DE1513858A1 - Stromversorgungssteuerschaltungen - Google Patents
StromversorgungssteuerschaltungenInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 12
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 3
- 241000158147 Sator Species 0.000 claims 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/36—Controlling
- H05B41/38—Controlling the intensity of light
- H05B41/39—Controlling the intensity of light continuously
- H05B41/392—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
- H05B41/3921—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
- H05B41/3924—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations by phase control, e.g. using a triac
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
- G05F1/45—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load
- G05F1/455—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load with phase control
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/723—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S315/04—Dimming circuit for fluorescent lamps
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
General Electric Company, Schenectady, N.Y., U.S.A,
Stromversorgungssteuerschaltungen
Die Erfindung betrifft Schaltungen zur Versorgung einer Last mit Wechselstrom. Sie ist besonders auf die Anwendung
zweiweggleichrichtender Kristallhalbleiter gerichtet, mit denen die Amplitude und Frequenz des Wechselstroms
gesteuert wird, der einer last zugeführt werden soll.
Die ständige Zunahme elektrisch betriebener Geräte auf allen Arbeitsgebieten hat die Aufmerksamkeit auf die Stromversorgungsvorrichtungen
dieser Geräte gerichtet. Dabei ist klar, daß nicht nur die Erzeugung elektrischer Energie,
sondern auch ihre Übertragung in geeigneter Form zu einem Verbraucher wichtig ist. Dementsprechend wurden beträchtliche
Anstrengungen gemacht, um Schaltungen zu entwickeln, mit denen die Stromversorgung verschiedenster
Lastschaltungen möglich ist. Unter den vielen Gesichtspunkten,
unter denen die Auswahl irgendeiner besonderen Stroiiiversorgungsschaltung erfolgen muß, ist besonders der
Kostenfaktor ausschlaggebend. Die Kosten kann man einteilen in Herstellungskosten, Betriebskosten und Wartungskosten. Weitere ausschlaggebende Faktoren sind der Platzbedarf
der Schaltung, die Umwelteinflüsse während des Betriebs, die Störanfälligkeit und der Wirkungsgrad, mit
denen die Schaltung die gewünschten Aufgaben erfüllt.
Ein Ziel der Erfindung besteht darin, eine verbesserte Stromversorgungssteuerschaltung mit niedrigen Kosten, ge-
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ringen Ausmaßen und hoher Zuverlässigkeit; zu schaffen.
Aus leicht ersichtlichen Gründen ist es wünschenswert,
hohe Leistungen mit geringem Verlust in der Steuerschaltung steuern zu können. Leistungsverluste können sowohl durch
die verwendeten Bauelemente selbst,als auch durch die Vielzahl der erforderlichen Bauelemente erhöht werden.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine verbesserte Leistunüssteuerschaltung zu schaffen, die auf
leistungsschwache Signale anspricht und doch verhältnismäßig hohe Energien steuert.
Ferner ist ein anderes Ziel der Erfindung eine verbesserte Stromversorgungssteuerschaltung, die ein Minimum an
Bauelementen hoher Zuverlässigkeit und mit verhältnismäßig niedrigem Leistungsverbrauch enthält. Die neuerdings entwickelten
Halbleiterbauelemente ermöglichen es, elektrische Schaltungen mit hoher Zuverlässigkeit, kleinen Abmessungen
und geringes Verlustleistung zu schaffen. Auf dem Gebiet der Stromversorgung und -steuerung bietet der
steuerbare Siliziumgleichrichter besondere Vorteile. Steuerbare Siliziumgleichrichter sind im allgemeinen Halbleitergleichrichter
mit drei Anschlüssen und lassen sich von einem Zustand hoher Impedanz zwischen zwei Hauptanschlüssen durch
einen verhältnismäßig kurzen, leistungsschwachen Impuls auf eine Steuerelektrode in einen Zustand niedriger Impedanz
zwischen diesen beiden Hauptanschlüssen durchschalten. Um den Wechselstromverbrauch einer Last zu steuern,
sind zwei solche Bauelemente antiparallel zwischen eine Stromversorgungsquelle und die Last geschaltet. Eine Triggerschaltung
gibt wahlweise unabhängige Triggerimpulse auf jedes Bauelement nach Haßgabe des gewünschten Setriebsver-
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haltens. Zur Verminderung der Kosten und zur Vereinfachung
solcher Schaltungen kann einer dieser steuerbaren Gleichrichter durch eine Brückenschaltung aus vier herkömmlichen
Gleichrichtern ersetzt werden, an deren Ausgang ein einziger steuerbarer Gleichrichter angeschlossen ist. Dadurch
wird nicht nur die Zahl der steuerbaren Gleichrichter und eventuell der schaltungstechnische Aufwand für Triggerschaltungen
vermindert, sondern es werden auch die Kosten für weitere herkömmliche Gleichrichter und zusätzliche
LeistungsVerluste in diesen Gleichrichtern reduziert.
Die Erfindung steuerbarer zweiweggleichrichtender Halbleiter wurde aufgrund des Bedarfs an einfachen Wechselstronversorgungssteuersehaltungen
gemacht. Diese Halbleiter haben die Eigenschaft, daß sie normalerweise zwischen zwei
Hauptanschlüssen eine hohe Impedanz aufweisen. Wenn einer
dritten Elektrode, der Steuerelektrode, ein verhältnismäßig leistungsschwacher Triggerimpuls zugeführt witd,
dann wird die Halbleiterstrecke des Bauelementes zwischen
den beiden Hauptanschlüssen niederohmig. Diese Halbleiter haben von sich aus die Eigenschaft, daß sie den Strom
gleichermaßen in zwei Richtungen, wie ein Zweiweg-Gleichrichter, leiten oder sperren können. Weiterhin können die
Triggerimpulse, die das umschalten des Zustandes niedriger Leitfähigkeit in einen Zustand hoher Leitfähigkeit bewirken
sollen, sowohl positiv als auch negativ sein. Daraus ist ersichtlich, daß die Zweiwegleiter-Oharakteristik des
Hauptstrompfades und die Vielfalt der möglichen Triggerimpulse den zweirAhtungsleitenden Halbleiter zur Steuerung
von Wechselstrom besonders geeignet erscheinen lassen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, Stromversorgungssteuerschaltungen
zu schaffen, in denen zweiweggleichrichtende Halbleiterbauelemente verwendet werden.
