch hier über die Mctallstücke ein thermischer Ausgleich zwischen zwei Halbleitergleichrichter!! höchstens auf einer Seite stattfinden kann.
Schließlich ist noch aus der schweizerischen Patentschrift 338 ."2<S ein Gleichrichterbauteil bekannt, bei welchem Stapel von tablettenförmigen Gleichrichterelementen in Aussparungen eines Isolierrahmens liegen, wobei die Stapel miteinander elektrisch über eine federnde Kontaktbrücke verbunden sind. Die Stapel sind in Reihe geschaltet. Auch hier ist ein thermischer Ausgleich von Gicichrichterelement zu Gleichrichterelement über die federnde Kontaktbrücke nicht möglich, aber auch nicht von Interesse, da die Stromdichten bei dem bekannten Gleichrichterbauteil zu klein sind, als daß sie eine störende Wärmeentwicklung hervorrufen könnten.
Bei den modernen Gleichrichterbauteilen stellt sich nun das Problem, daß bei den Anwendungen außerordentlich hohe Stromdichten gefordert werden. Will man aber den Nennstrom eines einzelnen Halbleitergleichrichters immer mehr und mehr steigern, so stößt man zusehends auf immer größere Schwierigkeiten. Vergrößert man z. B. den Durchmesser des Halbleiterkristalles von 20 auf 30 oder 40 mm oder mehr, so wächst auch gleichzeitig die Zahl der Strukturfehler des Kristalles. Außerdem nehmen die mechanischen Ermüdungserscheinungen zu, welche durch die Verschiedenheit der thermischen Ausdehnung des Siliziumkristalles einesteils und des Anoden- bzw. Kathod'enmetalles andererseits zustande kommen.
Schallet man zwei oder mehrere Halbleitergleichrichter parallel, so ist die gleichmäßige Stromaufteiiung keineswegs ohne weiteres sichergestellt. Wegen des negativen Temperaturkoeffizienten der Halbleitergleichrichter wächst nämlich der Strom des
wärmeren Halbleitergleichrichters bei fallender Durchlaßspannung an, so daß eine derartige Parallelschaltung thermisch instabil ist. Entweder muß man dann den Nennstrom eines jeden Gleichrichters reduzieren oder man muß ohmsche oder induktive Impedanzen als Kompensationselemente für die Gleichrichter vorsehen. Das ist jedoch hinsichtlich der Verluste und des Schaltungsaufwandes nachteilig.
Überdies sind auch der Zündvorgang bei Thyristoren und der Löschvorgang bei Dioden und Thyristoren stark temperaturabhängig.
Aufgabe der Erfindung ist es nun, ein kompaktes Gleichrichterbauteil für hohe Ströme zu schaffen, mit mindestens zwei parallelgeschalteten Halbleitergleichrichtern, welche elektrisch und thermisch stabil arbeiten und sich wie ein einziges Element von größeren Abmessungen verhalten, ohne daß ihr Nennstrom reduziert oder ein besonderer Schaltungsaufwand vorgesehen werden muß. Dadurch wird eine wesentliche Vereinfachung und Verbilligung der Anlagen sowie eine beachtliche Erhöhung der Betriebssicherheit erzielt.
ϊ Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß bei einem " Gleichrichterbauteil der eingangs genannten Art erfindungsgemäß die Halbleitergleichrichter in demselben Gehäuse angeordnet sind, das sich zwischen den zwei massiven Metallkörpern befindet, und daß die zur Erzielung einer hohen Nennstrombelastbarkeit erforderliche Parallelschaltung der Halbleitergleichrichter dadurch bewirkt wird, daß die Halbleitergleichrichter mit ihren Hauptelektroden der einen Polarität in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit dem einen Metallkörper und mit ihren Hauptelektroden der anderen Polarität in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit dem anderen Metallkörper stehen.
Damit liegen die Halbleitergleichrichter zwischen zwei thermischen und elektrischen Brücken. Indem man die Halbleitergleichrichter in demselben Gehäuse unterbringt, ist man auch sicher, daß sich diese stets in der gleichen Gasatmosphäre befinden, was für die Oberflächenströme von Vorteil ist. Das Gehäuse ist vorzugsweise luftdicht oder sogar vakuumdicht. κ Zwischen der Gehäusewandung und den Hauptelektroden der Halbleitergleichrichter können zum Ausgleich der Temperatur der Gleichrichter zusätzlich Metallteile eingebaut sein, welche sehr starke Querschnitte und eine sehr gute thermische Leitfähigkeit aufweisen. Um zudem einen guten thermischen und elektrischen Kontakt zwischen den Gleichrichtern herzustellen, wird ein sehr großer mechanischer Druck zwischen dem Kühlkörper, den Metallkörpern und den Gleichrichtern erzeugt. Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den nachstehend an Hand von Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen.
