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DE1464395A1 - Feldeffekt-Transistor - Google Patents

Feldeffekt-Transistor

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Publication number
DE1464395A1
DE1464395A1 DE19631464395 DE1464395A DE1464395A1 DE 1464395 A1 DE1464395 A1 DE 1464395A1 DE 19631464395 DE19631464395 DE 19631464395 DE 1464395 A DE1464395 A DE 1464395A DE 1464395 A1 DE1464395 A1 DE 1464395A1
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DE
Germany
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channel
source
field effect
effect transistor
drain
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Application number
DE19631464395
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English (en)
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DE1464395B2 (de
DE1464395C3 (de
Inventor
Hofstein Steven Robert
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RCA Corp
Original Assignee
Telefonbau und Normalzeit GmbH
RCA Corp
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Publication date
Priority claimed from US245086A external-priority patent/US3296508A/en
Application filed by Telefonbau und Normalzeit GmbH, RCA Corp filed Critical Telefonbau und Normalzeit GmbH
Publication of DE1464395A1 publication Critical patent/DE1464395A1/de
Publication of DE1464395B2 publication Critical patent/DE1464395B2/de
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Description

lng. En«! Sommerfeld Dr. Diefer ν. Dezold
RCA 49,358
US-Serial No. 2^5,086
Piled: Dezember 17, 1962
r
ι
Radio Corporation of America, New York N.Y., V.St.A.
Feldeffekt-Transistor.
Die vorliegende Erfindung betrifft einen neuartigen Feldeffekt-Transistor oder Unipolar-Transistor. Die Erfindung betrifft insbesondere einen verbesserten Planar-Feldeffekt-Transistor, der sich besonders für einen Betrieb bei hohen Frequenzen eignet.
Als Feldeffekt-Transistor wird hier eine Halbleiter einrichtung bezeichnet, die einen Kanal aus einem Halbleitermaterial niedrigen spezifischen \iiderstandes enthält, an vjelchem zwei beabstandete elektrische Kontakte angebracht sind. Die Kontakte werden als Quelle und Senke oder Abfluß bezeichnet. Ein Feldeffekt-Transistor enthält außerdem eine latter- oder Steuerelektrode neben dem Kanal, die von <-Ueser;i elektrisch getrennt ist. \ enn zwischen die Quelle und den Abfluß eine Spannung gelegt wird, fließen durch den Κοηά.1 Majoritaosladungstru^ei1 von der Quelle zum Abfluß.
bad
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DIe Größe des Trägerstromes kann durch Veränderung der Spannung zwischen quelle und Abfluß und/oder durch Anlegen einer Modulationssparmung an die Steuerelektrode moduliert werden.
Durch die Erfindung soll ein verbesserter Feldeffekt-Transistor vom Planar-Typ angegeben v/erden, dessen durch die Herstellungstechnologie bestimmte Kanallänge sehr gering ist und der verbesserte Hoehfrequenzeigenschaften aufweist. Allgemein gesprochen, enthält ein Feldeffekt-Transistor gemäß der Erfindung einen Körper aus Halbleitermaterial, in dem ein Kanal gebildet ist, an dessen eines Ende eine Quelle und an dessen anderes Ende eine Senke angeschlossen sind und bei dem eine kontinuierliche Steuerelektrodenanordnung angeordnet ist, deren eines Ende näher an der Quelle ist als das andere Ende am Abfluß. Als Quelle wird hier diejenige Elektrode bezeichnet, von der aus Majoritätsladungsträger in den Kanal strömen.