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Zur Erhöhung der Wirksamkeit einer Stromversorgungsscnaltung
sollte die Stromversorgungsschaltung auf die Art der Last,
die mit Strom versorgt werden soll, zugeschnitten sein.
Die Erfindung ist dementsprechend auf Wechselstromversorgungsschaltungen für Lasten mit negativer Widerstands-Charakteristik
ausgelegt. Gasentladungslampen, wie Quecksilberdampflampen oder Leuchtstoffröhren, sind Beispiele für
solche Lasten. Die Spannung, die diesen Lasten zugeführt wird, muß dementsprechend so groß sein, daß die anfängliche
Zündung gewährleistet ist. Nach der Zündung ist die abzugebende Spannung jedoch verhältnismäßig niedrig, während
Strombegrenzungsvorrichtungen erforderlich sein können.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es deshalb, Leistungssteuerschaltungen
zu schaffen, in denen zweiweggleichrichtende Halbleiterbauelemente.verwendet werden, und die die
Stromversorgung von Lasten mit negativer WiderstandsCharakteristik
erleichtern.
Bezüglich Entladungsröhren oder Quecksilberdampflampen als
Last muß gesagt werden, daß die Betriebsspannungen dieser Geräte die normalerweise zur Verfügung stehenden Wechselspannungen
übersteigen kann. Weiterhin ist es wünschenswert, diese Lasten mit Spannungen höherer Frequenz zu versorgen,
als sie den herkömmlichen 50 - 60 Hz-Wechselstromnetzen zu entnehmen sind. Durch Verwendung von Spannungen
höherer Frequenz und Amplitude können ein besserer Wirkungsgrad der Lampe und eine größere Leuchstärke erzielt werden.
Eine weitere Hauptaufgabe der Erfindung besteht darin, Schaltungen mit zweiweggleichrichtenden Halbleiterbauelementen
zu schaffen, die eine Eingangswech8elspannung*höherer *in eine Ausgangswechselspannung
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Frequenz und höherer Amplitude umwandelt. Eine etwas speziellere
Aufgabe der Erfindung ist es, Stromversorgungsschaltungen für Lasten mit negativen WiderstandsCharakteristiken
zu schaffen, in denen zweiweggleichrichtende Halbleiterbauelemente
verwendet werden, und die diese Lasten mit Spannung versorgen, deren Amplitude und !frequenz höher
ist als die der Netzspannung.
Wie weiter unten anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben ist, enthält die Erfindung im wesentlichen eine
besondere Kombination eines zweiweggleichrichtenden Halbleiterbauelementes mit induktiven und kapazitiven Bauelementen,
um den einer Last zugeführten Strom zu verändern und zu steuern. Der Halbleiter wird zur Bestimmung der Größe
des Stromes, der einer Last zugeführt werden soll, wahlweise durch Steuersignale getriggert, und in einer Anzahl von Ausführungen
sind in Verbindung damit Doppelresonanzschaltungen vorgesehen, um die Frequenz des Versorgungsstromes zu erhöhen.
Anhand einiger Aus führung en ist auch die Verwendung
zweiweggleichrichtender Halbleiter in Verbindung mit Widerstandstransformatoren für Lampenabblend-Steuerechaltungen
gezeigt.
Die Vorteile der Erfindung werden an Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert.
Die Figuren 1A, 1B und 10 zeigen jeweils in schematischer
Darstellung eine Ausführungsform eines steuerbaren zweiweggleichrichtenden
Halbleiters, ein Schaltsymbol für ein solches Bauelement und eine typische Stromspannungskennlinie
eines solchen Bauelementes;
Pig. 2 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung der
Erfindung, in der einer Last über eine Doppelresonanzschaltung
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Wechselstrom zugeführt wird, und die einen einzigen steuerbaren zweiweggleichrichtenden Halbleiter enthält;
Pig. 3 ist ein schematisches Sehaltbild einer Ausführung
der Erfindung, in der einer Last über eine ähnliche Schaltung wie in Pig. 2 Wechselstrom zugeführt wird, die aber
noch zusätzlich eine Induktivität enthält, die verhindert, daß der Strom direkt von der Stromquelle in die Last fließt;
Jig. 4 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung
der Erfindung, in der einer Last über eine Doppelresonanzschaltung Wechselstrom zugeführt wird, und in der ein einziger
steuerbarer zweiweggleichrichtender Halbleiter die Last
direkt schaltet;
fig. 5 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung der
Erfindung, in der einer Last über eine Doppelresonanzschaltung Wechselstrom zugeführt wird,und in der eine Induktivität mit
Hittelabgriff und ein zweiweggleichrlohtender Halbleiter so
verbunden sind, daß das fließen eines Laststromes in einer
bestimmten Richtung während gesteuerter Perioden verhindert wird.
Pig. 6 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung
der Erfindung, in der einer Last über eine Doppelresonanzschaltung Wechselstrom zugeführt wird, und in der eine Induktivität
mit Mittelanzapfung und ein zweiweggleichrichtender
Halbleiter so miteinander verbunden Bind, daß der^lin
Impuls gesteuerter Dauer zugeführt wird;
Pig. 7 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung der Erfindung, in der einer Last über eine Doppeiresonanzachaltung
Wechselstrom zugeführt wird, und die einen einzigen zweiweggleichrichtenden Halbleiter in R*ihe mit der Last
enthält;
909824/0715 ]
Fig. 8 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführung
der Erfindung ähnlich dem der Pig. 7, nur daß hier eine Induktivität mit Mittelabgriff verwendet wird;
Fig. 9 ist ein schematisches Schaltbild einer weiteren Abwandlung der Schaltung nach fig. 7» in der ein zusätzlicher
Kondensator verwendet wird, um der Last Impulse höherer Amplitude zuführen zu können;
figuren 10 und 11 sind schematische Schaltbilder von Ausführungen
der Erfindung, in denen steuerbare zweiweggleichrichtende
Halbleiter in Verbindung mit Widerstands-Transformatoren Verwendet werden, um den AbIen^vorgang einer Lampe zu steuern.
