[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE112022005438T5 - Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils - Google Patents

Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils Download PDF

Info

Publication number
DE112022005438T5
DE112022005438T5 DE112022005438.7T DE112022005438T DE112022005438T5 DE 112022005438 T5 DE112022005438 T5 DE 112022005438T5 DE 112022005438 T DE112022005438 T DE 112022005438T DE 112022005438 T5 DE112022005438 T5 DE 112022005438T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resin
terminal
sealing resin
thickness direction
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112022005438.7T
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Aoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE112022005438T5 publication Critical patent/DE112022005438T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1425—Converter
    • H01L2924/14252—Voltage converter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1426—Driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Halbleiterbauteil mit: einem Anschluss, der einen Hauptbereich aufweist, der eine Vorderfläche aufweist, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung z zugewandt ist; einem Halbleiterelement, das von der Vorderfläche getragen wird; und einem Versiegelungsharz, das einen Abschnitt des Anschlusses und das Halbleiterelement bedeckt. Der Anschluss weist ein Basisteil und eine Metallschicht auf, die einen Abschnitt des Basisteils bedeckt. Der Anschluss weist eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen auf, die in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung z ausgerichtet sind. Jeder aus der Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche weist eine erste Montagefläche auf, die einer zweiten Seite in Dickenrichtung zugewandt ist, und eine erste Seitenfläche, die einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung z und zur ersten Richtung zugewandt ist. Die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche sind von dem Versiegelungsharz freigelegt, und die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche sind vollständig aus der Metallschicht gebildet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • HINTERGRUND
  • Es wurden verschiedene Konfigurationen für ein Halbleiterbauteil vorgeschlagen, das ein Halbleiterelement aufweist. Das Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein herkömmliches Halbleiterbauteil. Das in diesem Dokument offenbarte Halbleiterbauteil weist ein Die-Pad, eine Vielzahl von Terminals, ein Halbleiterelement und ein Versiegelungsharz auf. Das Die-Pad und die Terminals stammen von einem Anschlussrahmen („Leadframe“) und bestehen aus einem metallischen Grundmaterial, wie z. B. Kupfer. Die Terminals sind in einer Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung ausgerichtet. Jedes der Terminals hat eine Terminal-Rückfläche und eine Terminal-Außenfläche, die von dem Versiegelungsharz freigelegt sind. Wenn das Halbleiterbauteil auf einer Verdrahtungsplatte montiert wird, wird daher auf der Terminal-Außenfläche jedes Terminals eine Lötmittel-Kehle gebildet. Die so gebildeten Lötmittel-Kehlen können die Bondfestigkeit des Halbleiterbauteils auf der Leiterplatte verbessern.
  • Das in Patentschrift 1 offenbarte Halbleiterbauteil wird in einem QFN-Gehäuse („Quad For Non-Lead“) bereitgestellt. Das QFN bezieht sich auf einen Typ, bei dem eine Vielzahl von Terminals nicht seitlich aus einem Versiegelungsharz herausragen. In dem oben beschriebenen konventionellen Halbleiterbauteil weist jede der Terminal-Außenflächen einen Oberflächenabschnitt des metallischen Basismaterials auf, der infolge des Zerschneidens zusammen mit dem Versiegelungsharz durch Würfel-Schneiden („Dicing“) freigelegt wird. Der Oberflächenabschnitt des metallischen Basismaterials an der Terminal-Außenfläche hat eine geringere Benetzbarkeit mit Lötmitteln als, z.B., eine plattierte Oberfläche. Dies kann zu einer Verringerung der Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehle führen, das an der Terminal-Außenfläche jedes Terminals gebildet wird.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentschrift
  • Patentdokument 1: JP-A-2018-190875
  • KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Problem, das durch die Erfindung gelöst werden soll
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das im Vergleich zu einem herkömmlichen Bauteil verbessert wurde. Insbesondere ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das in der Lage ist, die Bondfestigkeit einer Lötmittel-Kehle („fillet“) zu erhöhen.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung sieht vor, dass ein Halbleiterbauteil Folgendes aufweist: einen Anschluss mit einem Hauptbereich, der eine Vorderfläche aufweist, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; ein Halbleiterelement, das von der Vorderfläche getragen („supported“) wird; und ein Versiegelungsharz, das einen Abschnitt des Anschlusses und das Halbleiterelements bedeckt. Der Anschluss weist ein Basisteil und eine Metallschicht auf, die einen Abschnitt des Basisteils bedeckt. Der Anschluss weist eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen auf, die in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung ausgerichtet sind. Jeder aus der Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche weist eine erste Montagefläche auf, die einer zweiten Seite in Dickenrichtung zugewandt ist, und eine erste Seitenfläche, die einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung zugewandt ist. Die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche sind von dem Versiegelungsharz freigelegt. Die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche sind vollständig von der Metallschicht gebildet.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils die folgenden Schritte auf: Ausbilden eines Versiegelungsharzes, das einen Abschnitt jedes einer Vielzahl von Terminal-Bereichen bedeckt, die aus einem Basisteil und einem Halbleiterelement bestehen; Ausbilden einer Nut in jedem der Vielzahl von Terminal-Bereichen, so dass die Nut in einer Dickenrichtung von einer Montagefläche jedes der Vielzahl von Terminal-Bereichen ausgespart ist, die der Dickenrichtung zugewandt ist; Ausbilden einer Metallschicht durch Plattieren, so dass die Metallschicht die Montagefläche und die Nut bedeckt; und Schneiden des Versiegelungsharzes entlang der Nut. Beim Ausbilden der Nut wird jeder der Vielzahl von Terminal-Bereichen über seine gesamte Dicke geschnitten.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die oben beschriebene Konfiguration kann die Bondfestigkeit einer Lötmittel-Kehle erhöhen.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht (durch ein Versiegelungsharz gesehen), die das Halbleiterbauteil aus 1 zeigt.
    • 3 ist eine Draufsicht (durch ein Halbleiterelement und das Versiegelungsharz gesehen), die das Halbleiterbauteil aus 1 zeigt.
    • 4 ist eine Ansicht von unten auf das Halbleiterbauteil von 1.
    • 5 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil von 1 zeigt.
    • 6 ist eine Rückansicht, die das Halbleiterbauteil von 1 zeigt.
    • 7 ist eine Ansicht von der rechten Seite, die das Halbleiterbauteil von 1 zeigt.
    • 8 ist eine Ansicht der linken Seite, die das Halbleiterbauteil von 1 zeigt.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX in 3.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-X in 3.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XI-XI in 3.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XII-XII in 3.
    • 13 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 12.
    • 14 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 9.
    • 15 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 4.
    • 16 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt eines beispielhaften Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 17 ist eine Querschnittsansicht, die einen auf den Schritt von 16 folgenden Schritt zeigt.
    • 18 ist eine Querschnittsansicht, die einen auf den Schritt von 17 folgenden Schritt zeigt.
    • 19 ist eine schematische Draufsicht, die den Schritt von 18 zeigt.
    • 20 ist eine Querschnittsansicht, die einen auf den Schritt von 18 folgenden Schritt zeigt.
    • 21 ist eine Draufsicht ähnlich wie 3, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer Variante der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 22 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil von 21 zeigt.
    • 23 ist eine Rückansicht, die das Halbleiterbauteil von 21 zeigt.
    • 24 ist eine Ansicht von der rechten Seite, die das Halbleiterbauteil von 21 zeigt.
    • 25 ist eine Ansicht von der linken Seite, die das Halbleiterbauteil von 21 zeigt.
    • 26 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXVI-XXVI in 21.
    • 27 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXVII-XXVII in 21.
    • 28 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 27.
    • 29 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 26.
  • Modus ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben.
  • Die Begriffe wie „erster“, „zweiter“ und „dritter“ in der vorliegenden Offenbarung werden lediglich als Bezeichnungen verwendet und sind nicht dazu gedacht, den mit diesen Begriffen versehenen Elementen eine Reihenfolge aufzuerlegen.
  • In der vorliegenden Offenbarung schließen die Formulierungen „ein Objekt A ist in einem Objekt B geformt“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B geformt“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf einem Objekt B geformt“ und „ein Objekt A ist in/auf einem Objekt B geformt, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B eingefügt ist“ mit ein. Ebenso schließen die Formulierungen „ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist in/auf einem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. Ebenso schließt die Formulierung „ein Objekt A befindet sich auf einem Objekt B“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A befindet sich auf einem Objekt B in Kontakt mit dem Objekt B“ und „ein Objekt A befindet sich auf einem Objekt B mit einem anderen Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B“ mit ein. Darüber hinaus schließt die Formulierung „ein Objekt A überlappt mit einem Objekt B in einer bestimmten Richtung gesehen“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A überlappt mit der Gesamtheit eines Objekts B“ und „ein Objekt A überlappt mit einem Abschnitt eines Objekts B“ mit ein.
  • Erste Ausführungsform:
  • Im Folgenden wird ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die 1 bis 15 beschrieben. Ein Halbleiterbauteil A10 der vorliegenden Ausführungsform weist einen Anschluss 1, ein Halbleiterelement 3 und ein Versiegelungsharz 4 auf. Der Anschluss 1 weist einen Hauptbereich 10, eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen 21, eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen 22 und eine Vielzahl von dritten Terminal-Bereichen 23 auf. Das Versiegelungsharz 4 hat in der Draufsicht eine rechteckige Form. Wie in 1 dargestellt, ist der Gehäusetyp des Halbleiterbauteils A10 ein QFN („Quad For Non-Lead Package“). Das Halbleiterelement 3 ist nicht auf eine bestimmte Konfiguration beschränkt und kann ein Flip-Chip LSI („Large Scale Integration“) sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Halbleiterelement 3 ein Flip-Chip-LSI mit einer Schaltung zum Schalten 321 und einer Steuerschaltung 322 im Inneren (Einzelheiten zu diesen Schaltungen werden weiter unten beschrieben). In dem Halbleiterbauteil A10 wandelt die Schaltung zum Schalten 321 Gleichstrom (Spannung) in Wechselstrom (Spannung) um. Das Halbleiterbauteil A10 wird beispielsweise für ein Element einer DC/DC-Konverter- bzw. Wandlerschaltung verwendet.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 2 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A10. 3 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A10. 4 ist eine Ansicht von unten, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 5 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 6 ist eine Rückansicht, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 7 ist eine Ansicht von der rechten Seite, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 8 ist eine Ansicht von der linken Seite, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX in 3. 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-X in 3. 11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XI-XI in 3. 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XII-XII in 3. 13 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 12. 14 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 9. 15 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 4. Zum besseren Verständnis ist in 2 das Versiegelungsharz 4 in einer Phantomdarstellung gezeigt. Zum besseren Verständnis sind in 3 das Halbleiterelement 3 und das Versiegelungsharz 4 in einer Phantomdarstellung gezeigt. In diesen Figuren sind das Halbleiterelement 3 und das Versiegelungsharz 4 durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Kettenlinien) angedeutet.