Indem man die Steuerelektrode in der angegebenen V.;eise versetzt, werden die Kapazität zwischen dem Abfluß und der Steuerelektrode und damit die Kopplung zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Einrichtung verringert, ohne daß die Kanal- oder Steuerelektrodenlänge geändert wird. Durch die Verringerung der Kopplung zwischen Eingangs- und Ausgangskreis wird die Stabilität von Analogkreisen erhöht, in denen die Einrichtung verwendet wird. In Schaltkreisen bringt die verringerte Kopplung eine Erhöhung der Ansprech-
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H64395
geschwindigkeit mit sich. Dies wird jedoch mit einer höheren Kapazität zwischen Quelle und Steuerelektrode erkauft, was jedoch einen relativ kleinen Einfluß auf die Arbeitseigenschaften der Einrichtungen hat und durch geeignete Wahl der zugeordneten Schaltungskomponenten kompensiert bzw. herausgestimmt v/erden kann. Bei einem Feldeffekt-Transistor erscheint im Betrieb ein Teil des Kanals effektiv als Widerstand zwischen der Quelle und demjenigen Bereich des ^ Kanals, der beim Anlegen einer Steuerspannung gesteuert viird. Ein anderer Teil des Kanals wirkt als Widerstand zwischen der Senke und dem gesteuerten Teil des Kanals, wenn eine Steuerspannung angelegt wird. Wenn man die Steuerelektrode in der beschriebenen Weise zur Quelle versetzt, wird der Widerstand zwischen der Quelle und dem gesteuerten Bereich des Kanals verringert, wohingegen der Widerstand zwischen dem Abfluß und dem gesteuerten Bereich des Kanals zunimmt.
Durch die Verringerung des Widerstandes zwischen ( der Quelle und dem gesteuerten Bereich wächst die Transconductanz der Einrichtung, da dieser Widerstand dem Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsam ist und gegenkoppelnd wirkt. Der verringerte Widerstand zwischen der Quelle und dem gesteuerten Bereich verringert außerdem die Zeitkonstante des Eingangskreises, so daß die obere Prequenzgrenze des Betriebsbereiches der Einrichtung erhöht wird. Es ist
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darauf hinzuweisen, daß die Erhöhung der Quellen-Steuerelektroden-Kapazität durch äußere Schaltungsmaßnahmen kompensiert v/erden kann. r
EinaEinrichtung gemäß der Erfindung kann mehr als eine einzige Steuerelektrode enthalten. In dieser Beschreibung werden alle Steuerelektroden zusammen behandelt und als Steuerelektrodenanordnung bezeichnet. Im Gegensatz zu
^ den bekannten Unipolar-Transistoren, die mehr als eine Steuerelektrode enthalten, ist die Steuerelektrode des erfindungsgemäßen Transistors kontinuierlich bezüglich eines Teiles der Kanallänge, so daß der Widerstand im Kanal zwischen der Quelle und der Steuerelektrode auf Kosten des Widerstandes zwischen dem Abfluß und der Steuerelektrodenanordnung auf einen minimalen V.'ert herabgesetzt wird.
Die Erfindung soll nun anhand von nicht einschränkend auszulegenden Ausführungsbeispielen in Verbindung mit
! der Zeichnung näher erläutert xverden; es zeigen:
Fig. 1 eine teilweise geschnittene Seitenansicht
Transistors einer ersten Ausführungsform eines Feldeffekt -/ gemäß der Erfindung, der eine Steuerelektrode vom Flächentyp im Inneren eines Halbleiterkörpers aufweist, außerdem ist das Schaltbild eines Vorspannungskreises eingezeichnet;
Fig. 2 ein Ersatzschaltbild des Feldeffekt-Transistors der Fig. 1;
Fig. 3 eine Schnittansicht eines zweiten Ausführungs-
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beispiels eines Feldeffekt-Transistors gemäß der Erfindung mit einer einzigen isolierten Steuerelektrode außerhalb einer Halbleiterunterlage, sowie ein Schaltbild eines Vorspannungskreises, und
Fig. k eine Schnittansicht einer dritten Ausführungsform eines Peldeffekt-Transistors gemäß der Erfindung mit zwei isolierten Steuerelektroden außerhalb einer Halbleiterunterlage, d
In den Zeichnungen sind entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Der in Pig. I dargestellte Transistor 11 enthält eine Basis 15 aus N-leitendem Halbleitermaterial mit verhältnismäßig geringem spezifischem Widerstand. Die Basis I^ ist eine Einkristallscheibe mit zwei gegenüberliegenden Hauptflächen 14, l6, sie kann aus einem Halbleiterwerkstoff bestehen, wie er zur Herstellung von Transistoren üblich ist. Die Basis IJ kann also beispielsweise ein N-leitender Germaniumeinkristall mit einem spezifischen Widerstand von etwa 1 Ohmzentimeter sein. Auf der Oberfläche 14 der Basis befinden sich zwei im Abstand angeordnete Metallkontakte 15, 17, die als Quelle bzw. Abfluß arbeiten.