Steuerbare zweiweggleichrichtende Halbleiter
,» Zum Verständnis und zur Beurteilung der Eyfindung, wie sie in
den Schaltbildern anhand von Ausführungsbeispielen dargestellt und später beschrieben ist, ist es erforderlich, die prinzipielle
Wirkungsweise der steuerbaren zweiweggleichrichtenden Halbleiter (weiterhin auch als steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter
bezeichnet) zu kennen. Ausführlicher gesagt, diese Trioden können so ausgelegt sein, daß sie in vier Betriebsarten
verwendet werden können. Die Betriebsarten unterscheiden sich einmal in der Richtung, in der Strom durch den
Hauptstrompfad des Bauelementes fließt, und zum anderen in der gewünschten Richtung, in der Strom in die Steuerelektrode
fließen soll, um es von einem Zustand hoher in einen Zustand niedriger Impedanz zu sohalten. Bei willkürlicher Kennzeichnung
des Bauelementes, wie es in Pig. 1B gezeigt ist, d.h. der Hauptstromelektroden mit 1 und 2 und einer Steuerelektrode
mit 3, lassen sich die vier möglichen Betriebsarten in einer Tabelle wie folgt darstellen.
909824/071$
Betriebsart V/o\ Ι/·*\ zur
In der Tabelle ist das Vorzeichen des Potentials V2 der Klemme
2 gegenüber der Klemme 1 als Bezugspunkt und das Vorzeichen des Steuerelektrodenstroms 13 angegeben, wobei das Vorzeichen
des Stromes positiv sein soll, wenn der Strom in die Steuerele trode 3 fließt.
Aus obiger Tabelle ergibt sich, daß die Bauelemente von Triggerimpulsen
beider Polaritäten in beiden Richtungen leitend gemacht werden können. ObßtyM- nicht jedes Bauelement in allen ■
vier Betriebsarten betrieben werden kann, können die Bauelemente jeweils so ausgelegt sein, daß sie in jeder gewünschten
Betriebsart betrieben werden können. Soll somit beispielsweise ein Bauelement in der zweiten und dritten Betriebsart
betrieben werden, dann kann durch Trigger impulse mit nur nega- ·
tiver Polarität entweder in der einen oder anderen Richtung Strom durch das Bauelement zum Fließen gebracht werden. Wird
auf der anderen Seite die erste und zweite Betriebsart gewünscht, dann haben die Triggerimpulse der Richtung der Leitfähigkeit
des Bauelementes entsprechende Polarität (wie durch die Vorzeichen in der Tabelle dargestellt).
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Ein Beispiel eines typischen steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichter
ist in Fig. 1A gezeigt. Eine in*s einzelne gehende
Beschreibung des Aufbaus dieses Bauelementes enthält die zugehörige deutsche Patentanmeldung G 42 293 VIIIc/21g.
Dieses Bauelement wurde so ausgelegt, daß es in den Betriebsarten 1 und 2 obiger Tabelle betrieben werden kann. Ist dementsprechend
der Anschluß 2 negativ in Bezug auf den Anschluß 1, dann läßt sich das Bauelement durch einen in die Steuerelektrode
3 fließenden Strom durchsteuern. Bei umgekehrter Polarität der Hauptanschlüsse 1 und 2 läßt sich das Bauelement
durch Stromentzug über die Steuerelektrode 3 durchsteuern. Andernfalls kann ein Strom vom Anschluß 2 zum
Anschluß 1 zum Fließen gebracht werden, indem ein positives Signal an den Anschluß 3 gelegt wird,und das Fließen eines
Stromes von Anschluß 1 nach Anschluß 2 kann durch Anlegen eines negativen Signals an Anschluß 3 bewirkt werden.
Das Bauelement von Fig. 1A ist ein mehrschichtiger Halbleiter mit eher inneren η-dotierten Schicht 11, die beidseitig von
p-dotierten Schichten 12 und 13 belegt ist. Eine n-leitende Zone 14 grenzt an einen äußeren TJ?il der p-dotierten Schicht
13, und eine η-dotierte Zone 20 grenzt an einen äußeren Teil der p-dotierten Schicht 12. Die η-dotierte Zone 20 grenzt
nur an einen Teil der p-dotierten Schicht 12, so daß ein Zwischenraum zwischen der η-dotierten Zone 20 und den Rändern
des Bauelementes bleibt, in dem die p-dotierte Schicht 12 zu beiden Seiten der p-dotierten Zone 20 die Oberfläche
des B<fcuelementes bildet. Für die elektrischen Anschlüsse
ist der Hauptstrompfad des Bauelementes mit niederohmigen
Kontaktierungen 15 und 16 zu beiden Seiten des B uelementes versehen, die den größeren Teil der Oberflächen brooken. Die
Elektrode 15 kontaktiert die äußere η-dotierte Zone 20 und
den äußeren Teil der zunächst liegenden p-dotierten S&icht 12,
wodurch der p-n-Übergang zwischen diesen beiden Zonen kurzgeschlossen wi d. Die Elektrode 16 reicht über die äußere n-dotier-
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te Schicht H und den äußeren Teil der p-dotierten Schicht
13, wodurch sie den p-n-Übergang zwischen diesen beiden
Schichten kurzschließt. Wie in Fig. 1A gezoigttLst, bilden
die Elektroden 16 und 15 jeweils die Anschlüsse 2 und 1 des Bauelementes.
Es kann von Nutzen sein, darauf hinzuweisen, daß das soweit beschriebene Bauelement einen Fünfsfoichthalbleiter
mit kurzgeschlossenen Emittern darstellt und im wesentlichen mit der Fünfschicht-Zweiweggleichrichter-Diode identisch
ist, die in der deutschen Patentschrift 1 154 872 beschrieben ist. Dieses letztere Bauelement ist in Fig. 2
gezeigt und unten beschrieben.