  • In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird die Dickenrichtung des Hauptbereichs 10 z.B. als „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung (die horizontale Richtung in 2) senkrecht zur Dickenrichtung z wird z.B. als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung (die vertikale Richtung in 2), die senkrecht zur Dickenrichtung z und zur ersten Richtung x verläuft, wird z.B. als „zweite Richtung y“ bezeichnet. Wie in den 1 und 2 gezeigt, hat das Halbleiterbauteil A10 in der Dickenrichtung z gesehen eine rechteckige Form. Außerdem wird in der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 die rechte Seite in 2 der Einfachheit halber als „erste Seite in der ersten Richtung x“ und die linke Seite in 2 als „zweite Seite in der ersten Richtung x“ bezeichnet. Die obere Seite in 2 wird als „erste Seite in der zweiten Richtung y“ und die untere Seite in 2 als „zweite Seite in der zweiten Richtung y“ bezeichnet. Die obere Seite in 5 wird als „erste Seite in der Dickenrichtung z“ und die untere Seite in 5 als „zweite Seite in der Dickenrichtung z“ bezeichnet.
  • Der Anschluss 1 (der Hauptbereich 10, die ersten Terminal-Bereiche 21, die zweiten Terminal-Bereiche 22 und die dritten Terminal-Bereiche 23) wird beispielsweise durch einen einzigen Anschlussrahmen gebildet. Der Anschluss 1 weist ein Basisteil 1A und eine Metallschicht 1B auf (siehe 9 bis 14). Das Basisteil 1A ist nicht auf ein bestimmtes Material beschränkt und kann z.B. aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung bestehen. Die Metallschicht 1B bedeckt einen Abschnitt des Basisteils 1A. Bei der Metallschicht 1B handelt es sich um eine Plattierungsschicht, die beispielsweise auf einer Oberfläche des Basisteils 1A gebildet wird. Die Plattierungsschicht ist nicht auf ein bestimmtes Material beschränkt und kann beispielsweise aus einer Legierung bestehen, die hauptsächlich Zinn (Sn) aufweist. In den 1 und 4 bis 8 ist die Metallschicht 1B durch eine Vielzahl von gepunkteten Bereichen dargestellt.
  • Wie in den 3 und 9 bis 12 gezeigt, trägt der Hauptbereich 10 das Halbleiterelement 3. Zumindest ein Abschnitt des Hauptbereichs 10 ist mit dem Versiegelungsharz 4 bedeckt. In der vorliegenden Ausführungsform weist der Hauptbereich 10 eine Vorderfläche 11 und eine Rückfläche 12 auf. Die Vorderfläche 11 ist einer ersten Seite in Dickenrichtung z zugewandt und weist auf das Halbleiterelement 3 bzw. ist diesem zugewandt. Die Rückfläche 12 ist der der Vorderfläche 11 gegenüberliegenden Seite (einer zweiten Seite in Dickenrichtung z) zugewandt. Die Vorderfläche 11 ist mit dem Versiegelungsharz 4 bedeckt. Die Rückfläche 12 ist von dem Versiegelungsharz 4 freigelegt.
  • In der vorliegenden Ausführungsform weist der Hauptbereich 10 ein Paar erster Hauptbereiche 101, ein Paar zweiter Hauptbereiche 102, ein Paar dritter Hauptbereiche 103, eine Vielzahl vierter Hauptbereiche 104 und eine Vielzahl fünfter Hauptbereiche 105 auf.
  • Die Vorderfläche 11 weist erste Vorderflächen 111, zweite Vorderflächen 112, dritte Vorderflächen 113, vierte Vorderflächen 114 und fünfte Vorderflächen 115 auf. Jede der ersten Vorderflächen 111 bis zu den fünften Vorderflächen 115 gehört zu einem der ersten Hauptbereiche 101 bis zu den fünften Hauptbereichen 105.
  • Die Rückfläche 12 weist erste Rückflächen 121 und zweite Rückflächen 122 auf. Jede der ersten Rückflächen 121 und der zweiten Rückflächen 122 gehört zu einem der ersten Hauptbereiche 101 und der zweiten Hauptbereiche 102.
  • Wie in 3 gezeigt, ist das Paar der ersten Hauptbereiche 101 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Einer der ersten Hauptbereiche 101 befindet sich auf einer ersten Seite in der ersten Richtung x (die rechte Seite in der Figur) im Halbleiterbauteil A10, und der andere erste Hauptbereich 101 befindet sich auf einer zweiten Seite in der ersten Richtung x (die linke Seite in der Figur) im Halbleiterbauteil A10. Das Paar der ersten Hauptbereiche 101 erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Jeder der beiden ersten Hauptbereiche 101 ist ein Eingangs-Terminal, in das die in dem Halbleiterbauteil A10 umzuwandelnde Gleichstromleistung (Spannung) eingespeist wird. Die ersten Hauptbereiche 101 sind positive Elektroden (P-Terminals) .
  • Wie in den 3, 9 und 10 gezeigt, weist jeder der ersten Hauptbereiche 101 eine erste Vorderfläche 111 und eine erste Rückfläche 121 auf. Das Halbleiterelement 3 wird von den ersten Vorderflächen 111 getragen. Jeder der ersten Hauptbereiche 101 hat einen Abschnitt, der vom Versiegelungsharz 4 zur zweiten Seite in Dickenrichtung z freiliegt, und der freiliegende Abschnitt weist eine erste Rückfläche 121 auf. In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Rückfläche 121 aus der Metallschicht 1B gebildet.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die beiden zweiten Hauptbereiche 102 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die beiden zweiten Hauptbereiche 102 sind jeweils zwischen den beiden ersten Hauptbereichen 101 in der ersten Richtung x angeordnet und erstrecken sich in der zweiten Richtung y. Einer der zweiten Hauptbereiche 102 befindet sich auf der ersten Seite in der ersten Richtung x (die rechte Seite in der Figur) in dem Halbleiterbauteil A10, ist benachbart zu einem der ersten Hauptbereiche 101 (derjenige auf der rechten Seite in der Figur), und ist auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x relativ zu dem benachbarten ersten Hauptbereich 101 angeordnet. Der andere zweite Hauptbereich 102 befindet sich auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x (die linke Seite in der Figur) in dem Halbleiterbauteil A10, ist benachbart zu dem anderen ersten Hauptbereich 101 (der auf der linken Seite in der Figur) und ist auf der ersten Seite in der ersten Richtung x relativ zu dem benachbarten ersten Hauptbereich 101 angeordnet. Jeder des Paares von zweiten Hauptbereichen 102 gibt die Wechselstromleistung (Spannung) aus, die sich aus der Leistungsumwandlung durch die im Halbleiterelement 3 konfigurierte Schaltung zum Schalten 321 ergibt.
  • Wie in den 3, 9 und 11 gezeigt, weist jeder der zweiten Hauptbereiche 102 eine zweite Vorderfläche 112 und eine zweite Rückfläche 122 auf. Das Halbleiterelement 3 wird von den zweiten Vorderflächen 112 getragen. Jeder der zweiten Hauptbereiche 102 hat einen vom Versiegelungsharz 4 zur zweiten Seite in Dickenrichtung z freiliegenden Abschnitt, und der freiliegende Abschnitt weist eine zweite Rückfläche 122 auf. In der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Rückfläche 122 aus der Metallschicht 1B gebildet.
  • Wie in 3 gezeigt, ist das Paar dritter Hauptbereiche 103 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Das Paar dritter Hauptbereiche 103 flankiert die ersten Hauptbereiche 101 in der ersten Richtung x und erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Einer der dritten Hauptbereiche 103 befindet sich auf der ersten Seite in der ersten Richtung x (die rechte Seite in der Figur) in dem Halbleiterbauteil A10, ist benachbart zu einem der ersten Hauptbereiche 101 (derjenige auf der rechten Seite in der Figur) und ist auf der ersten Seite in der ersten Richtung x relativ zu dem benachbarten ersten Hauptbereich 101 angeordnet. Der andere dritte Hauptbereich 103 befindet sich auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x (die linke Seite in der Figur) in dem Halbleiterbauteil A10, ist benachbart zu dem anderen ersten Hauptbereich 101 (der auf der linken Seite in der Figur) und ist auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x relativ zu dem benachbarten ersten Hauptbereich 101 angeordnet. Jeder der beiden dritten Hauptbereiche 103 ist ein Eingangs-Terminal, in das die in dem Halbleiterbauteil A10 umzuwandelnde Gleichstromleistung (Spannung) eingegeben wird. Die dritten Hauptbereiche 103 sind negative Elektroden (N-Terminals).