Von der gegenüberliegenden Fläche 16 der Basis IJ reicht eine P-leitende Zone 19* die die Steuerelektrode der Einrichtung bildet, nach innen in Richtung zur Fläche 14. Die Grenze zwischen dem P-Bereich und dem N-Bereich IJ ist ein PN-Übergang 21, der in einem geringen Abstand von
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der Fläche l4 liegt und in einem nennenswerten Bereich parallel zu dieser verläuft. Der Zwischenraum zwischen dem PN-Übergang 21 und der Oberfläche 14 bildet im Bereich zwischen der Quelle 15 und dem Abfluß 17 den Kanal der Einrichtung. Die P-Zone 19 ist mit einem metallischen Steuerelektrodenanschluß 27) versehen.
Fig. 1 zeigt außerdem eine Schaltungsanordnung, die den Transistor als Verstärker zu betreiben gestattet. Die Schaltungsanordnung ist typisch für einen Verstärker in "Quellen-Schaltung". Die Schaltung enthält zwei Eingangsklemmen 29, durch die dem Steuerelektrodenanschluß 23 ein Eingangssignal zugeführt werden kann. Eine Eingangsklemme ist geerdet. Die andere Eingangsklemme ist zusammen mit einer Anordnung, durch die die Steuerelektrode in Sperrichtung bezüglich der Quelle und Senke vorgespannt wird, in Reihe an den Steuerelektrodenanschluß angeschlossen. Die Vorspannungsschaltung für die Steuerelektrode enthält einen P veränderlichen Steuerelektrodenvorspannungswiderstand J>0 und eine Batterie 3>1, die mit einem Ende an den Steuerelektrodenanschluß 23 und mit dem anderen Ende an Masse angeschlossen ist. Der Steuerelektrode I9 wird durch den Steuerelektrodenanschluß 23 eine negative Vorspannung zugeführt.
Die Schaltungsanordnung enthält außerdem zwei Ausgangsklemmen j53i an denen ein Ausgangs signal von der Einrichtung 11 abgenommen werden kann. Eine Ausgangsklemme
9098 10/04 7 3 bad
-τ-
ist an den Abfluß 17 und eine Schaltungsanordnung zur Vorspannung der Abflußelektrode 17 bezüglich Masse verbunden. Die Vorspannungsschaltung für den Abfluß umfaßt eine Batterie 35 > deren eine Klemme mit Masse und deren andere Klemme in Reihe mit einem veränderlichen Arbeitsviiderstand 37 an die Abflußelektrode 17 und die Ausgangsklemme 33 angeschlossen sind. Die Quelle 15 liegt an Masse und der Abfluß 17 ist positiv bezüglich der Quellenelektrode 15 vor- ™ gespannt.
Es ist ersichtlich, daß die Steuerelektrode, die durch den PN-Übergang 21 begrenzt ist, zur Quelle 15 hin versetzt ist, so daß sie einen beträchtlichen Teil der Quelle 15 überlappt, wohingegen praktisch keine Überlappung des Abflusses existiert. Zum Vergleich dieser versetzten Anordnung mit einer üblichen S^euerelelctrodenan-Ordnung ist eine solche in B1Ig. 1 gestrichelt eingezeichnet, woraus die übliche Lage der P-leitenden Steuerelektrode 19a, ä des PN-Überganges 21a und des Steuerelektrodenanschlusses 23a ersichtlich ist. Durch die Versetzung der Steuerelektrode von der gestrichelt gezeichneten Lage in die ausgezogen gezeichnete Lage läßt sich die Einrichtung bei beträchtlich höheren Frequenzen betreiben und zeigt eine bessere Stabilität im Betrieb als die bekannten Einrichtungen.