Zur Steuerung der Leitfähigkeit zwischen den Anschlüssen 1 und 2 des Bauelementes von Fig. 1A sind zwei Steuerverbindungen
vorgesehen. Einmal ist eine η-dotierte Zone 17 auf einem äußeren Teil der p-dotierten Schicht 12 in der
Nähe der Elektrode 15 angeordnet. Auf dieser Steuerzone
ist ein niederohmiger Kontakt 18 angebracht, an den die Steuerelektrode 3 angeschlossen ist. Ein weiterer Kontakt
ist auf der p-dotierten Schicht 12 an einer Stelle angebracht, die von dem Übergang zwischen den Schichten 17 und
12 elektrisch isoliert ist. Dieser zweite Kontakt wird durch die Elektrode 19 gebildet, die ebenfalls mit der
Steuerelektrode 3 verbunden ist. Zum Verständnis der /r^/inzipiellen
Wirkungsweise des steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichters nach Fig. 1A stelle man sich vor,daß
das Bauelement aus zwei Teilen gefertigt ist: der eine Teil enthält die Elektroden 15 und 19, die n-dotierte
Schicht 20, die p-dotierte Schicht 12, die n-dotierte Schicht 11, die p-dotierte Schicht 13 und die Elektrode
16; und der andere TML enthält die "Elektroden 15 und 18
909824/071S
die η-dotierte Schicht 17, die p-dotierte Schicht 12, die
η-dotierte Schicht 11, die p-dotierte Schicht 13» die n-dotierte
Schicht 14 und die Elektrode 16. Durch diese hypothetische Teilung des Bauelementes kann der erste Teil als
ein herkömmlicher steuerbarer SiliziiAmgleichrichter angesehen werden, dessen Wirkungsweise aaalog zu einem solchen
Bauelement ist. Der zweite Teil stellt einen steuerbaren Siliziumgleichrichter mit abseits angeordneter Steuereüärfcrode
dar, und seine Wirkungsweise kann mit der eines solchen Bauelementes verglichen werden. Der Aufbau und die Wirkungsweise
steuerbarer Siliziumgleichrichter wird in den zahlreichen Veröffentlichungen einschließlich dem Control Rectifier
Manual der General Electric Company, 2. Ausgabe, Copyright 1961, by General Electric Company ausführlich
beschrieben. Der Aufbau und die Wirkungsweise steuerbarer Siliziumgleichrichter mit abseits angeordneter Steuerelektrode
werden idjäer deutsehen Patentanmeldung G 42 082 VIIIc/
21g ausführlich beschrieben und dargestellt.
Die Wirkungsweise des Bauelementes sei kur>z anhand der in
Mg. 1C dargestellten Kennlinie beschrieben. In dieser
Kennlinie ist der in Richtung von dem Anschluß 2 nach dem Anschluß 1 durch das Bauelement fließende Strom über dem
ee— -oee Potential des Anschlusses 2 gegenüber dem Anschluß 1 aufgetragen.
B-fi positivem Potential des Anschlusses 2 gegenüber dem
Anschluß 1 suchen die zwei äußeren Schichten des Bauelementes 1A leitend zu werden, da der p-n-Übergang zwischen den
Schichten 13 und 11 und der p-n-Übergang zwischen den Schichten 12 und 20 in Durchlaßrichtung vorgespannt sind. Anderer-
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seits sucht der mittlere n-p-Übergang zwischen den Schichten 11 und 12 den Strom durch das Bauelement zu sperren.
Diese Sperrwirkung kann entweder dadurch beseitigt werden, daß die Spannung an dem Übergang solange erhöht wird, bis
ein Durchbruch erfolgt, oder dadurch, daß ein entsprechend hoher Strom über die Steuerelektrode 3 und die Elektrode
19 injiziert wird, bis eine Änderung in der Verteilung
der Ladungsträger in der Schicht eintritt. Während des Betriebes ist letzteres der Pall. Ohne im einzelnen auf die
Verteilung und Rekombination der Elektronen und Löcher in dem Bauelement einzugehen, kann gesagt werden, daß bei entsprechender
Zuführung eines Steuerelektrodenstromidie Raumladung
in dem sperrenden n-p-Übergang zwischen den Schichten 11 und 12 in kürzester Zeit zusammenbricht und damit
das Bauelement in Richtung von dem Anschluß 2 zum Anschluß
I leitend wird.
Dieses Verhalten ist in dem ersten Quadranten der Kennlinien-, darstellung von Pig. 1C veranschaulicht. Ist also das Potential
des Anschlusses 2 positiv, dann tritt solange keine wesentliche Erhöhung des Stromes ein, bis im Punkt B die sogenannte
"Durchbruchsfannung" und der sogenannte "Durchbruch- ·
strom" erreicht werden und eine lawinenartige Vervielfältigung einsetzt. Jenseits dieses Punktes steigt der Strom solange
an, bis der mittlere Übergang zwischen den Schichten
II und 12 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. In diesem
Augenblick wird das Bauelement sehr git ßQJi.tend. Um den
Steuerstrom, der über die Steuerelektrode 3 zugeführt wird, zu erhöhen, wird der Abstand zwischen der Durchbruchspannung
und der "Brennspannung" verringert, da die Durchbruchspannung kleiner wird.
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Bei positivem Potential des Anschlusses 1 gegenüber dem Potential des Anschlusses 2 ist die Wirkungsweise des Bauelementes
von Fig. 1A etwas anders, aber wiederum läßt sich eine hohe Leitfähigkeit durch einen der Steuerelektrode zugeführten
Steuerimpuls erzielen. Bei dieser Polarität der Anschlüsse 1 und 2 werden die p-n-Übergänge zwischen den
Schichten 12 und 11 und zwischen den Schichten 13 und 14 leitend. Dagegen sucht der n-p-Übergang zwischen den Schichten
11 und 1,3 den Strom durch das Bauelement zu sperren. Auch jetzt kann zur Überwindung dieser Sperrwirkung entweder
die Spannung an dem Übergang so weit erhöht werden, bis ein Durchbruch erzwungen wird, oder durch die Steuerelektrode
3 Strom entzogen werden, um den Ladungszustand des Übergangs
zu ändern.