  • Wie in den 3 und 9 gezeigt, weist jeder der dritten Hauptbereiche 103 eine dritte Vorderfläche 113 auf. Das Halbleiterelement 3 wird von den dritten Vorderflächen 113 getragen. Jeder der dritten Hauptbereiche 103 hat keinen Abschnitt, der vom Versiegelungsharz 4 zur zweiten Seite in Dickenrichtung z freiliegt.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die vierten Hauptbereiche 104 auf einer ersten Seite in der zweiten Richtung y (in der Figur die obere Seite) in dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet. Einige der vierten Hauptbereiche 104 befinden sich auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y in Bezug auf die ersten Hauptbereiche 101. Der Rest der vierten Hauptbereiche 104 befindet sich zwischen dem Paar der zweiten Hauptbereiche 102 in der ersten Richtung x. Jeder der vierten Hauptbereiche 104 empfängt Leistung (Spannung) zur Ansteuerung der Steuerschaltung 322 oder empfängt ein elektrisches Signal, das z.B. an die Steuerschaltung 322 übertragen wird.
  • Wie in den 3, 10 und 12 gezeigt, weist jeder der vierten Hauptbereiche 104 eine vierte Vorderfläche 114 auf. Das Halbleiterelement 3 wird von den vierten Vorderflächen 114 getragen. Jeder der vierten Hauptbereiche 104 weist keinen Abschnitt auf, der von dem Versiegelungsharz 4 zu dem zweiten Hauptbereich in der Dickenrichtung z freiliegt.
  • Wie in 3 gezeigt, befinden sich die fünften Hauptabschnitte 105 auf einer zweiten Seite in der zweiten Richtung y (in der Figur die untere Seite) in dem Halbleiterbauteil A10. Einige der fünften Hauptabschnitte 105 befinden sich auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y in Bezug auf die zweiten Hauptbereiche 102. Der Rest der fünften Hauptabschnitte 105 befindet sich auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y in Bezug auf die dritten Hauptbereiche 103. Jeder der fünften Hauptbereiche 105 empfängt ein elektrisches Signal, das z.B. an die Steuerschaltung 322 übertragen wird.
  • Wie in den 3, 11 und 12 gezeigt, weist jeder der fünften Hauptabschnitte 105 eine fünfte Vorderfläche 115 auf. Das Halbleiterelement 3 wird von den fünften Vorderflächen 115 getragen. Jeder der fünften Hauptbereiche 105 hat keinen Bereich, der vom Versiegelungsharz 4 zur zweiten Seite in Dickenrichtung z freiliegt.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die ersten Terminal-Bereiche 21 in der ersten Richtung x ausgerichtet. In der vorliegenden Ausführungsform weisen die ersten Terminal-Bereiche 21 diejenigen auf, die an einem Ende (in der Figur das obere Ende) des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) in der zweiten Richtung y angeordnet sind, und diejenigen, die am anderen Ende (in der Figur das untere Ende) des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) in der zweiten Richtung y angeordnet sind. Mit anderen Worten, jedes Ende des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) auf der ersten Seite und der zweiten Seite in der zweiten Richtung y hat eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen 21, die in der ersten Richtung x ausgerichtet sind.
  • Jeder der ersten Terminal-Bereiche 21, die an dem einen Ende (in der Figur das obere Ende) des Halbleiterbauteils A10 in der zweiten Richtung y angeordnet sind, ist mit einem der zweiten Hauptbereiche 102 und den vierten Hauptbereichen 104 verbunden. Jeder der ersten Terminal-Bereiche 21, die an dem anderen Ende (in der Figur das untere Ende) des Halbleiterbauteils A10 in der zweiten Richtung y angeordnet sind, ist mit einem des Paares der ersten Hauptbereiche 101 und der fünften Hauptbereiche 105 verbunden. Die ersten Terminal-Bereiche 21 haben jeweils die gleiche Konfiguration. Dementsprechend wird die Konfiguration eines der ersten Terminal-Bereiche 21 in dem Halbleiterbauteil A10 im Folgenden stellvertretend beschrieben.
  • Wie in den 3 bis 6, 10 bis 13 und 15 gezeigt, weist ein erster Terminal-Bereich 21 eine erste Montagefläche 211, eine erste Seitenfläche 212 und zwei erste Innenflächen 213 auf. Die erste Montagefläche 211 ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die erste Seitenfläche 212 ist in der zweiten Richtung y entweder der ersten oder der zweiten Seite zugewandt. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine erste Seitenfläche 212 mit einer ersten Montagefläche 211 verbunden und schließt bündig mit einer anderen der ersten Seitenflächen 212 ab. Die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 sind von dem Versiegelungsharz 4 freigelegt. Die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 sind vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Eine der beiden ersten Innenflächen 213 ist der ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt, die andere der zweiten Seite in der ersten Richtung x. Jede der beiden ersten Innenflächen 213 ist mit der ersten Montagefläche 211 und der ersten Seitenfläche 212 verbunden. Die zwei ersten Innenflächen 213 sind mit dem Versiegelungsharz 4 bedeckt.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die zweiten Terminal-Bereiche 22 in der zweiten Richtung y ausgerichtet. In der vorliegenden Ausführungsform weisen die zweiten Terminal-Bereiche 22 diejenigen auf, die an einem Ende (in der Figur das rechte Ende) des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) in der ersten Richtung x angeordnet sind, und diejenigen, die am anderen Ende (in der Figur das linke Ende) des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) in der ersten Richtung x angeordnet sind. Mit anderen Worten, jedes Ende des Halbleiterbauteils A10 (das Versiegelungsharz 4) auf der ersten Seite und der zweiten Seite in der ersten Richtung x hat eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen 22, die in der zweiten Richtung y ausgerichtet sind.
  • Jeder der an einem Ende (in der Figur das rechte Ende) des Halbleiterbauteils A10 in der ersten Richtung x angeordneten zweiten Terminal-Bereiche 22 ist mit einem („one“) der dritten Hauptbereiche 103, der vierten Hauptbereiche 104 und der fünften Hauptbereiche 105 verbunden. Jeder der zweiten Terminal-Bereiche 22, die am anderen Ende (in der Figur das linke Ende) des Halbleiterbauteils A10 in der ersten Richtung x angeordnet sind, ist mit einem („one“) der dritten Hauptbereiche 103, der vierten Hauptbereiche 104 und der fünften Hauptbereiche 105 verbunden. Die zweiten Terminal-Bereiche 22 haben jeweils die gleiche Konfiguration. Dementsprechend wird die Konfiguration eines der zweiten Terminal-Bereiche 22 in dem Halbleiterbauteil A10 im Folgenden stellvertretend beschrieben.
  • Wie in den 3, 4, 7 bis 9, 14 und 15 gezeigt, weist ein zweiter Terminal-Bereich 22 eine zweite Montagefläche 221, eine zweite Seitenfläche 222 und zwei zweite Innenflächen 223 auf. Die zweite Montagefläche 221 ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die zweite Seitenfläche 222 ist in der ersten Richtung x entweder der ersten oder der zweiten Seite zugewandt. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist eine zweite Seitenfläche 222 mit einer zweiten Montagefläche 221 verbunden und schließt bündig mit einer anderen der zweiten Seitenflächen 222 ab. Die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 sind gegenüber dem Versiegelungsharz 4 freigelegt. Die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 sind vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Eine der beiden zweiten Innenflächen 223 ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt und die andere der zweiten Seite in der zweiten Richtung y. Jede der beiden zweiten Innenflächen 223 ist mit der zweiten Montagefläche 221 und der zweiten Seitenfläche 222 verbunden. Die zwei zweiten Innenflächen 223 sind mit dem Versiegelungsharz 4 bedeckt.
  • Jeder der dritten Terminal-Bereiche 23 befindet sich in der ersten Richtung x näher an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 als die ersten Terminal-Bereiche 21 und in der zweiten Richtung y näher an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 als die zweiten Terminal-Bereiche 22. Mit anderen Worten ist jeder der dritten Terminal-Bereiche 23 in der Dickenrichtung z gesehen an einer der vier Ecken des rechteckigen Versiegelungsharzes 4 angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A10 ist die Vielzahl von (vier) dritten Terminal-Bereichen 23 jeweils an den vier Ecken des Versiegelungsharzes 4 angeordnet.
  • Der dritte Terminal-Bereich 23 (in der Figur die obere rechte Ecke), der auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und der ersten Seite in der zweiten Richtung y in dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet ist, ist mit einem vierten Hauptbereich 104 verbunden. Der dritte Terminal-Bereich 23 (in der Figur die obere linke Ecke), der auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x und der ersten Seite in der zweiten Richtung y in dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet ist, ist mit einem vierten Hauptbereich 104 verbunden. Der dritte Terminal-Bereich 23 (in der Figur die untere rechte Ecke), der auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und der zweiten Seite in der zweiten Richtung y in dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet ist, ist nicht mit dem Hauptbereich 10 (den ersten Hauptbereichen 101 bis den fünften Hauptbereichen 105) verbunden. Der dritte Terminal-Bereich 23 (in der Figur links unten), der auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x und der zweiten Seite in der zweiten Richtung y in dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet ist, ist nicht mit dem Hauptbereich 10 (den ersten Hauptabschnitten 101 bis zu den fünften Hauptabschnitten 105) verbunden. Die dritten Terminal-Bereiche 23 haben jeweils die gleiche Konfiguration. Dementsprechend wird die Konfiguration eines der dritten Terminal-Bereiche 23 in dem Halbleiterbauteil A10 im Folgenden stellvertretend beschrieben.
  • Wie in den 3 bis 8 und 15 gezeigt, weist ein dritter Terminal-Bereich 23 eine dritte Montagefläche 231, eine dritte Seitenfläche 232 und eine vierte Seitenfläche 233 auf. Die dritte Montagefläche 231 ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die dritte Seitenfläche 232 ist der gleichen Seite zugewandt wie die ersten Seitenflächen 212 einiger erster Terminal-Bereiche 21 und ist entweder der ersten oder der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die vierte Seitenfläche 233 ist der gleichen Seite zugewandt wie die zweiten Seitenflächen 222 einiger zweiter Terminal-Bereiche 22 und weist entweder zur ersten oder zur zweiten Seite in der ersten Richtung x. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine dritte Seitenfläche 232 mit der dritten Montagefläche 231 verbunden und mit einer anderen dritten Seitenfläche 232 bündig. Eine vierte Seitenfläche 233 ist mit einer dritten Montagefläche 231 und einer dritten Seitenfläche 232 verbunden und bündig mit einer anderen der vierten Seitenflächen 233. Die dritte Montagefläche 231, die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233 sind vom Versiegelungsharz 4 freigelegt. Die dritte Montagefläche 231, die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233 sind vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet.