Die durch das Versetzen der Steuerelektrode 21 ersielte Verbesserung kann anhand des in Fig. 2 dargestellten Errjatzschfj] tbildes erläutert v/erden. Das Ersatzschalt-
ORfQ,NAL
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U6A395
bild des Unipolar-Transistors der Fig. 1 enthält eine Quellenkanazität C und einen Quellenwiderstand R in
sg se
Reihe zwischen der Steuerelektrode 19 und der Quelle 15* und eine AbflußkapaL'ität C , und einen Abflußwiderstand R,
dg dg
in Reihe zwischen der Steuerelektrode 19 und dem Abfluß 17· Das Ersatzschaltbild umfaßt außerdem eine verteilte Kapazität C _ zwischen der Steuerelektrode 19 und dem gesteuerten Teil des Kanales der Einrichtung. Das Ersatzschaltbild zeigt, daß zwischen Quelle 15 und Senke 17 drei Kiderstände in Reihe liegen. Der erste Widerstand R liegt zwischen der Quelle und dem gesteuerten Teil des Kanals, der zweite Widerstand R entspricht dem gesteuerten Teil des Kanals und der dritte Widerstand R, liegt zwischen dem gesteuerten Teil des Kanals und dem Abfluß 17.
Das Ersatzschaltbild berücksichtigt außerdem, daß der Steuerelektrode bzw. dem Gatter der Einrichtung drei Kapazitäten zugeordnet sind. Die erste Kapazität C ? liegt zwischen der Quelle und der Steuerelektrode, die zweite Kapazität C, zwischen dem Abfluß und der Steuerelektrode und die dritte, verteilte Kapazität C zwischen der Steu-
cg
erelektrode und dem Kanal. Da die zweite Kapazität C, einen wichtigen Teil der Eingangskapazität der Einrichtung darstellt, soll sie so klein wie möglich sein, dies gilt Jedodi auch für die anderen Kapazitäten. Durch das Versetzen der Steuerelektrode 19 in der in Fig. 1 dargestellten Weise
BAD ORIGINAL
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. wird CdD, verringert und die effektive Eingangskapazität wird dementsprechend um einen Betrag verkleinert, der eine Punktion des Betrages der Versetzung ist. Die Gesarnttransconductanz der Einrichtung wird verbessert, da der Widerstand R ein unüberbrüekter Gegenkopplungswiderstand ist, der sowohl im Eingangskreis als auch im Ausgangskreis liegt.
Eine Erhöhung von R, hat beim gewöhnlichen Betrieb
der Einrichtung nur einen geringen Einfluß, da R . norma- A
ierweise klein gegenüber dem gewohnlich in der Schaltung vorhandenen Arbeitswiderstand, z.B. dem Widerstand yj in Fig. 1 ist. Eine Erhöhung von C beeinflußt den gewöhnlichen Betrieb der Einrichtung ebenfalls wenig, vor allem da diese Kapazität auch durch eine geeignete Induktivität in der Betriebsschaltung kompensiert werden kann.
Die erfindungsgemäße Versetzung des Gatters in Richung; auf die quelle kann für einen oder mehrere der folgenden Zv.ecke dienen: 1. zur Verringerung der Kopplung zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Einrichtung: 2. zur Erhöhung der Betriebsfrequenz der Einrichtung und der ihr zugeordneten Schaltung und ^. zur Verbesserung der Transconductanz der Einrichtung.
Fig. 5 zeigt eine zweite Ausführungsform eines nach den Prinzipien der Erfindung gebauten Feldeffekttransistors, der ein isoliertes Gatter außerhalb der Basis oder unterlage der Einrichtung aufweist. Die Einrichtung 4l enthält eine Basis 4j5 aus einem Halbleitermaterial hohen spezifischen Widerstandes. Die Basis 4} kann sowohl monochristallin als
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auch polychristallin sein und aus einem der zur Herstellung von Transistoren in der Halbleitertechnik: üblichen Halbleiterwerkstoffe bestehen.