Dabei zeigen die F i g. 1 bis 5 verschiedene Ausführungsformen der Erfindung.
Die Fig. 1 zeigt zwei parallel geschaltete Halbleitergleichrichter 1 und 11, welche sich in dem aus den Metallteilen 4 und 44 und dem Isolator 5 gebildeten Gehäuse befinden. Die thermische Brücke wird hier durch die beiden massiven Metallkörper 6 und 66 gebildet, die gleichzeitig als Kühlkörper fungieren, und mittels isolierter Bolzen stark gegen das Gehäuse gepreßt werden. Die beiden Gleichrichter 1 bzw. 11 weisen einen Halbleiterkristall, vorzugsweise aus Silizium, mit einer schwach dotierten Mittelzone η und zwei hoch dotierten Außenzonen ρ und n+ auf sowie metallische Anoden 2 bzw. 22 und metallische Kathoden 3 bzw. 33. Der gute thermische Kontakt zwischen den Anoden 2 bzw. 22 sowie zwischen den Kathoden 3 bzw. 33 und dem Gehäuse 4 bzw. 44 wird durch einen hohen mechanischen Druck erzielt, welchen die beiden massiven plattenförmigen Metallkörper 6 bzw. 66 ausüben, welch letztere gleichzeitig die thermische Brücke bilden. Dfese Metallkörper
ίο werden aus gut wärmeleitenden Stoffen, wie Kupfer oder Aluminium, hergestellt. Sie weisen ferner nicht dargestellte Kühlrippen auf und können durch Wasser oder Öl oder durch Luft gekühlt werden. Die beiden Metallkörper 6 und 66 können die gleiche geometrische Form aufweisen.
In F i g. 2 weisen die Gehäusewandungen 4, 44
metallische Verdickun.gen 7, 77 großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit auf, um die thcr-
• mische Brücke zwischen den Hauptelektroden 2 und
»ο 22 bzw. 3 und 33 weiter zu verbessern.
In Fig. 3 sind zwischen den Gehäusewandungen 4, 44 und den Hauptelektroden 2, 22 bzw. 3, 33 der Halbleitergleichrichter I. Il besondere Metallteile 7', 77' großen Querschnitts und hoher thermischer Leit-
a5 fähigkeit vorgesehen, was wiederum der Verbesserung der thermischen Brücke dient.
Sowohl in der Ausführungsforni nach F i g. 2 als auch in der nach F i g. 3 wird jedoch der mechanische Druck durch die massiven Metallkörper 6, 66 aufrechterhalten.
In einer anderen Ausführungsform können auch drei Halbleitergleichrichter in einem Dreieck innerhalb des Gehäuses angeordnet werden.
Die F i g. 2 und 5 zeigen jeweils zwei steuerbare Halbleitergleichrichter (Thyristoren). Im Fall der F i g. 5 ist jede Steuerelektrode 8 bzw. 88 über je einen Zuführungsleiter und je einen kleinen Durchführungsisolator zu je einer außenliegenden Klemme IO geführt. In der F i g. 2 ist der Fäll dargestellt, wo nur eine einzige äußere Klemme und nur ein Durchführungsisolator benötigt werden; mit den Steuerelektroden 8 bzw. 88 liegen Widerstände 9 bzw. 99 in Reihe.
Die steuerbaren Gleichrichter weisen vier Schichten p-n-p-n auf. Die Widerstände 9 bzw. 99 können weggelassen werden, wenn die Kenndaten der beiden Teilgleichrichter genügend genau übereinstimmen.
In der Fig. 4 ist wie in Fig. 2 ebenfalls nur eine äußere Steuerklemme 10 nötig, welche zur Primärwicklung 12 eines kleinen, im Inneren des Gehäuses liegenden Pulstransformators führt, dessen Sekundärwicklungen 13 bzw. 14 über Dioden 15 bzw. 16 und Widerstände 9 bzw. 99 mit den Steuerelektroden 8 bzw. 88 verbunden sind.
Bei der in der F i g. 5 dargestellten Ausführung sind die Gehäusewandungen mit den beiden dicken Metallkörpern 6 bzw. 66 verschmolzen, wobei sie gleichzeitig sowohl als thermische Brücke als auch als mit Kühlrippen (nicht dargestellt) versehenem
*o Kühlkörper fungieren. Der Isolator 5 kann aus synthetischen organischen Stoffen oder aus Silikonen bestehen und in bekannter Weise mit den Metallkörpern 6 bzw. 66 dicht verbunden werden. Die Steuerelektroden 8 bzw. 88 sind mit den äußeren Klemmen 10 bzw. 100 über Drähte verbunden, welche dicht in den Isolator 5 eingekittet sind.
Wenn drei Halbleitergleichrichter in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht werden sollen, so wird
man sie in einem Dreieck anordnen, eine größere Anzahl jedoch längs einer Geraden.
Die durch die Erfindung erzielten Vorteile bestehen in einer merklichen Reduktion des Volumens, der Anzahl von Verbindungen und der Kosten einer gesamten Gleichrichteranlage. Außerdem sind die eingangs erwähnten Kompensationsmittel überflüssig. Durch die Vermeidung der thermischen Instabilitäten kann ferner die zulässige Leistung gegenüber bekannten Gleichrichtern beträchtlich erhöht werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