  • Das Halbleiterelement 3 hat ein Halbleitersubstrat 31, eine Halbleiterschicht 32, eine Vielzahl von Elektroden 34 und eine Vielzahl von Elektroden 35. Wie in den 9 bis 12 gezeigt, trägt das Halbleitersubstrat 31 die Halbleiterschicht 32, die Elektroden 34 und die Elektroden 35, die sich unterhalb des Halbleitersubstrats 31 befinden. Das Material, aus dem das Halbleitersubstrat 31 besteht, ist Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC).
  • Die Halbleiterschicht 32 ist auf dem Halbleitersubstrat 31 auf der der Vorderfläche 11 in Dickenrichtung z gegenüberliegenden Seite aufgeschichtet. Die Halbleiterschicht 32 weist mehrere Typen von p-Typ-Halbleitern und n-Typ-Halbleitern auf, die sich in der Menge der zu dotierenden Elemente unterscheiden. Die Halbleiterschicht 32 weist die Schaltung zum Schalten 321 und die Steuerschaltung 322 auf, die elektrisch mit der Schaltung zum Schalten 321 verbunden ist. Die Schaltung zum Schalten 321 kann ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) oder ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) sein. Im Beispiel des Halbleiterbauteils A10 ist die Schaltung zum Schalten 321 in zwei Bereiche unterteilt, nämlich in einen Hochspannungsbereich (Oberarmschaltung) und einen Niederspannungsbereich (Unterarmschaltung). Jeder der Bereiche ist mit einem einzelnen n-Kanal-MOSFET ausgestattet. Die Steuerschaltung 322 weist einen Gate-Treiber zur Ansteuerung des Schaltkreises 321 und eine Bootstrap-Schaltung auf, die dem Hochspannungsbereich der Schaltung zum Schalten 321 entspricht, und führt eine Steuerung zur korrekten Ansteuerung der Schaltung zum Schalten 321 durch. Es wird bemerkt, dass die Halbleiterschicht 32 außerdem eine Verdrahtungsschicht (nicht dargestellt) aufweist. Die Verdrahtungsschicht verbindet die Schaltung zum Schalten 321 und die Steuerschaltung 322 elektrisch miteinander.
  • Wie in den 9 bis 12 gezeigt, sind die Elektroden 34 und die Elektroden 35 auf der der Vorderfläche 11 gegenüberliegenden Seite (die ersten Vorderflächen 111 bis die fünften Vorderflächen 115) in Dickenrichtung z angeordnet. Die Elektroden 34 und die Elektroden 35 sind in Kontakt mit der Halbleiterschicht 32.
  • Die Elektroden 34 sind elektrisch mit dem Schaltkreis 321 der Halbleiterschicht 32 verbunden. Jede der Elektroden 34 ist mit einer („one“) der ersten Vorderflächen 111 des Paares der ersten Hauptbereiche 101, der zweiten Vorderflächen 112 des Paares der zweiten Hauptbereiche 102 und der dritten Vorderflächen 113 des Paares der dritten Hauptbereiche 103 verbunden. Infolgedessen sind das Paar der ersten Hauptbereiche 101, das Paar der zweiten Hauptbereiche 102 und das Paar der dritten Hauptbereiche 103 elektrisch mit der Schaltung zum Schalten 321 verbunden.
  • Die Elektroden 35 sind elektrisch mit der Steuerschaltung 322 der Halbleiterschicht 32 verbunden. Jede der Elektroden 35 ist mit einer der vierten Vorderflächen 114 der vierten Hauptbereiche 104 und der fünften Vorderflächen 115 der fünften Hauptbereiche 105 verbunden. Dadurch sind die vierten Hauptbereiche 104 und die fünften Hauptbereiche 105 elektrisch mit der Steuerschaltung 322 verbunden. Das Material, aus dem die Elektroden 34 und die Elektroden 35 bestehen, weist beispielsweise Kupfer auf.
  • Wie in den 5 bis 8 gezeigt, weist das Versiegelungsharz 4 eine Harz-Vorderfläche 41, eine Harz-Rückfläche 42, zwei erste Harz-Seitenflächen 431 und 432, zwei zweite Harz-Seitenflächen 433 und 434, zwei erste Harz-Zwischenflächen 441 und 442, zwei zweite Harz-Zwischenflächen 443 und 444, zwei erste Harz-Innenseitenflächen 451 und 452 und zwei zweite Harz-Innenseitenflächen 453 und 454 auf. Das Versiegelungsharz 4 besteht aus einem schwarzen Epoxidharz, zum Beispiel.
  • Wie in den 9 bis 12 gezeigt, ist die Harz-Vorderfläche 41 in Dickenrichtung z derselben Seite zugewandt wie die Vorderfläche 11 (die ersten Vorderflächen 111 bis die fünften Vorderflächen 115). Wie in den 5 bis 8 gezeigt, ist die Harz-Rückfläche 42 der gegenüberliegenden Seite von der Harz-Vorderfläche 41 zugewandt. Wie in den 4 und 9 bis 12 gezeigt, sind die ersten Rückflächen 121 der ersten Hauptbereiche 101, die zweiten Rückflächen 122 der zweiten Hauptbereiche 102, die ersten Montageflächen 211 der ersten Terminal-Bereiche 21, die zweiten Montageflächen 221 der zweiten Terminal-Bereiche 22 und die dritten Montageflächen 231 der dritten Terminal-Bereiche 23 von der Harz-Rückfläche 42 (dem Versiegelungsharz 4) freigelegt.
  • Wie in den 7 und 8 gezeigt, befindet sich die erste Harz-Seitenfläche 431 am Ende des Versiegelungsharzes 4 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y und ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die erste Harz-Seitenfläche 431 ist mit der Harz-Vorderfläche 41 verbunden. Wie in den 4 und 10 bis 13 gezeigt, befinden sich die ersten Seitenflächen 212 der ersten Terminal-Bereiche 21, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der ersten Harz-Seitenfläche 431 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (bzw. nach innen vom Versiegelungsharz 4), gesehen in der Dickenrichtung z. Wie in den 4, 7 und 8 gezeigt, befinden sich die dritten Seitenflächen 232 der zwei dritten Terminal-Bereiche 23, die an den jeweiligen Enden des Halbleiterbauteils A10 in der ersten Richtung x und an dem Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der ersten Harz-Seitenfläche 431 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 bzw. nach innen vom Versiegelungsharz 4, gesehen in Dickenrichtung z.
  • Wie in den 7 und 8 gezeigt, befindet sich die erste Harz-Seitenfläche 432 am Ende des Versiegelungsharzes 4 auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y und ist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die erste Harz-Seitenfläche 432 ist mit der Harz-Vorderfläche 41 verbunden. Wie in den 4 und 10 bis 12 gezeigt, befinden sich die ersten Seitenflächen 212 der ersten Terminal-Bereiche 21, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der ersten Harz-Seitenfläche 432 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (bzw. nach innen vom Versiegelungsharz 4), gesehen in der Dickenrichtung z. Wie in den 4, 7 und 8 gezeigt, befinden sich die dritten Seitenflächen 232 der zwei dritten Terminal-Bereiche 23, die an den jeweiligen Enden des Halbleiterbauteils A10 in der ersten Richtung x und an dem Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der ersten Harz-Seitenfläche 432 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (bzw. nach innen vom Versiegelungsharz 4), gehen in Dickenrichtung z.
  • Wie in den 5 und 6 gezeigt, befindet sich die zweite Harz-Seitenfläche 433 am Ende des Versiegelungsharzes 4 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und ist der ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die zweite Harz-Seitenfläche 433 ist mit der Harz-Vorderfläche 41 verbunden. Wie in den 4, 9 und 14 gezeigt, befinden sich die zweiten Seitenflächen 222 der zweiten Terminal-Bereiche 22, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, in Dickenrichtung z gesehen von der zweiten Harz-Seitenfläche 433 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (nach innen vom Versiegelungsharz 4). Wie in den 4, 5 und 6 gezeigt, befinden sich die vierten Seitenflächen 233 der zwei dritten Terminal-Bereiche 23, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und an den jeweiligen Enden des Halbleiterbauteils A10 in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der zweiten Harz-Seitenfläche 433 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharzes 4 (nach innen vom Versiegelungsharz 4), gesehen in Dickenrichtung z.
  • Wie in den 5 und 6 gezeigt, befindet sich die zweite Harz-Seitenfläche 434 an dem Ende des Versiegelungsharzes 4 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x und ist der zweiten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die zweite Harz-Seitenfläche 434 ist mit der Harz-Vorderfläche 41 verbunden. Wie in den 4 und 9 gezeigt, befinden sich die zweiten Seitenflächen 222 der zweiten Terminal-Bereiche 22, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, von der zweiten Harz-Seitenfläche 434 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (nach innen vom Versiegelungsharz 4), gesehen in der Dickenrichtung z. Wie in den 4, 5 und 6 gezeigt, befinden sich die vierten Seitenflächen 233 der zwei dritten Terminal-Bereiche 23, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x und an den jeweiligen Enden des Halbleiterbauteils A10 in der zweiten Richtung y angeordnet sind, von der zweiten Harz-Seitenfläche 434 nach innen in Bezug auf das Versiegelungsharz 4 (nach innen vom Versiegelungsharz 4), gesehen in der Dickenrichtung z.