Die Basis 43 enthält einen reagierten Bereich, welcher eine Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes aus umgewandeltem Material des Körpers und einen Kanal 47' niedrigen spezifischen Widerstandes zwischen der Masse der Basis 43 und der Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes aus umgewandeltem Material des Körpers umfaßt. Die Basis 43 der in Fig. 3 dargestellten Einrichtung kann beispielsweise ein Einkristall aus P-leitendem Silicium sein, dessen spezifischer Widerstand etwa 100 Ohm-cm und dessen Dicke etwa 0,27 mm betragen können. Die Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes wird durch einen oxydierten Teil der Oberfläche der Basis 43 gebildet. Die Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes ist etwa 2000 8 dick und besteht im wesentlichen aus reinem Siliciumoxyd, das durch vollständige Oxydation des Siliciums der Basis 4j5 entstanden ist. Der Kanal 47 niedrigen spezifischen Widerstandes wird gleichzeitig mit der Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes gebildet, er wird gelegentlich als Inversionsschicht bezeichnet. Der Kanal 47 erstreckt sich unterhalb der ganzen Schicht 45 hohenspezifischen Widerstandes und kann als teilweise oxydiertes Silicium beschrieben werden, welches einen Übergang zwischen dem reinen Silicium der Basis 43 und dem Siliciumoxyd der Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes bildet. Der
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niedrige spezifische Widerstand des Kanales 47 beruht vermutlich darauf, daß er freie Ladungsträger anzieht, die nicht im Gleichgewicht befindliche elektronische Ladungen in dem teilweise umgewandelten Halbleitermaterial des Kanales 47 kompensieren.
Eine Gatterelektrode 49, die vorzugsweise aus einem Metall wie Aluminium besteht, befindet sich auf der Schicht 45 hohen spezifischen Widerstandes gegenüber und im Abstand vom Kanal 47. Die Gatterelektrode 49 ist in Richtung auf eine Quelle 51 und weg von einem Abfluß 53 versenkt. Viie bei Fig. 1 verläuft die Gatterelektrode 49 gegenüber vom Kanal 47 und dann über die Quelle 51·
Die Quelle 51 befindet sich in der Basis 45 .und ist an das eine Ende des Kanals 47 angeschlossen. Der Abfluß 53 befindet sich ebenfalls in der Basis 43 und ist an das andere Ende des Kanals 47 angeschlossen. Die Länge des Kanals 47 entspricht dem Abstand zwischen der Quelle 51 und der Senke 53 und beträgt etwa 12,7 um. V ie dargestellt, sind die Quelle 51 und der Abfluß 53 Bereiche der Basis 43, in die Verunreinigungen vom N-Typ zur Eindiffusion gebracht wurden, um sie leitend zu machen. Als Quelle 51 und Abfluß 53 können irgendwelche Strukturen verwendet werden, die einen geeigneten Anschluß an den Kanal 47 herzustellen gestatten.
Teile der Quelle 51 und des Abflusses 53 werden von einer Quellenelektrode 55 bzw. einer Abflußelektrode
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57 kontaktiert. Die quellen- und Abflußelektroden 55, 57 sind vorzugsweise aus einem Metall,wie Aluminium, und können während desselben Verfahrensschrittes und aus demselben Material wie die Gatterelektrode 49 hergestellt v/erden. Fig. 3 zeigt außerdem eine Schaltungsanordnung, die den Transistor 41 als Verstarker zu betreiben gestattet. Die Schaltungsanordnung, eine "Quellenschaltung" (d.h. die Quelle ist die dem Eingangskreis und Ausgangskreis gemeinsame Elektrode) entspricht der in Fig. 1 dargestellten Schaltung. Bei einer Betriebsart werden Abflußspannung Vd und Abflußstrom Id durch Veränderung des Arbeitswiderstandes 37 und des Gattervorspannungswiderstandes J>0 auf die gewünschten Vierte eingestellt. Den Eingangsklemmen 29 kann
dann eine Signalspannung V zugeführt werden. Eine Einrichte
tung mit einer Kanailänge von etwa 12,7 /um kann noch im Gigahertz-Bereich betrieben werden. Der Abflußstrom Id fließt, konventionell gesehen, von Masse durch die Spannungs- f quelle 35* den Arbeitswiderstand 37, die Abflußelektrode 57, den Abfluß 5J, den Kanal 47, die Quelle 51 und die Quellenelektrode 55 zurück nach Masse. Die Majoritätsladungsträger fließen bei dieser Ausführungsform in umgekehrter Richtung. Der Transistor kann als Impedanzwandler zur Umsetzung einer hohen Eingangsimpedanz in eine niedrige Ausgangsimpedanz, zur Verstärkung eines EingangsSignaIs oder sowohl zur Impedanzwandlung als auch zur Verstärkung verwendet werden.