Der Verlauf der Kennlinie im dritten Quadranten der graphischen Darstellung von Pig. 1G veranschaulicht die Wirkungsweise
unter den zuletzt genannten Bedingungen. Man erkennt, daß eine Erhöhung der Spannung zwischen den Anschlüssen 2
und 1 nur geringen Einfluß auf die Erhöhung des Stromes hat, bis im Punkt A die Durchbruchspannung erreicht wird. Danach
steigt der Strom steil an, und Löcher und Elektronen rekombinieren in den verschiedenen Schichten des Bauelementes,
wobei das Bauelement völlig leitend wird. Die obige kurze Beschreibung zeigt, daß der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter
von Fig. 1A in zwei Richtungen durchgesteuert werden kann, wobei die Steuerung durch Triggerimpulse entsprechender
Polarität über die Steuerelektrode 3 den Pfad niedriger Impedanz zwischen den Anschlüssen 1 und 2 bewirkt.
Eine etwas ausführlichere Erklärung der Wirkungsweise eines solchen Bauelementes ist der oben erwähnten deutschen Patentanmeldung
G 42 293 VIIIc/21g zu entnehmen.
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Leiatungsateuerschaltungen
Die vorstehende Beschreibung der Wirkungsweise steuerbarer Einkristall-Zweiweggleichrichter möge im Hintergrund bei
der Beurteilung der Schaltung^stehen, die jetzt beschrieben
werden. In jeder der Figuren 2-11 ist ein einziger steuerbarer Einkristall-Zweiweggleichrichter in Verbindung mit
Blindwiderständen zur Steuerung des Wechselstroms einer Last verwendet.
2*
Pig. 2 stellt eine Zweifacha-Resoti-Schaltung dar, mit
der einer Last 32 eine Spannung höherer Amplitude und Frequenz
zugeführt werden kann als sie die Spannungsquelle aufweist.
Die Last 32 liegt mit einer Induktivität 33 in Reihe an einer Wechselstromquelle 31· Ein Kondensator 34 ist der
Last 32 parallel geschaltet und bildet zusammen mit der Induktivität 33 einen ersten Resonanzkreis, dessen Resonanzfrequenz
höher ist als die Frequenz der Wechselstromquelle. Eine weitere Induktivität 35 ist in Reihe mit einem steuerbaren
Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 ebenfalls parallel zur Last 32 geschaltet. Der Resonanzkreis aus der Induktivität
35 und dem Kondensator 34 ist wiederum auf eine höhere Frequenz abgestimmt als der Resonanzkreis aus der Induktivität
33 und dem Kondensator 34.
Wie die beschriebene Schaltung eine Spannung mit höherer Amplitude
und Frequenz an der Last 32 erzeugt als sie die Wechselstromquelle 31 aufweist, wird verständlich, wenn man zunächst
annimmt, daß die Reihenresonanzfrequenz der Induktivität 33 und des Kondensators 34 um soviel größer ist als die
Frequenz der Wechselstromquelle 31, daß letztere während einer Halbwelle praktisch als Gleichstromquelle angesehen werden
kann. Unter dieser Voraussetzung sei weiter/" angenommen, daß
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an der oberen Klemme der Wechselstromquelle 31 eine positive
Spannung von +E anstellt. Unter diesen Voraussetzungen wird der Kondensator 34 in Reine mit der Induktivität 33
solange aufgeladen bis die obere Platte des Kondensators auf die Spannung +E aufgeladen ist. In diesem Augenblick
kann die Spannungsquelle 31 keinen Strom mehr abgeben. ·Ββτ
1 lnduktivität , sorgt e dafür, daß der Stromleiterfließt und der
Kondensator 34 sich weiter auflädt, bis er auf ungefähr +2E aufgeladen ist.
Wenn die Reihenschaltung aus Kondensator 34, Induktivität
35 und Halbleiter 30 gesperrt ist, während der Kondensator 34 geladen ist, bietet sich dem Kondensator 34 eine
Entladungsstrecke mit verhältnismäßig kurzer Zeitkonstante dadurch, daß der Halbleiter 30 in diesem Augenblick durchgesteuert
wird. Es findet eine schnelle Entladung statt, bis sich die Polarität der Hauptanschlüsse 1 und 2 d*es
Halbleiters 30 umkehrt, so daß dieeer wieder gesperrt wird. Normalerweise entlädt sich der Kondensator 34 dabei über
die Induktivität 35 und den Halbleiter 30 völlig. Infolge der Induktivität 35 fließt aber der Strom solange weiter,
daß sich die obere Platte des Kondensators 34 auf eine Spannung von ungefähr -2E umgeladen hat. Der Halbleiter
30 sperrt dann und die obere Platte des Kondensators 34 bleibt auf -2E Volt geladen. Da angenommen wurde, daß die
Spannungsquelle 31 eine Klemmenspannung von +E aufweist,
lädt sich der Kondensator 34 wieder um, diesmal aber auf eine Spannung von ungefähr +3E. Wenn der Kondensator 34
wieder geladen ist, wird der Halbleiter 30 durch einen Triggerimpuls wieder durchgesteuert, so daß sich der Kondensator
wieder kurzzeitig entladen bzw. umladen kann und sich der oben beschriebene Vorgang wiederholt.
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Zusammenfassend kann gesagt werden, daß die Induktivität 33 den Kondensator 34 nur langsam auflädt. Ist der Kondensator
34 aber einmal geladen, dann wird er durch die Induktivität 35 und den steuerbaren Halbleiter 30 verhältnismäßig
schnelle entladen. Dieses Verhältnis ermöglicht es, daß die Induktivität 35 und der Halbleiter 30 den gesamten
Entladestrom des Kondensators 34 steuern, ohne daß eine Beeinflussung durch die Parallelschaltung aus Stromquelle
31 und Induktivität 33 erfolgt. Nach Beendigung des Entladevorgangs wird der Kondensator 34 wieder durch die Stromquelle
über die Induktivität 33 aufgeladen, und es kann ein weiterer Zyklus erfolgen. Der Unterschied zwischen dem
ersten und dem nächsten Zyklus besteht darin, daß der Kondensator 34 mit jedem Zyklus auf eine höhere Spannung- aufgeladen
wird. Durch eine entsprechende Triggerung des Halbleiters 30 kann die Höhe der Spannung die der Last zugeführt
wird, gesteuert werden. Dabei ist die Ausgangsfrequenz wesentlich
größer als die Frequenz der Wechselstromquelle.