  • Wie in den 4 und 10 bis 13 gezeigt, ist die erste Harz-Zwischenfläche 441 mit dem Ende der ersten Harz-Seitenfläche 431 auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung z verbunden und ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die erste Harz-Zwischenfläche 441 befindet sich zwischen einigen ersten Seitenflächen 212 (den ersten Seitenflächen 212 der ersten Terminal-Bereiche 21, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind) und der ersten Harz-Seitenfläche 431 in der zweiten Richtung y.
  • Wie in den 4 und 10 bis 12 gezeigt, ist die erste Harz-Zwischenfläche 442 mit dem Ende der ersten Harz-Seitenfläche 432 auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung z verbunden und ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die erste Harz-Zwischenfläche 442 befindet sich zwischen einigen ersten Seitenflächen 212 (die ersten Seitenflächen 212 der ersten Terminal-Bereiche 21, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind) und der ersten Harz-Seitenfläche 432 in der zweiten Richtung y.
  • Wie in den 4, 9 und 14 gezeigt, ist die zweite Harz-Zwischenfläche 443 mit dem Ende der zweiten Harz-Seitenfläche 433 auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung z verbunden und ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die zweite Harz-Zwischenfläche 443 befindet sich zwischen einigen zweiten Seitenflächen 222 (die zweiten Seitenflächen 222 der zweiten Terminal-Bereiche 22, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind) und der zweiten Harz-Seitenfläche 433 in der ersten Richtung x.
  • Wie in den 4 und 9 gezeigt, ist die zweite Harz-Zwischenfläche 444 mit dem Ende der zweiten Harz-Seitenfläche 434 auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung z verbunden und ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die zweite Harz-Zwischenfläche 444 befindet sich zwischen einigen zweiten Seitenflächen 222 (die zweiten Seitenflächen 222 der zweiten Terminal-Bereiche 22, die am Ende des Halbleiterbauteils A10 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind) und der zweiten Harz-Seitenfläche 434 in der ersten Richtung x.
  • Wie in den 4, 6 und 10 bis 12 gezeigt, ist die erste Harz-Innenseitenfläche 451 mit der Harz-Rückfläche 42 verbunden und ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. In der Dickenrichtung z betrachtet, befindet sich die erste Harz-Innenseitenfläche 451 von der ersten Harz-Seitenfläche 431 und der ersten Harz-Zwischenfläche 441 nach innen von dem Versiegelungsharz 4. Die Abmessung der ersten Harz-Seitenfläche 451 in der Dickenrichtung z ist die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche wie die Abmessung des Abschnitts jedes der ersten Terminal-Bereiche 21, der durch das Basisteil 1A in der Dickenrichtung z gebildet wird.
  • Wie in den 4, 5 und 10 bis 12 gezeigt, ist die erste Harz-Innenseitenfläche 452 mit der Harz-Rückfläche 42 verbunden und ist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. In der Dickenrichtung z betrachtet, befindet sich die erste Harz-Innenseitenfläche 452 von der ersten Harz-Seitenfläche 432 und der ersten Harz-Zwischenfläche 442 nach innen von dem Versiegelungsharz 4. Die Abmessung der ersten Harz-Seitenfläche 452 in der Dickenrichtung z ist die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche wie die Abmessung des Abschnitts jedes der ersten Terminal-Abschnitte 21, der aus dem Basisteil 1A in der Dickenrichtung z hergestellt ist.
  • Wie in den 4, 7 und 9 gezeigt, ist die zweite Harz-Innenseitenfläche 453 mit der Harz-Rückfläche 42 verbunden und ist der ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. In Dickenrichtung z gesehen ist die zweite Harz-Innenseitenfläche 453 von der zweiten Harz-Seitenfläche 433 und der zweiten Harz-Zwischenfläche 443 nach innen von dem Versiegelungsharz 4 angeordnet. Die Abmessung der zweiten Harz-Innenseitenfläche 453 in der Dickenrichtung z ist die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche wie der Abschnitt jedes zweiten Terminal-Bereichs 22, der aus dem Basisteil 1A in der Dickenrichtung z hergestellt ist.
  • Wie in den 4, 8 und 9 gezeigt, ist die zweite Harz-Innenseitenfläche 454 mit der Harz-Rückfläche 42 verbunden und der zweiten Seite in der ersten Dickenrichtung x zugewandt. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist die zweite Harz-Innenseitenfläche 454 von der zweiten Harz-Seitenfläche 434 und der zweiten Harz-Zwischenfläche 444 nach innen von dem Versiegelungsharz 4 angeordnet. Die Abmessung der zweiten Harz-Seitenfläche 454 in der Dickenrichtung z ist die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche wie die Abmessung des Abschnitts jedes zweiten Terminal-Bereichs 22, der aus dem Basisteil 1A in der Dickenrichtung z hergestellt ist.
  • Als nächstes wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 unter Bezugnahme auf die 16 bis 20 beschrieben. 16 bis 18 und 20 sind Querschnittsansichten, die jeweils einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 zeigen. Es wird bemerkt, dass die in den 16 bis 18 und 20 gezeigten Querschnitte entlang der gleichen Linie wie der in 9 gezeigte Querschnitt aufgenommen sind.
  • Zunächst wird, wie in 16 gezeigt, ein Versiegelungsharz 4 gebildet, um Abschnitte einer Vielzahl von Terminal-Bereichen 20 und ein Halbleiterelement 3 zu bedecken. Jeder der Terminal-Bereiche 20 ist aus einem Basisteil 1A hergestellt. Das Versiegelungsharz 4 wird durch Formpressen hergestellt. Die Oberfläche (in der Figur die obere Oberfläche) eines Hauptabschnitts 10 (der Abschnitt, der aus dem Basisteil 1A gebildet ist), der der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt ist, und Montageflächen 201 der Terminal-Bereiche 20 sind von einer Harz-Rückfläche 42 des Versiegelungsharzes 4 freigelegt.
  • Als nächstes wird, wie in 17 gezeigt, in jedem der Terminal-Bereiche 20 eine Nut 202 derart ausgebildet, dass die Nut 202 von der Montagefläche 201 in der Dickenrichtung z ausgespart ist. Die Nut 202 kann z. B. mit Hilfe einer Klinge 81 geformt werden. Die Ausbildung der Nut 202 mit der Klinge 81 erfolgt durch Schneiden jedes der Terminal-Bereiche 20 über seine gesamte Dicke. Im dargestellten Beispiel entspricht die Tiefe der Nut 202 (die Abmessung in Dickenrichtung z) der Dicke jedes Terminal-Bereichs 20 (die Abmessung in Dickenrichtung z) oder ist geringfügig größer als diese. Durch das Ausbilden der Nut 202 in jedem Terminal-Bereich 20 mit der Klinge 81 wird der Terminal-Bereich 20 in zwei Abschnitte mit der dazwischen liegenden Klinge 81 unterteilt. Die Nut 202 hat ein Paar von geschnittenen Seitenflächen 205, die einander zugewandt sind. Das Paar der geschnittenen Seitenflächen 205 entsteht dadurch, dass jeder Terminal-Bereich 20 geschnitten wird.
  • In diesem Schritt werden die Terminal-Bereiche 20 abgeschnitten und das Versiegelungsharz 4 wird entlang einer Vielzahl von Linien, die sich in der ersten Richtung x und der zweiten Richtung y erstrecken, so eingegraben, dass die Tiefe der Nut 202 konstant ist. 17 zeigt den Zustand, in dem die Terminal-Bereiche 20 und das Versiegelungsharz 4 entlang einer Linie geschnitten werden, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Im Versiegelungsharz 4 sind zweite Harz-Innenseitenflächen 453 und 454 (erste Harz-Innenseitenflächen 451 und 452) so ausgebildet, dass sie bündig mit den geschnittenen Seitenflächen 205 sind.
  • Als nächstes wird, wie in 18 gezeigt, eine Metallschicht 1B gebildet, um die Montagefläche 201 und die geschnittenen Seitenflächen 205 (die Oberflächen der Nut 202) jedes Terminal-Bereichs 20 zu bedecken. Die Metallschicht 1B wird durch stromloses Beschichten gebildet. Mit der auf diese Weise gebildeten Metallschicht 1B werden die zwei getrennten Abschnitte jedes Terminal-Bereichs 20, wie in 17 gezeigt, zu zwei zweiten Terminal-Bereichen 22, die jeweils eine zweite Montagefläche 221 und eine zweite Seitenfläche 222 aufweisen. In dem Schritt der Bildung der Metallschicht 1B durch stromlose Beschichtung wird die Metallschicht 1B über die gesamte vom Versiegelungsharz 4 freiliegende Oberfläche des Basisteils 1A gebildet. Infolgedessen werden die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 jedes zweiten Terminal-Bereichs 22 vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet, wie in 18 gezeigt. In diesem Schritt wird die Metallschicht 1B auch auf der Oberfläche des Hauptbereichs 10 (dem Abschnitt, der aus dem Basisteil 1A besteht) ausgebildet, der der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt ist, so dass eine Rückfläche 12 aus der Metallschicht 1B ausgebildet wird.
  • In dem in 17 dargestellten und oben beschriebenen Schritt werden einige Terminal-Bereiche 20 entlang der sich in der zweiten Richtung y erstreckenden Linien geschnitten, und einige Terminal-Bereiche 20 werden entlang der sich in der ersten Richtung x erstreckenden Linien geschnitten. Das Schneiden jedes Terminal-Bereichs 20 entlang der sich in der ersten Richtung x erstreckenden Linien ergibt zwei separate Abschnitte für jeden Terminal-Bereich 20. Im nächsten Schritt, der in 18 dargestellt ist, werden aus den zwei getrennten Abschnitten zwei erste Terminal-Bereiche, die jeweils eine erste Montagefläche 211 und einen ersten Seitenabschnitt 212 aufweisen. Die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 jedes ersten Terminal-Bereichs 21 sind vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. 19 ist eine schematische Draufsicht auf den Schritt von 18 in Dickenrichtung z gesehen und zeigt Linien L1, die sich in der ersten Richtung x erstrecken, Linien L2, die sich in der zweiten Richtung y erstrecken, eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen 21, eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen 22 und eine Vielzahl von dritten Terminal-Bereichen 23.