Der in Fig. 3 dargestellte Transistor kann durch
folgendes Verfahren hergestellt werden: eine etwa 0,46 mm 909810/0473
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dieke Scheibe aus P-Silicium mit einem spezifischen V.iderstand von 100 Ohm-cm wird chemisch auf eine Dicke von 0,25 mm poliert. Auf einer Oberfläche der Scheibe wird dann thermisch -eine gleichförmige Schicht aus mit Phosphor dotiertem Siliciumoxyd gebildet, in dem man die Scheibe etwa 10 Minuten in einer Atmosphäre aus Argon, das durch Trimethylphosphat und Tetraäthylorthisillcat geleitet worden war, auf 75° C erwärmt. Das niedergeschlagene Oxyd wird durch etwa 5 Minuten dauerndes Erwärmen auf 75 C in einer Atmosphäre aus Argon, das durch Silan geleitet worden war, verfestigt. Auf das verfestigte Oxyd wird nun eine lichtempfindliche A" t ζ schutzschicht aufgebracht und nach der üblichen Belichtung durch eine Schablone und Behandlung dieser Ätzschutzschicht wird das Oxyd in bestimmten Bereichen weggeätzt, wobei das dotierte, verfestigte Oxyd auf denjenigen Bereichen verbleibt, die Quelle und Senke werden sollen, während das dotierte Oxyd von dem Bereich zwischen Quelle und Senke entfernt wird.
Die Scheibe wird nun auf etwa 9000C in Sauerstoff erhitzt um eine neue Siliciumoxydschicht in dem Bereich zwischen Quelle und Senke und eine Inversionsschicht unter dieser Schicht entstehen zu lassen. Gleichzeitig dotieren Verunreinigungen vom dotierten und verfestigten Oxyd in die Scheibe. Durch diese Diffusion werden die stark dotierten '■iue.i.] eri-Abf luß-Kontakte gebildet. Die Scheibe wird dann mit einer photoempfindlichen Ktzschut^schicht überzogen und f;o geätzt, daß die Quelle und der Abfluß durch die
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Oxydschicht hindurch zugänglich werden. Anschließend wird die gesamte Oberfläche der Scheibe mit Aluminium bedampft. Auf die Aluminiumschicht wird nun wieder eine lichtempfindliche A'tzschutzschicht aufgebracht und das Aluminium wird von der Oberfläche der Scheibe abgeätzt mit der Ausnahme derjenigen Stellen, an denen sich die Quellenelektrode, die Abflußelektrode und die Gatter- oder Steuerelektrode befinden. Durch diesen Verfahrensschritt wird also die Form der Gatterelektrode definiert. Die Maske für die Gatterelektrode wird dabei versetzt. Schließlich wird die Scheibe verteilt und die Quellen-, Abfluß- und Gatterelektrode werden mit Anschlüssen versehen.
Fig. 4 zeigt eine dritte Ausführungsform eines gemäß der Erfindung hergestellten Planar-Transistors. Der Transistor 4la der Fig. 4 entspricht dem Transistor der Fig. 3 mit der Ausnahme, daß eine zusätzliche, zweite Gatterelektrode 59 vorgesehen ist. Bei einem Unipolar-Transistor mit zwei (oder mehr) Gatterelektroden, die körperlich längs des Kanales im Abstand angeordnet sind, entstehen nicht nur die Widerstände R , R und R, , die oben erwähnt wurden, son-
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dem auch zusätzliche Widerstände längs d.es Kanals gegenüber dem Zwischenraum zwischen benachbarten Gatterelektroden.