Bei dem soeben beschriebenen Wirkungsablauf war angenommen
worden, daß an der oberen Klemme der Wechselstromquelle 31 eine positive Gleichspannung anstand. Bei entsprechender
Wahl der Resonanzfrequenzen kann anstelle des Vorausgesetz-' ten Gleichstroms Wechselstrom verwendet werden. Um jedoch
eine solche Wirkungsweise zu ermöglichen, ist es wesentlich, daß der steuerbare Halbleiter 30 ein Einkristall-Zweiweggleichrichter
ist. Nur mit einem steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 ist der gleiche Wirkungsablauf möglich,
wenn an der oberen Klemme der Wechselstromquelle 31 die negative Halbwelle des Wechselstroms ansteht.
Die Triggerschaltung 36 für den Halbleiter 30 ist in Fig.2
durch einen Block dargestellt. Die spezielle Ausführung der Triggerimpulsschaltung 36 für den Halbleiter 30 ist für die
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Erfindung ohne Bedeutung. Die Triggerimpulse sind der
jeweiligen Betriebsart, für die der Halbleiter 30 ausgelegt wurde, angepaßt. Die Prequenz der Triggerimpulse
oder -signale ist ebenfalls kein kritischer Punkt. Die Impulsfolgefrequenz kann in dem Bereich von Werten etwas
unterhalb der Resonanzfrequenz der Bauelemente 53 und 34 bis zu Werten etwas unterhalb der Resonanzfrequenz der
Bauelemente 34 und 35 liegen. Der spezielle Wert der Betriebsspannung
der in Pig. 2 gezeigten Leuchtstoffröhren oder iUecksilberdampflampen ist an sich bekannt. Wie
schon gesagt, verlangen diese lampen oftmals höhere Betriebsspannungen als sie aus dem Eetz entnommen werden
können, und sie haben auch einen höheren Wirkungsgrad, wenn sie mit höheren Frequenzen betrieben werden, als sie die
gebräuchlichen Stromversorgungsnetze aufweisen. Bei einigen Bogenentladung sgerät en, wie diesen Lampen, reicht die
negative Widerstands-Charakteristik bis zu sehr großen Stromstärken, so daß es zweckmäßig erscheint, die Höhe
des Stroms zu begrenzen, um das Betriebsverhalten zu stabilisieren.
Pig. 3 stellt eine Ausführung der Erfindung dar, der prinzipiell die gleiche Wirkungsweise zugrundeliegt, wie der
Schaltung nach Pig. 2, nur daß sie zusätzlich eine Induktivität 37 enthält, die mit der Last 32 in Reihe geschaltet
ist. Diese Induktivität ist kein Teil eines Schwingkreises, wie er oben beschrieben wurde, sondern dient zur
Begrenzung des Stroms durch die Last 32 während der Perioden höherer Leitfähigkeit der Last 32. Sie verhindert ebenfalls,
daß die Last 32 direkt aus der Stromquelle 31 Strom zieht.
Pig. 4 stellt ebenfalls eine Ausführung zur Lösung des Problems der Stromversorgung von Geräten mit negativer Widerstands-Charakteristik
bis zu höchsten Stromstärken dar. Hier ist
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der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 direkt parallel zur Last 32 geschaltet und der zweite Resonanzkreis
entsteht dadurch, daß eine Induktivität 38 in den Haupt8trompfad zwischen die Wechselstromquelle 31 und
die Last 32 geschaltet iet. Da die Induktivität 38 zwischen die Last und die Stromversorgungsquelle geschaltet
ist, hat sie eine ähnliche Wirkung, wie die Induktivität 37 in der Schaltung nach lig. 3* Zusammen mit dem Kondensator
34 bildet sie jedoch ebenfalls den zweiten Resonanzkreis,
der es ermöglicht, höhere Ausgangsspannungen mit höheren Frequenzen zu schaffen. In dieser Schaltung wird
der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 ebenso wie in den obigen durch eine Triggersohalung 36 getriggert,
um durch die Steuerung des Wertes, auf den sich der Kondensator 34 auflädt, gleichzeitig den Strom zu steuern, der
der Last 32 zugeführt wird.
Die Schaltung nach Pig. 5 ist den oben beschriebenen Schaltungen
in vieler Hinsicht ähnlich, nur daß sie eine Induktivität 39 mit Mittelabgriff enthält, um dadurch zu verhindern,
daß ein Laststrom fließt, während der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter
30 leitend ist. Diese Induktivität ersetzt die Induktivität 38 in fig. 4 und der Halbleiter
30 ist durch den Abgriff, einen Mittelabgriff^ über
die eine Hälfte der Induktivität 39 mit dei^IWchluß der
Last 32 verbunden. Wenn sich der Kondensator 34 während einer
positiven Halbwelle über den Zweig entladt, der den linken feil der Induktivität 39 und den steuerbaren Halbleiter 30.
enthält, wird in der rechten Wioklungehälfte eine Spannung
induziert, die dem Strom während des ersten T^iIs des Entladevorgangs
entgegengerichtet ist. Demgemäß wird während des leitenden Zustandes des steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichters
30 der Last 32 kein Strom zugeführt. Man erkennt, daß auch während der negativen Halbwelle ein ähnlicher
Vorgang abläuft.
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Pig. 6 lehrt ebenfalls die Verwendung einer angezapften Induktivität. Hier liegt die gesamte Induktivität 40 in
Reihe mit dem steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 und der Last 32, während der Kondensator 34 mit dem
Abgriff der Induktivität 40 verbunden ist. Mit dieser Schaltung wird der last während des leitenden Zustandes des Halbleiters
30 ein höherer Spannungsimpuls zugeführt. Diese Ausführung ist besonders zweckmäßig zur zwangsweisen Einleitung
des Ionisationsvorganges in einer Lampe nach jeder Umkehr der Polarität oder zur Zündung kalter Lampen. Die
Wirkungsweise der Schaltung wird klar, wenn man berücksichtigt, daß im leitenden Zustand des Halbleiters 30 die in
der oberen Hälfte der Induktivität 40 induzierte Spannung so gerichtet ist, daß sie die Stromzuführung über den Mittelabgriff
vom K&hdensator 34 unterstützt.
Die in den Fig. 7, 8 und 9 gezeigten Schaltungen unterscheiden sich von den oben beschriebenen Schaltungen dadurch,
daß der steuerbare Einkristall-Zweiwegg-eichrichter
30 mit der Last in Reihe und nicht parallel dazu geschaltet ist. Dementsprechend liegt in Pig. 7 ein Resonanzkreis aus
einer Induktivität 41, einem Halbleiter 30 und einem Kondensator 42 direkt an der Wechselstromversorgungsquelle 31.
Die Last 32 ist in Reihe mit einer Induktivität 43 dem Kondensator
42 parallel geschaltet. Diese Schaltung läßt sich besonders vorteilhaft für die Stromversorgung von Lasten
verwenden, deren Strom nach Überschreiten einer Zündspannung, z.B. bei der Ionisation einer Lampe, stark ansteigt, während
die Spannung auf einen niedrigen Wert abfällt.
In der Schaltung von Pig. 7 steuert der Einkristall-Zweiweggleichrichter
30 im wesentlichen den Lädevorgang des Kondensators 42 und nicht den Entladevorgang, wie in den oben be-
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schriebenen Schaltungen. Die Bauelemente 41 und 42 sind dabei auf eine höhere Resonanzfrequenz abgestimmt als die
Bauelemente 42 und 43, da zur Kommutierung des Halbleiters · 30 vom leitenden in den gesperrten Zustand eine gewisse Zeit
erforderlich ist. Mit anderen Worten, die Induktivität 43 muß entsprechend groß sein, um diesen Kommutierungsvorgang
zu gewährleisten.
Die Schaltungen der Figuren 7»8 und 9 können auf eine weitere
Art betrieben werden. Dabei sind die Induktivität 41 und die Spannung der StromversorgungBquelle 31 so groß, daß
eine normale Stromversorgung der Last 32 möglich ist, wobei
das Bauelement 30 ständig leitend ist. Die' Größe des Stroms, der der Last zugeführt wird, läßt sich dann dadurch steuern,
daß der Halbleiter 30 zu jeweils verschieben Phasenwinkeln jeder Halbwelle der Stromvereorgungsspannung durchgesteuert,
wird, so daß eine Anschnittsteuerung des Laststroms erfolgt. Die Induktivität 41 und der Kondensator 42 erzeugen derartige
Resonanzschwingungen, daß die Sppnnung des Kondensators
42 im leitenden Zustand des Halbleiters 30 auf das doppelte der Versorgungsspannung anzusteigen sucht und so den Strom
durch die Last 32 erhöht. Im Falle einer Gasentladungsröhre ale Last 32, z.B. einer Quecksilberdampflampe, liegt anfangs
eine sehr hohe Impedanz vor, die zur Zündung eine sehr viel höhere Spannung als normal erfordert. Bei Verwendung ein^s
Halbleiters 30, der während jeder Halbwelle gezündet wird, steigt die Spannung des Kondensators 42 und damit auch der
Last 32 in jeder Halbwolle bis die Last leitend wird oder bis die Durehbruchspannung des Halbleiters erreicht wird
und dadurch ein weiteres Ansteigen der Spannung verhindert wird.Die Schaltung nach Hg, 8 kann ala Analogon zu der
Schaltung nach Pig. 5 angesehen werden. Der Unterschied besteht darin, daß jetzt der steuerbare Halbleiter 30 in Reihe
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mit der Last 32 und den Induktivitäten 41 und 44 an der Stromversorgungsquelle
31 liegt. Dementsprechend steuert der Halbleiter direkt den Ladevorgang des Kondensators 42. Der Laststrom
wird durch die Spannung bestimmt, auf die sich der Kondensator 42 ursprünglich aufladen könnte. Ferner lädt sich
der Kondensator 42 nicht weiter auf (d.h. nicht höher als auf +2E, wie in obigem Beispiel), da der Maximalwert, auf
den sich der Kondensator 42 in dieser Schaltungsanordnung auflädt, ungefähr doppelt so hoch wie die Versorgungsspannung
ist. Es ist einzusehen, daß mit Hilfe der Induktivität 44
mit Mittelabgriff nach Pig. 8 die K"Smmutierung des Halbleiters
30 etwas einfacher ist und eine Lampe als Last während des leitenden Zustande gelöscht wird.
Durch Hinzufügen eines weiteren Kondensators zu der in Fig. gezeigten Schaltung und Umpolung der Anschlüsse der Induktivität
mit Abgriff ist es möglich, Hochspannungsimpulse zu
erzeugen, um den anfänglichen Ionisationsvorgang einer Lampe als Last zu zünden. Pig. 9 stellt eine solche Sohaltung
dar. Ein Kondensator 46 iet zwischen den Verbindungspunkt der Induktivität 41 mit dem Halbleiter 30 und den.
gegenüberliegenden Anschluß der Stromversorgungsquelle 31
geschaltet. Der Halbleiter 30 ist mit dem Abgriff einer Induktivität 45 verbunden, und der Kondensator 47 ist in Heine
mit der gesamten Induktivität 45 der Last 32 parallel geschaltet. In dem Augenblick, während dem der Halbleiter 30
durchgesteuert wird, liegt die Spannungsdifferenz der Kondensatoren 46 und 47 an der unteren Hälfte der Induktivität
45, die dann durch Selbstinduktion eine höhere Spannung erzeugt und der Last 32 zuführt. In einer Schaltung dieser
Art würde die Kapazität des Kondensators 46 kleiner sein als die Kapazität des Kondensators 47.
Zwei weitere Schaltungen zur Steuerung des Yerdunkelungeqder
Abblendvorgangs von Lampen als Lasten aind in den Pig.
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10 und 11 gezeigt. In diesen Schaltungen erfolgt die
Steuerung der Leistung, die an die Lampen abgegeben wird, mit Hilfe eines steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichters
30 zusammen mit einem Widerstandstransformator. In Mg.
ist ein steuerbarer Einkristall-Zweiweggleichter 30 in
Reihe mit der Sekundärwicklung 48 eines Widerstandstransformators
50 und einer Lampe 52 geschaltet. Die Primärwicklung 49 des Widerstandstransformators 50 liegt direkt
an der Stromversorgungsquelle 31. In dieser Anordnung sorgt der Verlustwiderstand zwischen der Primär«1 und der
Sekundärwicklung für eine Strombegrenzung. Während des normalen Betriebs wird die Primärwicklung ständig erregt;
die Lampe wird jedoch nur dann mit Strom versorgt, wenn der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 durchgesteuert
ist. In diesem Augenblick wird der Lampe 52 direkt Wechselstrom vom Netz 31 zugeführt, dies auch aufgrund
der induktiven Kopplung zwischen der Primärwicklung 49 und der Sekundärwicklung 48.