  • Ferner wird der Bereich, der an einen Schnittpunkt zwischen einer Linie L1, die sich in der ersten Richtung x erstreckt, und einer Linie L2, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt, angrenzt, mit vier separaten Abschnitten gebildet, die sich aus dem Schneiden eines Terminal-Bereichs 20 in dem in 17 gezeigten Schritt ergeben. Im nächsten Schritt, der in 18 dargestellt ist, werden die vier getrennten Abschnitte des Terminal-Bereichs 20 zu vier dritten Terminal-Bereichen 23, die jeweils eine dritte Montagefläche 231, eine dritte Seitenfläche 232 und eine vierte Seitenfläche 233 aufweisen. Die dritte Montagefläche 231, die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233 eines jeden dritten Terminal-Bereichs 23 sind vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet.
  • Als nächstes wird, wie in 20 gezeigt, ein Tape 90 an der Harz-Vorderfläche 41 des Versiegelungsharzes 4 angebracht, und dann wird das Versiegelungsharz 4 mit einer Klinge 82 entlang der Nut 202 geschnitten. An diesem Punkt wird die Breite der Klinge 82 kleiner als der Abstand zwischen dem Paar zweiter Seitenflächen 222 zweier zweiter Terminal-Bereiche 22, die einander zugewandt sind, eingestellt. Mit diesem Schritt wird das Versiegelungsharz 4 in Stücke zerteilt, die jeweils mit ersten Harz-Seitenflächen 431 und 432, zweiten Harz-Seitenflächen 433 und 434, ersten Harz-Zwischenflächen 441 und 442 und zweiten Harz-Zwischenflächen 443 und 444 gebildet werden. Durch die oben genannten Schritte wird eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen A10 erhalten.
  • Als nächstes werden die Vorteile der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • In dem Halbleiterbauteil A10 weist ein Anschluss 1 ein Basisteil 1A und eine Metallschicht 1B auf, die einen Abschnitt des Basisteils 1A bedeckt. Der Anschluss 1 weist eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen 21 auf. Die ersten Terminal-Bereiche 21 sind in der ersten Richtung x ausgerichtet. Jeder der ersten Terminal-Bereiche 21 hat eine erste Montagefläche 211, die der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt ist, und eine erste Seitenfläche 212, die in die zweite Richtung y weist. Die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 sind von einem Versiegelungsharz 4 freigelegt. Ferner sind die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Die Metallschicht 1B weist eine Plattierungsschicht auf und hat eine höhere Benetzbarkeit mit Lötmitteln als das Basisteil 1A. Wenn also das Halbleiterbauteil A10 mit Lötmittel auf eine Leiterplatte gebondet wird, werden die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 entsprechend mit Lötmittel bedeckt. Dies ermöglicht es, die Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehle, die auf der ersten Seitenfläche 212 jedes ersten Terminal-Bereichs 21 gebildet wird, zu erhöhen.
  • Das Versiegelungsharz 4 weist erste Harz-Seitenflächen 431 und 432 auf. Jede der ersten Harz-Seitenflächen 431 und 432 befindet sich an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 in der zweiten Richtung y und ist in der zweiten Richtung y zugewandt. In Dickenrichtung z gesehen, befindet sich jede der ersten Seitenflächen 212 von den ersten Harz-Seitenflächen 431 und 432 nach innen von dem Versiegelungsharz 4. Bei einer solchen Konfiguration wird die Metallschicht 1B, die die ersten Seitenflächen 212 bildet, während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 nicht mit einer Klinge oder dergleichen geschnitten. Dadurch kann die Gesamtheit jeder ersten Seitenfläche 212 zuverlässiger aus der Metallschicht 1B gebildet werden. Dies ist wünschenswert, um die Bondfestigkeit der auf den ersten Seitenflächen 212 gebildeten Lötmittel-Kehlen zu erhöhen, und kann die Montagezuverlässigkeit verbessern, wenn das Halbleiterbauteil A10 z.B. auf einer Leiterplatte montiert ist.
  • Der Anschluss 1 weist eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen 22 auf. Die zweiten Terminal-Bereiche 22 sind in der zweiten Richtung y ausgerichtet. Jeder der zweiten Terminal-Bereiche 22 weist eine zweite Montagefläche 221 auf, die der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt ist, und eine zweite Seitenfläche 222, die der ersten Richtung x zugewandt ist. Die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 sind von dem Versiegelungsharz 4 freigelegt. Außerdem sind die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Die Metallschicht 1B weist eine Plattierungsschicht auf und hat eine höhere Benetzbarkeit mit Lötmitteln als das Basisteil 1A. Wenn also das Halbleiterbauteil A10 mit Lötmittel an eine Leiterplatte gebondet wird, werden die zweite Montagefläche 221 und die zweite Seitenfläche 222 entsprechend mit Lötmittel bedeckt. Dies ermöglicht es, die Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehle zu erhöhen, die auf der zweiten Seitenfläche 222 jedes zweiten Terminal-Bereichs 22 gebildet wird.
  • Das Versiegelungsharz 4 weist zweite Harz-Seitenflächen 433 und 434 auf. Jede der zweiten Harz-Seitenflächen 433 und 434 befindet sich an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 in der ersten Richtung x und ist der ersten Richtung x zugewandt. In der Dickenrichtung z betrachtet, befindet sich jede der zweiten Seitenflächen 222 von den zweiten Harz-Seitenflächen 433 und 434 nach innen von dem Versiegelungsharz 4. Bei einer solchen Konfiguration wird die Metallschicht 1B, die die zweiten Seitenflächen 222 bildet, während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 nicht mit einer Klinge oder dergleichen geschnitten. Dadurch kann die Gesamtheit jeder zweiten Seitenfläche 222 zuverlässiger aus der Metallschicht 1B gebildet werden. Dies ist wünschenswert, um die Bondfestigkeit der auf den zweiten Seitenflächen 222 gebildeten Lötmittel-Kehlen zu erhöhen, und kann die Montagesicherheit verbessern, wenn das Halbleiterbauteil A10 beispielsweise auf einer Leiterplatte montiert wird.
  • Der Anschluss 1 weist einen dritten Terminal-Bereich 23 auf. Der dritte Terminal-Bereich 23 ist an einer Position angeordnet, die in der ersten Richtung x näher an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 liegt als die ersten Terminal-Bereiche 21 und in der zweiten Richtung y näher an einem Ende des Versiegelungsharzes 4 als die zweiten Terminal-Bereiche 22. In anderen Worten ist der dritte Terminal-Beriech 23 an einer Ecke des Versiegelungsharzes 4 angeordnet. Der dritte Terminal-Bereich 23 hat eine dritte Montagefläche 231, eine dritte Seitenfläche 232 und eine vierte Seitenfläche 233. Die dritte Montagefläche 231 ist der zweiten Seite in der Dickenrichtung z zugewandt. Die dritte Seitenfläche 232 ist in der zweiten Richtung y zugewandt (dieselbe Seite wie die ersten Seitenflächen 212 einiger erster Terminal-Bereiche 21). Die vierte Seitenfläche 233 ist der ersten Richtung x zugewandt (dieselbe Seite wie die zweiten Seitenflächen 222 einiger zweiter Terminal-Bereiche 22). Die dritte Montagefläche 231, die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233 sind vom Versiegelungsharz 4 freigelegt. Darüber hinaus sind die dritte Montagefläche 231, die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233 vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Bei einer solchen Konfiguration, wenn das Halbleiterbauteil A10 mit Lötmitteln an eine Leiterplatte gebondet wird, sind die dritte Montagefläche 231 und zwei Seitenflächen (die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233) entsprechend mit Lötmitteln bedeckt. Auf diese Weise lässt sich die Bondfestigkeit der auf der dritten Seitenfläche 232 und der vierten Seitenfläche 233 des dritten Terminal-Bereichs 23 gebildeten Lötmittel-Kehlen erhöhen. Darüber hinaus wird im dritten Terminal-Bereich 23, der an einer Ecke des Versiegelungsharzes 4 angeordnet ist, über die zwei Seitenflächen (die dritte Seitenfläche 232 und die vierte Seitenfläche 233) hinweg eine größere Lötmittel-Kehle gebildet. Dies ist wünschenswert, um die Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehle zu erhöhen, und kann die Montagezuverlässigkeit verbessern, wenn das Halbleiterbauteil A10 beispielsweise auf einer Leiterplatte montiert wird.
  • In dem Halbleiterbauteil A10 ist an jeder der vier Ecken des Versiegelungsharzes 4 ein dritter Terminal-Bereich 23 angeordnet, der in Dickenrichtung z gesehen eine rechteckige Form aufweist. Dadurch lässt sich die Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehlen an den vier Ecken des Versiegelungsharzes 4 (des Halbleiterbauteils A10) effizienter erhöhen. Dadurch kann die Montagezuverlässigkeit des Halbleiterbauteils A10 weiter verbessert werden.
  • Variation der ersten Ausführungsform:
  • Die 21 bis 29 zeigen ein Halbleiterbauteil A11 gemäß einer Variante der ersten Ausführungsform. 21 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A11. 22 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil A11 zeigt. 23 ist eine Rückansicht, die das Halbleiterbauteil A11 zeigt. 24 ist eine Ansicht von der rechten Seite des Halbleiterbauteils A11. 25 ist eine Ansicht von der linken Seite, die das Halbleiterbauteil A11 zeigt. 26 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXVI-XXVI in 21. 27 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXVII-XXVII in 21. 28 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 27. 29 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 26. In 21 und den nachfolgenden Zeichnungen sind die Elemente, die mit denen des Halbleiterbauteils A10 in der obigen Ausführungsform identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugsziffern wie in der obigen Ausführungsform bezeichnet, und die Beschreibungen derselben werden gegebenenfalls weggelassen. Zum besseren Verständnis sind in 21 das Halbleiterelement 3 und das Versiegelungsharz 4 in Phantomform dargestellt. In 21 sind das Halbleiterelement 3 und das Versiegelungsharz 4 durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Kettenlinien) angedeutet.