Analytische Betrachtungen haben ergeben, daß alle Gatterelektroden als einzige Gatterelektrodenanordnung betrachtet werden können. Zur Verbesserung der BetriebseigenaDhaften eines Planar-Feldeffekt-Transistors ist es gemäß der Erfindung zweckmäßig, eine kontinuierliche Gatterelek-
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trodenstruktur vorzusehen. Hiermit ist gemeint, daß die einzige oder mehreren Gatterelektroden dem Kanal eine kontinuierliche Fläche ohne Zwischenräume darbieten. Die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform enthält hierfür eine zweite Gatterelektrode 59* die von der ersten Elektrode 49a isoliert ist. Die die beiden Gatterelektroden 49a, 59 umfassende Gatterelektrodenanordnung ist ebenfalls in Richtung auf die Quelle 51a und weg von dem Abfluß 55a versetzt, wie in Verbindung mit Fig. 3 erläutert worden war.
Die in Fig. 4 dargestellte Schaltungsanordnung entspricht der Schaltungsanordnung der Fig. 5 mit der Ausnahme, daß ein zweites Paar von Eingangsklemmen 6j5 und eine Schaltungsanordnung 64, 65 zur Vorspannung der Gatterelek-trode 59 vorgesehen sind.
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Claims (1)

  1. * Ί46Α395
    Patentansprüche.
    1. Feldeffekt-Transistor nit einen Körper aus Halbleitermaterial und einem in Körper enthaltenen Stromkanal, alt dessen einem Ende eine Quelle und mit dessen anderen Ende ein Abflua verbunden sind, gekennzeloh· net durch eine einzige kontinuierliche Gatter·
    P elektroden*truktur neben dem Kanal» deren eine· Ende nfiher an der Quelle liegt als das andere Ende an den Abi'luü.
    2. Feldeffekt-Transietcr nach Anspruch,/ dadurch gekennzeichnet, da 8 der Kanal in den Halbleiterkörper praktisch parallel zu dessen Oberfl Hohe, verläuft und daß die Quelle und Senke die Enden eines wenigeten» annähernd parallel zu der Oberfläche verlaufenden LadungstrKgerwegea durch den Kanal begrenzen.
    ψ 3' Feldeffekt-Transistor nach Anspruch 2» 4 *-
    durch gekennzeichnet* dsl dl· einzige kontinuierliche Oatterelektrodenstruktur neben dea Kanal und gegenüber einem kontinuierlichen Teil des LsdungetrMgerweges angeordnet 1st und dsl ein Ende der Oatterelektredenatruktur gegenOber der Quell· lie**, «!thread da« andere Inde der Oatteerelektrodenetnilctur da« «troawec» Jedoch nicht der fenk» «eeenüber
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    U64395 -17-
    4. Feldeffekt-Transs&or nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dan die Gatterelektrodenstruktur einen einzigen PN-Mbergang Im Körper umfaßt.
    5. Feldeffekt-Transistor naoh Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die OattereXektrodenstruktur mindestens eine vom Kanal duroh •ine dünne Isolierschicht getrennte Oattorelektrode enthält.
    6. Feldeffekt-Transistor nach Anspruch 1, 2/oder 5, dadurch gekennzeichnet, da a die Gatterelektrodenatruktur eine einzige Gatterelektrode enthält, die von dem Kanal durch eine Isolierschicht getrennt ist, welche aus dem Material des Körpers selbst erzeugt ist.
    7· Feldeffekt-Transistor nach einem der AnsprUohe 1, 2,3, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet» dafl die Oatterelektrodenstruktur mindestens zwei Überlappend« Gatterelektroden umfa3t, die von dem Kanal durch ein« erst· dünn· I solierschicht, die aus dem Körper erzeugt worden ist, und voneinander durch einen zweiten dtkinen Isolierkörper getrennt sind.
    BAD ORIGiNAl 909810/0473
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