  1. Patentansprüche:
    I. Gleichrichterbauteil mit mindestens zwei Halbleitergleichrichtern, die mit jeweils einer ihrer Hauptelektroden in Druckkontaktverbindung mit zwei massiven, elektrisch und thermisch gut leitenden Metallkörpern stehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergleichrichter (1, 11) in demselben Gehäuse angeordnet sind, das sich zwischen den zwei massiven Metallkörpern (6, 66) befindet, und daß die zur Erzielung einer hohen Nennstrombelastbarkeit erforderliche Parallelschaltung der Halbleitergleichrichter (1, 11) dadurch bewirkt wird, daß die Halbleitergleichrichter (1, 11) mit ihren Hauptelektroden der einen Polarität (2, 22) in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit dem einen Metallkörper (6), und mit ihren Hauptelektroden der anderen Polarität (3, 33) in unmittei-* barer Druckkontaktverbindung mit dem anderen Metallkörper (66) stehen.
  2. 2. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden massiven Metallkörper (6, 66) sich außerhalb des Gehäuses (4, 44/5) befinden (Fig. 1, 2, 3).
  3. 3. Gleichrichterbauieil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gehäusewandung (4, 44) zwischen den Hauptelektroden (2, 22, 3, 33) der Halbleitergleichrichter (1, 11) und den massiven Metallkörpern (6, 66) metallische Verdickungen (7, 77) großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit aufweist (F i g. 2).
  4. 4. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Gehäusewandung (4, 44) und den Hauptelektroden (2, 22, 3, 33) der Halbleitergleichrichter (1, 11) Metallteile (7'. 77') großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit vorgesehen sind (Fig-3).
  5. 5. Gleichrichterbauteil nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden massiven Metallkörper (6, 66) einen Teil des Gehäuses (6, 66, 5) bilden (Fig. 5).
  6. 6. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergleichrichter (1, 11) eine oder mehrere Steuerelektroden (8, 88) besitzen.
  7. 7. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (8, 88) im Innern des Gehäuses elektrisch miteinander verbunden sind.
  8. 8. Gleichrichterbauteil nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (8, 88) über Widerstände (9, 99) miteinander verbunden sind.
  9. 9. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (8, 88) an Sekundärwicklungen (13, 14) eines kleinen Transformators (12, 13, 14) gelegt sind, der sich im Inneren des Gehäuses befindet.
DE1614444A 1966-03-16 1967-03-10 Gleichrichterbauteil mit Halbleitergleichrichtern Expired DE1614444C2 (de)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143336A1 (de) * 1981-10-31 1983-05-19 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichterbaueinheit
JPS5968958A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体
US4538170A (en) * 1983-01-03 1985-08-27 General Electric Company Power chip package
JPS61218151A (ja) * 1985-03-23 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3910470C2 (de) * 1988-03-31 1995-03-09 Toshiba Kawasaki Kk Leistungshalbleiter-Schaltervorrichtung mit in den beteiligten Chips verringerter Wärmebelastung, insb. Wärmespannung
DE19615112A1 (de) * 1996-04-17 1997-10-23 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterbauelement

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH338528A (de) * 1954-07-31 1959-05-31 Siemens Ag Trockengleichrichteranordnung
NL295752A (de) * 1962-06-09
FR1399802A (fr) * 1963-05-03 1965-05-21 Westinghouse Electric Corp Appareil électrique
US3370207A (en) * 1964-02-24 1968-02-20 Gen Electric Multilayer contact system for semiconductor devices including gold and copper layers
FR1431304A (fr) * 1964-03-30 1966-03-11 Gen Electric Perfectionnements apportés aux organes de contact pour dispositifs semiconducteurs

Also Published As

Publication number Publication date
GB1168851A (en) 1969-10-29
CH448213A (fr) 1967-12-15
DE1614445B2 (de) 1974-08-08
DE1614445A1 (de) 1970-09-10
GB1155236A (en) 1969-06-18
DE1614444B1 (de) 1974-08-01
DE1614445C3 (de) 1975-04-03
FR1515457A (fr) 1968-03-01
FR1515458A (fr) 1968-03-01

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