  • Das Halbleiterbauteil A11 der vorliegenden Variante unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil in der obigen Ausführungsform hauptsächlich in den Konfigurationen der zwei ersten Harz-Innenseitenflächen 451 und 452 und der zwei zweiten Harz-Innenseitenflächen 453 und 454 des Versiegelungsharzes 4. In der vorliegenden Variante ist die Abmessung jeder der ersten Harz-Innenseitenflächen 451 und 452 in der Dickenrichtung z deutlich größer als die Abmessung des Abschnitts jedes der ersten Terminal-Abschnitte 21, der aus dem Basisteil 1A in der Dickenrichtung z hergestellt ist. Die Abmessung jeder der zweiten Harz-Seitenflächen 453 und 454 in der Dickenrichtung z ist deutlich größer als die Abmessung des Abschnitts jedes zweiten Terminal-Bereichs 22, der aus dem Basisteil 1A in der Dickenrichtung z besteht. Die ersten Harz-Innenseitenflächen 451 und 452 und die zweiten Harz-Innenseitenflächen 453 und 454, die die oben beschriebenen Konfigurationen aufweisen, können durch das folgende Verfahren in einem Schritt des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10, das unter Bezugnahme auf 17 beschrieben ist, gebildet werden. Die ersten Harz-Innenseitenflächen 451 und 452 und die zweiten Harz-Innenseitenflächen 453 und 454 der vorliegenden Variante können gebildet werden, indem jeder der Terminal-Abschnitte 20 durch seine gesamte Dicke mit der Klinge 81 geschnitten wird und tiefer in einen Abschnitt des Versiegelungsharzes 4 geschnitten wird, der sich auf der ersten Seite in der Dickenrichtung z relativ zu den Terminal-Bereichen 20 befindet.
  • Gemäß dem Halbleiterbauteil A11 der vorliegenden Variante sind die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 jedes ersten Terminal-Bereichs 21 vollständig aus der Metallschicht 1B gebildet. Die Metallschicht 1B weist eine Plattierungsschicht auf und hat eine höhere Benetzbarkeit mit Lötmitteln als das Basisteil 1A. Wenn also das Halbleiterbauteil A11 mit Lötmittel auf eine Leiterplatte gebondet wird, werden die erste Montagefläche 211 und die erste Seitenfläche 212 entsprechend mit Lötmittel bedeckt. Dies ermöglicht es, die Bondfestigkeit der Lötmittel-Kehle, die auf der ersten Seitenfläche 212 jedes ersten Terminal-Bereichs 21 gebildet wird, zu erhöhen. Das Halbleiterbauteil A11 hat auch ähnliche Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 in der obigen Ausführungsform.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt. An den spezifischen Konfigurationen der Elemente des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung können verschiedene Konstruktionsänderungen vorgenommen werden.
  • Die vorliegende Offenbarung schließt die in den folgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen mit ein.
  • Klausel 1.
  • Ein Halbleiterbauteil, das aufweist:
    • einen Anschluss mit einem Hauptbereich, der eine Vorderfläche aufweist, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist;
    • ein Halbleiterelement, das von der Vorderfläche getragen wird; und
    • ein Versiegelungsharz, das einen Abschnitt des Anschlusses und das Halbleiterelement bedeckt,
    • wobei der Anschluss ein Basisteil und eine Metallschicht aufweist, die einen Abschnitt des Basisteils bedeckt,
    • der Anschluss eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen aufweist, die in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung ausgerichtet sind,
    • jeder aus der Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche eine erste Montagefläche aufweist, die einer zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, und eine erste Seitenfläche, die einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung zugewandt ist ,
    • die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und
    • die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  • Klausel 2.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Seitenfläche aufweist, die an einem Ende in der zweiten Richtung angeordnet ist und der zweiten Richtung zugewandt ist, und
    die erste Seitenfläche von der ersten Harz-Seitenfläche nach innen von dem Versiegelungsharz, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
  • Klausel 3.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Zwischenfläche aufweist, die mit einem Ende der ersten Harz-Seitenfläche auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung verbunden ist, und
    die erste Harz-Zwischenfläche der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist und zwischen der ersten Seitenfläche und der ersten Harz-Seitenfläche in der zweiten Richtung angeordnet ist.
  • Klausel 4.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 3, wobei die erste Seitenfläche mit der ersten Montagefläche verbunden ist und mit einer anderen der ersten Seitenflächen bündig ist.
  • Klausel 5.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 4, wobei der Anschluss eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen aufweist, die in der zweiten Richtung ausgerichtet sind,
    jeder der Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen eine zweite Montagefläche aufweist, die der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, und eine zweite Seitenfläche, die in die erste Richtung weist,
    die zweite Montagefläche und die zweite Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und
    die zweite Montagefläche und die zweite Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  • Klausel 6.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Harz-Seitenfläche aufweist, die an einem Ende in der ersten Richtung angeordnet ist und der ersten Richtung zugewandt ist, und
    die zweite Seitenfläche von der zweiten Harz-Seitenfläche nach innen von dem Versiegelungsharz, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
  • Klausel 7.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Harz-Zwischenfläche aufweist, die mit einem Ende der zweiten Harz-Seitenfläche auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung verbunden ist, und
    die zweite Harz-Zwischenfläche der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist und zwischen der zweiten Seitenfläche und der zweiten Harz-Seitenfläche in der ersten Richtung angeordnet ist.
  • Klausel 8.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 5 bis 7, wobei die zweite Seitenfläche mit der zweiten Montagefläche verbunden ist und mit einer („one“) anderen der zweiten Seitenflächen bündig ist.
  • Klausel 9.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 5 bis 8, wobei die Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche an den Enden des Versiegelungsharzes auf einer ersten Seite und einer zweiten Seite in der zweiten Richtung, in Dickenrichtung gesehen, ausgerichtet sind,
    die Vielzahl der zweiten Terminal-Bereiche an den Enden des Versiegelungsharzes auf einer ersten Seite und einer zweiten Seite in der ersten Richtung, gesehen in der Dickenrichtung, ausgerichtet sind,
    jeder aus der Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche zwei erste Innenflächen aufweist, die mit einer („one“) der ersten Montageflächen und einer („one“) der ersten Seitenflächen verbunden sind, wobei die beiden ersten Innenflächen jeweils der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt sind,
    jeder der Vielzahl der zweiten Terminal-Bereiche zwei zweite Innenflächen aufweist, die mit einer („one“) der zweiten Montageflächen und einer („one“) der zweiten Seitenflächen verbunden sind, wobei die beiden zweiten Innenflächen jeweils der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der zweiten Richtung zugewandt sind, und
    die ersten Innenflächen und die zweiten Innenflächen mit dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
  • Klausel 10.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 9, wobei der Anschluss einen dritten Terminal-Bereich aufweist, der näher an einem Ende des Versiegelungsharzes angeordnet ist als die Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche in der ersten Richtung und näher an einem Ende des Versiegelungsharzes als die Vielzahl der zweiten Terminal-Bereiche in der zweiten Richtung,
    der dritte Terminal-Bereich eine dritte Montagefläche aufweist, die der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, eine dritte Seitenfläche, die der gleichen Seite wie die erste Seitenfläche zugewandt ist, und eine vierte Seitenfläche, die der gleichen Seite wie die zweite Seitenfläche zugewandt ist,
    die dritte Montagefläche, die dritte Seitenfläche und die vierte Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und
    die dritte Montagefläche, die dritte Seitenfläche und die vierte Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  • Klausel 11.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei das Versiegelungsharz eine rechteckige Form aufweist, die sich in der ersten Richtung und der zweiten Richtung, in Dickenrichtung gesehen, erstreckt, und
    der dritte Terminal-Bereich eine Vielzahl von dritten Terminal-Bereichen aufweist, die jeweils an einer der vier Ecken des Versiegelungsharzes, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet sind.
  • Klausel 12.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 11, wobei der Hauptbereich mit mindestens einem der Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen verbunden ist, und
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einer der Vorderfläche in Dickenrichtung gegenüberliegenden Seite angeordnet und mit der Vorderfläche verbunden sind.
  • Klausel 13.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 12, wobei die Metallschicht eine Plattierungsschicht aufweist.
  • Klausel 14.
  • Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden eines Versiegelungsharzes, das einen Abschnitt jedes einer Vielzahl von Terminal-Bereichen, die aus einem Basisteil bestehen, und ein Halbleiterelement bedeckt;
    Ausbilden einer Nut in jedem der Vielzahl von Terminal-Bereichen, so dass die Nut in einer Dickenrichtung von einer Montagefläche jedes der Vielzahl von Terminal-Bereichen ausgespart ist, die in der Dickenrichtung zugewandt ist;
    Bilden einer Metallschicht durch Plattieren, so dass die Metallschicht die Montagefläche und die Nut bedeckt; und Schneiden des Versiegelungsharzes entlang der Nut,
    wobei in dem Schritt des Bildens der Nut jeder der Vielzahl von Terminal-Bereichen durch eine gesamte Dicke davon geschnitten wird.