Pig. 11 zeigt eine Schaltung zur Steuerung des Abblendvorgange
einer Gasentladungslampe mit einem Konstantstrom-Widerestandstransformator
50, wobei der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter
die Lampe während eines Abschnitts einer jeden Halbwelle entsprechend eiier Anschnittsteuerung kurzschließt.
In dieser Schaltung liegt die Primärwicklung 49 wieder direkt am Netz, und die Sekundärwicklung 48 liegt
mit dem Kondensator 51 und der Lampe 52 in Reihe am Netz
31. Wie ferner aus iig. 11 ersichtlich, liegt der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichrichter 30 parallel zu der
Lampe 52, so daß während seines leitenden Zustande die Lampe kurzgeschlossen wird.
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Claims (11)
1. Stromversorgungssteuerschaltung zur Versorgung einer last,
insbesondere einer Last mit negativer Widerstands-öharakteristik,
mit Wechselstrom aus einer Wechselstromquelle, wobei
uie Lastspannung eine höhere Frequenz und Amplitude haben soll
als die Spannung der Wechselstromquelle, dad u r c h
gekennzeichnet , daß zwischen Last (32) und Wechselstromquelle (31) zwei Schwingkreise mit unterschiedlicher,
aber höherer Resonanzfrequenz als die Frequenz der Wechselstromquelle (31) geschaltet sind, und daß sie einen
von einer !Triggerschaltung (36) zur Steuerung der Umladevorgänge
in den Resonanzkreisen getriggerten steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichter (30) (Fig. 1) enthält.
2. Schaltung nach Anspruch 1t dadurch gekennzeichnet
, daß der eine Schwingkreis der zwei Schwingkreise aus einer Induktivität (33) und einem Kondensator (34)
in Reihe an der Wechselstromquelle (31) liegen, daß parallel zu dem Kondensator (34) die Reihenschaltung aus einer Induktivität
(35) und dem steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichter (30) geschaltet ist, daß die Induktivität (35) mit dem Kondensator
(34) den zweiten der der zwei Schwingkreise bildet, und daß die Last (32) ebenfalls parallel zu dem Kondensator (34)
geschaltet iet (Fig. 2).
3· Schaltung nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß zusätzlich eine Strombegrenzung induktivität (37) mit der Laet (32) in Reihe gesohaltet ist (Fig.3)
4. Schaltung nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet
, daß die Last (32) direkt parallel zu dem steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichriohter (30) geschaltet
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ist, so daß eine Schwingkreisinduktivität (38) gleichzeitig als Strombegrezungsindüktivität vor die Last (32) geschaltet
ist (Fig. 4).
5. Schaltung nach iinem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Induktivität (39) mit Mittelabgriff enthält, deren
eines Ende mit dem Verbindungspunkt von Induktivität (33) und Kondensator (34) verbunden ist, deren anderes Ende an die Last
(32) angeschlossen sit und deren M^ttelabgriff mit dem steuerbaren
Einkristall-Zweiweg^eichrichter (30) verbunden ist. (Pig.5)
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet
, daß der Mittelabgriff und der Kondeneatoranschluß der Induktivität 38 vertauscht sind (Pig. 6).
7. Schaltung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Induktivität
(41) mit dem steuerbaren Einkristall-Zweiweggleich- v
richter (32), einer'Induktivität (43) und der Last (32) in der
aufgezählten ReiheniöLge in Reihe an der Wechselstromquelle (1) liegen und ein Kondensator (42) die Induktivität (43) und die
Last (32) überbrückt (Pig. 7).
8. Schaltung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität
(41), der steuerbare Einkristall-Zweiwegfcleiehrichter
(30), eine Induktivität (44) mit Mittelabgriff und die Last
(32) in der aufgezählten Reihenfolge in Reihe an der Wechselstromquelle
(31) liegen und der Kondensator (42) die der Last (32) zunächstliegende Hälfte der Induktivität (44) und die .
Last (32) überbrückt (Pig. 8).
9. Schaltung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Rei-
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hensehaltung aus der Induktivität (4-1) und einem Kondensator
(46) an der Wechselstromquelle (31) liegt, daß der steuerbare Einkristall-Zweiweggleichriohter (30) zwischen dem Mittelabgriff
einer Induktivität (45) und den Verbindungspunkt von Induktivität (41) und Kondensator (46) geschaltet ist, während
ein Kondensator (47), die Induktivität (45) und die Last (32) in der genannten Heihenfolge einen geschlossenen Kreis bilden,
und daß die Wechselstromquelle (31), der Kondensator (46), der Kondensator (47) und die Last (32) jeweils mit einem Anschluß
zusammengeschaltet sind (?ig. 9).
10. Schaltung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Abblendsteuerung einer Gasentladungslampe (52) neben den steuerbaren
Einkristall-Zweiweggleichrichter (30) einen Widerstandstransformator (50) mit einer Primärwicklung (49) und einer
Sekundärwicklung (48) enthält, daß die Primärwicklung (49) direkt an der Wechselstromquelle (31) liegt und der steuerbare
Einkristall-Zweiweggleichrichter (30) mit der Sekundärwicklung (48) und der Last (52) in Reihe geschaltet ist (fig. 10).
11. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß anstelle des steuerbaren Einkristall-Zweiweggleichrichters
(30) ein Kondensator (51) geschaltet ist, und der steuerbare Einkrintall-Zweiweggleiohrichter (30)
parallel zur Last (52) geschaltet ist.
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Family
ID=43920302
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---|---|---|---|
DE1965G0042773 Pending DE1513858A1 (de) | 1964-02-07 | 1965-02-06 | Stromversorgungssteuerschaltungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3310687A (de) |
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