  • BEZUGSZEICHENLISTE

  • A10, A11: Halbleiterbauteil 1: Anschluss
    1A: Basisteil 1B: Metallschicht
    10: Hauptbereich 101: Erster Hauptbereich
    102: Zweiter Hauptbereich 103: Dritter Hauptbereich 104: Vierter Hauptbereich 105: Fünfter Hauptbereich 11: Vorderfläche 111: Erste Vorderfläche
    112: Zweite Vorderfläche 113: Dritte Vorderfläche 114: Vierte Vorderfläche 115: Fünfte Vorderfläche 12: Rückfläche 121: Erste Rückfläche
    122: Zweite Rückfläche 20: Terminal-Bereich
    201: Montagefläche 202: Nut
    205: geschnittene Seitenfläche 21: Erster Terminal-Bereich 211: Erste Montagefläche 212: Erste Seitenfläche 213: Erste Innenfläche 22: Zweiter Terminal-Bereich 221: Zweite Montagefläche 222: Zweite Seitenfläche 223: Zweite Innenfläche 23: Dritter Terminal-Bereich 231: Dritte Montagefläche 232: Dritte Seitenfläche 233: Vierte Seitenfläche 3: Halbleiterelement
    31: Halbleitersubstrat 32: Halbleiterschicht
    321: Schaltung zum Schalten („switching circuit“)
    322: Steuerschaltung
    34, 35: Elektrode 4: Versiegelungsharz
    41: Harz-Vorderfläche 42: Harz-Rückfläche
    431, 432: Erste Harz-Seitenfläche
    433, 434: Zweite Harz-Seitenfläche
    441, 442: Erste Harz-Zwischenfläche
    443, 444: Zweite Harz-Zwischenfläche
    451, 452: Erste Harz-Innenseitenfläche 453, 454: Zweite Harz-Innenseitenfläche 81, 82: Klinge 90: Tape L1, L2: Linie x: Erste Richtung y: Zweite Richtung z: Dickenrichtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018190875 A [0004]

Claims (14)

  1. Halbleiterbauteil, das aufweist: einen Anschluss mit einem Hauptbereich, der eine Vorderfläche aufweist, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; ein Halbleiterelement, das von der Vorderfläche getragen wird; und ein Versiegelungsharz, das einen Abschnitt des Anschlusses und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Anschluss ein Basisteil und eine Metallschicht aufweist, die einen Abschnitt des Basisteils bedeckt, der Anschluss eine Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen aufweist, die in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung ausgerichtet sind, jeder der Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen eine erste Montagefläche aufweist, die einer zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, und eine erste Seitenfläche, die einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und ersten Richtung zugewandt ist, die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und die erste Montagefläche und die erste Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Seitenfläche aufweist, die sich an einem Ende in der zweiten Richtung befindet und der zweiten Richtung zugewandt ist, und die erste Seitenfläche von der ersten Harz-Seitenfläche nach innen von dem Versiegelungsharz, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Zwischenfläche aufweist, die mit einem Ende der ersten Harz-Seitenfläche auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung verbunden ist, und die erste Harz-Zwischenfläche der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist und zwischen der ersten Seitenfläche und der ersten Harz-Seitenfläche in der zweiten Richtung angeordnet ist.
  4. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Seitenfläche mit der ersten Montagefläche verbunden ist und mit einer anderen der ersten Seitenflächen bündig ist.
  5. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Anschluss eine Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen aufweist, die in der zweiten Richtung ausgerichtet sind, jeder der Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen eine zweite Montagefläche aufweist, die der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, und eine zweite Seitenfläche, die in die erste Richtung weist, die zweite Montagefläche und die zweite Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und die zweite Montagefläche und die zweite Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Harz-Seitenfläche aufweist, die an einem Ende in der ersten Richtung angeordnet ist und der ersten Richtung zugewandt ist, und die zweite Seitenfläche von der zweiten Harz-Seitenfläche nach innen von dem Versiegelungsharz, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Harz-Zwischenfläche aufweist, die mit einem Ende der zweiten Harz-Seitenfläche auf der zweiten Seite in der Dickenrichtung verbunden ist, und die zweite Harz-Zwischenfläche der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist und zwischen der zweiten Seitenfläche und der zweiten Harz-Seitenfläche in der ersten Richtung angeordnet ist.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die zweite Seitenfläche mit der zweiten Montagefläche verbunden ist und mit einer anderen der zweiten Seitenflächen bündig ist.
  9. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei die Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche an den Enden des Versiegelungsharzes auf einer ersten Seite und einer zweiten Seite in der zweiten Richtung, in Dickenrichtung gesehen, ausgerichtet sind, die Vielzahl der zweiten Terminal-Bereiche an den Enden des Versiegelungsharzes auf einer ersten Seite und einer zweiten Seite in der ersten Richtung, gesehen in der Dickenrichtung, ausgerichtet sind, jeder der Vielzahl von ersten Terminal-Bereichen zwei erste Innenflächen aufweist, die mit einer der ersten Montageflächen und einer der ersten Seitenflächen verbunden sind, wobei die beiden ersten Innenflächen der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt sind, jeder der Vielzahl von zweiten Terminal-Bereichen zwei zweite Innenflächen aufweist, die mit einer der zweiten Montageflächen und einer der zweiten Seitenflächen verbunden sind, wobei die beiden zweiten Innenflächen der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der zweiten Richtung zugewandt sind, und die ersten Innenflächen und die zweiten Innenflächen mit dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei der Anschluss einen dritten Terminal-Bereich aufweist, der näher an einem Ende des Versiegelungsharzes angeordnet ist als die Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche in der ersten Richtung und näher an einem Ende des Versiegelungsharzes als die Vielzahl der zweiten Terminal-Bereiche in der zweiten Richtung, der dritte Terminal-Bereich eine dritte Montagefläche aufweist, die der zweiten Seite in der Dickenrichtung zugewandt ist, eine dritte Seitenfläche, die der gleichen Seite wie die erste Seitenfläche zugewandt ist, und eine vierte Seitenfläche, die der gleichen Seite wie die zweite Seitenfläche zugewandt ist, die dritte Montagefläche, die dritte Seitenfläche und die vierte Seitenfläche von dem Versiegelungsharz freigelegt sind, und die dritte Montagefläche, die dritte Seitenfläche und die vierte Seitenfläche vollständig aus der Metallschicht gebildet sind.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei das Versiegelungsharz eine rechteckige Form hat, die sich in der Dickenrichtung gesehen in der ersten Richtung und der zweiten Richtung erstreckt, und der dritte Terminal-Bereich eine Vielzahl von dritten Terminal-Bereichen aufweist, die jeweils an einer der vier Ecken des Versiegelungsharzes, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet sind.
  12. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Hauptbereich mit mindestens einem aus der Vielzahl der ersten Terminal-Bereiche verbunden ist, und das Halbleiterelement eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einer der Vorderfläche in Dickenrichtung gegenüberliegenden Seite angeordnet und mit der Vorderfläche verbunden sind.
  13. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Metallschicht eine Plattierungsschicht aufweist.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das die folgenden Schritte aufweist Ausbilden eines Versiegelungsharzes, das einen Abschnitt von jedem einer Vielzahl von Terminal-Bereichen, die aus einem Basisteil bestehen, und ein Halbleiterelement bedeckt; Ausbilden einer Nut in jedem der Vielzahl von Terminal-Bereichen, so dass die Nut in einer Dickenrichtung von einer Montagefläche jedes der Vielzahl von Terminal-Bereichen ausgespart ist, die der Dickenrichtung zugewandt ist; Ausbilden einer Metallschicht durch Plattieren, so dass die Metallschicht die Montagefläche und die Nut bedeckt; und Schneiden des Versiegelungsharzes entlang der Nut, wobei in dem Schritt des Bildens der Nut jeder der Vielzahl von Terminal-Bereichen durch eine gesamte Dicke davon geschnitten wird.
DE112022005438.7T 2021-12-13 2022-11-30 Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils Pending DE112022005438T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021201802 2021-12-13
JP2021-201802 2021-12-13
PCT/JP2022/044165 WO2023112677A1 (ja) 2021-12-13 2022-11-30 半導体装置および半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022005438T5 true DE112022005438T5 (de) 2024-08-29

Family

ID=86774201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112022005438.7T Pending DE112022005438T5 (de) 2021-12-13 2022-11-30 Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240312878A1 (de)
JP (1) JPWO2023112677A1 (de)
CN (1) CN118541798A (de)
DE (1) DE112022005438T5 (de)
WO (1) WO2023112677A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190875A (ja) 2017-05-10 2018-11-29 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10366948B2 (en) * 2016-03-17 2019-07-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2018085487A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2021027211A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 ローム株式会社 電子装置
JP2021158317A (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ローム株式会社 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190875A (ja) 2017-05-10 2018-11-29 ローム株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN118541798A (zh) 2024-08-23
US20240312878A1 (en) 2024-09-19
JPWO2023112677A1 (de) 2023-06-22
WO2023112677A1 (ja) 2023-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013208818A1 (de) Zuverlässige Bereichsverbindungsstellen für Leistungshalbleiter
DE102018212438A1 (de) Halbleitergehäuse mit elektromagnetischer abschirmstruktur und verfahren zu dessen herstellung
DE112021002383B4 (de) Halbleitermodul
DE112018002137T5 (de) Halbleiterbauteil
DE202021004370U1 (de) HalbleitermoduL
DE212021000205U1 (de) Halbleiterbauteil
DE102018126311B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112021006079T5 (de) Halbleiteranordnung
DE112021002942T5 (de) Halbleitermodul
DE102017209904B4 (de) Elektronisches Bauelement, Leadframe für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements und eines Leadframes
DE112021006152B4 (de) Halbleiterausrüstung
DE112022005438T5 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils
DE112018005048T5 (de) Chip mit integrierter schaltung (ic), der zwischen einem offset-leiterrahmen-chip-befestigungspad und einem diskreten chip-befestigungspad befestigt ist
DE112021005246T5 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE112022000862T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112021004935T5 (de) Halbleiterbauteil
DE212021000165U1 (de) Halbleiterbauteil
DE112020000826T5 (de) Halbleiterbauteil und verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils
DE112022001601T5 (de) Halbleiterbauteil und herstellungsverfahren für das halbleiterbauteil
DE112021004773T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102017109717A1 (de) Ic-gehäuse mit integrierter induktivität
DE112021006817T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112021006144T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112022003156T5 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen von halbleitervorrichtungen
DE212021000212U1 (de) Halbleiterbauteil

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed